專利名稱：等離子顯示裝置和等離子顯示面板的驅動方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有等離子顯示面板的等離子顯示裝置和該等離子顯示面板的驅動方法。
相關技術近來，需要具有大屏幕和減薄厚度的顯示裝置，并且各種薄的顯示裝置已經投入實際使用。作為這種薄的顯示裝置之一，一種AC放電型等離子顯示面板(下文稱作PDP)已經引起人們的注意。該PDP具有作為顯示屏幕的前透明基板和后基板。在前透明基板上形成多個行電極，并且在后基板上形成多個列電極，以便使其與該多個行電極交叉。在前透明基板和后基板之間，形成了填充有放電氣體的放電空間。作為像素的像素單元形成在包含放電空間的行電極和列電極的各個交點處。
為了在這種PDP中進行具有灰度級亮度的顯示，基于子場(sub-field)法進行灰度驅動。例如，已經提出一種灰度驅動PDP的方法，其中將輸入的視頻信號的每幀劃分為八個子場，并且為每個子場提供滿度(full-scale)寫周期、滿度擦除周期、地址周期和維持放電周期(例如，參見日本專利No.2756053中的圖5)。此時，在滿度寫周期中，通過在所有像素單元中強迫引起寫放電，從而在所有像素單元中形成預定量的壁電荷。此外，通過寫放電，在所有像素單元中形成了用于在后面描述的地址周期中引起放電所需要的量的引發(fā)粒子(priming particles)。具體地說，在滿度寫周期中引起的寫放電稱作初始放電，通過該初始放電，形成了用于在每個地址周期中的確引起放電的引發(fā)粒子，并且在所有像素單元上壁電荷的量是均勻的。接著，在滿度擦除周期中，通過對所有像素單元引起擦除放電來擦除在所有像素單元中形成的壁電荷。在地址周期中，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)，對于每個像素單元選擇性地引起寫放電，并且僅在將要導通的像素單元中形成壁電荷。然后，在維持放電周期，僅對于其中形成了壁電荷的像素單元重復地進行維持放電，重復次數(shù)為分配給每個子場的次數(shù)。通過以這種方式來驅動，以與八個子場的每個中引起維持放電的次數(shù)相對應的灰度級亮度來進行顯示。
然而，由于在滿度寫周期中引起的初始放電(寫放電)而發(fā)射的光與實際的顯示圖像沒有關系，由此使得在顯示相對暗圖像(darkimage)時的對比度、即暗對比度(dark contrast)劣化。因此，已經提出了一種驅動方法，其中僅在每八個子場的最前面的(head)子場中設置滿度寫周期，并且在最前面子場的滿度寫周期中引起初始化放電，以便抑制暗對比度劣化(例如，參見日本專利No.2756053中的圖2)。
然而，當簡單地減少一個場(幀)的顯示周期中初始化放電次數(shù)時，每個像素單元中的引發(fā)粒子變得不足。因此，存在的問題是不能確保在地址周期中引起選擇放電，并且圖像質量可能會劣化。

發(fā)明內容
為解決該問題而作出了本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供一種等離子顯示裝置和提供一種等離子顯示面板的驅動方法，該顯示裝置能夠增強暗對比度，并且不會降低圖像質量。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種等離子顯示裝置，其中在N個子場的各個子場中驅動等離子顯示面板，以顯示一幀圖像，該等離子顯示面板設置有顯示單元，在多個行電極對和設置成與該多個行電極對交叉的多個列電極的交點處，所述顯示單元具有放電空間。該等離子顯示裝置包含形成在每個顯示單元中并且包含氧化鎂晶體的氧化鎂層，該氧化鎂晶體將要通過電子束的照射激勵，以進行在200到300nm波長范圍內具有峰值的陰極發(fā)光；地址部分，該地址部分依次給每個子場中的各個行電極對的一個電極施加掃描脈沖，且施加與輸入的視頻信號對應的數(shù)據(jù)脈沖，以便在每個顯示單元的放電空間中引起選擇放電并將各個顯示單元設定到導通單元狀態(tài)或者斷開單元狀態(tài)；維持部分，該維持部分給每個子場中的各個行電極對施加維持脈沖，以便在設置到導通單元狀態(tài)的每個顯示單元的放電空間中引起維持放電；以及復位部分，該復位部分給N個子場的M個子場(0＜M＜N)中的各個行電極對施加復位脈沖，以便在每個顯示單元中的放電空間中引起復位放電，并且初始化所有的顯示單元。