專利名稱：圖像顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有機EL顯示器等圖像顯示裝置。
技術背景以往提出了一種圖像顯示裝置，其利用了具有通過注入到發(fā)光層的空 穴與電子發(fā)光復合而產(chǎn)生光的功能的電流控制型有機EL (Electronic Luminescent)兀件。在這種圖像顯示裝置中，由非晶硅或多晶硅等形成的TFT (薄膜晶體 管)與上述的有機EL元件等構成了各像素，通過對各像素設定適當?shù)碾?流值，來控制亮度。圖13是表示現(xiàn)有的圖像顯示裝置中的與一個像素對應的像素電路的 構成圖。該圖所示的像素電路具備作為發(fā)光機構的有機EL元件OLED、 有機EL元件電容Coled、作為驅(qū)動機構的驅(qū)動晶體管Td、閾值電壓檢測 用晶體管Tth、作為第一電容元件的輔助電容Cs、開關晶體管T1及開光 晶體管T2而構成。驅(qū)動晶體管Td是用于根據(jù)在柵電極(控制電極)與源電極(第一電 極)之間施加的電位差，對有機EL元件OLED中流過的電流量進行控制 的控制元件。另外，閾值電壓檢測用晶體管Tth在自身處于導通狀態(tài)時， 具有將驅(qū)動晶體管Td的柵電極(控制電極)和漏電極(第二電極)電連 接的功能。如果閾值電壓檢測用晶體管Tth處于導通狀態(tài)，則從驅(qū)動晶體 管Td的柵電極向漏電極流動電流，在實質(zhì)上不流動該電流時，驅(qū)動晶體 管Td的柵電極 源電極之間的電位差實質(zhì)上成為閾值電壓Vth。有機EL元件OLED是當在陽電極與陰電極之間施加有機EL元件 OLED的閾值電壓以上的電位差時，具有流過電流并發(fā)光的特性的元件。 有機EL元件OLED具有至少具備下述各層的構造由Al、Cu、ITO(Indium Tin Oxide)等形成的陽極層及陰極層、和在這些陽極層與陰極層之間由酞
菁、三鋁配位化合物、苯并喹啉醇化物、鈹配位化合物等有機系材料形成的發(fā)光層。而且，有機EL元件OLED具有通過注入到發(fā)光層中的空穴和 電子基于發(fā)光復合而產(chǎn)生光的功能。另外，有機EL元件電容Coled是等 價表示有機EL元件OLED的電容的元件。驅(qū)動晶體管Td、閾值電壓檢測用晶體管Tth、開關晶體管T1及開關 晶體管T2例如是薄膜晶體管。此外，在以下參照的各附圖中，針對各薄 膜晶體管的溝道沒有特別明示其類型(n型或p型)，但可以是n型或p 型中的任意一個，設定為遵照本說明書中的記載。電源線10向驅(qū)動晶體管Td及開關晶體管T2供給電源。Tth控制線 11提供用于控制閾值電壓檢測用晶體管Tth的信號。合并線12提供用于 控制開光晶體管T2的信號。掃描線13提供用于控制開關晶體管Tl的信 號。圖像信號線14提供圖像信號。在上述構成中，像素電路經(jīng)過準備期間、閾值電壓檢測期間、寫入期 間及發(fā)光期間這四個期間而動作。即，在準備期間中，按照對電源線10 施加規(guī)定的正電位(Vp， Vp>0)，閾值電壓檢測用晶體管Tth截止，開 關晶體管T1截止，驅(qū)動晶體管Td導通，開關晶體管T2導通的方式進行 控制。結(jié)果，電流沿著電源線10—驅(qū)動晶體管Td—有機EL元件電容Coled 的路徑流動，使得電荷被蓄積于有機EL元件電容Coled。在接下來的閾值電壓檢測期間中，按照對電源線10施加零電位，閾 值電壓檢測用晶體管Tth導通的方式進行控制，使得驅(qū)動晶體管Td的柵 電極與漏電極連接。由此，蓄積于輔助電容Cs及有機EL元件電容Coled 的電荷被放電，電流沿著驅(qū)動晶體管Td—電源線10的路徑流動。然后， 當驅(qū)動晶體管Td的柵電極一漏電極間的電位差達到與驅(qū)動晶體管Td的驅(qū) 動閾值對應的閾值電壓Vth時，驅(qū)動晶體管Td截止。在接下來的寫入期間中，電源線10的電位維持零電位，開關晶體管 Tl導通，開關晶體管T2截止，蓄積于有機EL元件電容Coled的電荷被放 電。結(jié)果，電流沿著有機EL元件電容Coled—閾值電壓檢測用晶體管Tth —輔助電容Cs的路徑流動，電荷蓄積于輔助電容Cs。即，蓄積于有機EL 元件電容Colde的電荷移動到輔助電容Cs中。在接下來的發(fā)光期間中，按照對電源線IO施加規(guī)定的負電位(一VDD， VDD〉0)，驅(qū)動晶體管Td導通，閾值電壓檢測用晶體管Tth截止，開關晶 體管T1截止的方式進行控制。結(jié)果，電流沿著有機EL元件OLED—驅(qū)動晶 體管Td—電源線10的路徑流動，從而有機EL元件OLED發(fā)光。非專利文獻l:S.Ono et al.， Proceedings ofIDW '03， 255 (2003)然而，公知在驅(qū)動TFT中流動的電流Ids，與柵電極相對源電極間的 電位差Vgs (柵電極電位Vg—源電極電位Vs)禾Q TFT固有的閾值電壓 Vth之差的平方成比例。因此，為了得到鮮明的圖像，需要盡可能地增大 該Vgs。另一方面，存在發(fā)光亮度為最高電平時和最低電平時對驅(qū)動TFT施加 的Vgs的電位差、即被稱作"Vgs振幅"(二AVgs)的指標；和由該"Vgs 振幅"、與發(fā)光亮度為最高電平時和最低電平時對像素信號線供給的電位 之差、即被稱作"像素信號線振幅"的指標(AVdata)之比表示的、被 稱為"寫入效率"(=AVgs/AVdata)的指標。在這些指標之間，由于具 有如果像素信號線振幅增大則Vgs振幅也增大的關系，所以，從使驅(qū)動IC 小型化、確保設計容易性的觀點出發(fā)，后者的寫入效率成為重要的指標。因此，為了在上述的圖像顯示裝置中確保設計的容易性，要求提高寫 入效率。但是，提高圖像顯示裝置的寫入效率并不容易。尤其是在各像素電路 的晶體管中存在被稱作寄生電容的成分時，難以對因該寄生電容而降低的 寫入效率進行改善。圖14是表示在圖13所示的像素電路中產(chǎn)生的寄生電容等的圖。如該 圖所示，現(xiàn)有的圖像顯示裝置中，在驅(qū)動晶體管Td的柵電極附近存在寄 生電容CgdTd及寄生電容CgsTd，并且，在閾值電壓檢測用晶體管Tth的 柵電極附近也存在寄生電容CgdTh及寄生電容CgsTth。