專利名稱：發(fā)光元件顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置以及該裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置包括根據(jù)電流值進行光學操作的光學元件，特別是根據(jù)各像素的電流值發(fā)出具有一定亮度光的發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
通常，顯示裝置包括無源驅(qū)動系統(tǒng)的裝置如簡單矩陣和其中為各像素設(shè)置了開關(guān)晶體管的有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的裝置。如圖16所示，在有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的液晶顯示器中，為各像素設(shè)置了液晶元件501和晶體管502，液晶元件501還用作電容器并包括液晶，晶體管502用作開關(guān)元件。在有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)中，當在選擇周期內(nèi)由掃描驅(qū)動器將脈沖信號輸入到掃描線503以選擇掃描線503時，以及當將用于控制液晶透射率的電壓由數(shù)據(jù)驅(qū)動器施加給信號線504時，電壓經(jīng)過晶體管502施加給液晶元件501。在液晶元件中，液晶分子在根據(jù)所施加電壓的方向上取向，以適當?shù)刂脫Q經(jīng)由液晶元件傳輸?shù)墓獾耐干渎?。即使當晶體管502在選擇周期后的非選擇周期內(nèi)處于截止狀態(tài)時，液晶元件510用作電容器。這樣，就根據(jù)電壓值將電荷保持在可容許的范圍內(nèi)直至下一個選擇周期，并由此在此周期保持了這些液晶分子的這一取向。如上所述，液晶顯示器是電壓控制系統(tǒng)類型的顯示裝置，其中，電壓被重新寫入以便在選擇周期期間獲得液晶元件501的光透射率，根據(jù)電壓值進行任意灰度級表示。
另一方面，其中有機EL元件用作自發(fā)光元件的顯示裝置與液晶顯示器的不同是不需要背景光源，這最適于小型化。此外，與液晶顯示器不同，這里沒有視場角的任何限制，因此，用于下一代顯示裝置的實際應(yīng)用具有更廣泛的前景。與液晶元件不同，有機EL元件通過在內(nèi)部流動的電流發(fā)光。因此，發(fā)光亮度不直接取決于電壓，還取決于電流密度。
從高亮度、對比度和精細度的觀點出發(fā)，與液晶顯示器中的方式相同，在有機EL顯示器中也具有尤其是對有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的需要。對于有機EL顯示器，在無源驅(qū)動系統(tǒng)中，在選擇周期中流動的電流必須增加。另一方面，在有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)中，為各像素設(shè)置用于保持施加于有機EL元件的相對端的電壓的元件，以便使各有機EL元件以預定亮度保持連續(xù)發(fā)光，因此即使在非選擇周期內(nèi)也發(fā)光。這樣，每單位時間流動電流的電流值可以變小。然而，有機EL元件作為電容器僅具有相當小的容量。因此，當將有機EL元件取代液晶元件501簡單設(shè)置在如圖16中所示的像素電路中時，難以使有機EL元件在非選擇周期保持發(fā)光。
為了解決此問題，例如，如圖17所示，在有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的有機EL顯示器中，為各像素設(shè)置以正比于在內(nèi)部流動的電流值的亮度發(fā)光的有機EL元件601、用作開關(guān)元件的晶體管602、和用于根據(jù)由晶體管602施加的柵電壓使驅(qū)動電流經(jīng)過有機EL元件601的晶體管605。在此顯示器中，當在選擇周期中由掃描驅(qū)動器將脈沖信號輸入到掃描線603以選擇連接到掃描線603的晶體管605時，由數(shù)據(jù)驅(qū)動器將用于使具有預定電流值的驅(qū)動電流經(jīng)過晶體管605的信號電壓施加給信號線604。然后，此電壓施加給晶體管605的柵極，在晶體管605的柵極中寫入亮度數(shù)據(jù)。據(jù)此，使晶體管605處于導通狀態(tài)，具有根據(jù)施加給柵極的電壓值的灰度級(gradation)的驅(qū)動電流從電源經(jīng)過晶體管605流過有機EL元件601，有機EL元件601以根據(jù)驅(qū)動電流的電流值的亮度發(fā)光。在選擇周期后的非選擇周期中，即使當晶體管602處于截止狀態(tài)時，也能通過在晶體管605的柵極和源極之間的寄生電容、根據(jù)在晶體管605的柵極和源極之間的電壓持續(xù)保持電荷，因而驅(qū)動電流連續(xù)流過有機EL元件601。如上所述，通過在選擇周期中輸出的晶體管605的柵極電壓的電壓值來主要控制驅(qū)動電流以從有機EL元件601以預定的灰度級亮度發(fā)光。
一般對于晶體管而言，溝道電阻取決于環(huán)境溫度，長時間使用改變了溝道電阻。因此，隨著時間的推移柵極閾值電壓改變，在同一顯示區(qū)域中各晶體管的柵極閾值電壓變化。因此，當施加于晶體管605柵極的電壓的電壓值受到控制時，流過有機EL元件601的電流值也受到控制。換句話說，當施加于晶體管605柵極的電壓電平受到控制時，難以精確地控制有機EL元件601的亮度。
為了解決此問題，已經(jīng)開始研究通過施加于晶體管的電流的電流值而不是電壓電平來控制亮度的技術(shù)。也就是說，代替其中在信號線中指定柵極電壓電平的電壓指定系統(tǒng)，將其中為信號線直接指定流過有機EL元件的電流的電流值的電流指定系統(tǒng)提供給有機EL顯示器的有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)。
然而，在電流指定系統(tǒng)的有機EL顯示器中，當指定電流經(jīng)過時，在選擇周期中指定電流的電流值是恒定的。然而，當指定電流的電流值小時，由該指定電流使電壓進入穩(wěn)定狀態(tài)需要大量的時間。因此，有機EL元件沒有以所需要的亮度發(fā)光，這造成了有機EL顯示器的顯示質(zhì)量的下降。
另一方面，當選擇周期加長時，選擇時間變得長于用于使電壓進入穩(wěn)定狀態(tài)的時間。然而，當選擇時間加長時，顯示屏閃爍。以此方式，導致了有機EL顯示器的顯示質(zhì)量下降。
因此，本發(fā)明的優(yōu)點在于進行高質(zhì)量顯示。

發(fā)明內(nèi)容
為了獲得上述優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的一個方案，例如，如圖1、10、12、13、15所示，提供一種顯示裝置，包括多個像素(例如，像素Pi，j)，這些像素設(shè)置在沿多個行設(shè)置的多條掃描線(例如，選擇掃描線X1至Xm、電源掃描線Z1至Zm)和沿多個列設(shè)置的多條信號線(例如，信號線Y1至Yn)的交叉部分，并且這些像素包括光學元件(例如，有機EL元件Ei，j)，所述光學元件通過根據(jù)來自信號線的灰度級電流而流動的驅(qū)動電流進行光學操作；和復位裝置(例如，電流/電壓開關(guān)部分7、107)，用于根據(jù)由灰度級電流在信號線中充入的電荷將信號線的電位設(shè)定為復位電壓(例如，復位電壓VR)。
在本發(fā)明中，當選擇預定行的像素時，灰度級電流流過各信號線。然而，即使當在通過流過前一行像素的信號線的灰度級電流而設(shè)定為穩(wěn)定的電位和通過流過下一行像素的信號線的灰度級電流而設(shè)定為穩(wěn)定的信號線電位之間的差值大時，下一像素的灰度級電流的電流值也小，復位電壓在下一行之前迅速施加給信號線。因此，可根據(jù)下一行的灰度級電流迅速地以電壓將信號線設(shè)定成穩(wěn)定的。
此外，根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種顯示裝置，包括信號線(例如，信號線Y1至Yn)，電流提供給該信號線以便獲得任意電流值；光學元件(例如，有機EL元件Ei，j)，該光學元件根據(jù)流經(jīng)信號線的電流的電流值進行光學操作；和穩(wěn)定電壓提供裝置(例如，電流/電壓開關(guān)部分7、107)，用于向信號線提供穩(wěn)定的電壓，該穩(wěn)定電壓將流過信號線的電流的電流值設(shè)定成穩(wěn)定的。
在本發(fā)明中，當微電流以此微電流的電流值流過信號線時，在預定周期內(nèi)不充分地移動在預先連接到信號線的電容中聚集的電荷，因此難以將微電流的電流值設(shè)定成穩(wěn)定的。即使在此情況下，由于穩(wěn)定電壓提供裝置向信號線提供穩(wěn)定的電壓，因此能夠迫使連接到信號線的電容的電荷量改變，這樣可以迅速地將流過信號線的微電流設(shè)定成穩(wěn)定的。
根據(jù)本發(fā)明的再一方案，提供一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置包括多個像素(例如，像素Pi，j)，這些像素設(shè)置在沿多個行設(shè)置的多條掃描線(例如，選擇掃描線X1至Xm、電源掃描線Z1至Zm)和沿多個列設(shè)置的多條信號線(例如，信號線Y1至Yn)的交叉部分，并且這些像素包括光學元件(例如，有機EL元件Ei，j)，所述光學元件通過根據(jù)來自信號線的灰度級電流而流動的驅(qū)動電流進行光學操作，該方法包括使灰度級電流流過信號線的灰度級電流步驟；和將根據(jù)由灰度級電流設(shè)定的信號線中充入電荷的電位替換為復位電壓的電壓復位步驟。
在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的驅(qū)動方法中，由于把根據(jù)在灰度級電流步驟中由灰度級電流設(shè)定的信號線中充入的電荷的電位在電壓復位步驟中替換為復位電壓，因此流過信號線的電流能夠以任意電流值迅速設(shè)定為穩(wěn)定的。


圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置的具體模式的電路圖；圖2是表示圖1的像素的平面示意圖；圖3是沿圖2的線III-III的截面圖；圖4是沿圖2的線IV-IV的截面圖；圖5是沿圖2的線V-V的截面圖；圖6是表示以矩陣形式設(shè)置的多個像素的電路圖；圖7是表示N溝道型場效應(yīng)晶體管的電流/電壓特性的示圖；圖8是圖1的顯示裝置中的信號的時序圖；圖9A是表示在對比例的顯示裝置中流過信號線的電流的電壓的示圖，其中從本發(fā)明的顯示裝置中除掉了電流/電壓開關(guān)部分，圖9B是表示在本發(fā)明的顯示裝置中流過信號線的電流的電壓的示圖；
圖10是表示應(yīng)用了本發(fā)明的另一顯示裝置的具體模式的電路圖；圖11是表示在圖10的顯示裝置中的信號電平的時序圖；圖12是表示應(yīng)用了本發(fā)明的另一顯示裝置的具體模式的電路圖；圖13是表示應(yīng)用了本發(fā)明的再一顯示裝置的具體模式的電路圖；圖14是表示在圖13的顯示裝置中的信號電平的時序圖；圖15是表示應(yīng)用了本發(fā)明的又一顯示裝置的具體模式的電路圖；圖16是表示液晶顯示器的像素的等效電路的示圖；以及圖17是表示電壓指定型顯示裝置的像素的等效電路的示圖。
具體實施例方式下面參考附圖描述本發(fā)明的具體實施方式
。另外，本發(fā)明的保護范圍不限于所示出的實施例。
圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置的示圖。如圖1所示，顯示裝置1基本上構(gòu)成為包括有機EL顯示面板2和數(shù)據(jù)驅(qū)動器3，面板2通過有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)進行顏色顯示，驅(qū)動器3使灰度級指定電流(灰度級電流)汲入流過有機EL顯示面板2。這里，汲入(sink)電流是從以下描述的各像素P1，1至Pm，n以各信號線Y1至Yn的方向流動的電流。
