專利名稱：驅(qū)動(dòng)電路、方法、以及具有該驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)電路、一種方法、以及一種使用該驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及一種可提高圖像顯示質(zhì)量的驅(qū)動(dòng)電路、一種制造該驅(qū)動(dòng)電路并提高顯示質(zhì)量的方法、以及一種使用該驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置。
背景技術(shù)：
諸如便攜式通信設(shè)備、數(shù)字照相機(jī)、筆記本電腦等的電氣設(shè)備包括顯示裝置。顯示裝置包括平板顯示裝置，例如液晶顯示(“LCD”)裝置、有機(jī)發(fā)光顯示(“OLED”)裝置等。
LCD裝置包括安裝在LCD面板上的驅(qū)動(dòng)電路。此外，便攜式通信設(shè)備包括厚度薄且功耗低的LCD裝置。
LCD面板由驅(qū)動(dòng)電路操作。驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)玻璃覆晶封裝(“COG”)法形成在LCD面板上。在COG法中，驅(qū)動(dòng)電路直接安裝在LCD面板上。
通常，驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜(“ACF”)電連接至LCD面板的信號(hào)線，該各向異性導(dǎo)電膜包括樹(shù)脂和多個(gè)位于樹(shù)脂中的導(dǎo)電微粒。驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)突起(bump)，用于將信號(hào)輸入/輸出至LCD面板。
為了減小LCD裝置的尺寸，已經(jīng)減小了信號(hào)線的尺寸和寬度，并且驅(qū)動(dòng)電路的尺寸也已經(jīng)減小了。當(dāng)信號(hào)線和驅(qū)動(dòng)電路的尺寸減小時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路、ACF、以及信號(hào)線的隆起焊盤之間的接觸電阻增加，這使得LCD裝置的圖像顯示質(zhì)量變差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種能夠改善圖像顯示質(zhì)量的驅(qū)動(dòng)電路。
本發(fā)明還提供了一種制造該驅(qū)動(dòng)電路的方法。
本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用該驅(qū)動(dòng)電路的顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例包括半導(dǎo)體基板、電極端和傳導(dǎo)突起。電極端位于半導(dǎo)體基板上并包括在電極端的上表面上的表面增加部，該表面增加部用于增加電極端的表面積。表面增加部具有不同的尺寸。傳導(dǎo)突起覆蓋表面增加部。
根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的其它示例性實(shí)施例包括半導(dǎo)體基板、電極端、以及傳導(dǎo)突起。電極端位于半導(dǎo)體基板上并且包括在電極端的上表面上的表面增加部，該表面增加部用于增加電極端的表面積。每個(gè)表面增加部均具有基本上相同的尺寸。傳導(dǎo)突起覆蓋表面增加部。
下面，提供一種制造根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的示例性方法。
制備預(yù)處理溶液。預(yù)處理溶液包括反應(yīng)溶液，用于形成硅化合物。
由預(yù)處理溶液和硅制備處理溶液。處理溶液包括硅化合物。具有被硅化合物部分暴露的電極端的基板浸入處理溶液中，以使用處理溶液部分地蝕刻電極端。
下面，提供了另一種制造根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的示例性方法。在電極端上形成光刻膠圖樣，該電極端暴露在具有電路部的半導(dǎo)體基板上，該電路部將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)。使用光刻膠圖樣作為蝕刻掩模來(lái)部分地蝕刻電極端，以在電極端上形成表面增加部。
下面，提供了又一種制造根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的示例性方法。將珠狀的蝕刻保護(hù)件附著至電極端上，其中，該電極端暴露在具有電路部的半導(dǎo)體基板上，該電路部將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)。使用蝕刻保護(hù)件作為蝕刻掩模來(lái)部分地蝕刻電極端，以在電極端上形成表面增加部。
下面，提供了又一種制造根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路的示例性方法。將用于加速蝕刻處理的催化劑附著至電極端上，其中，該電極端暴露在具有電路部的半導(dǎo)體基板上，該電路部將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)。使用催化劑作為蝕刻掩模來(lái)部分地蝕刻電極端，以在電極端上形成表面增加部。
根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例包括顯示基板和驅(qū)動(dòng)電路。顯示基板包括顯示部，該顯示部基于由信號(hào)輸入部施加的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)顯示圖像。驅(qū)動(dòng)電路包括半導(dǎo)體基板、電極端、以及驅(qū)動(dòng)電路。半導(dǎo)體基板具有用于產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路部。電極端位于與信號(hào)輸入部相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體基板上。電極端包括電極端的上表面上的表面增加部，以增加電極端的表面積。傳導(dǎo)突起位于電極端上并電連接至信號(hào)輸入部。
改善具有驅(qū)動(dòng)電路和顯示面板的顯示裝置中的圖像顯示質(zhì)量的方法的示例性實(shí)施例包括通過(guò)在電極端上設(shè)置非平面的傳導(dǎo)突起以增加傳導(dǎo)突起的表面積，來(lái)減小驅(qū)動(dòng)電路的電極端和顯示面板的信號(hào)線之間的接觸電阻。
根據(jù)本發(fā)明，增加驅(qū)動(dòng)電路的電極端的表面積，使得電極端的接觸電阻減小，從而改善顯示裝置的圖像顯示質(zhì)量。


本發(fā)明的上述和其他優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)在下文中結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述而更加明顯，在附圖中圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的透視圖；圖2是沿圖1所示的I-I’線截取的橫截面圖；圖3是示出了圖2中所示的部分‘A’的放大橫截面圖；圖4A至圖4D是示出了圖3所示的示例性表面增加部的平面圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的另一示例性實(shí)施例的橫截面圖；圖6是示出了圖5所示的部分‘B’的放大橫截面圖；圖7是示出了圖6所示的示例性電極端的平面圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的示例性方法的流程圖；
