專利名稱：等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板和用于驅(qū)動該等離子體顯示 板的驅(qū)動器。
等離子體顯示板具有這樣的結(jié)構(gòu)，在所述結(jié)構(gòu)中，在前面板和后面板
之間形成的障壁(barrier rib)形成單位放電單元或多個放電單元。每個放 電單元填充有惰性氣體，該惰性氣體包含主要放電氣體如氖(Ne )、氦(He) 或Ne和He的混合物以及少量的氙(Xe)。多個放電單元形成一個像素。 例如，紅色(R)的放電單元、綠色(G)的放電單元和藍(lán)色(B)的放電 單元形成一個像素。當(dāng)通iW"放電單元施加高頻電壓使等離子體顯示M 電時，惰性氣體產(chǎn)生真空紫外線，從而引起在障壁之間形成的熒光體發(fā)射 出光，因此顯示圖像。因?yàn)榭梢詫⒌入x子體顯示設(shè)備制造得薄且輕，所以 其作為下一代顯示設(shè)^^f艮受關(guān)注
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本發(fā)明提供一種等離子體顯示設(shè)備，其能夠通it^復(fù)位期期間的斜坡 上升信號和斜坡下降信號之間提供復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號來防止 產(chǎn)生g故電。
技術(shù)方案
在一方面中， 一種等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板，其包括 第一電極和第二電極；以及驅(qū)動器，其在復(fù)位期的上升期內(nèi)對第一電極提 供電壓逐漸上升的斜坡上升信號，在上升期之后的下降期內(nèi)對第一電極提
供電壓逐漸下降的斜坡下降信號，并且在提,坡上升信號之后提，坡 下降信號之前的時期內(nèi)對第 一 電極提供至少 一個復(fù)位穩(wěn)定信號。
在另一方面中，一種用于驅(qū)動包括笫一電極和第二電極的等離子體顯
示設(shè)備的方法包括在復(fù)位期的上升期內(nèi)對第一電極提供電壓逐漸上升的 斜坡上升信號；在上升期之后的下降期內(nèi)對第一電極提供電壓逐漸下降的 斜坡下降信號；以;ML提員坡上升信號之后提,坡下降信號之前的時 期內(nèi)對第 一 電極提供至少 一個復(fù)位穩(wěn)定信號。
有益效果
本發(fā)明提供一種等離子體顯示設(shè)備，其能夠由于在斜坡上升信號和斜 坡下降信號之間提供復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號而通過消除上升期期
間過度積累的一些壁電荷來防止g故電的產(chǎn)生并提高圖像質(zhì)量。


被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且被并入且構(gòu)成本說明書一 部分的附示了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原 理。在附圖中
圖l是圖示實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備的配置的示圖2是圖示可以包括在實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備中的等離子體 顯示板的結(jié)構(gòu)的透視圖3是圖示用于在實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備中實(shí)現(xiàn)圖像^L級 的圖4象幀的示圖4是圖示實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備在圖像幀中包括的子場 (subfidd)中的操作例子的示圖5是圖示斜坡上升信號和斜坡下降信號的另一例子的示圖6是圖示預(yù)復(fù)位期的示圖7是圖示復(fù)位穩(wěn)定信號、維持上升信號和維持信號的示圖； 圖8是圖示復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號的示圖； 圖9是圖示維持上升信號數(shù)目變化例子的示圖10至12是圖示復(fù)位穩(wěn)定信號或維持上升信號的電壓幅度和上升信 號的供應(yīng)時間的示圖13是圖示在考慮等離子體顯示板的環(huán)境溫度或溫度的情況下使用 復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號的方法的例子的示圖；以及
圖14是圖示使用圖像幀內(nèi)隨機(jī)子場中的復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信 號的方法的例子的示圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對附圖中圖示的本發(fā)明例子的實(shí)施例詳細(xì)地進(jìn)行描述。
圖l是圖示實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備的配置的示圖。
參考圖1,等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板100和驅(qū)動器110。
等離子體顯示板100包括彼此平行的笫一電極(Yl至Yn)和第二電 極(Zl至Zn)，并且還包括與第一電極和第二電^目交的第三電極(XI 至Xm)。
驅(qū)動器110在用于初始化的復(fù)位期的上升期內(nèi)對等離子體顯示板100 的第一電極提供電壓逐漸上升的斜坡上升信號，在上升期之后的下降期內(nèi) 對第一電極提供電壓逐漸下降的斜坡下降信號，在提#^坡上升信號之后 且提供斜坡下降信號之前的時期內(nèi)對第 一 電極提供至少 一個復(fù)位穩(wěn)定信 號，并且對第二電極提供至少一個維持上升信號。
