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等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法

文檔序號(hào):2617552閱讀:85來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)
因?yàn)榈入x子體顯示板(PDP)與其他平板顯示器相比具有更高的分辨率、更高速率的發(fā)光效率和更寬的視角,因此正受到主要的關(guān)注。PDP是一種使用氣體放電產(chǎn)生的等離子體來(lái)顯示字符或圖像的平板顯示器,并且包括矩陣形式的多達(dá)幾十萬(wàn)到幾百萬(wàn)的像素,其中像素的數(shù)目由PDP的尺寸確定。參考圖1,將描述PDP的結(jié)構(gòu)。
圖1示出了PDP的部分透視圖。
如圖1所示,PDP包括兩個(gè)彼此面對(duì)的基板1和6,它們之間具有縫隙。多個(gè)掃描電極4和維持電極5的對(duì)平行形成在第一玻璃基板1上,并且掃描電極4和維持電極5被介質(zhì)層2和保護(hù)膜3覆蓋。多個(gè)尋址電極8形成在第二玻璃基板6上,和尋址電極8被絕緣層7覆蓋。障壁9與尋址電極8平行形成于尋址電極8之間的絕緣膜7上,并且熒光粉10形成于絕緣層7的表面和障壁9的兩側(cè)上。玻璃基板1和6彼此面對(duì)提供有玻璃基板1與6之間的放電空間11,因此掃描電極4和維持電極5可以和尋址電極8交叉。尋址電極8與一對(duì)掃描電極4和維持電極5的交叉部分之間的放電空間11形成放電單元12。
PDP的電極具有m×n的矩陣格式。尋址電極A1到Am在列方向上排列,并且n個(gè)掃描電極Y1到Y(jié)n以及維持電極X1到Xn在行方向上排列。PDP按照被劃分為多個(gè)子場(chǎng)的幀進(jìn)行工作,并且灰度級(jí)以多個(gè)子場(chǎng)的組合表示。傳統(tǒng)上,每個(gè)子場(chǎng)包括復(fù)位周期、尋址周期、和維持周期。
消除先前維持-放電形成的壁電荷,并且設(shè)定壁電荷以便在復(fù)位周期中正常地執(zhí)行下一尋址放電。選擇面板上接通的單元(即被尋址的單元)和斷開(kāi)的單元,并且在尋址周期中將壁電荷累積到接通的單元。在維持周期中執(zhí)行用于主要在所尋址的單元上顯示圖像的維持-放電。
此處所使用的術(shù)語(yǔ)“壁電荷”是指形成在與每個(gè)電極相鄰的放電單元的壁上并且累積到電極上的電荷。盡管壁電荷不實(shí)際接觸電極,但是描述為在其上“產(chǎn)生”、“形成”、或者“累積”所述壁電荷。而且,壁電壓表示壁電荷形成于放電單元的壁上的電勢(shì)差。
圖2示出了傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)波形。
如圖2所示,在掃描電極與維持電極之間的壁電荷被維持在一個(gè)近似在復(fù)位周期結(jié)束時(shí)的放電觸發(fā)電壓(discharge firing voltage)的同時(shí),掃描電極處的電壓(即Y電極)減少到電壓VscL。在尋址周期中,具有電壓VscL作為低峰值電壓和電壓VscH作為高峰值電壓的掃描脈沖被依次施加到掃描電極,并且同時(shí)數(shù)據(jù)脈沖被施加到尋址電極,以便產(chǎn)生尋址放電。
通過(guò)填充顆粒的密度和在放電空間產(chǎn)生的壁電壓來(lái)確定尋址放電。對(duì)于面板較低部分上的第一掃描電極,在產(chǎn)生復(fù)位放電之后花費(fèi)更長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)施加掃描脈沖,因此減少了填充顆粒的密度。逐漸減少放電空間中的電壓,并且消除了面板較低部分上的壁電荷。因此,減少尋址范圍(margin)是有問(wèn)題的,這是因?yàn)樵诿姘遢^低部分上比在面板較高部分上花費(fèi)更長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)行放電。

發(fā)明內(nèi)容
在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例中,提供了一種用于在尋址周期中增加放電范圍的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法。
本發(fā)明的附加特征將在下面的描述中闡述,并且部分將從所述描述中顯而易見(jiàn),或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐來(lái)獲得。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中,提供了一種等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法,所述等離子體顯示板包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)尋址電極根據(jù)所述方法,所述第一電極被劃分為包括第一組和第二組的多個(gè)組。