有機EL顯示面板2包括透明基板8；作為顯示區(qū)的顯示部分4，在顯示區(qū)中主要顯示圖像；圍繞顯示部分4、即在非顯示區(qū)中設(shè)置的選擇掃描驅(qū)動器5；電源掃描驅(qū)動器6；和電流/電壓開關(guān)部分7，由此形成基本結(jié)構(gòu)。在透明基板8上形成電路4至7。
在顯示部分4中，以矩陣形式在透明基板8上設(shè)置(m×n)個像素P1，1至Pm，n(m、n是任意自然數(shù))。在列方向上，也就是縱向上，設(shè)置m個像素Pi，j至Pm，j(j是任意自然數(shù)，1≤j≤n)。此外，在行方向上，也就是橫向上，設(shè)置n個像素Pi，1至Pi，n(i是任意自然數(shù)，1≤i≤m)。也就是說，作為在縱向上從上數(shù)第i個(即，第i行)、在橫向上從左數(shù)第j個(即，第j列)的像素是像素Pi，j。
在顯示部分4中，在行方向上延伸的m條選擇掃描線X1至Xm并置在透明基板8的列方向上。在行方向上延伸的m條電源掃描線Z1至Zm與選擇掃描線X1至Xm相對設(shè)置且并置在透明基板8的列方向上。各電源掃描線Zk(1≤k≤m-1)設(shè)置在選擇掃描線Xk和Xk+1之間，選擇掃描線Xm設(shè)置在電源掃描線Zm-1和Zm之間。在列方向上延伸的n條信號線Y1至Yn并置在透明基板8的行方向上，這些選擇掃描線X1至Xm、電源掃描線Z1至Zm和信號線Y1至Yn通過在它們之間設(shè)置的絕緣膜相互絕緣。選擇掃描線Xi和電源掃描線Zi連接到以行方向設(shè)置的n個像素Pi，1至Pi，n，信號線Yj連接到以列方向設(shè)置的m個像素Pi，1至Pm,j，在圍繞選擇掃描線Xi、電源掃描線Zi和信號線Yj的位置上設(shè)置像素Pi，j。
接下來，參考圖2、3、4、5和6描述各像素Pi，j。圖2是表示像素Pi，j的平面圖。為了便于理解，圖中省略了氧化絕緣膜41、溝道防護絕緣膜45和公共電極53。圖3是沿圖2的線III-III的截面圖，圖4是沿圖2的線IV-IV的截面圖，圖5是沿圖2的線V-V的截面圖。圖6是四個相鄰像素Pi，j、Pi+1，j、Pi，j+1、Pi+1，j+1的等效電路圖。
像素Pi，j由有機EL元件Ei，j和像素電路Di，j構(gòu)成，有機EL元件Ei，j以根據(jù)驅(qū)動電流的電流值的亮度發(fā)光，像素電路Di，j圍繞有機EL元件Ei，j設(shè)置并驅(qū)動有機EL元件Ei，j。像素電路Di，根據(jù)從數(shù)據(jù)驅(qū)動器3、選擇掃描驅(qū)動器5和電源掃描驅(qū)動器6中輸出的信號、在給定發(fā)光周期內(nèi)保持流過有機EL元件Ei，j的電流的電流值，從而使有機EL元件Ei，j的發(fā)光亮度對于預定周期保持恒定。
有機EL元件Ei，j包括層疊結(jié)構(gòu)，其中，用作透明基板8上的陽極的像素電極51、有機EL層52、和用作陰極的公共電極53按順序?qū)盈B。有機EL層包括傳輸由電場注入的空穴和電子的功能，并且包括其中將傳輸?shù)目昭ê碗娮舆M行再結(jié)合的再結(jié)合區(qū)、和其中俘獲通過再結(jié)合產(chǎn)生的激發(fā)子以發(fā)光從而用作廣義上的發(fā)光層的發(fā)光區(qū)。
將像素電極51進行構(gòu)圖(pattern)以便將各像素Pi，j劃分在由信號線Y1至Yn中彼此相鄰設(shè)置的兩個信號線和由選擇掃描線X1至Xm中彼此相鄰設(shè)置的兩條線圍繞的區(qū)域內(nèi)。用包括氮化硅或氧化硅的層間絕緣膜54覆蓋電極的外圍邊緣，所述層間絕緣膜54覆蓋了各像素電路Di，j的三個晶體管21、22、23，通過層間絕緣膜54的接觸孔55露出電極的中上表面。對于層間絕緣膜54，可將由例如聚酰亞胺制成的絕緣膜形成的第二層進一步設(shè)置在氮化硅或氧化硅的第一層上。
像素電極51不僅具有導電性，而且具有對可見光的傳輸性能。像素電極51具有比較高的逸出功，優(yōu)選有效地將空穴注入到有機EL層52中。例如，像素電極51由包括如摻雜錫的氧化銦(ITO)、摻雜鋅的氧化銦、氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)和氧化鋅(ZnO)這些主要成分的膜形成。
在各像素電極51上的該膜中形成有機EL層52。有機EL層52也對各像素Pi，j進行構(gòu)圖。有機EL層52包含發(fā)光材料(熒光材料)，發(fā)光材料是有機化合物，但也可以是以聚合物為基礎(chǔ)的材料或低分子材料。例如，如圖3所示，有機EL層52還可以包括雙層結(jié)構(gòu)，其中，從像素電極51側(cè)按順序設(shè)置狹義上的空穴傳輸層52A和發(fā)光層52B。發(fā)光層包括其中電子和空穴進行再結(jié)合的再結(jié)合區(qū)和其中俘獲通過再結(jié)合產(chǎn)生的激發(fā)子以發(fā)光的發(fā)光區(qū)。該層還可以包括從像素電極51側(cè)按順序包括空穴傳輸層、狹義上的發(fā)光層和電子傳輸層的三層結(jié)構(gòu)；包括狹義上的發(fā)光層的單層結(jié)構(gòu)；其中電子或空穴注入層設(shè)置在此層結(jié)構(gòu)中的適當層之間的疊層結(jié)構(gòu)；或其它層結(jié)構(gòu)。
在有機EL顯示面板2中，全色顯示或多顏色顯示是可行的。在這種情況下，各像素Pi，1至Pi，n的有機EL層52是廣義上的發(fā)光層，例如它們具有發(fā)出紅、綠、藍任意光的功能。也就是說，當各像素Pi，1至Pi，n選擇性地發(fā)出紅、綠、藍光時，可以顯示由適當合成這些顏色而獲得的色調(diào)。
有機EL層52優(yōu)選由電中性有機化合物形成，因此由有機EL層52注入并傳輸空穴和電子。可在狹義的發(fā)光層中適當?shù)鼗旌暇哂须娮觽鬏斝阅艿牟牧?，可在狹義的發(fā)光層中適當?shù)鼗旌暇哂锌昭▊鬏斝阅艿牟牧希蛘呖稍讵M義的發(fā)光層中適當?shù)鼗旌暇哂须娮雍涂昭▊鬏斝阅艿牟牧?。作為電子傳輸層或空穴傳輸層的電荷傳輸層可用作再結(jié)合區(qū)，也可以在電荷傳輸層中混合熒光材料以便發(fā)光。
在有機EL層52上形成的公共電極53是連接到所有像素P1，1至Pm，n的一個電極。作為替代，公共電極53還可以是連接到各列的多個條形電極，所述多個條形電極由連接到列方向的一組像素P1，h-1至Pm，h-1(h是任意自然數(shù)，2≤h≤n)的條形公共電極或者連接到一組像素P1，h至Pm，h的條形公共電極構(gòu)成。此外，公共電極還可以是連接到各列的多個條形電極，所述多個條形電極由連接到行方向的一組像素Pg-1，1至Pg-1，n(g是任意自然數(shù)，2≤g≤n)的條形公共電極或者連接到一組像素Pg，1至Pg，n的條形公共電極構(gòu)成。
在任何情況下，公共電極53與選擇掃描線Xi、信號線Yj和電源掃描線Zi電絕緣。公共電極53由具有低逸出功的材料形成，例如包括銦、鎂、鈣、鋰、鋇和稀土金屬至少一種和合金的一單元。公共電極53還可以包括其中不同材料的多個層層疊的疊層結(jié)構(gòu)。具體而言，公共電極可包括高純度鋇層和鋁層的疊層結(jié)構(gòu)，所述高純度鋇層具有低逸出功、設(shè)置在與有機EL層52接觸的界面?zhèn)龋鲣X層涂覆所述鋇層；或者公共電極可以包括其中鋰層設(shè)置在下層、鋁層設(shè)置在上層的疊層結(jié)構(gòu)。當假設(shè)像素電極51是透明電極時，在透明基板8側(cè)上經(jīng)過像素電極51發(fā)射由有機EL顯示面板2的有機EL層52發(fā)出的光，公共電極53優(yōu)選具有對從有機EL層52發(fā)出的光的遮蔽性能，進一步優(yōu)選具有對從有機EL層52發(fā)出的光的高反射性。
如上所述，在具有疊層結(jié)構(gòu)的有機EL元件Ei，j中，當在像素電極51和公共電極53之間施加正向偏壓時，從像素電極51在有機EL層52中注入空穴，從公共電極53在有機EL層52中注入電子。此外，由有機EL層52傳輸空穴和電子，空穴和電子在有機EL層52中再結(jié)合以產(chǎn)生激發(fā)子，激發(fā)子激活有機EL層52，有機EL層52發(fā)光。
這里，有機EL元件Ei，j的發(fā)光亮度(單位cd/m2)取決于流過有機EL元件Ei，j的電流的電流值。在有機EL元件Ei，j的發(fā)光周期有機EL元件Ei，j的發(fā)光亮度保持恒定，或者根據(jù)從數(shù)據(jù)驅(qū)動器3輸出的灰度級信號的電流值設(shè)定發(fā)光亮度。為此，在各像素Pi，j的有機EL元件Ei，j周圍設(shè)置控制有機EL元件Ei，j的電流值的像素電路Di，j。
各像素電路Di，j包括由N溝道MOS結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)型薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成的第一至第三晶體管21、22、23和電容器24。
各第一晶體管21是由柵極21g、柵絕緣膜42、半導體層43、源極21s和漏極21d構(gòu)成的MOS型場效應(yīng)晶體管。各第二晶體管22是由柵極22g、柵絕緣膜42、半導體層43、源極22s和漏極22d構(gòu)成的MOS型場效應(yīng)晶體管。各第三晶體管23是由柵極23g、柵絕緣膜42、半導體層43、源極23s和漏極23d構(gòu)成的。
具體而言，如圖3所示，第一晶體管21是反向交錯型晶體管，包括由在透明基板8上設(shè)置的鋁形成的柵極21g；通過所設(shè)置鋁的陽極-氧化構(gòu)成的氧化絕緣膜41以便涂覆柵極21g；由氮化硅或氧化硅形成的柵絕緣膜42，利用膜42涂覆氧化絕緣膜41；在柵絕緣膜42上形成的島形半導體層43；由在半導體層43上形成的氮化硅形成的溝道防護絕緣膜45；在半導體層43和n+硅膜的相對端設(shè)置的雜質(zhì)半導體層44、44；以及在雜質(zhì)半導體層44、44上形成的、選自鉻、鉻合金、鋁、鋁合金的源極21s和漏極21d。
除了根據(jù)晶體管21、22、23的功能適當設(shè)置晶體管21、22、23的形狀、尺寸、大小、半導體層43的溝道寬度、半導體層43的溝道長度等之外，第二和第三晶體管22和23也具有與第一晶體管21相同的構(gòu)成。
此外，可采取同一工藝同時形成晶體管21、22、23。在此情況下，晶體管21、22、23的柵極、氧化絕緣膜41、柵絕緣膜42、半導體層43、雜質(zhì)半導體層44、44、源極和漏極具有相同的組份。
即使當晶體管21、22、23的半導體層43是非晶硅時，充分驅(qū)動也是可能的，但半導體層還可以是多晶硅或單晶硅。晶體管21、22、23的結(jié)構(gòu)不限于反向交錯型，還可以是交錯(stagger)或共面型。
各電容器24連接到電極24A、電極24B和電介質(zhì)，電極24A連接到各第三晶體管23的柵極23g，電極24B連接到晶體管23的源極23s，電介質(zhì)包括一部分柵極絕緣膜42并設(shè)置在電極24A和24B之間，各電容器24在晶體管23的源極23s和漏極23d之間聚集電荷。
如圖6所示，在第i行的像素電路Di，1至Di，n的各第二晶體管22中，柵極22g連接到第i行的選擇掃描線Xi，漏極22d連接到第i行的電源掃描線Zi。第i行的像素電路Di，1至Di，n的各第三晶體管23的漏極23d連接到第i行的電源掃描線Zi。第i行的像素電路Di，1至Di，n的各第一晶體管21的柵極21g連接到第i行的選擇掃描線Xi。第j列的像素電路D1，j至Dm，j的各第一晶體管21的源極21s連接到第j列的信號線Yj。
