專(zhuān)利名稱(chēng)：等離子體顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示設(shè)備是使用由在氣體中放電的過(guò)程生成的等離子體來(lái)顯示字符或圖像的平板顯示設(shè)備。它包括以矩陣模式布置的多個(gè)放電室。
等離子體顯示設(shè)備的一幀分成多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)具有對(duì)應(yīng)的權(quán)重(weight)，并且每個(gè)包括重置周期、尋址周期、以及維持周期。重置周期用于初始化每個(gè)放電室的狀態(tài)，以便于對(duì)放電室的后續(xù)尋址操作。尋址周期用于選擇導(dǎo)通/關(guān)斷放電室(即，要導(dǎo)通或關(guān)斷的放電室)。維持周期用于使放電室繼續(xù)放電以在所尋址的放電室上顯示圖像、或保持不激活。
圖1示出了傳統(tǒng)的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖。
如圖1所示，在尋址周期期間，將電壓VscL順序施加到掃描電極Y，并且通過(guò)將尋址電壓Va施加到這樣的尋址電極A來(lái)選擇導(dǎo)通放電室，其中該尋址電極A經(jīng)過(guò)在由被施加電壓VscL的掃描電極形成的放電室之中要被選擇的導(dǎo)通放電室。在每個(gè)尋址周期期間，在該尋址周期期間尋址的所有放電室中，順序執(zhí)行尋址操作。因此，在尋址周期期間較后尋址的放電室可能缺乏足夠的用于適當(dāng)放電的引火粒子(priming particle)。結(jié)果，在較后或逼近尋址周期結(jié)束時(shí)尋址的放電室中可能不能適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生尋址放電。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于穩(wěn)定地執(zhí)行尋址放電的等離子體顯示設(shè)備、以及用于執(zhí)行穩(wěn)定尋址放電的驅(qū)動(dòng)方法。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性驅(qū)動(dòng)方法在各自分成多個(gè)子場(chǎng)的幀期間驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備。等離子體顯示設(shè)備具有多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、以及多個(gè)與第一和第二電極的公共方向交叉的第三電極。在示例性驅(qū)動(dòng)方法中，將多個(gè)第一電極劃分成多個(gè)組，其包括第一電極的第一和第二組。將該多個(gè)子場(chǎng)劃分成包括第一和第二組的多個(gè)組。在第一組的子場(chǎng)中，在第一重置周期期間，初始化第一組放電室，在第一尋址周期期間，在第一組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室，在第二重置周期期間，初始化第二組放電室，在第二尋址周期期間，在第二組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室，并且在維持周期期間，使所選第一和第二組放電室維持放電。另外，在不同的持續(xù)時(shí)間內(nèi)將第一和第二重置周期的最后電壓保持為恒定電壓。第一組放電室對(duì)應(yīng)于第一電極的第一組，并且第二組放電室對(duì)應(yīng)于第一電極的第二組。
第一和第二重置周期中的一個(gè)是輔重置周期，其用于將第二電極處的電壓從第一電壓逐漸減小到第二電壓，并且另一個(gè)是主重置周期，其用于在將第二電極處的電壓從第三電壓減小到第四電壓之后，將第二電極處的電壓從第五電壓逐漸減小到第六電壓。輔重置周期僅僅包括下降周期。主重置周期包括上升和下降周期兩者。
另外，在第二組子場(chǎng)的子場(chǎng)中，在第三重置周期期間，初始化第二組放電室，在第三尋址周期期間，在第二組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室，在第四重置周期期間，初始化第一組放電室，在第四尋址周期期間，從第一組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室，在維持周期期間，使所選第一和第二組放電室維持放電。在彼此不同的持續(xù)時(shí)間內(nèi)將第三重置周期和第四重置周期期間的最后電壓保持為基本上恒定最后值。
另外，在第一重置周期后的第一尋址周期或第二尋址周期之后，將第七電壓施加到第三電極，并且將第二電極處的電壓從第八電壓逐漸減小到第九電壓。第七電壓和第九電壓之差大于當(dāng)在第一重置周期期間將第二電壓施加到第二電極時(shí)施加到第三和第二電極的電壓之差。
