專利名稱：等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，尤其涉及等離子顯示設(shè)備以及驅(qū)動(dòng)該等離子顯示設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
通常，等離子顯示設(shè)備通過(guò)使用紫外線激發(fā)磷光體而顯示畫面，該紫外線是在惰性氣體如He+Xe、Ne+Xe或者He+Xe+Ne產(chǎn)生放電時(shí)所產(chǎn)生的。這種等離子顯示設(shè)備能夠在薄且大的同時(shí)具有改善的畫面質(zhì)量。
這種等離子顯示設(shè)備是以時(shí)分驅(qū)動(dòng)的，即將一幀分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有不同的光發(fā)射，以實(shí)現(xiàn)畫面的灰度等級(jí)。每個(gè)子場(chǎng)分為用于初始化整個(gè)屏幕的復(fù)位周期、用于選擇掃描線和從位于所選掃描線上的這些放電單元中選擇一個(gè)放電單元的尋址周期、和用于根據(jù)放電次數(shù)(the number of discharges)實(shí)現(xiàn)灰度等級(jí)的維持周期。
例如，對(duì)于用256灰度等級(jí)表示的畫面，與1/60秒對(duì)應(yīng)的一幀周期16.67ms被分成8個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8，如圖1所示。這八個(gè)子場(chǎng)SF1到SF8中的每一個(gè)子場(chǎng)分為復(fù)位周期、尋址周期和維持周期。復(fù)位周期和尋址周期對(duì)各個(gè)子場(chǎng)是一樣的，而維持周期和分配給該維持周期的維持脈沖的次數(shù)以2n(n＝0，1，2，3，4，5，6，7)的比率增加。
等離子顯示面板(PDP)利用這種維持放電表示灰度等級(jí)。因此，亮度和表示灰度等級(jí)的容量可以與維持周期成比例地增加和提高。然而，用于時(shí)分驅(qū)動(dòng)單幀的這些子場(chǎng)中的每個(gè)子場(chǎng)除了需要用于表示灰度等級(jí)、花費(fèi)相當(dāng)多時(shí)間的維持周期之外，優(yōu)選需要用于初始化各單元的復(fù)位周期和用于選擇放電單元的尋址周期。
此外，隨著分辨率的增加，掃描線的總數(shù)也增加，因此尋址所需的時(shí)間也增加。因此，在常規(guī)的具有高分辨率的PDP中，通常采用雙掃描方案來(lái)補(bǔ)償尋址時(shí)間的缺點(diǎn)。然而，雙掃描方案需要兩個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元，因此該方案具有招致高制造成本的缺點(diǎn)。結(jié)果，必須提供用于減少除維持周期外的那些周期的措施。
在這里引入上面的討論，在合適的地方作為另外的或者可替換的細(xì)節(jié)、特征和/或即使背景的參考。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是至少解決上面的問(wèn)題和/或不足并且提供至少后面所述的優(yōu)點(diǎn)。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是至少解決背景技術(shù)中的問(wèn)題和不足。
本發(fā)明的一個(gè)目的是減少子場(chǎng)的預(yù)定周期的時(shí)間。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是增加顯示設(shè)備優(yōu)選是PDP的分辨率。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是改進(jìn)雙掃描。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是允許利用單掃描。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種等離子顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)該等離子顯示設(shè)備的方法，其能夠通過(guò)減少?gòu)?fù)位放電所需的時(shí)間獲得充足的維持周期。
本發(fā)明能夠通過(guò)具有以下特征的等離子顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法整體地或者部分地實(shí)現(xiàn)當(dāng)將分為包括用于初始化放電單元的復(fù)位周期的多個(gè)子場(chǎng)的一幀來(lái)驅(qū)動(dòng)具有掃描電極和維持電極的PDP時(shí)，將逐漸上升波形然后將下降波形施加到掃描電極，并且在晚于第一子場(chǎng)的這些子場(chǎng)中至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)施加其斜率不同于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率的上升波形。
本發(fā)明能夠通過(guò)具有以下特征的等離子顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法整體地或者部分地實(shí)現(xiàn)當(dāng)用一幀驅(qū)動(dòng)具有掃描電極和維持電極的PDP時(shí)，該幀被分為包括用于初始化放電單元的復(fù)位周期的多個(gè)子場(chǎng)，將逐漸上升波形并且隨后將下降波形施加到掃描電極，在該復(fù)位周期前面的預(yù)復(fù)位周期內(nèi)將正極性波形施加到維持電極并且將負(fù)極性波形施加到掃描電極，并且在晚于第一子場(chǎng)的這些子場(chǎng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)施加其斜率不同于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率的上升波形。
本發(fā)明能夠通過(guò)具有以下特征的等離子顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)方法整體地或者部分地實(shí)現(xiàn)當(dāng)將分為包括用于初始化放電單元的復(fù)位周期的多個(gè)子場(chǎng)的一幀來(lái)驅(qū)動(dòng)具有掃描電極和維持電極的PDP時(shí)，將逐漸上升波形并且隨后將下降波形施加到掃描電極，在復(fù)位周期內(nèi)將地電位或者0V施加到維持電極，并且在那個(gè)位于復(fù)位周期之后的尋址周期開(kāi)始的時(shí)間點(diǎn)施加正極性偏壓，并且在晚于第一子場(chǎng)的這些子場(chǎng)中至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)施加其斜率不同于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率的上升波形。
本發(fā)明優(yōu)選地通過(guò)減少初始化放電單元所需的復(fù)位周期來(lái)增加維持周期。因此，本發(fā)明具有因充足的維持放電而增加亮度以及提高表示灰度等級(jí)的容量的優(yōu)點(diǎn)。
此外，本發(fā)明優(yōu)選地利用單掃描方式而不是雙掃描方式操作具有高分辨率的等離子顯示設(shè)備，因此驅(qū)動(dòng)電路的尺寸能夠被減小，從而降低了制造成本。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，在晚于第一子場(chǎng)的這些子場(chǎng)的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)，第一驅(qū)動(dòng)單元施加一個(gè)其斜率大于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率的上升波形。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，在晚于第一子場(chǎng)的這些子場(chǎng)的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)，第一驅(qū)動(dòng)單元施加一個(gè)其斜率為在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率一倍或者三倍的上升波形。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，在第一子場(chǎng)內(nèi)，第一驅(qū)動(dòng)單元將具有第一斜率的第一上升波形施加到掃描電極，并且隨后將具有第二斜率的第二上升波形施加到掃描電極；并且在晚于第一子場(chǎng)的這些子場(chǎng)中至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)，第一驅(qū)動(dòng)單元將第三斜率的第三上升波形施加給掃描電極，并且隨后將具有第四斜率的第四上升波形施加到掃描電極。