專利名稱：有機el顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機EL顯示裝置，特別涉及對有機EL元件的 發(fā)光特性隨著動作時間而發(fā)生變化進行修正的顯示技術。
背景技術：
現(xiàn)有顯示裝置的主流是CRT,但取而代之，作為平板顯示裝置 的液晶顯示裝置、等離子體顯示裝置等正在實用化，需求逐漸增大。 進而，除了這些顯示裝置之外，利用了有機電致發(fā)光的顯示裝置(以 下稱為有機EL顯示裝置(OLED))、和通過以矩陣狀配置利用場 致發(fā)射的電子源而使配置在陽極的熒光體發(fā)光從而形成圖像的顯示 裝置(FED顯示裝置)的開發(fā)、實用化也處于進展中。有機EL顯示裝置具有如下特征(1)由于與液晶相比是自發(fā) 光型，因而不需要背光源，(2)發(fā)光所需要的電壓低至10V以下， 有可能減小功耗，(3)與等離子體顯示裝置和FED顯示裝置相比， 不需要真空結構，適合輕型化、薄型化，(4)反應時間縮短至數(shù)微 秒，動畫特性出色，(5)視場角寬至170度以上等。有機EL顯示裝置具有如上述那樣的特征，但作為問題之一，具 有有機EL發(fā)光元件(以下稱為OLED元件)的發(fā)光特性隨著動作時 間發(fā)生變化的現(xiàn)象。而且，該OLED的特征變化在長時間顯示了特 定的圖像時，有時會出現(xiàn)該圖像的僅一部分的特性發(fā)生劣化的、所 謂的"余像"。與畫面整體的亮度逐漸減小的情況相比，這種余像 現(xiàn)象非常顯著。要使這種余像不顯著，就需要檢測出全部圖像的 OLED元件的特性，并將該結果反饋到從主機輸入的輸入信號。，OLED元件的特征變化表現(xiàn)為OLED元件的電壓-電流特征變 化和電流-發(fā)光亮度特征的變化。其中，電壓-電流特征的變化隨著動作時間發(fā)生變化，即使施加相同的電壓，流過的電流也將變小。圖16示出這種現(xiàn)象。圖16的橫軸是對OLED元件施加的電壓，縱 軸是在OLED元件中流過的電流密度。特性1是OLED元件的初始 特性。特性2是OLED元件的時間經(jīng)過后的特性。當考慮OLED元 件的發(fā)光與流過OLED元件的電流成比例時，隨著時間經(jīng)過，即使 施加相同的電壓，OLED元件的發(fā)光亮度也發(fā)生變化，無法實現(xiàn)正 確的圖像顯示。這種情況反過來說，為了發(fā)出相同的發(fā)光，需要為流過相同的 電流而施加更高的電壓。圖17是表示用于在OLED元件流過相同的 電流的施加電壓的變化的圖。在圖17中，橫軸是動作時間，縱軸是 用于在OLED元件上流過一定電流的施加電壓。圖17示出了為了在 OLED元件上流過相同的電流而必須隨著動作時間增加施加電壓的 情況。如上所述，為了用有機EL顯示裝置顯示正確的圖像，需要定期 地測定所有像素的OLED元件的電壓-電流特性，并將其反饋到所 輸入的圖像信號。作為記載這種技術的文獻，可以列舉出"專利文 獻1"或者"專利文獻2"。專利文獻1:日本特開2005 - 156697號公報；專利文獻2:日本特開2002 - 341825號公才艮。發(fā)明內(nèi)容在如上所述的現(xiàn)有技術中，記載有如何使用于圖像顯示的圖像 數(shù)據(jù)的寫入或者用于圖像形成的OLED元件的發(fā)光、和OLED元件 的特性檢測并存的技術。但是，沒有公開以怎樣的基準測定OLED 元件的特性變化。只要OLED元件的特性是否發(fā)生了變化的基準不 合適，就會反饋錯誤的數(shù)據(jù)，從而無法正確地進行顯示，失去了反 饋的意義。作 為以往采用的方法之一，有如下的方法記錄各像素的特性， 對新測定的數(shù)據(jù)和前一次測定的數(shù)據(jù)進行比較，將其差作為老化或者余像的數(shù)據(jù)進行反饋。該方法在該像素在耐用期限中變?yōu)榘l(fā)生斷 線或者短路那樣的異常像素的情況下會反饋錯誤的數(shù)據(jù)。以往采用的另 一方法是設定基準像素，并對該基準像素的OLED 元件和各像素OLED元件的特性進行比較。但是，有時該基準像素 會發(fā)生老化。若基準像素發(fā)生老化，比較的基準就會發(fā)生變化，不 可能實現(xiàn)適當?shù)姆答仭Ａ硗?，當基準像素位于遠離圖像顯示區(qū)域的 位置時，將產(chǎn)生由圖像顯示區(qū)域和基準像素的溫度差引起的對OLED 元件特性的影響。當不對其進行適當?shù)匦拚龝r，就無法實現(xiàn)對圖像 數(shù)據(jù)的正確的反饋。本發(fā)明是為解決上述問題而提出的，在本發(fā)明中，不是將OLED 元件的老化與顯示區(qū)域外的基準像素的OLED元件進行比較，而是 例如對顯示區(qū)域內(nèi)的相鄰的像素的OLED元件進行比較。