在本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法中，在緊接之后是一個(gè)子場(chǎng)的第一尋址周期的第一重置周期期間，對(duì)第一組放電室進(jìn)行重置和尋址，并且在緊接之后是相同子場(chǎng)的第二尋址周期的第二重置周期期間，對(duì)第二組放電室進(jìn)行重置和尋址。在后續(xù)子場(chǎng)期間，顛倒重置和尋址次序，并且在第一組之前對(duì)第二組放電室進(jìn)行重置和尋址。子場(chǎng)內(nèi)的兩個(gè)重置周期是不同的。第一重置周期能夠僅僅初始化緊靠在重置周期之前維持放電的放電室。每個(gè)子場(chǎng)的第二重置周期能夠初始化任何類(lèi)型的放電室，其包括可能未緊靠在第二重置周期之前放電、以及可能丟失了一些在該子場(chǎng)之前的維持周期期間形成的壁電荷的放電室。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板(PDP)、控制器、以及驅(qū)動(dòng)電路。等離子體顯示面板包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、以及多個(gè)與第一和第二電極交叉的第三電極?？刂破鲗⒃摱鄠€(gè)第一電極作為包括第一電極的第一和第二組的多個(gè)組進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且在從幀劃分的、具有子場(chǎng)的第一和第二組的多個(gè)子場(chǎng)期間，驅(qū)動(dòng)該多個(gè)第一電極。在第一組的子場(chǎng)中，驅(qū)動(dòng)電路在第一重置周期期間初始化第一組放電室，在第一尋址周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行尋址放電，在第二重置周期期間初始化第二組放電室，以及在第二尋址周期期間對(duì)第二組放電室進(jìn)行尋址放電。
另外，驅(qū)動(dòng)電路在第一和第二重置周期期間施加最后電壓，使得用于保持第一和第二重置周期期間的最后電壓的時(shí)間相互不同。


圖1示出了傳統(tǒng)的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖。
圖2示出了表示根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的示意圖。
圖3、圖4、以及圖5分別示出了根據(jù)本發(fā)明的第一、第二、以及第三示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形。
具體實(shí)施例方式
在下面描述中提到的壁電荷意味著在接近于放電室電極的壁(例如，介電層)上形成和累積的電荷。壁電荷將被描述成在電極上“形成”或“累積”，盡管壁電荷實(shí)際上并不接觸電極。此外，壁電壓意味著由電極上的壁電荷產(chǎn)生的、放電室電極的壁之間的電位差。
圖2示出了表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的示意圖。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備包括等離子體顯示面板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400、以及維持電極驅(qū)動(dòng)器500。
PDP 100包括在列方向上延伸的多個(gè)尋址電極A1到Am、以及在行方向上延伸的多個(gè)維持和掃描電極X1到Xn和Y1到Y(jié)n。以X1Y1…XnYn的配對(duì)布置維持和掃描電極。維持電極X1到Xn被形成為分別對(duì)應(yīng)于掃描電極Y1到Y(jié)n，并且維持電極X1到Xn的末端共同連接。另外，PDP 100包括一個(gè)具有維持和掃描電極X1到Xn和Y1到Y(jié)n的基板(未示出)、以及另一個(gè)具有尋址電極A1到Am的基板。這兩個(gè)基板被布置成彼此面對(duì)，在它們之間具有放電空間，使得掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極X1到Xn的公共方向可以與尋址電極A1到Am的方向交叉。在尋址電極A1到Am在維持和掃描電極X1到Xn和Y1到Y(jié)n之上或之下交叉的區(qū)域處形成的放電空間形成放電室。PDP 100僅僅示出了一個(gè)示例性實(shí)施例，并且可被施加繼發(fā)驅(qū)動(dòng)波形的其它面板也可以包括在本發(fā)明的顯示設(shè)備中。在下文中，掃描、維持、以及尋址電極分別將被稱(chēng)為Y、X、以及A電極。
控制器200接收外部視頻信號(hào)，并且輸出尋址電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)、以及掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)。另外，控制器200將幀劃分成多個(gè)子場(chǎng)，并且將該多個(gè)維持電極X劃分成多個(gè)組并且驅(qū)動(dòng)它們。每個(gè)子場(chǎng)具有重置周期、尋址周期、以及維持周期。
在從控制器200接收到尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)之后，尋址電極驅(qū)動(dòng)器300將用于選擇要被顯示的放電室的顯示數(shù)據(jù)信號(hào)施加到相應(yīng)的尋址電極A1到Am。
在從控制器200接收到掃描電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)之后，掃描電極驅(qū)動(dòng)器400將驅(qū)動(dòng)電壓施加到掃描電極Y，并且在從控制器200接收到維持電極驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)之后，維持電極驅(qū)動(dòng)器500將驅(qū)動(dòng)電壓施加到維持電極X。