在尋址周期中,a)向第一組的第一電極依次施加具有第一電壓的掃描脈沖;b)將第一電極處的電壓從第一電壓逐漸減少到第二電壓;和c)向第二組的第一電極依次施加具有第三電壓的掃描脈沖,所述第三電壓小于第一電壓。
所述多個(gè)組還可以包括第三組。
根據(jù)所述方法,在步驟c)之后,d)將第一電極處的電壓從第三電壓逐漸減少到第四電壓;和e)向第三組的第一電極依次施加具有第五電壓的掃描脈沖,所述第五電壓小于第三電壓。
在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例中,提供了一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法。
根據(jù)所述方法,在第一子場(chǎng)的尋址周期中,多個(gè)第一電極被劃分為包括第一組和第二組的多個(gè)組,并且a)向第一組的第一電極依次施加具有第一電壓的掃描脈沖;b)將第一電極處的電壓從第一電壓逐漸減少到第二電壓;和c)向第二組的第一電極依次施加具有第三電壓的掃描脈沖,所述第三電壓小于第一電壓。
在第二子場(chǎng)的尋址周期中,多個(gè)第一電極被劃分為包括第三組和第四組的多個(gè)組,并且d)向第三組的第一電極依次施加具有第一電壓的掃描脈沖;e)將第一電極處的電壓從第一電壓逐漸減少到第四電壓;和f)向第四組的第一電極依次施加具有第五電壓的掃描脈沖,所述第五電壓小于第一電壓。
在本發(fā)明的又一個(gè)示例性實(shí)施例中,提供了一種等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法。
根據(jù)所述方法,多個(gè)第一電極被劃分為包括第一組和第二組的多個(gè)組。
在尋址周期中,a)在第二電極處的電壓被偏置為第一電壓的同時(shí),向第一組的第一電極依次施加具有第二電壓的掃描脈沖;b)將第一電極處的電壓逐漸減少到第三電壓;和c)在第二電極處的電壓被偏置為小于第一電壓的第四電壓的同時(shí),向第二組的第一電極依次施加具有第五電壓的掃描脈沖,所述第五電壓小于第二電壓。
在b)中,第二電極處的電壓被偏置為第四電壓,并且第一電極處的電壓從第二電壓被逐漸減少到第三電壓。
所述多個(gè)組還包括第三組。在步驟c)之后,d)將第一電極處的電壓逐漸減少到第七電壓;和e)在第二電極處的電壓被偏置為小于第四電壓的第六電壓的同時(shí),向第三組的第一電極依次施加具有第八電壓的掃描脈沖,所述第八電壓小于第五電壓。
在本發(fā)明的又一個(gè)示例性實(shí)施例中,提供了一種等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法。
根據(jù)所述方法,多個(gè)第一電極被劃分為包括第一組、第二組和第三組的多個(gè)組。
在尋址周期中,a)在第二電極處的電壓被偏置為第一電壓的同時(shí),向第一組的第一電極依次施加具有第二電壓的掃描脈沖;b)在第二電極處的電壓被偏置為第一電壓的同時(shí),將第一電極處的電壓逐漸減少到第三電壓;c)向第二組的第一電極依次施加具有第四電壓的掃描脈沖,所述第四電壓小于第二電壓;d)將第一電極處的電壓逐漸減少到第五電壓;和e)在第二電極處的電壓被偏置為小于第一電壓的第六電壓的同時(shí),向第三組的第一電極依次施加具有第七電壓的掃描脈沖,所述第七電壓小于第四電壓。


附圖與說(shuō)明書(shū)一起圖解說(shuō)明了本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例,并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1示出了等離子體(PDP)的部分透視圖。
圖2示出了傳統(tǒng)PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的PDP的方框圖。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的被施加到PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的被施加到PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的被施加到PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
圖7示出了在第一和第二子場(chǎng)期間被施加到PDP的圖5的驅(qū)動(dòng)波形。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)描述中,通過(guò)舉例方式示出和描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到,所描述的示例性實(shí)施例可以以各種方式修改,而其全部不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此,附圖和描述實(shí)質(zhì)上被認(rèn)為是說(shuō)明性的,而不是限制性的。