圖9是示出了圖8所示的示例性預(yù)處理溶液的橫截面圖；圖10是示出了在圖9所示的示例性預(yù)處理溶液中制備的硅的橫截面圖；圖11是示出了由圖10所示的示例性預(yù)處理溶液和示例性硅制成的示例性處理溶液的橫截面圖；圖12是示出了浸入圖11所示的示例性處理溶液中的具有驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的示例性半導(dǎo)體基板的橫截面圖；圖13至圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的另一示例性方法的橫截面圖；圖17至圖23是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的又一示例性方法的橫截面圖；圖24至圖28是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的又一示例性方法的橫截面圖；圖29是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例的一部分的分解透視圖；圖30是示出了圖29中所示的部分‘D’的放大透視圖；圖31是沿圖30中所示的II-II’線截取的橫截面圖；圖32是沿圖30中所示的III-III’線截取的橫截面圖；圖33是沿圖29中所示的IV-IV’線截取的橫截面圖；
圖34是示出了圖29中所示的示例性第一顯示基板的平面圖；以及圖35是沿圖29中所示的V-V’線截取的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
下文中將參照附圖來(lái)全面描述本發(fā)明，其中，附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式來(lái)實(shí)施而不應(yīng)認(rèn)為局限于在此所述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，以便使公開(kāi)透徹和完整，并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的思想。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，放大了層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件或?qū)颖恢赋觥拔挥凇?、“連接到”、“耦合到”另一個(gè)元件或?qū)由蠒r(shí)，其可直接位于、連接到、或耦合到另一個(gè)元件或?qū)由?，或者也可以存在插入元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被指出“直接位于”、“直接連接到”、“直接耦合到”另一個(gè)元件或?qū)由蠒r(shí)，不存在插入元件或?qū)?。通篇中相同的?biāo)號(hào)表示相同的元件。正如在此所應(yīng)用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列術(shù)語(yǔ)的任何以及所有結(jié)合。
應(yīng)當(dāng)理解，盡管在此可能使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述不同的元件、構(gòu)件、區(qū)域、層、和/或部分，但是這些元件、構(gòu)件、區(qū)域、層、和/或部分并不局限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件、構(gòu)件、區(qū)域、層、或部分與另一元件、構(gòu)件、區(qū)域、層、或部分相區(qū)分。因此，在不背離本發(fā)明宗旨的情況下，下文所述的第一元件、構(gòu)件、區(qū)域、層、或部分可以稱為第二元件、構(gòu)件、區(qū)域、層、或部分。
為了便于說(shuō)明，在此可能使用諸如“在...之下”、“在...下面”、“下面的”、“在...上面”、以及“上面的”等的空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)，以描述如圖中所示的一個(gè)元件或機(jī)構(gòu)與另一元件或機(jī)構(gòu)的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，除圖中所示的方位之外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)將包括使用或操作中的裝置的各種不同的方位。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖中所示的裝置，則被描述為在其他元件或機(jī)構(gòu)“下面”或“之下”的元件將被定位為在其他元件或機(jī)構(gòu)的“上面”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下面”包括在上面和在下面的方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且通過(guò)在此使用的空間關(guān)系描述符進(jìn)行相應(yīng)地解釋。
在此使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例而不是限制本發(fā)明。正如在此使用的，單數(shù)形式的“一個(gè)”、“這個(gè)”也包括復(fù)數(shù)形式，除非文中有其它明確指示。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，當(dāng)在本申請(qǐng)文件中使用術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”時(shí)，是指存在所聲稱的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或部件，但是并不排除還存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件、和/或其組合。
在此，參考作為本發(fā)明的理想實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截示意圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。這樣，可以預(yù)料諸如制造技術(shù)和/或公差可能導(dǎo)致示意圖的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被理解為局限于在此示出的特定形狀，而且包括例如由于制造而導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，被顯示或描述為平坦的區(qū)域，通常可能在其邊緣具有粗糙或非線性特性和/或注入濃度梯度。同樣，通過(guò)注入形成的埋入?yún)^(qū)域可能導(dǎo)致埋入?yún)^(qū)和通過(guò)其進(jìn)行注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且其形狀不用于描述區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不用于限定本發(fā)明的范圍。