將參考圖3描述根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形。為了便于描述起見(jiàn)，將描述施加到形成一個(gè)放電室的掃描、維持、以及尋址電極Y、X、A的驅(qū)動(dòng)波形。
圖3示出了表示根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的、用于本發(fā)明的等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形的圖。
根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法將X電極劃分成多組X電極。在圖3中，將X電極劃分成兩組，第一組包括奇數(shù)X電極，并且第二組包括偶數(shù)X電極。由第一組的X電極形成的放電室將被稱(chēng)為第一組放電室，并且由第二組的X電極形成的放電室將被稱(chēng)為第二組放電室。
如上所述，在一個(gè)子場(chǎng)中，在用于通過(guò)輔重置來(lái)重置的第一組放電室的尋址操作之后，可以執(zhí)行用于通過(guò)主重置來(lái)重置的第二組放電室的尋址操作。另一方面，在傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)方法中，在一個(gè)重置操作之后，對(duì)所有的放電室順序執(zhí)行尋址操作。因此，與傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)方法相比，當(dāng)分組地對(duì)放電室進(jìn)行尋址時(shí)，可以將用于在對(duì)該組執(zhí)行重置操作之后執(zhí)行從每個(gè)組的第一放電室到最后放電室的尋址操作所需的時(shí)間減少一半。因此，可以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。
雖然在圖3所示的子場(chǎng)中，在主重置之前執(zhí)行輔重置，但是在其它示例性實(shí)施例中可以改變?cè)摯涡颉＠?，可以在輔重置之前執(zhí)行主重置?？蛇x地，可以在每個(gè)子場(chǎng)中僅僅執(zhí)行輔和主重置中的一個(gè)。當(dāng)在先前子場(chǎng)中產(chǎn)生了維持放電時(shí)，輔重置導(dǎo)致重置放電，但是如果在先前子場(chǎng)中沒(méi)有產(chǎn)生維持放電，則輔重置不導(dǎo)致重置放電。另外，在圖3中，緊靠在輔重置周期之前發(fā)生先前子場(chǎng)的維持放電。當(dāng)在主重置之后執(zhí)行輔重置時(shí)，可能增大先前子場(chǎng)中的維持放電的結(jié)束和輔重置的開(kāi)始之間的時(shí)間間隔。在這種情況下，輔重置可能產(chǎn)生不適當(dāng)?shù)谋陔姾?，這是因?yàn)樵诰S持放電和輔重置之間的長(zhǎng)間隔期間，可能消除了引火粒子。另外，可以僅僅在執(zhí)行主重置時(shí)增大重置操作的持續(xù)時(shí)間。因此，根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例，在每個(gè)子場(chǎng)中，在主重置之前執(zhí)行輔重置。
幀的子場(chǎng)可以是奇數(shù)子場(chǎng)或偶數(shù)子場(chǎng)。首先，將描述施加到奇數(shù)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)波形。
如圖3所示，在奇數(shù)子場(chǎng)之前的維持周期中，當(dāng)將電壓Vs施加到Y(jié)電極，并且將基準(zhǔn)電壓(圖3中的0V)施加到X電極X1時(shí)，在Y電極和第一組的X電極X1之間產(chǎn)生最后維持放電。因?yàn)榈诙M的X電極X2還被施加電壓Vs的偏壓，所以在Y電極和第二組的X電極X2之間不產(chǎn)生維持放電。如果將電壓Vs施加到X電極X2，并且將基準(zhǔn)電壓施加到Y(jié)電極，則在Y電極和X電極X2之間將產(chǎn)生最后維持放電。
在重置周期R11的下降周期期間，在先前子場(chǎng)的維持周期期間將最后持續(xù)脈沖施加到Y(jié)電極之后，Y電極處的電壓逐漸減小到電壓Vnf。在此時(shí)期，將基準(zhǔn)電壓施加到第二組的X電極X2，并且向第一組的X電極X1施加電壓Ve的偏壓。因而，在Y電極處的電壓正在減小時(shí)，在Y電極和X電極X1之間、以及在Y電極和A電極之間產(chǎn)生弱重置放電。結(jié)果，消除了在先前維持周期期間在Y電極上形成的負(fù)(-)壁電荷、以及在X電極X1和A電極上形成的正(+)壁電荷。
從而，因?yàn)槿鐖D3所示在電極處的電壓電平逐漸變化時(shí)產(chǎn)生弱放電，所以形成壁電荷，從而外加電壓和放電室的壁電壓之和可以保持在放電點(diǎn)火電壓狀態(tài)。
一般而言，將(Ve-Vnf)的電壓設(shè)置成接近于Y和X電極之間的放電點(diǎn)火電壓。如上所述，外加電壓和放電室的壁電壓之和保持在放電點(diǎn)火電壓的附近。如果(Ve-Vnf)的外加電壓已經(jīng)處于放電點(diǎn)火電壓，則Y和X電極之間的壁電壓將大約為0V。當(dāng)Y和X電極之間的壁電壓接近0V時(shí)，則在尋址周期內(nèi)沒(méi)有產(chǎn)生尋址放電的放電室中可以防止后繼維持周期期間的不點(diǎn)火。