圖1僅示出其中在一個板上形成驅(qū)動器110的情況，然而，根據(jù)等離 子體顯示板100中形成的電極，可以在多個板中形成驅(qū)動器110。
例如，可以將驅(qū)動器110分成用于驅(qū)動等離子體顯示板100的第一電 極的第一驅(qū)動器(未示出)、用于驅(qū)動第二電極的第二驅(qū)動器和用于驅(qū)動 第三電極的第三驅(qū)動器(未示出)。
圖2是圖示可以包括在實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備中的等離子體 顯示板的結(jié)構(gòu)的it視圖。
參考圖2，可以包括在實(shí)施例中的等離子體顯示i更備中的等離子體顯 示板通過耦合前基底201和后基底211來形成，在所述前基底201中形成 彼此并行的第一電極202 (Y)和第二電極203 (Z)，而在所i^基底211 中則形成與第一電極202和第二電極203相交的第三電極213 (X )。
電介質(zhì)層如用于覆蓋第一電極202和第二電極203的上電介質(zhì)層204 形成在第一電極202和第二電極203形成在其中的前基底201中。
上電介質(zhì)層204限制第一電極202和第二電極203的放電電流，并使 第一電極202和第二電極203彼此絕緣。
用于便利于放電狀態(tài)的保護(hù)層205形成在上電介質(zhì)層204形成在其中 的前基底201中。保護(hù)層205由氧化鎂(MgO)制成。例如4吏用在上電介 質(zhì)層204上沉積氧化鎂(MgO)的方法來形成保護(hù)層205。
第三電極213形成在后基底211上，并且用于覆蓋第三電極213的下 電介質(zhì)層215形成在第三電極213形成在其中的后基底211上。
下電介質(zhì)層215使第三電極213絕緣。
用于劃分放電空間亦即放電單元的條型、井型、三角型、蜂房型等的 障壁212形成在下電介質(zhì)層215的上部中。因此，紅色R放電單元、綠色 G放電單元和藍(lán)色B放電單元形成在前基底201和后基底211之間。
此外，除了紅色R放電單元、綠色G放電單元和藍(lán)色B放電單元以外， 還可以形成白色W放電單元或黃色Y放電單元。
能夠應(yīng)用于實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備的等離子體顯示板中的紅 色R放電單元、綠色G放電單元和藍(lán)色B放電單元的寬度可以U本上相 等的，然而，紅色R放電單元、綠色G放電單元和藍(lán)色B放電單元中的至 少一個的寬度可以不同于其它放電單元的寬度。
例如，紅色R放電單元的寬度可以是最小的，并且綠色G放電單元和 藍(lán)色B放電單元的寬度可以大于紅色R放電單元的寬度。
綠色G放電單元的寬度可以基本上等于或不同于藍(lán)色B放電單元的寬度。
因此，在放電單元內(nèi)形成的IC^要描述的熒光體層214的寬度也根據(jù) 放電單元的寬度而改變。例如，藍(lán)色B放電單元中形成的藍(lán)色B熒光體層 的寬度可以寬于紅色R放電單元內(nèi)形成的紅色R熒光體層的寬度，并且綠 色G放電單元中形成的綠色G熒光體層可以寬于紅色R放電單元內(nèi)形成的 紅色R熒光體層的寬度。
因此，可以提高所實(shí)現(xiàn)的圖像的色溫特性。
此外，能夠應(yīng)用到實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備的等離子體顯示板可 以具有各種形狀的障壁結(jié)構(gòu)以及如圖2所示的障壁212的結(jié)構(gòu)。例如，障
壁212包括第一障壁212b和第二障壁212a，并且可以具有其中第一障 壁212b的高度和第二障壁212a的高度彼此不同的差動障壁結(jié)構(gòu)；其中在 第一障壁212b和第二障壁212a中的至少一個中形成可以用作排氣通道的 溝道的溝道型障壁結(jié)構(gòu)；以及其中在第一障壁212b和第二障壁212a中的 至少一個中形成中空的中空型障壁結(jié)構(gòu)。
當(dāng)障壁212具有差動障壁結(jié)構(gòu)時，第一障壁212b的高度可以低于第 二障壁212a的高度。當(dāng)障壁212具有溝道型障壁結(jié)構(gòu)時，可以在第一障 壁212b中形成溝道。
在可以應(yīng)用到實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備的等離子體顯示板中，紅 色R、綠色G和藍(lán)色B放電單元可以設(shè)置在同一線上，然而它們可以用其 它形狀設(shè)置。例如，紅色R、綠色G和藍(lán)色B放電單元可以用其中將它們 設(shè)置成三角形形狀的三角型排列來設(shè)置。
此外，放電單元可以具有諸如五邊形形狀和六邊形形狀以及四邊形形 狀的各種多邊形形狀。
圖2僅示出障壁212形成在后基底211中的情況，然而，障壁212 可以形成在前基底201和后基底211中的至少一個中。
在由障壁212所劃分的放電單元內(nèi)填充預(yù)定放電氣體。
此外，在由障壁212所劃分的放電單元內(nèi)形成用于在產(chǎn)生尋址放電時 發(fā)射用于顯示圖像的可見光的熒光體層214。例如，可以形成紅色R、綠 色G和藍(lán)色B熒光體層。
此外，除了紅色R、綠色G和藍(lán)色B熒光體層以外，還可以形成白色 W和/或黃色Y熒光體層。
此外，紅色R、綠色G和藍(lán)色B放電單元中的至少一個中的熒光體層 214的厚度可以不同于其它放電單元中熒光體層214的厚度。例如，綠色 G放電單元中的綠色G熒光體層的厚度或者藍(lán)色B放電單元中的藍(lán)色B熒 光體層的厚度可以厚于紅色R放電單元中的紅色R熒光體層的厚度。在此 綠色G熒光體層的厚度可以基本上等于或不同于藍(lán)色B熒光體層的厚度。
只描述了可以應(yīng)用到實(shí)施例中的等離子體顯示i史備的等離子體顯示 板的例子，然而，本發(fā)明不限于具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示板.
