專利名稱：數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、發(fā)光顯示器及驅(qū)動該發(fā)光顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、采用這種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器及驅(qū)動發(fā)光顯示器的方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種能夠顯示具有均勻亮度的圖像的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、采用這種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器及驅(qū)動發(fā)光顯示器以顯示具有均勻亮度的圖像的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在正在開發(fā)平板顯示器(FPD)，其通常比陰極射線管(CRT)輕并且更緊湊。FPD包括液晶顯示器(LCD)、場發(fā)射顯示器(FED)、等離子體顯示面板(PDP)和發(fā)光顯示器。
發(fā)光顯示器可利用有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)來顯示圖像，OLED在電子和空穴復(fù)合時產(chǎn)生光。發(fā)光顯示器通常響應(yīng)速度快、功率消耗量相對低。
圖1示出了公知的發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)的示意圖。
如圖1中所示，發(fā)光顯示器包括像素單元30、掃描驅(qū)動器10、數(shù)據(jù)驅(qū)動器20和時序控制器50。像素單元30可包括連接到掃描線S1～Sn和數(shù)據(jù)線D1～Dm的多個像素40。掃描驅(qū)動器10可驅(qū)動掃描線S1～Sn。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20可驅(qū)動數(shù)據(jù)線D1～Dm。時序控制器50可控制掃描驅(qū)動器10和數(shù)據(jù)驅(qū)動器20。
時序控制器50可基于外部提供的同步信號(未示出)來產(chǎn)生數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和掃描驅(qū)動控制信號SCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動器20，掃描驅(qū)動控制信號SCS提供到掃描驅(qū)動器10。時序控制器50可根據(jù)外部提供的數(shù)據(jù)(未示出)向數(shù)據(jù)驅(qū)動器20提供數(shù)據(jù)DATA。
掃描驅(qū)動器10從時序控制器50接收掃描驅(qū)動控制信號SCS。掃描驅(qū)動器10基于接收到的掃描驅(qū)動控制信號SCS來產(chǎn)生掃描信號(未示出)。產(chǎn)生的掃描信號可通過掃描線S1～Sn被順序提供到像素單元30。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器20從時序控制器50接收數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動器20基于接收到的數(shù)據(jù)DATA和數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(未示出)。與提供到掃描線S1～Sn的掃描信號中的每個同步地，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號中相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號可提供到數(shù)據(jù)線D1～Dm。
像素單元30可連接到第一電源ELVDD和第二電源ELVSS，第一電源ELVDD用于向像素40提供第一電壓VDD，第二電源ELVSS用于向像素40提供第二電壓VSS。像素40與第一電壓VDD信號和第二電壓VSS信號一起，根據(jù)相應(yīng)的數(shù)據(jù)信號來控制流過各OLED的電流。因此，像素40基于第一電壓VDD信號、第二電壓VSS信號和數(shù)據(jù)信號來產(chǎn)生光。
在公知的發(fā)光顯示器中，像素40中的每個可包括像素電路，像素電路包括用于選擇性提供各數(shù)據(jù)信號和各掃描信號的至少一個晶體管，其中，各掃描信號用于選擇性地選通和斷開發(fā)光顯示器的各像素40。
所期望的是發(fā)光顯示器中的各像素40響應(yīng)各數(shù)據(jù)信號的不同值來產(chǎn)生預(yù)定亮度的光。例如，當(dāng)相同的數(shù)據(jù)信號施加到顯示器的所有像素40時，通常理想的是顯示器的所有像素40產(chǎn)生相同的亮度。然而，各像素40產(chǎn)生的亮度不僅取決于數(shù)據(jù)信號。各像素40產(chǎn)生的亮度還取決于各像素40的特性，例如像素電路中的各晶體管的特性例如閾值電壓。
通常，各晶體管的閾值電壓和/或電子遷移率存在差異，這使得不同的晶體管具有不同的閾值電壓和電子遷移率。晶體管的特性也可隨著時間和/或使用而改變。例如，晶體管的閾值電壓和電子遷移率會取決于晶體管的導(dǎo)通/截止的經(jīng)歷。
因此，在發(fā)光顯示器中，各像素響應(yīng)各數(shù)據(jù)信號產(chǎn)生的亮度取決于可包括在各像素電路中的晶體管的特性。閾值電壓和電子遷移率的這種變化會阻擾或阻礙顯示均勻圖像。因此，閾值電壓和電子遷移率的這種變化還會阻礙具有期望亮度的圖像的顯示。
雖然通過控制像素40中的像素電路的結(jié)構(gòu)來至少部分補(bǔ)償包括在像素中的晶體管的閾值電壓間的差異是可能的，但是需要和期望能夠補(bǔ)償電子遷移率變化的電路和方法。也期望不管電子遷移率的變化如何都能夠顯示具有均勻亮度的圖像的OLED。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)驅(qū)動電路和使用該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器，其基本克服了由于相關(guān)領(lǐng)域的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題。
因此，本發(fā)明實施例的一個特征在于提供了一種能夠驅(qū)動發(fā)光顯示器的像素以顯示具有均勻亮度的圖像的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，和使用該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器，以及驅(qū)動該發(fā)光顯示器的方法。
本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點中的至少一個可通過提供一種基于像素的外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器的至少一個像素的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路來實現(xiàn)，其中，像素通過至少一條數(shù)據(jù)線與驅(qū)動電路可電連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括至少一個電流吸收器，可通過數(shù)據(jù)線從像素接收預(yù)定電流；電壓發(fā)生器，該電壓發(fā)生器可基于當(dāng)預(yù)定電流流過像素時像素產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓來分別設(shè)置多個灰階電壓的值；至少一個數(shù)-模轉(zhuǎn)換器，基于外部提供的數(shù)據(jù)的與像素相關(guān)聯(lián)的一部分的位值，數(shù)-模轉(zhuǎn)換器選擇多個被設(shè)置的灰階電壓之一作為像素的數(shù)據(jù)信號；至少一個開關(guān)單元，開關(guān)單元可將所選擇的數(shù)據(jù)信號提供到數(shù)據(jù)線。預(yù)定電流的值可等于或大于像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值。最大亮度可與當(dāng)多個被設(shè)置的灰階電壓中最高的一個被施加到像素時像素的亮度相對應(yīng)。
電壓發(fā)生器可包括在用于接收參考電源的第一端和用于接收補(bǔ)償電壓的第二端之間的多個分壓電阻器，用來設(shè)置灰階電壓。補(bǔ)償電阻器可連接在第二端和分壓電阻器之間，以減小補(bǔ)償電壓的值。補(bǔ)償電阻器可通過減小補(bǔ)償電壓的值來補(bǔ)償預(yù)定電流的高于像素可用于發(fā)射最大亮度的光的最小電流值的值，使得與所述最小電流相對應(yīng)的電壓被提供到分壓電阻器。在一個完整的用于驅(qū)動像素的周期的第一部分時間段內(nèi)，電流吸收器可接收來自像素的預(yù)定電流，在一個完整的用于基于所選擇的灰階電壓來驅(qū)動像素的周期中，第一部分時間段出現(xiàn)在第二部分時間段之前。
電流吸收器可包括電流源，用于接收預(yù)定電流；第一晶體管，設(shè)置在數(shù)據(jù)線和電壓發(fā)生器之間，第一晶體管在第一部分時間段內(nèi)可導(dǎo)通；第二晶體管，在數(shù)據(jù)線和電流源之間，第二晶體管在第一部分時間段內(nèi)可導(dǎo)通；電容器，可充入補(bǔ)償電壓。開關(guān)單元可包括至少一個晶體管，晶體管可只在基于所選擇的灰階電壓來驅(qū)動像素的完整的周期的任何其它部分時間段內(nèi)選擇性地將數(shù)據(jù)線和數(shù)-模轉(zhuǎn)換器彼此連接，其中，任何其它部分時間段出現(xiàn)在完整周期的第一部分時間段之后。開關(guān)單元可包括彼此連接以形成傳輸門的兩個晶體管。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括第一緩沖器，設(shè)置在數(shù)-模轉(zhuǎn)換器和開關(guān)單元之間；和/或第二緩沖器，設(shè)置在電流吸收器和電壓發(fā)生器之間。
數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的各通道可包括各電流吸收器、電壓發(fā)生器、數(shù)-模轉(zhuǎn)換器和開關(guān)單元中相應(yīng)的一個。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括至少一個移位寄存器，用于產(chǎn)生取樣脈沖；至少一個取樣鎖存器，用于響應(yīng)取樣脈沖來接收數(shù)據(jù)；至少一個保持鎖存器，在暫時存儲的數(shù)據(jù)被提供到數(shù)-模轉(zhuǎn)換器之前，暫時存儲存儲在取樣鎖存器中的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括電平移位器，用于在暫時存儲的數(shù)據(jù)被提供到數(shù)-模轉(zhuǎn)換器之前，改變存儲在保持鎖存器中的數(shù)據(jù)的電壓電平。
本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點的至少一個通過提供一種發(fā)光顯示器來單獨地實現(xiàn)，該發(fā)光顯示器包括像素單元，包括連接到n條掃描線、多條發(fā)射控制線和多條數(shù)據(jù)線的多個像素，n是自然數(shù)；掃描驅(qū)動器，用于在各掃描周期內(nèi)分別順序地將n個掃描信號提供給n條掃描線，并分別順序地將發(fā)射控制信號提供給發(fā)射控制線；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路基于由在用于驅(qū)動至少一個像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)流至數(shù)據(jù)線的各預(yù)定電流產(chǎn)生的各補(bǔ)償電壓來分別設(shè)置多個灰階電壓的值，并產(chǎn)生多個灰階電壓，其中，各預(yù)定電流的值等于或大于各像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值。
像素中的每個可與n條掃描線中的兩條連接，在每個掃描周期內(nèi)，在兩條掃描線中的第二掃描線接收n個掃描信號中的相應(yīng)的一個信號之前，兩條掃描線中的第一掃描線可接收n個掃描信號中的相應(yīng)的一個，像素中的每個可包括第一電源；有機(jī)發(fā)光二極管，有機(jī)發(fā)光二極管接收來自第一電源的電流；第一晶體管和第二晶體管，均可具有連接到數(shù)據(jù)線的與像素相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線的第一電極，當(dāng)提供兩個掃描信號中的第二掃描信號時，第一晶體管和第二晶體管可導(dǎo)通；第三晶體管，具有與參考電源連接的第一電極和與第一晶體管的第二電極連接的第二電極，當(dāng)提供兩個掃描信號中的第一掃描信號時，第三晶體管可導(dǎo)通；第四晶體管，可控制施加到有機(jī)發(fā)光二極管的電流量，第四晶體管的第一端可與第一電源連接；第五晶體管，具有與第四晶體管的柵電極連接的第一電極、與第四晶體管的第二電極連接的第二電極，當(dāng)提供兩個掃描信號中的第一掃描信號時，第五晶體管可導(dǎo)通，使得第四晶體管可作為二極管來操作。