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，第二上升波形和第四上升波形上升到第一電壓。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，第二上升波形上升到第二電壓，而第四上升波形上升到第二電壓或者低于第二電壓的第三電壓。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，第三電壓比第二電壓低大于10V小于100V。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，第一上升波形的第一斜率等于或者大于第二上升波形的第二斜率。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，第三上升波形的第三斜率等于或者大于第四上升波形的第四斜率。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，第三上升波形的第三斜率等于或者大于第一上升波形的第一斜率。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，第四上升波形的第四斜率等于或者大于第二上升波形的第二斜率。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，第四上升波形的第四斜率比第二上升波形的第二斜率的一倍大并且比第二上升波形的第二斜率的三倍小。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，在早于復(fù)位周期的預(yù)復(fù)位周期內(nèi)將正極性波形施加到維持電極并且將負(fù)極性波形施加到掃描電極。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，在每幀的第一子場(chǎng)的至少預(yù)復(fù)位周期內(nèi)，第二驅(qū)動(dòng)單元將正極性波形施加到維持電極并且將負(fù)極性波形施加到掃描電極。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，施加到維持電極的正極性波形是逐漸上升波形和正極性方波中的任何一種。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，施加到掃描電極的該負(fù)極性波形是逐漸下降波形和正極性方波中的任何一種。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，該逐漸下降負(fù)極性波形具有的斜率等于在復(fù)位周期的撤除周期內(nèi)施加的下降波形的斜率。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，該正極性波形具有的電壓值大于在尋址周期內(nèi)施加到維持電極的正極性偏壓的電壓值。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，該正極性波形具有的電壓值等于在尋址周期內(nèi)施加到掃描電極的負(fù)極性掃描脈沖的電壓值。
該設(shè)備和方法優(yōu)選特征在于，在復(fù)位周期內(nèi)將地電位或者0V施加到維持電極，并且在跟著該復(fù)位周期之后的尋址周期開(kāi)始的那個(gè)時(shí)間點(diǎn)施加正極性偏壓。
本發(fā)明能夠通過(guò)包括以下的等離子顯示設(shè)備整體地或者部分地實(shí)現(xiàn)具有掃描電極和維持電極的PDP；通過(guò)在復(fù)位周期內(nèi)將一個(gè)逐漸上升波形并且隨后將一個(gè)下降波形施加到掃描電極以初始化放電單元的第一驅(qū)動(dòng)單元；以及用于在該復(fù)位周期內(nèi)將地電位或者0V施加到該維持電極和在跟著復(fù)位周期之后的尋址周期開(kāi)始的那個(gè)時(shí)間點(diǎn)施加正極性偏壓的第二驅(qū)動(dòng)單元，其中第一驅(qū)動(dòng)單元在位于第一子場(chǎng)之后的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)施加上升波形，該上升波形具有的斜率不同于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率。該第一驅(qū)動(dòng)單元在晚于第一子場(chǎng)的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)施加一個(gè)具有大于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率的斜率的上升波形。第一驅(qū)動(dòng)單元在晚于第一子場(chǎng)的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)施加一個(gè)具有為在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率的一倍或者三倍的斜率的上升波形。
本發(fā)明能夠通過(guò)以下整體地或者部分地實(shí)現(xiàn)在第一子場(chǎng)內(nèi)第一驅(qū)動(dòng)單元將具有第一斜率的第一上升波形施加到掃描電極，并且隨后將具有第二斜率的第二上升波形施加到掃描電極；并且在晚于第一子場(chǎng)的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)，第一驅(qū)動(dòng)單元將具有第三斜率的第三上升波形施加到掃描電極，并且隨后將具有第四斜率的第四上升波形施加到掃描電極。第二上升波形和第四上升波形上升到第一電壓。第二上升波形上升到第二電壓，并且第四上升波形上升到第二電壓或者低于第二電壓的第三電壓。第三電壓低于第二電壓大于10V小于100V。
優(yōu)選地，第一上升波形的第一斜率等于或者大于第二上升波形的第二斜率。
優(yōu)選地，第三上升波形的第三斜率等于或者大于第四上升波形的第四斜率。
優(yōu)選地，第三上升波形的第三斜率等于或者大于第一上升波形的第一斜率。
優(yōu)選地，第四上升波形的第四斜率等于或者大于第二上升波形的第二斜率。優(yōu)選地，第四上升波形的第四斜率比第二上升波形的第二斜率大到多于一倍且小于三倍。
優(yōu)選地，本發(fā)明包括一個(gè)第二驅(qū)動(dòng)單元，用于在早于復(fù)位周期的預(yù)復(fù)位周期內(nèi)，將正極性波形施加到維持電極和將負(fù)極性波形施加到掃描電極。在每幀的第一子場(chǎng)的至少預(yù)復(fù)位周期內(nèi)，第二驅(qū)動(dòng)單元優(yōu)選將正極性波形施加到維持電極并且將負(fù)極性波形施加到掃描電極。該施加到維持電極的正極性波形優(yōu)選地是一個(gè)逐漸上升波形和一個(gè)正極性方波中的任何一種。
優(yōu)選地，施加到掃描電極的負(fù)極性波形是一個(gè)逐漸下降波形和正極性方波中的任何一種。優(yōu)選地，該逐漸下降負(fù)極性波形具有一個(gè)等于在復(fù)位周期的撤除周期內(nèi)施加的下降波形的斜率的斜率。
優(yōu)選地，該正極性波形具有一個(gè)大于在尋址周期內(nèi)施加到維持電極的正極性偏壓的電壓值的電壓值。
優(yōu)選地，該正極性波形具有一個(gè)等于在尋址周期內(nèi)施加到掃描電極的負(fù)極性掃描脈沖的電壓值的電壓值。
優(yōu)選地，本發(fā)明包括第三驅(qū)動(dòng)單元，用于在復(fù)位周期內(nèi)將地電位或者0V施加到維持電極，并且在跟著復(fù)位周期之后的尋址周期開(kāi)始的那個(gè)時(shí)間點(diǎn)施加正極性偏壓。
本發(fā)明的附加的優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在隨后的說(shuō)明書(shū)中部分地加以闡述，并且對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在對(duì)下列內(nèi)容加以核實(shí)后部分地變得顯而易見(jiàn)，或者可以通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而了解。本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以如在所附權(quán)利要求中特別闡述的內(nèi)容而實(shí)現(xiàn)和獲得。