公知這些寄生電容成為使有機EL元件OLED的寫入效率降低的因 素，從以往至今，迫切希望能夠有效減少因這些寄生電容而引起的不良影 響的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的發(fā)明，其目的在于，提供一種可改善 寫入效率的圖像顯示裝置。為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種圖像顯示裝置，具備發(fā)光機構; 驅(qū)動機構，其具有控制端子、第一端子及第二端子，通過根據(jù)該控制端子 與該第一端子的電位差控制在該第一端子與該第二端子之間流動的電流， 來控制所述發(fā)光機構的發(fā)光；第一電容元件，其一個電極與所述驅(qū)動機構 的控制端子直接或間接連接，另一個電極與提供和圖像數(shù)據(jù)對應的電位的 信號線直接或間接連接；和第二電容元件，其在經(jīng)由所述信號線向所述第 一電容元件寫入所述圖像數(shù)據(jù)的寫入期間中，與所述第一電容元件電氣串 聯(lián)連接。而且，下一個發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，在所述寫入期間 中，所述第一電容元件及所述發(fā)光機構電氣串聯(lián)連接。并且，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，在所述寫入期 間中，所述第二電容元件及所述發(fā)光機構電氣并聯(lián)連接。另外，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，還具備配置在 所述驅(qū)動機構的所述控制端子與所述第二電容元件之間，對所述控制端子 和所述第二電容元件之間的導通進行控制的開關元件，所述開關元件在所 述寫入期間中，將所述驅(qū)動機構的所述控制端子與所述第二電容元件電連 接。而且，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，所述開關元件 在所述發(fā)光元件的發(fā)光期間中，將所述驅(qū)動機構的所述控制端子與所述第 二電容元件之間的電連接切斷。并且，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，還具備與所述 第二電容元件連接，在所述寫入期間中電位被保持近似一定的電位線。另外，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，所述電位線與 所述驅(qū)動機構的所述第一端子或所述第二端子電連接。此外，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，所述電位線是 對所述開關元件的驅(qū)動進行控制的控制線。而且，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，所述第二電容 元件的電容值是所述發(fā)光機構所具有的電容值的10%以上。并且，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明中任意一項的圖像顯示裝置提出， 其特征在于，具有顯示相互不同顏色的第一 第三像素，所述第一 第三 像素至少具有所述發(fā)光機構、所述驅(qū)動機構、所述第一電容元件及所述第 二電容元件，在將所述第一 第三各像素的所述第二電容元件的電容值與所述發(fā)光元件具有的電容值之和分別設為C suml、Csum2及Cs um3時，該Csuml、 Csum2及Csum3的每一個具有該C s u m 1 C s u m 3的最大值的80%以上的值。另外，接下來的發(fā)明提供一種圖像顯示裝置，具備發(fā)光機構；驅(qū)動 機構，其具有控制端子、第一端子及第二端子，通過根據(jù)該控制端子與該 第一端子的電位差控制在該第一端子與該第二端子之間流動的電流量，來 控制所述發(fā)光機構的發(fā)光；信號線，其供給用于產(chǎn)生電位差的寫入電位， 所述電位差被施加在經(jīng)由信號線被供給與所述發(fā)光機構的發(fā)光亮度對應 的寫入電位的驅(qū)動機構的所述控制端子與所述第一端子之間、或所述控制 端子與所述第二端子之間的任意一方；驅(qū)動機構；以及電容元件，其將所 述發(fā)光機構的發(fā)光亮度為最高電平時和最低電平時對所述驅(qū)動機構施加 的所述電位差的差分AV、與所述發(fā)光機構的發(fā)光亮度為最高電平時和最 低電平時對所述信號線供給的所述寫入電位的差分AVdata之比AV/A Vdata增大。而且，接下來的發(fā)明根據(jù)上述發(fā)明提出，其特征在于，對所述電容元 件單側(cè)的端子提供的電位在寫入電位被供給所述信號線的期間保持為近 似一定。另外，在上述記載中，"間接連接"的意思是以在兩個構成要素(例 如第一電容元件和第二電容元件)之間夾設其他構成要素(晶體管等)的 狀態(tài)，使上述兩個構成要素通過布線連接。另外，"直接連接"的意思是 兩個構成要素不夾設其他構成要素地由布線連接。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，通過在被寫入圖像數(shù)據(jù)的第一電容元件的基礎上，設置 在圖像數(shù)據(jù)寫入期間中與第一電容元件串聯(lián)連接的第二電容元件，可由第 一電容元件良好地反映相對第一電容元件寫入的電位。結(jié)果，具有可以改 善圖像顯示裝置的寫入效率的效果。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的圖像顯示裝置的與一個像素 對應的像素電路的構成圖。圖2是用于說明實施方式1的動作的時序圖。圖3是說明圖2所示的準備期間的動作的圖。圖4是說明圖2所示的閾值電壓檢測期間的動作的圖。圖5是說明圖2所示的寫入期間的動作的圖。圖6是說明圖2所示的發(fā)光期間的動作的圖。圖7是表示本發(fā)明的實施方式2所涉及的圖像顯示裝置的與一個像素 對應的像素電路的構成圖。圖8是表示本發(fā)明的實施方式3所涉及的圖像顯示裝置的與一個像素 對應的像素電路的構成圖。圖9是用于說明實施方式3的動作的時序圖。圖10是表示本發(fā)明的實施方式4所涉及的圖像顯示裝置的與一個像素對應的像素電路的構成圖。圖11是表示與圖IO所示的像素電路不同的其他構成例的圖。圖12是表示與圖10及圖ll所示的像素電路不同的其他構成例的圖。圖13是表示現(xiàn)有的圖像顯示裝置的與一個像素對應的像素電路的構成圖。圖14是表示在圖13所示的像素電路中產(chǎn)生的寄生電容等的圖。 圖中10、 40—電源線，11—Tth控制線，12—合并線，13 —掃描線， 14、 41一圖像信號線，42—Tth控制/掃描線，OLED—有機EL元件，Td、 Td' —驅(qū)動晶體管，Tth、 Tth' —閾值電壓檢測用晶體管，Tl、 T2 —開關晶 體管，Cs —輔助電容，Cs2 —追加電容。