由此，能 夠消除在顯示區(qū)域內(nèi)和顯示區(qū)域外溫度不同的影響。但是，即使在顯示區(qū)域內(nèi)也存在異常像素。當與異常像素進行 比較時，就得到錯誤的比較數(shù)據(jù)，無法實現(xiàn)向圖像數(shù)據(jù)的正確反饋。 本發(fā)明在比較相鄰的OLED元件時，判斷要比較的像素是否是異常 像素，若要比較的像素是異常像素，就不作為比較的對象。這樣， 比較的對象總是能與正常的像素進行比較，所以能夠獲得正確的反 饋數(shù)據(jù)。另 一方面，在不是將OLED元件的特性與相鄰的像素進行比較，而是設置基準像素并與作為基準的像素進行比較的情況下，考慮作 為基準的像素在耐用期限中變?yōu)楫惓Ｏ袼氐那闆r，本發(fā)明具有應對該問題的方法。即，具有如下的方法對作為基準的像素也預先設 置對變?yōu)楫惓Ｏ袼氐臄?shù)據(jù)進行檢測的裝置，具有在基準像素變?yōu)楫?常像素的時刻將該基準像素從基準像素中除去而使用其他的像素作 為基準像素的裝置。具體裝置如下所述。(1 ) 一種顯示裝置，以矩陣狀形成具有OLED元件的多/H象素 而構成畫面，以特定的時間間隔測定上述OLED元件的特性，4吏 OLED元件的特性變化反映在圖像信號中，其特征在于特定像素的OLED元件的特性變化是對上述特定像素的OLED元件的特性和 位于與上述特定像素相同的掃描線上的其他像素的OLED元件的特 性進行比較而獲得的。(2) 如(1)所述的顯示裝置，其特征在于上述其他像素是 上述特定像素的相鄰的像素。(3) 如(1)所述的顯示裝置，其特征在于上述其他像素包 括多個像素，通過對統(tǒng)計處理上述多個像素的OLED元件的特性而 獲得的特性和上述特定像素的OLED元件的特性進行比較，獲得特 定像素的OLED元件的特性變化。(4) 如(1 )所述的顯示裝置，其特征在于上述顯示裝置具 有存儲上述掃描線上的像素的OLED元件特性的行存儲器。(5) —種顯示裝置，以矩陣狀形成具有OLED元件的多個像素 而構成畫面，以特定的時間間隔測定上述OLED元件的特性，佳L OLED元件的特性變化反映在圖像信號中，其特征在于特定像素 的OLED元件的特性變化是對上述特定像素的OLED元件的特性和 圖像顯示區(qū)域的其他像素的OLED元件的特性進行比較而獲得的， 上述其他像素的OLED元件的特性在預先設定的OLED元件特性的 范圍內(nèi)。(6) 如(5)所述的顯示裝置，其特征在于上述其他像素位 于與上述特定像素相同的掃描線上。(7) 如(5)所述的顯示裝置，其特征在于上述特定像素的 OLED元件的特性是OLED元件的端子間電壓，上述其他像素的 OLED元件的特性是OLED元件的端子間電壓，上述其他像素的 OLED元件的特性是流過了特定電流時的OLED元件的端子間電壓 在預先設定的范圍內(nèi)。(8) 如(5)所述的顯示裝置，其特征在于上述其他像素是 位于與上述特定像素相同的掃描線上的、與上述特定像素相鄰的像 素。(9) 如(5)所述的顯示裝置，其特征在于在上述其他像素的OLED元件的特性不在上述預先i殳定的OLED元件特性的范圍內(nèi) 時，與上述其他像素的相鄰的像素的OLED元件的特性進行比較。(10) 如(5)所述的顯示裝置，其特征在于上述顯示裝置具 有存儲上述掃描線上的像素的OLED元件的特性的行存儲器。(11) 一種顯示裝置，以矩陣狀形成具有OLED元件的多個像 素而構成畫面，以特定的時間間隔測定上述OLED元件的特性，l吏 OLED元件的特性變化反映在圖像信號中，其特征在于特定像素 的OLED元件的特性變化是對上述特定像素的OLED元件的特性和 預先確定的基準像素的OLED元件的特性進行比較而得到的，上述 基準像素的OLED元件的特性在預先確定的范圍內(nèi)，定期地檢查上 述基準像素的OLED元件特性是否在預先確定的范圍內(nèi)。(12) 如(11)所述的顯示裝置，其特征在于上述基準像素 存在多個，在特定基準像素的OLED元件的特性不在上述預先確定 的OLED元件特性的范圍內(nèi)時，與上述多個基準像素中其他基準像 素的OLED元件的特性進行比較。(13) 如(11)所述的顯示裝置，其特征在于上述特定像素 的OLED元件的特性是OLED元件的端子間電壓，上述基準像素的 OLED元件的特性是OLED元件的端子間電壓，上述基準像素的 OLED元件的特性是流過了特定電流時的OLED元件的端子間電壓 在預先設定的范圍內(nèi)。(14) 如(11 )所述的顯示裝置，其特征在于每當進行了上 述特定像素的OLED元件的特性的測定時，就與基準像素的OLED 元件的特性進行比較，檢測特定像素的OLED元件的特性變化。根據(jù)使用以上裝置，能夠正確地評價在顯示區(qū)域的OLED元件 的劣化特性，能夠獲得相對于來自主機的圖像數(shù)據(jù)的適當?shù)姆答仈?shù) 據(jù)。