另外，在奇數(shù)子場(chǎng)之前的維持周期之后，在第二組的X電極X2上形成負(fù)(-)壁電荷，并且在Y電極上形成正(+)壁電荷。然后，在輔重置周期R11期間，當(dāng)Y電極處的電壓減小到電壓Vnf時(shí)，在Y電極上形成正(+)壁電荷，并且在X電極X2上形成負(fù)(-)壁電荷。結(jié)果，Y電極和第二組的X電極X2之間的電位差減小。因此，在輔重置周期R11期間，在Y電極和第二組的X電極X2之間不產(chǎn)生重置放電。
其后，為了在尋址周期A11內(nèi)選擇放電室，將具有電壓VscL的掃描脈沖順序施加到Y(jié)電極，并且向未被施加電壓VscL的Y電極施加電壓VscH的偏壓。另外，將具有電壓Va的尋址脈沖施加到這樣的A電極，其經(jīng)過(guò)由被施加電壓VscL的Y電極形成的多個(gè)放電室之中要被選擇的放電室，并且向未被選擇的A電極施加基準(zhǔn)電壓的偏壓。
其后，因?yàn)橛山邮针妷篤a的A電極和接收電壓VscL的Y電極形成的第一組放電室中產(chǎn)生尋址放電，所以在Y電極上形成正(+)壁電荷，并且在第一組的X電極X1上形成負(fù)(-)壁電荷。另外，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。
在尋址周期A11期間，因?yàn)樵赮電極上形成正(+)壁電荷，其略微偏離于負(fù)電壓VscL，并且第二組的X電極X2的電壓保持在基準(zhǔn)電壓的附近，所以在第二組放電室中不產(chǎn)生尋址放電。
圖3示出了在重置周期R11的下降周期和尋址周期A11內(nèi)將電壓Ve施加到第一組的X電極X1。然而，可以將與在相同的兩個(gè)周期內(nèi)施加到第二組的X電極X2的電壓相等的基準(zhǔn)電壓而非電壓Ve施加到第一組的X電極X1。
在圖3所示的實(shí)施例中，在對(duì)第一組放電室完成尋址放電之后，對(duì)第二組放電室執(zhí)行重置放電。
在主重置周期R12的上升周期期間，Y電極處的電壓從基準(zhǔn)電壓逐漸增大到電壓Vs2，同時(shí)第一組的X電極X1和A電極分別保持為電壓Vs1和基準(zhǔn)電壓。將作為負(fù)電壓的電壓Vn施加到第二組的X電極X2。然后，在Y電極處的電壓增大時(shí)，由于在Y電極和第二組的X電極X2之間產(chǎn)生弱重置放電，因此在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷，并且在第二組的X電極X2上形成正(+)壁電荷。電壓Vs2和電壓Vn之差高得足以在接收這些電壓的放電室上產(chǎn)生放電。當(dāng)在重置周期期間施加到X和Y電極以便產(chǎn)生重置電壓的電壓Vs1和Vs2都被設(shè)置成等于維持放電電壓Vs時(shí)，可以減少產(chǎn)生不同電壓所需的電源數(shù)目。
在主重置周期R12的下降周期期間，Y電極處的電壓從基準(zhǔn)電壓逐漸減小到電壓Vnf，同時(shí)第一組的X電極X1和第二組的X電極X2分別保持為基準(zhǔn)電壓和電壓Ve。然后，在Y電極處的電壓減小時(shí)，由于在Y電極和第二組的X電極X2之間產(chǎn)生弱重置放電，因此消除在Y電極和X電極之間形成的壁電荷。
在主重置周期R12期間，在Y電極和第一組的X電極X1之間不產(chǎn)生重置放電，這是因?yàn)楫?dāng)在上升周期期間Y電極處的電壓增大到電壓Vs2時(shí)，第一組的X電極X1被施加電壓Vs1的偏壓。因此，上升周期之后的壁電荷狀態(tài)基本上相當(dāng)于尋址周期之后的壁電荷狀態(tài)。也就是，當(dāng)在下降周期期間Y電極處的電壓減小到電壓Vnf時(shí)，第一組的X電極X1被施加基準(zhǔn)電壓的偏壓，同時(shí)在Y電極上形成正(+)壁電荷，并且在X電極上形成負(fù)(-)壁電荷。在這種情況下，Y電極和第一組的X電極X1之間的電位差減小，因此在Y電極和第一組的X電極X1之間不產(chǎn)生重置放電。
其后，為了在尋址周期A12期間選擇放電室，將具有電壓VscL的掃描脈沖順序施加到Y(jié)電極，并且向不接收電壓VscL的Y電極施加電壓VscH的偏壓。電壓VscL被稱(chēng)為掃描電壓，并且電壓VscH被稱(chēng)為非掃描電壓。將具有電壓Va的尋址脈沖施加到這樣的A電極，其經(jīng)過(guò)由被施加電壓VscL的Y電極形成的多個(gè)放電室之中要被選擇的放電室，并且向未被選擇的A電極施加基準(zhǔn)電壓的偏壓。然后，由于在由接收電壓VscL的Y電極和接收電壓Va的A電極形成的放電室上產(chǎn)生尋址放電，所以在Y電極上形成正(+)壁電荷，并且在第二組的X電極X2上形成負(fù)(-)壁電荷。另外，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。
其后，在維持周期S1內(nèi)將具有電壓Vs的維持脈沖順序施加到Y(jié)電極和第一和第二組的X電極X1和X2。然后，通過(guò)電壓Vs、以及由于在尋址周期期間的、Y和X電極之間的尋址放電而形成的壁電壓，在Y和X電極之間產(chǎn)生放電。另外，當(dāng)維持周期S1的最后維持脈沖正被施加到Y(jié)電極時(shí)，將電壓Vs施加到第一組的X電極X1，并且將基準(zhǔn)電壓施加到第二組的X電極X2。
現(xiàn)在將描述施加到偶數(shù)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)波形。