當(dāng)附圖中示出的部件或者附圖中未示出的部件由于對(duì)于完全理解本發(fā)明不太重要時(shí),在說(shuō)明書(shū)中不進(jìn)行討論。而且相同的元件由相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。
現(xiàn)在將參考附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的PDP的方框圖。
如圖3所示,根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的PDP包括等離子體板100、尋址驅(qū)動(dòng)器200、Y電極驅(qū)動(dòng)器320、X電極驅(qū)動(dòng)器340和控制器400。
等離子體板100包括在列方向上排列的多個(gè)尋址電極A1至Am、以及在行方向上排列的第一電極Y1至Yn(下文稱(chēng)作Y電極)和第二電極X1至Xn(下文稱(chēng)作X電極)。
尋址驅(qū)動(dòng)器200從控制器400接收尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA,并且向每個(gè)尋址電極施加顯示數(shù)據(jù)信號(hào)用以選擇將被顯示的放電單元。
Y電極驅(qū)動(dòng)器320和X電極驅(qū)動(dòng)器340從控制器400分別接收Y電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY和X電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SX,并且向X電極和Y電極施加信號(hào)。
控制器400接收外部圖像信號(hào),產(chǎn)生尋址驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SA、Y電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SY、和X電極驅(qū)動(dòng)信號(hào)SX,并且將它們分別發(fā)送至尋址驅(qū)動(dòng)器200、Y電極驅(qū)動(dòng)器320、和X電極驅(qū)動(dòng)器340。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的用于呈現(xiàn)被施加到PDP的驅(qū)動(dòng)波形的圖。
如圖4所示,根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例,Y電極根據(jù)掃描Y電極的順序被劃分為多個(gè)組,并且當(dāng)掃描電壓被依次施加到Y(jié)電極時(shí),對(duì)于不同的組設(shè)定不同的掃描電壓。而且,在掃描電壓被施加到第一組(在復(fù)位周期的下降斜坡周期之后,其上施加有掃描電壓)以外的每個(gè)組的第一Y電極之前,用于以類(lèi)似于下降斜坡復(fù)位周期的方式減少Y電極處的電壓的周期被包含在尋址周期中。舉例說(shuō)明,為了圖4的描述方便,Y電極被劃分為三個(gè)組(即,第一、第二和第三掃描組)。
在下降復(fù)位周期中Y電極處的電壓減少到電壓VscL1之后,具有電壓VscL1的掃描脈沖被依次施加到第一掃描組,同時(shí)在尋址周期中電壓VscH1被施加到Y(jié)電極。這時(shí),當(dāng)?shù)谝粧呙杞M的尋址操作結(jié)束時(shí),Y電極處的電壓是VscL1。
在包括第二掃描組的Y電極的放電單元中,具有電壓VscL1的掃描電壓脈沖不能穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電,這是因?yàn)樵趻呙桦妷好}沖被施加到第一掃描組的同時(shí)壁電壓被消除。因此,在第二掃描組被尋址之前,Y電極處的電壓從電壓VscL1減少到電壓VscL2。在X電極與Y電極之間產(chǎn)生弱放電,并且以類(lèi)似于在復(fù)位周期中施加下降斜坡波形的方式消除壁電荷。因此,放電單元的狀態(tài)改變,從而使得更容易在其中執(zhí)行尋址-放電。因此,當(dāng)具有電壓VscL2的掃描脈沖在這種狀態(tài)被依次施加到第二掃描組的Y電極時(shí),穩(wěn)定地產(chǎn)生尋址放電。這時(shí),為了創(chuàng)建第二掃描組的尋址條件以對(duì)應(yīng)第一掃描組的尋址條件,被施加到未被選擇的掃描線(xiàn)的電壓減少到電壓VscH2。
掃描電壓脈沖被依次施加到第二掃描組,在掃描電壓脈沖被施加到第三掃描組用以增加第三掃描組的尋址放電效率之前,Y電極的電壓從電壓VscL2逐漸減少到電壓VscL3,并且具有電壓VscL3的掃描電壓脈沖被依次施加到第三掃描組的Y電極。VscL2和VscL3的電壓之間的電壓差例如可以與VscL1和VscL2的電壓之間的電壓差基本相同。
