專利名稱：等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
等離子顯示裝置是一種大型的平面顯示器，其作為家庭用壁掛電視也已經(jīng)開始普及。為了進一步的普及，要求提高發(fā)光效率并降低功耗。
在日本專利文獻特開2000-251746號公報中記載了具有輔助電極的等離子顯示面板。另外，在日本專利文獻特許第3573005號公報中記載了具有第一電極、第二電極和第三電極的等離子顯示面板的驅(qū)動方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高發(fā)光效率并降低功耗的等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，可以提供一種等離子顯示裝置，該等離子顯示裝置具有第一、第二和第三電極；熒光體，借助所述第一至第三電極的通過施加電壓而發(fā)生的放電來發(fā)光；以及驅(qū)動電路，每當向所述第一和第二電極間施加交替脈沖來進行放電發(fā)光時向所述第三電極施加脈沖。第三電極的脈沖的后沿中的、其幅度的50％的時點位于發(fā)光波形的第一個波峰的時點之前。
發(fā)明效果通過設(shè)置第三電極，可以使施加在第一和第二電極之間的電壓為低電壓。另外，通過使第三脈沖的時序滿足特定的條件，可提高發(fā)光效率。


圖1是本發(fā)明實施方式的4電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置的構(gòu)成例的示意圖；圖2是示出根據(jù)上述實施方式的等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)例的分解部分立體圖；圖3是像素的一幀的構(gòu)成例的示意圖；圖4(A)是在實驗中使用的根據(jù)上述實施方式的ALIS結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板的平面圖，圖4(B)是圖4(A)的等離子顯示面板的截面圖；圖5(A)和圖5(B)是電極結(jié)構(gòu)示意圖；圖6(A)是等離子顯示面板的截面圖，圖6(B)是各電極的電壓波形和放電發(fā)光波形的示意圖；圖7是其他等離子顯示面板的截面圖；圖8是示出Z電極的脈沖寬度和發(fā)光效率的關(guān)系的實驗結(jié)果的曲線圖；圖9是當Z電極的脈沖寬度為200ns時通過示波器觀測的各電極電壓波形的示意圖；圖10是當Z電極的脈沖寬度為400ns時通過示波器觀測的各電極電壓波形的示意圖。
具體實施例方式
圖1是本發(fā)明實施方式的4電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示裝置的構(gòu)成例的示意圖?？刂齐娐?0控制X驅(qū)動電路17、Y驅(qū)動電路18、Z驅(qū)動電路21和選址驅(qū)動電路19。X驅(qū)動電路17向多個X電極X1、X2、…提供預定的電壓。下面，將X電極X1、X2、…的每一個或者將它們總稱為X電極X。Y驅(qū)動電路18向多個Y電極Y1、Y2、…提供預定的電壓。下面，將Y電極Y1、Y2、…的每一個或者將它們總稱為Y電極Y。Z驅(qū)動電路21向第奇數(shù)個的Z電極Zo和第偶數(shù)個的Z電極Ze提供預定的電壓。下面，將Z電極Zo和Ze的每一個或者將它們總稱為Z電極Z。選址驅(qū)動電路19向多個選址電極A1、A2、…提供預定的電壓。下面，將選址電極A1、A2、…的每一個或者將它們總稱為選址電極A。該4電極結(jié)構(gòu)具有選址電極A、X電極X、Y電極Y和Z電極Z。Z電極Z設(shè)置在X電極X和Y電極Y之間。
在等離子顯示面板16中，X電極X、Z電極Z和Y電極Y形成沿水平方向平行延伸的行，選址電極A形成沿垂直方向延伸的列。選址電極A與X電極X、Z電極Z和Y電極Y交叉配置。X電極X、Z電極Z和Y電極Y在垂直方向上交替配置。Y電極Yi和選址電極Aj形成i行j列的二維矩陣。顯示單元C11由Y電極Yi和選址電極Aj的交點以及與該交點對應(yīng)相鄰的Z電極Zo和X電極X1構(gòu)成。該顯示單元Cij對應(yīng)于像素。通過該二維矩陣，面板16可以顯示二維圖像。Z電極Zo例如是用于輔助X電極X1和Y電極Y1之間的放電的電極，Z電極Ze例如是用于輔助Y電極Y1和X電極X2之間的放電的電極。