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種等離子顯示面板的驅動方法，在N個子場的各個子場中驅動該等離子顯示面板以顯示一幀圖像，該等離子顯示面板設置有顯示單元，該顯示單元具有含有將要通過電子束的照射來激發(fā)以進行在200到300nm的波長范圍內具有峰值的陰極發(fā)光的氧化鎂晶體的氧化鎂層；以及面對該氧化鎂層、形成在多個行電極對和設置成與該多個行電極對交叉的多個列電極之間的交點處的放電空間。該等離子顯示面板的驅動方法包含基于各個子場中的輸入視頻信號在每個顯示單元的放電空間中引起選擇放電、以將每個顯示單元設置到導通單元狀態(tài)或者斷開單元狀態(tài)的地址步驟；在各個子場中在設置到導通單元狀態(tài)的每個顯示單元的放電空間中引起維持放電的維持步驟；以及在N個子場的M個子場(0＜M＜N)中在每個顯示單元的放電空間中引起復位放電、以初始化所有顯示單元的復位步驟。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的示意結構圖；
圖2是示意性示出當從顯示表面看時PDP50的內部結構的正視圖；圖3是表示沿著圖2的V3-V3線截取的截面圖；圖4是表示沿著圖2的W2-W2線截取的截面圖；圖5A是表示氧化鎂單晶的一個實例的圖；圖5B是表示氧化鎂單晶的另一個實例的圖；圖6是示意性示出其中通過噴涂法或者靜電涂覆法將汽相氧化鎂單晶13B附著到介質層12的表面上的情況的圖；圖7是表示在圖1所示的等離子顯示裝置中使用的發(fā)光驅動序列的例示圖；圖8是表示根據(jù)圖7所示的發(fā)光驅動序列及其施加時間將要施加給PDP50的各個脈沖的圖；圖9是表示在電子束照射到氧化鎂單晶上時激勵的CL波長及其強度之間的對應關系的曲線圖；圖10是表示氧化鎂單晶的顆粒直徑和在235nm處的CL強度之間的關系的曲線圖；圖11是表示當在顯示單元PC中沒有設置氧化鎂層時的放電可能性、當通過常規(guī)淀積方法形成氧化鎂層時的放電可能性、或者當設置包含氧化鎂單晶的氧化鎂層時的放電可能性的曲線圖，其中當電子束照射時，氧化鎂單晶激發(fā)在200至300nm的波長范圍內具有峰值的CL；圖12是表示放電延遲時間和在235nm波長處具有峰值的CL強度之間的對應關系的圖；圖13是表示沿著圖2的V3-V3線截取的截面的另一個例子的圖；圖14是表示沿著圖2的W2-W2線截取的截面的另一個例子的圖；圖15是表示與圖7所示的發(fā)光驅動序列一起使用的發(fā)光驅動序列的例示圖。
優(yōu)選實施例下文將參考附圖介紹本發(fā)明的實施例。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示裝置的示意結構圖。
如圖1所示，這種等離子顯示裝置包括作為等離子顯示面板的PDP50、X電極驅動器51、Y電極驅動器53、地址驅動器55和驅動控制電路56。
在PDP50中，形成了設置成在二維顯示屏幕的縱向(垂直方向)延伸的列電極D1至Dm以及設置成在二維顯示屏幕的橫向(水平方向)延伸的行電極X1至Xn和行電極Y1至Yn。此時，以相鄰行電極成對的方式形成的行電極對(Y1，X1)、(Y2，X2)、(Y3，X3)…，(Yn，Xn)分別作為PDP50中的第一顯示線至第n顯示線。在顯示線和列電極D1至Dm之間的各個交點處(在由圖1中的一個點的點劃線圍繞的區(qū)域中)，形成了作為像素的顯示單元PC。具體地說，在PDP50中，屬于第一條顯示線中的顯示單元PC1，1至PC1，m、屬于第二條顯示線中的顯示單元PC2，1至PC2，m、…和屬于第n條顯示線中的顯示單元PCn，1至PCn，m布置成矩陣形狀。
