專利名稱：雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于顯示圖像的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板。
背景技術(shù)：
常規(guī)的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板包括設(shè)置在基板上的以下部件-電致發(fā)光單元陣列和雙穩(wěn)態(tài)元件陣列，每一個雙穩(wěn)態(tài)元件均與單元相關(guān)聯(lián)并具有控制裝置；-只用于電源的電極陣列；以及-同時用于尋址和電源并與其他陣列的電極橫向延伸的電極陣列，其中每個電致發(fā)光單元和與其相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件串聯(lián)連接在一個電源陣列的電極和另一電源陣列的電極之間。
包括設(shè)置在半導體基板(例如，基于多晶硅)中所刻蝕的像素控制電路陣列上的電致發(fā)光單元陣列的有源矩陣電致發(fā)光板是已知的；為了控制關(guān)聯(lián)單元，每個像素電路通常包括與該單元串聯(lián)的電流調(diào)制器；此串聯(lián)電路的每個接線端與每個陣列的電源電極相連；像素電路還具有用于激活此電路的掃描電極和與電流調(diào)制器的調(diào)整點相連且用于將視頻數(shù)據(jù)尋址到單元的數(shù)據(jù)電極。因此，對于每個像素，具有四個電極兩個電源電極、一個掃描電極和一個數(shù)據(jù)電極。因此，這些板通常包括至少四個電極陣列。
“雙穩(wěn)態(tài)”電致發(fā)光板也是已知的，具有無源矩陣，其中每個像素包括串聯(lián)的電致發(fā)光單元和雙穩(wěn)態(tài)元件；此串聯(lián)電路連接在同時用于驅(qū)動和電源目的的兩個電極之間，例如，如專利文件WO03/012869和WO03/054843中所述。因此，這些板只具有兩個電極陣列。
根據(jù)施加到每個串聯(lián)電路上的電壓信號，每個像素的雙穩(wěn)態(tài)元件-可以響應(yīng)選擇激活電壓尋址信號，從穩(wěn)定的高阻抗“關(guān)斷”狀態(tài)轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低阻抗“導通”狀態(tài)，或者響應(yīng)擦除電壓尋址信號，進行反向轉(zhuǎn)換；-以及通過施加對板的所有單元均相同的“保持”電壓，可以保持在其已經(jīng)通過該尋址信號所設(shè)置的關(guān)斷或?qū)顟B(tài)下。
美國專利文獻4035775-IBM、4808880-CENT、6188175B1-CDT、WO03/012869、WO03/054843和5055739描述了這種類型的板，其中每個像素包括有機電致發(fā)光層和層疊光電導層；所述光電導層形成了像素的雙穩(wěn)態(tài)元件。
可以設(shè)想其他雙穩(wěn)態(tài)元件，如n-p-n-p結(jié)，如專利文獻FR2846794所述，或者如有機層，如專利文獻US2002-190664所述。
專利文獻US2002/0043927描述了一種基于光電導效應(yīng)的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，其中通過設(shè)置在板背面上的專用于尋址的電致發(fā)光單元(參考符號57)的發(fā)射來產(chǎn)生光電導雙穩(wěn)態(tài)元件的轉(zhuǎn)換；每個尋址電致發(fā)光單元通過參考符號為44的絕緣層與參考符號為51的光電導層的雙穩(wěn)態(tài)元件光耦合；因此，每個尋址電致發(fā)光單元控制板的每個像素的導通或關(guān)斷狀態(tài)。因此，具有四個電極陣列兩個用于為尋址電致發(fā)光單元供電的陣列和兩個用于為主電致發(fā)光單元供電的陣列。