在像素P1，1至Pm，n中，如圖4所示，第二晶體管22的源極22s經(jīng)由在柵極絕緣膜42中形成的接觸孔25連接到第三晶體管23的柵極23g，并連接到電容器24的一個電極24A。晶體管23的源極23s連接到電容器24的另一電極24B，還連接到晶體管21的漏極21d。第三晶體管23的源極23s、電容器24的另一電極24B和第一晶體管21的漏極21d的任意一個連接到有機EL元件Ei，j的像素電極51。有機EL元件Ei，j的公共電極53的電壓是參考電壓Vss。在本實施例中，所有有機EL元件E1，1至Em，n的公共電極53是接地的，參考電壓Vss設(shè)置為0[V]。
在選擇掃描線Xi和信號線Yj之間，在電源掃描線Zi和信號線Yj之間，除了柵極絕緣膜42之外，通過對與各晶體管21至23的半導體層43相同的膜進行構(gòu)圖，形成并設(shè)置防護膜43A。
如圖1、6所示，選擇掃描線X1至Xm連接到選擇掃描驅(qū)動器5，電源掃描線Z1至Zm連接到電源掃描驅(qū)動器6。
選擇掃描驅(qū)動器5由所謂的移位寄存器形成。結(jié)果，在預定時間(具體而言，以下描述的復位周期TRESET)之后，選擇掃描驅(qū)動器5根據(jù)來自外部的時鐘信號從選擇掃描線X1按順序(掃描線X1依次至掃描線Xm)把掃描信號依次輸出到選擇掃描線Xm，對掃描線X1至Xm的晶體管21、22進行選擇。
具體而言，如圖8所示，對于選擇掃描線X1至Xm，選擇掃描驅(qū)動器5在各選擇周期TSE連續(xù)輸出高電平的導通電壓Von(充分高于參考電壓Vss)，這使得晶體管21、22處于導通狀態(tài)，選擇掃描驅(qū)動器5在各非選擇周期TNSE連續(xù)輸出低電平的截止電壓Voff(不高于參考電壓Vss)，這使得晶體管21、22處于截止狀態(tài)。此處，在各選擇掃描線X1至Xm中，選擇周期和非選擇周期是交替重復的，將選擇掃描線X1至Xm的選擇周期設(shè)置成不相互重疊。因此，由TSE+TNSE＝TSC表示的周期是一個掃描周期。
也就是說，在從選擇掃描線X1至Xm中選出任何選擇掃描線Xi的選擇周期TSE中，當選擇掃描驅(qū)動器5把導通電壓Von的脈沖信號輸出到選擇掃描線Xi時，連接到選擇掃描線Xi的晶體管21、22處于導通狀態(tài)(像素電路Di，1、Di，2、Di，3......Di，n的所有晶體管21、22)。當晶體管21處于導通狀態(tài)時，流過信號線Yj的電流可流過像素電路Di，j。此時，對于選擇掃描線X1至Xm，除了選擇掃描線Xi之外的X1至Xi-1、Xi+1至Xm的各晶體管21、22處于非選擇周期TNSE。因此，輸出截止電壓Voff，兩個晶體管21、22都處于截止狀態(tài)。當晶體管21、22以此方式處于截止狀態(tài)時，流過信號線Yj的電流不能流過像素電路Di，j。
這里，第i行的選擇周期TSE沒有連續(xù)到第i+1行的選擇周期TSE，在第i行和第i+1行選擇周期TSE之間存在著比選擇周期TSE更短的復位周期TRESET。也就是說，在導通電壓Von的脈沖信號完全輸出到第i行的選擇掃描線Xi之后的復位周期TRESET過去以后，選擇掃描驅(qū)動器5把導通電壓Von的脈沖信號輸出到第i+1行的選擇掃描線Xi+1。因此，在第i行的選擇完成之后的復位周期TRESET過去以后，選擇第i+1行。
下面具體描述。在對選擇掃描線X1至Xm進行選擇的各選擇周期TSE，當數(shù)據(jù)驅(qū)動器3適當?shù)厥闺娏鹘?jīng)過電流端子OT1至OTn時，灰度級指定電流沿由圖6的箭頭所示方向適當?shù)亓鬟^信號線Y1至Yn。這里，灰度級指定電流是從信號線Y1至Yn經(jīng)由電流端子OT1至OTn流向數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的汲入電流，此灰度級指定電流等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的電流的電流值以便根據(jù)圖像數(shù)據(jù)的亮度灰度級發(fā)光。
圖1中所示的電源掃描驅(qū)動器6由所謂的移位寄存器構(gòu)成。電源掃描驅(qū)動器6與選擇掃描驅(qū)動器5同步地將預定的源極/漏極電壓依次施加給連接到電源掃描線Z1至Zm的晶體管23。電源掃描驅(qū)動器6以來自外部的時鐘信號為基礎(chǔ)、與選擇掃描驅(qū)動器5同一行的導通電壓Von的脈沖信號同步、從功率掃描線Z1開始按順序(功率掃描線Z1依次至功率掃描線Zm)連續(xù)地將脈沖信號輸出到電源掃描線Zm。因此，在復位周期TRESET之后，預定電壓依次施加給功率掃描線Z1至Zm。
具體而言，如圖8所示，電源掃描驅(qū)動器6在預定周期內(nèi)將低電平(電位等于或低于參考電壓VSS)的充電電壓VCH施加給各電源掃描線Zi。也就是說，在選擇各選擇掃描線Xi的選擇周期TSE，電源掃描線6將低電平的充電電壓VCH施加給電源掃描線Zi，因此灰度級指定電流在第三晶體管23的源極和漏極之間流動。另一方面，在非選擇周期TNSE中，電源掃描驅(qū)動器6向電源掃描線Zi施加高于充電電壓VCH的電源電壓VDD，因此驅(qū)動電流在晶體管23的源極和漏極之間流動。電源電壓VDD高于參考電壓VSS和復位電壓VR，第三晶體管23獲得導通狀態(tài)。此時，當?shù)谝痪w管21處于截止狀態(tài)時，電流從電源掃描線Zi流到有機EL元件Ei，j。
下面，描述電源電壓VDD。圖7是表示N溝道型的場效應(yīng)晶體管23的電流/電壓特性的曲線。圖7中，橫坐標表示源極/漏極電壓VDS，縱坐標表示在源極和漏極之間電流的電流值IDS。在所示出的不飽和區(qū)域(漏極/源極電壓VDS＜漏極飽和閾值電壓VTH漏極飽和閾值電壓VTH跟隨柵極/漏極電壓VGS)，當柵極/源極電壓VGS恒定時，源極/漏極電壓VDS升高，在源極和漏極之間電流的電流值IDS升高。此外，在所示出的飽和區(qū)域中(漏極/源極電壓VDS≥漏極飽和閾值電壓VTH)，當柵極/漏極電壓VGS恒定時，即使當源極/漏極電壓VDS升高，在源極和漏極之間流動的電流的電流值IDS基本上恒定。
此外，在圖7中，柵極/源極電壓VGS0至VGSMAX具有關(guān)系VGS0＝0＜VGS1＜VGS2＜VGS3＜VGS4＜VGS5＜...＜VGSMAX。從圖7中很顯然，當源極/漏極電壓VDS恒定時，當柵極/源極電壓VGS增加時，在不飽和區(qū)域和飽和區(qū)域中漏極/源極電流的電流值IDS都增加。此外，當柵極/源極電壓VGS增加時，漏極飽和閾值電壓VTH也增加。
如上所述，在不飽和區(qū)域中，即使當漏極/源極電壓VDS略微改變，源極/漏極電流的電流值IDS也會改變。然而，在飽和區(qū)域中，當確定了柵極/源極電壓VGS時，不必考慮柵極/源極電壓VGS，唯一確定漏極/源極電流的電流值IDS。
這里，將在把最大柵極/源極電壓VGSMAX施加給第三晶體管23時源極/漏極電流的電流值IDS設(shè)定為在以最大亮度發(fā)光的有機EL元件Ei，j的像素電極51和公共電極53之間流動的電流的電流值。
即使當?shù)谌w管23的柵極/源極電壓VGS是最大值VGSMAX時，優(yōu)選滿足以下條件等式(1)，使得晶體管23保持飽和區(qū)域。
VDD-VE-VSS≥VTHMAX... (1)，
其中VE是在有機EL元件Ei，j的發(fā)光壽命周期中、以最大亮度時間分給有機EL元件Ei，j的預定最大電壓，對有機EL元件Ei，j的高電阻逐步增加；VTHMAX是在VGSMAX時在第三晶體管23的源極和漏極之間的飽和閾值電壓。確定電源電壓VDD以便滿足上述條件等式。
如圖1所示，信號線Y1至Yn連接到電流/電壓開關(guān)部分7。電流/電壓開關(guān)部分7由開關(guān)電路S1至Sn構(gòu)成，信號線Y1至Yn分別連接到開關(guān)電路S1至Sn。此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的電流端子OT1至OTn連接到開關(guān)電路S1至Sn。開關(guān)電路S1至Sn連接到開關(guān)信號輸入端子140，開關(guān)信號φ如箭頭所示輸入到開關(guān)電路S1至Sn。開關(guān)電路S1至Sn連接到復位電壓輸入端子141，復位電壓VR經(jīng)由此端子施加到開關(guān)電路S1至Sn。
將復位電壓VR設(shè)置成高于最高灰度級電壓Vhsb的電壓。這種最高灰度級電壓Vhsb是在選擇周期TSE中當有機EL元件E1，1至Em，n以最亮的最大灰度級亮度LMAX發(fā)光時、根據(jù)由灰度級指定電流在信號線Y1至Yn中充滿的電荷設(shè)定為穩(wěn)定的電壓V，所述灰度級指定電流具有等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的最大灰度級驅(qū)動電流IMAX的電流值。復位電壓VR優(yōu)選不低于中間電壓，此中間電壓具有在最低灰度級電壓Vlsb和最高灰度級電壓Vhsb之間的中間值，更優(yōu)選為等于或高于最低灰度級電壓Vlsb的值，最優(yōu)選為等于充電電壓VCH的電壓，所述最低灰度級電壓Vlsb是指當各有機EL元件E1，1至Em，n具有最小的灰度級亮度LMIN時(此外，該電流的電流值超過0A)、根據(jù)由灰度級指定電流在信號線Y1至Yn中充滿的電荷而設(shè)定成穩(wěn)定的電壓，所述灰度級指定電流具有等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的最小灰度級驅(qū)動電流IMIN的電流值。
對開關(guān)電路Sj(開關(guān)電路Sj連接到第j列的信號線Yj)進行轉(zhuǎn)換，以使電流根據(jù)來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的電流端子OTj的信號經(jīng)過信號線Yj，或者使來自復位電壓輸入端子141的預定電壓電平復位電壓VR輸出到信號線Yj。也就是說，當從開關(guān)信號輸入端子140輸入到開關(guān)電路Sj的開關(guān)信號φ處于高電平時，開關(guān)電路Sj切斷電流端子OTj的汲入電流，將復位電壓從復位電壓輸入端子141輸出到信號線Yj。另一方面，當從開關(guān)信號輸入端子140輸入到開關(guān)電路Sj的開關(guān)信號φ處于低電平時，開關(guān)電路Sj在電流端子OTj和信號線Yj之間經(jīng)過汲入電流，切斷來自復位電壓輸入端子141的復位電壓VR。
以此方式，當如圖7所示在飽和區(qū)域中將第三晶體管23的源極/漏極電壓設(shè)置成高電壓時，由晶體管23的柵極/源極電壓確定流過信號線Yj的灰度級指定電流的電流值。也就是說，當晶體管23的柵極電壓充分高于源極電壓時，在晶體管23的源極和漏極之間流動以及流過信號線Yj的灰度級指定電流變大。當晶體管23的柵極電壓不非常高于源極電壓時，獲得了小電流。
這里，認為顯示裝置是這樣的假設(shè)不設(shè)置本發(fā)明的電流/電壓開關(guān)部分7，數(shù)據(jù)驅(qū)動器3直接從信號線Yj獲取電流。
在第i行和第j列的像素Pi，j中，在第i行的選擇周期，連接到選擇掃描線Xi的第二晶體管22處于導通狀態(tài)。因此，充電電壓VCH從電源掃描線Zi施加到第三晶體管23的柵極，電荷從第三晶體管23的一個電極24A側(cè)充入電容器24。也就是說，選擇周期的晶體管23的柵極電壓基本上一直保持在充電電壓VCH。此時，因為晶體管21處于導通狀態(tài)，所以晶體管23的源極23s的電位等于信號線Yj的電位。由數(shù)據(jù)驅(qū)動器3控制信號線Yj的電位。此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動器3強行在晶體管23的源極和漏極之間流過具有預定電流值的灰度級指定電流。因此，當灰度級指定電流的電流值大時，晶體管23的柵極/源極電壓高，因此信號線Yj的電位比較低。
具體而言，如圖9A所示，當在第i行的選擇周期TSE中具有最大電流值的汲入電流經(jīng)過信號線Yj從而以最大灰度級(最大亮度)發(fā)出來自像素Pi，j的有機EL元件Ei，j的光時，在電容器24的另一電極24B中充入達到該最大電流的電流值的電荷時施加到信號線Yj的最高灰度級電壓Vhsb相對充分地低于參考電壓VSS或電壓VCH。