參照下面的附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述，圖中相同的參考數(shù)字代表相同的元件，其中圖1是解釋用于在等離子顯示設(shè)備中實(shí)現(xiàn)256灰度等級(jí)的8位默認(rèn)代碼的子場(chǎng)模式的視圖；圖2示出等離子顯示面板(PDP)的結(jié)構(gòu)；圖3是用于示意性地示出常規(guī)的三電極AC表面放電PDP的電極布置的平面圖；圖4是用于解釋一般的PDP的驅(qū)動(dòng)波形的波形圖；圖5a至5e是用于解釋在放電單元內(nèi)的壁電荷分布的視圖，該壁電荷分布根據(jù)圖4的驅(qū)動(dòng)波形而改變；圖6是用于解釋驅(qū)動(dòng)依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的PDP的方法的視圖；圖7a至圖7f是用于解釋放電單元內(nèi)的壁電荷分布的視圖，該壁電荷分布根據(jù)圖6的驅(qū)動(dòng)波形而改變；圖8是用于解釋依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的PDP的方法的視圖；圖9是用于解釋依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的示意圖；圖10是用于解釋依照本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生單元的一個(gè)上升傾斜波形產(chǎn)生電路的視圖；和圖11是用于解釋依照本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生單元的另一個(gè)上升傾斜波形產(chǎn)生電路的視圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。
圖2是顯示依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示面板的結(jié)構(gòu)圖。上基板100用作為其上要顯示圖象的顯示面板，而下基板110用作背面板。上基板100和下基板以預(yù)定間隔平行地組合起來(lái)。
上基板100包括成對(duì)的掃描電極101和維持電極102，也即具有由透明(氧化銦錫)ITO材料制成的透明電極101a和102a以及由金屬材料制成的總線電極101b和102b的成對(duì)的掃描電極101和維持電極102，用于在一個(gè)單元內(nèi)產(chǎn)生放電并且在該單元內(nèi)維持放電。該掃描電極101和維持電極102覆蓋有用于限制放電電流和用于使這些電極對(duì)絕緣的介電層103、和位于介電層103上用于促進(jìn)放電條件的氧化鎂(MgO)保護(hù)層104。正如可以理解的，可以用一種絕緣材料來(lái)代替該介電層和保護(hù)層。
下基板110包括平行布置的條型(或者井型)阻擋條，用于產(chǎn)生多個(gè)放電空間也即放電單元。此外，與阻擋條111平行布置有多個(gè)尋址電極112。下基板110涂有發(fā)射可見(jiàn)光的R、G、B熒光物質(zhì)，用于一旦在單元內(nèi)放電就顯示圖象。在尋址電極112和熒光物質(zhì)113之間設(shè)置有介電層114，用于保護(hù)尋址電極112并將從該熒光物質(zhì)發(fā)射的可見(jiàn)光反射到上基板100。在上基板和下基板之間的放電空間內(nèi)引入惰性氣體例如He+Xe、Ne+Xe或者He+Xe+Ne。在可替換的實(shí)施例中，阻擋條除了在尋址電極的方向上形成外還在掃描/維持電極的方向上形成。等離子顯示面板可以使R、G、B單元形成為三角形(delta)結(jié)構(gòu)，而不是R、G、B單元的線結(jié)構(gòu)。
圖3示意性地示出圖2所示的三電極交流(AC)表面放電等離子顯示面板(PDP)的電極布置。三電極AC表面放電PDP包括形成于上基板的掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極Z、以及形成于下基板且布置為與掃描電極Y1到Y(jié)n和維持電極Z成直角交叉的尋址電極X1到Xm。放電單元1以矩陣形式布置在掃描電極Y1到Y(jié)n、維持電極Z和尋址電極X1到Xm之間的交叉處，每個(gè)表示紅、綠和藍(lán)之一。
圖4是解釋施加到圖2和圖3的PDP上的驅(qū)動(dòng)波形的視圖，圖5a到5e是解釋放電單元中壁電荷分布的視圖，其隨圖4的驅(qū)動(dòng)波形而改變。對(duì)波形和壁電荷分布的分析解釋了這樣的波形所存在的問(wèn)題和解決這種問(wèn)題的方法。
參照?qǐng)D4，每個(gè)子場(chǎng)SFn-1和SFn包括用于初始化整個(gè)屏幕的放電單元1的復(fù)位周期RP、用于選擇放電單元的尋址周期AP、用于維持所選放電單元1的放電的維持周期SP、和用于清除放電單元1內(nèi)的壁電荷的清除周期EP。
在第(n-1)個(gè)子場(chǎng)SFn-1的清除周期EP內(nèi)將清除傾斜波形ERR施加到維持電極Z。在該清除周期EP內(nèi)將0V電壓施加到掃描電極Y和尋址電極X。清除傾斜波形ERR是一個(gè)正的傾斜波形，其中電壓從0V逐漸增加到正極性維持電壓Vs。在掃描電極Y和維持電極Z之間在那些通過(guò)清除傾斜波形ERR產(chǎn)生維持放電的導(dǎo)通單元內(nèi)發(fā)生清除放電。導(dǎo)通單元內(nèi)的壁電荷通過(guò)清除放電而清除掉。結(jié)果，每個(gè)放電單元1在清除周期EP后即刻具有圖5a所示的壁電荷分布。
在第n個(gè)子場(chǎng)SFn開(kāi)始的復(fù)位周期RP的建立周期SU內(nèi)，將正傾斜波形PR施加到所有的掃描電極Y，并且將0V電壓施加到維持電極Z和尋址電極X。由于在建立周期SU有該正傾斜波形PR，掃描電極Y上的電壓從正極性維持電壓Vs逐漸增加到比該正極性維持電壓Vs高的復(fù)位電壓Vr。由于該正傾斜波形PR，在掃描電極Y和尋址電極X之間在整個(gè)屏幕的放電單元內(nèi)出現(xiàn)產(chǎn)生的光很少的無(wú)光放電(或者弱放電)，并且同時(shí)，在掃描電極Y和維持電極Z之間出現(xiàn)無(wú)光放電。
由于無(wú)光放電的結(jié)果，在建立周期SU之后即刻，在尋址電極X和維持電極Z上留下正極性的壁電荷，而在掃描電極Y上留下負(fù)極性的壁電荷，如圖5b所示。當(dāng)無(wú)光放電出現(xiàn)于建立周期SU的同時(shí)，位于掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓(gap voltage)(或者電壓差)和位于掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓被初始化到一個(gè)接近能夠產(chǎn)生放電的啟動(dòng)電壓Vf的電壓。
在建立周期SU之后，在復(fù)位周期RP的撤除周期SD內(nèi)將負(fù)傾斜波形NR施加到掃描電極Y。同時(shí)，將正極性維持電壓Vs施加到維持電極Z并且將0V電壓施加到尋址電極X。由于該負(fù)傾斜波形NR，位于掃描電極Y上的電壓從正極性維持電壓Vs就逐漸減小到負(fù)極性清除電壓Ve。由于該負(fù)傾斜波形NR，在整個(gè)屏幕的放電單元內(nèi)，在掃描電極Y和尋址電極X之間出現(xiàn)無(wú)光放電，并且?guī)缀跬瑫r(shí)，在掃描電極Y和維持電極Z之間出現(xiàn)無(wú)光放電。
由于在撤除周期SD內(nèi)的無(wú)光放電，每個(gè)放電單元1內(nèi)的壁電荷的分布變化到可以進(jìn)行尋址的狀態(tài)，如圖5c所示。這時(shí)，在各個(gè)放電單元1的掃描電極Y和尋址電極X上，對(duì)于尋址放電是不必要的過(guò)量的壁電荷被除去，并且預(yù)定數(shù)量的壁電荷保留下來(lái)。隨著從掃描電極Y移來(lái)的負(fù)極性壁電荷的積累，維持電極Z上的正的壁電荷從正極性反轉(zhuǎn)到負(fù)極性。在無(wú)光放電出現(xiàn)于復(fù)位周期RP的撤除周期SD的同時(shí)，位于掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓或者電壓差和位于掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓達(dá)到啟動(dòng)電壓Vf。
在尋址周期AP，將負(fù)極性掃描脈沖-SCNP依次施加到掃描電極Y，并將正極性數(shù)據(jù)脈沖DP與該掃描脈沖-SCNP同步地施加到尋址電極X。掃描脈沖-SCNP的電壓是一個(gè)從0V或者負(fù)極性掃描偏壓Vyb減小到負(fù)極性掃描電壓-Vy的電壓Vsc。數(shù)據(jù)脈沖DP的電壓是一個(gè)正極性數(shù)據(jù)電壓Va。在尋址周期AP內(nèi)，將一個(gè)比正極性維持電壓Vs低的正極性Z偏壓Vzb供應(yīng)到維持電極Z。在其中將間隙電壓在復(fù)位周期RP之后調(diào)整到一個(gè)接近啟動(dòng)電壓Vf的電壓的狀態(tài)下，當(dāng)位于掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓超過(guò)啟動(dòng)電壓Vf時(shí)，在施加有掃描電壓Vsc和數(shù)據(jù)電壓Va的導(dǎo)通單元的電極Y和X之間就產(chǎn)生初次(primary)尋址放電。
同時(shí)，在與遠(yuǎn)離位于掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙的邊緣鄰近的區(qū)域內(nèi)，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生初次尋址放電。位于掃描電極Y和尋址電極X之間的該初次放電在放電單元內(nèi)產(chǎn)生起動(dòng)(priming)帶電微粒，并且因而在掃描電極Y和維持電極Z之間感應(yīng)二次放電，如圖5d所示。在產(chǎn)生了尋址放電的那些導(dǎo)通單元(ON-cell)內(nèi)的壁電荷分布如圖5e所示。與此同時(shí)，在沒(méi)有產(chǎn)生尋址放電的那些關(guān)閉單元(OFF-cell)內(nèi)的壁電荷分布基本上如圖5c所示保留著。