專利文獻JP11-154597也描述了一種基于光電導效應(yīng)的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，具有四個電極陣列參考此文獻的圖4和5，在每個像素處，將參考符號為20的電致發(fā)光層分為用于在此尋址區(qū)域相交的兩個尋址電極17和24之間進行尋址的區(qū)域和與光電導元件14串聯(lián)的主發(fā)射區(qū)域，在此主發(fā)射區(qū)域中相交的兩個電源電極12和22之間為此串聯(lián)電路供電；設(shè)置光電導元件14靠近用于尋址的電致發(fā)光區(qū)域，以獲得光耦合；因此，與文獻US2002/0043927一樣，具有兩個尋址電極陣列和兩個電源電極陣列。
如前述文獻WO03/012869和WO03/054843所述的、具有兩個電極陣列的、基于光電導效應(yīng)的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板的問題在于像素尋址序列中的容性損耗非常高。
實際上，如果將一個陣列的垂直電極稱為列而將另一陣列的水平電極稱為行，則可以將針對列的容性損耗表示為E＝C·Va2·N·f·s，其中C為位于行和列的交點處的電極之間的電容，N為行數(shù)，Va是尋址電壓，f是幀頻率，s是每個幀中的子幀數(shù)。由于電極還用于電源的目的，其表現(xiàn)出足夠大以便無電荷損耗地向單元供電的表面積，因此，電容C較高，從而引起了較高的容性損耗。
如前述文獻US2002/0043927和JP11-154597所述的、具有四個電極陣列的、基于光電導效應(yīng)的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板的問題在于其復雜度，尤其與電極陣列數(shù)相關(guān)，這種復雜度在經(jīng)濟上是不利的。
文獻EP1246157描述了一種有源矩陣電致發(fā)光板；每個單元具有相應(yīng)的像素電路，其包含在有源矩陣中，并包括與電致發(fā)光單元(參考符號8)和這里以晶體管(參考符號3)表示的控制裝置串聯(lián)連接的雙穩(wěn)態(tài)元件(在這種情況，參考符號為10的“存儲器”元件)。此板具有四個電極陣列兩個只用于為單元供電的陣列(參考符號6和7)、一個用于控制控制裝置(參考符號3)的陣列(參考符號4)和一個用于尋址的陣列(參考符號5)。這四個陣列中的三個必須包含在有源陣列中。在這種情況下，將三個電極陣列并入有源矩陣的需要在經(jīng)濟上是不利的，甚至在板的光性能方面，也是不利的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是通過提出總共只具有三個電極陣列的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，尤其是基于光電導效應(yīng)的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，來避免上述問題。
為此，本發(fā)明的目的是產(chǎn)生一種用于顯示圖像的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，包括設(shè)置在基板上的以下部件-電致發(fā)光單元陣列Cn，p和雙穩(wěn)態(tài)元件陣列Bn，p，每個雙穩(wěn)態(tài)元件均與單元相關(guān)聯(lián)并具有控制裝置；-只用于電源的第一電極陣列Xp和用于電源的第二電極陣列Yn，其中每個電致發(fā)光單元Cn，p和與其相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件Bn，p串聯(lián)連接在第一電源陣列的電極Xp和第二電源陣列的電極Yn之間，其特征在于除與單元相連的任意其他電極陣列之外，所述雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板還包括主要用于尋址的電極陣列Ap，而且控制每個電致發(fā)光單元Cn，p的雙穩(wěn)態(tài)元件的裝置連接在主要用于尋址的陣列的電極Ap和屬于第二陣列的所述單元的電源電極Yn之間，電源電極Yn同時用于尋址和電源。