具體實施方式
下面參照附圖，對本發(fā)明所涉及的圖像顯示裝置的各種實施方式進行 詳細說明。其中，本發(fā)明不被這些實施方式限定。 (實施方式1)
圖1是表示本發(fā)明的實施方式1所涉及的圖像顯示裝置的與一個像素 對應的像素電路的構成圖。在該圖中，對與圖14的各部對應的部分賦予 相同的符號進行表示。另一方面，在圖l所示的像素電路中，具備作為第二電容元件的追加電容Cs2。追加電容Cs2是用于防止或改善因所述寄生電容等使得寫入效率降低 的電容，例如，其一端與有機EL元件OLED的陰電極(也是驅(qū)動晶體管 Td的漏電極)連接，另一端與電源線IO (也是驅(qū)動晶體管Td的源電極) 連接。接著，參照圖2對實施方式1的動作進行說明。下面，針對準備期間、 閾值電壓檢測期間、寫入期間及發(fā)光期間這四個期間的動作進行說明。其 中，以下所說明的動作在控制部(未圖示)的控制下進行。 (準備期間)在該圖所示的準備期間中，設電源線10為高電位(Vp)，合并線12 為高電位(VgH) ， Tth控制線11為低電位(VgL),掃描線13為低電 位(VgL)，圖像信號線14為零電位。由此，如圖3所示，閾值電壓檢測 用晶體管Tth截止，開關晶體管T1截止，驅(qū)動晶體管Td導通，開關晶體 管T2導通。結(jié)果，電流Il沿著電源線10—驅(qū)動晶體管Td—有機EL元件 電容Coled的路徑流動，使得電荷蓄積于有機EL元件電容Coled。在該準 備期間中，將電荷蓄積到有機EL元件的理由在于在驅(qū)動閾值檢測時， 供給電流直到Ids二O為止。 (閾值電壓檢測期間)在接下來的閾值電壓檢測期間中，設電源線10為零電位，合并線12 為高電位(VgH) ， Tth控制電ll為高電位(VgH)，掃描線13為低電位 (VgL)，圖像信號線14為零電位。由此，如圖14所示，閾值電壓檢測 用晶體管Tth導通，使得驅(qū)動晶體管Td的柵電極和漏電極連接。另外，蓄積于輔助電容Cs及有機EL元件電容Coled的電荷被放電， 電流12沿著驅(qū)動晶體管Td—電源線10的路徑流動。而且，當驅(qū)動晶體管 Td的柵電極一源電極間的電位差Vgs達到閾值電壓Vth時，驅(qū)動晶體管 Td處于截止狀態(tài)，可檢測出驅(qū)動晶體管Td的閾值電壓Vth。 (寫入期間)在接下來的寫入期間中，通過將來自圖像信號線的數(shù)據(jù)電位(一Vdata)直接或間接提供給輔助電容Cs，可以使驅(qū)動晶體管Td的柵電極電 位變?yōu)槠谕碾娢弧＞唧w而言，設定成電源線10為零電位，合并線12為 低電位(VgL)， Tth控制線11為高電位(VgH),掃描線13為高電位(VgH)， 圖像信號線14為數(shù)據(jù)電位(一Vdata)。而且，此時輔助電容Cs與有機 EL元件電容Coled電氣串聯(lián)連接，追加電容Cs2與有機EL元件電容Coled 電氣并聯(lián)連接。由此，如圖5所示，開關晶體管T1導通，開關晶體管T2截止，蓄積 于有機EL元件電容Coled的電荷被放電。結(jié)果，電流I3沿著有機EL元 件電容Coled—閾值電壓檢測用晶體管Tth—輔助電容Cs的路徑流動，電 荷被蓄積到輔助電容Cs。 g卩，蓄積于有機EL元件電容Coled的電荷移動 到輔助電容Cs。這里，在假定不存在追加電容Cs2的情況下，寫入期間中的驅(qū)動晶體 管Td的Vgs可由下式表示。其中，針對下述(2)式 (7)式也進行了 該假定。<formula>formula see original document page 12</formula>(1)在式(1)中，Call是閾值電壓檢測用晶體管Tth導通時與驅(qū)動晶體 管Td的柵電極直接連接的總電容，可以如下式那樣進行表示。<formula>formula see original document page 12</formula> (2)在式(2)中，Coled是有機EL元件0LED的等價電容，CgsTth是閾 值電壓檢測用晶體管Tth的柵電極一源電極之間的寄生電容，CgdTth是閾 值電壓檢測用晶體管Tth的柵電極一漏電極間的寄生電容，CgsTd是驅(qū)動 晶體管Td的柵電極一源電極間的寄生電容。另外，在寫入期間中，由于閾值電壓檢測用晶體管Tth導通，驅(qū)動晶 體管Td的柵電極*漏電極連接，使得兩端成為近似相同電位，所以，寄 生電容CgdTd不產(chǎn)生影響。而且，優(yōu)選輔助電容Cs與有機EL元件電容 Coled的關系為Cs〈Coled。 (發(fā)光期間)在接下來的發(fā)光期間中，設電源線IO為負電位(一VDD)，合并線12 為高電位(VgH) ， Tth控制線ll為低電位(VgL)，掃描線13為低電位 (VgL)，圖像信號線14為零電位。由此，如圖6所示，驅(qū)動晶體管Td導通，閾值電壓檢測用晶體管Tth 截止，開關晶體管T1截止。結(jié)果，電流Ids沿著有機EL元件OLED—驅(qū)動 晶體管Td—電源線10的路徑流動，使得有機EL元件OLED發(fā)光。當前，在將此時的電位，即發(fā)光期間中的驅(qū)動晶體管Td的柵電極一 源電極間的電位差設為Vgs'，將由上述(1)式求出的寫入期間的驅(qū)動晶 體管Td的柵電極一源電極間的電位差設為Vgs時，如果使用由上述(2) 式表示的寫入期間的總電容Call (閾值電壓檢測用晶體管Tth導通時)、 和由下述(3)式表示的發(fā)光期間的總?cè)萘緾air (閾值電壓檢測用晶體 管Tth非導通時)，則滿足下述(4)式表示的電荷保存的法則。