在維持周期SP內(nèi)，將具有正極性維持電壓Vs的維持脈沖SUSP交替施加到掃描電極Y和維持電極Z。在由尋址放電所選擇的導(dǎo)通單元內(nèi)，在每個(gè)維持脈沖SUSP內(nèi)，借助于如圖5e所示的壁電荷分布，維持放電在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生。
與此相反，在具有如圖5c的關(guān)閉單元的壁電荷分布的關(guān)閉單元內(nèi)，在維持周期內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生放電，因?yàn)楫?dāng)將第一正極性維持電壓Vs施加到掃描電極Y時(shí)，掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓不超過(guò)啟動(dòng)電壓Vf。
圖6是解釋依照本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法的視圖，以及圖7a到圖7f是解釋放電單元內(nèi)的壁電荷分布的視圖，該壁電荷分布根據(jù)圖5所示的驅(qū)動(dòng)波形而改變。如示，第一子場(chǎng)包括用于在掃描電極Y上形成正極性壁電荷和在維持電極Z上形成負(fù)極性壁電荷的預(yù)復(fù)位周期PRERP、利用在復(fù)位周期PRERP內(nèi)所形成的壁電荷分布來(lái)初始化屏幕最好是整個(gè)屏幕的放電單元的復(fù)位周期RP、用于選擇放電單元的尋址周期AP、和用于維持所選放電單元內(nèi)放電的維持周期SP。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP內(nèi)，優(yōu)選地將具有正極性電壓Vs的方波施加到維持電極Z，優(yōu)選地將一個(gè)從0V或者接地電壓GND下降到負(fù)極性電壓-V1的第一下降傾斜波形NRY1施加到掃描電極Y，并且優(yōu)選地將0V電壓施加到尋址電極X。該具有正極性電壓Vs的方波和第一下降傾斜波形NRY1在掃描電極Y和維持電極Z以及在維持電極Z和尋址電極X之間優(yōu)選地在所有的放電單元內(nèi)產(chǎn)生無(wú)光放電。作為放電的結(jié)果，在預(yù)復(fù)位周期PRERP之后即刻，在掃描電極Y上就積累了許多正極性壁電荷，并且在維持電極上積累了許多負(fù)極性壁電荷，如圖7a所示。此外，在尋址電極X上積累了正極性壁電荷。由于圖7a所示的壁電荷分布，在所有的放電單元的內(nèi)放電空間內(nèi)，在掃描電極Y和維持電極Z之間形成一個(gè)足夠大的正間隙電壓或者電壓差，并且在各自的放電單元內(nèi)電場(chǎng)從掃描電極Y向著維持電極Z伸展。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP內(nèi)施加到掃描電極Y的第一下降傾斜波形NRY1可以以負(fù)極性方波的形式施加。相反，施加到維持電極Z的正極性方波可以以其電壓值逐漸增加的上升傾斜波形的形式施加。在另一個(gè)實(shí)施例中，在預(yù)復(fù)位周期PRERP內(nèi)，可以通過(guò)將電壓僅僅施加到掃描電極Y和維持電極Z之一上而產(chǎn)生壁電壓。根據(jù)用于對(duì)掃描電極Y和維持電極Z施加電壓的驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)以及控制設(shè)備的控制序列，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解這種改變。
在復(fù)位周期RP的建立周期SU內(nèi)，將第一Y正傾斜波形PRY 1并且然后將第二Y正傾斜波形PRY2相繼施加到每個(gè)掃描電極Y，并且將0V電壓施加到維持電極Z和尋址電極X。第一Y正傾斜波形PRY1的電壓從0V增加到正極性維持電壓Vs，并且第二Y正傾斜波形PRY2的電壓從正極性維持電壓Vs增加到一個(gè)高于正極性維持電壓Vs的正極性Y復(fù)位電壓Vry。第二Y正傾斜波形PRY2的斜率比第一Y正傾斜波形PRY1的要小。此外，第一Y正傾斜波形PRY1和第二Y正傾斜波形PRY2的斜率可以彼此相等。
在形成于預(yù)復(fù)位周期PRERP的壁電壓條件下，將第一Y正傾斜波形PRY1施加到掃描電極Y，并且位于掃描電極Y和維持電極Z之間的電壓達(dá)到表面放電啟動(dòng)電壓，在每一對(duì)維持電極之間出現(xiàn)表面放電。當(dāng)位于掃描電極Y和尋址電極X之間的電壓因上升到Vry的傾斜波形而達(dá)到啟動(dòng)電壓時(shí)，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生反向放電(opposite discharge)。表面放電和反向放電是由傾斜波形所產(chǎn)生的放電，并且可以以無(wú)光放電的形式產(chǎn)生。
作為放電的結(jié)果，隨著在建立周期SU之后即刻在所有的放電單元內(nèi)在掃描電極Y上積累負(fù)極性壁電荷，如圖7b所示，壁電荷的極性從正極性改變?yōu)樨?fù)極性，并且在尋址電極X上進(jìn)一步積累正極性壁電荷。此外，隨著掃描電極Y上的負(fù)極性壁電荷的數(shù)量的減少，維持電極Z上積累的壁電荷的數(shù)量一定程度上也減少，但是其極性仍然維持為負(fù)極性。
與此同時(shí)，在基于在預(yù)復(fù)位周期PRERP之后即刻形成的壁電荷分布而在撤除周期SU內(nèi)產(chǎn)生無(wú)光放電之前，所有放電單元內(nèi)的正間隙電壓足夠高，并且Y復(fù)位電壓Vr可以低于圖4所示的復(fù)位電壓Vr。
如圖7所示，經(jīng)過(guò)其中恰在建立放電之前初始化所有放電單元內(nèi)的壁電荷分布這樣一個(gè)測(cè)試結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在所有放電單元內(nèi)，建立放電以弱放電的形式以一個(gè)低于維持電壓Vs的電壓產(chǎn)生，也即，在第一Y正傾斜波形PRY1的區(qū)間內(nèi)產(chǎn)生。因此，第二Y正傾斜波形PRY2對(duì)于圖6的驅(qū)動(dòng)波形可以是不必需的。
盡管在電壓建立周期SU內(nèi)施加到掃描電極Y的電壓能夠穩(wěn)定地產(chǎn)生建立放電，即使在該電壓由于第一Y正傾斜波形PRY1增加到維持電壓Vs的情形下，但是仍然施加第二正傾斜波形PRY2，以便穩(wěn)定地產(chǎn)生建立放電并且防止錯(cuò)誤放電。由于在復(fù)位周期PRERP和建立周期SU內(nèi)在尋址電極X上積累了足夠的正極性壁電荷，因此對(duì)于尋址放電所必需的外施電壓也即數(shù)據(jù)電壓和掃描電壓的絕對(duì)值可以減小。
在建立周期SU之后，并且在撤除周期SD內(nèi)，將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y。第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從正極性維持電壓Vs減小到負(fù)極性-V2電壓?？梢詫⒇?fù)極性-V2電壓設(shè)為等于或者不同于預(yù)復(fù)位周期PRERP的-V1電壓。當(dāng)在建立周期內(nèi)在電荷單元內(nèi)積累了合適的壁電荷時(shí)并且不會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤放電例如亮斑，將-V2電壓和-V1電壓設(shè)為彼此相等，這允許在預(yù)復(fù)位周期內(nèi)和撤除周期內(nèi)施加單一電壓。當(dāng)在建立周期內(nèi)在放電單元內(nèi)壁電荷積累得不夠時(shí)，將-V2的絕對(duì)電壓設(shè)置得高于-V1的絕對(duì)值，以使在壁電荷積累過(guò)量時(shí)通過(guò)將壁電荷充分清除而避免錯(cuò)誤放電的產(chǎn)生。
這時(shí)，維持電極Z維持在0V或者地電位，如建立周期Su內(nèi)的一樣。因此，在撤除周期SD內(nèi)在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生反向放電。由于這種反向放電，正極性壁電荷就積累在鄰近掃描電極Y的尋址電極X上的部分。隨著正極性壁電荷在鄰近掃描電極Y的尋址電極X上的部分上的積累，在隨后的尋址周期內(nèi)的尋址放電時(shí)，放電延遲得以減少，因而改善了抖動(dòng)(jitter)特性。
在復(fù)位周期RP內(nèi)，將施加于建立周期SU和撤除周期SD內(nèi)的上升傾斜波形PRY1和PRY2以及下降傾斜波形NRY2各自施加足夠長(zhǎng)的時(shí)間，以防止錯(cuò)誤放電。在施加傾斜波形的同時(shí)形成傾斜波形。例如，第一正傾斜波形PRY1施加70～150μs，第二正傾斜波形PRY2施加40～100μs，而第二下降傾斜波形NRY2施加70～150μs。圖6所示的時(shí)間間隔是示例性的。