圖2是表示當從顯示表面看時PDP50的內部結構的正視圖。此外，在圖2中，僅僅示出了列電極D1至D3和第一條顯示線(Y1，X1)以及第二條顯示線(Y2，X2)的各個交點。而且，圖3是表示沿著線V3-V3截取的PDP50的截面圖，而圖4是表示沿著線W2-W2截取的PDP50的截面圖。
如圖2所示，每個行電極X具有設置成在二維顯示屏幕的水平方向延伸的總線電極Xb和設置在總線電極Xb上、與每個顯示像素PC對應的位置處的T形透明電極Xa。每個行電極Y具有設置成在二維顯示屏幕的水平方向延伸的總線電極Yb和設置在總線電極Yb上、與每個顯示像素PC對應的位置處的T形透明電極Ya。透明電極Xa和Ya例如由ITO的透明導電膜制成，并且總線電極Xb和Yb例如由金屬膜制成。具有透明電極Xa和總線電極Xb的行電極X以及具有透明電極Ya和總線電極Yb的行電極Y形成在前透明基板10的后表面上，前透明基板10的前表面作為PDP50的顯示表面，如圖3所示。此時，每個行電極對(X，Y)中的透明電極Xa和Ya之一向著所述行電極對中的另一個延伸，并且透明電極Xa和Ya的較寬部分的頂部側彼此以預定的放電間隙g1相對。而且，黑或者暗顏色的光吸收層(光屏蔽層)11形成在前透明基板10的后表面上的相鄰行電極對(X1，Y1)和(X2，Y2)之間，以在二維顯示屏幕的水平方向上延伸。此外，在前透明基板10的后表面上形成介質層12，以便覆蓋行電極對(X，Y)。在介質層12的后表面上(與和行電極對接觸的表面相對的表面)，如圖3所示，在與形成了光吸收層11和與光吸收層11相鄰的總線電極Xb及Yb的區(qū)域對應的位置處，形成了體(bulk)介質層12A。
在介質層12和體介質層12A的表面上，形成了含有氧化鎂單晶的氧化鎂層13。通過電子束的照射激發(fā)氧化鎂單晶，以進行在200至300nm的波長范圍內具有峰值的陰極發(fā)光。該氧化鎂單晶包含通過加熱鎂和通過在汽相中氧化鎂而得到的汽相氧化鎂晶體。汽相氧化鎂晶體的結構例如具有多晶結構，其中晶體彼此接合(engaged)，如圖5A的SEM照片所示，或者具有立方單晶結構，如圖5B的SEM照片所示。其平均顆粒直徑等于或者大于500埃，并且優(yōu)選等于或者大于2000埃(基于BET法的測量結果)。以這種方式，如圖6所示，通過以噴涂法或者靜電涂覆法將汽相氧化鎂單晶13B附著到介質層12的表面上，從而形成氧化鎂層13。此外，可以通過在介質層12的表面上利用淀積法或者濺射法形成薄膜氧化鎂層、并且通過將汽相氧化鎂單晶附著到該薄膜氧化鎂層而形成氧化鎂層13。
在與前透明基板10平行設置的后基板14上，在透明電極Xa和Ya彼此面對的位置，每個列電極D在垂直于行電極對(X，Y)的方向上延伸。在后基板14上，形成了白色的列電極保護層15，使其覆蓋列電極D。在列電極保護層15上，形成了隔離壁16。隔離壁16形成為格狀，以便在與各個行電極對(X，Y)的總線電極Xb和Yb對應的位置具有設置成在二維顯示屏幕的橫向上延伸的水平壁16A和在相鄰列電極D之間的中間位置具有設置成在二維顯示屏幕的縱向上延伸的垂直壁16B。在PDP50的每條顯示線中，圖2所示的隔離壁16形成為格狀，并且圖2所示的間隙SL存在于相鄰的隔離壁16之間。包含分離的放電空間S和透明電極Xa和Ya的各個顯示單元PC由形成為格狀的隔離壁16分隔。在放電空間S中，填充含有氙氣的放電氣體。在每個顯示單元中，熒光層17形成在水平壁16A的側面上、垂直壁16B的側面上和列電極保護層15的表面上，并且覆蓋它們，如圖3所示。實際上，熒光層17由三種熒光體構成，即，發(fā)紅光分量的熒光體、發(fā)綠光分量的熒光體和發(fā)藍光分量的熒光體。如圖3所示，由于氧化鎂層13與水平壁16A接觸，因此密封了每個顯示單元PC的放電空間S和間隙SL。同時，如圖4所示，由于垂直壁16B與氧化鎂層13不接觸，因此在垂直壁16B和氧化鎂層13之間存在間隙r1。具體而言，在二維顯示屏幕的橫向上相鄰顯示單元PC的放電空間S通過間隙r1彼此連接。