根據(jù)本發(fā)明，將相同的電極同時用于控制雙穩(wěn)態(tài)元件控制裝置和為與這些元件相對應(yīng)的電致發(fā)光單元供電。例如，通過將本發(fā)明應(yīng)用于上述文獻EP1246257的圖1中所描述的板，用于控制以晶體管3表示的控制裝置的掃描電極4和電源電極6只形成同一電極。從而，與該文獻中所描述的四個陣列相比，有利地限制了板的電極陣列數(shù)。
本發(fā)明的另一目的是產(chǎn)生一種用于顯示圖像的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，包括設(shè)置在基板上的以下部件-電致發(fā)光單元陣列Cn，p和雙穩(wěn)態(tài)元件陣列Bn，p，每個雙穩(wěn)態(tài)元件均與單元相關(guān)聯(lián)并具有控制裝置；-只用于電源的電極陣列Xp和同時用于尋址和電源并與另一陣列Xp的電極橫向延伸的電極陣列Yn，其中每個電致發(fā)光單元Cn，p和與其相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件Bn，p串聯(lián)連接在一個電源陣列的電極Xp和另一電源陣列的電極Yp之間，其特征在于除與單元相連的任意其他電極陣列之外，所述雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板還包括主要用于尋址并與只用于電源的電極Xp近似平行地延伸的電極陣列Ap，而且控制每個電致發(fā)光單元Cn，p的雙穩(wěn)態(tài)元件的裝置連接在主要用于尋址的陣列的電極Ap和所述單元的電源電極Yp之間，電源電極Yp同時用于尋址和電源。
優(yōu)選地，主要用于尋址的電極Ap比第一電源陣列的電極Xp窄。從而，對板的尋址階段中的容性損耗加以限制，而不會增加單元電源電路的電荷損耗。
優(yōu)選地，這些尋址電極比電源電極窄至少兩倍，這意味著更為顯著地限制了容性損耗。
優(yōu)選地，利用形成了中間層的電極，將每個電致發(fā)光單元Cn，p和與其相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件Bn，p串聯(lián)連接。多個單元的中間電極彼此電絕緣；其通常是飄浮的。
優(yōu)選地，所述中間電極是透明和半透明的，并且與此單元相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件包括插入在所述中間層和只用于為所述單元供電的電極Xp之間的光電導層。因此，板的每個電極包括電致發(fā)光層元件和光電導層元件，這兩個層元件之間具有中間電極；因為中間電極的透明性，利用此元件的控制裝置，雙穩(wěn)態(tài)元件立即轉(zhuǎn)換為導通狀態(tài)，電致發(fā)光層元件通過透明中間電極發(fā)光，保持低阻抗狀態(tài)，從而保持光電導層元件的導通狀態(tài)。
優(yōu)選地，對于每個電致發(fā)光單元Cn，p，控制關(guān)聯(lián)雙穩(wěn)態(tài)元件的裝置包括插入在主要用于尋址所述單元的電極Ap和同時用于尋址和電源的電極Yn之間的尋址電致發(fā)光層，其與所述雙穩(wěn)態(tài)元件的光電導層光耦合。
優(yōu)選地，每個電致發(fā)光單元Cn，p包括與用于尋址所述單元的雙穩(wěn)態(tài)元件的控制裝置的電致發(fā)光層形成同一層的主電致發(fā)光層。于是，通過透明和半透明的中間電極來提供電致發(fā)光層和光電導層之間的光耦合。
優(yōu)選地，所有只用于電源的電極Xp互連在相同的電位。
本發(fā)明的另一目的是產(chǎn)生一種圖像顯示設(shè)備，包括根據(jù)本發(fā)明的板。


通過閱讀以下參照附圖、作為非限制示例給出的描述，本發(fā)明將得到更好的理解，其中圖1是示出了專用于本發(fā)明的三個電極陣列的、根據(jù)本發(fā)明實施例的板的示意平面圖；圖2是圖1所示板的像素的、通過圖1中的AA’的橫截面視圖；圖3是圖2所示結(jié)構(gòu)的變體，對應(yīng)于本發(fā)明的第二實施例；圖4是為了驅(qū)動根據(jù)圖1所示實施例的板而施加的電源信號的時序圖。
為了更好地展示如果按照比例將不能清楚地看到的特定細節(jié)，表示時序圖的附圖并未考慮數(shù)值的比例。
為了簡化描述，相同和相似的參考符號用于表示提供了相同功能的元件。