像素中的每個可包括第一電容器，具有與第一晶體管的第二電極或第四晶體管的柵電極中的一個連接的第一電極、與第一電源連接的第二電極；第二電容器，具有與第一晶體管的第二電極連接的第一電極和與第四晶體管的柵電極連接的第二電極。
像素中的每個可包括第六晶體管，具有與第四晶體管的第二電極連接的第一端和與有機(jī)發(fā)光二極管連接的第二端，當(dāng)各發(fā)射控制信號被提供時，第六晶體管可截止。在用于基于所選擇的灰階電壓驅(qū)動像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，電流吸收器可從像素接收預(yù)定電流，在驅(qū)動像素的一個完整周期的第二部分時間段之前出現(xiàn)第一部分時間段，在用于驅(qū)動像素的一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，第六晶體管可截止。
本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點的至少一個可通過提供一種基于像素的外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器中的像素的方法來單獨地實現(xiàn)，其中，像素可通過至少一條數(shù)據(jù)線與驅(qū)動電路可電連接，所述方法可包括使預(yù)定電流通過數(shù)據(jù)線從像素流到發(fā)光顯示器的電流吸收器，預(yù)定電流的值等于或大于像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值；當(dāng)預(yù)定電流流過像素時產(chǎn)生補(bǔ)償電壓；基于所產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓設(shè)置多個灰階電壓的值并產(chǎn)生多個灰階電壓；基于外部提供的數(shù)據(jù)的與像素相關(guān)聯(lián)的部分的位值，選擇多個灰階電壓之一作為像素的數(shù)據(jù)信號；通過數(shù)據(jù)線將所選擇的數(shù)據(jù)信號提供到像素，其中，最大亮度可與當(dāng)多個重置的灰階電壓中最高的一個被施加到像素時像素的亮度相對應(yīng)。
使預(yù)定電流流動和產(chǎn)生補(bǔ)償電壓可發(fā)生在基于所選擇的灰階電壓驅(qū)動像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)。提供所選擇的數(shù)據(jù)信號可發(fā)生在驅(qū)動像素的一個完整周期的除第一部分時間段之外的任何部分時間段內(nèi)，所述任何部分時間段出現(xiàn)在第一部分時間段之后。當(dāng)從相應(yīng)的一個像素流到發(fā)光顯示器的電流吸收器的預(yù)定電流的值大于相應(yīng)的像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值時，產(chǎn)生補(bǔ)償電壓的步驟可包括在設(shè)置多個灰階電壓的值的步驟之前產(chǎn)生初始補(bǔ)償電壓和基于初始補(bǔ)償電壓的第一補(bǔ)償電壓。第一補(bǔ)償電壓可小于初始產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓，第一補(bǔ)償電壓可與多個灰階電壓中最高的一個以及當(dāng)流動的預(yù)定電流與像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流相等或基本相等時產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓相對應(yīng)。設(shè)置多個灰階電壓的值的步驟可包括將補(bǔ)償電壓提供到多個分壓電阻器。
本發(fā)明的以上和其它特征和優(yōu)點的至少一個可通過提供一種基于像素的外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器中的至少一個像素的可用于發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路來單獨地實現(xiàn)，其中，像素可與發(fā)光顯示器的至少一條數(shù)據(jù)線、至少一條掃描線和至少一條發(fā)射線電連接。所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括吸收預(yù)定電流的裝置，所述預(yù)定電流在基于所選擇的灰階電壓的完整周期的第一部分時間段內(nèi)通過數(shù)據(jù)線流過像素；利用預(yù)定電流產(chǎn)生補(bǔ)償電壓的裝置；基于當(dāng)預(yù)定電流流過像素時像素產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓，產(chǎn)生多個灰階電壓并設(shè)置多個灰階電壓值的裝置；基于外部提供的數(shù)據(jù)的與像素相關(guān)聯(lián)的部分的位值，選擇多個被設(shè)置的灰階電壓之一作為像素的數(shù)據(jù)信號的裝置；將所選擇的數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線的裝置，其中，預(yù)定電流的值可等于或大于像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值，最大亮度可與當(dāng)多個被設(shè)置的灰階電壓中最高的一個被施加到像素時像素的亮度相對應(yīng)。


通過參照附圖對本發(fā)明示例性實施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的這些和其它特征和優(yōu)點對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得顯而易見，附圖中圖1示出了公知的發(fā)光顯示器的示意圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光顯示器的示意圖；圖3示出了在圖2中示出的發(fā)光顯示器中可采用的一個示例性像素的電路圖；圖4示出了驅(qū)動圖3中示出的像素可采用的示例性波形；圖5示出了在圖2中示出的發(fā)光顯示器中可采用的另一個示例性像素的電路圖；圖6示出了圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第一實施例的框圖；圖7示出了圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第二實施例的框圖；圖8示出了將圖3中示出的像素和圖6中示出的電壓發(fā)生器、數(shù)-模轉(zhuǎn)換器、第一緩沖器、第二緩沖器、開關(guān)單元、電流吸收單元連接的連接方案的第一實施例的示意圖；圖9示出了驅(qū)動圖8中示出的像素、開關(guān)單元和電流吸收單元可采用的示例性波形；圖10示出了采用開關(guān)單元的另一實施例的圖8中示出的連接方案；圖11示出了將圖5中示出的像素與圖6中示出的電壓發(fā)生器、數(shù)-模轉(zhuǎn)換器、第一緩沖器、第二緩沖器、開關(guān)單元、電流吸收單元連接的連接方案的第二實施例的示意圖；圖12示出了將圖3中示出的像素與圖6中示出的電壓發(fā)生器、數(shù)-模轉(zhuǎn)換器、第一緩沖器、第二緩沖器、開關(guān)單元、電流吸收單元連接的連接方案的第三實施例的示意圖；圖13示出了將圖5中示出的像素與圖6中示出的電壓發(fā)生器、數(shù)-模轉(zhuǎn)換器、第一緩沖器、第二緩沖器、開關(guān)單元、電流吸收單元連接的連接方案的第四實施例的示意圖。
具體實施例方式
2005年8月1日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的名為“數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、使用該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器和驅(qū)動該發(fā)光顯示器的方法”的第2005-0070440號韓國專利申請，通過引用完全包含于此。
現(xiàn)在，將在下文中參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來實施，不應(yīng)該被理解為受限于這里提出的實施例。相反，提供這些實施例，使得該公開將是徹底和完全的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。
在下文中，將參照圖2至圖13來描述本發(fā)明的示例性實施例。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光顯示器的示意圖。
如圖2中所示，發(fā)光顯示器可包括掃描驅(qū)動器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動器120、像素單元130和時序控制器150。像素單元130可包括多個像素140。像素單元130可包括例如布置成n行、m列的n×m個像素140，其中，n和m都可以是整數(shù)。像素140可連接到掃描線S1～Sn、發(fā)射控制線E1～En和數(shù)據(jù)線D1～Dm。像素140可分別形成在由發(fā)射控制線E1～En和數(shù)據(jù)線D1～Dm分隔的區(qū)域中。掃描驅(qū)動器110可驅(qū)動掃描線S1～Sn和發(fā)射控制線E1～En。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可驅(qū)動數(shù)據(jù)線D1～Dm。時序控制器150可控制掃描驅(qū)動器110和數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可包括一個或多個數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。
時序控制器150可響應(yīng)外部提供的同步信號(未示出)來產(chǎn)生數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和掃描驅(qū)動控制信號SCS。由時序控制器150產(chǎn)生的數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS可提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動器120。由時序控制器150產(chǎn)生的掃描驅(qū)動控制信號SCS可提供到掃描驅(qū)動器110。時序控制器150可根據(jù)外部提供的數(shù)據(jù)(未示出)來向數(shù)據(jù)驅(qū)動器120提供數(shù)據(jù)DATA。
掃描驅(qū)動器110可從時序控制器150接收掃描驅(qū)動控制信號SCS。掃描驅(qū)動器110可基于接收到的掃描驅(qū)動控制信號SCS來產(chǎn)生掃描信號SS1～SSn，并可分別順序地向掃描線S1～Sn提供掃描信號SS1～SSn。掃描驅(qū)動器110可順序地向發(fā)射控制線E1～En提供發(fā)射控制信號ES1～ESn?？商峁┌l(fā)射控制信號ES1～ESn中的每個，例如可提供從低電壓信號改變到高電壓信號的發(fā)射控制信號，使得“選通”發(fā)射控制信號例如高電壓信號與掃描信號SS1～SSn中的至少兩個至少部分疊置。因此，在本發(fā)明的實施例中，發(fā)射控制信號ES1～ESn的脈寬可等于或大于掃描信號SS1～SSn的脈寬。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可從時序控制器150接收數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可基于接收到的數(shù)據(jù)驅(qū)動控制信號DCS和數(shù)據(jù)DATA來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號DS1～DSm。與施加到掃描線S1～Sn的掃描信號SS1～SSn同步地，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可被提供到數(shù)據(jù)線D1～Dm。例如，當(dāng)?shù)谝粋€掃描信號SS1被提供時，所產(chǎn)生的與像素140(1)(1～m)對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可通過數(shù)據(jù)線D1～Dm同步地提供到在第1行中的第1個像素至第m個像素，當(dāng)?shù)趎個掃描信號SSn被提供時，所產(chǎn)生的與像素140(n)(1～m)對應(yīng)的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可通過數(shù)據(jù)線D1～Dm同步地提供到在第n行中的第1個像素至第m個像素。
