專利名稱：等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
通常，等離子體顯示設(shè)備是具有采用由氣體放電產(chǎn)生的等離子體來顯示 文本或圖像的等離子體顯示屏(下文中稱為"PDP，，)的顯示設(shè)備。PDP包括 被驅(qū)動以產(chǎn)生動態(tài)畫面的多個驅(qū)動電路部分。
通過把一幀劃分成每個都具有權(quán)重值的多個子場來驅(qū)動等離子體顯示設(shè) 備的PDP。每個子場劃分成復(fù)位時段、尋址時段和維持時段。在尋址時段期 間，選擇發(fā)光放電室(cell)和不發(fā)光放電室，而在維持時段期間，把維持放 電施加于所尋址的發(fā)光放電室，以實際顯示圖像。此外，根據(jù)子場的權(quán)重值 的組合來顯示灰度級。
使在維持時段期間施加了維持脈沖的電極在容性負(fù)載下工作。為了把維 持脈沖施加于維持放電電路中的電極，除了為維持放電提供有功功率之外， 還為電荷注入提供無功功率。在維持放電電路中使用恢復(fù)和再使用無功功率 的能量恢復(fù)電路。
能量恢復(fù)電路可以使用電感器來把輸入電壓提升到用于維持脈沖的高電 壓。然而，在維持脈沖的電壓降低的維持脈沖的下降時段期間，把電壓存儲 在電感器中。通過耦合到接地端的晶體管使存儲在電感器中的電壓降低到接 地電壓。因此，在維持脈沖的下降時段期間對電感器充電時，與接地端耦合 的晶體管執(zhí)行硬切換。最近，已經(jīng)通過增加存儲在電感器中的電壓以及通過 增加耦合到接地端的晶體管執(zhí)行的硬切換量來增加能量恢復(fù)率，以減小所使 用的無功功率量。因此，增加了晶體管的功耗和熱應(yīng)力，從而經(jīng)常導(dǎo)致晶體
管發(fā)生故障和發(fā)生電磁干擾(EMI)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一些方面提供可以使晶體管的硬切換減到最少的一種等 離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法。
根據(jù)本發(fā)明的一些方面，提供了一種等離子體顯示設(shè)備，該設(shè)備包括 耦合到多個第一電極的電感器；耦合在多個第一電極和電感器的觸點以及提 供第一電壓的第一電源之間的第一晶體管；耦合在多個第一電極和電感器的 觸點以及提供比第一電壓低的第二電壓的第二電源之間的第二晶體管；耦合 在提供第三電壓的第三電源和電感器之間的第三晶體管；與第三晶體管并聯(lián) 耦合的第四晶體管；以及耦合在第二電源和多個第 一 電極之間以形成使存儲 在電感器中的電壓放電的放電通路的放電部分。
放電部分還可以包括耦合到多個第一電極的第五晶體管，以控制存儲在 電感器中的電壓的流動；耦合在第五晶體管和第二電源之間的電容器；以及 與電容器并聯(lián)耦合的電阻器。第五晶體管可以在第二晶體管導(dǎo)通之前導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)谌w管導(dǎo)通時，增加第一電極的電壓。當(dāng)?shù)谝痪w管導(dǎo)通時，第 一電壓施加于第一電極。當(dāng)?shù)谒木w管導(dǎo)通時，降低第一電極的電壓。當(dāng)?shù)?五晶體管導(dǎo)通時，使存儲在電感器中的電壓放電。此外，當(dāng)?shù)诙w管導(dǎo)通 時，第二電壓施加于第一電極。
第三電源還可以包括陽極耦合到第三和第四晶體管的觸點的電容器。第 三電源還可以包括耦合在電感器和第三晶體管之間的第一二極管，用于控制 電流的方向，以增加第一電極的電壓。第三電源可以包括耦合在電感器和第 四晶體管之間的第二二極管，用于控制電流的方向，以降低第一電極的電壓。 第二電壓可以是接地電壓。