與此同時(shí)，恰好在尋址周期之前或者恰好之后，或者在尋址周期內(nèi)，將一個(gè)低于正極性維持電壓Vs的正極性Z偏壓Vzb施加到在復(fù)位周期內(nèi)維持為0V或者地電位的維持電極Z。因此，在緊隨該復(fù)位周期的尋址周期內(nèi)，在掃描電極Y和尋址電極X之間激活尋址放電。
在尋址周期AP內(nèi)，順序地將負(fù)極性掃描脈沖-SCNP施加到掃描電極Y，并且同時(shí)將正極性數(shù)據(jù)脈沖DP與掃描脈沖-SCNP同步地施加到尋址電極X。掃描脈沖-SCNP的電壓是一個(gè)從0V或者接近0V的負(fù)極性掃描偏壓Vyb減小到負(fù)極性掃描電壓-Vy的掃描電壓Vsc。數(shù)據(jù)脈沖DP的電壓是一個(gè)正極性數(shù)據(jù)電壓Va。
在尋址周期AP內(nèi)，將一個(gè)低于正極性維持電壓Vs的正極性Z偏壓Vzb供應(yīng)到維持電極Z。當(dāng)掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓或者說(shuō)電壓差超過(guò)那些施加有掃描電壓Vsc和數(shù)據(jù)電壓Va的導(dǎo)通單元內(nèi)的啟動(dòng)電壓，同時(shí)將所有放電單元的間隙電壓在復(fù)位周期RP之后即刻調(diào)整為最佳尋址條件時(shí)，則在掃描電極Y和尋址電極X之間就產(chǎn)生反向放電。
在那些允許產(chǎn)生尋址放電的導(dǎo)通單元內(nèi)的壁電荷分布如圖7d所示。在尋址放電之后，即刻將這些導(dǎo)通單元內(nèi)的壁電荷分布變?yōu)槿鐖D7e所示，由于尋址放電，在掃描電極Y上積累正極性壁電荷，在尋址電極X上積累負(fù)極性壁電荷。與此同時(shí)，在那些不產(chǎn)生尋址放電的關(guān)閉單元內(nèi)，壁電荷分布基本上維持為圖7c所示。
在維持周期SP內(nèi)，將正極性維持電壓Vs的維持脈沖FIRSTSUSP、SUSP和LSTSUSP交替施加到掃描電極Y和維持電極Z。在維持周期SP內(nèi)，將0V電壓或者地電壓供應(yīng)到尋址電極X。將首先施加到掃描電極Y和維持電極Z的維持脈沖FSTSUSP的寬度設(shè)為一個(gè)比正常的維持脈沖SUSP的寬度大的寬度，以便穩(wěn)定維持放電的初始化。此外，將最后維持脈沖LSTSUSP施加到維持電極Z，而將最后維持脈沖LSTSUSP的寬度設(shè)為一個(gè)比正常維持脈沖SUSP的寬度大的寬度，使得在建立周期SU的早期階段在維持電極Z上積累足夠多的負(fù)極性壁電荷。
由于由尋址放電所選的導(dǎo)通單元形成如圖7e所示的壁電荷，因此，對(duì)維持周期內(nèi)的每個(gè)維持脈沖SUSP來(lái)說(shuō)，在掃描電極Y和維持電極Z之間就產(chǎn)生維持放電。相反，由于關(guān)閉單元在維持周期SP的初始化階段具有圖7c所示的壁電荷分布，間隙電壓仍然維持在啟動(dòng)電壓Vf之下—即使施加了維持脈沖FIRSTSUSP、SUSP和LSTSUSP，因此不會(huì)產(chǎn)生放電。
第一子場(chǎng)之后的子場(chǎng)從復(fù)位周期開(kāi)始，在該復(fù)位周期內(nèi)，上升傾斜波形和下降傾斜波形施加到掃描電極Y，同時(shí)優(yōu)選地省去或者包括預(yù)復(fù)位周期PRERP。在晚于第二子場(chǎng)的復(fù)位周期RP包括建立周期和撤除周期，在建立周期內(nèi)將具有把不同斜率的正傾斜波形PRY3和PRY4相繼施加到掃描電極Y，而在撤除周期內(nèi)將第三下降傾斜波形NRY3施加到掃描電極Y，如第一子場(chǎng)一樣。
這時(shí)，在晚于第二子場(chǎng)的復(fù)位周期RP內(nèi)，放電單元已經(jīng)在第一子場(chǎng)內(nèi)通過(guò)放電獲得有效的起動(dòng)，余量(margin)沒(méi)有受到大的影響，即使將第三和第四正傾斜波形PRY3和PRY4的斜率分別設(shè)為在第一子場(chǎng)的復(fù)位周期內(nèi)所施加的第一和第二正傾斜波形PRY1和PRY2的斜率。因此，可以將在建立周期SU內(nèi)施加的第三和第四正傾斜波形PRY3和PRY4的斜率分別設(shè)為在第一子場(chǎng)內(nèi)所施加的第一和第二正傾斜波形PRY1和PRY2。
可替換的，優(yōu)選地，將第四正傾斜波形PRY4的斜率設(shè)為一個(gè)大于或者等于在第一子場(chǎng)內(nèi)所施加的第二正傾斜波形PRY2的斜率的斜率。將第一子場(chǎng)內(nèi)沒(méi)有發(fā)生尋址放電并且因此沒(méi)有產(chǎn)生維持放電的那些放電單元初始化到在第二子場(chǎng)的初始化階段容易產(chǎn)生尋址放電這樣一種狀態(tài)，如圖7c所示。
此外，在其中在第一子場(chǎng)內(nèi)產(chǎn)生了維持放電的那些放電單元內(nèi)，隨著具有寬度大于正常維持脈沖SUSP的維持脈沖LASTSUS的供應(yīng)，在掃描電極Y上形成大量正極性壁電荷，并且在維持電極Z上形成大量負(fù)極性壁電荷，如圖7f所示。因此，該壁電荷的形成使得在下一個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位周期內(nèi)能夠容易地產(chǎn)生用于初始化的放電，因此在晚于第一子場(chǎng)的第二子場(chǎng)的建立周期內(nèi)供應(yīng)的上升波形其施加的周期能夠得以減少。換句話說(shuō)，在第二子場(chǎng)的建立周期內(nèi)，在這個(gè)實(shí)施例中，優(yōu)選地施加具有大斜率的第三和第四正傾斜波形PRY3和PRY4。
換句話說(shuō)，可以將第三正傾斜波形PRY3的斜率設(shè)為在第一子場(chǎng)的復(fù)位周期內(nèi)所施加的第一正傾斜波形PRY1的斜率的一到三倍。此外，可以將第四正傾斜波形PRY4的斜率設(shè)為在第一子場(chǎng)的復(fù)位周期內(nèi)所施加的第二正傾斜波形PRY2的斜率的一到三倍。與此同時(shí)，當(dāng)?shù)谌偷谒恼齼A斜波形PRY3和PRY4的斜率各自都大于第一和第二正傾斜波形PRY1和PRY2的斜率的三倍時(shí)，在復(fù)位周期內(nèi)不能獲得一個(gè)余量，并且由于在復(fù)位周期內(nèi)出現(xiàn)強(qiáng)放電，對(duì)比度發(fā)生劣化。
結(jié)果，由于第三和第四正傾斜波形PRY3和PRY4的斜率分別大于第一和第二正傾斜波形PRY1和PRY2的斜率，因此，在晚于第一子場(chǎng)的子場(chǎng)內(nèi)所包括的復(fù)位周期得到減少。因此，即使在高清晰度的PDP中，也能夠通過(guò)減少?gòu)?fù)位周期而得到充足的尋址周期，使得該P(yáng)DP能夠以單一掃描驅(qū)動(dòng)(single scan drive)方式高速運(yùn)轉(zhuǎn)。這里，該單一掃描驅(qū)動(dòng)指的是一種對(duì)形成于PDP整個(gè)屏幕上的所有掃描電極一次性掃描或者依次使用單個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元掃描的方法，而不是使用兩個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元單獨(dú)地掃描兩組掃描電極，其分別形成于該P(yáng)DP的兩個(gè)分開(kāi)的屏幕區(qū)域內(nèi)。
例如，第三正傾斜波形PRY3施加50～100μs，而第四正傾斜波形PRY4施加20～60μs。圖6所示的時(shí)間周期或者間隔是示例性的。下面設(shè)置了4組不同的用于減少建立SU周期的方式(1)PRY3的斜率＝PRY1的斜率，和PRY4的斜率＞PRY2的斜率；或(2)PRY3的斜率＞PRY1的斜率，和PRY4的斜率＞PRY2的斜率；或(3)PRY3的斜率＞PRY1的斜率，和PRY4的斜率＝PRY2的斜率；或(4)PRY3的斜率＞PRY1的斜率，和PRY4的斜率＜PRY2的斜率，如果PRY4的峰值電壓小于PRY2的電壓Vry或者如果PRY4的時(shí)間周期少于PRY2的時(shí)間周期。
通過(guò)減少在復(fù)位周期內(nèi)所施加的上升傾斜波形的時(shí)間，能夠得到充足的尋址周期，并且能夠得到更長(zhǎng)的維持周期。例如，對(duì)于將在單個(gè)子場(chǎng)的復(fù)位周期內(nèi)所施加的上升傾斜波形的時(shí)間減少大約40μs的情形，在將單幀分成10個(gè)子場(chǎng)的PDP中就能夠減少總共360μs。因此，能夠?qū)⑾鄳?yīng)的時(shí)間分配給維持周期，使得亮度得以提高，并且表示灰度等級(jí)的容量得以提高，因而改善了畫面質(zhì)量。