在用于驅(qū)動一個或多個像素140的一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可向數(shù)據(jù)線D1～Dm提供預(yù)定電流。例如，一個水平周期1H可對應(yīng)于與為了驅(qū)動各像素140提供到各像素140的掃描信號SS1～SSn中的一個以及數(shù)據(jù)信號DS1～DSm中相應(yīng)的一個相關(guān)的完整周期。在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可向數(shù)據(jù)線D1～Dm提供預(yù)定的電壓。例如，一個水平周期1H可對應(yīng)于與為了驅(qū)動各像素140提供到各像素140的掃描信號SS1～SSn中的一個以及數(shù)據(jù)信號DS1～DSm中相應(yīng)的一個相關(guān)的完整周期。在本發(fā)明的實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器120可包括至少一個數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200用于在一個水平周期1H的第一時間段和第二時間段內(nèi)提供這種預(yù)定的電流和預(yù)定的電壓。在下面的描述中，在第二時間段內(nèi)會提供到數(shù)據(jù)線D1～Dm的預(yù)定電壓將被表示為數(shù)據(jù)信號DS1～DSm。
像素單元130可被連接到第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和參考電源ELVref(未示出)，其中，第一電源ELVDD向像素140提供第一電壓VDD，第二電源ELVSS向像素140提供第二電壓VSS，參考電源ELVref向像素140提供參考電壓Vref。第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和參考電源ELVref可由外部提供。像素140可接收第一電壓VDD信號和第二電壓VSS信號，并可根據(jù)數(shù)據(jù)信號DS1～DSm來控制流過各發(fā)光器件/材料例如OLED的電流，其中，數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可由數(shù)據(jù)驅(qū)動器120提供到像素140。因此，像素140可對應(yīng)于接收到的數(shù)據(jù)DATA來產(chǎn)生光分量。
像素140中的一些或全部可分別從第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和參考電源ELVref接收第一電壓VDD信號、第二電壓VSS信號和參考電壓Vref信號。像素140可利用參考電壓Vref信號來補(bǔ)償閾值電壓和/或第一電壓VDD信號的壓降。補(bǔ)償?shù)牧靠苫诜謩e由參考電源ELVref和第一電源ELVDD提供的參考電壓Vref信號和第一電壓VDD信號的電壓值之間的差。像素140可響應(yīng)各數(shù)據(jù)信號DS1～DSm提供從第一電源ELVDD經(jīng)過例如OLED到第二電源ELVSS的各電流。在本發(fā)明的實施例中，像素140的每個可具有例如圖3或圖5中示出的結(jié)構(gòu)。
圖3示出了在圖2示出的發(fā)光顯示器中可采用的第nm個示例性像素140nm的電路圖。為了簡便起見，圖3示出了第nm個像素，該第nm個像素可為在第n行掃描線Sn和第m列數(shù)據(jù)線Dm的交叉處設(shè)置的像素。第nm個像素140nm可連接到第m條數(shù)據(jù)線Dm、第n-1條掃描線Sn-1、第n條掃描線Sn和第n條發(fā)射控制線En。為了簡便起見，圖3僅示出了一個示例性像素140nm。在本發(fā)明的實施例中，示例性像素140nm的結(jié)構(gòu)可用于發(fā)光顯示器的所有像素140或部分像素140。
參照圖3，第nm個像素140nm可包括發(fā)光材料/器件例如OLEDnm以及用于向相關(guān)發(fā)光材料/器件提供電流的第nm個像素電路142nm。
第nm個OLEDnm可響應(yīng)第nm個像素電路142nm提供的電流來產(chǎn)生預(yù)定顏色的光。第nm個OLEDnm可由例如有機(jī)材料、熒光體材料和/或無機(jī)材料形成。
在本發(fā)明的實施例中，第nm個像素電路142nm可產(chǎn)生補(bǔ)償電壓，用于補(bǔ)償在像素140之中和/或像素140內(nèi)的變化，使得像素140可顯示具有均勻亮度的圖像。在各掃描周期中，第nm個像素電路142nm可利用掃描信號SS1～SSn中的前一個提供的掃描信號來產(chǎn)生補(bǔ)償電壓。在本發(fā)明的實施例中，一個掃描周期可對應(yīng)于被順序提供的掃描信號SS1～SSn。因此，在本發(fā)明的實施例中，在各周期內(nèi)，在提供第n個掃描信號SSn之前可先提供第n-1個掃描信號SSn-1，并且當(dāng)?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供到發(fā)光顯示器的第n-1條掃描信號線時，第nm個像素電路142nm可采用第n-1個掃描信號SSn-1來產(chǎn)生補(bǔ)償電壓。例如，在第二列中的第二像素即2-2像素14022可利用第一掃描信號SS1來產(chǎn)生補(bǔ)償電壓。
補(bǔ)償電壓可補(bǔ)償源電壓信號的壓降和/或由第nm個像素電路142nm中的晶體管的閾值電壓導(dǎo)致的壓降。例如，基于補(bǔ)償電壓，第nm個像素電路142nm可補(bǔ)償?shù)谝浑妷篤DD信號的壓降和/或晶體管的閾值電壓例如像素電路142nm中的第四晶體管M4nm的閾值電壓，其中，補(bǔ)償電壓可利用在相同掃描周期內(nèi)的前一個提供的掃描信號來產(chǎn)生。
在本發(fā)明的實施例中，當(dāng)?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，像素電路142nm可補(bǔ)償?shù)谝浑娫碋LVDD的壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓，并且當(dāng)?shù)趎個掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時，像素電路142nm可充入與數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓。在本發(fā)明的實施例中，像素電路142nm可包括第一晶體管M1nm至第六晶體管M6nm、第一電容器C1nm和第二電容器C2nm，用于幫助產(chǎn)生補(bǔ)償電壓并驅(qū)動發(fā)光材料/器件。
第一晶體管M1nm的第一電極可與數(shù)據(jù)線Dm連接，第一晶體管M1nm的第二電極可與第一節(jié)點N1nm連接。第一晶體管M1nm的柵電極可連接到第n條掃描線Sn。當(dāng)?shù)趎個掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時，第一晶體管M1nm可導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谝痪w管M1nm導(dǎo)通時，數(shù)據(jù)線Dm可與第一節(jié)點N1nm電連接。
第一電容器C1nm的第一電極可與第一節(jié)點N1nm連接，第一電容器C1nm的第二電極可與第一電源ELVDD連接。
第二晶體管M2nm的第一電極可與數(shù)據(jù)線Dm連接，第二晶體管M2nm的第二電極可與第四晶體管M4nm的第二電極連接。第二晶體管M2nm的柵電極可與第n條掃描線Sn連接。當(dāng)?shù)趎個掃描信號SSn被提供到第n條掃描線時，第二晶體管M2nm可導(dǎo)通。當(dāng)?shù)诙w管M2nm導(dǎo)通時，數(shù)據(jù)線Dm可被電連接到第四晶體管M4nm的第二電極。
第三晶體管M3nm的第一電極可與參考電源ELVref連接，第三晶體管M3nm的第二電極可與第一節(jié)點N1nm連接。第三晶體管M3nm的柵電極可與第n-1條掃描線Sn-1連接。當(dāng)?shù)趎-1個掃描信號被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第三晶體管M3nm可導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谌w管M3nm導(dǎo)通時，參考電壓Vref可與第一節(jié)點N1nm電連接。
第四晶體管M4nm的第一電極可與第一電源ELVDD連接，第四晶體管M4nm的第二電極可與第六晶體管M6nm的第一電極連接。第四晶體管M4nm的柵電極可與第二節(jié)點N2nm連接。
第二電容器C2nm的第一電極可與第一節(jié)點N1nm連接，第二電容器C2nm的第二電極可與第二節(jié)點N2nm連接。
在本發(fā)明的實施例中，當(dāng)?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供時，第一電容器C 1nm和第二電容器C2nm可被充電。具體地講，第一電容器C1nm和第二電容器C2nm可被充電，第四晶體管M4nm可將與第二節(jié)點N2nm處的電壓對應(yīng)的電流提供到第六晶體管M6nm的第一電極。
第五晶體管M5nm的第二電極可與第二節(jié)點N2nm連接，第五晶體管M5nm的第一電極可與第四晶體管M4nm的第二電極連接。第五晶體管M5nm的柵電極可與第n-1條掃描線Sn-1連接。當(dāng)?shù)趎-1個掃描信號SSn-1提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第五晶體管M5nm可導(dǎo)通，使得電流流過第四晶體管M4nm。因此，第四晶體管M4nm可如二極管般操作。
第六晶體管M6nm的第一電極可與第四晶體管M4nm的第二電極連接，第六晶體管M6nm的第二電極可與第nm個OLEDnm的陽極連接。第六晶體管M6nm的柵電極可與第n條發(fā)射控制線En連接。當(dāng)發(fā)射控制信號ESn例如高電壓信號被提供到第n條發(fā)射控制線En時，第六晶體管M6nm可截止，而當(dāng)沒有發(fā)射控制信號被提供到第n條發(fā)射控制線En時，例如當(dāng)?shù)碗妷盒盘柋惶峁┑降趎條發(fā)射控制線En時，第六晶體管M6nm可導(dǎo)通。
在本發(fā)明的實施例中，提供到第n條發(fā)射控制線En的發(fā)射控制信號ESn可被提供，以與第n-1個掃描信號SSn-1和第n個掃描信號SSn至少部分疊置，其中，第n-1個掃描信號SSn-1可被提供到第n-1條掃描線Sn-1，第n個掃描信號SSn可被提供到第n條掃描線Sn。因此，當(dāng)?shù)趎-1個掃描信號SSn-1例如低電壓被提供到第n-1條掃描線Sn-1和第n個掃描信號SSn例如低電壓被提供到第n條掃描線Sn時，第六晶體管M6nm可截止，使得預(yù)定電壓可充入第一電容器C1nm和第二電容器C2nm。在其它時間段內(nèi)，第六晶體管M6nm可導(dǎo)通，從而使第四晶體管M4nm和第nm個OLEDnm彼此電連接。在圖3中示出的示例性實施例中，晶體管M1nm～M6nm是PMOS型晶體管，當(dāng)?shù)碗妷盒盘柋惶峁┑礁鳀烹姌O時，晶體管M1nm～M6nm可導(dǎo)通，當(dāng)高電壓信號被提供到各柵電極時，晶體管M1nm～M6nm可截止。然而，本發(fā)明不限于PMOS器件。
在圖3示出的像素中，參考電壓Vref信號不提供到各OLED。因為參考電源ELVref不向像素140提供電流，所以不會發(fā)生參考電壓Vref的壓降。因此，不管像素140的位置如何，都能夠保持參考電壓Vref信號的電壓值一致。在本發(fā)明的實施例中，參考電壓Vref的電壓值可與第一電壓ELVDD相等或不同。
圖4示出了驅(qū)動圖3中示出的示例性的第nm個像素140nm可采用的示例性波形。如圖4中所示，用于驅(qū)動第nm個像素140nm的各水平周期1H可分為第一時間段和第二時間段。在第一時間段內(nèi)，預(yù)定電流(PC)可分別流過數(shù)據(jù)線D1～Dm。在第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可通過數(shù)據(jù)線D1～Dm被提供到各像素140。在第一時間段內(nèi)，各PC可從各像素140被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200，其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200能夠至少部分用作電流吸收器。在第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可從數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200被提供到像素140。為了簡便起見，在下面的描述中，將假設(shè)至少在最初，即在像素140的操作可導(dǎo)致任何壓降之前，參考電壓Vref信號的電壓值等于第一電壓VDD信號的電壓值。