例如，僅描述了以單層形成上電介質(zhì)層和下電介質(zhì)層的情形，然而，
上電^h質(zhì)層和下電^h質(zhì)層中的至少一個可以以多個層形成。
另夕卜，為了防止由障壁引起的外部光的反射，還可以在障壁212的上 部形成用于吸收外部光的黑層(未示出)。
此外，另一黑層(未示出)也可以形成在與障壁212相對應(yīng)的前基底 201上的特定位置。
此夕卜形成在后基底211上的第三電極213可以具有基本上一致的寬 度或厚度，然而，放電單元內(nèi)的寬度或厚度可以不同于放電單元外的寬度 或厚度。例如，放電單元內(nèi)的寬度或厚度可以寬于或厚于放電單元外的寬 度或厚度。
圖3是圖示用于實(shí)現(xiàn)實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備中圖4象^JL級的 圖《象幀的示圖。
參考圖3，用于實(shí)現(xiàn)實(shí)施例中的等離子體顯示i殳備中圖像t變級的圖 4象幀可以分成具有不同發(fā)光次數(shù)的多個子場。
此外，雖然未示出，但是多個子場中的至少一個子場可以分成用于初 始化放電單元的復(fù)位期、用于選擇要M電的放電單元的尋址期和用于根 據(jù)放電次數(shù)來實(shí)現(xiàn)灰度級的維持期。
例如，當(dāng)打算顯示具有256灰度級的圖像時，例如將一個圖像幀分成 8個子場(SF1至SF8)，如圖3所示，8個子場(SF1至SF8 )中的每個被 分成復(fù)位期、尋址期和維持期。
通過調(diào)整在維持期中所施加的維持信號的數(shù)目，可以設(shè)置相對應(yīng)的子 場的^JL級權(quán)重。即，通過使用維持期，可以將預(yù)定的^^U5l重賦予每 個子場。例如，通過將第一個子場的^JL^重設(shè)置為2。并且將第二個 子場的^1B重設(shè)置為21，可以確定每個子場的^JL亂&重，使M個 子場的灰度級以2n (其中n=0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7)的比率增加。通 過根據(jù)每個子場中的灰度級權(quán)重來調(diào)整每個子場的維持期內(nèi)提供的維持 信號的數(shù)目，實(shí)現(xiàn)了各種圖像的AJL級。
實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)^f吏用多個圖像幀以便實(shí)現(xiàn)圖像，例如以 便顯示l秒的圖像。例如，為了顯示l秒的圖像，使用60個圖像幀。在 這種情況下， 一個圖像幀的長度T可以是l/60秒，即16.67ms。
圖3僅示出一個圖像幀包括8個子場的情況，然而，可以不同地改變 構(gòu)成一個圖像幀的子場的數(shù)目。例如， 一個圖像幀可以包括從第一子場至 第十二子場的12個子場或10個子場。
此外，在圖3中，在一個圖像幀中，以^>1級權(quán)重增加的順序來設(shè)置 子場，然而，在一個圖像幀中可以以A^亂&重降低的順序或不考慮^A 1重來設(shè)置子場。
圖4是圖示實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備在圖像幀中包括的子場中 的操作例子的示圖。將要在下文中描述的信號通過圖1的驅(qū)動器110來提 供。
參考圖4，在用于初始化的復(fù)位期的上升期內(nèi)，其中電壓在從第一電 壓VI i2tii上升至第二電壓V2之后逐漸從第二電壓V2上升至第三電壓V3 的斜坡上升信號被施加到第一電極。第一電壓VI可以是接地電平GND的 電壓。
在上升期內(nèi)，通過斜坡上升信號在放電單元內(nèi)產(chǎn)生弱的暗放電亦即上 升放電。通過上升放電， 一些壁電荷可以在放電單元內(nèi)累積。
在上升期之后的下降期內(nèi)，在斜坡上升信號之后具有與斜坡上升信號 的極性相反的極性的斜坡下降信號被提供到第 一 電極。