Call' = Cs + CgsTth+CgsTd+CgdTd ( 3 )Cs . (Vgs+Vdata)十CgsTth(Vgs—VgH)+CgsTd Vgs =(Cs + CgsTd) Vgs' + CgsTth (Vgs'— VgL) + CgdTd (Vgs' — Vds)( 4 )其中，在上述(4)式中不存在(2)式中的Coled及CgdTh的項，其 原因在于，在發(fā)光期間中閾值電壓檢測用晶體管Tth為非導通，蓄積于 Coled及CgdTh的電荷在寫入期間不移動。如果使用上述(4)式的關系，則發(fā)光期間中的驅(qū)動晶體管Td的柵電 極一源電極間的電位差Vgs'可如(5)式那樣表示。Vgs'二((Cs+CgsTth+CgsTd) (Vth—(Cs/Cal1) Vdata)+Cs Vdata 十CgsTth ■ (VgL—VgH)+CgdTd Vds)/Call' … ( 5 )如果將實際的Vgs的振幅(AVgs)與像素信號線的振幅(AVdata) 之比的寫入效率(AVgs/AVdata)設為n ，則在Vgs，相對Vdata大致線 性變化的情況下，該n由下式表示。ri 二 △ Vgs/A Vdata"3 Vgs'/a Vdata ,… (6. 1)另外，假設Vgs，， =Vgs，十(CgdTd/Call，)Vds ■ , ■ (6. 2)。如果將式(5)帶入式(6.2)的Vgs'，則滿足Vgs"二((Cs + CgsTth+CgsTd) (Vth—(Cs/Ca11) Vdata)+Cs Vdata一CgsTth VgH—CgsTth VgL)/Call'. ( 6 . 3 )，依賴于Vdata的Vds項消失。
并且，若此處設；=3Vgs73Vdata . (6. 4)，則由于在 式(6.4)中依賴于Vdata的Vds項消失，所以成為<formula>formula see original document page 14</formula> ( 6 . 5 )。而且，式(6.1)可變形成<formula>formula see original document page 14</formula> ... ( 7 )。這里，由于8Vgs73Vgs'可近似為1 +(CgdTd/Call')'(3Vds/3Vgs')" 1 , 所以n";， 滿足n"Cs' (Coled + CgdTth)/(Ca11Call')(8)。因此，式(8)表示寫入效率。另外，若考慮驅(qū)動IC的耐壓及像素信號線電位的調(diào)整范圍，則寫入 效率越大越好。但是由(8)式可知在將有機EL元件OLED作為電容使 用的這種電路中，因寄生電容成分而無法充分提高寫入效率。因此，在本實施方式中，通過設置追加電容Cs2，解決了該問題。下 面，針對寄生電容成分存在情況下的追加電容Cs2的寫入效率改善作用進 行詳細敘述。首先，具備追加電容Cs2時的寫入期間中的驅(qū)動晶體管Td的柵電極一源電極間電位差Vgs可由下式表示。Vgs = Vth—(Cs/(Call + Cs2)) ■ Vdata , , ■ (9)因此，通過將上述(9)式代入到上述(4)式，具備追加電容Cs2時的發(fā)光期間中的驅(qū)動晶體管Td的柵電極一源電極間電位差Vgs'可如下式那樣表示。Vgs'二Cs (Coled+CgdTth+Cs2)/((Call+Cs2) Call') Vdata 十((Cs+CgsTth+CgsTd) Vth+CgsTth (VDD+VgL—VgH) 十CgdTd Vds)/Call' (10)從而，具備追加電容Cs2時的寫入效率n'可由下式表示。rT二Cs (Coled+CgdTth+Cs2)/((Call+Cs2) . Call') . (1 1)如果根據(jù)這些公式(8) 、 (ii)求取n'/n，則<formula>formula see original document page 14</formula>=[1+Cs2/(Coled+CgdTth)]/( 1+Cs2/Call) (12) 在式(12)中，由于存在著Call〉Coled + CgdTth的關系，且n'/r] 總為1以上，所以可知通過設置追加電容Cs2能夠改善寫入效率。另外， 由于追加電容Cs2越大寫入效率越高，所以，優(yōu)選追加電容Cs2的電容值 為Coled的10X以上(更優(yōu)選為Coled的30%以上)。現(xiàn)在，試著求取實際像素電路中的寫入效率。例如，當作為典型的值 設Coled二O. 32pF， Cs = 0. 15pF， Cs2 = 0. 2p F， CgdTth = CgsTth = 0. OlpF， CgdTd = Cgs Td = 0. 03pF時，不具備追加電容Cs2時的寫入效率T]根據(jù)(2) 式、(3)式以及(8)式，為II = 0 . 4 3 3 。另一方面，具備追加電容Cs2時的寫入效率il'根據(jù)(2)式、(3) 式以及(11)式，為n， 二 0 . 5 0 2 。在該實例中，通過具備Cs2，寫入效率的差分值(A n)與不具備追 加電容Cs2時的寫入效率(rO之比(A n / n )成為(0 . 5 0 2 — 0 . 4 33)/0. 433^0. 16，可以使寫入效率大約改善(提高)16%。 另外，如果最大限度地使用追加電容Cs2的電容值，則可進一步提高寫入 效率的改善度。然而， 一般有機EL元件OLED的電容在紅、綠及藍的各像素中不同。 因此，為了使寫入效率近似相等，在將紅、綠以及藍的各有機EL元件OLED 的電容分別設為C 0ledr、Coledg、Coledb，將紅、綠 及藍的追加電容分別設為C s 2 r， C s 2 g及C s 2 b時，優(yōu)選將Co ledr + Cs2r、 Coledg + Cs2g、 Coledb + Cs2 b的所有值設定在這些值中最大值的80% 100。％ (更優(yōu)選為95% 100 %)的范圍內(nèi)。另外，如果固有的發(fā)光效率按各種顏色存在差異，則紅、綠及藍的各 像素電路中所必要的Vgs振幅(A V g s )有時不同。當前，將各種顏色 的寫入效率設為ri r = (Coledr + Cs2r + CgdTth)/(Coledr + Cs2r + Cs + CgsTth + CgdTth 十CgsTd)n g=(Coledg+Cs2g+CgdTth)/(Coledg+Cs2g+Cs + CgsTth+CgdTth