因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠形成正確的圖像。每個裝置的效果如 下。根據(jù)裝置(1 ),將特定像素的OLED元件的特性與相同的掃描 線上的其他像素的OLED元件的特性進行比較，因此能夠與在大致相同的區(qū)域的OLED元件進行比較，因而限制溫度特性等影響，能 夠更正確地反饋OLED元件的特性變化。根據(jù)裝置(2),與相同的掃描線上相鄰的像素的OLED元件進 行比較，所以能夠忽略因位置產(chǎn)生的條件的差別，且能進行極為細 致的比較。根據(jù)裝置(3),作為比較對象的像素是反映了相同掃描線上的 多個像素的特性的像素，所以比較對象更加穩(wěn)定，能夠減小反饋的 誤差。根據(jù)裝置(4),顯示裝置具有行存儲器，由于在行存儲器中存 儲1行上像素的OLED元件的特性，所以能夠容易地進行與特定像 素的比較。根據(jù)裝置(5),在特定像素的OLED元件的特性的比較中，使 用顯示區(qū)域的像素的OLED元件作為對象，且僅在該OLED元件的 特性在一定的范圍內(nèi)時才作為比較的對象，所以能夠避免錯誤判斷。根據(jù)裝置(6)，由于作為比較對象的其他像素在相同的掃描線 上，所以能夠容易地進行比較。根據(jù)裝置(7)，由于作為OLED元件的特性而測定流過了特定 電流時的OLED元件的端子間電壓，所以容易進行比較。另外，缺 陷像素也能夠容易地從余像的判斷中排除。根據(jù)裝置(8),由于作為比較對象的像素是存在于相同掃描線 上的特定像素的附近的像素，所以容易進行比較。另外，檢測位置 的精度也能提高。根據(jù)裝置(9),在要與特定像素的OLED元件的特性比較的相 鄰^f象素的OLED元件有缺陷時，還進^f于與其他相鄰J象素的OLED元 件的比較，因此能夠避免無法比較而無法作成反饋數(shù)據(jù)。根據(jù)裝置(10),由于顯示裝置具有行存儲器，所以與OLED 元件特性的各種測定方法、比較方法的變化相對應。根據(jù)裝置(11)，OLED元件特性是否在預先設定的范圍內(nèi)，所以即使基準像素在工 作中變?yōu)槿毕菹袼?，也不會進行錯誤判斷。根據(jù)裝置(12)，基準像素形成有多個，即使在初始的基準像 素變?yōu)槿毕菹袼貢r，也與多個基準像素中的其他基準像素進行比較， 因而不會變成缺少比較對象而無法對圖像數(shù)據(jù)進行反饋這樣的情 況。根據(jù)裝置(13 )，由于OLED元件特性是在OLED元件流過了特定電流時的端子間電壓，所以容易進4亍特性測定和比4交。根據(jù)裝置(14)，每當進行特定像素的OLED元件特性檢測時，就進行該像素的異常判斷，且檢測余像量，所以能夠省略行存儲器。


圖1是有機EL顯示裝置的例子。圖2是OLED元件發(fā)生了短路或者斷線的例子。圖3是OLED元件的電壓-電流特性。圖4是表示有機EL顯示裝置的結構的概略圖。圖5是像素的驅動電路的例子。圖6是OLED元件的特性檢測電路的例子。圖7是OLED元件的特性檢測的例子。圖8是OLED元件的特性檢測電路的另 一例。圖9是OLED元件的特性檢測的另 一例。圖IO是實施例1的有機EL顯示裝置的例子。圖11是特性檢測的例子。圖12是特性檢測數(shù)據(jù)的例子。圖13是實施例3的有機EL顯示裝置的例子。圖14是實施例4的有機EL顯示裝置的例子。圖15是實施例4的像素的驅動電路。圖16是OLED元件的電壓-電流特性。圖17是OLED元件的老化的例子。符號說明I -有機EL顯示面板 2-顯示區(qū)域3 -顯示用掃描電路4- 檢測用掃描電路5- 數(shù)據(jù)線6- 檢測線 7 —才全須'J^卩8- 判斷部9- 運算部10- 鎖存器II - OLED元件 12-OLED驅動TFT 13 -存儲電容81 -故障判斷部82-余像判斷部ADC-模擬數(shù)字控制器PX -像素MR1 -第一存儲器MR2 -第二存儲器Vd -電源具體實施方式
根據(jù)實施例來公開本發(fā)明的詳細內(nèi)容。 <實施例1〉圖1是實施本發(fā)明的有機EL顯示裝置的例子。在迅l中，在有 機EL顯示面板1的大部分形成有顯示區(qū)域2。在畫面下側設置有用 于驅動有機EL顯示面板1的驅動IC31。在驅動IC31的更下側，柔性布線基板32被安裝在有機EL顯示面板1上。經(jīng)過柔性布線基板 32,將來自外部的圖像信號、電源等提供給有機EL顯示面板1。柔 性布線基板通常向有機EL顯示面板的背面彎曲而被容納在邊框內(nèi)。在圖1的顯示區(qū)域2形成有多個像素PX。但是，并不是所有的 像素PX都正常，存在如圖1中的用幾個黑點所示那樣的異常像素。 該部分是由于像素的OLED元件發(fā)生短路或者開路等而導致OLED 元件不發(fā)光的部分、或者亮度非常小的部分。