根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例,盡管在掃描電壓被施加到除了第一組的每個(gè)組的第一Y電極之前,在面板較低部分上的尋址電極的壁電荷損失通過(guò)進(jìn)一步包括用于逐漸減少Y電極處的電壓來(lái)補(bǔ)償,在面板較低部分中的X電極與Y電極之間的電壓差較大,這是因?yàn)樵趯ぶ分芷谥蠿電極處的電壓被偏置為預(yù)定電壓。相應(yīng)地,在維持周期中在未被尋址的單元中可以產(chǎn)生放電,這是因?yàn)樵趯ぶ分芷谥形幢贿x擇的放電單元中能夠在X電極與Y電極之間產(chǎn)生放電。
相應(yīng)地,在本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中,在尋址周期中,對(duì)于每個(gè)組,X電極處的偏壓逐漸減少和Y電極處的電壓減少。將參考圖5來(lái)描述本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
如圖5所示,根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形與第一示例性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)波形基本相同,除了在尋址周期中對(duì)于每個(gè)組將X電極處的電壓設(shè)定為變化的(即彼此不同)。
按照施加掃描脈沖的順序?qū)電極劃分為多個(gè)組,并且對(duì)于每個(gè)組將掃描脈沖電壓設(shè)定為變化的,就像在本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的情況下一樣。另外,在本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中,將X電極劃分為多個(gè)組以對(duì)應(yīng)于Y電極的相應(yīng)組。當(dāng)在尋址周期中掃描電壓被施加到每個(gè)組的第一Y電極時(shí),每個(gè)組的X電極處的電壓減少和同時(shí)Y電極處的電壓減少。
也就是,在尋址周期中電壓VscH1被施加到Y(jié)電極的同時(shí),具有電壓VscL1的掃描脈沖被依次施加到第一掃描組,并且對(duì)應(yīng)于第一掃描組的X電極組被偏置為電壓Ve。
當(dāng)?shù)谝粧呙杞M的尋址操作結(jié)束時(shí),在第二組被尋址之前,Y電極處的電壓從電壓VscL1逐漸減少到電壓VscL2。這時(shí),對(duì)應(yīng)于第二掃描組的X電極組的偏壓減少到小于電壓Ve的電壓Ve1。因?yàn)殡S著第二掃描組處的電壓的減少X電極與Y電極之間的電壓差的增加被補(bǔ)償了,所以不產(chǎn)生維持周期中錯(cuò)誤的放電。
具有電壓VscL2的掃描脈沖被依次施加到第二掃描組以及尋址操作結(jié)束,并且在掃描電壓脈沖被施加到第三掃描組之前,Y電極處的電壓從電壓VscL2逐漸減少到電壓VscL3。而且,與第三掃描組對(duì)應(yīng)的X電極處的偏壓減少到小于電壓Ve1的電壓Ve2,因此補(bǔ)償了X電極與Y電極之間的電壓差的增加。
施加到X電極的電壓Ve與施加到Y(jié)電壓的電壓VscL1之間的電壓差可以和施加到X電極的電壓Ve1與施加到Y(jié)電極的電壓VscL2之間的電壓差基本相同或不同。另外,施加到X電極的電壓Ve2與施加到Y(jié)電壓的電壓VscL3之間的電壓差可以和施加到X電壓的電壓Ve1與施加到Y(jié)電極的電壓VscL2之間的電壓差和/或施加到X電極的電壓Ve與施加到Y(jié)電極的電壓VscL1之間的電壓差基本相同或不同。
在本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例中,對(duì)應(yīng)于各個(gè)掃描組的X電極組的電壓可以被設(shè)定為變化的。然而在本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例中,即使當(dāng)X電極與Y電極之間的電壓差被維持在在維持周期中不產(chǎn)生錯(cuò)誤放電的電壓時(shí)減少Y電極處的電壓,X電極處的偏壓也被維持在預(yù)定電壓,而不減少所述偏壓。在圖6中,在第一掃描組和第二掃描組被尋址的同時(shí),X電極處的偏壓被維持在電壓Ve,并且當(dāng)?shù)谌龗呙杞M被尋址時(shí),X電極處的偏壓減少到電壓Ve2。相應(yīng)地,因?yàn)樵赬電極處施加的偏壓的電壓電平減少了,所以電源數(shù)量減少了。
在圖6中,施加到X電極的電壓Ve2與施加到Y(jié)電壓的電壓VscL3之間的電壓差可以和施加到X電極的電壓Ve與施加到Y(jié)電極的電壓VscL1之間的電壓差基本相同或不同。另外,施加到X電極的電壓Ve2與施加到Y(jié)電壓的電壓VscL3之間的電壓差可以和施加到X電極的電壓Ve與施加到Y(jié)電極的電壓VscL2之間的電壓差基本相同或不同。