將參照圖3和圖4來詳細(xì)描述操作像素140中的第nm個像素140nm的第nm個像素電路142nm的示例性方法。首先，第n-1個掃描信號SSn-1可被提供到第n-1條掃描線Sn-1，以控制可與第n-1條掃描線Sn-1連接的m個像素的選通操作/關(guān)斷操作。當(dāng)掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第nm個像素140nm的第nm個像素電路142nm中的第三晶體管M3nm和第五晶體管M5nm可導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谖寰w管M5nm導(dǎo)通時，電流可流過第四晶體管M4nm，使得第四晶體管M4nm可如二極管般操作。當(dāng)?shù)谒木w管M4nm如二極管般操作時，第二節(jié)點N2nm的電壓值可對應(yīng)于第一電源ELVDD提供的第一電壓VDD信號的電壓與第四晶體管M4nm的閾值電壓之間的差。
更具體地講，當(dāng)?shù)谌w管M3nm導(dǎo)通時，來自參考電源ELVref的參考電壓Vref信號可被提供到第一節(jié)點N1nm。第二電容器C2nm可被充以與第一節(jié)點N1nm和第二節(jié)點N2nm之間的差對應(yīng)的電壓。在本發(fā)明的實施例中，來自參考電源ELVref的參考電壓Vref信號和來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD可至少初始地相等，即在像素140的操作期間可導(dǎo)致任何壓降之前可相等，與第四晶體管M4nm的閾值電壓對應(yīng)的電壓可充入第二電容器C2nm。在第一電壓VDD信號的預(yù)定壓降發(fā)生的本發(fā)明的實施例中，第四晶體管M4nm的閾值電壓和與第一電源ELVDD的壓降的大小對應(yīng)的電壓可被充入第二電容器C2nm。
在本發(fā)明的實施例中，在第n-1個掃描信號SSn-1可被提供到第n-1條掃描線Sn-1的時間段內(nèi)，與第四晶體管M4nm的閾值電壓和對應(yīng)于第一電壓VDD的壓降的電壓之和相對應(yīng)的預(yù)定電壓可被充入第二電容器C2nm。通過在第m列的第n-1個像素的操作期間存儲與來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓之和對應(yīng)的電壓，隨后能夠在第nm個像素140nm的操作期間利用所存儲的電壓來補(bǔ)償?shù)谝浑妷篤DD信號的壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在第n個掃描信號SSn提供到第n條掃描線Sn之前，與第四晶體管M4nm的閾值電壓和參考電壓信號Vref同第一電壓VDD信號之間的差的和對應(yīng)的電壓可充入第二電容器C2nm。當(dāng)?shù)趎個掃描信號SSn提供到第n條掃描線Sn時，第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm可導(dǎo)通。在一個水平周期的第一時間段內(nèi)，當(dāng)?shù)趎m個像素140nm的像素電路142nm中的第二晶體管M2nm導(dǎo)通時，PC可從第nm個像素140nm通過數(shù)據(jù)線Dm被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。在本發(fā)明的實施例中，PC可通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nm、第二晶體管M2nm和數(shù)據(jù)線Dm被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。隨后，響應(yīng)提供的PC，預(yù)定電壓可被充入第一電容器C1nm和第二電容器C2nm。
數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可基于預(yù)定電壓的值即當(dāng)如上所述PC吸收時會產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓來重置伽瑪電壓單元(未示出)的電壓。來自伽瑪電壓單元(未示出)的重置電壓可用于產(chǎn)生將被分別提供到數(shù)據(jù)線D1～Dm的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm。
在本發(fā)明的實施例中，在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1～DS2可被分別提供到各數(shù)據(jù)線D1～Dm。更具體地講，例如，在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，各產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DSm可通過第一晶體管M1nm被提供到各第一節(jié)點N1nm。然后，與數(shù)據(jù)信號DSm和第一電源ELVDD之間的差對應(yīng)的電壓可被充入第一電容器C1nm。第二節(jié)點N2nm可隨后懸浮，并且第二電容器C2nm可保持先前充入的電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在第m列的n個像素被控制并且掃描信號SSn-1被提供到前一掃描線Sn-1的時間段內(nèi)，與第四晶體管M4nm的閾值電壓和來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的壓降對應(yīng)的電壓可充入第nm個像素140nm的第二電容器C2nm，以補(bǔ)償來自第一電源ELVDD的第一電壓VDD信號的壓降和第四晶體管M4nm的閾值電壓。
在本發(fā)明的實施例中，在第n個掃描信號Sn被提供到第n條掃描線Sn的時間段內(nèi)，伽瑪電壓單元(未示出)的電壓可被重置，利用各重置的伽瑪電壓，使得包括在與各數(shù)據(jù)線D1～Dm相關(guān)的相應(yīng)的各第n個像素140n中的晶體管的電子遷移率可被補(bǔ)償，并且各產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號DS1～DSm可被提供到第n個像素140n。因此，在本發(fā)明的實施例中，晶體管的閾值電壓和電子遷移率的不一致可以得到補(bǔ)償，從而可顯示具有均勻亮度的圖像。以下將描述用于重置伽瑪電壓單元的電壓的過程。
圖5示出了圖2中示出的發(fā)光顯示器可采用的第nm個像素140nm’的另一個示例性實施例。圖5中示出的第nm個像素140nm’的結(jié)構(gòu)與圖3中示出的第nm個像素140nm的結(jié)構(gòu)基本相同，除了像素單元142nm’中的第一電容器C1nm’的布置以及與第一節(jié)點N1nm’和第二節(jié)點N2nm’的各連接之外。在圖5中示出的示例性實施例中，第一電容器C1nm’的第一電極可與第二節(jié)點N2nm’連接，第一電容器C1nm’的第二電極可與第一電源ELVDD連接。第二電容器C2nm’的第一電極可與第一節(jié)點N1nm’連接，第二電容器C2nm’的第二電極可與第二節(jié)點N2nm’連接。第一節(jié)點N1nm’可與第一晶體管M1nm的第二電極、第三晶體管M3nm的第二電極和第二電容器C2nm’的第一電極連接。第二節(jié)點N2nm’可與第四晶體管M4nm的柵電極、第五晶體管M5nm的第二電極、第一電容器C1nm’的第一電極和第二電容器C2nm’的第二電極連接。
在下面的描述中，將采用圖3中示出的第nm個像素140nm的描述中的以上采用的相同的標(biāo)號來描述在圖5中示出的第nm個像素140nm’的示例性實施例中的相同的特征。
將參照圖4和圖5來詳細(xì)描述用于操作像素140中的第nm個像素140nm’的第nm個像素電路142nm’的示例性方法。首先，在驅(qū)動第n-1個像素140(n-1)(1tom)，即布置在第(n-1)行的像素的水平周期內(nèi)，當(dāng)?shù)趎-1個掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第n個像素140(n)(1tom)即布置在第n行的像素的第三晶體管M3nm和第五晶體管M5nm可導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)谖寰w管M5nm導(dǎo)通時，電流可流過第四晶體管M4nm，使得第四晶體管M4nm可以如二極管般操作。當(dāng)?shù)谒木w管M4nm如二極管般操作時，通過與由第一電源ELVDD減去第四晶體管M4nm的閾值電壓得到的值對應(yīng)的電壓可被提供到第二節(jié)點N2nm’。與第四晶體管M4nm的閾值電壓對應(yīng)的電壓可充入第一電容器C1nm’。如圖5中所示，第一電容器C1nm’可設(shè)置在第二節(jié)點N2nm’和第一電源ELVDD之間。
當(dāng)?shù)谌w管M3nm導(dǎo)通時，參考電源ELVref的電壓可被施加到第一節(jié)點N1nm’。然后，第二電容器C2nm’可被充以與第一節(jié)點N1nm’和第二節(jié)點N2nm’之間的差對應(yīng)的電壓。在第n-1個掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1并且第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm可截止的時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DSm可不被提供到第nm個像素140nm’。
然后，在用于驅(qū)動第nm個像素140nm’的一個水平周期的第一時間段內(nèi)，掃描信號SSn可被提供到第n條掃描線Sn，第一晶體管M1nm和第二晶體管M2nm可導(dǎo)通。當(dāng)?shù)诙w管M2nm導(dǎo)通時，在一個水平周期的第一時間段內(nèi)，各PC可從第nm個像素140nm’通過數(shù)據(jù)線Dm被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。PC可通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nm、第二晶體管M2nm和數(shù)據(jù)線Dm被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200。響應(yīng)PC，預(yù)定電壓可被充入第一電容器C1nm’和第二電容器C2nm’。
數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可利用響應(yīng)PC施加的補(bǔ)償電壓來重置伽瑪電壓單元的電壓，以利用伽瑪電壓單元的各重置電壓來產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號DS。
然后，在用于驅(qū)動第nm個像素140nm’的一個水平周期的第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DSm可被提供到第一節(jié)點N1nm’。與數(shù)據(jù)信號DSm對應(yīng)的預(yù)定電壓可被充入第一電容器C1nm’和第二電容器C2nm’。
當(dāng)提供數(shù)據(jù)信號DSm時，第一節(jié)點N1nm’的電壓可從參考電源ELVref的電壓Vref減小為數(shù)據(jù)信號DSm的電壓。此時，由于第二節(jié)點N2nm’可懸浮，所以第二節(jié)點N2nm’的電壓值可響應(yīng)第一節(jié)點N1nm’的壓降的量來減小。第二節(jié)點N2nm’會出現(xiàn)的電壓的減小量可由第一電容器C1nm’和第二電容器C2nm’的電容來決定。
當(dāng)?shù)诙?jié)點N2nm’的電壓減小時，與第二節(jié)點N2nm’的電壓值對應(yīng)的預(yù)定電壓可被充入第一電容器C1nm’。當(dāng)參考電源ELVref的電壓值被固定時，充入第一電容器C1nm’的電壓的量可由數(shù)據(jù)信號DSm來決定。即，在圖5中示出的第nm個像素140nm’中，因為充入第一電容器C1nm’和第二電容器C2nm’的電壓值可由參考電源ELVref和數(shù)據(jù)信號DSm來決定，所以不管第一電源ELVDD的壓降如何，都可以充入期望的電壓。
在本發(fā)明的實施例中，伽瑪電壓單元的電壓可被重置，利用重置的伽瑪電壓，使得包括在各像素140中的晶體管的電子遷移率可被補(bǔ)償，并且可提供各產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號。在本發(fā)明的實施例中，晶體管的閾值電壓之間的不一致及晶體管的電子遷移率的偏差可被補(bǔ)償，因此使得能夠顯示具有均勻亮度的圖像。
圖6示出了圖2中示出的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的第一示例性實施例的框圖。為了簡便起見，在圖6中，假設(shè)數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200具有j個通道，其中j是大于或等于2的自然數(shù)。