十CgsTd)i] b = (Coledb + Cs2b + CgdTth)/(Coledb+Cs2b + Cs + CgsTth+CgdTth 十CgsTd)，將各種顏色所必要的A V g s的最大值設為AVgsmaxr、 △ Vgs隨g、 AVgsmaxb。此時，如果按照△ Vgsmaxr/ri r、 △ Vgsmaxg/n g、 A Vgsmaxb/ n b的最小值成為△ Vgsmaxr/ n r、 A Vgsmaxg/ n g、 A Vgsmaxb/ nb的最大值的90%以上(更優(yōu)選為95%以上)的方式設定C s 2 r， C s 2 g， C s 2 b，則各種顏色都能夠以近似相等的像素信號線振幅(A Vdata)得到期望的V g s振幅(A V g s )。如以上所說明那樣，根據(jù)本實施方式的圖像顯示裝置，由于設置了上 述的追加電容Cs2，所以，可減小存在于驅(qū)動晶體管Td (驅(qū)動機構)與閾 值電壓檢測用晶體管Tth (閾值電壓檢測機構)等的寄生電容的影響，從 而可提高基于寄生電容的寫入效率。另外，在本實施方式中，針對作為將閾值電壓檢測機構及驅(qū)動機構具 體化的元件，使用了非晶硅TFT或多晶TFT的情況進行了說明，但也可以 取而代之，使用多晶硅TFT等其他的TFT。(實施方式2)在上述圖1所示的實施方式1中，追加電容Cs2的一端與有機EL元 件OLED的陰電極連接，另一端與電源線10連接，但不限定于該構成。例 如，也可以將追加電容Cs2的另一端與Tth控制線ll連接。而且，除了 Tth控制線ll以外，還可以與固定電位(定電位)的接地線等連接。其中，上面提及的固定電位不需要在準備期間、閾值電壓檢測期間、 寫入期間及發(fā)光期間的全部期間中都為定電位，只要至少在寫入期間中維 持定電位即可。而且，該定電位不需要是嚴格意義上的定電位，是在通過追加電容Cs2 能夠得到寫入效率的增大作用的主旨范圍內(nèi)，可容許規(guī)定的電位變動而得 到的定電位。另外，圖7是本發(fā)明的實施方式2所涉及的構成例，表示了追加電容 Cs2與控制閾值電壓檢測用晶體管Tth的Tth控制線11連接的構成例。 此外，在上述的實施方式l中，舉例說明了將追加電容Cs2應用于圖
1所示的構成的像素電路的情況，但如果是具有驅(qū)動晶體管和閾值電壓檢 測用晶體管的像素電路，則也能夠應用于所有連接方式的像素電路?？偠灾?，只要將具備實施方式l中所說明的要件的追加電容Cs2與驅(qū)動晶體管的柵電極連接即可。(實施方式3)圖8是表示本發(fā)明的實施方式3所涉及的圖像顯示裝置的與一個像素 對應的像素電路的構成圖。該圖所示的像素電路具有與.圖l所示的像素電 路不同的構成。具體而言，有機EL元件OLED的陰電極與電源線10連接， 并且，陽電極與驅(qū)動晶體管Td的源電極連接。而且，驅(qū)動晶體管Td的漏 電極與接地線連接。柵電極與開關晶體管Tl、 T2的連接部連接，并且， 經(jīng)由開關晶體管Tl與像素信號線14間接連接。開關晶體管Tl的柵電極 與掃描線13連接。開關晶體管T2的柵電極與合并線12連接。在驅(qū)動晶 體管Td的柵電極與漏電極之間插入有閾值電壓檢測用晶體管Tth，其柵電 極連接著Tth控制線ll。輔助電容Cs被插入在開關晶體管Tl、 T2的連接 部與有機EL元件OLED的陽電極之間。并且，上述實施方式中所使用的追 加電容Cs2，按照如后所述在圖像信號電位的寫入期間中，其自身與輔助 電容Cs串聯(lián)連接的方式，被插入于輔助電容Cs和電源線10之間。另外，在上述說明中，針對驅(qū)動晶體管Td說明了將與有機EL元件OLED 的陽電極連接的一側(cè)設為源電極，與接地線連接的一側(cè)設為漏電極，但也 可以將這些電極反向構成。接著，參照圖9的時序圖對實施方式3的動作進行說明。其中，與實 施方式1相同，分準備期間、閾值電壓檢測期間、寫入期間及發(fā)光期間四 個期間進行說明。 (準備期間)首先，在準備期間中設電源線10為高電位(Vp)，合并線12為高電 位(VgH) ， Tth控制線11為低電位(VgL)，掃描線13為低電位(VgL)， 圖像信號線14為零電位。由此，閾值電壓檢測用晶體管Tth截止，開關 晶體管T1截止，驅(qū)動晶體管Td導通，開關晶體管T2導通。其中，驅(qū)動 晶體管Td成為導通狀態(tài)是因為從發(fā)光期間開始維持著開關晶體管T2的導 通狀態(tài)，并且，繼續(xù)向驅(qū)動晶體管Td的柵電極供給來自輔助電容Cs的電荷。結(jié)果，由于對驅(qū)動晶體管Td的柵電極施加了相對漏電極比驅(qū)動晶體管Td的閾值電壓大的電壓，而且源電極電位高于漏電極電位，所以，驅(qū) 動晶體管Td的導通狀態(tài)被維持原樣。此時，電流沿著電源線10—有機EL 元件電容Coled (及輔助電容Cs2)—驅(qū)動晶體管Td的線路流動，使得電 荷蓄積于有機EL元件電容Coled及輔助電容Cs2。其中，將電荷蓄積到有 機EL元件OLED或輔助電容Cs2的理由與實施方式1相同，為了在驅(qū)動晶 體管Td的閾值電壓檢測時供給電流直到lds = 0。而且，如圖9所示，在從準備期間轉(zhuǎn)移到閾值電壓檢測期間時，首先， 在將合并線12設為低電位(VgL)、使開關晶體管T2截止之后，將Tth 控制線ll設為高電位(VgH)、使閾值電壓檢測用晶體管Tth導通，其原 因在于為了保持蓄積在有機EL元件電容Coled的電荷。 (閾值電壓檢測期間)在接下來的閾值電壓檢測期間中，將電源線10設為零電位，另外， 分別維持著合并線12的低電位(VgL) 、 Tth控制線11的高電位(VgH)、 掃描線13的低電位(VgL)及圖像信號線14的零電位。