在提供從第五電壓V5上升至第六電壓V6的復(fù)位穩(wěn)定信號之后，斜坡 下降信號從小于峰值電壓亦即斜坡上升信號的第三電壓V3的第七電壓V7 逐漸下降至第八電壓V8。
當(dāng)提員坡下降信號時，在放電單元內(nèi)產(chǎn)生微弱的消除放電亦即下降 放電。通過下降放電，在放電單元內(nèi)均勻地保持用以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電 的壁電荷。
在向第 一 電極提供斜坡上升信號之后提供斜坡下降信號之前的時期 內(nèi)，至少一個復(fù)位穩(wěn)定信號被提供到第一電極，并且至少一個維持上升信 號被提供到第二電極。隨后詳細(xì)地描述復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號。
圖5是圖示斜坡上升信號和斜坡下降信號的另一例子的示圖。
參考圖5,斜坡上升信號可以包括如圖5 (a)所示的具有不同斜率的 第 一斜坡上升信號和第二斜坡上升信號。
第一斜坡上升信號以第一斜率從第一電壓VI逐漸上升到第二電壓 V2，并且第二斜坡上升信號以第二斜率從第二電壓V2逐漸上升到笫三電 壓V3。
第二斜坡上升信號的第二斜率可以比第 一斜率平緩。如果第二斜率比 第一斜率平緩，則電壓相對iS^地上升直到產(chǎn)生上升放電為止，并且在產(chǎn)
生上升放電的同時電壓相對緩慢地上升，4吏得通過上升放電產(chǎn)生的光量減 少。
因此，可以提高對比度特性。
另外如圖5(b)所示，在停止提，坡上升信號之后，電壓可以在 下降到不同于圖5(a)的第四電壓V4的第10電壓V10之后再次下降至 第五電壓V5。
在復(fù)位期之前還可以包^5復(fù)位期。參考圖6來對此進(jìn)行描述。 圖6是圖示預(yù)復(fù)位期的示圖。
參考圖6，在復(fù)位期之前可以包^5復(fù)位期，并且逐漸下降至第十一 電壓Vll的預(yù)斜坡信號可以在預(yù)復(fù)位期內(nèi)被提供到第一電極Y。
此外，當(dāng)預(yù)斜坡被提供到第一電極時，極性與預(yù)斜坡信號的極性相反 的預(yù)維持信號可以被提供到第二電極。
此外，預(yù)維持信號可以基本上均勻地維持預(yù)維持電壓Vpz。在此，預(yù) 維持電壓Vpz可以等于將要在維持期內(nèi)提供的維持信號的維持電壓Vs。
預(yù)斜坡信號在預(yù)復(fù)位期內(nèi)被提供到第一電極，并且如果預(yù)維持信號被 提供到第二電極，則預(yù)定極性的壁電荷累積在第一電極上，并且極性與第 一電極的極性相反的壁電荷累積在第二電極上。例如，正(+ )壁電荷累 積在第一電極上，且負(fù)(-)壁電荷累積在第二電極上。
因此，在預(yù)復(fù)位期之后的復(fù)位期內(nèi)可以產(chǎn)生足夠強(qiáng)度的上升放電，并 且可以完全穩(wěn)定地執(zhí)行初始化。
此外，即使在復(fù)位期內(nèi)提供到第 一 電極的斜坡上升信號的電壓變小， 也可以產(chǎn)生足夠強(qiáng)度的上升放電.
為了確保驅(qū)動時間，預(yù)復(fù)位期可以包括在圖像幀的子場當(dāng)中按時間順 序排在最前面的子場中的復(fù)位期之前，或者預(yù)復(fù)位期可以包括在圖像幀的 子場當(dāng)中2或3個子場中的復(fù)位期之前。
另外，可以在所有子場中省略預(yù)復(fù)位期。
在復(fù)位期之后的尋址期內(nèi)，用于基本上維持高于最低電壓亦即斜坡下 降信號的第八電壓V8的電壓的掃描偏置信號被提供到第一電極。
此夕卜從掃描偏置信號下降掃描電壓AVy的掃描信號可以被提供到第 一電極。
掃描信號的寬度在子場單元中可以被改變。即，在至少一個子場中， 掃描信號的寬度可以不同于其它子場中的掃描信號的寬度。例如，按時間 順序排在后面的子場中的掃描信號的寬度可以小于按時間順序排在前面 的子場中的掃描信號的寬度.
