專利名稱：等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示設(shè)備，并且更為具體地說，涉及等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，其中防止了錯(cuò)誤放電、故障放電和非正常放電，增加無光空間對比度，并且拓寬操作裕量。
背景技術(shù)：
等離子顯示面板(在下文中，稱作“PDP”)適于通過以在比如He+Xe、Ne+Xe或He+Ne+Xe的混合惰性氣體的放電期間產(chǎn)生的紫外光輻射熒光材料來顯示圖像。該P(yáng)DP能夠容易制造得薄和大。并且通過近來相關(guān)技術(shù)的發(fā)展的幫助，PDP的圖像質(zhì)量逐漸改進(jìn)。
為了實(shí)現(xiàn)圖像得灰度級，該P(yáng)DP使用被劃分為具有不同發(fā)射數(shù)量的幾個(gè)子場的一個(gè)幀來時(shí)分驅(qū)動(dòng)。每個(gè)子場被劃分為用于初始化整個(gè)屏幕的復(fù)位周期、用于選擇掃描線和從所選的掃描線選擇放電單元的尋址周期、以及用于根據(jù)放電數(shù)量實(shí)現(xiàn)灰度級的維持周期。例如，如果需要以256個(gè)灰度級顯示圖像，則將對應(yīng)于1/60秒的幀周期(16.67ms)劃分為八個(gè)子場SF1-SF8，如圖1所示。另外，八個(gè)子場SF1-SF8的每一個(gè)被細(xì)分為初始化周期、尋址周期和維持周期。在這時(shí)，每個(gè)子場的初始化周期和尋址周期相同，然而在每個(gè)子場中維持周期和分配給其的維持脈沖的數(shù)量以2n的比率(n＝0，1，2，3，4，5，6，7)增加。
圖2是示意性示出了現(xiàn)有技術(shù)中的三電極AC表面放電類型PDP的電極布置的視圖。
參考圖2，現(xiàn)有的三電極AC表面放電類型PDP包括在上基片上形成的掃描電極Y1-Yn和維持電極Z，以及在下基片上以與掃描電極Y1-Yn和維持電極Z交叉的方式形成的尋址電極X1-Xm。
用于顯示紅色、綠色和藍(lán)色可見光之一的放電單元1形成在掃描電極Y1-Yn、維持電極Z和尋址電極X1-Xm的交叉點(diǎn)。
介質(zhì)層(沒有示出)和MgO保護(hù)層(沒有示出)形成在其上形成掃描電極Y1-Yn和維持電極Z的上基片上。
另外，用于防止在相鄰單元1之間的光和電互擾的阻擋條形成在其上形成尋址電極X1-Xm的下基片上。由紫外光激發(fā)以發(fā)射可見光的熒光材料形成在下基片和阻擋條的表面上。
將比如He+Xe、Ne+Xe或He+Ne+Xe的混合惰性氣體注入在PDP的上基片和下基片之間限定的放電空間中。
圖3示出了被提供給如圖2所示的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。將參考如圖4a-4e所示的壁電荷的分布來描述圖3的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖3，每個(gè)子場SFn-1，SFn包括用于初始化整個(gè)屏幕的放電單元1的復(fù)位周期RP，用于選擇放電單元的尋址周期AP，用于維持所選放電單元1的放電的維持周期SP，以及用于擦除在放電單元1中的壁電荷的擦除周期EP。
在第n-1個(gè)子場SFn-1的擦除周期EP中，將擦除傾斜波形ERR施加到維持電極Z。在擦除周期EP期間，將0V施加到掃描電極Y和尋址電極X。擦除傾斜波形ERR是其電壓從0V逐漸上升到正的維持電壓Vs的正的傾斜波形。在其中由擦除傾斜波形ERR產(chǎn)生維持放電的打開單元(on-cell)中，在掃描電極Y和維持電極Z之間發(fā)生擦除放電。
在打開單元中的壁電荷由擦除放電來擦除。結(jié)果，在擦除周期EP之后，每個(gè)放電單元1具有如圖4a所示的壁電荷分布。
在其中第n個(gè)子場SFn開始的復(fù)位周期RP的建立周期SU中，將正的傾斜波形PR施加到所有掃描電極Y，并且將0V施加到維持電極Z和尋址電極X。利用建立周期SU的正的傾斜波形PR，在掃描電極Y上的電壓從正的維持電壓Vs逐漸上升到復(fù)位電壓Vr。利用正的傾斜波形PR，在所有用于整個(gè)屏幕的放電單元中的掃描電極Y和尋址電極X之間以及掃描電極Y和維持電極Z之間發(fā)生無光放電。應(yīng)該理解術(shù)語“無光放電”，如在這里使用的，表示在兩個(gè)點(diǎn)(例如，掃描電極Y和維持電極Z或者掃描電極Y和尋址電極X)之間的電勢的均衡化，在那里產(chǎn)生相對少的可見光。
結(jié)果，正好在建立周期SU之后，正的壁電荷留在尋址電極X和維持電極Z上，如圖4b所示。并且負(fù)的壁電荷也留在掃描電極Y之上。在建立周期SU中，在這個(gè)無光放電期間，在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓Vg和在掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓被初始化到是或者至少接近能夠產(chǎn)生放電的啟動(dòng)電壓(firingvoltage)Vf的電壓。
在建立周期SU之后的復(fù)位周期RP的撤除周期SD中，將負(fù)的傾斜波形NR施加到掃描電極Y。同時(shí)，將正的維持電壓Vs施加到維持電極Z，并且將0V加到尋址電極X。利用負(fù)的傾斜波形NR，在掃描電極Y上的電壓從正的維持電壓Vs逐漸下降到負(fù)的擦除電壓Ve。利用負(fù)的傾斜波形NR，在所有用于整個(gè)屏幕的放電單元中的掃描電極Y和維持電極Z之間發(fā)生無光放電，同時(shí)在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。作為撤除周期SD的結(jié)果，在每個(gè)放電單元1中的壁電荷分布被改變到其中可以進(jìn)行尋址的狀態(tài)，如圖4c所示。在這時(shí)，不需要用于尋址放電的過多壁電荷被從在每個(gè)放電單元1中的掃描電極Y和尋址電極X上擦除，但是預(yù)定量的壁電荷留在其上。隨著從掃描電極Y移動(dòng)的負(fù)的壁電荷的累積，在維持電極Z上的壁電荷的極性從正極性倒轉(zhuǎn)為負(fù)極性。同時(shí)在復(fù)位周期RP的撤除周期SD期間發(fā)生無光放電，在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓和在掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓接近啟動(dòng)電壓Vf。
在尋址周期AP中，在將負(fù)的掃描脈沖-SCNP循序加到掃描電極Y時(shí)，和掃描脈沖-SCNP同步將正的數(shù)據(jù)脈沖DP加到尋址電極X。掃描脈沖-SCNP的電壓是掃描電壓Vsc，其從1V或接近0V的負(fù)的掃描偏壓Vyb下降到負(fù)的掃描電壓-Vy。數(shù)據(jù)脈沖DP的電壓是正的數(shù)據(jù)電壓Va。在尋址周期AP期間，將低于正的維持電壓Vs的正的Z偏壓Vzb施加到維持電極Z。在其中正好在復(fù)位周期RP之后調(diào)整間隙電壓到接近啟動(dòng)電壓Vf的電壓的狀態(tài)中，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生第一尋址放電，同時(shí)在電極Y、X之間的間隙電壓超過在施加了掃描電壓Vsc和數(shù)據(jù)電壓Va的打開單元中的啟動(dòng)電壓Vf。在這個(gè)情況下，在掃描電極Y和尋址電極X之間的第一尋址放電在遠(yuǎn)離在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隔的邊緣周圍發(fā)生。在掃描電極Y和尋址電極X之間的第一尋址放電在放電單元內(nèi)產(chǎn)生起動(dòng)充電顆粒(priming charged particle)，并且因此使第二放電在掃描電極Y和維持電極Z之間發(fā)生，如圖4d所示。在其中產(chǎn)生尋址放電的打開單元中的壁電荷分布如圖4e所示。