除非另有限定，在此所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科技術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的相同意思。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，例如通用字典中限定的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為與相關(guān)技術(shù)上下文中的意思相一致的意思，并且除非在此進(jìn)行特別限定，其不應(yīng)被解釋為理想的或者過(guò)于正式的解釋。
以下，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明。
驅(qū)動(dòng)電路圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的透視圖。圖2是沿圖1所示的I-I’線截取的橫截面圖。圖3是示出了圖2所示的部分‘A’的放大橫截面圖。
參照?qǐng)D1至圖3，驅(qū)動(dòng)電路100包括半導(dǎo)體基板110、電極端120、以及傳導(dǎo)突起130?？蛇x地，驅(qū)動(dòng)電路100還可包括多個(gè)電極端120和多個(gè)傳導(dǎo)突起130。
例如，半導(dǎo)體基板110可為具有晶面的單晶硅晶片?？蛇x地，半導(dǎo)體基板110可為非晶硅(“a-Si”)基板或多晶硅基板。半導(dǎo)體基板110可具有基本為矩形的板狀，其包括四個(gè)側(cè)面112、上表面114、以及對(duì)應(yīng)于上表面114的底面116。
半導(dǎo)體基板110可包括電路部(未示出)，其將外部提供的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)。電路部(未示出)可通過(guò)薄膜制造過(guò)程形成。
電極端120可形成在半導(dǎo)體基板110的底面116上。電極端120可從底面116的表面突出。電極端120包括信號(hào)輸入端部122和信號(hào)輸出端部124。將外部提供的圖像信號(hào)通過(guò)信號(hào)輸入端部122施加給半導(dǎo)體基板110的電路部(未示出)。將由電路部(未示出)產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò)信號(hào)輸出端部124施加給驅(qū)動(dòng)電路100。
多個(gè)信號(hào)輸入端部122可以靠近半導(dǎo)體基板110的第一邊緣線116a布置在底面116上。即，信號(hào)輸入端部122可沿半導(dǎo)體基板110的一側(cè)散布。
多個(gè)信號(hào)輸出端部124可以靠近半導(dǎo)體基板110的第二邊緣線116b布置在底面116上。第二邊緣線116b與第一邊緣線116a相對(duì)。即，信號(hào)輸出端部124可沿半導(dǎo)體基板110的另一側(cè)散布。
參照?qǐng)D3，至少一個(gè)表面增加部128可形成在電極端120的上表面上，該電極端120包括信號(hào)輸入端部122和信號(hào)輸出端部124。即，電極端120包括附著至半導(dǎo)體基板110的底面116的下表面和與底面116有間隔的上表面。電極端120的上表面包括至少一個(gè)表面增加部128。在沒(méi)有至少一個(gè)表面增加部128的情況下，電極端120的上表面的表面積小于具有至少一個(gè)表面增加部128的電極端120的表面積。
每個(gè)表面增加部128(也被稱為表面積增加部128)可以具有多種尺寸。尺寸包括高度、底面積、體積等。例如，每個(gè)表面增加部128的高度可為約1μm至約10μm。
圖4A至圖4D是示出了圖3所示的示例性表面增加部的平面圖。
參照?qǐng)D4A至圖4D，當(dāng)從上觀察時(shí)(即，當(dāng)從平面圖角度觀察時(shí))，表面增加部128可以基本為圓錐狀、基本為三棱錐狀、基本為四棱錐狀、基本為多棱錐狀等。
多個(gè)表面增加部128可形成在每個(gè)電極端120上。例如，當(dāng)電極端120的長(zhǎng)度約為150μm并且電極端120的寬度約為50μm時(shí)，不包括表面增加部128的電極端120的表面積約為7500μm2，并且每個(gè)表面增加部128的表面積可為約1μm2至約100μm2。在具有約7500μm2表面積的電極端120上，具有約1μm2至100μm2表面積的表面增加部128的數(shù)量約為75個(gè)至7500個(gè)。如另一實(shí)例，當(dāng)不包括表面增加部128的電極端120的表面積約為1000μm2，并且每個(gè)表面增加部128的表面積約為1μm2至100μm2時(shí)，表面積增加部128的數(shù)量可約為10個(gè)至1000個(gè)。通過(guò)表面積增加部128來(lái)增加電極端120的表面積。即，具有表面積增加部128的電極端120的表面積大于具有平坦上表面的電極端的表面積。
傳導(dǎo)突起130形成在電極端120上。傳導(dǎo)突起130可包括高導(dǎo)電金屬。可用于傳導(dǎo)突起130的金屬實(shí)例包括金Au、銀Ag、鋁Al、銅Cu等。傳導(dǎo)突起130可通過(guò)濺射處理、化學(xué)汽相沉積處理、電鍍處理、化學(xué)鍍(electro less plating)處理等形成在電極端120上。例如，傳導(dǎo)突起130為凸形和凹形，以與電極端120結(jié)合。即，相比于具有平坦表面的導(dǎo)電凸起的表面積，傳導(dǎo)突起130的表面積也增加了。
在圖1至圖4D中，傳導(dǎo)突起130的表面積顯著增加，以減小電極端120和電連接至傳導(dǎo)突起130的顯示面板的信號(hào)線之間的接觸電阻。
圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)電路的另一示例性實(shí)施例的橫截面圖。圖6是示出了圖5所示的部分‘B’的放大橫截面圖。圖7是示出了圖6所示的示例性電極端的平面圖。
參照?qǐng)D5至圖7，驅(qū)動(dòng)電路100包括半導(dǎo)體基板110、電極端120、以及傳導(dǎo)突起131。
半導(dǎo)體基板110可包括用于將外部提供的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路部(未示出)。電路部(未示出)可通過(guò)薄膜制造過(guò)程形成。
電極端120可形成在半導(dǎo)體基板110的底面116上。電極端120可從底面116的表面突出。電極端120接收外部提供的圖像信號(hào)或輸出由電路部(未示出)產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。電極端120可包括與前述實(shí)施例相同的信號(hào)輸入端部和信號(hào)輸出端部。
至少一個(gè)表面增加部129(也被稱為表面積增加部129)可形成在電極端120的上表面上。表面增加部129可從電極端120的上表面突出。即，電極端120包括附著至半導(dǎo)體基板110的底面116的下表面和與底面116有間隔的上表面。電極端120的上表面包括至少一個(gè)表面增加部129。在沒(méi)有至少一個(gè)表面增加部129的情況下，電極端120的上表面的表面積小于具有至少一個(gè)表面增加部129的電極端120的表面積。