如圖6中所示，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200可包括移位寄存器單元210、取樣鎖存器單元220、保持鎖存器單元230、伽瑪電壓單元240、數(shù)-模轉(zhuǎn)換單元(在下文中被稱作“DAC單元”)250、第一緩沖器單元270、第二緩沖器單元260、電流提供單元280和選擇器290。
移位寄存單元210可從時序控制器150接收源移位時鐘SSC和源起始脈沖SSP。移位寄存單元210可利用源移位時鐘SSC和源起始脈沖SSP，以在源移位時鐘SSC的每個周期內(nèi)將源起始脈沖SSP移位的同時，順序地產(chǎn)生j個取樣信號。移位寄存單元210可包括j個移位寄存器2101-210j。
取樣鎖存器單元220可響應(yīng)移位寄存單元210順序提供的取樣信號來順序地存儲各數(shù)據(jù)DATA。取樣鎖存器單元220可包括j個取樣鎖存器2201-220j，以存儲j個數(shù)據(jù)DATA。取樣鎖存器2201-220j中的每個可具有與數(shù)據(jù)DATA的位數(shù)對應(yīng)的大小。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)DATA由k位組成時，取樣鎖存器2201-220j中的每個可具有k位的大小。
保持鎖存器單元230可從取樣鎖存器單元220接收數(shù)據(jù)DATA，以在源輸出使能SOE信號輸入時存儲數(shù)據(jù)DATA。當(dāng)SOE信號輸入到保持鎖存器單元230時，保持鎖存器單元230可提供存儲在其中的數(shù)據(jù)DATA。保持鎖存器單元230可包括j個保持鎖存器2301-230j，以存儲j個數(shù)據(jù)DATA。保持鎖存器2301-230j中的每個可具有與數(shù)據(jù)DATA的位數(shù)對應(yīng)的大小。例如，保持鎖存器2301-230j中的每個可具有k位的大小，使得各數(shù)據(jù)DATA可被存儲。
伽瑪電壓單元240可包括j個電壓發(fā)生器2401-240j，用于響應(yīng)k位數(shù)據(jù)DATA產(chǎn)生預(yù)定的灰階電壓。如圖8中所示，電壓發(fā)生器2401-240j中的每個可包括多個分壓電阻器R1-Rl，用于產(chǎn)生2k個灰階電壓。電壓發(fā)生器2401-240j可利用從第二緩沖器260提供的補(bǔ)償電壓來重置灰階電壓值，并可將重置的灰階電壓值提供到DAC 2501-250j。
DAC單元250可包括j個DAC 2501-250j，DAC 2501-250j可響應(yīng)數(shù)據(jù)DATA的位值產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號DS。響應(yīng)從保持鎖存單元230提供的數(shù)據(jù)DATA的位值，DAC 2501-250j中的每個可選擇多個灰階電壓中的一個來產(chǎn)生各數(shù)據(jù)信號DS1-DSj。
第一緩沖器單元270可將來自DAC單元250的各數(shù)據(jù)信號DS提供到選擇器290。第一緩沖器單元270可包括j個第一緩沖器2701-270j。
選擇器290可控制數(shù)據(jù)線D1-Dj與第一緩沖器2701-270j之間的電連接。在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，選擇器290可將數(shù)據(jù)線D1-Dj與第一緩沖器2701-270j彼此電連接。在本發(fā)明的實施例中，僅在一個水平周期的第二時間段內(nèi)，選擇器290可將數(shù)據(jù)線D1-Dj與第一緩沖器2701-270j彼此電連接。在除了各水平周期的第二時間段外的時間段內(nèi)，選擇器290可保持?jǐn)?shù)據(jù)線D1-Dj與第一緩沖器2701-270j彼此電斷開。
選擇器290可包括j個開關(guān)單元2901-290j。通過開關(guān)單元2901-290j，可分別將產(chǎn)生的各數(shù)據(jù)信號DS1-DSj從第一緩沖器2701-270j提供到數(shù)據(jù)線D1-Dj。在本發(fā)明的實施例中，選擇器290可采用其它類型的開關(guān)單元。圖10示出了選擇器290可采用的開關(guān)單元290j的另一示例性實施例。
在一個水平周期的第一時間段內(nèi)，電流提供單元280可從與數(shù)據(jù)線D1-Dj連接的像素140吸收PC。例如，電流提供單元280可從各像素140中吸收電流。如以下所討論的，各像素可吸收至電流提供單元280的電流量可對應(yīng)于或大于將被提供到每個像素140的各OLED的使之以最大的亮度發(fā)光的最小電流量。電流提供單元280可有助于當(dāng)各電流吸收至第二緩沖單元260時分別產(chǎn)生預(yù)定的補(bǔ)償電壓。電流提供單元280可包括j個電流吸收器2801-280j。
第二緩沖器單元260可將從電流提供單元280提供的補(bǔ)償電壓提供到伽瑪電壓單元240。因此，第二緩沖器單元260可包括j個第二緩沖器2601-260j。
如圖7中所示，在本發(fā)明的.實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200還可包括電平移位單元300，電平移位單元300可與保持鎖存器單元230和DAC單元250連接。在將數(shù)據(jù)DATA提供給DAC單元250之前，電平移位單元300可增大或降低從保持鎖存器單元230提供的數(shù)據(jù)DATA的電壓電平。當(dāng)從外部系統(tǒng)提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200的數(shù)據(jù)DATA具有高電壓電平時，響應(yīng)于電壓電平，通常應(yīng)該提供具有耐高壓特性的電路組件，從而增加了制造成本。在本發(fā)明的實施例中，從外部系統(tǒng)提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動電路200的數(shù)據(jù)DATA可具有低的電壓電平，并且可通過電平移位單元300將低的電壓電平轉(zhuǎn)變?yōu)楦叩碾妷弘娖健?br> 圖8示出了連接特定通道中的電壓發(fā)生器240j、DAC 250j、第一緩沖器270j、第二緩沖器260j、開關(guān)單元290j、電流吸收器280j與像素140nj的連接方案的第一實施例。為了簡便起見，圖8僅示出了一個通道即第j個通道，并假設(shè)數(shù)據(jù)線Dj與根據(jù)圖3中示出的第nm個像素140nm的示例性實施例的第nj個像素140nj連接。
如圖8中所示，電壓發(fā)生器240j可包括多個分壓電阻器R1-Rl。分壓電阻器R1-Rl可置于參考電源ELVref和第二緩沖器260j之間，并可劃分提供到參考電源Vref和第二緩沖器260j之間的電壓。分壓電阻器R1-Rl可劃分參考電源ELVref的電壓和從第二緩沖器260j提供的補(bǔ)償電壓之間的電壓，并可產(chǎn)生多個灰階電壓(V0至V2k-1)，所產(chǎn)生的多個灰階電壓V0至V2k-1可被提供到DAC 250j。
DAC 250j可響應(yīng)數(shù)據(jù)DATA的位值在灰階電壓V0至V2k-1中選擇一個灰階電壓，并可將所選擇的灰階電壓提供到第一緩沖器270j。DAC 250j選擇的灰階電壓可用作各數(shù)據(jù)信號DSj。第一緩沖器270j可將從DAC 250j提供的數(shù)據(jù)信號DSj傳輸給開關(guān)單元290j。
開關(guān)單元290j可包括第十一晶體管M11j。如圖8所示，第十一晶體管M11j可由第一控制信號CS1控制。如圖9所示，在本發(fā)明的實施例中，第十一晶體管M11j通過第一控制信號CS1在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)可導(dǎo)通，在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)可截止。在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)，數(shù)據(jù)信號DSj可提供到數(shù)據(jù)線Dj。在本發(fā)明的實施例中，數(shù)據(jù)信號DSj可僅在一個水平周期的第二時間段內(nèi)提供到數(shù)據(jù)線Dj，在第一時間段或其它時間段內(nèi)，不會被提供到數(shù)據(jù)線Dj。
電流吸收器280j可包括第十二晶體管M12j、第十三晶體管M13j、電流源Imaxj和第三電容器C3j。電流源Imaxj可與第十三晶體管M13j的第一電極連接。第三電容器C3j可連接在第三節(jié)點N3j和地電壓源GND之間?？捎傻诙刂菩盘朇S2來控制第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j。第十二晶體管M12的第一電極也可與第三節(jié)點N3j連接。
第十二晶體管M12j的柵電極可與第十三晶體管M13j的柵電極連接。第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可接收第二控制信號CS2。第十二晶體管M12j的第二電極可與第十三晶體管M13j的第二電極及數(shù)據(jù)線Dj連接。第十二晶體管M12j的第一電極可與第二緩沖器260j連接。第十二晶體管M12j通過第二控制信號CS2在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)可導(dǎo)通，并在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)可截止。
第十三晶體管M13j的柵電極可與第十二晶體管M12j的柵電極連接，第十三晶體管的第二電極可與數(shù)據(jù)線Dj連接。第十三晶體管M13j的第一電極可與電流源Imaxj連接。第十三晶體管M13j通過第二控制信號CS2在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)可導(dǎo)通，在一個水平周期1H的第二時間段內(nèi)可截止。
在第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可導(dǎo)通的第一時間段內(nèi)，電流源Imaxj可從各像素140nj接收OLED所需的使得像素140nj能夠發(fā)射具有最大亮度的光的最小電流。
當(dāng)電流通過各像素140nj被提供到電流源Imaxj時，第三電容器C3j可存儲施加到第三節(jié)點N3j的補(bǔ)償電壓。第三電容器C3j在第一時間段內(nèi)可充入施加到第三節(jié)點N3j的補(bǔ)償電壓，并且即使在第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j會截止時也保持第三節(jié)點N3j的補(bǔ)償電壓均勻。
第二緩沖器260j可將施加到第三節(jié)點N3j的補(bǔ)償電壓傳輸?shù)诫妷喊l(fā)生器240j。具體地講，第二緩沖器260j可將充在第三電容器C3j中的電壓傳輸?shù)诫妷喊l(fā)生器240j。電壓發(fā)生器240j可劃分參考電源ELVref提供的參考電壓Vref的電壓和第二緩沖器260j提供的補(bǔ)償電壓之間的電壓?？苫诜謩e包括在像素140的與第j條數(shù)據(jù)線Dj相關(guān)聯(lián)的那些像素中的晶體管的電子遷移率和/或閾值電壓來設(shè)置施加到第三節(jié)點N3j的補(bǔ)償電壓。可由當(dāng)前通過數(shù)據(jù)線Dj接收各數(shù)據(jù)信號DSj的像素140nj來確定提供到j(luò)個電壓發(fā)生器2401至240j的補(bǔ)償電壓。
在不同的補(bǔ)償電壓被提供到j(luò)個電壓發(fā)生器2401至240j的本發(fā)明的實施例中，提供到設(shè)置在j個通道中的DAC 2501-250j的灰階電壓V0至V2k-1的值可被設(shè)置成彼此不同。在本發(fā)明的實施例中，可通過連接到數(shù)據(jù)線D1至Dj的像素140來控制灰階電壓V0至V2k-1，并且即使當(dāng)包括在像素140中的晶體管的電子遷移率不一致時，像素單元130也可顯示具有均勻亮度的圖像。在本發(fā)明的實施例中，當(dāng)灰階電壓V0至V2k-1中最高的一個用作各數(shù)據(jù)信號DS時，像素140可發(fā)射最大亮度的光。
圖9示出了可提供到圖8中示出的開關(guān)單元290j、電流吸收單元280j和像素140nj的示例性驅(qū)動波形。
將參照圖8和圖9來詳細(xì)描述控制提供到像素140的數(shù)據(jù)信號DS的各電壓的過程。在圖8中示出的示例性實施例中，提供了根據(jù)圖3中示出的示例性實施例的像素140nj和像素電路142nj。在下面的描述中，以上在圖3中示出的第nm個像素140nm的描述中使用的相同的標(biāo)號，將被用來描述在圖8中示出的第nj個像素140nj的示例性實施例中的相同的特征。