同時(shí)，在其中不產(chǎn)生尋址放電的關(guān)閉單元中的壁電荷分布基本上保持圖4c的狀態(tài)。
在維持周期SP中，將具有正的維持電壓Vs的維持脈沖SUSP交替加到掃描電極Y和維持電極Z。因此每個(gè)維持脈沖SUSP都在由通過如圖4e所示的壁電荷分布的幫助產(chǎn)生的尋址放電選擇的打開單元中的掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電。另一反面，在維持周期期間在關(guān)閉單元中不產(chǎn)生放電。這是因?yàn)楫?dāng)將初始的正維持電壓Vs加到掃描電極Y時(shí)，因?yàn)橛糜陉P(guān)閉單元的壁電荷的分布保持圖4c的狀態(tài)，在掃描電極Y和維持電極Z之間的間隙電壓不能超過啟動(dòng)電壓Vf。
但是，現(xiàn)有的等離子顯示設(shè)備產(chǎn)生幾個(gè)放電以控制放電單元1的初始化和壁電荷，同時(shí)經(jīng)歷第n-1個(gè)子場SFn-1的擦除周期EP和第n個(gè)子場SFn的復(fù)位周期RP。因此，存在的問題在于無光空間對比度值被降低和因此對比度比率被降低。下面的表1示出了在現(xiàn)有的等離子顯示設(shè)備中，在SFn-1的擦除周期EP期間和子場SFn的復(fù)位周期RP期間產(chǎn)生的放電的數(shù)量。
表1 從表1中可以看出，在擦除周期EP和復(fù)位周期RP期間，在第n-1個(gè)子場SFn-1中打開的打開單元在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生三個(gè)表面放電，并且在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生兩個(gè)相反放電(opposite discharge)。另外，在擦除周期EP和復(fù)位周期RP期間，在整個(gè)子場SFn關(guān)閉的關(guān)閉單元在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生兩個(gè)表面放電，并且在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生兩個(gè)相反放電。
在擦除周期和復(fù)位周期期間產(chǎn)生幾個(gè)放電增加了在擦除周期和復(fù)位周期中的發(fā)射量，這里考慮到對比度特性，必須最小化發(fā)射的光的量。這使得無光空間對比度值下降。更為具體的說，因?yàn)樵趻呙桦姌OY和維持電極Z之間的表面放電中光發(fā)射的量大于在掃描電極Y和尋址電極X之間的相反放電的量，表面放電對于無光空間對比度具有比相反放電更大的影響。
另外，在現(xiàn)有的等離子顯示設(shè)備中，在第n-1個(gè)子場SFn-1的擦除周期EP很少擦除壁電荷。因此，如果負(fù)極性的壁電荷在掃描電極Y上過多的累積，在第n個(gè)子場SFn的建立周期SU期間無光放電不足。如果在建立周期SU期間無光放電不足，則不會(huì)初始化放電單元。在這個(gè)情況下，為了在建立周期中產(chǎn)生放電，復(fù)位電壓Vr必須變得更高。如果在建立周期SU期間無光放電不足，正好在復(fù)位周期之后的放電單元中的條件不能達(dá)到最優(yōu)的尋址條件。因此，將發(fā)生非正常放電或錯(cuò)誤放電。另外，如果正好在第n-1個(gè)子場SFn-1的擦除周期EP之后，正極性的壁電荷在掃描電極Y上過多的累積，當(dāng)在第n個(gè)子場SFn的建立周期SU之中，將正的維持電壓Vs(正的傾斜波形PR的起始電壓)加到掃描電極Y時(shí)放電過強(qiáng)。因此在整個(gè)顯示器的每個(gè)單元中初始化不均勻。這個(gè)問題將參考圖5詳細(xì)描述。
圖5示出了在建立周期SU中在掃描電極Y和維持電極Z之間的外部應(yīng)用的電壓Vyz和在放電單元內(nèi)的間隙電壓Vg。在這時(shí)，在圖5中由實(shí)線表示的外部應(yīng)用電壓Vyz是被分別加到掃描電極Y和維持電極Z的外部電壓。因?yàn)閷?V的外部應(yīng)用電壓Vyz施加到維持電極Z，其實(shí)質(zhì)上和正的傾斜波形PR的電壓相同。在圖5中，①、②和③的虛線表示利用在放電單元中的壁電荷，在放電間隙中形成的間隙電壓Vg。如①、②和③的虛線指示的，間隙電壓Vg是不同的，這是因?yàn)樵诜烹妴卧械谋陔姾傻牧扛鶕?jù)放電是否發(fā)生在整個(gè)子場中而不同。在掃描電極Y和維持電極Z之間的外部應(yīng)用的電壓Vyz和在放電單元中的放電氣體中形成的氣體電壓Vg的關(guān)系可以由下面的公式1表示。
Vyz＝Vg+Vw(1)在圖5中，①的間隙電壓Vg示出了其中在放電單元內(nèi)的壁電荷被基本上擦除，并且壁電荷足夠小的情況。間隙電壓Vg和外部應(yīng)用的電壓Vyz成比例的增加，但是如果它到達(dá)啟動(dòng)電壓Vf，將發(fā)生無光放電，并且在放電單元內(nèi)的間隙電壓被初始化到啟動(dòng)電壓Vf。
在圖5中，②的間隙電壓Vg示出了其中在第n-1個(gè)子場SFn-1的擦除周期EP期間產(chǎn)生強(qiáng)的放電，并且在放電單元內(nèi)的壁電荷分布中的壁電荷的極性倒轉(zhuǎn)。在這時(shí)，正好在擦除周期EP之后，因?yàn)閺?qiáng)的放電，在掃描電極Y上累積的壁電荷的極性倒轉(zhuǎn)到正極性。如果PDP的尺寸很大，當(dāng)放電單元的均勻性低或者擦除傾斜波形ERR的梯度根據(jù)溫度的變化而發(fā)生改變時(shí)。在這個(gè)情況下，因?yàn)槌跏奸g隙電壓Vg過多地增加，如圖5的②所示，在建立周期SU中將正的維持電壓Vs施加到掃描電極Y的同時(shí)，間隙電壓Vg超過啟動(dòng)電壓Vf。這樣產(chǎn)生強(qiáng)的放電。因?yàn)闆]有將放電單元初始化到反映最佳尋址條件的壁電荷分布，也就是如圖4c所示的壁電荷分布，通過在建立周期SU和撤除周期SD中的強(qiáng)的放電的方式，在不得不關(guān)閉的關(guān)閉單元中發(fā)生尋址放電。就是說，如果在擦除周期期間(也就是，在復(fù)位周期之前)的放電很強(qiáng)，則發(fā)生錯(cuò)誤放電。
在圖5中，③的間隙電壓Vg示出了其中在放電單元內(nèi)的壁電荷分布保持原樣的情況，作為正好在擦除放電之前產(chǎn)生的維持放電保持原樣的結(jié)果，在第n-1個(gè)子場SFn-1的擦除周期EP期間，不產(chǎn)生擦除放電或者擦除放電非常弱。這將在下面更詳細(xì)的描述。如圖3所示，當(dāng)將維持脈沖SUSP施加到掃描電極Y時(shí)產(chǎn)生最后的維持放電。作為這個(gè)最后的維持放電的結(jié)果，負(fù)極性的壁電荷留在掃描電極Y上，而正極性的壁電荷留在維持電極Z上。