若所有的像素PX必須 正常，則制造成本增加，由于不現(xiàn)實，因而允許在人眼注意不到的 范圍存在異常像素。異常像素有時也會在工作過程中增多。成為異常像素的情況包括OLED元件11發(fā)生短路的情況和發(fā)生 斷線的情況。圖2 (a)是OLED元件11發(fā)生了短路的情況。在圖2 (a)中，在電源Vd和基準電位之間串聯(lián)連接有OLED驅動TFT12 和OLED元件ll。在此，所謂基準電位是作為有機EL顯示裝置的 基準的電位，是包括接地的廣義概念。OLED元件11是層疊了多個 (一般為5層)厚度為20nm左右的有機EL層而形成的，各層非常 薄，因此當存在異物等時容易發(fā)生短路。圖2 ( b)是OLED元件11發(fā)生了斷線的例子。即使OLED元 件11沒有達到斷線，由于長時間工作，也會產(chǎn)生在OLED元件11 中不流過電流的現(xiàn)象。圖3是OLED元件11的電壓-電流特性。由于OLED元件11 是二極管，所以當達到某個電壓時電流急劇增加。在圖3中示出了 OLED元件11發(fā)生短路時、發(fā)生斷線時以及正常時的例子。OLED 元件11的特性是利用電壓-電流特性進行檢測的，因此，能夠根據(jù) 如圖3那樣的電壓-電流特性預先設定正常像素的范圍。圖4是實施本發(fā)明的有機EL顯示裝置的例子。圖5是圖4的像 素PX的結構例。在顯示區(qū)域2中以矩陣狀配置有多個像素PX。在 各像素中包括陽極和陰極、具有夾在陽極和陰極之間的有機EL發(fā)光 層的OLED元件11、驅動該OLED元件11的薄膜晶體管(TFT )、 以及存儲電容等。在顯示區(qū)域2左側設置有按每行掃描畫面來形成圖像的顯示用掃描電路3。即，從信號驅動電路向所選擇的行提供圖 像數(shù)據(jù)。在畫面的右側設置有;f全測OLED元件11的特性的^r測用掃描電 路4。 OLED元件11的特性檢測是測定各OLED元件11的電壓-電 流特性，該測定也是按每行進行的。并且，用于測定的掃描與用于 形成圖像的掃描能夠獨立地進行。在各像素上連接有用于提供圖像信號的數(shù)據(jù)線5和用于測量 OLED元件11的特性即電壓-電流特性的檢測線6。圖5是像素一 部分的驅動電路。在圖5中，在電源Vd和基準電位之間串聯(lián)連接有 OLED馬區(qū)動TFT12、 B開關SWB、 OLED驅動TFT12。 B開關SWB 是對在OLED元件11中是否流過用于發(fā)光的電流進^f亍控制的開關， 通常由TFT開關構成。/人顯示用掃描電^各3向B開關SWB發(fā)送控 制信號。在圖5中，OLED驅動TFT12是為了確定圖像的灰度而對在 OLED元件11中流過的電流的量進行控制的TFT。當關閉圖5的A 開關SWA時，讀入來自信號驅動電路的圖像信號。通過關閉A開 關SWA，將圖像信號讀入到存儲電容13中。由存儲在該存儲電容 13中的電荷確定OLED驅動TFT12的棚-才及電壓，決定在OLED元件 11中流過的電流量。在此，當關閉B開關SWB時，在OLED元件 11中流過電流而發(fā)光，并形成圖像。當將圖像信號讀入到存儲電容 13中時，A開關SWA打開，在直至再次選擇該掃描線的1幀期間， 信號電壓被保持在存儲電容13中。在圖5中，在OLED元件11的陽極和檢測線6之間設置有C開 關SWC。 C開關SWC—般也由TFT形成。C開關SWC在用于形成 圖像的電流流過OLED元件11期間處于打開狀態(tài)。在OLED元件的 特性;險測時，打開B開關SWB,并且關閉C開關SWC,對OLED 元件11的電壓-電流特性進行檢測。OLED元件11的特性檢測由圖4的檢測部7來進行。'OLED元 件特性的檢測方法例如有如圖6或圖8那樣的方法。圖6是在檢測部7中設置了恒流源的情況。即，從存在于檢測部7的恒流源經(jīng)過 檢測線6向測定像素提供恒定電流。當OLED元件11劣化時，OLED 元件11的電阻變大，因此OLED元件11的端子間電壓上升。即OLED 元件ll的陽極電壓上升。利用差動放大器檢測該陽極電壓。通過模 擬-數(shù)字轉換器ADC將該陽極電壓轉換為數(shù)字數(shù)據(jù)，將該數(shù)據(jù)保存 在圖4所示的第一存儲器MR1中。在第一存儲器MR1中存儲1行 量的像素PX的檢測結果。圖8是在檢測部7中設置了恒壓源Vdd的情況。與恒流源的情 況相同，當OLED元件11劣化時電阻增加，因此OLED元件11的 陽極電壓上升。利用差動放大器檢測該陽極電壓。通過模擬-數(shù)字 轉換器ADC將該陽極電壓轉換為數(shù)字數(shù)據(jù)，將該數(shù)據(jù)保存在第 一存 儲器MR1中。在第一存儲器MR1中存儲l行量的像素PX的檢測結 果，其與使用恒流源的情況相同。在圖4中，按每行進行檢測，每行上的OLED元件11的數(shù)據(jù)全 部存儲在第一存儲器MR1中。