如圖3所示，在偶數(shù)子場(chǎng)之前的奇數(shù)子場(chǎng)的維持周期期間，在Y電極和第二組的X電極X2之間產(chǎn)生最后維持放電。這是由于這樣的事實(shí)，即，在所示實(shí)施例中，在先前維持周期期間施加的最后脈沖包括施加到Y(jié)電極的電壓Vs、以及施加到第二組的X電極X2的基準(zhǔn)電壓。因?yàn)榈谝唤M的X電極X1處的電壓也被施加電壓Vs的偏壓，所以在Y電極和第一組的X電極X1之間不產(chǎn)生最后維持放電?？蛇x地，如果最后維持脈沖包括施加到第一組的X電極X1的電壓Vs、以及施加到Y(jié)電極的基準(zhǔn)電壓，則在第一組的X電極X1和Y電極之間將會(huì)產(chǎn)生最后維持放電。
在重置周期R21的下降周期期間，在先前子場(chǎng)的維持周期S1期間施加到Y(jié)電極的最后維持脈沖之后，Y電極處的電壓逐漸減小到電壓Vnf。將基準(zhǔn)電壓施加到A電極和第一組的X電極X1，并且向第二組的X電極X2施加電壓Ve的偏壓。然后，在Y電極處的電壓減小時(shí)，由于在Y電極和第二組的X電極X2之間、以及在Y電極和X電極之間產(chǎn)生弱放電，因此消除在Y電極上形成的負(fù)(-)壁電荷、以及在A電極和第二組的X電極X2上形成的正(+)壁電荷。在這種情況下，如上面關(guān)于奇數(shù)子場(chǎng)所述的那樣，在重置周期R21期間，在Y電極和第一組的X電極X1之間不產(chǎn)生重置放電。這是由于這樣的事實(shí)，即，在周期S1的最后維持放電之后在第一組的X電極X1上形成的負(fù)(-)壁電荷、以及在Y電極上形成的正(+)壁電荷往往抵消，并且大致中和(neutralize)在R21期間的Y和X1電極之間的電位差。
為了在尋址周期A21內(nèi)選擇放電室，將具有電壓VscL的掃描脈沖順序施加到Y(jié)電極，并且向未被施加電壓VscL的Y電極施加電壓VscH的偏壓。另外，將具有電壓Va的尋址電壓施加到這樣的A電極，其經(jīng)過(guò)由被施加電壓VscL的Y電極形成的多個(gè)放電室之中要被選擇的放電室。向未被選擇的A電極施加基準(zhǔn)電壓的偏壓。然后，因?yàn)樵谟山邮针妷篤a的A電極和接收電壓VscL的Y電極形成的放電室中產(chǎn)生尋址放電，所以在Y電極上形成正(+)壁電荷，并且在第二組的X電極X2上形成負(fù)(-)壁電荷。另外，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。由于在Y電極上形成的正(+)壁電荷，在尋址周期A21期間，在第一組放電室中不產(chǎn)生放電。
在第二組放電室中的尋址周期A21的尋址放電操作完成之后，在后續(xù)重置周期R22期間，在第一組放電室中產(chǎn)生重置放電。
在重置周期R22的上升周期期間，Y電極處的電壓從基準(zhǔn)電壓逐漸增大到電壓Vs2，同時(shí)第二組的X電極X2和A電極分別保持為電壓Vs1和基準(zhǔn)電壓。將作為負(fù)電壓的電壓Vn施加到第一組的X電極X1。然后，在Y電極處的電壓增大時(shí)，由于在Y電極和第一組的X電極X1之間產(chǎn)生弱重置放電，因此在Y電極上形成負(fù)(-)壁電荷，并且在第二組的X電極X2上形成正(+)壁電荷。
在重置周期R22的下降周期期間，Y電極處的電壓從基準(zhǔn)電壓逐漸減小到電壓Vnf，同時(shí)第一和第二組的X電極X1和X2分別保持為電壓Ve和基準(zhǔn)電壓。然后，在Y電極處的電壓減小時(shí)，由于在Y電極和第一組的X電極X1之間產(chǎn)生弱放電，因此消除在Y和X電極上形成的壁電荷。
在偶數(shù)子場(chǎng)的第二或主重置周期R22期間，在Y電極和第二組的X電極X2之間不產(chǎn)生重置放電?，F(xiàn)有壁電荷和防止這樣的重置放電的被施加電壓之間的相互作用與在奇數(shù)場(chǎng)的主重置周期R12的描述中所討論的那樣類(lèi)似。
其后，為了在尋址周期A22內(nèi)選擇放電室，將具有電壓VscL的掃描脈沖順序施加到Y(jié)電極，并且向未被施加電壓VscL的Y電極施加電壓VscH的偏壓。另外，將具有電壓Va的尋址脈沖施加到這樣的A電極，其經(jīng)過(guò)由被施加電壓VscL的Y電極形成的多個(gè)放電室之中要被選擇的放電室，并且向未被選擇的A電極施加基準(zhǔn)電壓的偏壓。然后，由于在由接收電壓Va的A電極和接收電壓VscL的Y電極形成的放電室中產(chǎn)生尋址放電，因此在Y電極上形成正(+)壁電荷，并且在第一組的X電極X1上形成負(fù)(-)壁電荷。另外，在A電極上形成負(fù)(-)壁電荷。
在尋址周期A22之后，在維持周期S2期間，將具有電壓Vs的維持脈沖順序施加到Y(jié)電極、以及第一和第二組的X電極X1和X2。結(jié)果，通過(guò)電壓Vs和在尋址周期A22期間Y和X電極之間的尋址放電而形成的壁電壓，產(chǎn)生放電。
從而，在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例中，因?yàn)榫o接在初始化第一組放電室之后對(duì)其進(jìn)行尋址，并且緊接在初始化第二組放電室之后對(duì)其進(jìn)行尋址，所以可以穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。