此外，當具有最小電流值的汲入電流(此外，不是沒有電流)經(jīng)過信號線Yj從而以最小灰度級(最小亮度)發(fā)出來自接下來的第i+1行的像素Pi+1，j的有機EL元件Ei+1，j的光時，必須設(shè)置最低灰度級電壓Vlsb，從而在電容器24中充入達到該最小電流的電流值的電荷。最低灰度級電壓Vlsb接近于充電電壓VCH從而使第三晶體管23的源極/漏極電壓低，并且充分地高于最高灰度級電壓Vhsb。然而，由于流過信號線Yj的最低灰度級指定電流的電流值相當小，因此在單位時間內(nèi)改變的信號線Yj的電位差小。因此，從電容器24充滿時直到將信號線Yj的電位從最高的灰度級電壓Vhsb設(shè)定為在最低灰度級電壓Vlsb處于穩(wěn)定需要大量的時間。尤其是，當隨著像素數(shù)量的增加、顯示裝置的行數(shù)增多時，必須將選擇周期TSE設(shè)置得短。在沒有達到最低灰度級電壓Vlsb的條件下，產(chǎn)生了電壓差VDF，像素Pi+1，j的有機EL元件Ei+1，j不能以準確的亮度發(fā)光。
另一方面，由于在本實施例的顯示裝置1中設(shè)置了電流/電壓開關(guān)部分7，如圖9B所示，在復位周期TRESET，開關(guān)電路Sj強制地將信號線Yj的電位轉(zhuǎn)換至充分高于最高灰度級電壓Vhsb的復位電壓VR。因此，即使當在選擇周期TSE中使具有微小電流值的最低灰度級指定電流經(jīng)過信號線Yj時，電容器24迅速充電，并可將信號線Yj設(shè)置為以最低的灰度級電壓Vlsb保持不變。
接下來，描述開關(guān)電路Sj的一個例子。開關(guān)電路Sj由第四晶體管31和第五晶體管32構(gòu)成，第四晶體管31是P溝道型場效應(yīng)晶體管，第五晶體管32是N溝道型場效應(yīng)晶體管。第四和第五晶體管31、32的柵極連接到開關(guān)信號輸入端子140。第四晶體管31的源極連接到信號線Yj，漏極連接到電流端子OTj。第五晶體管32的漏極連接到信號線Yj，源極連接到復位電壓輸入端141。在此結(jié)構(gòu)中，當來自開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ是高電平時，第五晶體管32獲得導通狀態(tài)，第四晶體管31獲得截止狀態(tài)。另一方面，當來自開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ是低電平時，第四晶體管31獲得導通狀態(tài)，第五晶體管32獲得截止狀態(tài)。與此實施例不同，第四晶體管31設(shè)為P溝道型，第五晶體管32設(shè)為N溝道型，可使開關(guān)信號φ的高/低電平處于反相以對調(diào)開關(guān)電路Sj的開關(guān)狀態(tài)。
此處，描述輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ的周期。當如圖8所示選擇掃描驅(qū)動器5向任意的選擇掃描線X1至Xm施加導通電壓Von時，輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ處于低電平。另一方面，當選擇掃描驅(qū)動器5向所有的選擇掃描線X1至Xm施加截止電壓Voff時，即，在第一至第m行任意行中的復位周期TRESET，輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ具有高電平。例如，在第i行的選擇周期TSE的結(jié)束時間Tir和接下來的第i+1行的選擇周期TSE的開始時間Ti+1之間是復位周期TRESET，在復位周期中，通過第i行的汲入電流將信號線Y1至Ym的電位設(shè)置為復位電壓VR。也就是說，在一個掃描周期TSC內(nèi)，輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ每n個復位周期TRESET獲得該高電平。此開關(guān)信號φ還可以具有與從外部輸入的時鐘信號相同的頻率。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器3通過來自外部的時鐘信號讓灰度級指定電流經(jīng)過電流端子OT1至OTn。當輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ處于低電平時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器3讓灰度級指定電流同時進入所有電流端子OT1至OTn。當輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ處于高電平時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器3不從任何電流端子OT1至OTn取出灰度級指定電流。
因此，在各行的選擇周期TSE中，灰度級指定電流從信號線Y1至Yn流入電流端子OT1至OTn。另一方面，在各行的復位周期TRESET，復位電壓VR施加到信號線Y1至Yn以獲得穩(wěn)定狀態(tài)。
接下來，詳細描述數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的灰度級指定電流。在各行的選擇周期TSE中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器3從電源掃描線Z1至Zm向各電流端子OT1至OTn產(chǎn)生灰度級指定電流，所述電源掃描線Z1至Zm經(jīng)由第三晶體管23、第一晶體管21、信號線Y1至Yn和開關(guān)電路S1至Sn輸出充電電壓VCH?；叶燃壷付娏鞯碾娏髦稻哂邪凑請D像數(shù)據(jù)的電平。也就是說，灰度級指定電流的電流值等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的電流值，從而以按照圖像數(shù)據(jù)的亮度灰度級發(fā)光。
接下來，描述如上述構(gòu)成的顯示裝置1的顯示操作和驅(qū)動方法。
如圖8所示，選擇掃描驅(qū)動器5根據(jù)輸入的時鐘信號、從第一行的選擇掃描線X1起、依次向第m行的選擇掃描線Xm輸出導通電壓Von(高電平)的脈沖信號。此外，電源掃描驅(qū)動器6根據(jù)輸入的時鐘信號、從第一行的電源掃描線Z1起、依次向第m行的電源掃描線Zm輸出充電電壓VCH(低電平)的脈沖信號。在各行的選擇周期TSE中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器3根據(jù)時鐘信號使灰度級指定電流從所有的電流端子OT1至OTn進入開關(guān)電路S1至Sn。
此外，由于輸入到開關(guān)信號輸入端子140的開關(guān)信號φ在各行的選擇周期TSE具有低電平，因此開關(guān)電路S1至Sn的第四晶體管31獲得導通狀態(tài)，第五晶體管32獲得截止狀態(tài)。另一方面，由于輸入到開關(guān)信號輸入端子的開關(guān)信號φ在各行的復位周期TRESET具有高電平，因此開關(guān)電路S1至Sn的第四晶體管31獲得截止狀態(tài)，第五晶體管32獲得導通狀態(tài)。也就是說，當在各行的選擇周期TSE中電流/電壓開關(guān)部分7斷開信號線Y1至Yn與復位電壓輸入端141時，該部分7使灰度級指定電流流過，該灰度級指定電流等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的電流的電流值，從而以按照圖像數(shù)據(jù)的亮度灰度級發(fā)光。該部分7還起到不讓復位電壓VR施加到信號線Y1至Yn的作用。另一方面，在各行的復位周期TRESEET中，電流/電壓開關(guān)部分7斷開信號線Y1至Yn與電流端子OT1至OTn，并將信號線Y1至Yn連接到復位電壓輸入端141。因此，該部分起作用以便迅速地將各信號線Y1至Yn的電位設(shè)置為復位電壓VR。
這里，將導通電壓Von輸出到選擇掃描線Xi的時間基本上與將充電電壓VCH輸出到電源掃描線Zi的時間一致，導通電壓Von的時間長度基本上與充電電壓VCH的時間長度相同，在時間ti至時間tiR之間(此周期是第i行的選擇周期TSE)輸出脈沖信號。也就是說，其中從選擇掃描驅(qū)動器5輸出的導通電壓Von移動的周期與其中從電源掃描驅(qū)動器6輸出的充電電壓VCH移動的周期同步。當導通電平的脈沖信號輸出到選擇掃描線Xi時，輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ具有低電平，因此晶體管31獲得導通狀態(tài)。
由于在選擇周期TSE中輸出到電源掃描線Zi的充電電壓VCH不高于參考電壓VSS，因此灰度級指定電流不流過有機EL元件Ei，1至Ei，n。因此，達到灰度級電流值的灰度級指定電流從晶體管23流過數(shù)據(jù)驅(qū)動器3。因此，在電容器24中寫入電荷，從而在晶體管23的柵極和源極之間保持精確的電壓，這需要第三晶體管23經(jīng)過灰度級指定電流。結(jié)果，即使在發(fā)光周期TEM中，晶體管23也可連續(xù)經(jīng)過電流值等于灰度級指定電流的電流值的驅(qū)動電流。由于晶體管21在發(fā)光周期TEM中具有截止狀態(tài)，此驅(qū)動電流不流過信號線Y1至Yn，并流過有機EL元件Ei，1至Ei，n，精確亮度灰度級的電流控制是可行的。
如上所述，當選擇掃描驅(qū)動器5和電源掃描驅(qū)動器6線性地依次將脈沖信號從第1行移動(shift)至第m行時，根據(jù)數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的灰度級指定電流依次更新第1行的像素P1，1至P1，n至第m行的像素Pm，1至Pm，n。當重復進行這種線性連續(xù)掃描時，有機EL顯示面板2的顯示部分4顯示圖像。
這里，描述在一個掃描周期TSC中所選擇的第i行像素Pi，1至Pi，n的更新以及所選擇的第i行的像素Pi，1至Pi，n的灰度級表示。
在第i行的選擇周期TSE中，當選擇掃描驅(qū)動器5向第i行的選擇掃描線Xi輸出高電平的脈沖信號時，連接到選擇掃描線Xi的所有像素電路Di，1至Di，n的晶體管21和22在選擇周期TSE中獲得導通狀態(tài)。此外，在第i行的選擇周期TSE中，電源掃描驅(qū)動器6向第i行的電源掃描線Zi施加作為充電電壓VCH的低電平脈沖信號，此充電電壓VCH等于或低于參考電壓VSS。此時，由于晶體管22具有導通狀態(tài)，因此電壓還施加到第三晶體管23的柵極23g，第三晶體管23獲得導通狀態(tài)。
另一方面，由于輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ在第i行的選擇周期TSE中具有低電平，所有開關(guān)電路S1至Sn的晶體管31具有導通狀態(tài)，晶體管32具有截止狀態(tài)。此外，根據(jù)在第i行的選擇周期中輸入到數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的圖像數(shù)據(jù)，在第i行的所有像素電路Di，1至Di，n中，灰度級指定電流流過設(shè)為較低電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動器3，從而使灰度級指定電流流過施加了較高電壓的充電電壓VCH的電源掃描線Zi→第三晶體管23→第一晶體管21→第四晶體管31。此時，第三晶體管23的源極/漏極電流具有灰度級指定電流的電流值，在晶體管23的柵極和源極之間的電壓獲得了在發(fā)光周期TEM在晶體管23的源極和漏極之間流動的灰度級指定電流的電流值。為了獲得此電壓，電荷充入電容器24中。