在判斷部8中，參照存儲在第一存儲 器MR1中的OLED元件11的特性，判斷各OLED元件的劣化的狀 態(tài)。判斷的方法如后面所述，通過對特性檢測出的1行中的相鄰的 像素進行比較，來判斷像素間的特性劣化之差。當通過如上述那樣的動作在判斷部8中判斷需要的修正量時， 其結果被存儲在第二存儲器MR2中。向圖4的運算部9中輸入1行 量的數(shù)據(jù)。在運算部9中，參照第二存儲器MR2，對來自主機的數(shù) 據(jù)加入修正量，使得在顯示圖像上不會出現(xiàn)余像等影響。在運算部9 中進行了修正的1行量的圖像數(shù)據(jù)被保持在鎖存器10中，并匯集1 行量來進行傳輸。在從鎖存器IO輸出的時刻，圖像數(shù)據(jù)是數(shù)字數(shù)據(jù)。數(shù)字數(shù)據(jù)是 用數(shù)字表示亮度灰度的數(shù)據(jù)。將該數(shù)字數(shù)據(jù)轉換為實際施加在OLED 元件上的電壓的裝置是模擬-數(shù)字轉換器ADC。從ADC向各像素 提供的電壓通過數(shù)據(jù)線5傳送給各像素。以上動作通過定葉控制器 Tcon進行控制。從電源Vd向圖1的所有像素的OLED元件11提供陽才及電壓。圖6是進行OLED元件11的特性檢測的電路。該電路的動作如 上所述。圖7是由圖6的電路來測定OLED元件11的例子。在圖7 中，橫軸是在OLED元件11的陽極產(chǎn)生的陽極電壓。縱軸是在OLED 元件11中流過的電流。在圖6中，將恒流源提供給OLED元件11。 因此，在一全查時，縱軸為恒定值、例如IO。當OLED元件11產(chǎn)生異常時，作為OLED元件11的陽才及電壓 的異常而出現(xiàn)。因此，通過預先測定標準的OLED元件的電壓-電 流特性，能夠辨別正常像素和異常像素。在圖7中，當OLED元件 11的陽極電壓為VI以下時、以及OLED元件11的陽極電壓為V2 以上時，判斷為是異常像素。并且，被判斷為異常的像素從比較的 對象中^f皮排除。圖8是在OLED元件11的特性檢測中使用恒壓源的情況。該動 作如上所述。圖9是使用圖8的電路來檢測出OLED元件11的特性 時的例子。圖9的橫軸是施加在OLED元件11的陽極上的電壓，縱 軸是流過OLED元件11的電流。在圖8中，對OLED元件11的陽 極施加恒定電壓，例如施加圖9中的電壓V0。當OLED元件11接 近斷線時，電流變得非常小，例如在II以下。而當OLED元件11 接近短路時，電流變得非常大，例如在I2以上。因此，通過預先測定標準的OLED元件11的特性，能夠辨別正 常像素和異常像素。在本實施例中，當流過OLED元件11的電流為 II以下時和流過OLED元件11的電流為12以上時，作為異常像素 而從比較的對象中排除。此外，在圖9的情況下，與恒壓源對應地 示出了電流的范圍，但在這種情況下也能夠在實際的電路中換算成 電壓，因而能夠如圖8那樣利用差動放大器來檢測特性。圖IO是具體地表示本實施例的動作的有機EL顯示裝置的例子。 基本的動作如用圖4所說明的那樣。各個像素PX的結構與圖.5相同。 在圖10中，選擇由檢測用掃描線電路4進行檢測的特定的行。在進 行檢測時，圖10所示的數(shù)據(jù)線5從像素PX斷開。在各行中排列有n個像素PX。利用開關掃描，例如從左側開始依次測定n個4象素PX 的OLED元件特性。檢測電路使用用圖6或者圖8說明的電路來測 定OLED元件11的電壓-電流特性。當從左側的像素PX開始依次檢測出OLED元件11的特性時， 檢測結果隨時進行AD轉換后存儲在第一存儲器MR1中。第一存儲 器MR1是存儲1行量的OLED元件11的數(shù)據(jù)的行存儲器。當在第 一存儲器MR1中存儲有1行量的數(shù)據(jù)時，在故障判斷部81中，依 次讀出第一存儲器MR1的數(shù)據(jù)，進行故障像素判斷。在故障判斷部 81中，如用圖7或者圖9說明的那樣，電壓-電流特性在規(guī)定范圍 以外的像素作為故障像素從判斷的對象中排除。然后，僅將正常的 像素傳輸?shù)接嘞衽袛嗖?2。在余像判斷部82中，只對正常的像素進行相鄰的像素的OLED 元件特性的比較，判斷是否有余像。在第二存儲器MR2中存儲余像 的有無。第二存儲器MR2是存儲畫面整體的修正數(shù)據(jù)的幀存儲器。 即，在第二存儲器MR2中按每行更新余像的數(shù)據(jù)。在運算部9中，參照存儲在第二存儲器MR2中的余像數(shù)據(jù)，針 對從主機輸入的圖像數(shù)據(jù)，計算修正后的圖像數(shù)據(jù)。修正后的圖像 數(shù)據(jù)被傳輸?shù)芥i存器10中，匯集1行量后，通過模擬-數(shù)字轉換器 ADC將數(shù)字數(shù)據(jù)轉換為實際施加在OLED元件11的電壓。圖11是實際進行余像檢測的畫面的例子。