圖2是示出根據(jù)本實施方式的面板16的結(jié)構(gòu)例的分解部分立體圖。X電極3與圖1的X電極X對應(yīng)。Y電極4與圖1的Y電極Y對應(yīng)。Z電極2與圖1的Z電極Z對應(yīng)。選址電極5與圖1的選址電極A對應(yīng)。
X電極3、Y電極4和Z電極2被形成在前玻璃基板10上。在它們上面覆蓋著用于對放電空間進行絕緣的第一電介質(zhì)層8。而且在該第一電介質(zhì)層8上還覆蓋著MgO(氧化鎂)保護層9。另一方面，選址電極5被形成在與前玻璃基板10相對配置的后玻璃基板11上。在該后玻璃基板11上覆蓋著第二電介質(zhì)層12。并且在第二電介質(zhì)層12上覆蓋著熒光體13～15。在間隔壁6和7的內(nèi)面涂敷著按每種顏色排列成條紋狀的紅、藍、綠等顏色的熒光體13～15。通過X電極3和Y電極4之間的維持放電來激發(fā)熒光體13～15發(fā)出各種顏色的光。Ne+Xe潘寧氣體(放電氣體)等被封入前玻璃基板10和后玻璃基板11之間的放電空間中。
圖3是像素的一幀F(xiàn)D的構(gòu)成例的示意圖。一幀F(xiàn)D由第一子幀SF1、第二子幀SF2、…、第n子幀SFn形成。所述n例如為10，相當于灰度比特數(shù)。下面，將子幀SF1、SF2等的每一個或?qū)⑺鼈兛偡Q為子幀SF。
各子幀SF由復位期間Tr、尋址期間Ta以及維持(維持放電)期間Ts構(gòu)成。在復位期間Tr中，進行顯示單元的初始化。在尋址期間Ta中，通過選址電極A和Y電極Y之間的尋址放電，可以選擇各顯示單元的發(fā)光或不發(fā)光。具體地說，依次向Y電極Y1、Y2、Y3、Y4、…等施加掃描脈沖，并與該掃描脈沖相對應(yīng)地為選址電極A選擇尋址脈沖，由此可以選擇期望的顯示單元的發(fā)光或不發(fā)光。在維持期間Ts中，使用Z電極Z來在選中的顯示單元的X電極X和Y電極Y之間進行維持放電，從而進行發(fā)光。在各子幀SF中，X電極X和Y電極Y之間的基于維持脈沖的發(fā)光次數(shù)(維持期間Ts的長度)不同。由此，可以決定灰度值。
在奇數(shù)幀F(xiàn)D中，通過在X電極X1和Y電極Y1之間的顯示單元、X電極X2和Y電極Y2之間的顯示單元、X電極X3和Y電極Y3之間的顯示單元、X電極X4和Y電極Y4之間的顯示單元等上的維持放電來進行顯示。此時，使用Z電極Zo進行維持放電。之后，在偶數(shù)幀F(xiàn)D中，通過在Y電極Y1和X電極X2之間的顯示單元、Y電極Y2和X電極X3之間的顯示單元、Y電極Y3和X電極X4之間的顯示單元等上的維持放電來進行顯示。此時，使用Z電極Ze進行維持放電。
圖4(A)是在實驗中使用的本發(fā)明實施方式的ALIS結(jié)構(gòu)的等離子顯示面板的平面圖，圖4(B)是圖4(A)的等離子顯示面板的截面圖。X電極X1表示圖1的第奇數(shù)個的X電極X1、X3等，X電極X2表示圖1的第偶數(shù)個的X電極X2、X4等。Y電極Y1表示圖1的第奇數(shù)個的Y電極Y1、Y3等，Y電極Y2表示圖1的第偶數(shù)個的Y電極Y2、Y4等。X電極X1、X2，Y電極Y1、Y2以及Z電極Zo、Ze被設(shè)置在前基板401上。選址電極411和熒光體層412被設(shè)置在后基板402上。
在ALIS驅(qū)動中，交替顯示奇數(shù)幀和偶數(shù)幀。在奇數(shù)幀和偶數(shù)幀中，發(fā)光的顯示單元的位置發(fā)生變化，用于顯示的電極的組合也發(fā)生變化。具體地說，在奇數(shù)幀中，電極X1、Zo、Y1構(gòu)成一組顯示電極，電極X2、Zo、Y2構(gòu)成另一組顯示電極。此時，Z電極Ze不用于顯示電極，而是被用作用于抑制顯示單元之間的干擾的屏蔽電極。當將Z電極Ze用作屏蔽電極時，使Z電極Ze接地。另外，當幀變?yōu)榕紨?shù)幀時，電極Y1、Ze、X2構(gòu)成一組顯示電極，電極Y2、Ze、X1構(gòu)成另一組顯示電極。此時，Z電極Zo成為屏蔽電極。
