專利名稱：等離子體顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
等離子體顯示設(shè)備包括具有電極的等離子體顯示面板和向電極提供 驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)器。等離子體顯示面板包括由障壁劃分出的放電單元。在 放電單元內(nèi)形成熒光體。
當(dāng)某些驅(qū)動(dòng)信號(hào)被提供給等離子體顯示面板的電極時(shí)，在放電單元內(nèi) 產(chǎn)生持續(xù)放電。作為持續(xù)放電的結(jié)果，放電單元中的放電氣體產(chǎn)生導(dǎo)致熒 光體發(fā)光的真空紫外線。
在持續(xù)放電發(fā)生之前，在放電單元內(nèi)產(chǎn)生預(yù)置放電單元的壁電荷的復(fù) 位放電，和選擇將發(fā)生持續(xù)放電的放電單元的尋址放電
發(fā)明內(nèi)容



圖l是等離子體顯示設(shè)備的塊圖2是圖l的等離子體顯示設(shè)備的等離子體顯示面板的透視圖;
圖3是圖l的等離子體顯示i殳備的信號(hào)的時(shí)序圖4是圖l的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的圖5是圖l的等離子體顯示設(shè)備的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的圖6是圖l的等離子體顯示設(shè)備的數(shù)據(jù)信號(hào)的圖7是圖2的等離子體顯示面板中的電極的示意圖8是圖1的等離子體顯示設(shè)備的數(shù)據(jù)信號(hào)的圖9是圖1的等離子體顯示設(shè)備的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的基本單元的電路圖; 圖IO是圖9的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的切換時(shí)序圖； 圖11和圖12是在圖1的等離子體顯示設(shè)備上顯示的圖〗象；并且 圖13、圖14和圖15是數(shù)據(jù)信號(hào)的圖。
具體實(shí)施例方式
圖l示出等離子體顯示設(shè)備100，其包括等離子體顯示面板105、掃 描驅(qū)動(dòng)器IIO、維持驅(qū)動(dòng)器115和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。
等離子體顯示面板105包括放電單元125、掃描電極Yl，…，Yn、維 持電極Zl，…，Zn以及包括彼此接近的第一和第二尋址電極X1和X2的尋 址電極Xl，…，Xm。
掃描驅(qū)動(dòng)器110向掃描電極Yl，…，Yn提供預(yù)置放電單元的壁電荷狀 態(tài)的復(fù)位信號(hào)、選擇要發(fā)光的放電單元的掃描信號(hào)和使所選擇的放電單元 發(fā)光的維持信號(hào)。
維持驅(qū)動(dòng)器115向維持電極Zl,…，Zn提供幫助選擇放電單元的維持 偏壓信號(hào)和使所選擇的放電單元發(fā)光的維持信號(hào)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120在不同的提供時(shí)間點(diǎn)向?qū)ぶ冯姌OXI，…，Xm提供數(shù)據(jù) 信號(hào)。數(shù)據(jù)信號(hào)在第一周期期間逐漸地上升到數(shù)據(jù)電壓，在第二周期期間 保持在該數(shù)據(jù)電壓，并且在第三周期期間逐漸地從該數(shù)據(jù)電壓下降。尋址 電極包括第一尋址電極和第二尋址電極。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120向第一尋址電極 提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)，向第二尋址電極提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)。第二數(shù)據(jù)信號(hào)的 提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)，即第一數(shù)據(jù)信號(hào)在第一周期中開(kāi)始上升的時(shí)間點(diǎn)，不同 于第 一數(shù)據(jù)信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)。第 一數(shù)據(jù)信號(hào)或第二數(shù)據(jù)信號(hào)在第一 周期期間逐漸地上升到數(shù)據(jù)電壓，在第二周期期間保持在數(shù)據(jù)電壓，并且 在第三周期期間逐漸M數(shù)據(jù)電壓下降。
掃描驅(qū)動(dòng)器110提供對(duì)應(yīng)于第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)的掃描信號(hào)。
圖2示出等離子體顯示設(shè)備的示例性等離子體顯示面板的透視圖.如 圖2所示，等離子體顯示面板105包括前面板200和后面板210。前面板 200包括前141201，在其上形成掃描電極202和維持電極203。后面板 210包括后^L，在其上形成越過(guò)掃描電極202和維持電極203的尋址電極213。
上電介質(zhì)層204覆蓋掃描電極202和維持電極203。