雖然圖4-6都示出了單個(gè)子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)波形,但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將意識(shí)到,其他子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)波形可以與圖4-6所示的各個(gè)驅(qū)動(dòng)波形基本相同。例如,圖7示出了第一和第二子場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)波形,其中每一個(gè)與圖5的子場(chǎng)基本相同。
雖然在第一到第三示例性實(shí)施例中掃描電壓與向每個(gè)組施加掃描電壓脈沖之前的電壓基本相同,但是這兩個(gè)電壓可以被設(shè)定為彼此變化(即,不同)。
而且,各個(gè)掃描組之間的掃描電壓差、即電壓VscL1與電壓VscL2之間的電壓差以及電壓VscL2與電壓VscL3之間的電壓差可以被設(shè)定為彼此相同或者變化(即不同)。
對(duì)于各個(gè)子場(chǎng),可以將電壓差設(shè)定為是相同或者變化的,并且對(duì)于各個(gè)子場(chǎng),可以將掃描組設(shè)定為相同或者變化的。例如,可以將其它子場(chǎng)中的Y電極分組為與如圖4-6所示的第一(Y電極Y11、Y12...)、第二(Y電極Y21、Y22...)和第三掃描組(Y電極Y31、Y32...)相同或者不同的多個(gè)掃描組。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明,按照掃描順序?qū)電極劃分為多個(gè)組,并且當(dāng)掃描電壓被依次施加到Y(jié)電極時(shí)將各個(gè)組的掃描電壓設(shè)定為變化的。在掃描電壓被施加到除了第一組以外的每個(gè)組的第一Y電極之前,還包括用于逐漸減少Y電極處的電壓的周期,并且放電單元在施加掃描電壓之前恢復(fù)復(fù)位操作之后的狀態(tài),并因此提高了尋址放電效率。
而且,當(dāng)在尋址周期Y電極處的電壓減少時(shí),X電極處的偏壓可以減少,并且X電極與Y電極之間的電壓差被補(bǔ)償,因此在維持周期中不產(chǎn)生錯(cuò)誤的放電。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的某些示例性實(shí)施例,但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在不背離本發(fā)明精神或范圍的情況下可對(duì)所描述的實(shí)施例進(jìn)行各種修改和變化。因此,本發(fā)明往往覆蓋了在所附權(quán)利要求及其等效物的范圍之內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法,所述等離子體顯示板包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)尋址電極,所述第一電極被劃分為包括第一組和第二組的多個(gè)組,所述方法包括在尋址周期中,a)向第一組的第一電極依次施加具有第一電壓的掃描脈沖;b)將第一電極處的電壓從第一電壓逐漸減少到第二電壓;和c)向第二組的第一電極依次施加具有第三電壓的掃描脈沖,所述第三電壓小于第一電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第二電壓與所述第三電壓基本相同。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述多個(gè)組還包括第三組,所述方法在步驟c)之后還包括d)將第一電極處的電壓從第三電壓逐漸減少到第四電壓;和e)向第三組的第一電極依次施加具有第五電壓的掃描脈沖,所述第五電壓小于第三電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其中所述第四電壓與所述第五電壓基本相同。
5.如權(quán)利要求3所述的方法,其中第一電壓與第三電壓之間的電壓差與第三電壓與第五電壓之間的電壓差基本相同。
6.如權(quán)利要求3所述的方法,其中第一電壓與第二電壓之間的電壓差與第三電壓與第四電壓之間的電壓差基本相同。
7.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法,所述等離子體顯示板包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)尋址電極,所述方法包括在第一子場(chǎng)的尋址周期中,當(dāng)多個(gè)第一電極被劃分為包括第一組和第二組的多個(gè)組時(shí),a)向第一組的第一電極依次施加具有第一電壓的掃描脈沖,b)將第一電極處的電壓從第一電壓逐漸減少到第二電壓,和c)向第二組的第一電極依次施加具有第三電壓的掃描脈沖,所述第三電壓小于第一電壓;和在第二子場(chǎng)的尋址周期中,當(dāng)多個(gè)第一電極被劃分為包括第三組和第四組的多個(gè)組時(shí),d)向第三組的第一電極依次施加具有第一電壓的掃描脈沖,e)將第一電極處的電壓從第一電壓逐漸減少到第四電壓,和f)向第四組的第一電極依次施加具有第五電壓的掃描脈沖,所述第五電壓小于第一電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其中第一組和第二組的第一電極不同于第三組和第四組的第一電極。