驅動控制電路56向X電極驅動器51、Y電極驅動器53和地址驅動器55提供各種控制信號，以便根據(jù)圖7所示利用子場法的發(fā)光驅動序列來驅動它們。X電極驅動器51、Y電極驅動器53和地址驅動器55產生后面描述的用于根據(jù)圖7所示的發(fā)光驅動序列驅動PDP50的各種驅動脈沖，并且將它們提供給PDP50。
在圖7所示的發(fā)光驅動序列中，一個場(一幀)顯示周期中的N個子場SF1至SF(N)中的每個子場都具有地址周期W、維持周期I和擦除周期E。此外，在最前面的(head)子場SF1中，在地址周期W之前提供復位周期R。
圖8是示出在從子場SF1至SF(N)中的子場SF1和SF2中向PDP50的列電極D和行電極X及Y施加各個脈沖的時序圖。
首先，在每個子場的地址周期W中，地址驅動器55基于輸入的視頻信號產生像素數(shù)據(jù)脈沖，以確定在該子場中哪個顯示單元PC發(fā)光。例如，對于每個顯示單元，地址驅動器55產生高壓像素數(shù)據(jù)脈沖以便引起顯示單元PC發(fā)光，并且產生低壓像素數(shù)據(jù)脈沖以便不使顯示單元發(fā)光。然后，地址驅動器55向列電極D1至Dm依次施加每個像素數(shù)據(jù)脈沖組DP1、DP2、…DPn，其包含與一條顯示線對應的像素數(shù)據(jù)脈沖(m個像素數(shù)據(jù)脈沖)。在這種情況下，Y電極驅動器53與每個像素數(shù)據(jù)脈沖組DP1至DPn的定時同步地向行電極Y1至Yn依次施加負極性的掃描脈沖SP。此時，僅在向其施加了掃描脈沖SP和高壓像素數(shù)據(jù)脈沖的顯示單元PC中引起放電(選擇放電)，并且在每個放電顯示單元PC的放電空間S中的氧化鎂層13和熒光層17的每個表面上形成預定量的壁電荷。此外，由于在向其施加了掃描脈沖SP和低壓像素數(shù)據(jù)脈沖的顯示單元PC中不引起選擇放電，如上所述，維持了剛好在此之前的壁電荷形成狀態(tài)。
即，在地址周期W中，將每個顯示單元PC設置到其中保留預定量的壁電荷的導通單元狀態(tài)和其中壁電荷低于該預定量的斷開單元狀態(tài)中的任意一種狀態(tài)。
接著，在每個子場的維持周期I中，X電極驅動器51和Y電極驅動器53分別重復地向行電極X1至Xn和行電極Y1至Yn施加正極性的維持脈沖IPX和IPY。此時，X電極驅動器51和Y電極驅動器53相繼地施加維持脈沖IPX和IPY。此外，施加多少次維持脈沖IPX和IPY取決于每個子場中亮度的加權值(weighted value)。此時，無論何時施加每個維持脈沖IPX和IPY，都僅在處于其中形成了預定量的壁電荷的導通單元狀態(tài)的顯示單元PC中引起維持放電。此外，由于這種維持放電，熒光層17發(fā)光，使得在面板的顯示表面上形成圖像。
僅僅對最前面的子場SF1提供的復位周期R具有滿度寫周期RW和滿度擦除周期RE。
首先，在滿度寫周期RW中，如圖8所示，X電極驅動器51一次都向行電極X1至Xn施加負極性的復位脈沖RPx。此外，在施加復位脈沖RPx的同時，Y電極驅動器53向行電極Y1至Yn施加正極性的第一復位脈沖RPY1，該第一復位脈沖RPY1具有其電壓值隨著時間的流逝逐漸升高達到峰值電壓的波形，如圖8所示。第一復位脈沖RPY1的峰值電壓高于維持脈沖IPX或者IPY的峰值電壓。當同時施加第一復位脈沖RPY1和負的復位脈沖RPY時，在所有顯示單元PC1，1至PCn，m的每個顯示單元的行電極X和Y之間引起第一復位放電。在第一復位放電結束之后，在所有顯示單元PC中的每個顯示單元的放電空間S中的氧化鎂層13的表面上形成預定量的壁電荷。具體而言，在氧化鎂層13上的行電極X附近形成了正極性的壁電荷，而在氧化鎂層13上的行電極Y附近形成了負極性的壁電荷。以這種方式，形成了壁電荷。
接著，在滿度擦除周期RE，如圖8所示，Y電極驅動器53產生負極性的、具有其電壓值隨著時間逐漸下降的波形的第二復位脈沖RPY2，并且將該第二復位脈沖RPY2一次都施加給所有行電極Y1至Yn。此外，將第二復位脈沖RPY2的峰值電壓值設置在下述電壓范圍內，即在地址周期W中沒有施加掃描脈沖SP時行電極Y上的電壓值和掃描脈沖SP的峰值電壓值之間。響應于第二復位脈沖RPY2的施加，在所有顯示單元PC1，1至PCn，m中的每個顯示單元的行電極X和Y之間引起第二放電。通過第二放電，擦除了形成在所有顯示單元PC1，1至PCn，m中的每個顯示單元中的壁電荷。