圖5(A)示出了實驗中使用的電極結(jié)構(gòu)。X電極500x由金屬電極(總線電極)501x和連接在該金屬電極501x兩側(cè)的透明電極(維持電極)502x構(gòu)成。Y電極500y由金屬電極(總線電極)501y和連接在該金屬電極501y兩側(cè)的透明電極(維持電極)502y構(gòu)成。Z電極500z由金屬電極(總線電極)501z和連接在金屬電極501z兩側(cè)的透明電極(維持電極)502z構(gòu)成。間隔壁503對應(yīng)于圖2的間隔壁6和7。
在透明電極502x和502y之間進行維持放電。該透明電極502x和502y之間的最短距離Sg為250μm。透明電極502x和502z之間的最短距離Tg為75μm。透明電極502y和502z之間的最短距離Tg亦為75μm。透明電極502z的最大寬度Tw為100μm。透明電極502x和502y的最小寬度為100μm。金屬電極501x和501y的寬度為80μm。
圖6(A)是進行實驗的等離子顯示面板的截面圖，圖6(B)是示出進行實驗的奇數(shù)幀的維持期間Ts(圖3)中的各電極的電壓波形和放電發(fā)光波形的概要圖。更精確的波形圖將在后面參考圖9和圖10來進行說明。前基板401具有X電極500x、Y電極500y和Z電極500z。后基板402具有選址電極411和熒光體層412。
在圖6(B)中，選址電極411維持為0V。在時刻t1之前，X電極500x為-88V，Z電極500z為-88V，Y電極500y為+88V。在時刻t1，使Y電極500y從+88V下降至-88V。接著，在時刻t2，使Z電極500z從-88V上升至+88V。于是，在Z電極500z和Y電極500y之間施加了+176V，荷電粒子密度變高。但是，仍未發(fā)生放電發(fā)光。接著，在時刻t3，使Z電極500z從+88V下降至-88V，并使X電極500x從-88V上升至+88V。于是，在X電極500x和Y電極500y之間施加了+176V，從而在X電極500x和Y電極500y之間發(fā)生主放電，放電發(fā)光開始。并且，精確地說，放電發(fā)光略在時刻t2之前開始。放電發(fā)光分兩階段上升，在時刻t4發(fā)生峰值發(fā)光，在時刻t5，放電發(fā)光結(jié)束。之后，在時刻t6，使X電極500x從+88V下降至-88V。通過重復以上的處理，在X電極500x和Y電極500y之間發(fā)生維持放電。Z電極的脈沖寬度t2～t3優(yōu)選為100ns～500ns。此時的發(fā)光效率為1.91[lm/W]。此外，在前基板401和后基板402之間的放電氣體中，Xe為5％，He為30％，其余為Ne。
圖5(B)是作為實驗比較對象的3電極結(jié)構(gòu)的等離子顯示而板的電極結(jié)構(gòu)示意圖。3電極結(jié)構(gòu)具有選址電極A、X電極X和Y電極Y。圖5(B)的3電極結(jié)構(gòu)與圖5(A)的4電極結(jié)構(gòu)相比，去掉了Z電極500z。若想在透明電極502x和502y之間施加176V來使其放電，則需要縮短距離Sg。將距離Sg設(shè)為100μm來進行了實驗。其他距離與圖5(A)的相同。在圖5(B)的3電極結(jié)構(gòu)中，實驗的結(jié)果，發(fā)光效率為1.25[lm/W]。
圖5(A)的根據(jù)本實施方式的4電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率為1.91[lm/W]，與圖5(B)的3電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率相比，發(fā)光效率有了顯著的提高。但是，只有在預定的條件的情況下，發(fā)光效率上升，而在不滿足預定的條件時，沒有觀察到比3電極結(jié)構(gòu)高的發(fā)光效率。
即使是圖5(B)的3電極結(jié)構(gòu)，也可以進行維持放電。透明電極502x和502y之間的最短距離Sg越長，發(fā)光效率就越高。但是，在增大了距離Sg的情況下，如果在透明電極502x和502y之間不施加高電壓，在透明電極502x和502y之間就不會發(fā)生放電，因此需要大的消費功率。