根據(jù)本發(fā)明的一些方面，提供了一種等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動方法，該 方法包括使用電感器增加多個第一電極的電壓；把第一電源的第一電壓施 加于多個第一電極；使用電感器降低多個第一電極的電壓；使用耦合在提供 比第一電壓低的第二電壓的第二電源和多個第一電極之間的放電部分使存儲 在電感器中的電壓放電；以及把第二電壓施加于多個第一電極。
使存儲在電感器中的電壓放電的操作可以包括使耦合在電感器的觸點
和多個第一電極之間的晶體管導(dǎo)通；使用通過晶體管提供的、存儲在電感器 中的電壓對電容器充電；以及通過放電電阻器消耗存儲在電容器中的電壓。
本發(fā)明的另外的一些方面和/或優(yōu)點將在隨后的說明中得以部分地闡 明，并且，部分地通過該說明將變得顯而易見，或可以通過本發(fā)明的實踐來 認(rèn)識到。


從下各實施例的說明連同附圖，本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點將
變得顯而易見和更容易理解，其中
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一些方面的等離子體顯示設(shè)備的方框圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一些方面的子場配置；
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的一些方面的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動波形；
圖4是示出產(chǎn)生如圖3所示的維持脈沖的維持脈沖發(fā)生電路的電路圖5示出劃分成多個時間間隔的、圖3所示的維持脈沖以及晶體管根據(jù)
這些時間間隔的定時；以及
圖6A到6E是示出如圖5所示的相應(yīng)時間間隔內(nèi)的電流通路的視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的各實施例，結(jié)合

其例子，其中，在整 個說明書中，相同的標(biāo)號指相同的元件。下面參考附圖來描述各個實施例以 說明本發(fā)明。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一些方面的等離子體顯示設(shè)備的方框圖。參考 圖1，等離子體顯示設(shè)備包括用于顯示圖像的等離子體顯示屏(PDP) 106; 用于把數(shù)據(jù)提供給PDP 106的多個尋址電極(Al到Am)的尋址驅(qū)動器104; 用于驅(qū)動多個掃描電極(Yl到Y(jié)n)(或第一電極)的掃描驅(qū)動器102;用于 驅(qū)動多個維持電極(XI到Xn)的維持驅(qū)動器108;以及用于控制驅(qū)動器102、 104、和108的控制器110。
PDP 106使用以矩陣形式排列的多個放電室來顯示圖像。PDP 106包括在 列方向上延伸的多個尋址電極(Al到Am)，在行方向上延伸的多個掃描電 極(Yl到Y(jié)n)以及在行方向上延伸和與各個掃描電極(Yl到Y(jié)n)成對的多
個維持電極(XI到Xn)。尋址電極(Al到Ara)與掃描電極(Yl到Y(jié)n )和 維持電極(XI到Xn)相交。
通過把一幀劃分成多個子場來驅(qū)動控制器110。每個子場包括與隨時間改 變的工作相對應(yīng)的復(fù)位時段、尋址時段和維持時段?？刂破?10接收垂直/ 水平同步信號和產(chǎn)生用于各個驅(qū)動器102、 104和108的尋址控制信號、掃 描控制信號和維持控制信號。把所產(chǎn)生的控制信號提供給相關(guān)的驅(qū)動器102、 104和108， 乂人而控制器110控制驅(qū)動器102、 104和108。