即，在復位周期R，使所有顯示單元PC1，1至PCn，m初始化到其中不存在壁電荷的斷開單元狀態(tài)。
這里，在復位周期R中，當把在升高時具有小的電壓變化的第一復位脈沖施加給行電極Y時，在T形透明電極Ya和Xa之間引起第一微弱復位放電，從而抑制對比度降低。
此外，由于在第一復位放電時和第二復位放電時在每個顯示單元PC中發(fā)生放電，并且在每個顯示單元PC中形成了氧化鎂層13，因此長時間地維持由于復位放電引起的引發(fā)效應(priming effect)，使得可以進行高速尋址。
即，氧化鎂層13包含具有相對較大尺寸的汽相氧化鎂單晶，如圖5A或者5B所示。由于當電子束照射到這種單晶上時發(fā)射在300-400nm波長范圍內具有峰值的CL(陰極發(fā)光)和在200-300nm波長范圍內(尤其，在230-250nm范圍中的大約235nm)具有峰值的CL，因此該單晶可以具有與235nm對應的能級。此外，如圖10所示，在235nm波長具有峰值的CL中，汽相氧化鎂晶體的顆粒直徑越大，峰值強度越大。具體而言，在產生汽相氧化鎂單晶時，當在高于正常的溫度下加熱鎂時，形成了具有2000埃粒子直徑的汽相氧化鎂單晶和具有500埃平均粒子直徑的汽相氧化鎂單晶，如圖5A和5B所示。此時，由于加熱鎂時的溫度高于正常溫度，因此由于鎂和氧反應而導致的火焰(flame)長度變長。因此，這種火焰和周圍(circumference)之間的溫差變大，并且估計與200至300nm范圍(尤其是235nm)對應的許多高能級單晶包含在包括具有大粒徑的汽相氧化鎂單晶的組中。與通過其它方法獲得的氧化鎂相比，該汽相氧化鎂單晶具有高純度、細顆粒和少的顆粒聚集。
據(jù)此，如上所述，估計電子由于能級與235nm對應而填充到汽相氧化鎂單晶中，并且通過選擇放電時施加的電場而釋放，從而迅速獲得放電所需的初始電子。因此，當圖3所示的氧化鎂層13含有汽相氧化鎂單晶時，在照射電子時該汽相氧化鎂單晶進行在200-300nm波長范圍內具有峰值的CL，在放電空間S中持續(xù)存在引起放電所需的足夠量的電子，因此放電空間S中的放電可能性急劇變大。
圖11是表示當在顯示單元PC中沒有設置氧化鎂層時的放電可能性、當通過常規(guī)淀積方法形成氧化鎂層時的放電可能性、或者當設置包含汽相氧化鎂單晶的氧化鎂層時的放電可能性的圖，其中汽相氧化鎂單晶在照射電子束時進行在200-300nm波長范圍內具有峰值的CL。
在圖11中，水平軸示出了未引起放電的停止期。停止期意味著從發(fā)生放電的時間到發(fā)生下一次放電的時間的間隔。當設置包含汽相氧化鎂單晶的氧化鎂層13時，其中汽相氧化鎂單晶通過電子束的照射進行在200-300nm波長范圍內具有峰值的CL，與通過常規(guī)淀積方法形成氧化鎂層的情況相比，增加了放電可能性。此外，如圖12所示，可以使用進行具有高強度的CL、尤其是在電子束照射時在235nm波長具有峰值和高強度的CL的汽相氧化鎂單晶來作為上述汽相氧化鎂單晶，因此能夠縮短放電空間S中的放電延遲。
同樣，由于放電空間S中的放電可能性極高，因此即使對于每個場(幀)的顯示周期來說第一復位放電的發(fā)生頻率在子場SF1的復位周期R中是一次，也可以確保在每個子場的地址周期W中引起選擇放電。
此外，在圖7所示的例子中，僅在N個子場SF1至SF(N)的子場SF1中引起第一復位放電?；蛘?，可以在其它子場中的地址周期W之前立即引起第一復位放電。
總之，在一場(幀)顯示周期中的所有子場SF1至SF(N)的M(M＜N)個子場中，優(yōu)選引起第一復位放電，以便使每個顯示單元PC的壁電荷的形成狀態(tài)初始化。
因此，根據(jù)本發(fā)明，由于即使在一場(幀)中復位放電的發(fā)生頻率低也能夠確保在每個子場的地址周期W中引起選擇放電，因此能夠顯示具有增強的暗對比度的良好圖像，同時不會降低圖像質量。