當(dāng)掃描信號被提供到第一電極時，數(shù)據(jù)電壓上升幅^AVd的數(shù)據(jù)信號 可以被提供到第三電極，以便與掃描信號相對應(yīng)。
當(dāng)提供掃描信號和數(shù)據(jù)信號時，通過復(fù)位期內(nèi)產(chǎn)生的壁電荷得到的壁 電壓被添加到掃描信號和數(shù)據(jù)信號之間的電壓差，由此可以在向其提供數(shù) 據(jù)信號的放電單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。
維持偏置信號可以被提供到第二電極，以便防止由于尋址期內(nèi)的第二 電極的干擾而使尋址放電變得不穩(wěn)定。
維持偏置信號可以基本上均勻地維持在維持偏置電壓Vz，該維持偏 置電壓Vz小于維持期內(nèi)提供的維持信號的電壓并且大于接地電平GND的 電壓。
此后，在用于顯示圖像的維持期內(nèi)，可以將維持信號提供到第一電極 和第二電極中的至少一個。例如，維持信號可以交替地被提供到第一電極 和第二電極。
如果在由尋址放電所選擇的放電單元中提供維持信號，則當(dāng)在維持信 號的維持電壓Vs被添加到放電單元內(nèi)的壁電壓的同時提供維持信號時， 可以在第一電極和第二電極之間產(chǎn)生維持放電亦即顯示放電。
可以使用這種方法來實(shí)現(xiàn)圖像。
詳細(xì)地描述復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號。
圖7是圖示復(fù)位穩(wěn)定信號、維持上升信號和維持信號的示圖。
參考圖7，復(fù)位穩(wěn)定信號、維持上升信號和維持信號包括上升期、維 持期和下降期。
圖7 (a)示出復(fù)位穩(wěn)定信號，圖7 (b)示出維持上升信號，并且圖 7(c)示出維持信號。
復(fù)位穩(wěn)定信號的上升期是其中電壓從復(fù)位穩(wěn)定信號的最低電壓上升 至最高電壓的時期，復(fù)位穩(wěn)定信號的維持期是其中復(fù)位穩(wěn)定信號的最高電 壓在預(yù)定時間期間維持在該電壓的時期，并且復(fù)位穩(wěn)定信號的下降期是其 中電壓從復(fù)位穩(wěn)定信號的最高電壓下降到最低電壓的時期。
此外，復(fù)位穩(wěn)定信號的上升期、維持期和下降期全部加在一起的時期 是復(fù)位穩(wěn)定信號的寬度，并且復(fù)位穩(wěn)定信號的寬度可以變化。稍后對此進(jìn) 行描述，
維持上升信號以及維持信號的上升期、維持期和下降期的說明基本上 與復(fù)位穩(wěn)定信號的說明相同，并因此省略其描述。
維持上升信號的上升期基本上等于維持信號的上升期，并且如果維持 上升信號的最高電壓基本上等于維持信號的最高電壓，則維持上升信號的 斜率基本上等于維持信號的斜率，可以共享能量回收電路，并且可以使用 相同的電壓發(fā)生器。
圖8是圖示復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號的示圖。
參考圖8，在提供斜坡上升信號之后提供斜坡下降信號之前的時期 內(nèi)，至少一個復(fù)位穩(wěn)定信號被提供到第一電極，并且至少一個維持上升信 號被提供到第二電極。
復(fù)位穩(wěn)定信號的電壓幅JLAVYR基本上等于維持上升信號的電壓幅度 AVZR。此外，至少一個復(fù)位穩(wěn)定信號的電壓幅^AVYR或至少一個維持上 升信號的電壓幅tVZR可以基本上等于在維持期內(nèi)施加到第一電極和第 二電極中的至少一個的維持信號的電壓幅^Vs。
提供復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號的原因如下所述。
假設(shè)由于在復(fù)位期的上升期內(nèi)產(chǎn)生強(qiáng)度過大的上升放電，壁電荷的量 在放電單元內(nèi)增加過度。
在這種情況下，由于壁電荷的量過大，即4吏在尋址期內(nèi)不產(chǎn)生尋址放
電，也會在維持期內(nèi)產(chǎn)生4mit電如維持放電。因此，圖像的畫面質(zhì)量惡化。
如實(shí)施例中那樣，如果復(fù)位穩(wěn)定信號被提供到第一電極，并且維持上 升信號被提供到第二電極，則在尋址期內(nèi)產(chǎn)生尋址放電之前，可以通過復(fù) 位穩(wěn)定信號和維持上升信號在第 一 電極和第二電極之間產(chǎn)生放電。
通過復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號產(chǎn)生的放電而使過度累積的壁電 荷的一部分被消除，由此在其中不產(chǎn)生尋址放電的放電單元中不產(chǎn)生維持
放電。因此，通過抑制4t^故電的產(chǎn)生，可以防止圖像的畫面質(zhì)量惡化。
此夕卜，如果復(fù)位穩(wěn)定信號的寬度或維持上升信號的寬JL&本上大于維 持信號的寬度，則產(chǎn)生諸如維持放電的放電，從而增加光量，使得可以減 少對比度特性。因此，復(fù)位穩(wěn)定信號的寬度或維持上升信號的寬度變得基 本上小于維持信號的寬度，并因此即使產(chǎn)生放電，光量也變成最小，因而 防止對比度特性的降低。
此外，至少一個復(fù)位穩(wěn)定信號和至少一個維持上升信號交迭。
例如，如圖8中那樣，當(dāng)維持上升信號包括第一維持上升信號和第二 維持上升信號時，第二維持上升信號和復(fù)位穩(wěn)定信號可以交迭。
當(dāng)交迭的復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號亦即復(fù)位穩(wěn)定信號和第二維 持上升信號的提供時間點(diǎn)之間的差A(yù)t2過小時，放電的強(qiáng)度變得過小，因