圖5(A)的4電極結(jié)構(gòu)可以提高發(fā)光效率并降低功耗。通過增大透明電極502x和502y之間的最短距離Sg，可以提高發(fā)光效率。并且，通過設(shè)置Z電極500z，可以在透明電極502x和502y之間施加176V的低電壓來使它們放電發(fā)光。在4電極結(jié)構(gòu)中，進行放電發(fā)光時施加在X電極和Y電極之間的電壓可以是低于下述最低電壓的電壓，該最低電壓是在不向Z電極施加脈沖的情況下在X電極和Y電極之間進行放電的電壓。
接著，說明上述實驗結(jié)果的原理。根據(jù)本實施方式，可以顯著地提高發(fā)光效率，并可以實現(xiàn)低功耗、低成本以及高亮度。首先，說明向X電極500x、Y電極500y和Z電極500z施加圖6(B)所示的電壓的情況。在時刻t2，若向Y電極500y施加-88V，并向Z電極500z施加+88V，則電子(負電荷)被拉到Z電極500z上，離子(正電荷)被拉到Y(jié)電極500y上。由此，Z電極500z附近的電子密度開始增大。在隨著電子密度繼續(xù)增大而開始出現(xiàn)發(fā)光和Z-Y電極間放電電流之前的時刻t3，向X電極500x施加+88V，向Y電極500y施加-88V，向Z電極500z施加-88V。接著，在Z-Y電極之間，開始發(fā)生放電發(fā)光，但一時開始流動的Z-Y電極之間的放電電流(從Z電極向正的方向流出的電流)由于Z電極500z變?yōu)?88V而立刻開始減少。同時，在X-Z電極之間的電位差的作用下，電子開始被拉向X電極500x，離子開始被拉向Z電極500z。由此，在顯示單元內(nèi)電離進一步進行，電荷密度增大。盡管在X-Z電極之間一時有放電電流(從Z電極向負的方向流入的電流)流動，但很快在X-Y電極之間發(fā)生長距離放電，并且此處的放電成為支配性的放電。在長距離放電中，可以利用電場梯度平坦的正柱區(qū)的發(fā)光。在正柱區(qū)放電中，由于輸入的電能被高效率地轉(zhuǎn)換成紫外線，所以可以獲得高發(fā)光效率。如上所述，在一次連續(xù)的放電中，Z電極500z具有使氣體放電電流正向流動的期間和使該電流負向流動的期間這兩個期間。
如上所述，向各電極施加的電壓的正負極性很重要。在X電極(陽極)500x和Y電極(陰極)500y之間的長距離的主放電之前，在長距離放電路徑上的哪個位置提高遷移率高的電子的荷電粒子密度很重要。由于電子比離子遷移率高，所以優(yōu)選在Z電極500z附近提高電子的荷電粒子密度。這可以通過如圖6(B)所示的電壓的極性來實現(xiàn)。
接著，在圖6(B)中，說明將X電極500x、Y電極500y以及Z電極500z的電壓的正負極性逆轉(zhuǎn)的情況。即，在時刻t2，X電極500x為+88V，Y電極500y為-88V，Z電極500z為-88V。于是，離子被拉到在Z電極500z上，電子被拉到Y(jié)電極500y上。由此，Y電極500y附近的電子密度增大。接著，在時刻t3，X電極500x變?yōu)?88V，Y電極500y變?yōu)?88V，Z電極500z變?yōu)?88V，此時，由于對于Y電極500y和Z電極500z之間的電場，電子位于Y電極500y附近，所以不進行電場加速(不作用于電離)，不發(fā)生雪崩增大。即，Z電極500z和Y電極500y之間的荷電粒子密度不增大。其結(jié)果是，為了進行長距離放電，需要向X電極500x和Y電極500y之間施加高電壓。由于電子溫度高，損失變大。因此，優(yōu)選圖6(B)所示的電壓的極性。
圖8是示出Z電極的脈沖寬度(半值寬度)和發(fā)光效率之間的關(guān)系的實驗結(jié)果的曲線圖。圖9是在圖8的實驗結(jié)果中當Z電極的脈沖寬度為200ns時通過示波器觀測到的各電極的電壓波形的示意圖。圖10是在圖8的實驗結(jié)果中當Z電極的脈沖寬度為400ns時通過示波器觀測到的各電極的電壓波形的示意圖。電壓Vx表示X電極的電壓波形，電壓Vy表示Y電極的電壓波形，電壓Vz表示Z電極的電壓波形。發(fā)光Lm是當向X電極、Y電極和Z電極施加電壓而發(fā)生放電時，與此相應(yīng)地，由熒光體發(fā)出的光的波形。在圖9和圖10中，橫軸的時間以虛線的一格為200ns。
通過固定脈沖的上升時間并調(diào)整下降時間來改變Z電極的脈沖寬度。若加寬Z電極的脈沖寬度，則其脈沖的下降時間就會向后移。
在圖8中，若Z電極的脈沖寬度為250ns以下，就可以獲得1.8[lm/W]以上的高發(fā)光效率，若超過250ns，發(fā)光效率就會降低。Z電極的脈沖的半值寬度優(yōu)選為100ns以上且250ns以下。