掃描電極202和維持電極203可以包括透明電極202a和203a以及匯 流電極202b和203b。透明電極202a和203a由氧化銦錫形成。匯流電極 202b和203b提高了導(dǎo)電性。
可選地，圖2的掃描電極202和維持電極203可只包括匯流電極202b 和203b。
上電^^質(zhì)層204限制掃描電極202和維持電極203的放電電流，并且 隔離掃描電極202和維持電極203。上電介質(zhì)層204包括包含R20和金屬 氧化物M02的玻璃材料。
金屬氧化物M02包括Mn02、 Ce02、 Sn02、或Sb02的至少之一， 這些材料的每個(gè)具有3或4個(gè)化合階。R20包括Li20、 Na20、 K20、 Rb20、 Cs20、Cu20或Ag20的至少之一。M02阻止掃描電極202或維持電極203 的Ag離子或Cu離子在整個(gè)上電介質(zhì)層204擴(kuò)散。因此，防止了上電介 質(zhì)層204的變色。M02的范圍可以是電介質(zhì)層的總重量的0.5wt。/。到 10wt%。當(dāng)M02在電介質(zhì)層的總重量的0.5 wt。/。到10 wt。/。的范圍內(nèi)時(shí)， R20降低玻璃的軟化點(diǎn)，并且提高玻璃的流動(dòng)性。
保護(hù)層205被設(shè)置在上電介質(zhì)層204上，并且改進(jìn)了放電條件。保護(hù) 層通過(guò)沉積氧化鎂MgO來(lái)形成。
尋址電極213向放電單元提供數(shù)據(jù)信號(hào)。下電介質(zhì)層215覆蓋尋址電 極213，并且隔離尋址電極213。
下電^"質(zhì)層215包括PbO、 Si02、 B203、入1203和CuO。 CuO的范 圍可以是下電介質(zhì)層215的總重量的0.2wt。/。到0.4wt%。 CuO降低介電 骨(dielectricpaste)的粘性。因此，當(dāng)CuO的范圍是下電^h質(zhì)層215的 總重量的0.2wt。/。到0.4wt。/。時(shí)，CuO防止在下電介質(zhì)層215內(nèi)部產(chǎn)生泡 沫，并M而降低需要的驅(qū)動(dòng)電壓。作為降低驅(qū)動(dòng)電壓的結(jié)果，減小了噪 聲和電磁干擾。
條紋型障壁或井型障壁212在下電介質(zhì)層215上形成。障壁劃分出放 電單元。放電氣M填充在放電單元中。在放電單元內(nèi)形成熒光體214。
圖3說(shuō)明實(shí)現(xiàn)等離子體顯示設(shè)備中的支變的示例性方法。
如圖3中所示，為了實(shí)現(xiàn)H，每個(gè)圖像幀被分為子場(chǎng)SF1 SF8。
每個(gè)子場(chǎng)也被分為用于預(yù)置全部放電單元的復(fù)位周期、用于選擇要發(fā)光的 放電單元的尋址周期和用于從所選^^放電單元發(fā)光的維持周期。子場(chǎng)具有
不同持續(xù)時(shí)間的維持周期。通iti^擇某些子場(chǎng)以用適當(dāng)持續(xù)時(shí)間的維持周 期發(fā)光來(lái)實(shí)現(xiàn)每個(gè)放電單元的AJL。例如，如果期望以256 M顯示圖像， 則將對(duì)應(yīng)于1/60秒的幀周期(16.67ms)分為8個(gè)子場(chǎng)SF1 ~ SF8。
針對(duì)每個(gè)子場(chǎng)SF1 ~ SF8，與每個(gè)維持周期相關(guān)的持續(xù)時(shí)間和維持脈 沖數(shù)量以2n(其中，n-0， 1， 2， 3, 4， 5， 6， 7)的比率升高。例如， 子場(chǎng)SF2的維持周期的持續(xù)時(shí)間是子場(chǎng)SF1的維持周期的持續(xù)時(shí)間的兩 倍。同樣地，因?yàn)榫S持周期的持續(xù)時(shí)間從一個(gè)子場(chǎng)到下一個(gè)子場(chǎng)改變，所 以通過(guò)控制要使用哪些維持周期MJ故電單元發(fā)光，即通過(guò)控制在放電單元 中實(shí)現(xiàn)的持續(xù)放電的數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)放電單元的A^。
圖4示出等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
掃描驅(qū)動(dòng)器110向掃描電極提供在復(fù)位周期的設(shè)置周期(setup period)期間逐漸地上升到總和電壓Vs+Vsetup的斜升信號(hào)，其中，總和 電壓Vs+Vsetup是維持電壓Vs和設(shè)置電壓Vsetup的總和。維持電壓Vs 是維持信號(hào)的最高電壓。
斜升信號(hào)在放電單元中產(chǎn)生弱的暗放電(darkdischarge),即設(shè)置放 電。作為設(shè)置放電的結(jié)果，在放電單元內(nèi)累積了足夠產(chǎn)生尋址放電的壁電 荷。斜升信號(hào)的斜率可以在0.0005V/納秒到0.005V/納秒的范圍內(nèi)。
掃描驅(qū)動(dòng)器在卸載周期(setdown period)期間提供逐漸i^MM氐于總 和電壓Vs+Vsetup的正電壓下降的斜降信號(hào)。斜降信號(hào)在放電單元內(nèi)產(chǎn) 生弱擦除放電，即卸載放電。作為卸栽放電的結(jié)果，擦除了放電單元內(nèi)累 積的壁電荷中的一些。斜降信號(hào)的斜率可以在-0.0005V/納秒到-0.005V/納 秒的范圍內(nèi)。