尋址驅(qū)動器104響應(yīng)于從控制器110輸出的尋址控制信號把數(shù)據(jù)信號提 供給各個尋址電極(Al到Am)來選擇要放電的放電室。掃描驅(qū)動器102響 應(yīng)于從控制器110輸出的掃描控制信號把驅(qū)動電壓施加于掃描電極(Yl到 Yn)。維持驅(qū)動器108響應(yīng)于從控制器110輸出的維持控制信號把驅(qū)動電壓 施加于維持電極(XI到Xn)。
圖2根據(jù)本發(fā)明的一些方面示出在等離子體顯示設(shè)備上顯示圖像的單位 幀。參考圖2,把單位幀劃分成8個子場(SF1到SF8)以顯示時分灰度級。 把子場分別劃分成復(fù)位時段(PR1到PR8)、尋址時段(PA1到PA8)以及維 持時段(PS1到PS8 )。
等離子體顯示屏的亮度與單位幀的維持時段(PS1到PS8)的長度成比例。 維持時段(PS1到PS8)的組合長度是255T (規(guī)定T為單位時間)。這樣， 對于第n個子場(SFn)的維持時段(PSn),設(shè)置與2"相關(guān)的時間。因此， 可以顯示包括在任何子場期間都不顯示的O灰度級的256個不同的灰度級。
從第一子場(SF1)到第八子場(SF8)分別分配與子場的灰度電平相關(guān) 的權(quán)重值，如1T, 2T，.，.，和128T,然而，這只是一個例子，這里的教導(dǎo)不局 限于此。換言之，單位幀的子場的數(shù)量可以大于或小于8，并且可以根據(jù)不 同的設(shè)計規(guī)格來改變對各個子場的權(quán)重值分配。
圖3詳細(xì)示出在圖2所示的復(fù)位時段、尋址時段和維持時段期間提供的 驅(qū)動波形。參考圖3， PDP 106通過一般在一個子場(SF)期間依次執(zhí)行復(fù) 位時段、尋址時段和維持時段來顯示預(yù)定圖像。
在復(fù)位時段的上升時段期間，Y電極的電壓從電壓Vs逐漸增加到電壓 Vset。 X電極保持在參考電壓0V。在Y電極的電壓增加的同時，Y電極和 X電極之間以及Y電極和A電極之間分別發(fā)生弱放電。在Y電極中形成負(fù)壁電荷，而在X電極和A電極中形成正壁電荷。
在復(fù)位時段的下降時段期間，Y電極的電壓從電壓Vs逐漸降低到電壓 Vnf。把電壓Ve施加于電極X。在Y電極的電壓降低的同時，Y電極和X電 極之間以及Y電極和A電極之間發(fā)生弱放電。在Y電極中保持負(fù)壁電荷， 并且從X和A電極中消除正壁電荷，從而使放電室初始化。通常，把電壓I Vnf-Ve I的值設(shè)置為近似Y和X電極之間的點火電壓。Y和X電極之間的 壁電壓接近OV,以防止在尋址時段期間未曾放電的放電室的不點火，以使得 這些放電室在維持時段期間放電。
在尋址時段期間，可以通過施加各種電壓于一個或多個放電室而選擇這 些放電室用于隨后發(fā)射。例如，為了選擇放電室C，在尋址時段期間把電壓 Ve施加于XI電極，接著把具有電壓VscL的掃描脈沖施加于Yl電極。通過 所選中的方文電室C ^巴電壓Va施加于Al電極。然后，在Al電極和Yl電極 之間以及在Yl和X電極之間發(fā)生尋址放電，從而在Yl電極中形成正壁電 荷，并且分別在A1和X1電極中形成負(fù)壁電荷?？梢园央妷篤scL設(shè)置成與 電壓Vnf相同或小于電壓Vnf。此外，在沒有施加電壓VscL的Y電極中， 施加比電壓VscL高的電壓VscH，并且把參考電壓(圖3中的OV)施加于未 選中的放電室的A電極。
為了在尋址時段期間選擇放電室，掃描驅(qū)動器102在Y電極(Yl到Y(jié)n) 中選擇將要施加具有電壓VscL的掃描脈沖的一個Y電極。例如，在驅(qū)動單 個放電室時，可以按垂直方向排列的次序來選擇Y電極。 一旦選中了一個Y 電極，尋址驅(qū)動器104就在包括所選中的Y電極的放電室中選擇要使其導(dǎo) 通的放電室。換言之，尋址驅(qū)動器104在A電極(Al到Am)中選擇將要被 施加電壓Va的尋址脈沖的一個放電室。
在維持時段期間，把具有高電壓(圖3中的電壓Vs)和低電壓(圖3中 的OV)的維持脈沖交替施加于Y和X電極，從而在所選中的放電室的Y和 X電極之間發(fā)生維持放電。根據(jù)各個子場的權(quán)重值來選擇維持脈沖的數(shù)量。