以此方式，在第i行的選擇周期TSE中，迫使具有恒定值的灰度級指定電流經(jīng)過電源掃描線Zi→像素電路Di，1至Di，n的第三晶體管23→像素電路Di，1至Di，n的第一晶體管21→信號線Y1至Yn→開關(guān)電路S1至Sn的第四晶體管31→數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的電流端子OT1至OTn。因此，在第i行的選擇周期TSE中，在電源掃描線Zi、像素電路Di，1至Di，n的晶體管23、像素電路Di，1至Di，n的晶體管21、信號線Y1至Yn、開關(guān)電路S1至Sn的晶體管31和數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的電流端子OT1至OTn中的電壓獲得穩(wěn)定狀態(tài)。此外，第一至第n列的任意列中，在發(fā)光周期TEM流過有機EL元件E1，1至Ei，n的驅(qū)動電流的電流值達到流過信號線Y1至Yn的灰度級指定電流的電流值。
也就是說，灰度級指定電流流過晶體管23，在電源掃描線Zi→像素電路Di，1至Di，n的晶體管23→像素電路Di，1至Di，n的晶體管21→信號線Y1至Yn→開關(guān)電路S1至Sn的晶體管31→數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的電流端子OT1至OTn中的電壓獲得穩(wěn)定狀態(tài)。因此，在晶體管23的柵極23g和源極23s之間施加按照流過晶體管23的灰度級指定電流的電流值電平的電壓，在電容器24中充入具有按照在晶體管23的柵極23g和源極23s之間電壓值的大小的電荷。換句話說，在第i行的選擇周期TSE中，在第i行的像素電路Di，1至Di，n中，晶體管21和22起到使灰度級指定電流經(jīng)由晶體管23流過信號線Y1至Yn的作用，晶體管23用以根據(jù)強制流過灰度級指定電流的電流值獲得柵極/源極電壓，電容器24用以保持柵極/源極電壓值。
這里，在經(jīng)由灰度級指定電流流過的電源掃描線Zi、像素電路Di，1至Di，n的晶體管23、像素電路Di，1至Di，n的晶體管21、信號線Y1至Yn、開關(guān)電路S1至Sn的晶體管31、以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的電流端子OT1至OTn的各電流流動路徑中，假設(shè)從各晶體管23的源極23s到各信號線Y1至Yn的電流路徑的靜電容量為C，在各電流路徑以電壓v充電的電荷Q如下Q＝Cv...(2)；和dQ＝C dV ...(3)。
假設(shè)預定像素Pi，j的灰度級指定電流的電流值為Idata(在選擇周期TSE內(nèi)Idata是常量)，對于使電源掃描線Zi、像素電路Di，j的第三晶體管23、像素電路Di，j的第一晶體管21、信號線Yj、開關(guān)電路Sj的第四晶體管31以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的電流端子OTj中的電壓進入穩(wěn)定狀態(tài)所需的時間dt，建立了下述等式dt＝dQ/Idata... (4)，這里dQ表示在時間dt內(nèi)電流路徑的電荷改變量，還表示在電位差dv內(nèi)信號線Yj的電荷改變量。如上所述，隨著Idata降低，dt增長。隨著dQ增加，dt增長。
如上所述，在第i行的選擇周期TSE中，從前一個掃描周期TSC更新在第i行的像素電路Di，1至Di，n的電容器24中充入的電荷量，從前一個掃描周期TSC更新流過第i行的像素電路Di，1至Di，n的晶體管23的驅(qū)動電流的電流值。
這里，隨著因時間流逝而改變的晶體管21、22、23的內(nèi)阻，在晶體管23→第一晶體管21→信號線Yj中任意點的電位改變。然而，在本實施例中，對于流過晶體管23→晶體管21→信號線Yj的灰度級指定電流的電流值，即使當晶體管21、22、23的內(nèi)阻隨著時間流逝而改變，流過晶體管23→晶體管21→信號線Yj的灰度級指定電流的電流值也同樣滿足需要。
此外，在第i行的選擇周期TSE中，第i行的有機EL元件Ei，1至Ei，n的公共電極是參考電壓VSS。將等于或低于參考電壓VSS的充電電壓VCH施加到電源掃描線Zi，由此將反向偏壓施加到第i行的有機EL元件Ei，1至Ei，n，電流不流過第i行的有機EL元件Ei，1至Ei，n，有機EL元件Ei，1至Ei，n不發(fā)光。此外，通過流過信號線Y1至Yn的灰度級指定電流，信號線Y1在低于充電電壓VCH的電壓下變得穩(wěn)定。通過從信號線Y1至Yn流過數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的灰度級指定電流唯一確定用于使驅(qū)動電流經(jīng)過有機EL元件Ei，1至Ei，n的電容器24的電荷。
隨后，在第i行的選擇周期TSE的結(jié)束時間TiR(即，第i行的非選擇周期TNSE的開始時間)內(nèi)，選擇掃描驅(qū)動器5結(jié)束了高電平脈沖信號向選擇掃描線Xi的輸出，電源掃描驅(qū)動器6結(jié)束了低電平脈沖信號向電源掃描線Zi的輸出。也就是說，在從結(jié)束時間t2一直到第i行的下一選擇周期TSE的開始時間t1的非選擇周期TNSE中，通過選擇掃描驅(qū)動器5將截止電壓Voff施加到第i行像素電路Di，1至Di，n的晶體管21的柵極21g和晶體管22的柵極22g，通過電源掃描驅(qū)動器6將電壓電壓VDD施加到電源掃描線Zi。
因此，在第i行的非選擇周期TNSE中，第i行的像素電路Di，1至Di，n的晶體管21獲得截止狀態(tài)，切斷了從電源掃描線Zi流過信號線Y1至Yn的灰度級指定電流。此外，在第i行的非選擇周期TNSE中，在任意的第i行的像素電路Di，1至Di，n中，第二晶體管22獲得截止狀態(tài)。由晶體管21和22限制在第i行的前一選擇周期TSE中在電容器24內(nèi)充入的電荷。也就是說，在非選擇周期TNSE和前一選擇周期TSE中，第三晶體管23的柵極/源極電壓VGS變得相等。因此，即使在非選擇周期TNSE，也要在晶體管23的柵極和源極之間連續(xù)施加使具有等于在選擇周期TSE中流動的灰度級電流的電流值的電流經(jīng)過的電壓。
在第i行的非選擇周期TNSE中，由于由電源掃描線Zi提供滿足上述條件等式的VDD，因此第i行的像素電路Di，1至Di，n的第三晶體管23連續(xù)經(jīng)過與在前一選擇周期TSE中的灰度級指定電流相同的驅(qū)動電流。此外，在第i行的非選擇周期TNSE中，第i行的有機EL元件Ei，1至Ei，n的公共電極具有參考電壓Vss。此外，電源掃描線Zi具有高于參考電壓Vss的電源電壓VDD。因此，正向偏壓施加到第i行的有機EL元件Ei，1至Ei，n。另外，由于第i行的各晶體管21具有截止狀態(tài)，驅(qū)動電流沒有經(jīng)由晶體管21流過信號線Y1至Yn，并通過晶體管23的作用流過第i行的有機EL元件Ei，1至Ei，n，有機EL元件Ei，1至Ei，n發(fā)光。
也就是說，在像素電路Di，1至Di，n中，晶體管21和22用以在非選擇周期TSE中限制根據(jù)在選擇周期TSE中各晶體管23的源極和漏極之間的灰度級指定電流充入的電容器24的電荷。各晶體管21起作用從而使信號線Yj與晶體管23電斷開，這樣在非選擇周期TSE中流過各晶體管23的驅(qū)動電流就不流過信號線Y1至Yn。此外，當晶體管23經(jīng)過灰度級指定電流時，各電容器24操作，從而充入用于保持設(shè)為穩(wěn)定值的各晶體管23的柵極/源極電壓的電荷。各晶體管23操作，以便根據(jù)由各電容器24保持的柵極/源極電壓使驅(qū)動電流經(jīng)過，所述驅(qū)動電流的電流值等于通過有機EL元件Ei，1至Ei，n的灰度級指定電流的電流值。
如上所述，在第i行的選擇周期TSE中，具有所需電流值的灰度級指定電流強行經(jīng)過第i行的像素電路Di，1至Di，n的晶體管23，因此按需要獲得通過有機EL元件Ei，1至Ei，n的驅(qū)動電流的電流值，有機EL元件Ei，1至Ei，n以預定灰度級亮度發(fā)光。
當電流指定系統(tǒng)應(yīng)用到有源矩陣驅(qū)動顯示裝置時，可以減少每單位時間流過各有機EL元件的驅(qū)動電流的電流值。為此，在非選擇周期，利用電流值等于驅(qū)動電流的電流值的灰度級指定電流，從第三晶體管23的源極23s到信號線Yj的電流路徑的電容C被迅速充電。
此處，在像素Pi，j中，在第i行的選擇周期TSE中將灰度級指定電流的電流值定義為Ihsb，所述灰度級指定電流經(jīng)過信號線Yj，以便在第i行的非選擇周期TNSE中以最高灰度級亮度Lhsb從有機EL元件Ei，j發(fā)光。隨后，在像素Pi+1，j中，在第(i+1)行的選擇周期TSE中將灰度級指定電流的電流值定義為Ilsb，所述灰度級指定電流經(jīng)過信號線Yj，以便在第(i+1)行的非選擇周期TNSE中以最低的灰度級亮度Llsb從有機EL元件Ei+1，j發(fā)光(此外，微小電流流過，有機EL元件Ei，j以低亮度發(fā)光)。于是，獲得下述關(guān)系Ihsb＞Ilsb ... (5)。
將施加到數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的該側(cè)上的信號線Yj一端的電壓定義為Vhsb，因此信號線Yj獲得了以電流值Ihsb的穩(wěn)定狀態(tài)。將施加到數(shù)據(jù)驅(qū)動器3的該側(cè)上的信號線Yj一端的電壓定義為Vlsb，因此信號線Yj獲得了以電流值Ilsb的穩(wěn)定狀態(tài)。于是，獲得下述關(guān)系VCH＞Vlsb＞Vhsb ... (6)。
也就是說，當在晶體管23的漏極23d和源極23s之間的電位差是VCH-Vlsb并且低時，流過晶體管23的源極/漏極電流的電流值降低至Ilsb。當在晶體管23的漏極23d和源極23s之間的電位差是VCH-Vhsb并且高時，流過晶體管23的源極/漏極電流的電流值增加至Ihsb。
為了將最低灰度級亮度Llsb調(diào)節(jié)至最高灰度級亮度Lhsb，在從晶體管23的源極23s到信號線Yj的電流路徑中聚集的電荷量Q1如下Q1＝C(Vlsb-Vhsb)... (7)，為了聚集電荷量Q1，流過信號線Yj的電流的電流值是Ihsb，由于比較大的電流，因此電荷量Q1能夠迅速地充電。C表示電流路徑的容量。
另一方面，為了將最高灰度級亮度Lhsb調(diào)節(jié)至最低灰度級亮度Llsb所聚集的電荷量Q2等于電荷量Q1的絕對值，但此時流過信號線Yj的電流是Ilsb。
這里，在根據(jù)其中從本發(fā)明的顯示裝置1中除去電流/電壓開關(guān)部分7的對比例的構(gòu)成中，為了在第i行的選擇周期TSE中讓具有電流值Ihsb的灰度級指定電流經(jīng)過信號線Yj并獲得穩(wěn)定的電流值Ihsb，在數(shù)據(jù)驅(qū)動器3側(cè)的信號線Yj的一端施加電壓Vhsb。此后，為了在第(i+1)行的選擇周期TSE中讓具有電流值Ilsb的灰度級指定電流經(jīng)過信號線Yj并獲得穩(wěn)定的電流，在數(shù)據(jù)驅(qū)動器3側(cè)的信號線Yj的一端施加了電壓Vlsb。在此情況下，由于灰度級指定電流的電流值Ilsb相當小，如圖9A所示，為了獲得穩(wěn)定狀態(tài)的電壓Vlsb需要大量的時間，高速響應(yīng)是不可能的。因此，尤其難以平穩(wěn)地顯示其圖像數(shù)據(jù)容易改變(比如動態(tài)圖像)的圖像。
然而，如圖1所示，在其中設(shè)置有電流/電壓開關(guān)部分7的顯示裝置1中，在第i行的選擇周期TSE結(jié)束時的時間tiR和第(i+1)行的選擇周期TSE開始時的時間ti+1之間，也就是說，在第(i+1)行的復位周期TRESET中，輸入到開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ是高電平，第四晶體管31獲得截止狀態(tài)，第五晶體管32獲得導通狀態(tài)。因此，如圖9B中所示，在第(i+1)行的復位周期TRESET中，灰度級指定電流不流過任何信號線Y1至Yn，但復位電壓VR強行施加到所有信號線Y1至Yn。