圖8是解釋驅(qū)動(dòng)依照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的方法的視圖。與前一實(shí)施例類似，在維持周期SP和復(fù)位周期RP內(nèi)不產(chǎn)生清除放電，并且每個(gè)子場(chǎng)利用正極性壁電荷產(chǎn)生撤除放電和尋址放電，該正極性壁電荷是在前一個(gè)子場(chǎng)通過(guò)維持放電積累在尋址電極上的。該撤除放電和尋址放電是通過(guò)在撤除周期SD內(nèi)將維持電極Z的電壓維持為0V或者地電壓GND并且利用在前一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)積累在尋址電極X上的壁電荷而在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生的。
在建立周期SD之前，在各個(gè)放電單元內(nèi)能夠積累充足的壁電荷。為此，驅(qū)動(dòng)依照本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的方法可以減小子場(chǎng)SF2～SFn而非最初子場(chǎng)SF1內(nèi)的復(fù)位電壓Vry’。在子場(chǎng)SF2～SFn而非最初子場(chǎng)SF1內(nèi)，施加的復(fù)位周期Vry’可以比最初子場(chǎng)SF1內(nèi)的復(fù)位電壓Vry低15～25V。
在子場(chǎng)SF2～SFn而非最初子場(chǎng)SF1內(nèi)，能夠僅利用一個(gè)維持電壓Vs在所有的放電單元內(nèi)產(chǎn)生建立放電，而無(wú)需增加電壓到復(fù)位電壓Vry上。作為對(duì)PDP施加圖8的驅(qū)動(dòng)波形的結(jié)果，證明尋址放電的延遲值也即抖動(dòng)值與這些子場(chǎng)的順序位置成比例地減小得相當(dāng)多。
圖9是用于解釋依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的電路圖。該等離子顯示設(shè)備包括PDP 180、用于向PDP 180的尋址電極X1到Xm提供數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182、用于驅(qū)動(dòng)PDP 180的掃描電極Y1到Y(jié)n的掃描驅(qū)動(dòng)單元183、用于驅(qū)動(dòng)PDP 180的維持電極Z的維持驅(qū)動(dòng)單元184、用于控制驅(qū)動(dòng)單元182、183和184的定時(shí)控制器181、以及用于產(chǎn)生這些驅(qū)動(dòng)單元182、183和184所必需的驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生單元185。
將數(shù)據(jù)經(jīng)反轉(zhuǎn)伽馬校正電路(未示出)和誤差擴(kuò)散電路(未示出)反轉(zhuǎn)伽馬校正(inverse-gamma-correct)和誤差擴(kuò)散(error-diffuse)，然后經(jīng)子場(chǎng)映射電路映射到預(yù)定的子場(chǎng)模式后，提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182。該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182在預(yù)復(fù)位周期PRERP、復(fù)位周期RP和維持周期SP內(nèi)向?qū)ぶ冯姌OX1到Xm施加0V或者地電壓，如圖6所示。該數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182可以在復(fù)位周期RP的撤除周期SD內(nèi)將一個(gè)正極性偏壓供應(yīng)到尋址電極X1到Xm，該正極性偏壓例如是數(shù)據(jù)電壓Va，其是從驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生單元185中供應(yīng)來(lái)的。此外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182采樣并鎖存數(shù)據(jù)，然后在定時(shí)控制器181的控制下在尋址周期AP內(nèi)將該數(shù)據(jù)供應(yīng)給尋址電極X1到Xm。
掃描驅(qū)動(dòng)單元183在定時(shí)控制器181的控制下將傾斜波形NRY1、PRY1、PRY2和NRY2供應(yīng)給掃描電極Y1到Y(jié)n，以在預(yù)復(fù)位周期PRERP和復(fù)位周期RP內(nèi)初始化所有的放電單元，如圖6所示，并且隨后將掃描脈沖SCNP供應(yīng)給掃描電極Y1到Y(jié)n，以在尋址周期AP內(nèi)選擇其上提供數(shù)據(jù)的掃描線。掃描驅(qū)動(dòng)單元183在維持周期SP 內(nèi)將維持脈沖FSTSUSP和SUSP供應(yīng)給掃描電極Y1到Y(jié)n，以使在所選的導(dǎo)通單元內(nèi)產(chǎn)生維持放電。
維持驅(qū)動(dòng)單元184在定時(shí)控制器181的控制下在預(yù)復(fù)位周期PREARP和復(fù)位周期RP內(nèi)將傾斜波形PRZ、NRZ1和NRZ2供應(yīng)給維持電極Z，以初始化所有的放電單元，如圖6所示，并且在尋址周期AP內(nèi)將Z偏壓Vzb供應(yīng)給維持電極Z。此外，維持驅(qū)動(dòng)單元184和掃描驅(qū)動(dòng)單元183在維持周期SP內(nèi)交替進(jìn)行地將維持脈沖FSTSUSP、SUSP和LSTSUSP供應(yīng)給維持電極Z。
定時(shí)控制器181這樣控制驅(qū)動(dòng)單元182、183和184，以便接受水平/垂直同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)，產(chǎn)生用于這些驅(qū)動(dòng)單元182、183和184所必需的定時(shí)控制信號(hào)CTRX、CTRY和CTRZ，并且將這些定時(shí)控制信號(hào)CTRX、CTRY和CTRZ供應(yīng)到對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元182、183和184。定時(shí)控制信號(hào)CRTX包括用于對(duì)供應(yīng)到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣的采樣信號(hào)、鎖存控制信號(hào)、和用于控制能量恢復(fù)電路和驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通/關(guān)閉時(shí)間的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)。施加到掃描驅(qū)動(dòng)單元183的定時(shí)控制信號(hào)CRTY包括用于控制包含于掃描驅(qū)動(dòng)單元183內(nèi)的能量恢復(fù)電路和驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通/關(guān)閉時(shí)間的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)。此外，施加到維持驅(qū)動(dòng)單元184的定時(shí)控制信號(hào)CRTZ包括用于控制包含于維持驅(qū)動(dòng)單元184內(nèi)的能量恢復(fù)電路和驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)元件的導(dǎo)通/關(guān)閉時(shí)間的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)。
驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生單元185產(chǎn)生供應(yīng)給PDP 180驅(qū)動(dòng)電壓，也即圖6所示的Vry、Vrz、Vs、-V1、-V2、-Vy、Va、Vyb和Vzb。驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生單元185包括用于產(chǎn)生第一到第四正傾斜波形PRY1、PRY2、PRY3和PRY4的上升傾斜波形產(chǎn)生電路187、用于產(chǎn)生第一和第二下降傾斜波形NRY1和NRY2的下降傾斜波形產(chǎn)生電路189。
圖10是用于解釋驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生電路185的上升傾斜波形產(chǎn)生電路187的視圖。上升傾斜波形產(chǎn)生電路187包括連接在維持電壓源Vs和面板之間的開(kāi)關(guān)元件S0、用于產(chǎn)生第一輸出電壓Vout1以產(chǎn)生具有一個(gè)小斜率的上升傾斜波形的第一波形產(chǎn)生器202、用于在第一輸出電壓Vout1之外產(chǎn)生第二輸出電壓Vout2以產(chǎn)生具有大斜率的上升傾斜波形的第二波形產(chǎn)生器204、連接到第一波形產(chǎn)生器202的輸出端的第一電阻R1、連接到第二波形產(chǎn)生器204的輸出端的第二電阻R2、以及連接到其上連接有第一和第二電阻R1和R2的第一節(jié)點(diǎn)n1和形成于維持電壓源Vs和開(kāi)關(guān)元件S0之間的第二節(jié)點(diǎn)n2的電容器C。