因此，通過維持 著閾值電壓檢測用晶體管Tth的導通狀態(tài)，使得驅(qū)動晶體管Td的柵電極 和漏電極被短路，且柵電極經(jīng)由漏電極與接地線連接。從而，驅(qū)動晶體管 Td的柵電極和漏電極被賦予零電位。這里，由于有機EL元件OLED與驅(qū)動 晶體管Td的源電極連接，所以，基于在有機EL元件OLED的陽電極側(cè)蓄 積的負電荷，驅(qū)動晶體管Td的柵電極 源電極間的電位差大于驅(qū)動晶體 管Td的閾值電壓Vth，使得驅(qū)動晶體管Td處于導通狀態(tài)。另一方面，驅(qū)動晶體管Td的漏電極與接地線電連接，且驅(qū)動晶體管 Td的源電極與蓄積了負電荷的有機EL元件OLED連接。因此，在驅(qū)動晶體 管Td中，基于柵電極與源電極之間產(chǎn)生的電位差，流動從漏電極向源電 極的電流。另外，通過流過該電流，有機EL元件OLED中蓄積的負電荷的 絕對值逐漸減小，驅(qū)動晶體管Td的柵電極 源電極間的電位差也逐漸降 低。而且，在驅(qū)動晶體管Td的柵電極，源電極間的電位差減少到閾值電 壓(Vth)時，驅(qū)動晶體管Td成為截止狀態(tài)，蓄積于有機EL元件OLED的 負電荷的絕對值也停止減小。另外，由于驅(qū)動晶體管Td的柵電極與接地 線連接，所以，在驅(qū)動晶體管Td成為截止狀態(tài)時，驅(qū)動晶體管Td的源電 極電位被維持為(一Vth)。通過以上的動作，可檢測出驅(qū)動晶體管Td的閾值電壓(Vth)。 (寫入期間)在接下來的寫入期間中，通過將來自圖像信號線14的數(shù)據(jù)電位 (Vdata)直接或間接地提供給輔助電容Cs，驅(qū)動晶體管Td的柵電極電位 能夠被可變控制為期望的電位。具體而言，分別維持電源線10的零電位、 合并線12的低電位(VgL)及Tth控制線ll的高電位(VgH)，另外，設 掃描線13為高電位(VgH)，圖像信號線14為數(shù)據(jù)電位(Vdata)。而且， 此時輔助電容Cs與有機EL元件電容Coled電氣串聯(lián)連接，追加電容Cs2 與有機EL元件電容Coled電氣并聯(lián)連接。由于圖像信號線14提供與有機EL元件OLED的亮度對應的電位，所 以，從電位為零的狀態(tài)變化為與有機EL元件OLED的亮度對應的電位 Vdata。該電位Vdata經(jīng)由通過將掃描線13設定為高電位(VgH)而被控 制成導通狀態(tài)的開關晶體管Tl，被寫入到輔助電容Cs，而且，通過將掃 描線13設定為低電位(VgL)使開關晶體管Tl處于截止狀態(tài)，該寫入電 位被保持。另外，如圖9所示，雖然Tth控制線11的電位被維持高電位 (VgH)的狀態(tài)，但在接下來的發(fā)光期間中，合并線12的電位被設定為高 電位(VgH)，優(yōu)選在該寫入期間中，將Tth控制線ll的電位設定為低電 位(VgL)。(發(fā)光期間)在接下來的發(fā)光期間中，設電源線IO為負電位(一VDD)，合并線 12為高電位(VgH)，分別維持Tth控制線11的低電位(VgL)、掃描 線13的低電位(VgL)及圖像信號線14的零電位。通過該控制，驅(qū)動晶 體管Td導通，閾值電壓檢測用晶體管Tth截止，開關晶體管T1截止，有 機EL元件OLED發(fā)光。由于基于在閾值電壓檢測期間中檢測到的閾值電 壓，在有機EL元件OLED的源電極出現(xiàn)一Vth的電壓，另夕卜，對有機EL 元件OLED的柵電極施加了在寫入期間被寫入的數(shù)據(jù)電位(Vdata)，所 以，在驅(qū)動晶體管Td的柵電極一源電極間產(chǎn)生(Vdata+Vth)的電位差。 結(jié)果，理論上驅(qū)動晶體管Td中流過不依賴于驅(qū)動晶體管Td的閾值電壓
Vth的電流[I d s = ( P / 2 ) X ( V d a t a ) 2]，從而有機EL元件 OLED發(fā)光。接著，對圖8所示的像素電路的寫入效率進行考察。首先，當設不存 在追加電容Cs2時的寫入效率為i] 2時，通過與上述實施方式l中的導出 寫入效率i]時同樣的順序，可以如下式那樣進行表示(省略了詳細的導出 順序，僅表示結(jié)果)。n 2 二[Cs Coled/(Coled + Cs + CgsTdoff) + CgdTlon + CgsT2off]/Ca112(13)在式(n)中，Call2是在寫入期間中與驅(qū)動晶體管Td的柵電極連接的電容，可如下式那樣表示。Cal12 = Cs + CgdT 1 off + CgsTthoff + CgsT2on + CgdT2on + CgsTdon + CgdTdoff . (14)其中，式(14)中的各符號的意思如下所述。C g d T 1 o f f :開關晶體管T1截止時的柵電極一漏電極間電容 CgsTthoff:閾值電壓檢測用晶體管Tth截止時的柵電極一 源電極間電容C g s T 2 o n:開關晶體管T2截止時的柵電極一源電極間電容 C g d T 2 o n:開關晶體管T2導通時的柵電極一漏電極間電容 C g s T d o n:驅(qū)動晶體管Td導通時的柵電極一源電極間電容 CgdTdoff:驅(qū)動晶體管Td截止時的柵電極一漏電極間電容 另一方面，當將存在追加電容Cs2時的寫入效率設為ri2'時，與式 (13)同樣可由下式表示。ri 2 ， =[Cs (Coled + Cs2)/(Coled+Cs2 + Cs + CgsTdoff)+CgdTlon+ CgsT2off]/Call2 . . (15)這里，將上述式(13)及式(15)中的公共項定義為 Ctl二Coled+Cs+CgsTdoff (16)Ct2 = CgdTlon+CgsT2off (17)，并且，由下式表示存在追加電容Cs2時的寫入效率r！ 2'、與不存在時的寫入效率tl 2之比。n 2'/11 2 =[Cs (Coled+Cs2)/(Ctl+Cs2)+Ct2]/[Cs Coled/Ctl+Ct2]<formula>formula see original document page 21</formula>.(1 8 )在式(18)中，根據(jù)式(16)的定義，由于Ctl二Coled+Cs+CgsTdoff 〉Coled、 Cs2/Coled〉Cs2/Ctl，所以式(18)中的n 2'/ri 2總為1以上。 