在圖11中，各種各 樣的黑點表示故障像素。長方形的斜線部是產(chǎn)生了余像的區(qū)域。假 定余像是長方形圖案顯示了較長時間后產(chǎn)生的。OLED元件11的特 性檢測是按照用圖11的虛線所示的檢測行、即掃描線進行的。檢測 電路例如使用圖6所示的恒流源。圖12表示從左側開始按順序測定了檢測行上的像素時的OLED 元件ll的陽極電位。橫軸表示像素的水平方向的位置。由于對各像 素進行測定，所以數(shù)據(jù)是離散的，但由于像素很多，所以用線連接 這些數(shù)據(jù)來表示。在圖12中，當陽極電壓大于V2時、以及陽極電 位小于V1時，是缺陷像素。該信息被輸入到圖10的故障判斷部81中。在圖12中，從畫面左側開始檢測。在檢測行上未產(chǎn)生余像的左 側區(qū)域表示OLED元件11的特性恒定。在產(chǎn)生了余像的區(qū)域中， OLED元件11的特性劣化，導致OLED元件11的電阻增加，所以 陽極電壓上升。對該陽極電壓的上升量進行了 AD轉換后的數(shù)據(jù)作 為余像量，在圖IO運算部9中反映到從主機傳送的圖像數(shù)據(jù)上。當通過產(chǎn)生了余像的區(qū)域時，OLED元件11的陽極電壓再次回 到正常值。進而，當在檢測行上繼續(xù)檢測時，如圖ll所示，在4企測 行上存在缺陷像素A。該缺陷不是余像，而是OLED元件11接近短 路引起的故障。在圖12中示出此時的OLED元件11的陽極電壓變 化。在圖12中，A是缺陷像素的陽極電位。由于該電位比V1低， 所以在圖IO的故障判斷部81中被判斷為是缺陷像素，并從比較的 對象中排除。在圖12中，缺陷像素A的左側的像素C和右側的像素B是正 常的像素。當將像素A的數(shù)據(jù)與左側的像素C進行比較時，A的陽 極電壓低，所以理應在圖10的運算部9中將該差反饋到來自外部的 圖像信號。但是，由于像素A被判斷為缺陷像素，所以不將該數(shù)據(jù) 反映到相對于像素A的圖像信號。另外，若將缺陷像素A右側的像 素B的陽極電壓與缺陷像素A進行比較，則B的陽極電壓低。因此， 原應將該差反饋到來自外部的圖像信號上。即在外部信號上另外加 上修正電壓，從而對像素B施加更高的電壓。這樣，像素B的亮度 變得非常高，不能形成正確的圖像。在本實施例中，A作為缺陷像素從比較的對象中排除，所以不 會對像素B進行錯誤的修正。取而代之，像素B的數(shù)據(jù)與缺陷像素 A的左側的像素C的數(shù)據(jù)進行比較。由于像素C的陽極電壓和像素 B的陽極電壓相同，所以判斷為像素B沒有余像。、因此，在圖10的 運算部9中，不對來自主機的圖像信號加以修正，所以能夠顯示正 確的圖像。如以上說明的那樣，在余像判斷部82中，比較相鄰的像素來判斷有無余像，由于異常像素從比較的對象中排除，所以能夠避免錯 誤修正。即，由于僅比較正常像素，所以能夠僅判斷余像的有無或 者余像的量。并且，通過判斷正確的余像的量，能夠顯示正確的圖像。<實施例2>在實施例1中，與相鄰像素進行對比來判斷像素PX的余像。即 將測定像素OLED元件11的陽極電壓與相鄰的像素的OLED元件 11的陽極電壓進行了比較。這樣的評價方法有可能積累比較各像素 時的測定的誤差。作為防止積累誤差的方法，本實施例采用如下的方法。應用本 實施例的有機EL顯示裝置的結構與圖IO—樣。即，除去在圖10的 故障判斷部81中判斷為故障的像素的數(shù)據(jù)以外，將各像素的數(shù)據(jù)傳 輸?shù)接嘞衽袛嗖?2中。在本實施例中，在余像判斷部82中使用傳 輸來1行量的數(shù)據(jù)作成成為比較基準的基準數(shù)據(jù)。然后，通過對該 基準數(shù)據(jù)和各像素的數(shù)據(jù)進行比較，判斷各像素的余像量。由此， 通過比較相鄰的像素，能夠避免誤差累積這樣的問題。作為基準數(shù)據(jù)作成的方法，例如有如下的方法。從故障判斷部 81傳送來的除去故障像素的數(shù)據(jù)之外的數(shù)據(jù)。即，能夠判斷為傳送 來的數(shù)據(jù)主要是含有余像量的數(shù)據(jù)。也能夠對該數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計處理， 例如將從平均值m減去標準偏差cj的值設定為m- o,將與該值的差 作為余像量。由此，能夠進行更穩(wěn)定的修正。<實施例3>圖13是基于本發(fā)明第三實施例的有機EL顯示裝置的例子。與 實施例1 一樣，在本實施例中也如圖11所示那樣從左側開始依次檢 測掃描線的檢測行上的像素PX。但是，在本實施例中，像素PX的 余像判斷不是與相鄰的像素進行比較，而是與基準像素的數(shù)據(jù)進行 比較。在這種情況下，只要基準像素發(fā)生異常，就有修正數(shù)據(jù)全部不 能使用這樣的危險。