掃描驅(qū)動(dòng)器110向掃描電極提供掃描信號(hào)，該掃描信號(hào)從掃描參考電 壓Vsc下降到掃描電壓-Vy，在掃描電壓-Vy處保持，并且上升到掃描參 考電壓Vsc。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120分別向第一尋址電極和第二尋址電極提供對(duì)應(yīng)于掃 描信號(hào)的笫一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)。笫一和第二尋址電極彼此接近。 在不同的提供時(shí)間點(diǎn)tl、 t2處提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)。第一 數(shù)據(jù)信號(hào)或第二數(shù)據(jù)信號(hào)在第一周期期間逐漸地上升到數(shù)據(jù)電壓Vd，在 第二周期期間保持在數(shù)據(jù)電壓Vd ，并且在第三周期期間逐漸M數(shù)據(jù)電
壓Vd下降。
第一和第三周期的持續(xù)時(shí)間可以在第二周期的持續(xù)時(shí)間的5%和 20%之間。第一和第三周期的持續(xù)時(shí)間可以在50納秒和200納秒之間。 在第一周期期間數(shù)據(jù)信號(hào)的斜率可以在0.1V/納秒到1V/納秒的范圍內(nèi)。 在第三周期期間數(shù)據(jù)信號(hào)的斜率可以在-0.1V/納秒到-lV/秒的范圍內(nèi)。
當(dāng)提供如上所述的第一數(shù)據(jù)信號(hào)或第二數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，因?yàn)榈谝粚ぶ冯?極和第二尋址電極上的電壓逐漸地變化，所以由電壓變化造成的噪聲和電
磁干擾被減小。
此外，在不同的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl和t2提供第一和第二數(shù)據(jù)信號(hào)減 小了噪聲。當(dāng)在相同的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)提供數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描 信號(hào)之間的電壓差增加了噪聲。另一方面，當(dāng)在不同的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl 和t2處提供數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，由數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)的電壓差產(chǎn)生的噪聲在 時(shí)間上散布，并且減小了整體噪聲。
當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl和t2之間的差A(yù)t在第一周期的持 續(xù)時(shí)間的0.2倍到1倍的范圍內(nèi)時(shí)，有效地減小了噪聲和電磁干擾。
當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl和t2之間的差A(yù)t在第一周期的持 續(xù)時(shí)間的0.4倍到0.8倍的范圍內(nèi)，掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)充分地交疊以進(jìn) 行穩(wěn)定的尋址放電，并且同時(shí)減小了噪聲和電磁干擾。
當(dāng)提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl和t2之間的差A(yù)t在10納秒到300納秒的范圍 內(nèi)時(shí)，減小了噪聲和電磁干擾，同時(shí)防止尋址周期的過(guò)度增加。
數(shù)據(jù)信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl和t2可以不同于掃描信號(hào)的提供開(kāi)始 時(shí)間點(diǎn)t3。因而，減小了在掃描電極和第一尋址電極或第二電極之間產(chǎn)生 的噪聲。
維持驅(qū)動(dòng)器115在尋址周期期間向維持電核i^供維持偏置電壓Vzb。 維持偏置電壓Vzb防止在尋址周期期間出現(xiàn)由維持電極和掃描電極之間 的干擾產(chǎn)生的說(shuō)故電。
掃描驅(qū)動(dòng)器110和維持驅(qū)動(dòng)器115在維持周期期間向掃描電極和維持 電極提供維持信號(hào)。作為提供維持信號(hào)的結(jié)果，在尋址周期期間選擇的放 電單元發(fā)光。在另一個(gè)實(shí)現(xiàn)中，掃描驅(qū)動(dòng)器110可以向掃描電極提供從正 維持電壓到負(fù)維持電壓擺動(dòng)的維持信號(hào)，并且維持驅(qū)動(dòng)器115在維持周期 期間可以向維持電極提供地電平電壓。
圖5示出掃描信號(hào)和凝:據(jù)信號(hào)的示例性波形。如圖5所示，在第四周
期期間，掃描信號(hào)可以逐漸地從掃描參考電壓Vsc下降到掃描電壓-Vy。
在第一周期期間的數(shù)據(jù)信號(hào)的斜率可以不同于在第四周期期間掃描信號(hào)
的斜率。
當(dāng)掃描電極上的電壓和尋址電極上的電壓逐漸地改變，并且第四周期 期間掃描信號(hào)的斜率不同于第一周期期間數(shù)據(jù)信號(hào)的斜率時(shí)，噪聲減小。