在圖5至圖7中，多個(gè)表面增加部129形成在電極端120的上表面上。表面增加部129可具有基本上相同的尺寸。尺寸包括高度、底面積、體積等。例如，表面增加部129的高度可約為1μm至10μm，其中，每個(gè)表面增加部129具有基本上相同的高度。當(dāng)從上面以平面視圖的角度觀察時(shí)，表面增加部129可以基本為圓錐狀、基本為三棱錐狀、基本為四棱錐狀、基本為多棱錐狀等。
例如，當(dāng)電極端120的長(zhǎng)度約為150μm并且電極端120的寬度約為50μm時(shí)，不包括表面增加部129的電極端120的表面積約為7500μm2，并且每個(gè)表面增加部129的表面積可約為1μm2至100μm2。在具有約7500μm2表面積的電極端120上，具有約1μm2至100μm2表面積的表面增加部129的數(shù)量約為75個(gè)至7500個(gè)。如另一實(shí)例，當(dāng)不包括表面增加部129的電極端120的表面積約為1000μm2，并且每個(gè)表面增加部129的表面積可約為1μm2至100μm2時(shí)，表面積增加部129的數(shù)量可約為10個(gè)至1000個(gè)。通過(guò)表面積增加部129來(lái)增加電極端120的表面積。即，具有表面積增加部129的電極端120的表面積大于具有平坦上表面的電極端的表面積。
傳導(dǎo)突起131形成在電極端120上。傳導(dǎo)突起131可包括高導(dǎo)電金屬?？捎糜趥鲗?dǎo)突起131的金屬實(shí)例包括金Au、銀Ag、鋁Al、銅Cu等。傳導(dǎo)突起131可通過(guò)濺射過(guò)程、化學(xué)汽相沉積過(guò)程、電鍍過(guò)程、化學(xué)鍍(electro less plating)過(guò)程等形成在電極端120上。例如，傳導(dǎo)突起131為凸形和凹形，以與電極端120結(jié)合。即，相比于具有平坦表面的傳導(dǎo)突起的表面積，傳導(dǎo)突起131的表面積也增加了。
在圖5至圖7中，傳導(dǎo)突起131的表面積顯著增加，以減小電極端120和電連接至傳導(dǎo)突起131的顯示面板的信號(hào)線之間的接觸電阻。
制造驅(qū)動(dòng)電路的方法圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的示例性方法的流程圖。圖9是示出了圖8所示的示例性預(yù)處理溶液的橫截面圖。
參照?qǐng)D8和圖9，為了制造驅(qū)動(dòng)電路，在諸如硅晶片的半導(dǎo)體基板上形成用于將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路部(未示出)。
光刻膠薄膜通過(guò)旋涂法形成在半導(dǎo)體基板上。將光刻膠薄膜曝光并顯影，以暴露半導(dǎo)體基板的電極端。在制造顯示裝置的過(guò)程中，電極端分別電連接至外部信號(hào)線。
如步驟S10所示，為了在封閉室1中部分地蝕刻半導(dǎo)體基板，在容器2中制備包括反應(yīng)溶液的預(yù)處理溶液3。反應(yīng)溶液與半導(dǎo)體基板進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
特別地，反應(yīng)溶液與半導(dǎo)體基板的硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，以部分地蝕刻硅，從而產(chǎn)生固體顆粒。由化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的固體顆粒的實(shí)例包括氧化硅顆粒、金屬氧化硅顆粒等。
反應(yīng)溶液可以包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、去離子水等。去離子水可以為基本上不具有離子的純水?？蛇x地，反應(yīng)溶液可包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、去離子水、異丙醇等。
在圖8和圖9中，反應(yīng)溶液包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、去離子水和異丙醇。
例如，去離子水、氫氧化鈉和異丙醇的容積比約為1L∶15×10-3L∶14×10-3L。即，去離子水、氫氧化鈉和異丙醇的容積比約為14L∶210mL∶200mL。
包括去離子水、氫氧化鈉和異丙醇的預(yù)處理溶液3的溫度約為85℃至95℃。例如，預(yù)處理溶液3的溫度可為約90℃。此外，容器2中所容納的預(yù)處理溶液3與氮?dú)鈿馀輸嚢璐蠹s一分鐘至兩分鐘，該氮?dú)鈿馀菔峭ㄟ^(guò)預(yù)處理溶液3中的氮射出管(未示出)射出的。
圖10是示出了在圖9所示的預(yù)處理溶液中制備的硅的橫截面圖。
參照?qǐng)D10和步驟S20，在預(yù)處理溶液3(如圖9中所示)中制備裸晶片5(bare wafer)，以制備處理溶液8(如圖11中所示)。裸晶片5包括硅。裸晶片5的直徑和厚度分別為約8英寸(203mm)和約480μm。例如，可在預(yù)處理溶液3中制備二十四個(gè)裸晶片5。
圖11是示出了由圖10所示的示例性預(yù)處理溶液和示例性硅制成的示例性處理溶液的橫截面圖。
參照?qǐng)D8和圖11，裸晶片5與預(yù)處理溶液3的氫氧化鈉進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，從而將裸晶片5部分地蝕刻，以形成硅酸鈉9。處理溶液8是硅酸鈉9和預(yù)處理溶液3的混合物。
在圖8和圖11中，將裸晶片5浸入到預(yù)處理溶液3中約三至五次。
圖12是示出了浸入在圖11所示的示例性處理溶液中的具有示例性驅(qū)動(dòng)電路的示例性半導(dǎo)體基板的橫截面圖。
參照?qǐng)D8和圖12，并且如步驟S30所示，將具有驅(qū)動(dòng)電路10的半導(dǎo)體基板11浸入到處理溶液8中。驅(qū)動(dòng)電路10包括電路部(未示出)。半導(dǎo)體基板11包括用于暴露電極端的光刻膠圖樣(未示出)，以保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路10的剩余部分，其中，電極端電連接至外部信號(hào)線(未示出)。
當(dāng)將具有光刻膠圖樣的半導(dǎo)體基板11浸入到處理溶液8中時(shí)，在處理溶液8中的硅酸鈉9附著至半導(dǎo)體基板11。此外，處理溶液8的氫氧化鈉與電極端進(jìn)行反應(yīng)，以在電極端上形成表面增加部。即，具有硅酸鈉9的電極端的部分要比不具有硅酸鈉9的電極端的剩余部分被更多地蝕刻，以在電極端上形成表面增加部。
例如，表面增加部可基本為圓錐狀、基本為三棱錐狀、基本四棱錐狀、基本為多棱錐狀等。可選地，多個(gè)表面增加部可形成在電極端上。每個(gè)表面增加部均可具有不同的尺寸。即，表面增加部的尺寸可彼此不同。尺寸包括高度、底面積、體積等。例如，表面增加部的高度可約為1μm至10μm。
再次參照?qǐng)D8和步驟S40，將金屬沉積在具有表面增加部的驅(qū)動(dòng)電路上。可沉積在驅(qū)動(dòng)電路上的金屬的實(shí)例包括金Au、銀Ag、鋁Al、銅Cu等。光刻膠圖樣保留在除電極端之外的電路部上，使得金屬沉積在光刻膠圖樣和電極端上。因此，具有與表面增加部橫截面相對(duì)應(yīng)的橫截面的傳導(dǎo)突起形成在電極端上。
通過(guò)使用氧等離子體的拋光處理來(lái)從半導(dǎo)體基板除去剩余的光刻膠圖樣。使用激光束、切鋸機(jī)等，將驅(qū)動(dòng)電路與半導(dǎo)體基板的剩余部分分離。即，通過(guò)單一處理(singulation process)來(lái)完成驅(qū)動(dòng)電路。