但是，雖然必須擦除這些壁電荷使得在下一個(gè)子場中正常執(zhí)行初始化，如果不產(chǎn)生擦除放電或者擦除放電非常弱，壁電荷的極性保持原樣。不產(chǎn)生擦除放電或者擦除放電非常弱的原因在于在PDP中的放電單元的不均勻性非常低或者擦除傾斜波形ERR的梯度根據(jù)溫度的變化而改變。在這個(gè)情況中，因?yàn)槌跏嫉拈g隙電壓Vg非常低，且是負(fù)極性，如圖5的③所示，在放電單元內(nèi)的間隙電壓Vg達(dá)不到啟動(dòng)電壓Vf，雖然正的傾斜波形PR上升到建立周期中的復(fù)位電壓Vr。因此，在建立周期SU和撤除周期SD中不產(chǎn)生無光放電。結(jié)果，如果在復(fù)位周期之前的擦除周期中不產(chǎn)生擦除放電或者擦除放電非常弱，因?yàn)闆]有以正常方式執(zhí)行初始化而發(fā)生錯(cuò)誤放電或非正常放電。
在圖5的②的情況中，在間隙電壓Vg和啟動(dòng)電壓之間的關(guān)系能夠由下面的公式2表示。在圖5的③的情況中，在間隙電壓Vg和啟動(dòng)電壓之間的關(guān)系能夠由下面的公式3表示。
Vgini+Vs＞Vf (2)Vgini+Vr＜Vf (3)其中Vgini是正好在建立周期SU開始之前的初始間隙電壓，從圖5中可以看出。
考慮上述問題，用于啟用在擦除周期EP和復(fù)位周期RP中正常執(zhí)行的初始化的間隙電壓條件(或壁電壓條件)將在公式4中表示，其滿足公式2和3。
Vf-Vr＜Vgini＜Vf-Vs(4)
結(jié)果，在建立周期SU之前，如果初始間隙電壓Vgini不滿足公式4的條件，則現(xiàn)有的等離子顯示設(shè)備能夠產(chǎn)生錯(cuò)誤放電、故障放電或非正常放電，并且工作裕量變窄。換句話說，在現(xiàn)有的等離子顯示設(shè)備中，必須適當(dāng)?shù)貓?zhí)行在擦除周期EP期間的擦除工作從而保證工作穩(wěn)定性和工作裕量。但是，擦除工作的正常性取決于放電單元的均勻性和PDP的溫度，如上所述。
另外，在現(xiàn)有的等離子顯示設(shè)備中，由于在復(fù)位周期之前在掃描電極Y和維持電極Z上累積的壁電荷不足，在復(fù)位電壓Vr(其高于維持電壓Vs并在100V以上)左右產(chǎn)生建立放電。因此，在現(xiàn)有的等離子顯示設(shè)備中，對于建立放電外部施加的電壓必須很高。結(jié)果，存在其中因?yàn)橛糜诋a(chǎn)生高電壓和高成分(high element)的電源必須包括在掃描驅(qū)動(dòng)電路中，而使掃描驅(qū)動(dòng)器電路的成本增加的問題。
另外，在現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示設(shè)備中，尋址放電包括在掃描電極Y和尋址電極X之間的第一放電，以及使用第一放電的在掃描電極Y和維持電極Z之間的第二放電，如圖4d所示。需要實(shí)現(xiàn)這個(gè)放電的時(shí)間相對很長。為了這個(gè)原因，如果由如圖3所示的現(xiàn)有技術(shù)的波形驅(qū)動(dòng)現(xiàn)有的等離子顯示設(shè)備，存在尋址周期短的問題，可能對于采用更多數(shù)量的線的高清晰度PDP很短。這個(gè)問題對于具有高抖動(dòng)值，也就是高放電延遲值的高Xe含量的PDP更為嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容
因此，考慮上述現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)生的問題提出本發(fā)明，并且本發(fā)明的目的是提供等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，其中防止錯(cuò)誤放電、故障放電和非正常放電，增加無光空間對比度，并改進(jìn)工作裕量。
本發(fā)明的另一目的是提供等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，其中降低建立放電。
本發(fā)明的再一目的是提供等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，其中縮短尋址放電所需要的時(shí)間。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，提供了一種等離子顯示設(shè)備，其包括表面放電電極對，其具有第一電極和第二電極；第三電極，其與表面放電電極對交叉；以及多個(gè)放電單元，將其設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形加到第一電極，在復(fù)位周期中將與第一波形極性相反的第一傾斜波形加到第一電極，并且之后將與第一傾斜波形極性相反的第二傾斜波形加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期中將與第一波形極性相反的第二波形加到第二電極，以及在復(fù)位周期中與第二傾斜波形同步將與第二傾斜波形極性相同的第三傾斜波形加到第二電極。


從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)說明中可以更為全面的理解本發(fā)明的另外的目的和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1示出了用于在等離子顯示設(shè)備中實(shí)現(xiàn)256灰度級的8比特默認(rèn)碼的子場圖形；圖2是示出了在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的三電極AC表面放電類型PDP中的電極布置的示意圖；圖3示出了用于一般PDP的驅(qū)動(dòng)波形；圖4a到4e示出了放電單元中的壁電荷的分布，其根據(jù)如圖3所示的驅(qū)動(dòng)波形一步一步地改變；圖5示出了當(dāng)根據(jù)如圖3所示的驅(qū)動(dòng)波形驅(qū)動(dòng)PDP時(shí)，在建立周期期間在掃描電極和維持電極之間的外部施加電壓，以及在放電單元中的間隙電壓的變化；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，在用于驅(qū)動(dòng)PDP的第一子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖7a到7e示出了放電單元中的壁電荷的分布，其根據(jù)如圖6所示的驅(qū)動(dòng)波形一步一步地改變；圖8是在根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中使用的第一子場周期以外的剩余子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖9示出了正好在維持周期之后，利用如圖8所示的驅(qū)動(dòng)波形的在放電單元中形成的壁電荷的分布；圖10示出了在建立周期之前，利用圖6和8的驅(qū)動(dòng)波形形成的放電單元中的壁電荷的分布，以及間隙電壓；圖11示出了在掃描電極和維持電極之間的外部應(yīng)用電壓，以及當(dāng)根據(jù)如圖6和8所示的驅(qū)動(dòng)波形驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備時(shí)在建立周期中的放電單元中的間隙電壓的變化；圖12示出了由如圖3所示的現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)波形引起的，在擦除周期和復(fù)位周期期間在維持電極上的壁電荷的極性的變化；圖13示出了由如圖6和8的驅(qū)動(dòng)波形引起的，在復(fù)位周期期間在掃描電極上的壁電荷的極性的變化；圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的波形；圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