因此可知，通過設置追加電容Cs2可改善寫入效率。另外，由于追加電容 Cs2越大寫入效率越高，所以，優(yōu)選追加電容Cs2的電容值為Coled的10 %以上(更優(yōu)選為Coled的30X以上)。現(xiàn)在，試著求取實際像素電路中的寫入效率。 例如，如果作為典型的值設 Coled=l. 383pF C s = 0 . 5 p F C s 2 = 0 . 5 p FCgsTdon = CgdTdon=0. 080pF CgsTdoff二CgdTdoff二O. 043pF CgsTlon二CgdTlon=CgsT2on=CgdT 2on = 0. 013pFCgsTloff=CgdTloff=CgsT2off=C gdT2off二0. 005pF，則不具備追加電容Cs2時的寫入效率 n，根據(jù)式(13)、式(14)及式(16)、式(17)為n 2 = 0 . 5 7 2 。 另一方面，具備追加電容Cs2時的寫入效率n 2'根據(jù)式(14) 式 (17)為q 2 ， 二 0 . 6 18。在該實例中，因具備追加電容Cs2而引起寫入效率的變化(差分值 △ T]=il2， 一 n2)與不具備追加電容Cs2時的寫入效率(il 2 )之比 (An/n2)為(0. 618 — 0. 572) / 0. 572^0. 08，可以使寫入效率大約改善(提高)8%。另外，如果使用盡可能大限度的 追加電容Cs2的電容值，則可進一步提高寫入效率的改善度。到此為止，利用各種數(shù)學式對基于具備追加電容Cs2而引起的寫入效 率增加進行了定量說明。另一方面，寫入效率的增加也可以如下所述進行
定性說明。首先，如上述定義那樣，寫入效率可以由V g S振幅(△ V g S )與像素信號線振幅(AVd a t a)之比表示。因此，為了增加寫入效率， 優(yōu)選使Vgs的振幅(△ V g s )無限接近像素信號線振幅(A V d a t a )。 另一方面，在可寫入來自圖像信號線14的數(shù)據(jù)電位(Vdata)的輔助電容 Cs中，存在有圖像數(shù)據(jù)寫入時串聯(lián)連接的電容成分。例如，在圖8所示的 像素電路中，有機EL元件電容Coled相當于該電容成分的一個。另外， 有時因像素電路會形成有機EL元件電容Coled不與輔助電容Cs串聯(lián)連接 的構成，但該情況下，驅(qū)動晶體管Td、閾值電壓檢測用晶體管Tth及開關 晶體管T1、 T2的寄生電容中，圖像數(shù)據(jù)的寫入時與輔助電容Cs串聯(lián)連接 的寄生電容成分對寫入效率造成影響。這里，考慮例如在輔助電容Cs與有機EL元件電容Coled串聯(lián)連接的 構成中，對輔助電容Cs和有機EL元件電容Coled之間施加了 V12的電壓 的情況。該情況下，如果將在輔助電容Cs的兩端產(chǎn)生的電位差(電壓) 設為Vs，則可由簡單的下式進行表示。Vs=Coled/(Cs+Coled) ■ V12 ■ , ■ (19)其中，式(19)表示了下述的兩個觀點在相對可寫入來自圖像信號 線14的數(shù)據(jù)電位(Vdata)的輔助電容Cs，存在串聯(lián)連接的電容成分時， 蓄積于輔助電容Cs的電荷的一部分被該串聯(lián)連接的電容成分奪取，導致 寫入效率降低；及施加在輔助電容Cs兩端的電壓與和輔助電容Cs串聯(lián)連 接的電容成分(即，連接對方的電容成分)成正比增大。因此，作為用于增大寫入效率的構成，將附加于輔助電容Cs而設置 的追加電容Cs2至少在數(shù)據(jù)電位的寫入時與輔助電容Cs串聯(lián)連接。而且， 優(yōu)選追加電容Cs2的電容值選定大于輔助電容Cs的電容值。另外，與實施方式l相同，在有機EL元件OLED的電容值按紅、綠及 藍的各像素而不同時，為了使各顏色的寫入效率近似相等，在將紅、綠以 及藍的各有機EL元件OLED的電容分別設為C Qledr、Coledg、 C o 1 e d b ，將紅、綠及藍的追加電容分別設為C s 2 r ， C s 2 g及 C s 2 b日寸，優(yōu)選將Coledr+Cs2r、Coledg + Cs2g、 Coledb+Cs2b的所有值設定在這些值中最大值的80% 100% (更優(yōu)選為95% 100%)的范圍內(nèi)。另外，如果固有的發(fā)光效率按各種顏色存在差異，則各像素電路中所需要的Vgs振幅(AVg s)有時按紅、綠及藍各種顏色而不同?，F(xiàn)在， 將各顏色的寫入效率分別設為nr、 ng、 nb，將各顏色需要的AVgs的最大值設為AVgsmaxr、 AVgsmaxg、 AVgsmaxb。此時，如果按照A Vgsmaxr/nr、 AVgsmaxg/ ng、 AVgsmaxb/ilb的最小值為A Vgsmaxr/ i] r, 、 AVgsmaxg/r\g、 A Vgsmaxb/n b的最大值的90%以上(更優(yōu)選為95 %以上)的方式設定C s2r、 Cs2g、 Cs2b，則各顏色都能夠以 近似相等的像素信號線振幅(△ V d a t a )得到期望的Vgs振幅(△ Vg s )。如以上所說明那樣，根據(jù)本實施方式的圖像顯示裝置，通過在可寫入 圖像數(shù)據(jù)的第一電容元件的基礎上，設置在圖像數(shù)據(jù)寫入期間中能夠與第 一電容元件串聯(lián)連接的第二電容元件，從而可在第一電容元件中良好地反 映對第一電容元件寫入的電位。結(jié)果，具有可改善圖像顯示裝置的寫入效 率的效果。(實施方式4)在上述圖8所示的實施方式3中，追加電容Cs2的一端與有機EL元 件OLED的陰電極連接，另一端與電源線10連接，但本發(fā)明不限定于該 構成。例如也可以如圖10所示，將追加電容Cs2的另一端與為固定電位 (定電位)的接地線連接。其中，這里所說的固定電位不需要在準備期間、閾值電壓檢測期間、 寫入期間及發(fā)光期間的全部期間中都為定電位，只要至少從閾值電壓檢測 期間到寫入期間中維持定電位即可。而且，該定電位不需要是嚴格意義上的定電位，是在通過追加電容Cs2 能夠得到寫入效率增大作用的主旨范圍內(nèi)，可容許規(guī)定的電位變動而得到 的定電位。另外，追加電容Cs2的另一端可以從閾值電壓檢測期間到寫入期間， 與保持近似一定電位的Tth控制線11 (參照圖11)或合并線12 (參照圖 12)連接。