圖4是示出產(chǎn)生如圖3所示的維持脈沖的維持脈沖發(fā)生電路的電路圖。 圖4中的面板電容器(panel capacitor) ( Cp )等效地示出X電極和Y電極 之間的電容分量。為了方便起見，面板電容器(Cp)的X電極表示為耦合到 接地端Gl,而X電極實際上耦合到維持電極驅(qū)動器108。
在整個說明書中和下述權(quán)利要求書中，當(dāng)把一個元件描述為"耦合"到 另一個元件時，該元件可以是"直接耦合，，到另一個元件或通過第三元件"電 耦合"到其它元件。例如，可以通過導(dǎo)線或其它電連接把該元件連接到其它 元件。在整個說明書中和下述權(quán)利要求書中，當(dāng)把第一元件描述為"耦合在" 第二和第三元件"之間"時，第一元件可以具有與第二元件耦合的第一觸點， 并且第一元件可以具有與第三元件耦合的第二觸點。在一些情況中，"耦合 在"第二和第三元件"之間"的第一元件可以指串聯(lián)連接，第一元件串聯(lián)耦 合在第二和第三元件之間。這里所使用的"觸點，，是指電連接或節(jié)點。例如， 耦合到觸點(該觸點耦合到電極和電容器)的晶體管可以指連接到晶體管的 導(dǎo)線和連接到電極和電容器的導(dǎo)線之間的連接。每根導(dǎo)線都可以繼續(xù)延伸和 連接到其它元件。
圖4所示的維持脈沖發(fā)生電路400包括恢復(fù)電容器(Cerc)、電感器(L)、 晶體管(Sr、 Sf 、 Ss和Sg ) 、 二極管(Dr和Df )以及放電部分120。這里， 晶體管Ss稱為第一晶體管，晶體管Sg稱為第二晶體管，晶體管Sr稱為第 三晶體管，晶體管Sf稱為第四晶體管，二極管Dr稱為第一二極管，而二 極管Df稱為第二二極管。
恢復(fù)電容器(Cerc)耦合到面板電容器(Cp),并且提供或恢復(fù)預(yù)定的 電荷?；謴?fù)電容器(Cerc)的陰極耦合到接地端G3，并且恢復(fù)電容器(Cerc ) 的陽極耦合到第三和第四晶體管(Sr和Sf )之間的觸點?；謴?fù)電容器(Cerc ) 可以被稱為第三電源。
電感器(L)的一端耦合到第一和第二二極管(Dr和Df )之間的觸點， 而另一端耦合到面板電容器(Cp)。電感器(L)和面板電容器(Cp)使得 在它們之間發(fā)生諧振。
第一晶體管(Ss)包括:耦合到用于提供第一電壓即Vs電壓的第一電源 (Pl)的漏極；耦合到面板電容器(Cp)的源極；以及耦合到輸入低電平或 高電平控制信號的控制信號端(未示出)的柵極。第二晶體管(Sg)包括 耦合到面板電容器(Cp)的漏極；耦合到用于提供第二電壓即接地電壓的第 二電源即接地端G2的源極；以及耦合到輸入低電平或高電平控制信號的控 制信號端(未示出)的柵極。第三晶體管(Sr)包括耦合到第三電源即恢 復(fù)電容器(Cerc)的漏極；耦合到第一二極管(Dr )的源極；以及耦合到輸入低電平或高電平控制信號的控制信號端(未示出)的柵極。第四晶體管(Sf ) 包括耦合到第二二極管(Df )的漏極；耦合到恢復(fù)電容器(Cerc)的源極； 以及耦合到輸入低電平或高電平控制信號的控制信號端(未示出)的柵極。
設(shè)置第一和第二二極管(Dr和Df )以使流自耦合到第三和第四晶體管(Sr 和Sf )的體二極管(未示出)的電流截止。第一二極管(Dr)的陽極耦合到 第三晶體管(Sr),而第一二極管(Dr)的陰極耦合到電感器(L)。第二 二極管(Df)的陽極耦合到電感器(L)，而第二二極管(Df)的陰極耦合 到第四晶體管(Sf )。除了第一和第二二極管(Dr和Df )之外，可以在提 供Vs電壓的第一電源Pl和電感器(L)之間耦合一個二極管(未示出)， 以把電感器(L)另一端的電壓限制在Vs電壓上?？梢栽诮拥囟薌2和電感 器(L)之間耦合一個二極管(未示出)，以把電感器(L)另一端的電壓限 制在0V。