此外，在上述實施例中，包含圖5A或5B所示氧化鎂的單晶物質的氧化鎂層13形成在介質層12上?；蛘?，可以通過淀積法或者濺射法在介質層12和氧化鎂層13之間設置薄膜氧化鎂層130，如圖13和14所示。
此外，無論何時基于圖7所示的發(fā)光驅動序列進行一次或者多次驅動，基于圖15所示其中在子場SF1至SF(N)的任意一個中都不包含復位周期R的發(fā)光驅動序列的驅動可以進行一次或者多次。以這種方式，由于減少了每單位時間進行的第一復位放電的發(fā)生頻率，因此能夠進一步增加暗對比度。
權利要求
1.一種等離子顯示裝置，其中在N個子場的各個子場中驅動等離子顯示面板以顯示一幀圖像，該等離子顯示面板設置有顯示單元，在多個行電極對和設置成與所述行電極對交叉的多個列電極的交點處，所述顯示單元形成有放電空間，所述等離子顯示裝置包含形成在每個所述顯示單元中并且包含氧化鎂晶體的氧化鎂層，該氧化鎂晶體將要通過電子束的照射來激勵，以進行峰值在200-300nm波長范圍內的陰極發(fā)光；地址部分，該地址部分依次向每個所述行電極對的一個電極施加掃描脈沖，且施加與輸入的視頻信號對應的數(shù)據(jù)脈沖以在每個顯示單元的所述放電空間中引起選擇放電，并在每個所述子場中將每個所述顯示單元設定到導通單元狀態(tài)或者斷開單元狀態(tài)；維持部分，該維持部分在每個所述子場中向所述行電極對施加維持脈沖，以在設置到所述導通單元狀態(tài)的每個所述顯示單元的所述放電空間中引起維持放電；和復位部分，在所述N個子場的M個子場(0＜M＜N)中，該復位部分向所述行電極對施加復位脈沖，以在每個所述顯示單元的所述放電空間中引起復位放電，并且初始化所有的所述顯示單元。
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述行電極對的每個行電極具有設置成在行方向上延伸的主體部分和設置成在列方向上從所述主體部分凸出的凸出部分，使得各個行電極的所述凸出部分經由放電間隙彼此面對。
3.根據(jù)權利要求2所述的等離子顯示裝置，其中每個行電極的所述凸出部分具有在所述放電間隙附近的寬的部分和將所述寬的部分連接到所述主體部分的窄的部分。
4.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述氧化鎂層含有通過加熱鎂并且通過在汽相中將鎂氧化而得到的氧化鎂單晶。
5.根據(jù)權利要求4所述的等離子顯示裝置，其中所述氧化鎂層含有具有2000?；蛘吒罅降难趸V單晶。
6.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述氧化鎂晶體進行在230-250nm的波長范圍內具有峰值的陰極發(fā)光。
7.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述氧化鎂層形成在覆蓋所述行電極對的介質層上。
8.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述復位脈沖具有其中其電壓值隨著時間的流逝而逐漸變化的部分。
9.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中根據(jù)所述復位放電，在每個所述顯示單元的所述放電空間中形成預定量的壁電荷。
10.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述復位放電具有其中在每個所述顯示單元中形成所述預定量的壁電荷的第一復位放電和其中擦除在每個所述顯示單元中形成的所述壁電荷的第二復位放電。
11.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述復位脈沖具有其電壓值隨著時間流逝逐漸增加的第一復位脈沖和其電壓值隨著時間流逝逐漸減小的第二復位脈沖。
12.根據(jù)權利要求1所述的等離子顯示裝置，其中所述復位部分在多個連續(xù)子場中對每一幀或者對多個連續(xù)幀引起一次所述復位放電。