場的驅(qū)動(dòng)波形；圖16示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期以外的剩余子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖17示出了應(yīng)用如圖15和16的驅(qū)動(dòng)波形的整個(gè)幀周期的驅(qū)動(dòng)波形；圖18示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的波形；圖19示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的用于驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的波形；圖20示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖21示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期以外的剩余子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；
圖22示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖23示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期以外的剩余子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖24示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖25示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期以外的剩余子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖26示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形；圖27示出了在用于根據(jù)本發(fā)明的第九實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的第一子場周期以外的剩余子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形的一部分；圖28a-28d示出了在放電單元內(nèi)的壁電荷的分布，其根據(jù)如圖27所示的驅(qū)動(dòng)波形一步一步地改變；圖29是示出了在如圖27所示的驅(qū)動(dòng)波形中，在掃描電極和維持電極之間應(yīng)用的外部電壓和在掃描電極和維持電極之間的放電單元間隙電壓之間的差值；圖30是示出了在如圖26所示的驅(qū)動(dòng)波形中，在掃描電極和維持電極之間應(yīng)用的外部電壓和在掃描電極和維持電極之間的放電單元間隙電壓之間的差值；圖31是示出了在用于根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的一個(gè)幀周期的子場期間應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)波形的波形圖；以及圖32是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的配置的框圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖6到32詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，在用于驅(qū)動(dòng)PDP的第一子場周期期間，提供給如圖2所示的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。下面將結(jié)合在圖7a-7e中所示的壁電荷的分布來描述圖6的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖6，在根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)PDP的一個(gè)方法中，第一子場包括用于在掃描電極Y上形成正極性的壁電荷和用于在維持電極Z上形成負(fù)極性的壁電荷的預(yù)復(fù)位周期PRERP、用于使用在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間建立的壁電荷分布初始化整個(gè)屏幕的放電單元的復(fù)位周期，用于選擇放電單元的尋址周期AP，以及用于維持所選放電單元的放電的維持周期SP。在當(dāng)前實(shí)施例中，如圖7a所示，在掃描電極的正電荷利用在掃描電極和維持電極之間的預(yù)復(fù)位周期期間的表面放電被充分累積。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP中，將其電壓從正的維持電壓Vs上升到正的Z復(fù)位電壓Vz的Z正傾斜波形PRZ施加到所有維持電極Z。將其電壓從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降到負(fù)電壓-V1的第一Y負(fù)傾斜波形NRY1也施加到所有掃描電極Y。當(dāng)維持電極Z的電壓通過正傾斜波形PRZ上升時(shí)，掃描電極Y的電壓由第一Y負(fù)傾斜波形NRY1降低，并且之后電壓V1保持預(yù)定時(shí)間。在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間，將0V加到尋址電極X。該Z正傾斜波形PRZ和第一Y負(fù)傾斜波形NRY1使得在所有放電單元的掃描電極Y和維持電極Z之間以及維持電極Z和尋址電極X之間發(fā)生無光放電。結(jié)果，正好在預(yù)復(fù)位周期PRERP之后，在所有放電單元中，正極性的壁電荷在掃描電極Y上累積，并且大量負(fù)極性的壁電荷在維持電極Z上累積，如圖7a所示。另外，正的壁電荷在尋址電極X上累積。在掃描電極Y和維持電極Z之間，利用如圖7a所示的壁電荷分布，在所有放電單元的內(nèi)部放電氣體空間中形成足夠高的正的間隙電壓。還在從掃描電極Y到維持電極Z的每個(gè)放電單元中形成電場。在這種預(yù)復(fù)位周期中，在幀的至少一個(gè)子場期間提供施加到掃描電極和/或維持電極的傾斜波形。優(yōu)選的，在幀的第一子場期間提供在預(yù)復(fù)位周期期間施加到掃描電極和/或維持電極的傾斜波形。這是因?yàn)樵诘谝蛔訄銎陂g更加難以初始化單元。就是說，因?yàn)樵诘谝蛔訄銎陂g在單元中的空間電荷小于在其它子場中的，難以進(jìn)行初始化。更為具體的說，當(dāng)面板內(nèi)的溫度相對高時(shí)這種現(xiàn)象更為明顯。因此，優(yōu)選地當(dāng)溫度高于臨界溫度，例如，40℃或更高時(shí)，在預(yù)復(fù)位周期期間將傾斜波形施加到掃描電極和/或維持電極。另外，以這種方式增強(qiáng)壁電荷，利用第一Z負(fù)傾斜波形NRZ1，使得和維持電極Z相關(guān)的電壓逐漸下降到0V或基準(zhǔn)電壓GND，并且在建立周期中在掃描電極Y的電壓和維持電極Z的電壓之間的差值變大。這導(dǎo)致高溫中的錯(cuò)誤放電減少。