在圖9中，脈沖寬度為200ns，發(fā)光效率為1.84[lm/W]。每當通過向X電極(第一電極)和Y電極(第二電極)之間施加交替脈沖來進行放電發(fā)光時，向Z電極(第三電極)施加脈沖。此時，在Z電極的脈沖Vz的下降沿(后沿)中，其振幅的50％的時點t1最好在發(fā)光波形Lm的第一個波峰的時點t2之前。在該狀態(tài)下，可以得到高的發(fā)光效率。另外，在一次連續(xù)的放電中，具有發(fā)光波形Lm有兩個以上波峰的特點。
另外，在Z電極脈沖Vz下降時，其振幅的50％的時點t1優(yōu)選最好在向X電極施加的脈沖Vx上升時其振幅的90％的時點之前。Z電極的脈沖Vz優(yōu)選為正脈沖，但也可以是負脈沖。另外，X電極和Y電極的電壓波形也可以反過來。即，也可以向X電極施加電壓Vy，向Y電極施加電壓Vx。此時，在Z電極的脈沖Vz的后沿(在圖9的情況下為下降沿)中，其振幅的50％的時點t1最好在向X電極和Y電極之間施加的脈沖的前沿(在圖9中為上升沿)中的其振幅的90％的時點之前。
另外，Z電極的脈沖Vz上升時其振幅的10％的時點最好與向X電極施加的脈沖Vx上升時其振幅的10％的時點相同，或者與該時點有100ns以內(nèi)的偏差。Z電極的脈沖Vz優(yōu)選為正脈沖，但也可以是負脈沖。另外，X電極和Y電極的電壓波形也可以反過來。此時，在Z電極的脈沖Vz的前沿(在圖9中為上升沿)中，其振幅的10％的時點最好與向X電極和Y電極之間施加的脈沖的前沿(在圖9中為上升沿)中的其振幅的10％的時點相同，或者與該時點有100ns以內(nèi)的偏差。
在圖10中，脈沖寬度為400ns，發(fā)光效率為1.35[lm/W]。在Z電極的脈沖Vz的下降沿(后沿)中，其振幅的50％的時點t1在發(fā)光波形Lm的第一個波峰的時點t2之后。在該狀態(tài)下，未能得到高的發(fā)光效率。
根據(jù)以上的實驗結(jié)果得知，在圖5(A)中，X電極502x和Y電極502y之間的最短距離Sg越長，發(fā)光效率就越高，該最短距離Sg優(yōu)選為200μm以上。并且，X電極502x和Z電極502z之間的最短距離Tg以及Y電極502y和Z電極502z之間的最短距離Tg優(yōu)選為50μm以上且150μm以下。
圖7是代替圖6(A)的等離子顯示面板的其他等離子顯示面板的截面圖。也可以使Z電極500z在前基板401上暴露于放電空間中。本實施方式也可以適用于該等離子顯示面板中。
并且，上述實施方式均不過是實施本發(fā)明的具體化的示例，并不能由此來限定性地解釋本發(fā)明的技術(shù)范圍。即，本發(fā)明可以在不脫離其技術(shù)思想或其主要特征的范圍內(nèi)以各種方式實施。
本發(fā)明的實施方式例如可以有如下的各種應(yīng)用。
附記1.一種等離子顯示裝置，其特征在于，具有第一、第二和第三電極；熒光體，借助所述第一至第三電極的通過施加電壓而發(fā)生的放電來發(fā)光；以及驅(qū)動電路，每當向所述第一和第二電極間施加交替脈沖來進行放電發(fā)光時，向所述第三電極施加脈沖；所述第三電極的脈沖的后沿中的其振幅的50％的時點位于所述發(fā)光波形的第一個波峰的時點之前。
附記2.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在進行所述放電發(fā)光時向所述第一和第二電極之間施加的電壓比在不向所述第三電極施加脈沖的情況下在第一和第二電極之間進行放電的最低電壓低。
附記3.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖的后沿中的其振幅的50％的時點位于向所述第一和第二電極之間施加的脈沖的前沿中的其振幅的90％的時點之前。
附記4.如附記3所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖下降時其振幅的50％的時點位于向所述第一或第二電極施加的脈沖上升時其振幅的90％的時點之前。
附記5.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖的前沿中的其振幅的10％的時點與向所述第一和第二電極之間施加的脈沖的前沿中的其振幅的10％的時點相同或具有100ns以內(nèi)的偏差。