為了防止該危險，對基準像素也定期地進行是 否維持正常值的校驗。例如，對基準數(shù)據(jù)也如圖7所示那樣，能預 先確定正常范圍和異常范圍，當基準像素在正常范圍之外時，需要 進行從基準像素中排除這樣的動作。例如，預先設置多個基準像素， 只要執(zhí)行若在特定的基準像素產(chǎn)生了缺陷就更換成其他的基準像素 這樣的程序即可。在圖13中，假定檢測部7使用圖6的檢測電路。在這種情況下， 檢測是對OLED元件11的陽極電壓進行測定。在檢測部7中，當檢 測像素PX的OLED元件11的特性時，每次進行故障判斷。故障判 斷是對該像素是否是缺陷像素進行判斷。故障判斷如圖7所示，預 先確定判斷為故障像素的陽極電壓的范圍。與實施例1不同之處在 于不是向行存儲器存儲了像素PX的特性判斷結果之后進行像素 PX的缺陷判斷，而是在每當進行了像素PX的特性判斷就進行缺陷 判斷。在故障判斷部81中，僅將判斷為是正常像素的像素的數(shù)據(jù)傳輸 到余像判斷部82。在余像判斷部82中，將傳輸來的圖像的數(shù)據(jù)與基 準像素的數(shù)據(jù)進行比較，來判斷余像的量。即，評價基準像素的陽 極電壓和測定像素的陽極電壓之差，將其傳輸?shù)阶鳛閹鎯ζ鞯牡?二存儲器MR2中。在第二存儲器MR2中存儲有畫面整體的OLED元件11的特性。 并且，利用傳送來的新數(shù)據(jù)更新該像素的數(shù)據(jù)。缺陷像素的數(shù)據(jù)不 會被更新。當從主機向圖13中的運算部9傳送圖像數(shù)據(jù)時，每次從 第二存儲器MR2中讀出對應的像素的數(shù)據(jù)，計算對圖像數(shù)據(jù)的修正 量，將修正后的圖像數(shù)據(jù)傳送到鎖存器10中。之后與實施例1的圖 IO相同。在本實施例中能夠獲得與實施例1同樣的效果，與實施例1相 比，能夠從有機EL顯示裝置省略第一存儲器MR1即行存儲器，能 夠降低其制造成本。<實施例4>圖14是表示本發(fā)明第四實施例的有機EL顯示裝置的例子。圖 15是圖14的像素PX的結構。在實施例1中，對各像素連接有用于 OLED元件11的特性檢測的檢測線6和用于提供圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)線 5。在本實施例中，如圖14所示那樣，檢測線被省略，數(shù)據(jù)線5兼 用作檢測線。取而代之，數(shù)據(jù)線5在顯示畫面外與切換圖像數(shù)據(jù)供 給電路和檢測電路的開關SWAK相連接。圖15是圖14像素PX的電路圖。在圖15中，A開關SWA、 C 開關SWC都連接在數(shù)據(jù)線5上。在向像素提供圖像數(shù)據(jù)時，在圖 14中，AK開關SWAK與圖像數(shù)據(jù)供給電路側相連接。而在圖15 的傳、素中，開關c打開，開關A關閉。由此，與圖傳4丈據(jù)對應的電 荷#皮存儲在存儲電容13中。然后，當關閉B開關SWB時，在OLED 元件11流過與圖像信號對應的電流來進行灰度顯示。在測定像素PX的OLED元件特性時，將圖14的AK開關SWAK 連接在4企測電路側。而在圖15的像素中，A開關SWA打開，C開 關SWC關閉。這樣，例如，能夠從圖6所示的檢測電路的恒流源向 OLED元件11 -提供電流，測定OLED元件11的陽極電壓。如上所述，即使在沒有檢測線的情況下，通過將數(shù)據(jù)線5兼用 于OLED元件特性的檢測，也能夠進行余像修正。并且，在實施例 4中，能夠使有機EL顯示裝置的結構簡化無檢測線的量。在以上說明中，作為有機EL顯示裝置的像素驅動電路，對最基 本的驅動電路進行了說明。這是為了簡化說明來便于理解，不言而 喻，本發(fā)明能適用的像素驅動電路不限于圖5或者圖15的驅動電路。 另外，圖5或者圖15的驅動電路一般用于在寫入圖像數(shù)據(jù)后關閉B 開關SWB而在1幀期間使OLED元件11發(fā)光的情況。但是，本發(fā) 明不限于適用于如在圖像數(shù)據(jù)寫入后立即使OLED元件11發(fā)光這樣 的類型。即，也能夠適用于以下這樣的驅動方法將1幀分為圖像 寫入期間和OLED元件11發(fā)光期間，在圖像寫入期間，對所有像素 寫入圖像數(shù)據(jù)后，使所有像素的OLED元件11發(fā)光。
權利要求
1.一種顯示裝置，以矩陣狀形成具有OLED元件的多個像素而構成畫面，以特定的時間間隔測定上述OLED元件的特性，使OLED元件的特性變化反映在圖像信號中，其特征在于特定像素的OLED元件的特性變化是通過對上述特定像素的OLED元件的特性和位于與上述特定像素相同的掃描線上的其他像素的OLED元件的特性進行比較而獲得的。
2. 根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 上述其他像素是上述特定像素的相鄰像素。