將復位電壓VR設(shè)置成至少高于最高灰度級電壓Vhsb的電壓，其中最高灰度級電壓Vhsb在選擇周期TSE中當有機EL元件E1，1至Em，n以最亮的最大灰度級亮度LMAX發(fā)光時、根據(jù)由灰度級指定電流在信號線Y1至Yn中充滿的電荷設(shè)定為穩(wěn)定的，所述灰度級指定電流具有等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的最大灰度級驅(qū)動電流IMAX的電流值。復位電壓VR優(yōu)選設(shè)定為不低于中間電壓，此中間電壓具有在最低灰度級電壓Vlsb和最高灰度級電壓Vhsb之間的中間值，更優(yōu)選為等于或高于最低灰度級電壓Vlsb的值，最優(yōu)選為等于充電電壓VCH的電壓，所述最低灰度級電壓Vlsb是指當各有機EL元件E1，1至Em，n具有最小的灰度級亮度LMIN時(此外，電流值超過0A)、根據(jù)由灰度級指定電流在信號線Y1至Yn中充滿的電荷而設(shè)定成穩(wěn)定的電壓，所述灰度級指定電流具有等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的最小灰度級驅(qū)動電流IMIN的電流值。
按照此方式，由于復位電壓VR至少高于最高灰度級電壓Vhsb，因此在復位周期中，可將在晶體管23的源極和漏極之間的電位差設(shè)置為低于VCH-Vhsb。也就是說，從第三晶體管23的源極23s到信號線Yj的電流路徑的容量C的電荷被充滿，這樣，較低灰度級的驅(qū)動電流，即，較小的灰度級指定電流能夠快速地穩(wěn)定，信號線Y1至Yn的電位以復位電壓VR迅速地穩(wěn)定。
此外，當?shù)?i+1)行的選擇周期TSE開始時，以與第i行相同的方式，由選擇掃描驅(qū)動器5和電源掃描驅(qū)動器6選擇選擇掃描線Xi+1和電源掃描線Zi+1，另外第四晶體管31獲得導通狀態(tài)。因此，在各列中，灰度級指定電流流過電源掃描線Zi+1→第三晶體管23→晶體管21→信號線Y→第四晶體管31→數(shù)據(jù)驅(qū)動器3。此后，在第(i+1)行的非選擇周期TNSE，以與第i行相同的方式，第(i+1)行的有機EL元件Ei+1，1至Ei+1，n以根據(jù)各驅(qū)動電流的電流值的亮度灰度級發(fā)光。
這里，對于通過在第(i+1)行的選擇周期TSE中的灰度級指定電流使電源掃描線Zi+1、晶體管23、晶體管21、晶體管31以及數(shù)據(jù)驅(qū)動器3中的電壓進入穩(wěn)定狀態(tài)所需的時間dt由上述等式(2)表示。如果在第i行的選擇周期TSE中流過信號線Y1至Yn的灰度級指定電流的電流值大，在第(i+1)行的選擇周期TSE中流過信號線Y1至Yn的灰度級指定電流的電流值小，類似以最低灰度級亮度Llsb時的電流值Ilsb，那么就將用于信號線Y1至Yn以獲得第(i+1)行的灰度級指定電流的電壓設(shè)定為穩(wěn)定的。于是就像由上述等式(2)-(4)所表示的那樣延長了dt，就可以使dt比選擇周期TSE更長。因此，如果像上面所述的那樣在第(i+1)行的選擇周期TSE中灰度級指定電流的電流值小，對于其中不設(shè)置電流/電壓開關(guān)部分7的顯示裝置1而言，如圖9A所示，第(i+1)行的選擇周期TSE在施加到電容器24和第三晶體管23的電壓獲得穩(wěn)定狀態(tài)之前就結(jié)束了。存在的可能性在于，第(i+1)行的有機EL元件Ei+1，1至Ei+1，n的驅(qū)動電流的電流值與灰度級指定電流的電流值不同。
然而，由于在本實施例的顯示裝置1中設(shè)置了電流/電壓開關(guān)部分7，因此在第(i+1)行的選擇周期TSE之前立即設(shè)置復位周期TRESET。為了在第(i+1)行的有機EL元件Ei+1，1至Ei+1，n以低亮度發(fā)光時將信號線Y1至Yn以灰度級指定電流的電流值設(shè)定為穩(wěn)定的，施加復位電壓VR，從而在電流路徑的電容C中迅速地充入電荷，信號線Y1至Yn的電位迅速升高。尤其是，當把復位電壓VR設(shè)定為在充電電壓VCH或者最低灰度級電壓Vlsb附近的值時，即使當?shù)?i+1)行的選擇周期TSE中低亮度電流例如用于最低灰度級亮度Llsb的最低灰度級電流Ilsb經(jīng)過信號線Y1至Yn時，正如由上述等式(2)至(4)表示的那樣，也可以使在復位周期TRESET和第(i+1)行的選擇周期TSE中信號線Y1至Yn的電荷變化量最小化。
因此，即使當?shù)?i+1)行的灰度級指定電流是用于最低灰度級亮度Llsb的最低灰度級電流Ilsb時，在第(i+1)行的選擇周期TSE中信號線Y1至Yn也以最低灰度級電壓Vlsb獲得穩(wěn)定狀態(tài)。根據(jù)在選擇周期TSE中灰度級指定電流的電流值在電容器24中充入電荷，像素的亮度灰度級可迅速被更新。
此外，在同一像素Pi，j中，電容器24充入大電荷量以在前一掃描周期TSC(或前一發(fā)光周期TEM)獲得高灰度級亮度。在此狀態(tài)下，減少電容器24的電荷量以在下一掃描周期TSC將亮度更新至低灰度級亮度時，也就是說，當電流路徑從由大灰度級指定電流控制的高灰度級低電壓改變?yōu)橛晌⑿』叶燃壷付娏骺刂频牡突叶燃壐唠妷簳r，此前復位電壓VR的電流立即經(jīng)過信號線Y1至Yn。因此，電流路徑的電荷移動至低灰度級高電壓側(cè)。因此，當把信號線Y1至Yn和電容器24看作一個電容器時，在選擇周期TSE前電容器的電荷量接近于低灰度級側(cè)。也就是說，電容器24和信號線Y1至Yn的電位能夠迅速穩(wěn)定，從而根據(jù)低灰度級指定電流迅速在各電容器24中充入電荷，即使當所需要的低灰度級指定電流的電流值小也是如此。
因此，在不依靠灰度級指定電流的電流值的條件下，在第(i+1)行的選擇周期TSE中像素Pi+1，1至Pi+1，n的各電容器24一極的電壓和信號線Y1至Yn的電位迅速獲得穩(wěn)定狀態(tài)。因此，利用任何灰度級，在發(fā)光周期TEM(非選擇周期TNSE)中驅(qū)動電流的電流值與前一選擇周期TSE的指定電流的電流值相同，有機EL元件Ei+1，1至Ei+1，n以所需的發(fā)光亮度發(fā)光。換句話說，在沒有延長各行的選擇周期TSE的條件下，有機EL元件Ei，j以所需要的亮度發(fā)光。因此，顯示屏不閃爍，可以提高顯示裝置1的顯示質(zhì)量。
圖10是表示與第一實施例的顯示裝置1的操作方式不同的顯示裝置101的示圖。如圖10所示，顯示裝置101包括的基本構(gòu)成包括有機EL顯示面板102和移位寄存器103，有機EL顯示面板102通過有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)進行顏色顯示。
有機EL顯示面板102包括透明基板8；顯示部分4，其中主要顯示圖像；圍繞顯示部分4設(shè)置的選擇掃描驅(qū)動器5；電源掃描驅(qū)動器6；和電流/電壓開關(guān)部分107，由此形成基本構(gòu)成。在透明基板8上形成這些電路4至6、107。顯示部分4、選擇掃描驅(qū)動器5、電源掃描驅(qū)動器6和透明基板8與在第一實施例的顯示裝置1中的相同。因此，即使采用第二實施例的有機EL顯示器101，由選擇掃描驅(qū)動器5定時施加的電壓、由電源掃描驅(qū)動器6定時施加的電壓、像素P1，1至Pm，n的更新、以及P1，1至Pm，n的灰度級表示方法與第一實施例的顯示裝置1中的相同。
在電流/電壓開關(guān)部分107中，對各列設(shè)置由第四晶體管31和第五晶體管32構(gòu)成的開關(guān)電路Sj至Sn。此外，設(shè)置電流鏡像電路M1至Mn和控制電流鏡像電路M1至Mn的晶體管U1至Un和晶體管W1至Wn。電流/電壓開關(guān)部分107的一端連接到信號線Y1至Yn，另一端連接到移位寄存器103。
電流鏡像電路Mj由電容器30和兩個MOS型晶體管61、62構(gòu)成。晶體管61、62、31、32、U1至Un、W1至Wn是MOS型場效應(yīng)薄膜晶體管，尤其是非晶硅用作半導體層的a-Si晶體管，但也可以是其中多晶硅或單晶硅用在半導體層中的P-Si晶體管。晶體管31、32、U1至Un、W1至Wn的結(jié)構(gòu)還可以是反向交錯型或共面型。下面，將要描述的晶體管61、62、32、U1至Un、W1至Wn為N溝道型場效應(yīng)晶體管，將要描述的晶體管31為P溝道型場效應(yīng)晶體管。
晶體管61的溝道長度與晶體管62的溝道長度相同，晶體管61的溝道寬度比晶體管62的更寬。也就是說，晶體管62的溝道電阻比晶體管61的溝道電阻更高。例如，晶體管62的溝道電阻是晶體管61的溝道電阻的十倍。以此方式，當晶體管62的溝道電阻高于晶體管61的溝道電阻時，晶體管61和62的溝道長度可以不相同。
描述各列。對于電流鏡像電路Mj，晶體管61的漏極連接到晶體管Wj的源極，晶體管61和62的柵極連接到晶體管Uj的源極，還連接到電容器30的一極。晶體管62的漏極連接到晶體管31的源極。晶體管61和62的源極彼此相連，還連接到電容器30的另一極，進一步連接到以恒定電平的低電流/電壓開關(guān)部分VCC的低電壓輸入端142。低電壓輸入端142的低電流/電壓開關(guān)部分VCC低于參考電壓VSS，進一步低于充電電壓VCH，例如，-20[V]。
在第j列中，晶體管31、32的漏極都連接到信號線Yj，晶體管31、32的柵極都連接到開關(guān)信號輸入端140。各列的晶體管32的源極連接到復位電壓輸入端141。
晶體管Uj和Wj的柵極彼此連接，并連接到移位寄存器103的輸出端Rj。晶體管Uj和Wj的漏極彼此連接，并連接到共用灰度級信號輸入端170。
移位寄存器103以外部時鐘信號為基礎(chǔ)移動脈沖信號，從輸出端R1起按順序依次將導通電平的脈沖信號輸出到輸出端Rn(輸出端R1依次至Rn)，因此依次選擇電流鏡像電路M1至Mn。移位寄存器103的一個移動周期短于選擇掃描驅(qū)動器5或電源掃描驅(qū)動器6的一個移動周期。在選擇掃描驅(qū)動器5或電源掃描線6將脈沖信號從第i行移動至第(i+1)行的同時，移位寄存器103從輸出端R1起按順序?qū)⒁恍忻}沖信號移動至輸出端Rn，輸出導通電平的n個脈沖信號。
灰度級信號輸入端170輸出外部數(shù)據(jù)驅(qū)動器的灰度級信號，對此灰度級信號進行設(shè)置使得由移位寄存器103的脈沖信號依次選擇的電流鏡像電路M1至Mn流過具有按照灰度級的電流值的灰度級指定電流。通過灰度級指定電流，在選擇周期TSE中，根據(jù)有機EL元件E1，1至Em，n的亮度灰度級的電流流過晶體管23的源極和漏極之間并經(jīng)過信號線Y1至Yn。因此，在非選擇周期TNSE(發(fā)光周期TEM)中，電流根據(jù)亮度灰度級流過晶體管23的源極和漏極之間并通過有機EL元件E1，1至Em，n?；叶燃壷付娏鬟€可以是模擬或數(shù)字信號，并且在從移位寄存器103的輸出端R1至Rn輸入導通電平的脈沖信號時輸入到晶體管U1至Un和W1至Wn的漏極。對于一行的灰度級指定電流的周期短于選擇掃描驅(qū)動器5或電源掃描驅(qū)動器6的一個移動周期。在選擇掃描驅(qū)動器5或電源掃描驅(qū)動器6將脈沖信號從第i行移動至第(i+1)行的同時，輸入n個灰度級指定電流。
開關(guān)信號φ從外部輸入到開關(guān)信號輸入端140。開關(guān)信號φ的周期與選擇掃描驅(qū)動器5或電源掃描驅(qū)動器6的一個移動周期相同。輸入晶體管31的導通電平的開關(guān)信號φ時的時間是選擇掃描驅(qū)動器5或電源掃描驅(qū)動器6輸出晶體管21、22的導通電平脈沖信號的時間。因此，在選擇掃描驅(qū)動器5或電源掃描驅(qū)動器6從第1行移動至第m行的同時，輸入開關(guān)信號φ的導通電平電壓。