第一和第二波形產(chǎn)生器202和204是利用光學(xué)耦合實(shí)現(xiàn)的。為此目的，第一或者第二波形產(chǎn)生器202或者204包括接收第一或者第二輸入信號(hào)ramp1或者ramp2并且發(fā)光的第一或者第二發(fā)光元件LED1或者LED2、以及第一或者第二受光元件(light receiving element)BUFFER，其與第一或者第二發(fā)光元件LED1或者LED2電絕緣，接收來(lái)自第一或者第二發(fā)光元件LED1或者LED2的光并且產(chǎn)生第一或者第二輸出電壓。一個(gè)可變電阻器VR連接在第一和第二電阻R1和R2和電容器C之間，并且通過(guò)調(diào)整整個(gè)電流增益來(lái)調(diào)整傾斜波形的斜率。
此外，上升傾斜波形產(chǎn)生電路187還包括一個(gè)連接在第一節(jié)點(diǎn)n1和電容器C之間的可變電阻VR、連接在第三節(jié)點(diǎn)n3(位于第一波形產(chǎn)生器202的輸出端和第一電阻R1之間)和第四節(jié)點(diǎn)n4(位于電容器C和第一節(jié)點(diǎn)n1之間)之間的第一二極管D1、以及連接到第二輸出端和第一節(jié)點(diǎn)n1的第二二極管D2。
可變電阻VR通過(guò)調(diào)整整個(gè)電流增益來(lái)調(diào)整輸出傾斜波形的斜率。當(dāng)?shù)谝缓偷诙敵鲂盘?hào)Vout1和Vout2低的時(shí)候，第一二極管D1放出一個(gè)通過(guò)噪音感應(yīng)到開(kāi)關(guān)元件的電壓。第二二極管D2在第一輸出信號(hào)高且第二輸出信號(hào)低的時(shí)候防止第一輸出信號(hào)施加到第二輸出端。
對(duì)在上升傾斜波形產(chǎn)生電路187中產(chǎn)生具有不同斜率的建立波形的過(guò)程作如下描述。第一發(fā)光元件LED1接收第一輸入信號(hào)ramp1并且發(fā)光，以產(chǎn)生一個(gè)具有小斜率的第一正上升傾斜波形。第一受光元件BUFFER1放在與第一發(fā)光元件LED1電絕緣的位置，接收從第一發(fā)光元件LED1發(fā)出的光信號(hào)并且產(chǎn)生第一輸出信號(hào)Vout1。第一輸出信號(hào)Vout1通過(guò)由第一電阻器和電容器C組成的RC振蕩電路產(chǎn)生傾斜波形。將如上所述產(chǎn)生的該傾斜波形加到由維持電壓源Vs所產(chǎn)生的維持電壓值上，從而產(chǎn)生第一正上升傾斜波形PRY1。
為了提供一個(gè)具有大于第一正上升傾斜波形PRY1的斜率的第三正上升傾斜波形PRY3，同時(shí)分別將第一和第二輸出信號(hào)Vout1和Vout2施加到第一和第二發(fā)光元件LED1和LED2。將從第一和第二發(fā)光元件LED1和LED2發(fā)出的光線以輸入信號(hào)的形式分別施加到第一和第二受光元件BUFFER1和BUFFER2。
第一和第二受光元件BUFFER1和BUFFER2分別產(chǎn)生第一和第二輸出信號(hào)Vout1和Vout2。從第一和第二發(fā)光元件BUFFER1和BUFFER2發(fā)出的輸出電壓Vout1和Vout2分別通過(guò)第一電阻R1和第二電阻R2，并且各自加到第一節(jié)點(diǎn)n1。加到第一節(jié)點(diǎn)n1的該電壓通過(guò)RC振蕩電路產(chǎn)生傾斜波形。
圖11是用于解釋依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的上升傾斜波形產(chǎn)生電路187的視圖。該上升傾斜波形產(chǎn)生電路187包括連接在維持電壓源Vs和面板之間的開(kāi)關(guān)元件S0、用于產(chǎn)生第一輸出電壓Vout1以產(chǎn)生具有小斜率的上升傾斜波形的第一波形產(chǎn)生器252、用于在第一輸出電壓Vout1之外產(chǎn)生第二輸出電壓以產(chǎn)生具有大斜率的上升傾斜波形的第二波形產(chǎn)生器254、連接到第一波形產(chǎn)生器的輸出端的第一電阻器R1、連接到第二波形產(chǎn)生器254的輸出端的第二電阻器R2、以及連接到其上連接有第一和第二電阻器R1和R2的第一節(jié)點(diǎn)n1和形成于維持電壓源Vs和開(kāi)關(guān)元件S0之間的第二節(jié)點(diǎn)n2之間的電容器C。
第一和第二波形產(chǎn)生器252和254是利用第一和第二MOSFET S1和S2實(shí)現(xiàn)的。一個(gè)可變電阻器VR連接在第一和第二電阻器R1和R2和電容器C之間，并且通過(guò)調(diào)整整個(gè)電流增益來(lái)調(diào)整傾斜波形的斜率。
此外，上升傾斜波形產(chǎn)生電路187還包括一個(gè)連接在第一節(jié)點(diǎn)n1和電容器C之間的可變電阻器VR，連接到第三節(jié)點(diǎn)n3和第四節(jié)點(diǎn)n4的第一二極管D1，第三節(jié)點(diǎn)n3位于第一波形產(chǎn)生器252的輸出端和第一電阻R1之間，第四節(jié)點(diǎn)n4位于電容器C和第一節(jié)點(diǎn)n1之間、以及連接到第二輸出端和第一節(jié)點(diǎn)n1的第二二極管D2。
該可變電阻器VR通過(guò)調(diào)整整個(gè)電流增益來(lái)調(diào)整輸出傾斜波形的斜率。當(dāng)?shù)谝缓偷诙敵鲂盘?hào)Vout1和Vout2低的時(shí)候，第一二極管D1發(fā)出一個(gè)通過(guò)噪聲感應(yīng)到開(kāi)關(guān)元件的電壓。第二二極管D2在第一輸出信號(hào)高且第二輸出信號(hào)低的時(shí)候防止第一輸出信號(hào)施加到第二輸出端。省去用于產(chǎn)生具有不同斜率的建立波形的過(guò)程，因?yàn)槠胀夹g(shù)人員可以基于圖10的電路的操作理解這種操作。
這些圖是為了解釋發(fā)明的簡(jiǎn)便地繪出的。例如，圖6解釋理想情況下的波形，但是正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的，在電壓轉(zhuǎn)變過(guò)程內(nèi)的電壓尖峰信號(hào)可以存在于這種信號(hào)和/或波形的施加中。此外，這些圖示出是為了顯示脈沖，但是正如普通技術(shù)人員理解的，這些波形和/或信號(hào)可以根據(jù)縮放或者比例不同地看，以解釋這種信號(hào)和/或波形。
前面的實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅僅是示例性的，不能認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制?？梢匀菀椎貙?dāng)前的教導(dǎo)應(yīng)用到其它類型的裝置中。本發(fā)明的描述意在解釋而非限制權(quán)利要求的范圍。許多替換、修改和變化對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。在權(quán)利要求書(shū)中，裝置加功能的條款意在隨其實(shí)現(xiàn)所描述的功能而囊括這里所述的結(jié)構(gòu)，不僅僅是結(jié)構(gòu)性的等效物而且是等效的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示設(shè)備，包括具有掃描電極和維持電極的等離子顯示面板(PDP)；和通過(guò)在復(fù)位周期內(nèi)將逐漸上升波形和下降波形施加到掃描電極來(lái)初始化放電單元的第一驅(qū)動(dòng)電路；其中該第一驅(qū)動(dòng)電路在位于第一子場(chǎng)之后的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)施加上升波形，該上升波形具有的斜率不同于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中至少一個(gè)子場(chǎng)的該上升波形具有比第一子場(chǎng)的該上升波形的斜率大的斜率。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示設(shè)備，其中該至少一個(gè)子場(chǎng)的上升波形具有一個(gè)小于或者等于在第一子場(chǎng)內(nèi)所施加的該上升波形的斜率三倍的斜率。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中該第一子場(chǎng)的上升波形具有第一斜率的第一上升波形和第二斜率的第二上升波形；并且該至少一個(gè)子場(chǎng)的該上升波形具有為第三斜率的第三上升波形和為第四斜率的第四上升波形。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示設(shè)備，其中該第二上升波形和第四上升波形上升到第一電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示設(shè)備，其中第二上升波形上升到第二電壓，而第四上升波形上升到第二電壓或者低于第二電壓的第三電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子顯示設(shè)備，其中該第三電壓低于第二電壓10V以上到100V以下。