圖6示出提供給尋址電極的數(shù)據(jù)信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)。如圖6中所 示，在不同的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)t0、 tl、 t2和t3將數(shù)據(jù)信號(hào)分別應(yīng)用于尋 址電極X1、 X2、 X3和X4。其結(jié)果是，減小了噪聲。
等離子體顯示設(shè)備的等離子體顯示面板可以包括被分為尋址電極組 的尋址電極。數(shù)據(jù)信號(hào)被同時(shí)提供到相同尋址電;feU且中的尋址電極。然而， 數(shù)據(jù)信號(hào)在不同的時(shí)間被提供到不同尋址電;fei且中的尋址電極。圖7示出 尋址電極的示例性分組。圖7的等離子體顯示面板包括4個(gè)尋址電;feia AEG1 AEG4。每個(gè)尋址電極組中的尋址電極的數(shù)量可以相同或不同。
圖8示出第一和第二數(shù)據(jù)信號(hào)。如圖8中所示，第一數(shù)據(jù)信號(hào)在提供 開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl被提供給尋址電相i且AEG1的尋址電極，且第二數(shù)據(jù)信號(hào) 在提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)t2被提供給尋址電極組AEG2的尋址電極。通過(guò)在不 同時(shí)間向不同尋址電極組的尋址電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)，減小了在掃描電極和 尋址電極之間產(chǎn)生的噪聲。
圖9示出等離子體顯示i殳備的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的基本單元500的示例性結(jié) 構(gòu)，且圖10示出圖9的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的切換時(shí)序圖。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器包括每個(gè) 尋址電極的基本單元。
如圖9所示，等離子體顯示設(shè)備的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的"單元500包括 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路530，其連接到第一尋址電極或第二尋址電極；數(shù)據(jù)電 壓提供單元510，其通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路530向笫一尋址電極或第二尋 址電極提供數(shù)據(jù)電壓Vd;以及能量恢復(fù)單元520，其逐漸地將第一尋址 電極或第二尋址電極的電壓增加到數(shù)據(jù)電壓Vd,或從數(shù)據(jù)電壓Vd減小 第一尋址電極或第二尋址電極的電壓。
下面參考圖10說(shuō)明圖9中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器基本單元500產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào) 的操作。如圖10所示，當(dāng)在第一周期期間接通開(kāi)關(guān)Q2和開(kāi)關(guān)Qt時(shí)，存 儲(chǔ)在電容器C的能量通過(guò)開(kāi)關(guān)Q2、電感器L和開(kāi)關(guān)Qt被提供給第一尋 址電極或第二尋址電極。電感器L形成諧振，并且第一尋址電極或第二
尋址電極上的電壓逐漸地從地電平電壓GND上升到數(shù)據(jù)電壓Vd。
當(dāng)在第二周期期間開(kāi)關(guān)Ql和開(kāi)關(guān)Qt接通并且其它開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，數(shù) 據(jù)電壓Vd被提供給第 一尋址電極或第二尋址電極。第一尋址電極或第二 尋址電極上的電壓被保持在數(shù)據(jù)電壓Vd。
當(dāng)在第三周期期間開(kāi)關(guān)Q3和開(kāi)關(guān)Qt接通并且其它開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)，電 容器C通過(guò)開(kāi)關(guān)Qt、電感器L和開(kāi)關(guān)Q3從第一尋址電極或第二尋址電 極回收能量。電感器L形成諧振，并且笫一尋址電極或第二尋址電極上 的電壓逐漸M數(shù)據(jù)電壓Vd下降到地電平電壓GND。
當(dāng)在第三周期的結(jié)束時(shí)接通開(kāi)關(guān)Qb并且斷開(kāi)其它電極時(shí)，地電平電 壓GND被提供給第一尋址電極或第二尋址電極。
圖9的二極管D1、 D2、 D3、 Dt和Db分別是開(kāi)關(guān)Ql、 Q2、 Q3、 Qt和Qb的體二極管。二極管D5和D6切斷反向電流。
圖11和圖12是由等離子體顯示設(shè)備顯示的屏幕圖像，用以說(shuō)明數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)器基本單元的切換操作和載荷之間的關(guān)系。