此外，在上述的實施方式3中，舉例說明了將追加電容Cs2應用于圖8所示的構成的像素電路的情況，但如果是具有驅(qū)動晶體管和閾值電壓檢 測用晶體管的像素電路，則也能夠應用于所有連接方式的像素電路?？偠灾?，只要將具備實施方式3中所說明的要件的追加電容與驅(qū)動晶體管的柵電極連接即可。 工業(yè)上的可利用性如上所述，本發(fā)明所涉及的圖像顯示裝置，對于防止像素電路中的寫 入效率降低是有用的。
權利要求
1、一種圖像顯示裝置，其特征在于，具備發(fā)光機構；驅(qū)動機構，其具有控制端子、第一端子及第二端子，通過根據(jù)該控制端子與該第一端子的電位差控制在該第一端子與該第二端子之間流動的電流，來控制所述發(fā)光機構的發(fā)光；第一電容元件，其一個電極與所述驅(qū)動機構的控制端子直接或間接連接，另一個電極與提供和圖像數(shù)據(jù)對應的電位的信號線直接或間接連接；和第二電容元件，其在經(jīng)由所述信號線向所述第一電容元件寫入所述圖像數(shù)據(jù)的寫入期間中，與所述第一電容元件電氣串聯(lián)連接。
2、 根據(jù)權利要求l所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 在所述寫入期間中，所述第一電容元件及所述發(fā)光機構電氣串聯(lián)連接。
3、 根據(jù)權利要求1或2所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 在所述寫入期間中，所述第二電容元件及所述發(fā)光機構電氣并聯(lián)連接。
4、 根據(jù)權利要求1 3中任意一項所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 還具備配置在所述驅(qū)動機構的所述控制端子與所述第二電容元件之間，對所述控制端子和所述第二電容元件之間的導通進行控制的開關元 件，所述開關元件在所述寫入期間中，將所述驅(qū)動機構的所述控制端子與 所述第二電容元件電連接。
5、 根據(jù)權利要求4所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 所述開關元件在所述發(fā)光元件的發(fā)光期間中，將所述驅(qū)動機構的所述控制端子與所述第二電容元件之間的電連接切斷。
6、 根據(jù)權利要求1 5中任意一項所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 還具備與所述第二電容元件連接，在所述寫入期間中電位被保持近似 一定的電位線。
7、 根據(jù)權利要求6所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 所述電位線與所述驅(qū)動機構的所述第一端子或所述第二端子電連接。
8、 根據(jù)權利要求6所述的圖像顯示裝置，其特征在于，所述電位線是對所述開關元件的驅(qū)動進行控制的控制線。
9、 根據(jù)權利要求1 8中任意一項所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 所述第二電容元件的電容值是所述發(fā)光機構所具有的電容值的10%以上。
10、 根據(jù)權利要求1 9中任意一項所述的圖像顯示裝置，其特征在于，具有顯示相互不同顏色的第一 第三像素，所述第一 第三像素至少具有所述發(fā)光機構、所述驅(qū)動機構、所述第 一電容元件及所述第二電容元件，在將所述第一 第三各像素的所述第二電容元件的電容值與所述發(fā) 光元件具有的電容值之和分別設為C suml、Csum2及Csum3 時，該Csuml、 Csum2及Csum3的每一個具有該C s u m 1 C s u m 3的最大值的80%以上的值。
11、 一種圖像顯示裝置，具備 發(fā)光機構；驅(qū)動機構，其具有控制端子、第一端子及第二端子，通過根據(jù)該控制 端子與該第一端子的電位差調(diào)整在該第一端子與該第二端子之間流動的 電流量，來控制所述發(fā)光機構的發(fā)光；信號線，其供給用于產(chǎn)生電位差的寫入電位，所述電位差被施加在經(jīng) 由信號線被供給與所述發(fā)光機構的發(fā)光亮度對應的寫入電位的驅(qū)動機構 的所述控制端子與所述第一端子之間、或所述控制端子與所述第二端子之 間的任意一方；驅(qū)動機構；以及電容元件，其將所述發(fā)光機構的發(fā)光亮度為最高電平時和最低電平時 對所述驅(qū)動機構施加的所述電位差的差分AV、與所述發(fā)光機構的發(fā)光亮 度為最高電平時和最低電平時對所述信號線供給的所述寫入電位的差分 △ Vdata之比△ V/A Vdata增大。
12、根據(jù)權利要求ll所述的圖像顯示裝置，其特征在于， 對所述電容元件單側(cè)的端子提供的電位，在寫入電位被供給所述信號線的期間保持為近似一定。
全文摘要
一種圖像顯示裝置，具備發(fā)光機構有機EL元件(OLED)；驅(qū)動晶體管(Td)，其具有柵電極(控制端子)、漏電極(第一端子或第二端子)、源電極(第一端子或第二端子)，通過根據(jù)柵電極與源電極的電位差控制在源電極與漏電極之間流動的電流，來控制有機EL元件(OLED)的發(fā)光；輔助電容元件(Cs)，其一個電極與有機EL元件(OLED)的柵電極直接或間接連接，另一個電極與供給和圖像數(shù)據(jù)對應的電位的圖像信號線(14)直接或間接連接；以及追加電容元件(Cs2)，其在圖像數(shù)據(jù)經(jīng)由圖像信號線(14)被寫入到輔助電容元件(Cs)的寫入期間中，與輔助電容元件(Cs)電氣串聯(lián)連接。從而，可防止圖像顯示裝置中寫入效率的降低。
文檔編號G09G3/20GK101116130SQ200680004318
公開日2008年1月30日 申請日期2006年1月31日 優(yōu)先權日2005年2月25日
發(fā)明者草深薰, 高杉親知 申請人:京瓷株式會社