附記6.如附記5所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖上升時其振幅的10％的時點與向所述第一或第二電極施加的脈沖上升時其振幅的10％的時點相同或具有100ns以內(nèi)的偏差。
附記7.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第一和第二電極間的最短距離為200μm以上。
附記8.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第一至第三電極被設(shè)置在同一基板上。
附記9.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第一至第三電極并行設(shè)置。
附記10.如附記9所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極被設(shè)置在所述第一和第二電極之間。
附記11.如附記9所述的等離子顯示裝置，其特征在于，還具有與所述第一至第三電極交叉設(shè)置的選址電極。
附記12.如附記7所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第一和第三電極間的最短距離以及所述第二和第三電極間的最短距離為50μm以上且150μm以下。
附記13.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖為正脈沖。
附記14.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖的半值寬度為100ns以上且250ns以下。
附記15.如附記11所述的等離子顯示裝置，其特征在于，還具有設(shè)置所述第一至第三電極的第一基板，以及與所述第一基板相對而設(shè)并且設(shè)置所述選址電極的第二基板。
附記16.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在一次連續(xù)的放電中，所述發(fā)光波形具有兩個以上的波峰。
附記17.如附記1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在一次連續(xù)的放電中，所述第三電極具有使放電電流正向流動的期間和使放電電流負向流動的期間這兩個期間。
附記18.一種等離子顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，所述等離子顯示裝置具有第一、第二和第三電極，以及熒光體，該熒光體借助所述第一至第三電極的通過施加電壓而發(fā)生的放電來發(fā)光，該驅(qū)動方法的特征在于，具有每當向所述第一和第二電極間施加交替脈沖來進行放電發(fā)光時向所述第三電極施加脈沖的驅(qū)動步驟，所述第三電極的脈沖的后沿中的其振幅的50％的時點位于所述發(fā)光波形的第一個波峰的時點之前。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示裝置，其特征在于，具有第一、第二和第三電極；熒光體，借助所述第一至第三電極的通過施加電壓而發(fā)生的放電來發(fā)光；以及驅(qū)動電路，每當向所述第一和第二電極間施加交替脈沖來進行放電發(fā)光時，向所述第三電極施加脈沖；所述第三電極的脈沖的后沿中的其振幅的50％的時點位于所述發(fā)光波形的第一個波峰的時點之前。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在進行所述放電發(fā)光時向所述第一和第二電極之間施加的電壓比在不向所述第三電極施加脈沖的情況下在第一和第二電極之間進行放電的最低電壓低。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖的后沿中的其振幅的50％的時點位于向所述第一和第二電極之間施加的脈沖的前沿中的其振幅的90％的時點之前。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖下降時其振幅的50％的時點位于向所述第一或第二電極施加的脈沖上升時其振幅的90％的時點之前。