在復(fù)位周期RP的建立周期SU中，將第一Y正傾斜波形PRY1和第二Y正傾斜波形PRY2連續(xù)加到所有掃描電極Y，并且將0V加到維持電極Z和尋址電極X。第一Y正傾斜波形PRY1的電壓從0V上升到正的維持電壓Vs，并且第二Y正傾斜波形PRY2的電壓上升到高于正的維持電壓Vs的正的Y復(fù)位電壓Vry。正的Y復(fù)位電壓Vry低于正的Z復(fù)位電壓Vrz，并且被定為在正的Z復(fù)位電壓Vrz和正的維持電壓Vs之間的電壓。另外，可以設(shè)置第一Y正傾斜波形PRY1的斜率和第二Y正傾斜波形PRY2的斜率使其相等。但是，優(yōu)選地第二Y正傾斜波形PRY2的斜率小于第一Y正傾斜波形PRY1的斜率，如圖6所示。第二Y正傾斜波形PRY2的斜率優(yōu)選地小于第一Y正傾斜波形PRY1的斜率的原因是為了防止在復(fù)位周期的建立周期期間發(fā)生強(qiáng)的放電。就是說，如果第二Y正傾斜波形PRY2的斜率大于第一Y正傾斜波形PRY1的斜率，強(qiáng)的放電將惡化對比度特性。因?yàn)榈谝籝正傾斜波形PRY1以及在放電單元中在掃描電極Y和維持電極Z之間形成的電場的電壓的緣故，在整個(gè)放電單元中，在掃描電極Y和維持電極Z之間以及在掃描電極Y和尋址電極X之間發(fā)生無光放電。作為這個(gè)放電的結(jié)果，正好在建立周期SU之后，隨著負(fù)極性的壁電荷在所有放電單元中的掃描電極Y上累積，如圖7b所示，壁電荷的極性從正極性改變?yōu)樨?fù)極性。因此，更多正極性的壁電荷在尋址電極X上累積。另外，因?yàn)樨?fù)極性的壁電荷向著掃描電極Y減小，在維持電極Z上累積的壁電荷在數(shù)量上被部分地減小，但是仍然保持負(fù)極性。
同時(shí)，在建立周期SU期間發(fā)生維持放電(這是由正好在預(yù)復(fù)位周期PRERP之后的壁電荷分布引起的)之前，在所有放電單元中正的間隙電壓足夠高。因此，Y復(fù)位電壓Vr可以低于現(xiàn)有的復(fù)位電壓Vr，如圖3所示。根據(jù)其中初始化正好在建立放電之前的在所有放電單元之中的放電單元分布的實(shí)驗(yàn)，如圖7a所示，發(fā)現(xiàn)建立放電在所有放電單元中發(fā)生在低于維持電壓Vs的電壓，也就是說，與第一Y正傾斜波形PRY1相關(guān)聯(lián)的放電很弱。為了這個(gè)原因，在圖6的驅(qū)動(dòng)波形中，可以不需要第二Y正傾斜波形PRY2。在建立周期SU期間加到掃描電極Y的電壓還可以穩(wěn)定地產(chǎn)生建立放電，雖然它利用第一Y正傾斜波形PRY1僅升高到維持電壓Vs。
通過預(yù)復(fù)位周期PRERP和建立周期SU，正極性的壁電荷在尋址電極X上充分地累積。因此可以降低在尋址放電情況下需要的外部施加電壓，即數(shù)據(jù)電壓和掃描電壓的絕對值。
在建立周期SU之后的復(fù)位周期RP的撤除周期SD中，將第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2施加到維持電極Z，同時(shí)將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y。第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從正的維持電壓Vs下降到負(fù)的電壓-V2，第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2的電壓從正的維持電壓Vs下降到0V或基準(zhǔn)電壓。電壓-V2能夠被設(shè)置到和預(yù)復(fù)位周期PRERP的電壓-V1相等的值或不同的值。在撤除周期SD期間，在掃描電極Y和維持電極Z之間不發(fā)生放電，這是因?yàn)槠溟g的電壓下降得相同，然而在掃描電極Y和尋址電極X之間發(fā)生無光放電。無光放電引起擦除在掃描電極Y上累積的過多的負(fù)極性的壁電荷，并且擦除在尋址電極X上累積的過多的正極性的壁電荷。結(jié)果，現(xiàn)有所有放電單元具有均勻的壁電荷分布，如圖7c所示。圖7c的壁電荷分布升高在掃描電極Y和尋址電極X之間的間隙電壓幾乎到啟動(dòng)電壓Vf，因?yàn)樨?fù)極性的壁電荷在掃描電極Y上充分累積，并且正極性的壁電荷在尋址電極X上充分累積。因此，正好在撤除周期SD之后，對于所有放電單元的壁電荷分布被調(diào)整到最優(yōu)尋址狀態(tài)。
在尋址周期AP中，當(dāng)將負(fù)的掃描脈沖-SCNP循序加到掃描電極Y時(shí)，和掃描脈沖-SCNP同步的正數(shù)據(jù)脈沖DP被施加到尋址電極X。負(fù)的掃描脈沖-SCNP的電壓是Vsc，其從0V或在0V附近的負(fù)的掃描偏壓Vyb下降到負(fù)的掃描電壓-Vy。正的數(shù)據(jù)脈沖DP的電壓是Va。在尋址周期AP期間，將低于正的維持電壓Vs的正的Z偏壓Vzb施加到維持電極Z。優(yōu)選地，正的Z偏壓Vzb被施加在復(fù)位周期的擦除周期的結(jié)尾和第一掃描脈沖到掃描電極Y的應(yīng)用時(shí)間之間。將正的Z偏壓Vzb施加到復(fù)位周期的擦除周期的結(jié)尾的原因是在復(fù)位周期的擦除周期中，在掃描電極Y和正的Z之間的電壓差值被減小以禁止否則可能發(fā)生的放電，由此改進(jìn)圖像對比度。另外，在將第一掃描脈沖到掃描電極Y的時(shí)間應(yīng)用正的Z偏壓Vzb的原因在于不影響在尋址周期中發(fā)生的尋址放電。當(dāng)正好在復(fù)位周期RP之后將所有放電單元的間隙電壓調(diào)整到最優(yōu)尋址條件時(shí)，僅在打開單元中的掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生尋址放電，其中當(dāng)在電極Y、X之間的間隙電壓超過啟動(dòng)電壓Vf時(shí)，將掃描電壓正的維持電壓Vsc和數(shù)據(jù)電壓Va應(yīng)用到打開單元。在其中產(chǎn)生尋址放電的打開單元中的壁電荷分布如圖7d所示。正好在產(chǎn)生尋址放電之后，當(dāng)正極性的壁電荷在掃描電極Y上累積并且負(fù)極性的壁電荷在尋址電極X上累積時(shí)，利用尋址放電，在打開單元中的壁電荷分布改變，如圖7e所示。
僅在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生尋址放電，如圖7d所示。因此充分減少了尋址放電需要的時(shí)間。
同時(shí)，其中將0V或基準(zhǔn)電壓施加到尋址電極X和/或?qū)?V或掃描偏壓Vyb施加到掃描電極Y的打開單元中，間隙電壓小于啟動(dòng)電壓。因此，在其中不產(chǎn)生尋址放電的關(guān)閉單元中，壁電荷分布保持圖7c的狀態(tài)。
在維持周期SP中，將展示正的維持電壓Vs的維持脈沖FIRSTSUSP、SUSP和LSTSUSP交替加到掃描電極Y和維持電極Z。在維持周期SP期間，將0V或基準(zhǔn)電壓施加到尋址電極X。首先被加到每個(gè)掃描電極Y和維持電極Z的維持脈沖FSTSUSP具有寬于一般維持脈沖SUSP的脈沖寬度，使得能夠穩(wěn)定維持放電的開始。另外，將最后一個(gè)維持脈沖LSTSUSP施加到維持電極Z。在建立周期SU的初始狀態(tài)中，將LSTSUSP的脈沖寬度設(shè)置為比一般的維持脈沖SUSP的更寬，使得負(fù)極性的壁電荷能夠在維持電極Z上充分累積。在維持周期期間，在由尋址放電選擇的打開單元中，對于每個(gè)維持脈沖SUSP，通過如圖7e所示的壁電荷分布的幫助，在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電。相反的，在關(guān)閉單元，因?yàn)榫S持周期SP的初始壁電荷分布和圖7c所示的相同，即使應(yīng)用維持脈沖FIRSTSUSP、SUSP和LSTSUSP，間隙電壓保持小于啟動(dòng)電壓Vf。因此，不發(fā)生放電。