盡管已經(jīng)描述了制造方法的特定實(shí)施例，但應(yīng)該理解，該方法的某些步驟以及處理的可選實(shí)施例也在這些實(shí)施例的范圍內(nèi)。
圖13至圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的另一示例性方法的橫截面圖。
圖13是示出了示例性第一光刻膠圖樣的橫截面圖，該第一光刻膠圖樣用于在示例性半導(dǎo)體基板上形成示例性電極端。
參照?qǐng)D13，通過(guò)旋涂處理，將光刻膠薄膜涂覆在具有驅(qū)動(dòng)部(未示出)的半導(dǎo)體基板101上。通過(guò)光學(xué)處理，將光刻膠薄膜圖樣化，以在半導(dǎo)體基板101上形成第一光刻膠圖樣111。
圖14是示出了在圖13所示的示例性半導(dǎo)體基板上形成的示例性電極端的橫截面圖。
參照?qǐng)D14，通過(guò)使用第一光刻膠圖樣111的干蝕刻處理或濕蝕刻處理，半導(dǎo)體基板101被圖樣化，以在半導(dǎo)體基板101上形成電連接至電路部的電極端120。
通過(guò)使用氧等離子體的拋光處理，從半導(dǎo)體基板101除去第一光刻膠圖樣111。
圖15是示出了用于部分地暴露圖14所示的示例性電極端的示例性第二光刻膠圖樣的橫截面圖。
參照?qǐng)D15，在將第一光刻膠圖樣111從半導(dǎo)體基板101除去之后，在半導(dǎo)體基板101上形成用于覆蓋電極端120的光刻膠薄膜。通過(guò)光學(xué)處理，將光刻膠薄膜圖樣化，以在半導(dǎo)體基板101上形成第二光刻膠圖樣135。
第二光刻膠圖樣135包括第一圖樣部132和第二圖樣部134。第一圖樣部132覆蓋半導(dǎo)體基板101，但不覆蓋電極端120。第二圖樣部134位于電極端120上。例如，多個(gè)圖樣部134可以以矩陣的形式形成在電極端120上。
圖16是示出了使用圖15所示的示例性第二光刻膠圖樣作為蝕刻掩模的示例性表面增加部的橫截面圖。
參照?qǐng)D16，蝕刻通過(guò)第二光刻膠圖樣135部分被暴露的電極端120，以在電極端120上形成具有恒定尺寸的表面增加部125。即，表面增加部125可以具有基本上相同的尺寸，其中，尺寸包括高度、底面積、體積等。
傳導(dǎo)突起140選擇性地形成在半導(dǎo)體基板101的電極端120上的表面增加部125上。
圖17至圖23示出了根據(jù)本發(fā)明的制造驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的又一示例性方法的橫截面圖。
圖17是示出了示例性第一光刻膠圖樣的橫截面圖，該第一光刻膠圖樣用于在示例性半導(dǎo)體基板上形成示例性電極端。
參照?qǐng)D17，通過(guò)旋涂處理，將光刻膠薄膜涂覆在具有電路部(未示出)的半導(dǎo)體基板200上。通過(guò)光學(xué)處理，將光刻膠薄膜圖樣化，以在半導(dǎo)體基板200上形成第一光刻膠圖樣210。
圖18是示出了在圖17所示的示例性半導(dǎo)體基板上形成的示例性電極端的橫截面圖。
參照?qǐng)D18，通過(guò)使用第一光刻膠圖樣210的干蝕刻處理或濕蝕刻處理，將半導(dǎo)體基板200圖樣化，以在半導(dǎo)體基板200上形成電連接至電路部的電極端220。
通過(guò)使用氧等離子體的拋光處理，從半導(dǎo)體基板200除去第一光刻膠圖樣210。
圖19是示出了用于部分地暴露圖18的示例性電極端的示例性第二光刻膠圖樣以及示例性蝕刻保護(hù)件的橫截面圖。圖20是示出了圖19所示的部分‘C’的放大橫截面圖。
參照?qǐng)D19和圖20，在從半導(dǎo)體基板200除去第一光刻膠圖樣210之后，在半導(dǎo)體基板200上形成用于覆蓋電極端220的光刻膠薄膜。通過(guò)光學(xué)處理，將光刻膠薄膜圖樣化，以在半導(dǎo)體基板200上形成第二光刻膠圖樣230。
第二光刻膠圖樣230覆蓋半導(dǎo)體基板200，但不覆蓋電極端220。
在半導(dǎo)體基板200上形成第二光刻膠圖樣230之后，在暴露的電極端220上形成珠狀的蝕刻保護(hù)件235。蝕刻保護(hù)件235保護(hù)電極端220的一部分或多個(gè)部分，從而電極端220的一部分或多個(gè)部分不被蝕刻劑蝕刻。
圖21是示出了蝕刻圖19所示的示例性半導(dǎo)體基板的示例性電極端的橫截面圖。
參照?qǐng)D21，將通過(guò)位于半導(dǎo)體基板200的底面上的第二光刻膠圖樣230而部分地暴露其上表面的電極端220浸入具有蝕刻劑245的容器240中，用于部分地蝕刻半導(dǎo)體基板200。通過(guò)干蝕刻或濕蝕刻處理，部分地蝕刻電極端220。在未被蝕刻保護(hù)件235保護(hù)的位置，由蝕刻劑245不規(guī)則地蝕刻電極端220，以在電極端220上形成具有不同尺寸的表面增加部225。
圖22是示出了在圖21所示的示例性電極端上形成的示例性傳導(dǎo)突起的橫截面圖。
參照?qǐng)D22，傳導(dǎo)突起250選擇性地形成在半導(dǎo)體基板200的電極端220上的表面增加部225上。例如，通過(guò)濺射處理或化學(xué)汽相沉積處理，將金屬沉積在表面增加部225上，以形成傳導(dǎo)突起250?？捎糜趥鲗?dǎo)突起250的金屬實(shí)例包括金Au、銀Ag、鋁Al、銅Cu等。
圖23是示出了從圖22所示的示例性半導(dǎo)體基板除去示例性第二光刻膠圖樣的橫截面圖。
參照?qǐng)D23，在電極端220上形成傳導(dǎo)突起250之后，通過(guò)拋光處理，從半導(dǎo)體基板200除去第二光刻膠圖樣230，以完成驅(qū)動(dòng)電路。用于除去第二光刻膠圖樣230的拋光處理可以使用氧等離子體來(lái)執(zhí)行。
圖24至圖28示出了根據(jù)本發(fā)明的制造驅(qū)動(dòng)電路的示例性實(shí)施例的又一示例性方法的橫截面圖。
圖24是示出了示例性第一光刻膠圖樣的橫截面圖，該第一光刻膠圖樣用于在示例性半導(dǎo)體基板上形成示例性電極端。
參照?qǐng)D24，通過(guò)旋涂處理，將光刻膠薄膜涂覆在具有電路部(未示出)的半導(dǎo)體基板300上。通過(guò)光學(xué)處理，將光刻膠薄膜圖樣化，以在半導(dǎo)體基板300上形成第一光刻膠圖樣310。
圖25是示出了在圖24所示的示例性半導(dǎo)體基板上形成的示例性電極端的橫截面圖。
參照?qǐng)D25，通過(guò)使用第一光刻膠圖樣310的干蝕刻處理或濕蝕刻處理，將半導(dǎo)體基板300圖樣化，以在半導(dǎo)體基板300上形成電連接至電路部的電極端320(如圖26所示)。通過(guò)使用氧等離子體的拋光處理，從半導(dǎo)體基板300除去第一光刻膠圖樣310(如圖24所示)。
在從半導(dǎo)體基板300除去第一光刻膠圖樣310之后，在半導(dǎo)體基板300上形成用于覆蓋包括有電極端320(如圖26所示)的半導(dǎo)體基板300的光刻膠薄膜。通過(guò)光學(xué)處理，將光刻膠薄膜圖樣化，以在半導(dǎo)體基板300上形成第二光刻膠圖樣330。
第二光刻膠圖樣330覆蓋半導(dǎo)體基板300，但不覆蓋電極端320。
參照?qǐng)D26，在半導(dǎo)體基板300上形成第二光刻膠圖樣330之后，在暴露的電極端320(例如，在電極端320的上表面上)上形成珠狀的催化劑335。催化劑335加速電極端320的一部分或多個(gè)部分的蝕刻處理。
圖27是示出了蝕刻圖26所示的示例性半導(dǎo)體基板的示例性電極端的橫截面圖。