首先，掃描信號SSn-1可被提供到第n-1條掃描線Sn-1。當(dāng)掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，第三晶體管M3nj和第五晶體管M5nj可導(dǎo)通。通過從第一電源ELVDD減去第四晶體管M4nj的閾值電壓得到的電壓值隨后可被施加到第二節(jié)點N2nj，參考電源ELVref的電壓可被施加到第一節(jié)點N1nj。與第四晶體管M4nj的閾值電壓和第一電源ELVDD的壓降對應(yīng)的電壓隨后可被充入第二電容器C2nj。
施加到第一節(jié)點N1nj和第二節(jié)點N2nj的電壓可用等式1和等式2來表示。
VN1＝Vref[等式2]VN2＝ELVDD-|VthM4|在等式1和等式2中，VN1、VN2和VthM4分別表示施加到第一節(jié)點N1j的電壓，施加到第二節(jié)點N2j的電壓和第四晶體管M4nj的閾值電壓。
從掃描信號SSn-1提供到第n-1條掃描線Sn-1截止的時間至掃描信號SSn提供到第n條掃描線Sn的時間，第一節(jié)點N1nj和第二節(jié)點N2nj可以是懸浮的。因此，在這個時間內(nèi)，充入第二電容器C2nj中的電壓值不會改變。
隨后，第n個掃描信號SSn可被提供到第n條掃描線Sn，使得第一晶體管M1nj和第二晶體管M2nj可導(dǎo)通。當(dāng)掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時，在第n條掃描線Sn被驅(qū)動的一個水平周期的第一時間段內(nèi)，第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可導(dǎo)通。當(dāng)?shù)谑w管M12j和第十三晶體管M13j導(dǎo)通時，可吸收通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nj、第二晶體管M2nj、數(shù)據(jù)線Dj和第十三晶體管M13nj流過電流源Imax的電流。
當(dāng)電流通過第一電源ELVDD、第四晶體管M4nj和第二晶體管M2nj流過電流源Imaxj時，可應(yīng)用等式3。
Imax=12μpCoxWL(ELVDD-VN2-|VthM4|)2]]>在等式3中，μp、Cox、W和L分別表示空穴遷移率、氧化層的電容、溝道的寬度和溝道的長度。
當(dāng)通過等式3得到的電流流過第四晶體管M4nj時施加到第二節(jié)點N2nj的電壓可用等式4來表示。
VN2=ELVDD-2ImaxμpCoxLW-|VthM4|]]>通過第二電容器C2nj的耦合，施加到第一節(jié)點N1nj的電壓可用等式5來表示。
VN1=Vref-2ImaxμpCoxLW=VN3=VN4]]>在等式5中，電壓VN1可對應(yīng)于施加到第一節(jié)點N1nj的電壓，電壓VN3可對應(yīng)于施加到第三節(jié)點N3j的電壓，電壓VN4可對應(yīng)于施加到第四節(jié)點N4j的電壓。在本發(fā)明的實施例中，施加到第一節(jié)點N1nj的電壓VN1可等于施加到第三節(jié)點N3j的電壓VN3和施加到第四節(jié)點N4j的電壓VN4。當(dāng)電流被供給電流源Imaxj時，通過等式5得到的電壓可施加到第四節(jié)點N4j。
如在等式5中看到的，施加到第三節(jié)點N3j和第四節(jié)點N4j的電壓會受包括在向電流源Imaxj提供電流的像素140nj中的晶體管的電子遷移率影響。因此，在像素140的每個中，當(dāng)電流提供到電流源Imaxj時施加到第三節(jié)點N3j和第四節(jié)點N4j的電壓值會變化(當(dāng)像素140的每個中電子遷移率變化時)。
另一方面，當(dāng)通過等式5獲得的電壓被施加到第四節(jié)點N4j時，電壓發(fā)生器240j的電壓Vdiff可用等式6表示。
Vdiff=Vref-(Vref-2ImaxμpCOXLW)]]>當(dāng)DAC 250j響應(yīng)數(shù)據(jù)DATA在f個灰階電壓中選擇第h個灰階電壓時，提供到第一緩沖器270j的電壓Vb可用等式7表示。在等式7中，f可以是自然數(shù)，h可以是等于或小于f的自然數(shù)。
Vb=Vref-hf2ImaxμpCOXLW]]>在第一時間段內(nèi)與各發(fā)光材料/器件用來顯示最大亮度的光所需的最小電流量對應(yīng)的電流吸收到各電流源的本發(fā)明的實施例中，在第一時間段內(nèi)的電流吸收之后，可充有通過等式5得到的電壓Vb，并提供到第一緩沖器270j。在第二時間段內(nèi)，第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可截止，第十一晶體管M11j可導(dǎo)通。在此時間內(nèi)，第三電容器C3j可保持充在其內(nèi)的電壓量，因而，可保持如等式5所示的第三節(jié)點N3j的電壓值。
在本發(fā)明的實施例中，在第二時間段內(nèi)第十一晶體管M11j可導(dǎo)通，提供到第一緩沖器270j的電壓可通過第十一晶體管M11j、數(shù)據(jù)線Dj和第一晶體管M1nj被提供到第一節(jié)點N1nj。在本發(fā)明的這樣的實施例中，通過等式7得到的電壓可被提供到第一節(jié)點N1nj。通過第二電容器C2nj的耦合，施加到第二節(jié)點N2nj的電壓可用等式8來表示。
VN2=ELVDD-hf2ImaxμpCOXLW-|VthM4|]]>
在本發(fā)明的實施例中，流過第四晶體管M4nj的電流可用等式9表示。
IN4=12μpCOXWL(ELVDD-VN2-|VthM4|)2]]>=12μpCOXWL(ELVDD-(ELVDD-hf2ImaxμpCOXLW-|VthM4|)-VthM4)2]]>=(hf)2Imax]]>參照等式9，在本發(fā)明的實施例中，流經(jīng)第四晶體管M4nj的電流可取決于電壓發(fā)生器240j產(chǎn)生的灰階電壓。在本發(fā)明的實施例中，不管第四晶體管M4nj的閾值電壓、電子遷移率為何，與DAC 250j選擇的灰階電壓對應(yīng)的電流都可流過第四晶體管M4nj。如上面所討論的，本發(fā)明的實施例能夠顯示具有均勻亮度的圖像。
在本發(fā)明的實施例中，如上面所討論的，可采用不同的開關(guān)單元。圖10示出了采用開關(guān)單元291j的另一實施例的圖8中示出的連接方案。除了開關(guān)單元291j的另一示例性實施例之外，圖10中示出的示例性連接方案與圖8中示出的示例性連接方案基本相同。在下面的描述中，將采用上面所用的相同標(biāo)號來描述圖10中示出的示例性實施例中相同的部件。
如圖10中所示，另一示例性開關(guān)單元291j可包括可以以傳輸門的形式相互連接的第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j。可以是PMOS型晶體管的第十四晶體管M14j可接收第二控制信號CS2。可以是NMOS型晶體管的第十一晶體管M11j可接收第一控制信號CS1。在這樣的實施例中，當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘朇S1的極性與第二控制信號CS2的極性相反時，可同時導(dǎo)通或截止第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j。
在本發(fā)明的實施例中，第十一晶體管M11j和第十四晶體管M14j可以以傳輸門的形式相互連接，在這樣的實施例中，電壓-電流特性曲線可以為直線的形式，并且可使開關(guān)誤差最小化。
圖11示出了用于連接在特定通道中的電壓發(fā)生器240j、DAC 250j、第一緩沖器270j、第二緩沖器260j、開關(guān)單元290j、電流吸收單元280j和像素140的連接方案的第二示例性實施例。在圖11中示出的示例性連接方案與在圖8中示出的示例性連接方案基本相同。在圖11中示出的示例性連接方案采用根據(jù)圖5中示出的示例性像素140nm′的示例性像素140nj′。在下面的描述中，上面所采用的相同的標(biāo)號將被用來描述在圖11中示出的示例性實施例中的相同的特征。因此，下面將只簡要地描述提供到像素140nm′的電壓。
參照圖9和圖11，當(dāng)掃描信號SSn-1被提供給第n-1條掃描線Sn-1時，通過等式1和等式2得到的電壓可分別施加到像素電路142nj′的第一節(jié)點N1nj′和第二節(jié)點N2nj′。
當(dāng)掃描信號SSn可被提供到第n條掃描線Sn，并且第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可導(dǎo)通的第一時間段內(nèi)可流過第四晶體管M4nj的電流可用等式3表示，當(dāng)掃描信號SSn可被提供到第n條掃描線Sn，并且第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可導(dǎo)通的第一時間段內(nèi)可施加到第二節(jié)點N2nj′的電壓可用等式4表示。
通過第二電容器C2nj的耦合施加到第一節(jié)點N1nj′的電壓可用等式10表示。
VN1=Vref-(C1+C2C2)2ImaxμpCoxLW=VN3=VN4]]>在本發(fā)明的實施例中，施加到第一節(jié)點N1nj′的電壓可被提供到第三節(jié)點N3j和第四節(jié)點N4j，電壓發(fā)生器240j的電壓Vdiff可用等式11表示。
Vdiff=Vref-(Vref-(C1+C2C2)2ImaxμpCOXLW)]]>當(dāng)DAC 250j選擇f個灰階電壓中的第h個灰階電壓時，提供到第一緩沖器270j的電壓Vb可用等式12表示。
Vb=Vref-hf(C1+C2C2)2ImaxμpCOXLW]]>提供到第一緩沖器270j的電壓可被提供到第一節(jié)點N1nj′。施加到第二節(jié)點N2nj′的電壓可用等式8表示。流過第四晶體管M4nj的電流可用等式9表示。
在本發(fā)明的實施例中，不管第四晶體管M4nj的閾值電壓和電子遷移率，通過第四晶體管M4nj提供到各OLEDnj的電流都可由灰階電壓確定。本發(fā)明的實施例使得能夠顯示具有均勻亮度的圖像。
在本發(fā)明的一些實施例中，例如在采用圖11中示出的像素140nj′的實施例中，雖然第一節(jié)點N1nj’的電壓可大大改變即為(C1+C2)/C2，但是第二節(jié)點N2nj’的電壓可逐漸改變。當(dāng)采用圖11中示出的像素140nj′時，電壓發(fā)生器240j的電壓范圍可被設(shè)置成比當(dāng)采用圖8中示出的像素140nj時的電壓發(fā)生器240j的電壓范圍大。如上面所討論的，當(dāng)電壓發(fā)生器240j的電壓范圍被設(shè)置得較大時，能夠減小第十一晶體管M11j和第一晶體管M1nj的開關(guān)誤差的影響。
在本發(fā)明的實施例中，為了穩(wěn)定地驅(qū)動上述像素140，所產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓應(yīng)被穩(wěn)定地施加到像素。更具體地講，例如，在第一時間段內(nèi)所產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓應(yīng)該被穩(wěn)定地施加到第三節(jié)點N3j。然而，因為在第一時間段內(nèi)吸收的電流可以是微小的電流，例如幾十μA，所以在一個水平周期的第一時間段內(nèi)會不施加期望的補(bǔ)償電壓。如果一個水平周期的第一時間段被設(shè)置得足夠大以解決這樣的問題，則會縮短第二時間段。這種縮短的第二時間段會不允許像素140如期望地充電。
在本發(fā)明的實施例中，如圖12所示，可提供用于吸收高于將被提供到像素140的OLED以發(fā)射最大亮度的光的電流的電流的電流源Imax2j。電流源Imax2j可被設(shè)置在電流吸收單元280j中。圖12示出了采用電流源Imax2j的在圖8中示出的連接方案。除了電流源Imax2j代替Imaxj以及電壓發(fā)生器240j′的另一示例性實施例，圖12中示出的示例性連接方案與圖8中示出的示例性連接方案基本相同。在下面的描述中，上面采用的相同的標(biāo)號將被用來描述圖12中示出的示例性實施例中的相同的特征。
圖12示出了在特定通道中的電壓發(fā)生器240j′、DAC 250j、第一緩沖器270j、第二緩沖器260j、開關(guān)單元290j、電流吸收單元280j和像素140nj之間的連接方案的另一示例性實施例。在圖12中示出的示例性實施例中，為了簡便起見，示出了第j通道，并假設(shè)數(shù)據(jù)線Dj連接到像素140nj。在下面的描述中，在上面圖8中示出的示例性實施例的描述中采用的相同的標(biāo)號將被用來描述在圖12中示出的連接方案的示例性實施例中的相同的特征。
如圖12所示，電流吸收單元280j可包括第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j，可被第二控制信號CS2控制；電流源Imax2j，可連接到第十三晶體管M13j的第一電極；第三電容器C3j，可連接在第三節(jié)點N3j和地電壓源GND之間。
第十二晶體管M12j的柵電極可連接到第十三晶體管M13j的柵電極，第十二晶體管M12j的第二電極可連接到第十三晶體管M13j的第二電極和數(shù)據(jù)線Dj。第十二晶體管M12j的第一電極可連接到第二緩沖器260j。通過第二控制信號CS2，第十二晶體管M12j可在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)導(dǎo)通，可在第二時間段內(nèi)截止。