在施加電壓之后的預(yù)定時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生通過(guò)在兩個(gè)電極之間施加電壓而產(chǎn)生的放電。因此，在重置周期R11、R12、R21、R22期間施加的最后電壓Vnf在下降周期期間保持第一時(shí)間間隔T1，以在Y和X電極之間、以及在Y和A電極之間形成用于執(zhí)行尋址操作的壁電荷。在該電極處的電壓逐漸變化時(shí)，由于在X和Y電極之間的間隙內(nèi)產(chǎn)生的放電，在該間隙內(nèi)形成或消除電荷。然而，當(dāng)產(chǎn)生諸如維持放電的強(qiáng)放電時(shí)，從X和Y電極之間的間隙沿著這些電極擴(kuò)散放電。結(jié)果，可以廣泛地在這些電極上形成電荷。這些廣泛形成的電荷可以增加在維持放電之后執(zhí)行的輔重置的放電延遲時(shí)間。因此，沿著這些電極形成電荷的相當(dāng)大的部分可以殘留，而不被重置操作消除。當(dāng)相當(dāng)大量的電荷殘留在這些電極上時(shí)，在重置周期之后的尋址周期和維持周期期間可能產(chǎn)生過(guò)放電或不點(diǎn)火。本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提出了用于解決上面問(wèn)題的驅(qū)動(dòng)波形。
圖4示出了表示根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的、用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形圖。
在第二示例性驅(qū)動(dòng)方法中，在第二時(shí)間間隔T2的持續(xù)時(shí)間內(nèi)，將輔重置周期R11、R21期間的重置電壓保持為電壓Vnf。時(shí)間間隔T2長(zhǎng)于時(shí)間間隔T1，時(shí)間間隔T1用于將主重置周期R12、R22期間的重置電壓保持為電壓Vnf。從而，通過(guò)在較長(zhǎng)的第二時(shí)間間隔T2期間將Y電極電壓保持為電壓Vnf，可以產(chǎn)生足夠長(zhǎng)的重置放電，以克服放電延遲。結(jié)果，在輔重置周期期間，可以消除由于先前維持放電而在電極上形成的壁電荷，并且可以防止后續(xù)尋址或維持周期期間的過(guò)放電或不點(diǎn)火。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一和第二示例性實(shí)施例，在主重置周期的上升周期期間施加到Y(jié)電極的電壓Vs2趨近電壓Vs。因?yàn)閷⒌陀诨鶞?zhǔn)電壓的電壓Vn施加到X電極，所以Y和X電極之間的電壓差增大，并且可以在Y和X電極上形成足夠的壁電荷。然而，如果Y和X電極之間的電壓差相對(duì)低，則在Y和X電極上可能沒(méi)有形成足夠的壁電荷，并且在Y和X電極之間可能沒(méi)有建立足夠的壁電壓。因此，可能不產(chǎn)生后續(xù)放電。本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例提出了用于在Y和X電極之間形成足夠的壁電壓的驅(qū)動(dòng)波形。
圖5示出了表示根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形的圖。
在第三示例性實(shí)施例中，示出了周期A11’和A21’分別在尋址周期A11和A21之后，而尋址周期A11和A21又分別在輔重置周期R11和R21之后。周期A11’和A21’在每個(gè)子場(chǎng)的主重置周期R12和R22之前。在周期A11’和A21’期間，將電壓Va施加到A電極，并且Y電極處的電壓從電壓VscH2逐漸減小到電壓VscL，同時(shí)向第一和第二組的X電極X1和X2施加基準(zhǔn)電壓的偏壓。因此，在A電極上形成附加的負(fù)(-)壁電荷，并且在Y電極上形成附加的正(+)壁電荷。這些附加的壁電荷導(dǎo)致在A11’、A21’期間Y電極處的電位增大到高于被施加電壓VscL的電平，并且A電極的電位減小到低于被施加電壓Va的電平。因此，在后續(xù)重置周期R12、R22的上升周期期間，在Y和A電極之間產(chǎn)生相對(duì)快速放電。在第三實(shí)施例中，周期A11’和A21’的插入導(dǎo)致在Y和A電極之間形成足夠的壁電荷，以產(chǎn)生更快的后續(xù)重置。
假如A、X和Y電極之間的電壓差保持類(lèi)似于根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的那些電壓差，則在本發(fā)明的第一到第三示例性實(shí)施例中描述的電壓電平可以與上述那些電壓電平不同。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，因?yàn)榈谝唤M放電室和第二組放電室中的每個(gè)在初始化之后被尋址，所以在尋址周期期間，可以產(chǎn)生穩(wěn)定的尋址放電。換句話說(shuō)，在每個(gè)子場(chǎng)內(nèi)包括兩個(gè)重置周期，并且在一個(gè)重置周期之后尋址一半放電室，并且在另一重置周期之后尋址另一半將使在每個(gè)一半之內(nèi)順序?qū)ぶ匪蟹烹娛宜璧臅r(shí)間減半。因此，甚至每個(gè)組中被尋址的最后放電室也不會(huì)那么遠(yuǎn)離其先前初始化。
此外，在輔重置周期期間，通過(guò)在更長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)將Y電極保持為負(fù)電壓，克服輔重置周期的放電延遲，并且實(shí)現(xiàn)更有效的重置。當(dāng)在輔重置之后的尋址周期期間，增大導(dǎo)通放電室的維持和掃描電極之間的電壓差時(shí)，可以進(jìn)一步改善尋址放電的穩(wěn)定性。