參照?qǐng)D27，將通過(guò)第二光刻膠圖樣330部分暴露的電極端320浸入具有蝕刻劑345的容器340中，用于部分地蝕刻半導(dǎo)體基板300。通過(guò)干蝕刻或濕蝕刻處理，部分地蝕刻電極端320。由催化劑335不規(guī)則地蝕刻電極端320，以在電極端320上形成具有不同尺寸的表面增加部325(如圖28所示)。相比于電極端320的上表面的其它位置，在催化劑335的位置處的電極端320可能被更多地蝕刻。
圖28是示出了在圖27所示的示例性電極端上形成的示例性傳導(dǎo)突起的橫截面圖。
參照?qǐng)D28，傳導(dǎo)突起350選擇性地形成在半導(dǎo)體基板300的電極端320上的表面增加部325上。例如，通過(guò)濺射處理或化學(xué)汽相沉積處理，將金屬沉積在表面增加部325上，以形成傳導(dǎo)突起350?？捎糜趥鲗?dǎo)突起350的金屬的實(shí)例包括金Au、銀Ag、鋁Al、銅Cu等。在電極端320上形成傳導(dǎo)突起350之后，通過(guò)拋光處理，從半導(dǎo)體基板300除去第二光刻膠圖樣330，以完成驅(qū)動(dòng)電路。用于除去第二光刻膠圖樣330的拋光處理可以使用氧等離子體來(lái)執(zhí)行。
顯示裝置圖29是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的示例性實(shí)施例的一部分的分解透視圖。圖30是示出了圖29所示的部分‘D’的放大透視圖。
參照?qǐng)D29和圖30，顯示裝置600包括驅(qū)動(dòng)電路400和顯示基板500。
驅(qū)動(dòng)電路400包括半導(dǎo)體基板410、電極端420、以及傳導(dǎo)突起430?？蛇x地，驅(qū)動(dòng)電路400還可包括多個(gè)電極端420和多個(gè)傳導(dǎo)突起430。
半導(dǎo)體基板410可包括將外部提供的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路部(未示出)。可通過(guò)薄膜制造處理形成電路部(未示出)。電極端420可形成在半導(dǎo)體基板410的底面上，并且可從底面的表面突出。電極端420包括信號(hào)輸入端部422和信號(hào)輸出端部424。將外部提供的圖像信號(hào)通過(guò)信號(hào)輸入端部422施加給半導(dǎo)體基板410的電路部(未示出)。將由電路部(未示出)產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò)信號(hào)輸出端部424施加給驅(qū)動(dòng)電路400。
多個(gè)信號(hào)輸入端部422可以布置在靠近半導(dǎo)體基板410的第一邊緣線416a的邊緣部分上。即，信號(hào)輸入端部422可沿半導(dǎo)體基板410的一側(cè)散布。
多個(gè)信號(hào)輸出端部424可以布置在靠近半導(dǎo)體基板410的第二邊緣線416b的邊緣部分上。第二邊緣線416b與第一邊緣線416a相對(duì)。即，信號(hào)輸出端部424可沿半導(dǎo)體基板410的另一側(cè)散布。
圖31是沿圖30中的II-II’線截取的橫截面圖。
參照?qǐng)D31，多個(gè)表面增加部428可形成在電極端420的上表面上，該電極端420包括信號(hào)輸入端部422和信號(hào)輸出端部424。即，電極端420包括附著至半導(dǎo)體基板410的底面的下表面和與半導(dǎo)體基板410的底面有間隔的上表面。電極端420的上表面包括多個(gè)表面增加部428。在沒(méi)有多個(gè)表面增加部428的情況下，電極端420的上表面的表面積小于具有多個(gè)表面增加部428的電極端420的表面積。
每個(gè)表面增加部428可具有不同的尺寸。尺寸包括高度、底面積、體積等。例如，每個(gè)表面增加部428的高度可約為1μm至10μm。
例如，當(dāng)從上觀察時(shí)(即，當(dāng)從平面視圖的角度觀察時(shí))，表面增加部428可基本為圓錐狀、基本為三棱錐狀、基本為四棱錐狀、基本為多棱錐狀等。
傳導(dǎo)突起430形成在具有增加表面的電極端420上。傳導(dǎo)突起430可包括高導(dǎo)電金屬?？捎糜趥鲗?dǎo)突起430的金屬實(shí)例包括金Au、銀Ag、鋁Al、銅Cu等。傳導(dǎo)突起430可通過(guò)濺射處理、化學(xué)汽相沉積處理、電鍍處理、化學(xué)鍍(electro less plating)處理等形成在電極端420上。例如，傳導(dǎo)突起430為凸形和凹形，以與電極端420結(jié)合。即，相比于具有平坦表面的傳導(dǎo)突起的表面積，傳導(dǎo)突起430的表面積也增加了。
圖32是沿圖30中的III-III’線截取的橫截面圖。
參照?qǐng)D32，電極端420可為從半導(dǎo)體基板410的底面突出的凸形。至少一個(gè)表面增加部429可形成在電極端420上。
表面增加部429可具有恒定的尺寸。尺寸包括高度、底面積、體積等。例如，表面增加部429的高度可約為1μm至10μm。當(dāng)從平面視圖角度上觀察(例如，在平面視圖中)時(shí)，表面增加部429可基本為圓錐狀、基本為三棱錐狀、基本為四棱錐狀、基本為多棱錐狀等。
傳導(dǎo)突起431形成在電極端420上。傳導(dǎo)突起431可包括高導(dǎo)電金屬?？捎糜趥鲗?dǎo)突起431的金屬實(shí)例包括金Au、銀Ag、鋁Al、銅Cu等。傳導(dǎo)突起431可通過(guò)濺射處理、化學(xué)汽相沉積處理、電鍍處理、化學(xué)鍍(electro less plating)處理等形成在電極端420上。例如，傳導(dǎo)突起431為凸形和凹形，以與電極端420結(jié)合。即，相比于具有平坦表面的傳導(dǎo)突起的表面積，傳導(dǎo)突起431的表面積也增加了。
在圖29至圖32中，傳導(dǎo)突起430和431的表面積顯著增加，以減小電極端420和電連接至傳導(dǎo)突起430和431的信號(hào)線之間的接觸電阻。盡管將驅(qū)動(dòng)電路400顯示為包括具有不同尺寸的表面增加部428和具有恒定尺寸的表面增加部429兩者，但驅(qū)動(dòng)電路400可選地包括只具有表面增加部428的電極端420或只具有表面增加部429的電極端420。
圖33是沿圖29中的IV-IV’線截取的橫截面圖。圖34是示出圖29中所示的示例性第一顯示基板的平面圖。圖35是沿圖29中的V-V’線截取的橫截面圖。
參照?qǐng)D33至圖35，顯示基板500包括第一顯示基板510和第二顯示基板520。
第一顯示基板510包括多個(gè)像素電極PE和多個(gè)薄膜晶體管TR。薄膜晶體管TR分別電連接至像素電極PE。
每個(gè)像素電極PE均可包括透明導(dǎo)電材料?？捎糜谙袼仉姌OPE的透明導(dǎo)電材料的實(shí)例包括，但并不限于氧化銦錫(“ITO”)、氧化銦鋅(“IZO”)等。
每個(gè)薄膜晶體管TR均包括柵電極G、源電極S、絕緣層(未示出)、溝道層C、以及漏電極D。柵電極G電連接至柵極線GL。源電極S電連接至數(shù)據(jù)線DL。第一顯示基板510可包括多條柵極線GL以及多條與柵極線GL基本上垂直延伸的數(shù)據(jù)線DL。柵電極G通過(guò)絕緣層(未示出)與源電極S和漏電極D電絕緣。溝道層C與柵電極G相對(duì)應(yīng)地位于絕緣層(未示出)上，并電連接在源電極S和漏電極D之間。每個(gè)像素電極PE均電連接至漏電極D。由此，多個(gè)像素區(qū)域形成矩陣結(jié)構(gòu)。
第二顯示基板520對(duì)應(yīng)于第一顯示基板510。黑色矩陣BM形成在第二顯示基板520上。黑色矩陣BM阻擋第一顯示基板510的像素電極PE之間泄漏的光。換句話說(shuō)，黑色矩陣BM可形成在與第一顯示基板520的信號(hào)線和薄膜晶體管TR相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的第二顯示基板520上。