而壁電荷不能被完全消除。此外，當(dāng)交迭的復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號 的提供時間點(diǎn)之間的差A(yù)t2過大時，在壁電荷的預(yù)定部分通it^t電而被消 除之后，壁電荷再次累積，因而壁電荷的量在放電單元中增加過度。
換言之，復(fù)位穩(wěn)定信號的維持期和維持上升信號的上升期或維持上升 信號的下降期可以交迭，并且復(fù)位穩(wěn)定信號的上升期和維持上升信號的上 升期可以不交迭。
由于這個原因，交迭的復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號亦即復(fù)位穩(wěn)定信 號和第二維持上升信號的提供時間點(diǎn)之間的差A(yù)t2可以被設(shè)置成100ns至 600ns或200ns至400ns。
此夕卜，由于與交迭的復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號亦即復(fù)位穩(wěn)定信號 和第二維持上升信號的提供時間點(diǎn)之間的差A(yù)t2被設(shè)置成100ns至600ns
或者200ns至400ns的原因相同的原因，交迭的復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升 信號亦即復(fù)位穩(wěn)定信號和第二維持上升信號的終結(jié)時間點(diǎn)之間的差A(yù)t3 可以是100ns至600ns或者200ns至400ns。
當(dāng)多個維持上升信號當(dāng)中按時間順序排在最前面的維持上升信號(即 第一維持上升信號)被提供時，具有逐漸下降電壓的下降信號，例如低于 斜坡上升信號的峰值電壓的第四電壓V4至第五電壓V5，可以在提，坡 上升信號之后被提供給第一電極。
當(dāng)提供下降信號時，第一電極和第二電極之間產(chǎn)生放電，由此在放電 單元內(nèi)過度累積的壁電荷的預(yù)定部分可以被消除。因此，可以防止4^i 電的產(chǎn)生。
當(dāng)下降信號的終結(jié)時間點(diǎn)和多個維持上升信號當(dāng)中按時間順序排在
最前面的維持上升信號亦即第一維持上升信號的終結(jié)時間點(diǎn)之間的差 Atl過小時，放電的強(qiáng)度過小，由此壁電荷不能被完全消除。此外，當(dāng)下降信號的終結(jié)時間點(diǎn)和第 一維持上升信號的終結(jié)時間點(diǎn)之間的差A(yù)t 1過 大時，在由下降信號和第一維持上升信號所產(chǎn)生的放電消除壁電荷的預(yù)定 部分之后，壁電荷可以再次累積。
由于這個原因，下降信號的終結(jié)時間點(diǎn)和多個維持上升信號當(dāng)中按時 間順序排在最前面的維持上升信號亦即第 一維持上升信號的終結(jié)時間點(diǎn) 之間的差A(yù)tl可以i殳置成100ns至600ns或200ns至400ns。
已經(jīng)描述了維持上升信號的數(shù)目為多于一個的情況?？商孢x地，維持 上升信號的數(shù)目可以是l。
圖9是圖示維持上升信號數(shù)目變化例子的示圖。
參考圖9，維持上升信號的數(shù)目可以是l。維持上升信號可以與復(fù)位 穩(wěn)定信號交迭。
維持上升信號的提供時間點(diǎn)和復(fù)位穩(wěn)定信號的提供時間點(diǎn)之間的差 At4由于上述原因而可以i殳置成100ns至600ns或200ns至400ns。
此外，維持上升信號的提供時間點(diǎn)和復(fù)位穩(wěn)定信號的提供時間點(diǎn)之間 的差A(yù)t5由于上述原因而可以i殳置成100ns至600ns或者200ns至400ns。
維持上升信號或復(fù)位穩(wěn)定信號的電壓幅度和上升信號的提供時間可 以被改變。其描述如下。
圖10至12是圖示復(fù)位穩(wěn)定信號或維持上升信號的電壓幅度和上升信 號的提供時間的示圖。
參考圖10，維持上升信號的數(shù)目為多于一個，并且多個維持上升信 號中的至少 一個的提供時間不同于其它維持上升信號的提供時間。
例如，維持上升信號包括第一維持上升信號和第二維持上升信號，并 且第一維持上升信號的提供時間Wl可以長于第二維持上升信號的提供時 間W2。
在圖10中，下降信號的終結(jié)時間點(diǎn)和第一維持上升信號的終結(jié)時間 點(diǎn)之間的差A(yù)16 、復(fù)位穩(wěn)定信號的提供時間點(diǎn)和第二維持上升信號的提供 時間點(diǎn)之間的差A(yù)t7或復(fù)位穩(wěn)定信號的終結(jié)時間點(diǎn)和第二維持上升信號 的終結(jié)時間點(diǎn)之間的差A(yù)t8由于上述原因而可以設(shè)置成100ns至600ns或 者200ns至400ns。
參考圖11，復(fù)位穩(wěn)定信號的數(shù)目為多于一個，并且多個復(fù)位穩(wěn)定信 號中的至少 一個的提供時間不同于其它復(fù)位穩(wěn)定信號的提供時間。
例如，復(fù)位穩(wěn)定信號包括第一復(fù)位穩(wěn)定信號和第二復(fù)位穩(wěn)定信號，并
且第一復(fù)位穩(wěn)定信號的提供時間W3可以長于第二復(fù)位穩(wěn)定信號的提供時 間W4。
在圖11中，第二維持上升信號與第一復(fù)位穩(wěn)定信號和第二復(fù)位穩(wěn)定 信號共同交迭。
此外，下降信號的終結(jié)時間點(diǎn)和第 一維持上升信號的終結(jié)時間點(diǎn)之間 的差A(yù)t9 、第 一復(fù)位穩(wěn)定信號的提供時間點(diǎn)和第二維持上升信號的提供時 間點(diǎn)之間的差A(yù)t 10或第二復(fù)位穩(wěn)定信號的終結(jié)時間點(diǎn)和第二維持上升信 號的終結(jié)時間點(diǎn)之間的差A(yù)tll由于上述原因而可以設(shè)置成100ns至 600ns或200ns至400ns.