再一次，如圖6所示的驅(qū)動(dòng)波形不僅限于第一子場，而是能夠應(yīng)用包括第一子場的一個(gè)或多個(gè)子場。還可以應(yīng)用到在幀周期中包括的所有子場。
圖8示出了在第n-1個(gè)子場SFn-1和第n個(gè)子場SFn(其中，n是大于2的正整數(shù))的維持周期SP期間應(yīng)用到如圖2所示的PDP的驅(qū)動(dòng)波形，其用于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中。將結(jié)合圖9的壁電荷分布描述圖8的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖8，第n個(gè)子場SFn使用正好在第n-1個(gè)子場SFn-1的維持周期之后形成的壁電荷分布初始化PDP的所有放電單元。
第n-1個(gè)子場SFn-1和第n個(gè)子場SFn包括用于通過其中負(fù)極性的壁電荷在維持周期SP上充分累積的壁電荷分布來初始化所有放電單元的復(fù)位周期RP，用于選擇放電單元的尋址周期AP和用于維持所選放電單元的放電的維持周期SP。
在第n-1個(gè)子場SFn-1的維持周期SP期間，將最后一個(gè)維持脈沖SUSP施加到維持電極Z。在這時(shí)，將0V或基準(zhǔn)電壓施加到掃描電極Y和尋址電極X。最后一個(gè)維持脈沖LSTSUSP使得最后一個(gè)維持放電發(fā)生在放電單元中的掃描電極Y和維持電極Z之間，并且還使得正極性的壁電荷在掃描電極Y上充分累積，而負(fù)極性的壁電荷在維持電極Z上充分累積，如圖9所示。
在第n個(gè)子場SFn的建立周期SU期間，在所有放電單元中使用圖9的壁電荷分布發(fā)生無光放電，使得將所有放電單元的壁電荷分布初始化到如圖7b所示的壁電荷分布。建立周期SU、撤除初始化、以及尋址和維持操作基本上和圖6的第一子場的相同。因此，將省略其詳細(xì)描述。
在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法中，下一個(gè)子場的建立周期恰好在這些子場的最后一個(gè)維持放電之后，而沒有用于擦除在子場的維持周期和下一個(gè)子場的復(fù)位周期之間的壁電荷的擦除周期，如上所述。
維持放電是強(qiáng)的發(fā)光放電。因此，足夠大量的壁電荷在掃描電極Y和維持電極Z上累積。另外，可以穩(wěn)定保持在掃描電極Y上的正極性的壁電荷和在維持電極Z上的負(fù)極性的壁電荷。
圖10示出了由最后一個(gè)維持放電或預(yù)復(fù)位周期PRERP的放電形成的放電單元的間隙電壓狀態(tài)。
參考圖10，在掃描電極Y和維持電極Z之間，利用最后一個(gè)維持脈沖LSTSUSP或預(yù)復(fù)位周期PRERP的波形NRY1、PRZ和NRZ1來產(chǎn)生放電。因此，正好在建立周期SU之前，形成從掃描電極Y引導(dǎo)到維持電極Z的Y-Z中間初始間隙電壓Vgini-yz，并且由在放電單元之中的電場形成被從掃描電極Y引導(dǎo)到維持電極Z的Y-Z中間初始間隙電壓Vgini-yz。
如圖10所示，在建立周期SU之前，通過如圖10所示的壁電荷分布，Y-Z中間初始間隙電壓Vgini-yz已經(jīng)形成在放電單元中。因此，如果從外部施加的電壓大于或等于在啟動(dòng)電壓Vf和Y-Z中間初始間隙電壓Vgini-yz之間的差值，則在建立周期SU期間在放電單元中產(chǎn)生無光放電。這可以由下面公式(5)表示Vyz≥Vf-Vgini-yz(5)其中Vyz是在建立周期SU期間施加到掃描電極Y和維持電極Z的外部電壓(在下文中稱作為“Y-Z中間外部電壓”)。關(guān)于如圖6和8所示的波形，Y-Z中間外部電壓對應(yīng)于施加到掃描電極Y的正傾斜波形PRY1、PRY2的電壓和加到維持電極Z的0V。
從公式(5)和圖11中可以看出，如果Y-Z中間的外部電壓足夠高，使得它大于或等于在建立周期SU期間在啟動(dòng)電壓Vf和Y-Z中間初始間隙電壓Vgini-yz之間的差值，則可以在表面放電單元中穩(wěn)定產(chǎn)生無光放電，而且驅(qū)動(dòng)裕量寬。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備中，在每個(gè)子場的復(fù)位周期期間產(chǎn)生的發(fā)光量相比現(xiàn)有技術(shù)是非常小的。這是因?yàn)樵诿總€(gè)子場的復(fù)位周期期間在放電單元中產(chǎn)生的放電數(shù)量小于現(xiàn)有技術(shù)，并且表面放電的數(shù)量很小。
表2示出了如圖6的波形所述的，在第一子場的預(yù)復(fù)位周期PRERP和復(fù)位周期RP期間產(chǎn)生的放電的類型和數(shù)量。表3示出了如圖8的波形所述的，在沒有預(yù)復(fù)位周期PRERP的每個(gè)剩余子場的復(fù)位周期RP期間產(chǎn)生的放電的類型和數(shù)量。
表2 表3 從表2中可以看出，在第一子場中，采用如圖6所示的波形，通過預(yù)復(fù)位周期PRERP和復(fù)位周期RP產(chǎn)生最多三個(gè)相反放電和兩個(gè)表面放電。之后，在下一個(gè)子場中，在復(fù)位周期RP期間，產(chǎn)生一個(gè)相反放電和最多兩個(gè)表面放電，如表3所示。在整個(gè)子場期間關(guān)閉關(guān)閉單元的情況下，僅產(chǎn)生一個(gè)相反放電。在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備中，如果以將其時(shí)間劃分為12個(gè)子場來驅(qū)動(dòng)一個(gè)幀周期，相比現(xiàn)有等離子顯示設(shè)備，因?yàn)樵诋a(chǎn)生的放電的數(shù)目和類型中的差別，無光屏幕的亮度級別下降1/3。因此，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備能夠以低于現(xiàn)有技術(shù)的無光空間對比度值顯示無光屏幕，并且因此能夠更為亮的顯示圖像。
在復(fù)位周期RP期間產(chǎn)生的少量放電意味著壁電荷的變化或放電單元中極性的變化很小。例如，在現(xiàn)有等離子顯示設(shè)備中，從正好在第n-1個(gè)子場SFn-1的最后一個(gè)維持放電之后到正好在第n個(gè)子場SFn的撤除周期SD的無光放電之后，在維持電極Z上壁電荷的極性從正極性改變到擦除狀態(tài)(圖4a)，之后改變到正極性(圖4b)，改變到負(fù)極性(圖4c)，如圖12所示。另一方面，在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備中，從至少在第n-1個(gè)子場SFn-1的最后一個(gè)維持放電之后正好在第n個(gè)子場SFn的撤除周期SD的無光放電之后，在維持電極Z上的壁電荷的極性維持負(fù)極性，如圖13所示。就是說，在根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備中，在尋址周期AP之前，在維持周期SP上的壁電荷極性在初始化過程中保持如圖7a，7b和7c所示。
圖14示出了用于解釋根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法的波形。
圖14示出了用在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中的波形。在這個(gè)實(shí)施例中，在第二Y負(fù)傾斜波形NRY2達(dá)到基準(zhǔn)電壓GND之前，第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2達(dá)到基準(zhǔn)電壓GND。