9.如權(quán)利要求7所述的方法,其中第一組和第二組的第一電極與第三組和第四組的第一電極相同。
10.如權(quán)利要求7所述的方法,其中第一電壓與第三電壓之間的電壓差與第一電壓與第五電壓之間的電壓差基本相同。
11.如權(quán)利要求7所述的方法,其中第二電壓與第三電壓基本相同,并且第四電壓與第五電壓基本相同。
12.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法,所述等離子體顯示板包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)尋址電極,所述方法包括當(dāng)多個(gè)第一電極被劃分為包括第一組和第二組的多個(gè)組時(shí),在尋址周期中,a)在第二電極處的電壓被偏置為第一電壓的同時(shí),向第一組的第一電極依次施加具有第二電壓的掃描脈沖;b)將第一電極處的電壓逐漸減少到第三電壓;和c)在第二電極處的電壓被偏置為小于第一電壓的第四電壓的同時(shí),向第二組的第一電極依次施加具有第五電壓的掃描脈沖,所述第五電壓小于第二電壓。
13.如權(quán)利要求12所述的方法,其中,在b)中,第二電極處的電壓被偏置為第四電壓。
14.如權(quán)利要求12所述的方法,其中,在b)中,第一電極處的電壓從第二電壓逐漸減少到第三電壓。
15.如權(quán)利要求12所述的方法,其中所述第三電壓與第五電壓基本相同。
16.如權(quán)利要求12所述的方法,其中第一電壓與第二電壓之間的電壓差與第四電壓與第五電壓之間的電壓差基本相同。
17.如權(quán)利要求12所述的方法,其中所述多個(gè)組還包括第三組,所述方法在步驟c)之后還包括d)將第一電極處的電壓逐漸減少到第七電壓;和e)在第二電極處的電壓被偏置為小于第四電壓的第六電壓的同時(shí),向第三組的第一電極依次施加具有第八電壓的掃描脈沖,所述第八電壓小于第五電壓。
18.如權(quán)利要求17所述的方法,其中所述第七電壓與所述第八電壓基本相同。
19.如權(quán)利要求17所述的方法,其中第一電壓與第二電壓之間的電壓差與第六電壓與第八電壓之間的電壓差基本相同。
20.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法,所述等離子體顯示板包括多個(gè)第一電極、多個(gè)第二電極、和多個(gè)尋址電極,所述方法包括當(dāng)多個(gè)第一電極被劃分為包括第一組、第二組和第三組的多個(gè)組時(shí),在尋址周期中,a)在第二電極處的電壓被偏置為第一電壓的同時(shí),向第一組的第一電極依次施加具有第二電壓的掃描脈沖;b)在第二電極處的電壓被偏置為第一電壓的同時(shí),將第一電極處的電壓逐漸減少到第三電壓;c)向第二組的第一電極依次施加具有第四電壓的掃描脈沖,所述第四電壓小于第二電壓;d)將第一電極處的電壓逐漸減少到第五電壓;和e)在第二電極處的電壓被偏置為小于第一電壓的第六電壓的同時(shí),向第三組的第一電極依次施加具有第七電壓的掃描脈沖,所述第七電壓小于第四電壓。
21.如權(quán)利要求20所述的方法,其中,在d)中,第二電極處的電壓被偏置為第六電壓。
22.如權(quán)利要求20所述的方法,其中,在b)中,第一電極處的電壓從第二電壓逐漸減少到第三電壓,和在d)中,第一電極處的電壓從第三電壓逐漸減少到第五電壓。
23.如權(quán)利要求20所述的方法,其中所述第三電壓與第四電壓基本相同,并且所述第五電壓與第七電壓基本相同。
24.如權(quán)利要求20所述的方法,其中第一電壓與第四電壓之間的電壓差與第六電壓與第七電壓之間的電壓差基本相同。
全文摘要
一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法。所述等離子體顯示板包括多個(gè)Y電極、多個(gè)X電極、和多個(gè)尋址電極。當(dāng)掃描電壓被依次施加到Y(jié)電極時(shí),根據(jù)掃描Y電極的順序?qū)⑺鯵電極劃分為多個(gè)組,并且將掃描電壓設(shè)定為對(duì)于不同組是變化的。當(dāng)掃描電壓被施加到Y(jié)電極的每個(gè)組的第一Y電極時(shí),還包括用于逐漸減少Y電極處的電壓和X電極處的偏置電壓的周期。
文檔編號(hào)G09G3/28GK1697004SQ200510070208
公開(kāi)日2005年11月16日 申請(qǐng)日期2005年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月11日
發(fā)明者金鎮(zhèn)成, 梁振豪, 金泰城, 蔡升勛 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社
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