雖然已結(jié)合特定示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例，相反地，而是意欲涵蓋包括在所附權(quán)利要求及其等效物的精神和范圍之內(nèi)的各種修改和等效配置。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)方法，其中，在幀期間驅(qū)動(dòng)等離子體顯示設(shè)備，每幀分成多個(gè)子場(chǎng)，該多個(gè)子場(chǎng)分成包括第一子場(chǎng)組和第二子場(chǎng)組的多個(gè)子場(chǎng)組，等離子體顯示設(shè)備具有多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、以及多個(gè)與第一電極和第二電極的公共方向交叉的第三電極，該多個(gè)第一電極分成第一電極的多個(gè)組，其包括第一電極的第一組和第一電極的第二組，第一電極的第一組經(jīng)過(guò)第一組放電室，并且第一電極的第二組經(jīng)過(guò)第二組放電室，該驅(qū)動(dòng)方法包括，在第一子場(chǎng)組的子場(chǎng)期間在第一重置周期期間，初始化第一組放電室；在第一尋址周期期間，在第一組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室；在第二重置周期期間，初始化第二組放電室；在第二尋址周期期間，在第二組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室；以及在維持周期期間，使所選第一組放電室和所選第二組放電室維持放電，其中，在不同的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持在第一重置周期期間施加的最后電壓、以及在第二重置周期期間施加的最后電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第一重置周期和第二重置周期中的一個(gè)是輔重置周期，并且另一個(gè)是主重置周期，并且其中，在輔重置周期期間，將第二電極處的電壓從第一電壓逐漸減小到第二電壓，其中，在主重置周期期間，將第二電極處的電壓從第三電壓增大到第四電壓，并且隨后將其從第五電壓逐漸減小到第六電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在第一時(shí)間間隔期間將第二電極保持為第六電壓，其中，在第二時(shí)間間隔期間將第二電極保持為第二電壓，并且其中，第二時(shí)間間隔長(zhǎng)于第一時(shí)間間隔。
4.如權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第一重置周期是輔重置周期，并且第二重置周期是主重置周期。
5.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括，在第一重置周期后的第一尋址周期之后，或者在第一重置周期后的第二尋址周期之后將第七電壓施加到第三電極，并且將第二電極處的電壓從第八電壓逐漸減小到第九電壓，其中，第七電壓和第九電壓之差大于第二電壓和在第一重置周期期間施加到第三電極的電壓之差。
6.如權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第七電壓等于在第一尋址周期和第二尋址周期期間施加到導(dǎo)通放電室的第三電極的尋址電壓，并且其中，第九電壓等于第二電壓。
7.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，在第二電極處的電壓在第一重置周期期間正在逐漸減小時(shí)，分別向第一電極的第一組和第一電極的第二組施加第十電壓和第十一電壓的偏壓，并且其中，在第二電極處的電壓在第二重置周期期間正在逐漸減小時(shí)，分別向第一電極的第一組和第一電極的第二組施加第十二電壓和第十三電壓的偏壓。
8.如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，在第二電極處的電壓在第二重置周期期間正在增大到第四電壓時(shí)，將正電壓施加到第一電極的第一組，并且將負(fù)電壓施加到第一電極的第二組。
9.如權(quán)利要求7所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第十電壓等于第十三電壓，第十一電壓等于第十二電壓，并且第十電壓高于第十一電壓。
10.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動(dòng)方法，還包括，在第二子場(chǎng)組的子場(chǎng)期間在第三重置周期期間，初始化第二組放電室；在第三尋址周期期間，在第二組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室；在第四重置周期期間，初始化第一組放電室；在第四尋址周期期間，從第一組放電室之中選擇導(dǎo)通放電室；以及在維持周期期間，使所選第一組放電室和第二組放電室維持放電，其中，在不同的持續(xù)時(shí)間內(nèi)保持在第三重置周期期間施加的最后電壓、以及在第四重置周期期間施加的最后電壓。
11.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第三重置周期和第四重置周期中的一個(gè)是輔重置周期，并且另一個(gè)是主重置周期。
12.如權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第三重置周期是輔重置周期，并且第四重置周期是主重置周期。