參考圖12，維持上升信號的數(shù)目為多于一個，并且多個維持上升信 號中的至少一個的電壓幅度不同于其它維護(hù)上升信號的電壓幅度。
例如，維持上升信號包括第一維持上升信號、第二維持上升信號和第 三維持上升信號，并且第一維持上升信號和第二維持上升信號的電壓幅度 AV1可以大于第三維持上升信號的電壓幅JLAV2。
如上所述，復(fù)位穩(wěn)定信號或維持上升信號的脈寬或電壓幅度可以不同 地改變。
如果等離子體顯示板的溫^Jl生變化，則放電單元內(nèi)的壁電荷的分布 特性也可以改變。例如，在特定溫度下，放電單元內(nèi)的壁電荷的量可能增
加過度。因此，可能產(chǎn)生g故電。
如實(shí)施例中的那樣，如果復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號被4C供到第一 電極和第二電極，則等離子體顯示板可以防止特定溫度下的4^放電的產(chǎn) 生。即，可以防止與等離子體顯示板的溫度相關(guān)的4^*故電的產(chǎn)生。
圖13是圖示在考慮等離子體顯示板的環(huán)境溫度或溫度的情況下使用 復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號的方法的例子的示圖。
參考圖13，當(dāng)?shù)入x子體顯示板的環(huán)境溫度或溫Jbl第一溫度時，省 略復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號，如A區(qū)中那樣；而當(dāng)?shù)入x子體顯示板的 環(huán)境溫度或溫Jbl高于第一溫度的第二溫度時，可以將復(fù)位穩(wěn)定信號和維 持上升信號提供給第一電極和第二電極，如B區(qū)中那樣。這種設(shè)置原因如 下所述。
隨著等離子體顯示板的溫度增加，放電點(diǎn)火電壓由于諸如電介質(zhì)層惡
化的原因而逐漸降低。因此，在等離子體顯示板的溫度相對高的第二溫度 下，與第一溫度相比較，壁電荷的量在復(fù)位期之后增加過度。因此，在具 有相對穩(wěn)定的壁電荷量的第一時間段內(nèi)，復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號未 被使用，而在具有過多的壁電荷量的第二時間段內(nèi)，使用復(fù)位穩(wěn)定信號和 維持上升信號。
此時，第一溫度時期是0至40TC的常溫期，而第二溫度時期則A^ 過401C的高溫期。
圖14是圖示使用圖像幀內(nèi)隨機(jī)子場中的復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信 號的方法的例子的示圖。
如圖14中那樣，假設(shè)一個圖像幀包括總共7個子場(SF1、 SF2、 SF3、 SF4、 SF5、 SF6和SF7)。
上升信號和維持上升信號可以不在低灰度級子場中提供。低AJL級子 場可以是第三子場或以下。如圖14 (a)中那樣，在第一子場SF1中，可 以不提供復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號。然而，如圖14 (b)中那樣，在 ^>1亂&重不同于第一子場SF1的^JH&重的第六子場SF6中，可以4吏 用復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號。
以這種方式，如果在圖像幀的多個子場的隨機(jī)子場中使用復(fù)位穩(wěn)定信 號和維持上升信號，則可以完全確保驅(qū)動裕量。
如上所述，在實(shí)施例中的等離子體顯示設(shè)備中，通過使用斜坡上升信 號和斜坡下降信號之間的復(fù)位穩(wěn)定信號和維持上升信號來消除上升期內(nèi) 過度累積的壁電荷的預(yù)定部分，防止了g故電的產(chǎn)生，并從而防止了圖 像的畫面質(zhì)量惡化。
前述實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅是示例性的，并且不解釋為限制本發(fā)明。；M1導(dǎo) 可以容易地應(yīng)用于其它類型的設(shè)備。前述實(shí)施例的說明旨在是示例性的， 而沒有限制權(quán)利要求的范圍。許多替換、修改和改變對于本領(lǐng)域技術(shù)人員 而言將會是明顯的。
工業(yè)實(shí)用性
等離子體顯示設(shè)4^及其驅(qū)動方法防止了放電產(chǎn)生4^故電，并提高了 圖像的畫面質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示板，其包括第一電極和第二電極；以及驅(qū)動器，其在復(fù)位期的上升期內(nèi)對所述第一電極提供電壓逐漸上升的斜坡上升信號，在所述上升期之后的下降期內(nèi)對所述第一電極提供電壓逐漸下降的斜坡下降信號，并且在提供所述斜坡上升信號之后提供所述斜坡下降信號之前的時期內(nèi)對所述第一電極提供至少一個復(fù)位穩(wěn)定信號。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述驅(qū)動器在提供所述斜坡上升信號之后提供所述斜坡下降信號之 前的時期內(nèi)對所述第二電極提供至少 一個維持上升信號。