第十三晶體管M13j的柵電極可連接到第十二晶體管M12j的柵電極，第十三晶體管M13j的第二電極可連接到數(shù)據(jù)線Dj。第十三晶體管M13j的第一電極可連接到電流源Imax2j。通過第二控制信號CS2，第十三晶體管M13j可在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)導(dǎo)通，可在第二時間段內(nèi)截止。
在當(dāng)?shù)谑w管M12j和第十三晶體管M13j可導(dǎo)通時的用于驅(qū)動第nj個像素140nj的第一時間段內(nèi)，電流源Imax2j可接收高于各第nj個像素140nj的OLEDnj發(fā)射最大亮度的光所需的最小電流的電流。在采用可接收相對較高的電流即可接收相對高于各第nj個像素發(fā)射最大亮度的光所需的最小電流的電流的電流源Imax2j的本發(fā)明的實施例中，能夠減小預(yù)定電壓可被施加到第三節(jié)點N3j的時間，因而可減小第nj個像素140nj的驅(qū)動時間。
在用于驅(qū)動第nj個像素140nj的第一時間段內(nèi)，第三電容器C3j可存儲通過電流源Imax2j施加到第三節(jié)點N3j的第一補(bǔ)償電壓。更具體地講，例如，在第一時間段內(nèi)，第三電容器C3j可充有施加到第三節(jié)點N3j的第一補(bǔ)償電壓，在第十二晶體管M12j和第十三晶體管M13j可截止的第二時間段內(nèi)，第三電容器C3j可保持第三節(jié)點N3j的第一補(bǔ)償電壓均勻。
在本發(fā)明的實施例中，第二緩沖器260j可將施加到第三節(jié)點N3j的第一補(bǔ)償電壓提供到電壓發(fā)生器240j′。
電壓發(fā)生器240j′可包括用于產(chǎn)生多個灰階電壓V0至V2k-1的分壓電阻器R1-Rl和用于降低第一補(bǔ)償電壓的值的補(bǔ)償電阻器Rc。
補(bǔ)償電阻器Rc可被設(shè)置在第五節(jié)點N5j和第四節(jié)點N4j之間，使得低于可施加到第四節(jié)點N4j的第一補(bǔ)償電壓的第二補(bǔ)償電壓可被施加到第五節(jié)點N5j。當(dāng)吸收到電流源Imax2j的電流等于OLEDnj發(fā)射最大亮度的光所需的最小電流時，將被施加到第五節(jié)點N5j的第二補(bǔ)償電壓的值可被設(shè)置成例如與可施加到第三節(jié)點N3j的電壓值相等。
分壓電阻器R1-Rl可劃分參考電源ELVref的電壓和第二補(bǔ)償電壓之間的電壓，從而產(chǎn)生多個灰階電壓V0至V2k-1，并可將所產(chǎn)生的灰階電壓V0至V2k-1提供到DAC 250j。
DAC 250j可基于數(shù)據(jù)DATA的位值在灰階電壓V0至V2k-1中選擇一個灰階電壓，并可將所選擇的灰階電壓提供到第一緩沖器270j。在本發(fā)明的實施例中，由DAC 250j選擇的灰階電壓可用作數(shù)據(jù)信號DSj。
第一緩沖器270j可將從DAC 250j提供的數(shù)據(jù)信號DSj傳輸?shù)介_關(guān)單元290j。
在第二時間段內(nèi)，開關(guān)單元290j可將數(shù)據(jù)信號DS提供到數(shù)據(jù)線Dj。在一個水平周期1H的第一時間段內(nèi)，開關(guān)單元290j可制止將數(shù)據(jù)信號DS提供到數(shù)據(jù)線Dj。
將參照圖9和圖12來詳細(xì)描述用于操作像素140的第nj個像素140nj的第n個像素電路142nj的示例性方法。當(dāng)掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，通過等式1和等式2得到的電壓可被分別施加到第一節(jié)點N1nj和第二節(jié)點N2nj。
然后，當(dāng)掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時，第一晶體管M1nj和第二晶體管M2nj可導(dǎo)通。當(dāng)掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時的一個水平周期的第一時間段內(nèi)，第十二晶體管M12nj和第十三晶體管M13nj可導(dǎo)通。然后，通過等式13得到的電壓可通過由電流源Imax2j吸收的電流而施加到第三節(jié)點N3j。
VN3=Vref-2ImaxμpCoxLW+ΔV]]>當(dāng)吸入到電流源Imax2j的電流與各像素140nj的各OLEDnj發(fā)射最大亮度的光所需的電流的至少最小量相對應(yīng)時，通過等式5得到的電壓可施加到第三節(jié)點N3j。然而，在圖12中示出的示例性實施例中，因為吸入到電流源Imax2j的電流可大于各像素140的各OLED發(fā)射最大亮度的光所需的最小電流量吸收，所以各增加的電流可表示為ΔV，通過等式13得到的電壓可施加到第三節(jié)點N3j。
施加到第三節(jié)點N3j的電壓可通過第二緩沖器260j被施加到第四節(jié)點N4j。補(bǔ)償電阻器Rc可將施加到第四節(jié)點N4j的電壓值減小預(yù)定值，并可將減小的電壓提供到第五節(jié)點N5j。補(bǔ)償電阻器Rc可將電壓值減小等式13中的ΔV，并可將通過等式5得到的電壓提供到第五節(jié)點N5j。
當(dāng)通過等式5得到的電壓提供到第五節(jié)點N5j時，第五節(jié)點N5j和參考電源ELVref之間的電壓可用等式6表示。當(dāng)DAC 250j在f個灰階電壓中選擇第h個灰階電壓時，提供到第一緩沖器270j的電壓Vb可用等式7表示。
然后，在當(dāng)?shù)谑痪w管M11j可導(dǎo)通的第二時間段內(nèi)，提供到第一緩沖器270j的電壓可被提供到第一節(jié)點N1。更具體地講，在本發(fā)明的實施例中，通過等式7得到的電壓可被提供到第一節(jié)點N1nj。通過第二電容器C2nj的耦合施加到第二節(jié)點N2nj的電壓可用等式8表示。可從等式9中理解，在本發(fā)明的實施例中，不管第四晶體管M4nj的閾值電壓和電子遷移率為何，取決于灰階電壓的各電流都可流過第四晶體管M4nj。
圖13示出了在特定通道中的電壓發(fā)生器240j′、DAC 250j、第一緩沖器270j、第二緩沖器260j、開關(guān)單元290j、電流吸收單元280j和像素140nj′之間的連接方案的第四實施例。圖13中示出的示例性實施例與圖12中示出的示例性實施例相似。具體地講，在圖13中示出的示例性實施例中，代替上面參照圖3所述的第nm個像素140nm的示例性實施例，采用了上面參照圖5所述的第nm個像素140nm′的示例性實施例。因此，下面僅將簡要描述提供到像素140的電壓。在本發(fā)明的實施例中，可采用圖10中示出的開關(guān)單元291j代替圖12和圖13中示出的開關(guān)單元290j中的一個或全部。
從圖9和圖13可理解，當(dāng)掃描信號SSn-1被提供到第n-1條掃描線Sn-1時，通過等式1和等式2得到的電壓可被分別施加到第一節(jié)點N1nj′和第二節(jié)點N2nj′。
然后，當(dāng)掃描信號SSn被提供到第n條掃描線Sn時的一個水平周期的第一時間段內(nèi)，第十二晶體管M12nj和第十三晶體管M13nj可導(dǎo)通。然后，通過等式14得到的電壓可通過吸入到電流源Imax2j的電流而施加到第三節(jié)點N3j。
VN1=Vref-(C1+C2C2)2ImaxμpCoxLW+ΔV]]>
在吸入電流源Imax2j的電流與流到各像素140nm、140nm′的各發(fā)光元件/材料(如OLEDnm)以發(fā)射最大亮度的光所需的電流相同的本發(fā)明的實施例中，通過等式10得到的電壓可施加到第三節(jié)點N3j。在本發(fā)明的實施例中，例如在圖13中示出的實施例中，高于像素140nj′的OLED nj發(fā)射最大亮度的光所需的電流的電流可吸入到電流源Imax2j，由于增加的電流流動引起電壓改變ΔV，所以通過等式14得到的電壓可施加到第三節(jié)點N3j。
施加到第三節(jié)點N3j的電壓可通過第二緩沖器260j被施加到第四節(jié)點N4j。然后，補(bǔ)償電阻器Rc可將施加到第四節(jié)點N4j的電壓值減小預(yù)定值，并可將減小的電壓提供到第五節(jié)點N5j。在本發(fā)明的實施例中，補(bǔ)償電阻器Rc可將施加到第四節(jié)點N4j的電壓值減小等式14中的ΔV，并可將通過等式10得到的電壓提供到第五節(jié)點N5j。如上面所討論的，ΔV可與當(dāng)不同于像素140nj′的OLED nj發(fā)射最大亮度的光所需的電流的電流吸入到電流源Imax2j時會導(dǎo)致的壓差相對應(yīng)。
當(dāng)通過等式10得到的電壓施加到第五節(jié)點N5j時，第五節(jié)點N5j和參考電源ELVref之間的電壓可用等式11表示。當(dāng)DAC 250j在f個灰階電壓中選擇第h個灰階電壓時，提供到第一緩沖器270j的電壓Vb可用等式12表示。
然后，在當(dāng)?shù)谑痪w管M11j導(dǎo)通的第二時間段內(nèi)，提供到第一緩沖器270j的電壓可被提供到第一節(jié)點N1nj′。此時，施加到第二節(jié)點N2nj′的電壓可用等式8表示。因此，流過第四晶體管M4nj的電流可用等式9表示。在本發(fā)明的實施例中，不管第四晶體管M4nj的閾值電壓和電子遷移率為何，與DAC 250j選擇的灰階電壓相對應(yīng)的電流都可流過第四晶體管M4nj。如上所討論的，本發(fā)明的實施例能夠顯示具有均勻亮度的圖像。
如上所述，采用本發(fā)明的一個或多個方面的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、使用這樣的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的發(fā)光顯示器和驅(qū)動這樣的發(fā)光顯示器的方法使得能夠利用從各像素吸收電流時產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓來重置電壓發(fā)生器產(chǎn)生的灰階電壓值。然后，重置的灰階電壓可提供到各像素，在本發(fā)明的實施例中，不管晶體管的電子遷移率為何，都能夠顯示具有均勻亮度的圖像。在本發(fā)明的實施例中，因為高于各像素的OLED發(fā)射最大亮度的光所需的電流的電流可吸入到電流源，所以在各水平周期內(nèi)能夠穩(wěn)定地驅(qū)動發(fā)光顯示器。
這里已經(jīng)公開了本發(fā)明的示例性實施例，雖然采用了專用術(shù)語，但是這些術(shù)語只是總體和描述性地解釋，而不是出于限制的目的。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不脫離如權(quán)利要求所提出的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對形式和細(xì)節(jié)作各種改變。
權(quán)利要求
1.一種基于像素的外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器中的像素的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述像素可通過數(shù)據(jù)線與所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路電連接，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括電流吸收器，所述電流吸收器通過所述數(shù)據(jù)線從所述像素接收預(yù)定電流；電壓發(fā)生器，所述電壓發(fā)生器基于當(dāng)所述預(yù)定電流流過所述像素時所述像素產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓來分別設(shè)置多個灰階電壓的值；數(shù)-模轉(zhuǎn)換器，所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器基于外部提供的數(shù)據(jù)的與所述像素相關(guān)聯(lián)的一部分的位值選擇所述多個被設(shè)置的灰階電壓之一作為所述像素的數(shù)據(jù)信號；至少一個開關(guān)單元，所述開關(guān)單元將所選擇的數(shù)據(jù)信號提供到所述數(shù)據(jù)線，其中，所述預(yù)定電流的值等于或大于所述像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值，所述最大亮度與當(dāng)所述多個被設(shè)置的灰階電壓中最高的一個被施加到所述像素時所述像素的亮度相對應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述電壓發(fā)生器包括設(shè)置在用于接收參考電源的第一端和用于接收所述補(bǔ)償電壓的第二端之間的多個分壓電阻器，用來設(shè)置所述灰階電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括連接在所述第二端和所述分壓電阻器之間的補(bǔ)償電阻器，以減小所述補(bǔ)償電壓的值，其中，所述補(bǔ)償電阻器通過減小所述補(bǔ)償電壓的值來補(bǔ)償所述預(yù)定電流的高于所述像素可用于發(fā)射最大亮度的光的最小電流值的值，使得與所述最小電流相對應(yīng)的電壓被提供到所述分壓電阻器。