第二顯示基板520還可包括濾色器CF。濾色器CF對(duì)應(yīng)于在第一顯示基板510上形成的每個(gè)像素電極PE，并且可包括被黑色矩陣BM包圍的區(qū)域。濾色器CF包括紅濾色器部、綠濾色器部、以及藍(lán)濾色器部。
共電極CE可形成在第二顯示基板520上，并且對(duì)應(yīng)于像素電極PE。共電極CE可包括透明導(dǎo)電材料?？捎糜诠搽姌OCE的透明導(dǎo)電材料的實(shí)例包括，但并不限于氧化銦錫(“ITO”)、氧化銦鋅(“IZO”)等。
液晶層530可介于液晶顯示(“LCD”)裝置中的第一和第二顯示基板510和520之間。
例如柵極線GL的信號(hào)線通過(guò)各向異性導(dǎo)電膜(“ACF”)560電連接至驅(qū)動(dòng)電路400的傳導(dǎo)突起430。ACF 560可包括多個(gè)微導(dǎo)電球565。在圖33中，微導(dǎo)電球565被具有凸形和凹形的傳導(dǎo)突起430有效地壓縮，以改善驅(qū)動(dòng)電路400和信號(hào)線之間的電特性。驅(qū)動(dòng)電路還可被設(shè)置成連接至顯示基板500的數(shù)據(jù)線DL。
盡管將顯示基板500示出并說(shuō)明成LCD裝置，但應(yīng)該理解，驅(qū)動(dòng)電路400可被提供給其它類型的顯示裝置，該顯示裝置包括，但并不限于有機(jī)發(fā)光顯示(“OLED”)裝置。
根據(jù)本發(fā)明，產(chǎn)生用于顯示圖像的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路的電極端的表面積和形成在電極端的傳導(dǎo)突起的表面積增加，使得電極端和傳導(dǎo)突起之間的接觸電阻減小，從而改善了顯示裝置的圖像顯示質(zhì)量。作為傳導(dǎo)突起的表面積增加的結(jié)果，電極端和電連接至傳導(dǎo)突起的信號(hào)線之間的接觸電阻減小。
已經(jīng)參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明。然而，很顯然根據(jù)上述描述，許多可替換的修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明了涵蓋了權(quán)利要求的主旨和范圍中的所有這些可替換的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)電路，包括半導(dǎo)體基板；電極端，位于所述半導(dǎo)體基板上，所述電極端包括表面增加部，位于所述電極端的上表面上，用于增加所述電極端的表面積，所述表面增加部具有不同的尺寸；以及傳導(dǎo)突起，用于覆蓋所述表面增加部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述電極端與所述半導(dǎo)體基板的一側(cè)基本平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，當(dāng)從平面視圖角度觀察時(shí)，所述表面增加部具有從包括基本圓錐狀、基本三棱錐狀、基本四棱錐狀、基本多棱錐狀的組中選擇的至少一種形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述表面增加部的所述尺寸為所述表面增加部的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述表面增加部的所述高度為約1μm至約10μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，在大約1000μm2的面積中，所述表面增加部的數(shù)量為約10個(gè)至約1000個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述電極端包括用于接收外部提供的圖像信號(hào)的信號(hào)輸入端部以及通過(guò)其將由所述半導(dǎo)體基板的電路部產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出的信號(hào)輸出端部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述傳導(dǎo)突起具有與所述電極端的所述表面增加部相對(duì)應(yīng)的非平面外表面。
9.一種驅(qū)動(dòng)電路，包括半導(dǎo)體基板；電極端，位于所述半導(dǎo)體基板上，所述電極端包括表面增加部，位于所述電極端的上表面上，用于增加所述電極端的表面積，每個(gè)所述表面增加部中均具有基本相同的尺寸；以及傳導(dǎo)突起，用于覆蓋所述表面增加部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述電極端與所述半導(dǎo)體基板的一側(cè)基本平行。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述表面增加部具有從包括基本圓錐狀、基本三棱錐狀、基本四棱錐狀、和基本多棱錐狀的組中選擇的至少一種形狀。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述表面增加部的所述尺寸為所述表面增加部的高度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述表面增加部的所述高度為約1μm至約10μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，在大約1000μm2的面積中，所述表面增加部的數(shù)量為約10個(gè)至約1000個(gè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述傳導(dǎo)突起具有與所述電極端的所述表面增加部相對(duì)應(yīng)的非平面外表面。
16.一種制造驅(qū)動(dòng)電路的方法，包括制備預(yù)處理溶液，所述預(yù)處理溶液包括用于形成硅化合物的反應(yīng)溶液；由所述預(yù)處理溶液和硅制備處理溶液，所述處理溶液包括所述硅化合物；以及將具有被所述硅化合物部分地暴露的電極端的基板浸入在所述處理溶液中，并且使用所述處理溶液來(lái)部分地蝕刻所述電極端。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述預(yù)處理溶液包括去離子水。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，制備所述預(yù)處理溶液還包括在約85℃至約95℃的溫度，使用氮?dú)鈿馀輸嚢杷鲱A(yù)處理溶液約一分鐘至約兩分鐘。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述預(yù)處理溶液還包括異丙醇。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述去離子水、所述反應(yīng)溶液、以及所述異丙醇的容積比約為1L∶15×10-3L∶14×10-3L。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述去離子水、所述反應(yīng)溶液、以及所述異丙醇的容積比約為14L∶0.21L∶0.2L，以及浸入所述處理溶液中的硅基板的數(shù)量、直徑、以及厚度分別為約24個(gè)、約8英寸、以及約480μm。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述處理溶液包括氫氧化鈉或氫氧化鉀。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述硅化合物包括硅酸鈉。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，重復(fù)制備所述預(yù)處理溶液以及重復(fù)制備所述處理溶液約三至五次。