圖ll示出由等離子體顯示設(shè)備顯示的全黑圖像。為了顯示圖11的全 黑圖像，圖9中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路530的開(kāi)關(guān)Qb和Qt分別保持接通 狀態(tài)和斷開(kāi)狀態(tài)。因此，未執(zhí)行數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器基本單元的切換操作，并且栽 荷基本上等于0。也就是說(shuō)，切換頻率基本上等于0，并且栽荷基本上等 于0。
圖12示出由等離子體顯示設(shè)備顯示的格子圖案圖像。為了顯示該格 子圖案圖像，圖9的開(kāi)關(guān)Qt和開(kāi)關(guān)Qb的切換頻率和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器基本單 元500的載荷變成最大值。載荷與切換頻率成比例。
隨著切換頻率增加，噪聲和電磁干擾增加。為了降低噪聲和電磁干擾， 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120可以根據(jù)每個(gè)尋址電極的載荷，在不同的提供時(shí)間點(diǎn)向第 一尋址電極和第二尋址電極提供數(shù)據(jù)信號(hào)，其中栽荷與每個(gè)尋址電極的數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器基本單元的切換頻率成比例。
數(shù)據(jù)信號(hào)的提供時(shí)間點(diǎn)可以基于栽荷來(lái)調(diào)整。例如，如圖13所示， 當(dāng)載荷小于閾值時(shí)，第一尋址電極的第一數(shù)據(jù)信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl 基本上與第二尋址電極的笫二數(shù)據(jù)信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)t2相同。圖13 可以與圖ll相對(duì)應(yīng)。
例如，如圖14所示，當(dāng)載荷大于閾值時(shí)，第一尋址電極的第一數(shù)據(jù)
信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl比第二尋址電極的第二數(shù)據(jù)信號(hào)的提供開(kāi)始時(shí)
間點(diǎn)t2更早。當(dāng)提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)tl和t2的差在10納秒到300納秒的范 圍內(nèi)時(shí)，減小了噪聲和電磁干擾。為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)，圖9的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器基本 單元500還可以包括檢測(cè)電路以檢測(cè)電極的載荷并且從而調(diào)整提供開(kāi)始 時(shí)間點(diǎn)。圖14可以與圖12相對(duì)應(yīng)。
圖15示出數(shù)據(jù)信號(hào)的第一周期和載荷之間的示例性關(guān)系。數(shù)據(jù)信號(hào) 的持續(xù)時(shí)間和提供開(kāi)始時(shí)間點(diǎn)可以基于載荷進(jìn)行調(diào)整。例如，如圖15所
示，高載荷的數(shù)據(jù)信號(hào)的第一周期短于低栽荷的數(shù)據(jù)信號(hào)的第一周期。當(dāng) 最低栽荷的數(shù)據(jù)信號(hào)的第一周期的持續(xù)時(shí)間在最高栽荷的數(shù)據(jù)信號(hào)的第 一周期的持續(xù)時(shí)間的1.5倍到5倍的范圍內(nèi)時(shí)，減小了噪聲和電磁干擾。 因此，產(chǎn)生穩(wěn)定尋址放電并且提高了驅(qū)動(dòng)效率。當(dāng)最低載荷的第一周期的 持續(xù)時(shí)間在最高栽荷的第一周期的持續(xù)時(shí)間的2倍到4倍的范圍內(nèi)時(shí)，防 止了尋址周期的過(guò)度增加。為了實(shí)現(xiàn)這些特征，圖9的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器基本單 元500還可以包括檢測(cè)電路以檢測(cè)栽荷并且從而調(diào)整數(shù)據(jù)信號(hào)的第一周 期的持續(xù)時(shí)間。
其它實(shí)現(xiàn)處于所附權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括具有第一尋址電極和第二尋址電極的等離子體顯示面板；和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，其在第一開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始提供給所述第一尋址電極的第一數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓值的變化，并且在不同的第二開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始提供給所述第二尋址電極的第二數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓值的變化，所述數(shù)據(jù)信號(hào)中的每一個(gè)在各個(gè)第一周期期間逐漸地從第一數(shù)據(jù)電壓變化到第二數(shù)據(jù)電壓，在各自第二周期期間保持在所述第二數(shù)據(jù)電壓，并在各自第三周期期間逐漸地從所述第二數(shù)據(jù)電壓變化到第三數(shù)據(jù)電壓。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一數(shù)據(jù)電 壓和所述第三數(shù)據(jù)電壓基本上相同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一和第二 尋址電極彼此接近.