4.如權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，在一個完整的用于基于所選擇的灰階電壓來驅(qū)動所述像素的周期的第一部分時間段內(nèi)，所述電流吸收器從所述像素接收所述預(yù)定電流，在所述一個完整的用于基于所選擇的灰階電壓來驅(qū)動所述像素的周期中，所述第一部分時間段出現(xiàn)在第二部分時間段之前。
5.如權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述電流吸收器包括電流源，用于接收所述預(yù)定電流；第一晶體管，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述電壓發(fā)生器之間，所述第一晶體管在所述第一部分時間段內(nèi)導(dǎo)通；第二晶體管，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述電流源之間，所述第二晶體管在所述第一部分時間段內(nèi)導(dǎo)通；電容器，用于充入所述補(bǔ)償電壓。
6.如權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述開關(guān)單元包括至少一個晶體管，用于只在驅(qū)動像素的完整的周期的任何其它部分時間段內(nèi)選擇性地將所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器彼此連接，其中，所述任何其它部分時間段出現(xiàn)在所述完整周期的第一部分時間段之后。
7.如權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述開關(guān)單元包括彼此連接以形成傳輸門的兩個晶體管。
8.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括第一緩沖器，設(shè)置在所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器和所述開關(guān)單元之間；第二緩沖器，設(shè)置在所述電流吸收器和所述電壓發(fā)生器之間。
9.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路的各通道包括各所述電流吸收器、所述電壓發(fā)生器、所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器和所述開關(guān)單元中相應(yīng)的一個。
10.如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括移位寄存器，用于產(chǎn)生取樣脈沖；取樣鎖存器，用于響應(yīng)所述取樣脈沖來接收所述數(shù)據(jù)；保持鎖存器，在暫時存儲的數(shù)據(jù)被提供到所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器之前，暫時存儲存儲在所述取樣鎖存器中的數(shù)據(jù)。
11.如權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，還包括電平移位器，用于在暫時存儲的數(shù)據(jù)被提供到所述數(shù)-模轉(zhuǎn)換器之前，改變存儲在所述保持鎖存器中的數(shù)據(jù)的電壓電平。
12.一種發(fā)光顯示器，包括像素單元，包括與n條掃描線、多條數(shù)據(jù)線和多條發(fā)射控制線連接的多個像素，n是自然數(shù)；掃描驅(qū)動器，在各掃描周期內(nèi)分別順序地將n個掃描信號提供給所述n條掃描線，并分別順序地將發(fā)射控制信號提供給所述多條發(fā)射控制線；數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路基于在用于驅(qū)動至少一個所述像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)由流至所述數(shù)據(jù)線的各預(yù)定電流產(chǎn)生的各補(bǔ)償電壓來分別設(shè)置多個灰階電壓的值，并產(chǎn)生多個灰階電壓，其中，所述各預(yù)定電流的值等于或大于各所述像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的每個與所述n條掃描線中的兩條連接，在每個所述掃描周期內(nèi)，在所述兩條掃描線中的第二掃描線接收所述n個掃描信號中的相應(yīng)的一個信號之前，所述兩條掃描線中的第一掃描線接收所述n個掃描信號中的相應(yīng)的一個，所述像素中的每個包括第一電源；有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管從所述第一電源接收電流；第一晶體管和第二晶體管，均具有連接到所述數(shù)據(jù)線的與所述像素相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線的第一電極，當(dāng)提供所述兩個掃描信號中的所述第二掃描信號時，所述第一晶體管和所述第二晶體管導(dǎo)通；第三晶體管，具有與參考電源連接的第一電極和與所述第一晶體管的第二電極連接的第二電極，當(dāng)提供所述兩個掃描信號中的所述第一掃描信號時，所述第三晶體管導(dǎo)通；第四晶體管，所述第四晶體管控制施加到所述有機(jī)發(fā)光二極管的電流量，所述第四晶體管的第一端與所述第一電源連接；第五晶體管，具有與所述第四晶體管的柵電極連接的第一電極、與所述第四晶體管的第二電極連接的第二電極，當(dāng)提供所述兩個掃描信號中的所述第一掃描信號時，所述第五晶體管導(dǎo)通，使得所述第四晶體管作為二極管來操作。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的每個包括第一電容器，具有與所述第一晶體管的第二電極或所述第四晶體管的柵電極中的一個連接的第一電極、與所述第一電源連接的第二電極；第二電容器，具有與所述第一晶體管的所述第二電極連接的第一電極和與所述第四晶體管的所述柵電極連接的第二電極。
15.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光顯示器，其中，所述像素中的每個還包括第六晶體管，所述第六晶體管具有與所述第四晶體管的所述第二電極連接的第一端和與所述有機(jī)發(fā)光二極管連接的第二端，當(dāng)各發(fā)射控制信號被提供時，所述第六晶體管截止，其中，在用于基于所選擇的灰階電壓驅(qū)動所述像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)，所述電流吸收器從所述像素接收所述預(yù)定電流，在基于所選擇的灰階電壓來驅(qū)動所述像素的一個完整周期的所述第二部分時間段之前出現(xiàn)所述第一部分時間段，在用于驅(qū)動所述像素的一個完整周期的第二部分時間段內(nèi)，所述第六晶體管截止。
16.一種基于像素的外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器中的像素的方法，其中，所述像素可通過數(shù)據(jù)線與驅(qū)動電路電連接，所述方法包括使預(yù)定電流通過所述數(shù)據(jù)線從所述像素流到所述發(fā)光顯示器的電流吸收器，所述預(yù)定電流的值等于或大于所述像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值；當(dāng)所述預(yù)定電流流過所述像素時產(chǎn)生補(bǔ)償電壓；基于所產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓設(shè)置多個灰階電壓的值并產(chǎn)生多個灰階電壓；基于所述外部提供的數(shù)據(jù)的與所述像素相關(guān)聯(lián)的部分的位值，選擇所述多個灰階電壓之一作為所述像素的數(shù)據(jù)信號；通過所述數(shù)據(jù)線將所選擇的數(shù)據(jù)信號提供到所述像素，其中，所述最大亮度與當(dāng)多個重置的灰階電壓中最高的一個被施加到所述像素時所述像素的亮度相對應(yīng)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，使所述預(yù)定電流流動和產(chǎn)生所述補(bǔ)償電壓發(fā)生在基于所選擇的灰階電壓驅(qū)動所述像素的一個完整周期的第一部分時間段內(nèi)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，提供所選擇的數(shù)據(jù)信號發(fā)生在驅(qū)動所述像素的一個完整周期的除所述第一部分時間段之外的任何部分時間段內(nèi)，所述任何部分時間段出現(xiàn)在所述第一部分時間段之后。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，當(dāng)從相應(yīng)的一個所述像素流到所述發(fā)光顯示器的所述電流吸收器的所述預(yù)定電流的值大于所述相應(yīng)的像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值的值時，所述產(chǎn)生補(bǔ)償電壓的步驟包括在所述設(shè)置多個灰階電壓的值的步驟之前產(chǎn)生初始補(bǔ)償電壓和基于所述初始補(bǔ)償電壓的第一補(bǔ)償電壓。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第一補(bǔ)償電壓小于初始產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓，所述第一補(bǔ)償電壓與所述多個灰階電壓中最高的一個以及當(dāng)流動的所述預(yù)定電流與所述像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流相等時產(chǎn)生的補(bǔ)償電壓相對應(yīng)。
21.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述設(shè)置多個灰階電壓的值的步驟包括將所述補(bǔ)償電壓提供到多個分壓電阻器。
22.一種基于像素的外部提供的數(shù)據(jù)來驅(qū)動發(fā)光顯示器中的像素的可用于發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其中，所述像素之一可與所述發(fā)光顯示器的數(shù)據(jù)線、至少一條掃描線和發(fā)射線電連接，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動電路包括吸收預(yù)定電流的裝置，所述預(yù)定電流在完整周期的第一部分時間段內(nèi)通過所述數(shù)據(jù)線流過所述像素；利用所述預(yù)定電流產(chǎn)生補(bǔ)償電壓的裝置；基于當(dāng)所述預(yù)定電流流過所述像素時所述像素產(chǎn)生的所述補(bǔ)償電壓來產(chǎn)生多個灰階電壓并設(shè)置多個灰階電壓值的裝置；基于所述外部提供的數(shù)據(jù)的與所述像素相關(guān)聯(lián)的部分的位值，選擇多個被設(shè)置的灰階電壓之一作為所述像素的數(shù)據(jù)信號的裝置；將所選擇的數(shù)據(jù)信號施加到所述數(shù)據(jù)線的裝置，其中，所述預(yù)定電流的值等于或大于所述像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值，所述最大亮度與當(dāng)所述多個被設(shè)置的灰階電壓中最高的一個被施加到所述像素時所述像素的亮度相對應(yīng)。
全文摘要
一種用于驅(qū)動發(fā)光顯示器的像素以顯示具有均勻亮度的圖像的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，該數(shù)據(jù)驅(qū)動電路可包括電流吸收器，該電流吸收器能夠通過數(shù)據(jù)線從像素接收預(yù)定電流，以使數(shù)據(jù)驅(qū)動電路能夠產(chǎn)生像素的補(bǔ)償電壓。補(bǔ)償電壓可補(bǔ)償顯示器的像素之間的差異。像素之間的差異可由包括在像素中的晶體管的電子遷移率和/或閾值電壓的不同而引起。預(yù)定電流的值等于或大于像素可用來發(fā)射最大亮度的光的最小電流值。像素的最大亮度與當(dāng)多個被設(shè)置的灰階電壓中最高的一個被施加到像素時像素的亮度相對應(yīng)。
文檔編號G09G3/20GK1909041SQ20061010899
公開日2007年2月7日 申請日期2006年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月1日
發(fā)明者鄭寶容, 柳道亨, 權(quán)五敬 申請人:三星Sdi株式會社, 漢陽大學(xué)校產(chǎn)業(yè)協(xié)力團(tuán)