具體實施例方式
參照圖1和2，根據(jù)本發(fā)明的板包括直接支撐兩個電極陣列的基板1，第一電源陣列Xp只用于為單元供電，以及陣列Ap主要用于尋址。這兩個陣列的電極是平行的，并垂直延伸，因而稱為“列”。電源電極Xp實質(zhì)上比尋址電極Ap寬，優(yōu)選地，至少為兩倍寬。在兩個相鄰的尋址電極之間，存在電源電極Xp，反之亦然。根據(jù)并未示出的變體，將每個電源電極Xp再分為兩個電極Xpa、Xpb，并且每個尋址電極Ap位于兩個再分電極Xpa、Xpb之間。
這兩個電極陣列直接支撐光電導層2，光電導層2自身支撐中間電極3，中間電極3支撐有機電致發(fā)光層4，有機電致發(fā)光層4自身支撐第二電源陣列Yn，該陣列的電極與其他陣列的電極Xp和Ap垂直延伸。這些電極Yn同時用于尋址和電源。
在電極Xp和相鄰電極Ap與電極Yn的每個交點處，具有板的電致發(fā)光單元Cn，p，其橫截面如圖2所示。此電致發(fā)光單元包括有機電致發(fā)光層4的一部分。位于此部分有機電致發(fā)光層4下面的光電導層2形成了與此單元相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件Bn，p。由電致發(fā)光單元Cn，p和此雙穩(wěn)態(tài)元件Bn，p形成的串聯(lián)電路連接在此單元所處交點處的電極Xp和電極Yn之間。板的多個像素的中間電極3彼此電絕緣；這些電極是浮置的。
雙穩(wěn)態(tài)元件Bn，p的控制裝置位于與電極Xp相鄰的電極Ap與相同電極Yn的交點處。這里，由相同的電致發(fā)光層4和光電導層2與插入在其間的中間電極3形成這些控制裝置。稍后，將對與這些控制裝置有關(guān)的變體進行描述。
由于中間電極是透明的，在控制裝置和雙穩(wěn)態(tài)元件之間存在光耦合；當在這些電極之間施加適當?shù)膶ぶ冯娫葱盘栔?，位于電極Ap與電極Yn的交點處的電致發(fā)光層部分發(fā)光時，此產(chǎn)生的光通過透明電極3到達光電導層2，然后，光電導層2轉(zhuǎn)換為低阻抗狀態(tài)，從而使雙穩(wěn)態(tài)元件Bn，p的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)；然后，將實際在電極Xp和Yn之間的電源電壓中繼到單元Cn，p的接線端，之后，單元Cn，p發(fā)光。
這里將不再詳細給出剛剛已經(jīng)描述過的、根據(jù)本發(fā)明的板的制造過程；其涉及公知的裝置和方法。
現(xiàn)在，將作為非限制性示例，給出對具有這種板的顯示設(shè)備及驅(qū)動此板的方法的描述。
參照圖1，此設(shè)備包括已經(jīng)描述過的板、用于控制尋址電極Ap的裝置10、用于控制同時用于尋址和電源的行電極Yn的裝置11；這些控制裝置10和11，在英語中稱為“driver”，設(shè)計用于向電極發(fā)送電源電壓、選擇和尋址信號，稍后將對選擇和尋址信號進行描述，而且其由并未示出的裝置產(chǎn)生。
參照圖1，只用于電源的陣列的所有電極Xp彼此相連，并與為板供電的裝置相連，所述裝置向這些電極傳遞相同的電源電壓Vs。
為了驅(qū)動所述板以顯示一連串圖像幀，根據(jù)對圖像的灰度級進行編碼所需的比特數(shù)，將每個幀分解為子幀，所述過程如下對于每個子幀的持續(xù)時間，利用控制行電極Yn的裝置11，依次選擇板的每個行電極Yn。
如圖4上部所示，對每個行n的選擇包括兩個操作-首先，設(shè)計擦除操作OE將此行的所有單元Cn，p的雙穩(wěn)態(tài)元件轉(zhuǎn)換為高阻抗關(guān)斷狀態(tài)，而并不影響其他行的單元的雙穩(wěn)態(tài)元件的狀態(tài)；-然后，設(shè)計寫操作OW將此行中必須被激活以顯示當前子幀的圖像的單元Cn，p的雙穩(wěn)態(tài)元件轉(zhuǎn)換為低阻抗導通狀態(tài)，并保持此行中不被激活以顯示當前子幀的圖像的其他單元的雙穩(wěn)態(tài)元件的關(guān)斷狀態(tài)，而不影響其他行的單元的雙穩(wěn)態(tài)元件的狀態(tài)。