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述各自第一周 期的持續(xù)時(shí)間在所述各自第二周期的持續(xù)時(shí)間的5%和20%之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在所述各自第一 周期期間每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的斜率在0.1V/ns到lV/ns的范圍內(nèi)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第一開(kāi)始時(shí) 間和所述第二開(kāi)始時(shí)間之間的差在所迷第 一泰:據(jù)信號(hào)的所述第 一周期的 持續(xù)時(shí)間的0.2倍到l倍的范圍內(nèi)，
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，還包括掃描驅(qū)動(dòng)器，所 述等離子體顯示面板具有掃描電極，并且所述掃描驅(qū)動(dòng)器在第三開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始提供給所述掃描電極的掃描信號(hào)的電壓值的變化，所述第三開(kāi)始時(shí)間 不同于所述第 一和第二開(kāi)始時(shí)間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，還包括掃描驅(qū)動(dòng)器，所 述等離子體顯示面板具有掃描電極，所述掃描驅(qū)動(dòng)器在笫三開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始 提供給所述掃描電極的掃描信號(hào)的電壓值的變化，并且所述掃描信號(hào)在第 四周期期間逐漸M第 一掃描電壓變化到第二掃描電壓，在第五周期期間 保持在所述第二掃描電壓，并在第六周期期間逐漸地從所述第二掃描電壓 變化到第三掃描電壓。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，第四周期期間掃 描信號(hào)的斜率不同于所述笫 一周期期間所迷第 一數(shù)據(jù)信號(hào)的斜率。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器 包括開(kāi)關(guān)，所迷第 一開(kāi)始時(shí)間和第二開(kāi)始時(shí)間基于所述第 一數(shù)據(jù)電極的載 荷和所述笫二數(shù)據(jù)電極的載荷確定，并且所述載荷與所述lt據(jù)驅(qū)動(dòng)器的所 述開(kāi)關(guān)的切換頻率相關(guān)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器 包括連接到所述第 一尋址電極的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路；用于通過(guò)所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路向所述第 一尋址電極提供所述第二數(shù) 據(jù)電壓的數(shù)據(jù)電壓提供單元；和用于在所述第 一周期和所述第三周期期間向所述第 一尋址電極提供所 述第 一數(shù)據(jù)信號(hào)的能量恢復(fù)單元。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述等離子體顯 示面板具有包括所述第一尋址電極的第 一組尋址電極，以及包括所述第二 尋址電極的第二組尋址電極，并且所述第 一數(shù)據(jù)信號(hào)被提供給所述第 一組 的每個(gè)尋址電極，所述笫二數(shù)據(jù)信號(hào)被提供給所述第二組的每個(gè)尋址電 極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器 包括在所述第 一周期和第三周期期間向所述笫 一尋址電極提供所述第一 數(shù)據(jù)信號(hào)的諧振電路。
14. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述各自第一周 期的持續(xù)時(shí)間根據(jù)所述各自尋址電極的栽荷變化，所述栽荷與所述數(shù)據(jù)驅(qū) 動(dòng)器的切換頻率成比例。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述各自笫一 周期的持續(xù)時(shí)間與所述載荷成反比.