當從灰度級信號輸入端170輸出灰度級信號時，電壓施加到晶體管61的漏極和柵極，電流在晶體管61的漏極和源極之間流動。此時，電流還在晶體管62的漏極和源極之間流動。這里，晶體管62的溝道電阻高于晶體管61的溝道電阻，晶體管62的柵極具有與晶體管61的柵極相同的電壓值。因此，在晶體管62的漏極和源極之間的電流的電流值小于在晶體管61的漏極和源極之間的電流的電流值。具體而言，在晶體管62的漏極和源極之間的電流的電流值基本上是由晶體管62的溝道電阻與晶體管61的溝道電阻之比乘以在晶體管61的漏極和源極之間的電流的電流值所得到的數(shù)值(乘積)。在晶體管62的漏極和源極之間的電流的電流值低于在晶體管61的漏極和源極之間的電流的電流值。因此，能夠容易地對流過晶體管62的微小灰度級指定電流進行分級/控制。以下將晶體管62的溝道電阻與晶體管61的溝道電阻之比稱作電流減小率。
接下來，描述如上構(gòu)成的顯示裝置101的操作方式。在與第一實施例相同的方式中，如圖8所示，選擇掃描驅(qū)動器5和電源掃描驅(qū)動器6線性地依次將脈沖信號從第1行移動至第m行。
另一方面，如圖11所示，從第(i-1)行的選擇周期TSE結(jié)束一直到第i行的的選擇周期TSE開始，也就是說，在復位周期TRESET，移位寄存器103將晶體管U1至Un、W1至Wn的導通電平的脈沖信號從輸出端R1移動至輸出端Rn。在移位寄存器103移動脈沖信號時，開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ的電壓電平對應(yīng)于晶體管31的截止電平，并保持在晶體管32的導電電平的高電平H。因此，在復位周期TRESEET中，在信號線Y1至Yn中，從復位電壓輸入端141電壓迅速替換為復位電壓VR。
此處，當移位寄存器103將導通電平的脈沖信號輸出到輸出端Rj時，灰度級信號輸入端170輸入表示第i行、第j列的灰度級亮度的電平的灰度級信號。此時，由于第j列的晶體管Uj和Wj具有導通狀態(tài)，因此將表示第i行、第j列的灰度級亮度值的電流值的灰度級信號輸入到電流鏡像電路Mj，晶體管61、62獲得導通狀態(tài)，在電容器30中充入具有根據(jù)灰度級信號的電流值的大小的電荷。也就是說，晶體管Uj和Wj用以在第j列的選擇時間使灰度級信號進入電流鏡像電路Mj。
當晶體管61獲得導通狀態(tài)時，在電流鏡像電路Mj中，電流流過灰度級信號輸入端170→晶體管61→低電壓輸入端142。流過灰度級信號輸入端170→晶體管61→低電壓輸入端142的電流的電流值遵循灰度級信號的電流值。
此時，由于開關(guān)信號輸入端140的電平對應(yīng)于晶體管31的截止電平，第j列的晶體管31具有截止狀態(tài)，流過電流鏡像電路Mj和信號線Yj的灰度級指定電流不流動。
隨后，當移位寄存器103將脈沖信號輸出到輸出端Rj+1時，輸入表示第i行、第(j+1)列的灰度級亮度值的電流值的灰度級信號。以與第j列相同的方式，在第(j+1)列的電容器30中充入具有根據(jù)灰度級信號的電流值大小的電荷。此時，即使當?shù)趈列的晶體管Uj、Wj獲得截止狀態(tài)，也會通過晶體管Uj限制在第j列的電容器30中充入的電荷，這樣第j列的晶體管61和62保持導通狀態(tài)。也就是說，晶體管Uj用以根據(jù)在第j列的選擇時間的灰度級信號電流的電流值保持柵極電壓值，即使在第j列的非選擇時間也是如此。
如上所述，當移位寄存器103移動脈沖信號時，具有按照灰度級信號的電流值大小的電荷從第1列的電容器30起依次充入第n列的電容器30。當充入第n列的電容器30的過程結(jié)束時，移位寄存器103的移動一旦結(jié)束，開關(guān)信號輸入端140的開關(guān)信號φ從高電平轉(zhuǎn)換至截止電平。所有的晶體管31同時獲得導通狀態(tài)，所有的晶體管32獲得截止狀態(tài)。此時，由于在所有列的電容器30中充入了電荷，晶體管61、62具有導通狀態(tài)。此外，由于此時是第i行的選擇周期，灰度級指定電流流過在第i行的所有像素電路Di，1至Di，n中的電源掃描線Zi→晶體管23→晶體管21→信號線Y1至Yn→晶體管62→低電壓輸入端142。此時，在第1至n列的任意一列中，通過電流鏡像電路Mj的作用，在電源掃描線Zi→晶體管23→晶體管21→信號線Y1至Yn→晶體管62→低電壓輸入端142的方向上流動的灰度級指定電流的電流值是通過在灰度級信號輸入端170→晶體管61→低電壓輸入端142的方向上流動的電流的電流值乘以電流鏡像電路Mj的電流減小率而得到的數(shù)值。
在任意信號線Y1至Yn中，在前一行的選擇周期TSE中經(jīng)過具有高亮度的較大灰度級指定電流，在從晶體管23的源極23到信號線Yj的電流路徑的電容中聚集電荷，電位降低。在此情況下，即使當在下一選擇周期TSE中流過的灰度級指定電流的電流值小，通過在前一復位周期TRESET中施加的復位電壓VR，電流路徑的電位也高。因此，可以迅速地將信號線Y1至Yn的電位設(shè)置為在按照灰度級汲入電流的電位處為穩(wěn)定的。
隨后，選擇掃描驅(qū)動器5和電源掃描驅(qū)動器6的脈沖信號移動至第(i+1)行，獲得第i行的非選擇周期TSE。以與第一實施例相同的方式，更新在第i行的有機EL元件Ei，1至Ei，n的灰度級亮度。
隨后，開關(guān)信號輸入端140達到高電平，移位寄存器103類似地重復從第一列向第n列的脈沖信號的移動。因此，為了更新第(i+1)行的有機EL元件Ei+1，1至Ei+1，n的灰度級亮度，從第1列起在n列的電容器30中依次充入電荷。
在第二實施例中，由于在顯示部分4的外部設(shè)置電流鏡像電路Mj，可以盡量減少為各像素設(shè)置的晶體管的數(shù)量，能夠防止像素的數(shù)值孔徑的下降。由于設(shè)置了電流鏡像電路Mj，即使在由于周圍的噪音或者在灰度級信號輸入端170中的寄生電容使得灰度級信號略微偏離于原本要輸出的電流值的時候，也能夠根據(jù)電流減小率使信號線Yj的灰度級指定電流值的偏離最小化，能夠抑制有機EL元件E的亮度灰度級的偏離。
在圖10中所示的實施例中，設(shè)置晶體管U1至Un，晶體管U1至Un控制電流鏡像電路M1至Mn。然而，如圖12所示，晶體管W1至Wn的源極連接到晶體管61的漏極、晶體管61的柵極和晶體管62的柵極，可省略晶體管U1至Un。
在上述實施例中，開關(guān)電路S1至Sn包括N溝道和P溝道晶體管的CMOS結(jié)構(gòu)，但如圖13所示，設(shè)置與電流鏡像電路M1至Mn相同溝道類型的晶體管。電流/電壓開關(guān)部分107的晶體管可僅包括單溝道型晶體管。以此方式，可以簡化電流/電壓開關(guān)部分107的制造工藝。
此外，電流/電壓開關(guān)部分107的晶體管的溝道類型與顯示部分4中的晶體管21至23的溝道類型相同。于是，在電流/電壓開關(guān)部分107中的晶體管可與在顯示部分4中的晶體管21至23共同形成。如果與顯示部分4的晶體管21至23相同溝道類型的晶體管局部地設(shè)置在電流/電壓開關(guān)部分107中，毫無疑問，可同時形成晶體管。
在圖13中所示的顯示裝置201中，各開關(guān)電路S1至Sn由以下構(gòu)成連接到開關(guān)信號輸入端140的N溝道型晶體管132，其中開關(guān)信號φ輸入到所述開關(guān)信號輸入端140中；連接到開關(guān)信號輸入端143的N溝道型晶體管131，作為開關(guān)信號φ的反轉(zhuǎn)信號的開關(guān)信號φ(是邏輯非)輸入到所述開關(guān)信號輸入端143中。
如圖14所示，晶體管131通過開關(guān)信號φ在選擇周期TSE中獲得導通狀態(tài)，用作使微小灰度級指定電流流過電源掃描線Z1至Zm、晶體管23、晶體管21、信號線Y1至Yn、晶體管62和低電壓輸入端142的開關(guān)，并在復位周期TRESET獲得截止狀態(tài)。晶體管132通過開關(guān)信號φ在選擇周期TSE中獲得截止狀態(tài)，在復位周期TRESET獲得導通狀態(tài)，用作向信號線Y1至Yn施加復位電壓VR的開關(guān)。同樣在如圖1所示的開關(guān)電路S1至Sn中，可采用相同溝道類型的晶體管131、132。各晶體管131可連接到開關(guān)信號輸入端143，開關(guān)信號輸入端140可連接到各晶體管132。即使在此情況下，也可以取得類似的效果。
在圖13所示的實施例中，設(shè)置用于控制電流鏡像電路M1至Mn的晶體管U1至Un。然而，如圖15所示，當晶體管W1至Wn的源極連接到晶體管61的漏極、晶體管61的柵極和62的柵極時，可省略晶體管U1至Un。
本發(fā)明不限于上述實施例，在不脫離本發(fā)明范圍的條件下的設(shè)計中，可以進行各種變化和修改。
例如，在顯示裝置1中，通過從像素Pi，j中選出的汲入電流的電流值在像素Pi，j中指定灰度級亮度。但反之，電流可從信號線Yj經(jīng)過像素Pi，j，像素Pi，j可以以根據(jù)該電流的電流值的灰度級亮度發(fā)光。也可以采用有源矩陣驅(qū)動系統(tǒng)的這種顯示裝置。
即使在這種情況下，開關(guān)電路在各行的選擇周期中使數(shù)據(jù)驅(qū)動器的指定電流經(jīng)過信號線，在選擇周期之間的復位周期中恒定電平的恒電電壓施加到信號線。然而，當亮度灰度級越高，信號線電壓高，信號線電流大。當亮度灰度級低，信號線電壓低，信號線電流小。因此，獲得了這樣的電位關(guān)系使得在圖9B中電壓VR、Vlsb、Vhsb豎直反轉(zhuǎn)。優(yōu)選地，在選擇周期TSE中當有機EL元件E1，1至Em，n以最亮的最大灰度級亮度LMAX發(fā)光時，將復位電壓VR設(shè)置為至少低于最高灰度級電壓Vhsb的電壓，這種最高灰度級電壓Vhsb根據(jù)由灰度級指定電流在信號線Y1至Yn中充滿的電荷設(shè)定為穩(wěn)定的，所述灰度級指定電流具有等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的最大灰度級驅(qū)動電流IMAX的電流值。優(yōu)選地，當各有機EL元件E1，1至Em，n具有最暗的最小的灰度級亮度LMIN時(此外，該電流的電流值超過0A)，將復位電壓設(shè)定為等于或低于中間電壓，此中間電壓具有在最低灰度級電壓Vlsb和最高灰度級電壓Vhsb之間的中間值，更優(yōu)選為等于或低于最低灰度級電壓Vlsb的值，所述最低灰度級電壓Vlsb是指根據(jù)由灰度級指定電流在信號線Y1至Yn中充滿的電荷而設(shè)定成穩(wěn)定的電壓，所述灰度級指定電流具有等于流過有機EL元件E1，1至Em，n的最小灰度級驅(qū)動電流IMIN的電流值。
此外，在此情況下，可適當改變像素Pi，j的電路。當選擇掃描線時，流過信號線的指定電流經(jīng)過像素電路以將指定電流的電流值轉(zhuǎn)換為電壓電平。當沒有選擇掃描線時，流過掃描線的指定電流被切斷。保持沒有選擇掃描線時轉(zhuǎn)換的電壓值。此外，優(yōu)選在各有機EL元件的周圍設(shè)置用于使驅(qū)動電流經(jīng)過有機EL元件的像素電路，所述驅(qū)動電流具有根據(jù)所保持的電壓值的電平。
在此實施例中，有機EL元件用作發(fā)光元件。然而，例如，也可以采用這樣的發(fā)光元件，當施加反向偏壓時電流不流動，而施加正向偏壓時電流流動，并且這種發(fā)光元件可以以根據(jù)流過其中的電流大小的亮度發(fā)光。除了有機EL元件之外，發(fā)光元件的例子還可包括發(fā)光二極管(LED)元件。
根據(jù)本發(fā)明，當選擇預定行的像素時，灰度級電流流過各信號線。即使當在由流過前一行像素的信號線的灰度級電流而設(shè)定為穩(wěn)定的電壓和由流過下一行像素的信號線的灰度級電流而設(shè)定為穩(wěn)定的電壓之間的差別大時，下一像素的灰度級電流的電流值小，在下一行之前復位電壓施加到信號線，這樣信號線能夠迅速地以根據(jù)下一行灰度級電流的電壓設(shè)置成穩(wěn)定的。