13.如權(quán)利要求10所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第一子場(chǎng)組和第二子場(chǎng)組之中的一組包括奇數(shù)子場(chǎng)，并且另一組包括偶數(shù)子場(chǎng)。
14.如權(quán)利要求13所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，第一電極的第一組和第一電極的第二組之中的第一電極的一組是奇數(shù)第一電極，并且第一電極的另一組是偶數(shù)第一電極。
15.一種等離子體顯示設(shè)備，包括等離子體顯示面板，具有多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、以及多個(gè)與第一電極和第二電極的公共方向交叉的第三電極；控制器，用于將該多個(gè)第一電極作為第一電極的多個(gè)組進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，第一電極的該多個(gè)組包括第一電極的第一組和第一電極的第二組，控制器在幀期間驅(qū)動(dòng)該多個(gè)第一電極，該幀包括具有第一子場(chǎng)組和第二子場(chǎng)組的多個(gè)子場(chǎng)；以及驅(qū)動(dòng)電路，用于在第一重置周期期間初始化與第一電極的第一組相對(duì)應(yīng)的第一組放電室，在第一尋址周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行尋址放電，在第二重置周期期間初始化與第一電極的第二組相對(duì)應(yīng)的第二組放電室，以及在第二尋址周期期間對(duì)第二組放電室進(jìn)行尋址放電，其中，在第一子場(chǎng)組的子場(chǎng)期間發(fā)生第一重置周期、第一尋址周期、第二重置周期、以及第二尋址周期，其中，驅(qū)動(dòng)電路在第一重置周期和第二重置周期期間施加最后電壓，使得用于保持在第一重置周期期間施加的最后電壓的時(shí)間間隔不同于用于保持在第二重置周期期間施加的最后電壓的時(shí)間間隔。
16.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，第一重置周期和第二重置周期之中的一個(gè)是輔重置周期，并且另一個(gè)是主重置周期，其中，在輔重置周期期間產(chǎn)生的重置放電能夠僅僅初始化在先前子場(chǎng)期間經(jīng)歷了維持放電的放電室，并且其中，在主重置周期期間產(chǎn)生的重置放電能夠初始化所有放電室。
17.如權(quán)利要求16所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，用于維持輔重置周期期間的最后電壓的時(shí)間間隔長(zhǎng)于用于維持主重置周期期間的最后電壓的時(shí)間間隔。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，第一重置周期是輔重置周期，而第二重置周期是主重置周期。
19.如權(quán)利要求15所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，在第二子場(chǎng)組的子場(chǎng)期間，驅(qū)動(dòng)電路在第三重置周期期間初始化第二組放電室，在第三尋址周期期間對(duì)第二組放電室進(jìn)行尋址放電，在第四重置周期期間初始化第一組放電室，以及在第四尋址周期期間對(duì)第一組放電室進(jìn)行尋址放電。
20.如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，第三重置周期和第四重置周期之中的一個(gè)是輔重置周期，并且另一個(gè)是主重置周期，其中，在輔重置周期期間產(chǎn)生的重置放電能夠僅僅初始化在先前子場(chǎng)期間經(jīng)歷了維持放電的放電室，并且其中，在主重置周期期間產(chǎn)生的重置放電能夠初始化所有放電室。
21.如權(quán)利要求20所述的等離子體顯示設(shè)備，其中，輔重置周期能夠僅僅初始化緊靠在輔重置周期之前經(jīng)歷了維持放電的放電室。
全文摘要
在等離子體顯示設(shè)備中，將維持電極劃分成第一和第二組。將幀周期劃分成多個(gè)子場(chǎng)。在一個(gè)子場(chǎng)中，在第一重置周期期間初始化第一組的放電室，并且在第一尋址周期期間對(duì)其進(jìn)行尋址，并且在第二重置周期期間初始化第二組的放電室，并且在第二尋址周期期間對(duì)其進(jìn)行尋址。在后續(xù)子場(chǎng)期間，在第一組的放電室之前對(duì)第二組的放電室進(jìn)行重置和尋址。第一重置周期是輔重置周期，其用于初始化在先前子場(chǎng)中經(jīng)過(guò)維持放電的放電室。第二重置周期是主重置周期，其可以用于初始化緊靠在主重置周期之前沒(méi)有經(jīng)過(guò)維持放電的放電室。與在主重置相比，在輔重置期間更長(zhǎng)地保持最后電壓。
文檔編號(hào)G09G3/291GK1904986SQ200610109018
公開(kāi)日2007年1月31日 申請(qǐng)日期2006年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月27日
發(fā)明者蔡升勛 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社