16. ^^據(jù)權(quán)利要求15所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在施加最小載 荷時(shí)所述各自第 一周期的持續(xù)時(shí)間在施加最大載荷時(shí)所述各自笫一周期的持續(xù)時(shí)間的1.5倍到5倍的范圍內(nèi)。
17. —種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的方法，所述等離子體顯示設(shè)備具有 第一尋址電極和第二尋址電極，所述方法包括在第 一開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始提供給所述笫 一尋址電極的笫 一數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓 值的變化；和在不同的笫二開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始提供給所述第二尋址電極的第二數(shù)據(jù)信號(hào) 的電壓值的變化，所述數(shù)據(jù)信號(hào)中的每一個(gè)在各自第一周期期間逐漸地從第一數(shù)據(jù)電壓 變化到第二數(shù)據(jù)電壓，在各自第二周期期間保持在所述第二lt據(jù)電壓，并 且在各自第三周期期間逐漸地從所述第二數(shù)據(jù)電壓變化到第三數(shù)據(jù)電壓。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述笫一數(shù)據(jù)電壓和所述第 三數(shù)據(jù)電壓基本上相同。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一開(kāi)始時(shí)間和所述第 二開(kāi)始時(shí)間之間的差在所述笫 一數(shù)據(jù)信號(hào)的所述第 一周期的持續(xù)時(shí)間的 0.2倍到1倍的范圍內(nèi)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在第三開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始提供給 掃描電極的掃描信號(hào)的電壓值的變化，所述第三開(kāi)始時(shí)間不同于所述第一 和第二開(kāi)始時(shí)間，所述掃描信號(hào)在第四周期期間逐漸M第 一掃描電壓變 化到第二掃描電壓，在第五周期期間保持在所述第二掃描電壓，并在笫六 周期期間逐漸地從所述笫二掃描電壓變化到第三掃描電壓。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述笫四周期期間所述掃描 信號(hào)的斜率不同于所述笫 一周期期間所述笫 一數(shù)據(jù)信號(hào)的斜率。
22. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括向包括所述第 一尋址電極的第 一組尋址電極提供所述第 一數(shù)據(jù)信號(hào)；和向包括所述第二尋址電極的第二組尋址電極提供所述第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
全文摘要
等離子體顯示設(shè)備包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和具有第一尋址電極和第二尋址電極的等離子體顯示面板。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器用于在第一開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始提供給第一尋址電極的第一數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓值的變化，并且在不同的第二開(kāi)始時(shí)間開(kāi)始提供給第二尋址電極的第二數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓值的變化。每個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)在各自第一周期期間逐漸地從第一數(shù)據(jù)電壓變化到第二數(shù)據(jù)電壓，在各自第二周期期間保持在第二數(shù)據(jù)電壓，并且在各自第三周期期間逐漸地從第二數(shù)據(jù)電壓變化到第三數(shù)據(jù)電壓。
文檔編號(hào)G09G3/288GK101356565SQ200780001382
公開(kāi)日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2007年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月15日
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