因此，在選擇下一掃描線之后，流過發(fā)光元件的驅(qū)動電流的電流值與指定電流的電流值相同，發(fā)光元件以所需要的亮度發(fā)光。也就是說，在沒有延長選擇各掃描線的周期的條件下，發(fā)光元件以所需要的亮度發(fā)光。因此，顯示屏不閃爍，顯示裝置的顯示質(zhì)量高。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括多個像素，這些像素設(shè)置在沿多個行設(shè)置的多條掃描線和沿多個列設(shè)置的多條信號線的交叉部分，并且這些像素包括多個光學元件，這些光學元件通過根據(jù)來自信號線的灰度級電流而流動的驅(qū)動電流進行光學操作；和復位裝置，根據(jù)由灰度級電流在信號線中充入的電荷將信號線的電位設(shè)定為復位電壓，其中復位電壓是信號線中的最高灰度級電壓和信號線中的最低灰度級電壓之間的電壓或者該最低灰度級電壓，最高灰度級電壓是在等于流過光學元件的最高灰度級驅(qū)動電流的灰度級電流在信號線中保持穩(wěn)定時的電壓，最低灰度級電壓是在等于流過光學元件的最低灰度級驅(qū)動電流的灰度級電流在信號線中保持穩(wěn)定時的電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中所述復位裝置在預定行的選擇周期中使灰度級電流流過信號線，并且在選擇周期之后和下一行的選擇周期之前將信號線的電位設(shè)定為復位電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中復位裝置包括用于灰度級電流的晶體管，該晶體管使灰度級電流流過信號線；和用于復位電壓的晶體管，該晶體管將信號線的電位設(shè)定為復位電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中復位裝置包括電流鏡像電路，根據(jù)灰度級信號產(chǎn)生灰度級電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示裝置，進一步包括移位寄存器，并且其中復位裝置包括灰度級信號開關(guān)裝置，該裝置用于根據(jù)來自移位寄存器的灰度級信號向?qū)?yīng)于各列的電流鏡像電路選擇性地提供灰度級信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，進一步包括數(shù)據(jù)驅(qū)動器，并且其中復位裝置包括用于灰度級電流的晶體管，此晶體管使灰度級電流從數(shù)據(jù)驅(qū)動器流過信號線；和用于復位電壓的晶體管，此晶體管將信號線的電位設(shè)定為復位電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中復位電壓高于在信號線中的最高灰度級電壓，最高灰度級電壓是在等于流過光學元件的最高灰度級驅(qū)動電流的灰度級電流在信號線中保持穩(wěn)定時的電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中各像素包括向光學元件提供驅(qū)動電流的像素電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的顯示裝置，其中在預定行的像素中的像素電路包括電荷保持裝置，用于在預定行的選擇周期中根據(jù)流過信號線的灰度級電流保持電荷；驅(qū)動電流開關(guān)裝置，用于在預定行的選擇周期之后使驅(qū)動電流流過光學元件，所述驅(qū)動電流的電流值等于根據(jù)由電荷保持裝置保持的電荷的灰度級電流的電流值；和灰度級電流控制開關(guān)裝置，用于控制經(jīng)由驅(qū)動電流開關(guān)裝置流過信號線的灰度級電流的流動。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的顯示裝置，其中在預定行的像素中的像素電路的灰度級電流控制開關(guān)裝置在預定行的選擇周期中使灰度級電流經(jīng)由驅(qū)動電流開關(guān)裝置流過信號線以在電荷保持裝置中保持電荷，并且在預定行的發(fā)光周期中阻止灰度級電流流過驅(qū)動電流開關(guān)裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的顯示裝置，其中驅(qū)動電流開關(guān)裝置具有晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的顯示裝置，其中驅(qū)動電流開關(guān)裝置具有驅(qū)動晶體管，和灰度級電流控制開關(guān)裝置，包括電流路徑控制晶體管，其源極和漏極分別連接到信號線和驅(qū)動晶體管的源極；和數(shù)據(jù)寫入控制晶體管，其源極連接到驅(qū)動晶體管的柵極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的顯示裝置，其中復位電壓高于在信號線中的最高灰度級電壓，最高灰度級電壓是在等于流過光學元件的最高灰度級驅(qū)動電流的灰度級電流在信號線和驅(qū)動晶體管的源極中保持穩(wěn)定時的電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的顯示裝置，其中復位電壓是信號線中的最高灰度級電壓和信號線中的最低灰度級電壓之間的電壓，最高灰度級電壓是在等于流過光學元件的最高灰度級驅(qū)動電流的灰度級電流在信號線和驅(qū)動晶體管的源極中保持穩(wěn)定時的電壓，最低灰度級電壓是在等于流過光學元件的最低灰度級驅(qū)動電流的灰度級電流在信號線和驅(qū)動晶體管的源極中保持穩(wěn)定時電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的顯示裝置，其中復位電壓等于信號線中的最低灰度級電壓，最低灰度級電壓是在等于流過光學元件的最低灰度級驅(qū)動電流的灰度級電流在信號線和驅(qū)動晶體管的源極中保持穩(wěn)定時的電壓。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的顯示裝置，其中，當光學元件表現(xiàn)光學性能時，復位電壓等于施加到驅(qū)動晶體管的漏極的電壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中光學元件包括光學EL元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中光學元件包括發(fā)光二極管。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中驅(qū)動電流的電流值等于灰度級電流的電流值。
20.一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置包括多個像素，這些像素設(shè)置在沿多個行布置的多條掃描線和沿多個列布置的多條信號線的交叉部分，并且這些像素包括多個光學元件，所述光學元件通過根據(jù)來自信號線的灰度級電流流動的驅(qū)動電流進行光學操作，該方法包括使灰度級電流流過信號線的灰度級電流步驟；和根據(jù)由灰度級電流在信號線中充入的電荷將電位置換為復位電壓的電壓復位步驟；其中在預定行像素的灰度級電流流過信號線之后、并在下一行像素的灰度級電流流過信號線之前，執(zhí)行復位電壓步驟。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的驅(qū)動方法，其中在選擇周期中執(zhí)行灰度級電流步驟，并且在選擇周期之后，各光學元件通過根據(jù)灰度級電流流動的驅(qū)動電流進行光學操作。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的顯示裝置的驅(qū)動方法，其中每個像素包括向光學元件提供驅(qū)動電流的像素電路。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在預定行的像素中的像素電路包括電荷保持裝置，用于在預定行的選擇周期中根據(jù)流過信號線的灰度級電流保持電荷；驅(qū)動電流開關(guān)裝置，用于在預定行的光學操作周期中使驅(qū)動電流流過光學元件，所述驅(qū)動電流的電流值等于根據(jù)由電荷保持裝置保持的電荷的灰度級電流的電流值；和灰度級電流控制開關(guān)裝置，用于經(jīng)由驅(qū)動電流開關(guān)裝置控制流過信號線的灰度級電流的流動。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在預定行的像素中的像素電路的灰度級電流控制開關(guān)裝置在預定行的選擇周期中經(jīng)由驅(qū)動電流開關(guān)裝置使灰度級電流流過信號線以在電荷保持裝置中保持電荷，并且在預定行的光學操作周期中阻止灰度級電流流過驅(qū)動電流開關(guān)裝置。
25.一種顯示裝置的驅(qū)動方法，該顯示裝置包括多個像素，這些像素設(shè)置在沿多個行布置的多條掃描線和沿多個列布置的多條信號線的交叉部分，并且這些像素包括多個光學元件，所述光學元件通過根據(jù)來自信號線的灰度級電流流動的驅(qū)動電流進行光學操作，該方法包括使灰度級電流流過信號線的灰度級電流步驟；和根據(jù)由灰度級電流在信號線中充入的電荷將電位置換為復位電壓的電壓復位步驟，其中根據(jù)由具有等于流過光學元件的最高灰度級驅(qū)動電流的電流值的灰度級電流在信號線中充入的電荷、將復位電壓設(shè)置成高于穩(wěn)定的最高灰度級電壓，最高灰度級驅(qū)動電流是在光學元件以最高的灰度級進行光學操作的情況下的電流。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的顯示裝置的驅(qū)動方法，其中驅(qū)動電流的電流值等于灰度級電流的電流值。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的顯示裝置的驅(qū)動方法，其中光學元件包括有機EL元件。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的驅(qū)動方法，其中在選擇周期中執(zhí)行灰度級電流步驟，并且在選擇周期之后，各光學元件通過根據(jù)灰度級電流流動的驅(qū)動電流進行光學操作。
29.根據(jù)權(quán)利要求25的顯示裝置的驅(qū)動方法，其中每個像素包括向光學元件提供驅(qū)動電流的像素電路。
30.根據(jù)權(quán)利要求29的顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在預定行的像素中的像素電路包括電荷保持裝置，用于在預定行的選擇周期中根據(jù)流過信號線的灰度級電流保持電荷；驅(qū)動電流開關(guān)裝置，用于在預定行的光學操作周期中使驅(qū)動電流流過光學元件，所述驅(qū)動電流的電流值等于根據(jù)由電荷保持裝置保持的電荷的灰度級電流的電流值；和灰度級電流控制開關(guān)裝置，用于經(jīng)由驅(qū)動電流開關(guān)裝置控制流過信號線的灰度級電流的流動。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的顯示裝置的驅(qū)動方法，其中在預定行的像素中的像素電路的灰度級電流控制開關(guān)裝置包括在預定行的選擇周期中經(jīng)由驅(qū)動電流開關(guān)裝置使灰度級電流流過信號線以在電荷保持裝置中保持電荷的功能；和在預定行的光學操作周期中阻止灰度級電流流過驅(qū)動電流開關(guān)裝置的功能。
全文摘要
一種顯示裝置，包括信號線，電流提供到每條信號線上以獲得任意電流值；光學元件，各光學元件根據(jù)流過信號線的電流的電流值進行光學操作；和穩(wěn)定電壓提供電路，用于提供穩(wěn)定電壓以便將流過信號線的電流的電流值設(shè)定成穩(wěn)定的。
文檔編號G09G3/32GK101071538SQ20071010636
公開日2007年11月14日 申請日期2003年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月20日
發(fā)明者佐藤和仁, 山田裕康 申請人:卡西歐計算機株式會社