放電部分120包括晶體管(Ssf )、旁路電容器(Cf )和放電電阻器(R)。 晶體管(Ssf )稱為第五晶體管。第五晶體管(Ssf )包括耦合到面板電容 器(Cp)的漏極；耦合到放電電阻器(R)的觸點和耦合到電容器即旁路電 容器(Cf )的源極；以及耦合到從其輸入低電平或高電平控制信號的控制信 號端(未示出)的柵極。對第五晶體管(Ssf )進(jìn)行切換以在第二晶體管(Sg) 導(dǎo)通之前把存儲在電感器(L)中的電壓提供給旁路電容器(Cf )。同樣， 通過第五晶體管(Ssf )使存儲在電感器(L)中的電壓最小化，從而可以使 第二晶體管(Sg)的硬切換最小化。
如果通過第五晶體管(Ssf )而輸入高頻分量，則旁路電容器(Cf )使電 感器(L)中的電壓充電的高頻分量由于阻抗的減小而通過接地端G2旁路。 此外，如果通過第五晶體管(Ssf)而輸入存儲在電感器(L)中的電壓的低 頻分量，則旁路電容器(Cf)由于阻抗的增加而存儲低頻分量。旁路電容器 (Cf)的一端耦合到接地端G2，而另一端則耦合到第五晶體管(Ssf)。
如果第五晶體管(Ssf )截止，則放電電阻器(R)通過接地端G2消耗存 儲在旁路電容器(Cf )中的電感器(L)的電壓。放電電阻器(R)與旁路電 容器(Cf )并聯(lián)耦合。
圖5示出使用圖4所示的電路的維持時段的工作時序。圖6A到6E示出 如圖5所示的各個時段的電流通路。 參考圖5,在時間間隔Tl期間，當(dāng)把高電平控制信號施加于第三晶體管 (Sr)時，第三晶體管(Sr)導(dǎo)通。然后，參考圖6A，形成從恢復(fù)電容器(Cerc ) 通過第三晶體管(Sr)、第一二極管(Dr)、電感器(L)到面板電容器(Cp ) 的電流通路，從而在電感器(L)和面板電容器(Cp)之間發(fā)生諧振。通過 上述諧振，把存儲在恢復(fù)電容器(Cerc)中的電流移動到和存儲在面板電容 器(Cp)中。面板電容器(Cp)的Y電極的電壓從0V逐漸增大。
在時間間隔T2期間，把低電平控制信號施加于第三晶體管(Sr)，并且 把高電平控制信號施加于第一晶體管(Ss),從而第一晶體管(Ss)導(dǎo)通。 然后，參考圖6B,形成從Vs電源通過第一晶體管(Ss)到面板電容器(Cp) 的電流通路。因此，通過第一晶體管(Ss)而將Vs電壓施加于面板電容器 (Cp)的Y電極。
在時間間隔T3期間，把低電平控制信號施加于第一晶體管(Ss)，并且 把高電平控制信號施加于第四晶體管(Sf )，從而第四晶體管(Sf )導(dǎo)通。 然后，參考圖6C，形成從面板電容器(Cp)通過電感器(L)、第二二極管
(Df)、第四晶體管(Sf)到恢復(fù)電容器(Cerc)的電流通路，從而在電感 器(L)和面板電容器(Cp)之間發(fā)生諧振。通過上述諧振，把存儲在面板 電容器(Cp)中的電流移動到和存儲在恢復(fù)電容器(Cerc)中，并且面板電 容器(Cp)的Y電極的電壓從Vs電壓逐漸降低。
在時間間隔T4期間，把低電平控制信號施加于第四晶體管(Sf )，并且 把高電平控制信號施加于第五晶體管(Ssf )，從而第五晶體管(Ssf )導(dǎo)通。 此時，第五晶體管(Ssf)的導(dǎo)通時段比第四晶體管(Sf)的導(dǎo)通時段短。 然后，參考圖6D，形成從電感器(L)通過第五晶體管(Ssf )到旁路電容器
(Cf )的電流通路。存儲在電感器(L)中的電壓通過第五晶體管(Ssf )施 加到旁路電容(Cf)。這樣，把包括在存儲于電感器(L)中的電壓中的約30 到100 MHz的高頻分量施加于旁路電容器(Cf ),旁路電容器(Cf )由于阻 抗的減小而保持在短路狀態(tài)。因此，通過第五晶體管(Ssf)和旁路電容器
(Cf )在第二電壓即接地電壓下感生出存儲于電感器(L)中的電壓。此外， 把包括在存儲于電感器(L)中的電壓中的小于30 MHz的頻率分量施加于旁 路電容器(Cf ),并且由于阻抗的增加，旁路電容器(Cf )由電感器(L) 充電到一個電壓。
在時間間隔T5期間，把低電平控制信號施加于第五晶體管(Ssf ),并