圖4示出了為了尋址行n的一個單元Cn，p而施加的電壓信號的時序圖-對于擦除操作將等于施加到電源列Xp的公共電壓的相同電壓Vs施加到行n上，并施加到所有尋址電極Ap上；將施加到其他行(包括行n-1)上的電壓保持在0V。于是，行n的所有單元關(guān)斷，而以處于電位Vs的電壓電極Xp和處于電位0V的行電極(如Yn-1等)之間的電位差Vs持續(xù)為其他行的單元供電。
-在寫操作期間，將負幅度電壓VL施加到選定行n；為了激活此行的單元Cn，p，將電壓VS+VON施加到與其相對應(yīng)的尋址電極Ap上；為了不激活此行的單元Cn，p，將與其相對應(yīng)的尋址電極Ap保持在先前操作的電位Vs(未示出)。
在此行n選擇階段之后是其他行選擇階段，和通常的總體保持階段，其間，仍然在相同圖像子幀期間，將施加到行n的電壓保持在電平0V；因此，之后將為此行像素供電的電極之間的電位差保持在數(shù)值Vs，從而為此行的已激活單元供電圖像子幀的持續(xù)時間。
利用前述控制裝置10和11，按照眾所周知的方式來施加所有這些電壓信號。
為了保持導通或關(guān)斷狀態(tài)，因此需要的是-施加到處于關(guān)斷狀態(tài)的雙穩(wěn)態(tài)元件上的電位差(VS+VL+VON)將其轉(zhuǎn)換為導通狀態(tài)參見圖4上部的時序圖；-施加到處于關(guān)斷狀態(tài)的雙穩(wěn)態(tài)元件上的電位差(VS+VON)不將其轉(zhuǎn)換為導通狀態(tài)參見圖4底部的時序圖。
設(shè)VD是觸發(fā)電致發(fā)光層中的發(fā)射的電壓，以及VZ是光電導層的臨界電壓-低于閾值電壓VD的電壓施加在串聯(lián)的兩個層之間，此單元關(guān)斷；-高于電壓VD+VZ的電壓施加在串聯(lián)的兩個層之間，此單元導通；-對于在VD和VD+VZ之間的、這些層之間的電壓，單元的狀態(tài)不改變。
因此，需要選擇VS、VL、VON的數(shù)值，從而使-VD＜Vs＜VD+VZ且VD＜Vs+VON＜VD+VZ-VS+VL+VON＞VD+VZ參照圖3，現(xiàn)在將給出對前述板的、根據(jù)本發(fā)明的變體的描述。
此變體與前述板的主要區(qū)別在于將雙穩(wěn)態(tài)元件的控制裝置與串聯(lián)的單元和雙穩(wěn)態(tài)元件相分離實際上，在這種情況下，專用于尋址電極Ap和電壓及尋址電極Yn的接線端的、由電致發(fā)光層5形成尋址電致發(fā)光單元用作由與之光耦合的光電導層2’形成的雙穩(wěn)態(tài)元件的控制裝置，如圖3所示。對于板的每個像素，尋址電致發(fā)光層5的面積實質(zhì)上小于主電致發(fā)光層4’的面積。
但是，此變體比前述實施例的生產(chǎn)更為復雜。
在上述兩個實施例中，尋址電極Ap與用于電壓和尋址的電極Yn的交點的面積遠比現(xiàn)有技術(shù)的、具有兩個電極陣列的雙穩(wěn)態(tài)板中小，而不會引起單元電壓電路中的任何電荷損耗增加，因為其與尋址且寬得多的電極Xp、Yn無關(guān)。
尋址電極Ap的容性損耗為E＝C·Va2·N·f·s，其中C為尋址電極和行電極的交點處的電容，N為行數(shù)，Va是尋址電壓，等于VS+VL+VON，f是幀頻率，s是每個幀中的子幀數(shù)。由于交點的面積比現(xiàn)有技術(shù)的、具有兩個電極陣列的雙穩(wěn)態(tài)板中要小，C的數(shù)值小得多，且降低了容性損耗。此外，由于根據(jù)本發(fā)明的板只包括三個電極陣列，其生產(chǎn)比現(xiàn)有技術(shù)的、具有四個電極陣列的雙穩(wěn)態(tài)板更簡單且更便宜。因此，本發(fā)明提供了改進的優(yōu)化。