在本發(fā)明中，預(yù)復(fù)位周期PRERP，復(fù)位周期RP的建立周期SU，尋址周期AP和維持周期SP基本上和先前實(shí)施例的相同。因此為了簡化省略其詳細(xì)描述。
在復(fù)位周期RP的撤除周期SD期間，在將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y的同時(shí)，將第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2加到維持電極Z。第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從正的維持電壓Vs下降到負(fù)的電壓-V2。第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2的電壓從正的維持電壓Vs下降到0V或基準(zhǔn)電壓GND。在第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2達(dá)到基準(zhǔn)電壓GND的時(shí)間點(diǎn)之后的預(yù)定的時(shí)間延遲之后(Δt底部)，第二Y負(fù)傾斜波形NRY2達(dá)到基準(zhǔn)電壓GND。這樣，如果第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓達(dá)到基準(zhǔn)電壓GND，而且第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2的電壓保持在基準(zhǔn)電壓，因?yàn)閽呙桦姌OY和維持電極Z的耦合，可以防止掃描電極Y的電壓變化并且保持電壓-V2恒定。因此，存在其中能夠穩(wěn)定保證驅(qū)動(dòng)裕量的優(yōu)點(diǎn)。在撤除周期SD期間，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。無光放電使得在掃描電極Y上累積的過多的負(fù)極性的壁電荷將被擦除，以及在尋址電極X上累積的過多的正極性的壁電荷將被擦除。結(jié)果，所有放電單元具有對于尋址最優(yōu)的均勻壁電荷分布。
圖15示出了說明在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中第一子場的驅(qū)動(dòng)波形的波形。
參考圖15，在根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中，在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間，不將傾斜波形施加到維持電極Z，而是，將以方波形式的維持電壓施加到維持電極Z，使得在維持電極Z上累積負(fù)的壁電荷。在撤除周期SD期間，將方波提供給維持電極Z，使得維持電極Z保持在正的偏壓。當(dāng)最大電壓的10％到90％之間的電壓被設(shè)置為短于10μs時(shí)，定義該方波。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP中，在將第一Y負(fù)傾斜波形NRY1施加到掃描電極Y之前，將正的維持電壓Vs施加到所有維持電極Z。就是說，在其中將方形的、維持電壓波形施加到維持電極Z的周期期間，將第一Y負(fù)傾斜波形NRY1施加到掃描電極Y。這是為了防止產(chǎn)生噪聲，而該噪聲可能通過在其中施加方形波的周期期間應(yīng)用第一Y負(fù)傾斜波形NRY1，因?yàn)樵诜叫尾ê偷谝籝負(fù)傾斜波形NRY1之間的干擾而發(fā)生。
第一Y負(fù)傾斜波形NRY1是其中對于掃描電極Y，電壓從0V，或基準(zhǔn)電壓GND下降到負(fù)電壓-V1的電壓。負(fù)電壓-V1可以大于將被施加到掃描電極Y的第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的負(fù)電壓電平-V2(將在下面描述)。但是，優(yōu)選的，可以將負(fù)電壓-V1設(shè)置為與第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的負(fù)電壓電平-V2相等。在后一個(gè)情況中，因?yàn)橛糜趯?shí)現(xiàn)第一Y負(fù)傾斜波形NRY1和第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓電平的電源可以是相同電源，能夠節(jié)省成本。另外，被施加到維持電極Z的方形波的電壓電平大于將在下面描述的掃描偏壓Vyb。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間，將0V施加到尋址電極X。被加到維持電極Z的正的維持電壓Vs和被加到掃描電極Y的第一Y負(fù)傾斜波形NRY1引起在所有放電單元中、在掃描電極Y和維持電極Z之間以及在維持電極Z和尋址電極X之間發(fā)生無光放電。作為這個(gè)放電的結(jié)果，初始化所有放電單元使得它們正好在預(yù)復(fù)位周期PRERP之后具有如圖7a所示的壁電荷分布。
在復(fù)位周期RP的建立周期SU中，將第一Y正傾斜波形PRY1和第二Y正傾斜波形PRY2循序加到所有掃描電極Y，同時(shí)將0V加到維持電極Z和尋址電極X。第一Y正傾斜波形PRY1的電壓從0V升高到正的維持電壓Vs，并且第二Y正傾斜波形PRY2的電壓從正的維持電壓Vs升高到正的Y復(fù)位電壓Vry。第一波形PRY1的斜率和第二Y正傾斜波形PRY2的斜率相同。當(dāng)?shù)谝籝正傾斜波形PRY1和在放電單元中的在掃描電極Y和維持電極Z之間形成的電場的電壓被累加時(shí)，在所有放電單元中，在掃描電極Y和維持電極Z之間以及在掃描電極Y和尋址電極X之間發(fā)生無光放電。作為這個(gè)放電的結(jié)果，正好在建立周期SU之后，具有如圖7b所示的分布的壁電荷在所有放電單元上累積。
在復(fù)位周期RP的撤除周期SD中，將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y，并且將Z偏壓Vzb的方波施加到維持電極Z。第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從正的維持電壓Vs下降到負(fù)電壓-V2。在撤除周期SD期間，通過在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間在放電單元上累積的壁電荷的幫助，在掃描電極Y和維持電極Z之間集中的產(chǎn)生無光放電。作為無光放電的結(jié)果，初始化放電單元使得它們具有如圖7c所示的壁電荷分布。
在尋址周期AP中，當(dāng)將負(fù)的掃描脈沖-SCNP循序加到掃描電極Y時(shí)，和掃描脈沖-SCNP同步將正的數(shù)據(jù)脈沖DP加到尋址電極X。在尋址周期AP期間，將低于正的維持電壓Vs的正的Z偏壓Vzb施加到維持電極Z。
當(dāng)最優(yōu)調(diào)整所有放電單元的間隙電壓用于尋址時(shí)，正好在復(fù)位周期RP之后，僅在打開單元的掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生尋址放電，其中當(dāng)在電極Y、X之間的間隙電壓超過啟動(dòng)電壓Vf時(shí)將掃描電壓Vsc和數(shù)據(jù)電壓Va施加到打開單元。在產(chǎn)生尋址放電的打開單元中的壁電荷分布和如圖7d所示的相同。正好在產(chǎn)生尋址放電之后，當(dāng)正極性的壁電荷累積在掃描電極Y上并且負(fù)極性的壁電荷累積在尋址電極X上，利用尋址放電，在打開單元中的壁電荷分布被改變，如圖7e所示。