且把高電平控制信號電平施加于第二晶體管(Sg),從而第二晶體管(Sg) 導(dǎo)通。然后，參考圖6E，形成從面板電容器(Cp)通過第二晶體管(Sg)到 接地端G3的電流通路。然后把接地電壓施加于面板電容器(Cp)的Y電極。 通過放電電阻器(R)感生出處于接地電壓的，存儲在旁路電容器中的電壓。
同樣，在時間間隔T3期間，在存儲于電感器(L)中的電壓已經(jīng)通過放 電部分120降低之后，根據(jù)本發(fā)明的一些方面的等離子體顯示設(shè)備100使 得耦合到接地端G2的第二晶體管(Sg)導(dǎo)通。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，使 第二晶體管(Sg)的硬切換減至最少，減少了相關(guān)聯(lián)的EMI,并且使第二晶 體管(Sg)產(chǎn)生的熱減少約5到10度。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一些方面 的等離子體顯示設(shè)備使耦合到地的晶體管的硬切換最少，從而降低了晶體管 的熱應(yīng)力和來自其的電磁干擾。
雖然已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的幾個實施例，但是熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人 員可以理解，可以在不偏離本發(fā)明的原理和精神的情況下對實施例作出修 改，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書及其等效來限定。
權(quán)利要求
1.一種包括多個電極的等離子體顯示設(shè)備，包括耦合到多個電極的電感器；耦合在與所述多個電極和所述電感器耦合的觸點以及提供第一電壓的第一電源之間的第一晶體管；耦合在與所述多個電極和所述電感器耦合的觸點以及提供比所述第一電壓低的第二電壓的第二電源之間的第二晶體管；耦合在所述電感器和提供第三電壓的第三電源之間的第三晶體管；與所述第三晶體管并聯(lián)耦合的第四晶體管；以及耦合在所述第二電源和所述多個電極之間的放電部分，以形成對存儲在所述電感器中的電壓進(jìn)行放電的放電通路。
2. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述放電部分包括 耦合到所述多個電極的第五晶體管，以控制存儲在所述電感器中的電壓的流動；耦合在所述第五晶體管和所述第二電源之間的第一電容器；以及 與所述第一電容器并聯(lián)耦合的電阻器。
3. 如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第五晶體管在所 述第二晶體管導(dǎo)通之前導(dǎo)通。
4. 如權(quán)利要求3所述的等離子體顯示設(shè)備，其中 當(dāng)所述第三晶體管導(dǎo)通時，增加所述多個電極的電壓； 當(dāng)所述第一晶體管導(dǎo)通時，所述第一電壓施加于所述多個電極； 當(dāng)所述第四晶體管導(dǎo)通時，降低所述多個電極的電壓； 當(dāng)所述第五晶體管導(dǎo)通時，使存儲在所述電感器中的電壓放電；以及 當(dāng)所述第二晶體管導(dǎo)通時，將所述第二電壓施加于所述多個電極。
5. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述第三電源包括具 有耦合到與所述第三和第四晶體管耦合的觸點的陽極的電容器。
6. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述等離子體顯示設(shè) 備還包括第一二極管，耦合在所述電感器和所述第三晶體管之間，用于控制電流的方向以增加所述多個電極的電壓；以及第二二極管，耦合在所述電感器和所述第四晶體管之間，用于控制電流的 方向以降低所述多個電極的電壓。