25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括在所述電極端上形成表面增加部，其中，所述表面增加部的高度為約1μm至約10μm。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述表面增加部具有從包括基本圓錐狀、基本三棱錐狀、基本四棱錐狀、和基本多棱錐狀的組中選擇的至少一種形狀。
27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括在所述電極端上形成突起，其中，所述突起包括金屬。
28.一種制造驅(qū)動(dòng)電路的方法，包括在暴露在具有電路部的半導(dǎo)體基板上的電極端上形成光刻膠圖樣，所述電路部將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及使用所述光刻膠圖樣作為蝕刻掩模來(lái)部分地蝕刻所述電極端，以在所述電極端上形成表面增加部。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，還包括使用所述光刻膠圖樣作為掩模，在所述電極端上形成傳導(dǎo)突起。
30.一種制造驅(qū)動(dòng)電路的方法，包括將珠狀的蝕刻保護(hù)件附著至暴露在具有電路部的半導(dǎo)體基板上的電極端，所述電路部用于將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及使用所述蝕刻保護(hù)件作為蝕刻掩模來(lái)部分地蝕刻所述電極端，以在所述電極端上形成表面增加部。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，還包括使用光刻膠圖樣作為掩模，在所述電極端上形成傳導(dǎo)突起。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中，部分地蝕刻所述電極端還包括干蝕刻所述電極端。
33.一種制造驅(qū)動(dòng)電路的方法，包括將用于加速蝕刻過(guò)程的催化劑附著至暴露在具有電路部的半導(dǎo)體基板上的電極端，所述電路部用于將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)信號(hào)；以及使用所述催化劑作為蝕刻掩模來(lái)部分地蝕刻所述電極端，以在所述電極端上形成表面增加部。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的方法，還包括使用光刻膠圖樣作為掩模，在所述電極端上形成傳導(dǎo)突起。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中，部分地蝕刻所述電極端還包括濕蝕刻所述電極端。
36.一種顯示裝置，包括顯示基板，包括顯示部，所述顯示部用于基于由信號(hào)輸入部施加的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái)顯示圖像；以及驅(qū)動(dòng)電路，包括半導(dǎo)體基板，具有用于產(chǎn)生所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路部；電極端，與所述信號(hào)輸入部相對(duì)應(yīng)地位于所述半導(dǎo)體基板上，所述電極端包括表面增加部，位于所述電極端的上表面上，用于增加所述電極端的表面積；以及傳導(dǎo)突起，位于所述電極端上，所述傳導(dǎo)突起電連接至所述信號(hào)輸入部。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示裝置，其中，所述表面增加部具有基本相同的尺寸。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示裝置，其中，所述表面增加部具有不同的尺寸。
39.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示裝置，其中，所述表面增加部的高度為約1μm至約10μm。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的顯示裝置，其中，在大約1000μm2面積中，所述表面增加部的數(shù)量為約10個(gè)至約1000個(gè)。
41.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示裝置，其中，所述表面增加部具有從包括基本圓錐狀、基本三棱錐狀、基本四棱錐狀、和基本多棱錐狀的組中選擇的至少一種形狀。
42.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示裝置，其中，所述顯示基板包括第一基板，包括多個(gè)第一電極；第二基板，與所述第一基板相對(duì)應(yīng)，所述第二基板包括第二電極；以及液晶層，置于所述第一基板和所述第二基板之間。
43.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示裝置，其中，所述傳導(dǎo)突起具有與所述電極端的增加的表面積相對(duì)應(yīng)的增加的表面積，所述傳導(dǎo)突起的所述增加的表面積減小所述電極端和所述信號(hào)輸入部之間的接觸電阻。
44.一種用于改善具有驅(qū)動(dòng)電路和顯示面板的顯示裝置中的圖像顯示質(zhì)量的方法，所述方法包括通過(guò)在電極端上設(shè)置非平面的傳導(dǎo)突起以增加所述傳導(dǎo)突起的表面積，來(lái)減小所述驅(qū)動(dòng)電路的所述電極端和所述顯示面板的信號(hào)線之間的接觸電阻。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中，設(shè)置非平面?zhèn)鲗?dǎo)突起包括在用所述傳導(dǎo)突起覆蓋所述電極端之前，在所述電極端上設(shè)置表面增加部。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種驅(qū)動(dòng)電路，其包括半導(dǎo)體基板、電極端和傳導(dǎo)突起。電極端位于半導(dǎo)體基板上并包括在電極端的上表面上的表面增加部，以增加電極端的表面積。表面增加部具有不同的尺寸或具有相同的尺寸。傳導(dǎo)突起覆蓋表面增加部。因此，通過(guò)減小電極端和顯示面板的信號(hào)線之間的接觸電阻來(lái)改善顯示裝置的圖像顯示質(zhì)量。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1897097SQ20061009847
公開(kāi)日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2006年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月11日
發(fā)明者李仁 , 郭珍午, 李清行, 李光世, 李民壽, 金永彬 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社