3. 根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 上述其他像素包括多個像素，通過對統(tǒng)計處理上述多個像素的OLED元件的特性而獲得的特性和上述特定像素的OLED元件的特 性進行比較，來獲得特定像素的OLED元件的特性變化。
4. 根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于 上述顯示裝置具有記錄上述掃描線上的像素的OLED元件的特性的行存儲器。
5. —種顯示裝置，以矩陣狀形成具有OLED元件的多個像素而 構成畫面，以特定的時間間隔測定上述OLED元件的特性，使OLED 元件的特性變化反映在圖像信號中，其特征在于特定像素的OLED元件的特性變化是通過對上述特定像素的 OLED元件的特性和圖Y象顯示區(qū)域的其他像素的OLED元件的特性 進行比較而獲得的，上述其他像素的OLED元件的特性在預先設定 的OLED元件特性的范圍內(nèi)。
6. 根據(jù)權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于 上述其他像素位于與上述特定像素相同的掃描線上。
7. 根據(jù)權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于上述其他像素的OLED元件的特性是OLED元件的端子間電壓，上述其他像素的OLED元件的特性是流過特定電流時的OLED元件的 端子間電壓在預先設定的范圍內(nèi)。
8. 根據(jù)權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于上述其他像素是位于與上述特定像素相同的掃描線上的、與上 述特定像素相鄰的像素。
9. 根據(jù)權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于 當上述其他像素的OLED元件的特性不在上述預先設定的OLED元件特性的范圍內(nèi)時，與上述其他像素的相鄰像素的OLED 元件的特性進行比較。
10. 根據(jù)權利要求5所述的顯示裝置，其特征在于 上述顯示裝置具有存儲上述掃描線上的像素的OLED元件的特性的行存儲器。
11. 一種顯示裝置，以矩陣狀形成具有OLED元件的多個像素 而構成畫面，以特定的時間間隔測定上述OLED元件的特性，偵: OLED元件的特性變化反映在圖像信號中，其特征在于特定像素的OLED元件的特性變化是通過對上述特定像素的 OLED元件的特性和預先確定的基準像素的OLED元件的特性進行 比較而得到的，上述基準像素的OLED元件的特性在預先確定的范 圍內(nèi)，定期地檢查上述基準像素的OLED元件特性是否在預先確定 的范圍內(nèi)。
12. 根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其特征在于 上述基準像素存在多個，當特定的基準像素的OLED元件特性不在上述預先確定的OLED元件特性的范圍內(nèi)時，與上述多個基準 像素中的其他基準像素的OLED元件特性進行比較。
13. 根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其特征在于上述基準像素的OLED元件的特性是OLED元件的端子間電壓，上 述基準像素的OLED元件的特性是流過特定電流時的OLED元件的 端子間電壓在預先設定的范圍內(nèi)。
14.根據(jù)權利要求11所述的顯示裝置，其特征在于 每當對上述特定像素的OLED元件的特性進行測定時，就與基準像素的OLED元件的特性進行比較來檢測特定像素的OLED元件的特性變化。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機EL顯示裝置，在該有機EL顯示裝置中能夠正確地測定畫面的余像現(xiàn)象，并對圖像數(shù)據(jù)進行修正，從而形成正確的圖像。測定特定像素(PX)的電壓-電流特性，將1行量的數(shù)據(jù)存儲在行存儲器(MR1)中。特性數(shù)據(jù)的比較是用相鄰的像素彼此進行比較。由故障判斷部(81)中檢測進行比較的像素是否為缺陷像素，若是缺陷像素，就從比較的對象中排除。在余像判斷部(82)中，僅比較正常像素，獲得正確的余像數(shù)據(jù)。在運算部(9)中，將該余像數(shù)據(jù)反映到來自主機的圖像數(shù)據(jù)中。
文檔編號G09G3/20GK101261803SQ200710159738
公開日2008年9月10日 申請日期2007年12月21日 優(yōu)先權日2007年3月7日
發(fā)明者宮本光秀, 河野亨, 石井雅人, 秋元肇, 笠井成彥 申請人:株式會社日立顯示器