7. 如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示設(shè)備，其特征在于，所述第二電壓 是接地電壓。
8. —種包括多個電極的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動方法，所述方法包括 使用電感器來增加施加于所述多個電極的電壓；把第 一電源的第 一電壓提供給所述多個電極； 使用所述電感器來降低所述多個電極的電壓；使用耦合在提供比所述第一電壓低的第二電壓的第二電源和所述多個電極 把所述第二電壓施加于所述多個電極。
9. 如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動方法，其中，使存儲在 所述電感器中的電壓放電包括導(dǎo)通耦合在所述電感器和所述多個第 一 電極的觸點之間的晶體管； 通過所述晶體管，把存儲在所述電感器中的電壓轉(zhuǎn)移到所述電容器；以及 使用放電電阻器來消耗存儲在所述電容器中的電壓。
10. 如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動方法，其中，所述第二 電壓是接地電壓。
11. 一種等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動方法，包括從恢復(fù)電容器，通過電感器，把增加電壓施加于連接到多個電極的面板電 容器；把第 一 電壓從電源施加到所述面板電容器； 通過所述電感器，把電荷從所述面板電容器轉(zhuǎn)移到恢復(fù)電容器； 通過連接到接地端的放電部分使所述電感器放電；以及 使所述面板電容器向所述接地端放電。
12. 如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動方法，其中，從所述面板電容器轉(zhuǎn)移電荷 包括在所述面板電容器和所述電感器之間產(chǎn)生諧振。
13. 如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動方法，其中，所述施加增加電壓包括在所 述恢復(fù)電容器和所述電感器之間產(chǎn)生諧振。
14. 如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動方法，其中所述放電部分包括并聯(lián)耦合到晶體管和所述接地端的電阻器和旁路電容器，以及所述晶體管與耦合到所述電感器和所述面板電容器的觸點相耦合；并且所述電感器的放電包括 導(dǎo)通所述晶體管； 對所述旁路電容器充電；以及 使所述旁路電容器通過所述電阻器向所述接地端放電。
15. 如權(quán)利要求14所述的驅(qū)動方法，其中，所述旁路電容器存儲從所述 電感器放電的電壓的低頻分量。
16. 如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，所述電極是Y電極。
17. 如權(quán)利要求8所述的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動方法，其中，所述電極 是Y電極。
全文摘要
一種等離子體顯示設(shè)備及其驅(qū)動方法。等離子體顯示設(shè)備包括耦合到多個電極的電感器，耦合在多個電極和電感器的觸點以及提供第一電壓的第一電源之間的第一晶體管，耦合在與多個電極和電感器耦合的觸點以及提供比第一電壓低的第二電壓的第二電源之間的第二晶體管，耦合在提供第三電壓的第三電源和電感器之間的第三晶體管，與第三晶體管并聯(lián)耦合的第四晶體管，以及耦合在第二電源和多個電極之間的放電部分，以形成使存儲在電感器中的電壓放電的放電通路。
文檔編號G09G3/296GK101192367SQ20071019327
公開日2008年6月4日 申請日期2007年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月27日
發(fā)明者呂宰英 申請人:三星Sdi株式會社