8.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示設(shè)備，其中第一上升波形的第一斜率等于或者大于第二上升波形的第二斜率。
9.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示設(shè)備，其中第三上升波形的第三斜率等于或者大于第四上升波形的第四斜率。
10.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示設(shè)備，其中第三上升波形的第三斜率大于第一上升波形的第一斜率。
11.如權(quán)利要求4所述的等離子顯示設(shè)備，其中第四上升波形的第四斜率大于第二上升波形的第二斜率。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子顯示設(shè)備，其中第四上升波形的第四斜率比第二上升波形的第二斜率大一到三倍。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括用于在位于該復(fù)位周期之后的預(yù)復(fù)位周期內(nèi)將正極性波形施加到該維持電極和將負(fù)極性波形施加到該掃描電極的第二驅(qū)動(dòng)單元。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示設(shè)備，其中第二驅(qū)動(dòng)單元是在每幀的第一子場(chǎng)的至少一個(gè)預(yù)復(fù)位周期內(nèi)將正極性波形施加到該維持電極并將負(fù)極性波形施加到該掃描電極。
15.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示設(shè)備，其中施加到該維持電極的該正極性波形是逐漸上升波形和正極性方波中的任何一種。
16.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示設(shè)備，其中施加到該掃描電極的該負(fù)極性波形是逐漸下降波形和正極性方波中的任何一種。
17.如權(quán)利要求16所述的等離子顯示設(shè)備，其中該逐漸下降負(fù)極性波形具有的斜率等于在該復(fù)位周期的撤除周期內(nèi)所施加的該下降波形的斜率。
18.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示設(shè)備，其中該正極性波形具有一個(gè)比在該尋址周期內(nèi)施加到該維持電極的正極性偏壓的電壓值大的電壓值。
19.如權(quán)利要求13所述的等離子顯示設(shè)備，其中該正極性波形具有一個(gè)等于在該尋址周期內(nèi)施加到該掃描電極的負(fù)極性掃描脈沖的電壓值的電壓值。
20.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括用于在該復(fù)位周期內(nèi)將地電位或者0V施加到維持電極并且在跟隨該復(fù)位周期之后的尋址周期開(kāi)始的時(shí)間點(diǎn)施加正極性偏壓的第三驅(qū)動(dòng)單元。
21.一種利用多個(gè)子場(chǎng)驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法，該等離子顯示設(shè)備具有掃描電極和維持電極，包括通過(guò)將逐漸上升波形、下降波形施加到該掃描電極在復(fù)位周期內(nèi)對(duì)放電單元進(jìn)行初始化；并且在位于第一子場(chǎng)之后的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)施加上升波形，該上升波形具有的斜率不同于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率。
22.一種等離子顯示面板，包括沿第一方向的多個(gè)掃描電極和維持電極；沿與第一方向基本上垂直的第二方向的多個(gè)尋址電極；多個(gè)單元，每個(gè)單元在對(duì)應(yīng)的掃描電極、維持電極和尋址電極交叉點(diǎn)附近形成，驅(qū)動(dòng)電路，其配置為基于多個(gè)子場(chǎng)驅(qū)動(dòng)該掃描電極、維持電極或者尋址電極中的至少一個(gè)，其中在一個(gè)預(yù)定子場(chǎng)內(nèi)，該驅(qū)動(dòng)電路在復(fù)位周期內(nèi)將第一波形提供給至少一個(gè)掃描電極，并且在這多個(gè)子場(chǎng)中并且不是該預(yù)定子場(chǎng)的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)，該驅(qū)動(dòng)電路提供第二波形，其中該第一波形包括第一預(yù)定角度的第一傾斜，第二波形包括第二預(yù)定角度的第二傾斜，其中第一角度不同于第二角度。
23.如權(quán)利要求22的等離子顯示面板，其中該至少一個(gè)子場(chǎng)在該預(yù)定子場(chǎng)之后。
24.如權(quán)利要求22或23的等離子顯示面板，其中這多個(gè)子場(chǎng)中的每個(gè)子場(chǎng)是連續(xù)提供的，并且該預(yù)定子場(chǎng)是連續(xù)子場(chǎng)的第一子場(chǎng)。
25.如權(quán)利要求22的等離子顯示面板，其中該第二角度大于第一角度。
26.如權(quán)利要求22或25的等離子顯示面板，其中該第一和第二傾斜是從第一電位到第二電位的上升傾斜。
27.如權(quán)利要求22的等離子顯示面板，其中多個(gè)掃描電極和維持電極形成于第一基板上，并且一個(gè)絕緣層覆蓋這多個(gè)掃描電極和維持電極，以及多個(gè)尋址電極形成于第二基板上，并且一個(gè)介電層覆蓋這多個(gè)尋址電極，并且有多個(gè)隔板形成于該介電上。
28.如權(quán)利要求27的等離子顯示面板，其中這多個(gè)隔板是多個(gè)阻擋條，并且形成于第一方向或者第二方向中至少一個(gè)方向上。
29.一種等離子顯示面板，包括沿第一方向的多個(gè)掃描電極和維持電極；沿與第一方向基本上垂直的第二方向的多個(gè)尋址電極；多個(gè)單元，每個(gè)單元在對(duì)應(yīng)的掃描電極、維持電極和尋址電極交叉點(diǎn)附近形成，驅(qū)動(dòng)電路，其配置為基于多個(gè)子場(chǎng)驅(qū)動(dòng)該掃描電極、維持電極或者尋址電極中的至少一個(gè)，其中每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位周期，并且至少一個(gè)子場(chǎng)包括具有不同于其他子場(chǎng)的復(fù)位周期的時(shí)間周期的復(fù)位周期。
30.一種等離子顯示面板，包括沿第一方向的多個(gè)掃描電極和維持電極；沿與第一方向基本上垂直的第二方向的多個(gè)尋址電極；多個(gè)單元，每個(gè)單元在對(duì)應(yīng)的掃描電極、維持電極和尋址電極的交叉點(diǎn)附近形成，驅(qū)動(dòng)電路，其配置為基于多個(gè)子場(chǎng)驅(qū)動(dòng)該掃描電極、維持電極或者尋址電極中的至少一個(gè)，其中第一子場(chǎng)包括預(yù)復(fù)位周期和復(fù)位周期，并且在第一子場(chǎng)之后的至少一個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位周期且不包括該預(yù)復(fù)位周期。
31.一種等離子顯示面板，包括沿第一方向的多個(gè)掃描電極和維持電極；沿與第一方向基本上垂直的第二方向的多個(gè)尋址電極；多個(gè)單元，每個(gè)單元在對(duì)應(yīng)的掃描電極、維持電極和尋址電極交叉點(diǎn)附近形成，驅(qū)動(dòng)電路，其配置為基于多個(gè)子場(chǎng)驅(qū)動(dòng)該掃描電極、維持電極或者尋址電極中的至少一個(gè)，其中在至少一個(gè)子場(chǎng)的維持周期內(nèi)，將多個(gè)維持脈沖提供給至少一個(gè)維持電極，并且在該維持周期端點(diǎn)附近的至少一個(gè)維持脈沖具有不同的寬度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備和驅(qū)動(dòng)該等離子顯示設(shè)備的方法。將逐漸上升波形并且然后將下降波形施加到掃描電極。在晚于第一子場(chǎng)的這些子場(chǎng)中的至少一個(gè)子場(chǎng)內(nèi)的上升波形具有的斜率不同于在第一子場(chǎng)內(nèi)施加的上升波形的斜率。
文檔編號(hào)G09G3/298GK1838210SQ200610002
公開(kāi)日2006年9月27日 申請(qǐng)日期2006年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月22日
發(fā)明者鄭允權(quán), 林鐘植 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社