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述復(fù)位穩(wěn)定信號的最高電壓基本上等于所述維持上升信號的最高 電壓或在維持期期間對所述第 一電極或所述第二電極提供的維持信號的 最高電壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中， 復(fù)位穩(wěn)定信號的數(shù)目為多于一個，并且多個復(fù)位穩(wěn)定信號中的至少 一個的寬度不同于其它復(fù)位穩(wěn)定信號的 寬度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中， 維持上升信號的數(shù)目為多于一個，并且多個維持上升信號中的至少 一個的寬度不同于其它維持上升信號的 寬度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述復(fù)位穩(wěn)定信號或所述維持上升信號中的至少一個的寬度小于所 述維持信號的寬度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中， 維持上升信號的數(shù)目為多于一個，并且多個維持上升信號中的至少 一個的電壓幅度不同于其它維持上升信 號的電壓幅度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述至少一個復(fù)位穩(wěn)定信號和所述至少一個維持上升信號在至少一 個部分中交迭。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述復(fù)位穩(wěn)定信號和所述維持上升信號的提供時間點(diǎn)之間的差是 100ns至600ns，并且所述復(fù)位穩(wěn)定信號和所述維持上升信號的終結(jié)時間點(diǎn)之間的差是 100ns至600ns。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中， 維持上升信號的數(shù)目為多于一個，并且在將多個維持上升信號當(dāng)中按時間順序排在最前面的維持上升信號 提供給所述第二電極的時間段期間，在對所述第一電極提供所述斜坡上升 信號之后，以低于所述斜坡上升信號的峰值電壓的電壓來提供下降信號。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，當(dāng)所述等離子體顯示板的環(huán)境溫度或溫度是高于第 一溫度的第二溫 度時，對所述第一電極提供所述復(fù)位穩(wěn)定信號。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的等離子體顯示設(shè)備，其中， 所述第 一溫度是0至4 0 。C ，并且所述第二溫度超過4 01C 。
13. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，上升到所述維持信號的最高電壓的時期基本上等于上升到所述維持 上升信號的最高電壓的時期。
14. 一種用于驅(qū)動包括第一電極和第二電極的等離子體顯示設(shè)備的方 法，包括在復(fù)位期的上升期內(nèi)對所述第一電極提供電壓逐漸上升的斜坡上升 信號，并且在所述上升期之后的下降期內(nèi)對所述第一電極提供電壓逐漸下 降的斜坡下降信號；以及在提供所述斜坡上升信號之后提供所述斜坡下降信號之前的時期內(nèi) 對所述第 一 電極提供至少 一個復(fù)位穩(wěn)定信號。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括 在提供所述斜坡上升信號之后提供所述斜坡下降信號之前的時期內(nèi) 對所述第二電極提供至少 一個維持上升信號。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述復(fù)位穩(wěn)定信號的最高電壓基本上等于所述維持上升信號的最高 電壓或在維持期期間對所述第 一 電極或所述第二電極提供的維持信號的 最高電壓。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述復(fù)位穩(wěn)定信號或所述維持上升信號中的至少 一個的寬度小于所 述維持信號的寬度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中， 維持上升信號的數(shù)目為多于一個，并且多個維持上升信號中的至少 一個的電壓幅度不同于其它維護(hù)上升信 號的電壓幅度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述至少一個復(fù)位穩(wěn)定信號和所述至少一個維持上升信號在至少一 個部分中交迭。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，當(dāng)所述等離子體顯示板的環(huán)境溫度或溫度是高于第 一溫度的第二溫 度時，對所述第一電極提供所述復(fù)位穩(wěn)定信號。
全文摘要
公開了一種等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法。該等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示板，其包括第一電極和第二電極；以及驅(qū)動器。該驅(qū)動器在復(fù)位期的上升期內(nèi)對第一電極提供電壓逐漸升高的斜坡上升信號，在上升期之后的下降期內(nèi)對第一電極提供電壓逐漸下降的斜坡下降信號，并且在提供斜坡上升信號之后提供斜坡下降信號之前的時期內(nèi)對第一電極提供至少一個復(fù)位穩(wěn)定信號。
文檔編號G09G3/288GK101356564SQ200780001381
公開日2009年1月28日 申請日期2007年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月29日
發(fā)明者任玄宰, 許溶顯, 鄭允權(quán), 金默熙 申請人:Lg電子株式會社