13.一種等離子顯示面板的驅動方法，在N個子場的各個子場中驅動該等離子顯示面板以顯示一幀圖像，該等離子顯示面板設置有顯示單元，該顯示單元具有含有將要通過電子束的照射來激勵以進行峰值在200-300nm波長范圍內的陰極發(fā)光的氧化鎂晶體的氧化鎂層，以及面對該氧化鎂層、形成在多個行電極對和設置成與該多個行電極對交叉的多個列電極之間的交點處的放電空間，所述等離子顯示面板的驅動方法包含基于各個子場中的輸入視頻信號在每個所述顯示單元的所述放電空間中引起選擇放電、從而將每個所述顯示單元設置到導通單元狀態(tài)或者斷開單元狀態(tài)的地址步驟；在各個子場中在設置到所述導通單元狀態(tài)的每個所述顯示單元的所述放電空間中引起維持放電的維持步驟；和在所述N個子場的M個子場(0＜M＜N)中在每個所述顯示單元的所述放電空間中引起復位放電、以初始化所有的所述顯示單元的復位步驟。
14.根據(jù)權利要求13所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中所述行電極對的每個行電極具有設置成在行方向上延伸的主體部分和設置成在列方向上從所述主體部分凸出的凸出部分，使得各個行電極的所述凸出部分經由放電間隙彼此面對。
15.根據(jù)權利要求14所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中每個所述行電極的所述凸出部分具有在所述放電間隙附近的寬的部分和將所述寬的部分連接到所述主體部分的窄的部分。
16.根據(jù)權利要求13所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中所述氧化鎂層含有通過加熱鎂并且通過在汽相中將鎂氧化而得到的氧化鎂單晶。
17.根據(jù)權利要求14所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中所述氧化鎂層含有具有2000?；蛘吒罅降难趸V單晶。
18.根據(jù)權利要求13所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中所述氧化鎂晶體進行在230-250nm的波長范圍內具有峰值的陰極發(fā)光。
19.根據(jù)權利要求13所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中所述氧化鎂層形成在覆蓋所述行電極對的介質層上。
20.根據(jù)權利要求13所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中根據(jù)所述復位放電在每個所述顯示單元的所述放電空間中形成預定量的壁電荷。
21.根據(jù)權利要求13所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中所述復位放電具有其中在每個所述顯示單元中形成所述預定量的壁電荷的第一復位放電和其中擦除在每個所述顯示單元中形成的所述壁電荷的第二復位放電。
22.根據(jù)權利要求13所述的等離子顯示面板的驅動方法，其中在所述復位步驟中，在多個連續(xù)子場中對每一幀或者對多個連續(xù)幀引起一次所述復位放電。
全文摘要
提供了一種等離子顯示裝置和驅動等離子顯示面板的方法，在該等離子顯示裝置中能夠增強暗對比度而不降低圖像質量。在通過子場法驅動等離子顯示裝置的情況下，為了初始化所有顯示單元，在N個連續(xù)子場的M個子場(0＜M＜N)中在每個顯示單元中引起復位放電，在該等離子顯示裝置中，氧化鎂層包含通過電子束照射而激發(fā)并且進行在200－300nm波長范圍內具有峰值的陰極發(fā)光的氧化鎂晶體。
文檔編號G09G3/28GK1700275SQ20051007288
公開日2005年11月23日 申請日期2005年5月17日 優(yōu)先權日2004年5月17日
發(fā)明者西村賢, 德永勉, 坂田一朗, 廣田敦士, 林海 申請人:先鋒株式會社