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖的前沿中的其振幅的10％的時點與向所述第一和第二電極之間施加的脈沖的前沿中的其振幅的10％的時點相同或具有100ns以內(nèi)的偏差。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖上升時其振幅的10％的時點與向所述第一或第二電極施加的脈沖上升時其振幅的10％的時點相同或具有100ns以內(nèi)的偏差。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第一和第二電極間的最短距離為200μm以上。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第一至第三電極被設(shè)置在同一基板上。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第一至第三電極并行設(shè)置。
10.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極被設(shè)置在所述第一和第二電極之間。
11.如權(quán)利要求9所述的等離子顯示裝置，其特征在于，還具有與所述第一至第三電極交叉設(shè)置的選址電極。
12.如權(quán)利要求7所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第一和第三電極間的最短距離以及所述第二和第三電極間的最短距離為50μm以上且150μm以下。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖為正脈沖。
14.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，所述第三電極的脈沖的半值寬度為100ns以上且250ns以下。
15.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示裝置，其特征在于，還具有設(shè)置所述第一至第三電極的第一基板，以及與所述第一基板相對而設(shè)并且設(shè)置所述選址電極的第二基板。
16.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在一次連續(xù)的放電中，所述發(fā)光波形具有兩個以上的波峰。
17.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示裝置，其特征在于，在一次連續(xù)的放電中，所述第三電極具有使放電電流正向流動的期間和使放電電流負向流動的期間這兩個期間。
18.一種等離子顯示裝置的驅(qū)動方法，其中，所述等離子顯示裝置具有第一、第二和第三電極，以及熒光體，該熒光體借助所述第一至第三電極的通過施加電壓而發(fā)生的放電來發(fā)光，該驅(qū)動方法的特征在于，具有每當向所述第一和第二電極間施加交替脈沖來進行放電發(fā)光時向所述第三電極施加脈沖的驅(qū)動步驟，所述第三電極的脈沖的后沿中的其振幅的50％的時點位于所述發(fā)光波形的第一個波峰的時點之前。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種可提高發(fā)光效率并降低功耗的等離子顯示裝置及其驅(qū)動方法。該等離子顯示裝置具有第一、第二和第三電極；借助第一至第三電極的通過施加電壓而發(fā)生的放電來發(fā)光的熒光體；以及每當向第一和第二電極間施加交替脈沖(Vx，Vy)來進行放電發(fā)光時向第三電極施加脈沖(Vz)的驅(qū)動電路。第三電極的脈沖的后沿中的、其振幅的50％的時點(t1)位于發(fā)光波形的第一個波峰的時點(t2)之前。
文檔編號G09G3/291GK1811881SQ200610002749
公開日2006年8月2日 申請日期2006年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月28日
發(fā)明者岸智勝, 糸川直樹, 小林敬幸, 橋本康宣 申請人:富士通日立等離子顯示器股份有限公司