已經(jīng)參照具有光電導雙穩(wěn)態(tài)元件的有機電致發(fā)光板，對本發(fā)明進行了描述；對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，顯而易見的是本發(fā)明可以應(yīng)用于其他類型的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，而不會偏離所附權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于顯示圖像的雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，包括設(shè)置在基板上的以下部件-電致發(fā)光單元陣列Cn，p和雙穩(wěn)態(tài)元件陣列Bn，p，每個雙穩(wěn)態(tài)元件均與單元相關(guān)聯(lián)并具有控制裝置；-用于電源的第一電極陣列Xp和用于電源的第二電極陣列Yn，其中每個電致發(fā)光單元Cn，p和與其相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件Bn，p串聯(lián)連接在第一電源陣列的電極Xp和第二電源陣列的電極Yn之間，其特征在于除與單元相連的任意其他電極陣列之外，所述雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板還包括主要用于尋址的電極陣列Ap，而且控制每個電致發(fā)光單元Cn，p的雙穩(wěn)態(tài)元件的裝置連接在主要用于尋址的陣列的電極Ap和屬于第二陣列的所述單元的電源電極Yn之間，電源電極Yn同時用于尋址和電源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板，其特征在于主要用于尋址的陣列的電極Ap比第一電源陣列的電極Xp窄。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的板，其特征在于主要用于尋址的陣列的電極Ap比第一電源陣列的電極Xp窄至少兩倍。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的板，其特征在于-第二陣列的電極Yn與第一陣列的電極Xp橫向延伸；-主要用于尋址的陣列的電極Ap近似平行于只用于電源的電極Xp延伸。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的板，其特征在于利用形成了中間層(3)的電極，將每個電致發(fā)光單元(Cn，p)和與其相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件(Bn，p)串聯(lián)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的板，其特征在于所述中間層(3)是透明和半透明的，并且與此單元相關(guān)聯(lián)的雙穩(wěn)態(tài)元件包括插入在所述中間層(3)和第一陣列的電源電極(Xp)之間的光電導層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的板，其特征在于對于每個電致發(fā)光單元(Cn，p)，控制關(guān)聯(lián)雙穩(wěn)態(tài)元件的裝置包括插入在主要用于尋址所述單元的電極(Ap)和同時用于尋址和電源的電極(Yn)之間的尋址電致發(fā)光層(4；5)，其與所述雙穩(wěn)態(tài)元件的光電導層(2；2’)光耦合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的板，其特征在于每個電致發(fā)光單元(Cn，p)包括與用于尋址所述單元的雙穩(wěn)態(tài)元件的控制裝置的電致發(fā)光層形成同一層的主電致發(fā)光層(4)。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的板，其特征在于所有只用于電源的電極(Xp)互連在相同的電位。
10.一種圖像顯示設(shè)備，其特征在于包括根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的板。
全文摘要
一種雙穩(wěn)態(tài)電致發(fā)光板，包括設(shè)置在基板上的以下部件電致發(fā)光單元陣列C
文檔編號G09G3/32GK1684133SQ200510063889
公開日2005年10月19日 申請日期2005年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月16日
發(fā)明者克里斯托夫·費里, 讓-保羅·達古瓦 申請人:湯姆森許可貿(mào)易公司