維持周期SP基本上和上述實(shí)施例的相同。因此，省略其描述。
圖16是用于用在根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中的波形。更為具體的說，圖16示出了在剩余的子場SFn-1期間施加的驅(qū)動(dòng)波形(其中，n是大約2的正整數(shù))。
參考圖16，在根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中，不分配另外的預(yù)復(fù)位周期PRERP。在撤除周期SD期間，將從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降的電壓施加到掃描電極Y，并且將在維持電極Z上的電壓保持在0V或基準(zhǔn)電壓GND。另外，不在第n-1個(gè)子場的維持周期和第n個(gè)子場的復(fù)位周期之間產(chǎn)生擦除放電。
在子場SFn2到SFn的每一個(gè)中，在復(fù)位周期RP的撤除周期SD期間，將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y，并且將基準(zhǔn)電壓GND或0V加到維持電極Z和尋址電極X。建立周期SU、尋址周期AP和維持周期SP基本上和如圖8所示的相同。因此，為了避免冗余省略其詳細(xì)描述。在建立周期SU中的復(fù)位電壓Vry被設(shè)置到低于第一子場中的復(fù)位電壓的電壓，因?yàn)橄啾鹊谝蛔訄?，大量壁電荷在放電單元中累積。
不像上述實(shí)施例，第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降到負(fù)電壓-V2以減小撤除周期。在撤除周期SD中，通過在尋址電極X上的壁電荷(其因?yàn)檎麄€(gè)子場的維持放電的緣故而累積)的幫助，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。無光放電使得擦除在掃描電極Y上累積的過多的負(fù)極性的壁電荷，并擦除在尋址電極X上累積的過多的正極性的壁電荷。
如果第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降，撤除周期SD相比上述實(shí)施例變短。另外，雖然第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓低于0V或基準(zhǔn)電壓，在掃描電極Y和維持電極Z之間的電壓差值很小。在本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備中，進(jìn)一步穩(wěn)定初始化，同時(shí)更為有效地禁止在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電。因此，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)闇p少了撤除周期SD，可獲得更多的驅(qū)動(dòng)時(shí)間并且可以更為穩(wěn)定地執(zhí)行撤除周期SD的初始化操作。
根據(jù)圖15和16的實(shí)施例的維持驅(qū)動(dòng)電路不將傾斜波形施加到維持電極Z。因此，在使用現(xiàn)有維持電極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，可以通過僅控制時(shí)序來容易地實(shí)現(xiàn)維持驅(qū)動(dòng)電路(也就是，因?yàn)殡妷弘娖奖３趾愣?。因此，可以以更少的成本獲得或?qū)崿F(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的維持驅(qū)動(dòng)電路。
同時(shí)，為了使用由整個(gè)子場的維持放電累積在尋址電極X上的壁電荷，在先前幀的最后一個(gè)子場的維持周期和當(dāng)前幀的第一子場的預(yù)復(fù)位周期PRERP之間沒有擦除放電。在第一子場的維持周期SP和下一個(gè)子場的建立周期SU之間不存在擦除放電。圖17示出了其中將圖15和16的驅(qū)動(dòng)波形施加到在一個(gè)幀周期期間的驅(qū)動(dòng)波形的實(shí)例。
圖18示出了用于在根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中的波形。
參考圖18，在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間，僅將傾斜波形加到維持電極Z。
在本發(fā)明中，復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP基本上和如圖6所示的相同。因此，為了簡明省略詳細(xì)說明。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP中，將其電壓從正的維持電壓Vs上升到正的Z復(fù)位電壓Vrz的Z正傾斜波形PRZ施加到所有維持電極Z。在這個(gè)周期期間，也將0V或基準(zhǔn)電壓GND施加到掃描電極Y和尋址電極X。該Z正傾斜波形PRZ使得在所有放電單元之中在掃描電極Y和維持電極Z之間以及在維持電極Z和尋址電極X之間發(fā)生無光放電。作為結(jié)果，正好在預(yù)復(fù)位周期PRERP之后，在所有放電單元中，正極性的壁電荷在掃描電極Y上累積，并且大量負(fù)極性的壁電荷在維持電極Z上累積。正極性的壁電荷也在尋址電極X上累積。在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間的放電及其效果類似于圖6的實(shí)施例的。因此，本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于因?yàn)閮H將傾斜波形施加到維持電極Z，可以容易地控制掃描電極驅(qū)動(dòng)電路，而且當(dāng)與圖6的實(shí)施例相比時(shí)，仍然能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)復(fù)位周期PRERP的放電效果。
圖19示出了用于用在根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中的波形。參考圖19，在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間，僅將傾斜波形加到掃描電極Y。
在本發(fā)明中，復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP基本上和如圖6所示的實(shí)施例的相同。因此，為了簡明省略詳細(xì)說明。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP中，將其電壓從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降到負(fù)電壓-V1的第一Y負(fù)傾斜波形NRY1加到所有掃描電極Y。在這個(gè)周期期間，也將0V或基準(zhǔn)電壓GND施加到維持電極Z和尋址電極X。第一Y負(fù)傾斜波形NRY1使得在所有放電單元之中，在掃描電極Y和維持電極Z之間以及在維持電極Z和尋址電極X之間發(fā)生無光放電。作為結(jié)果，正好在預(yù)復(fù)位周期PRERP之后，在所有放電單元中，正極性的壁電荷在掃描電極Y上累積，而負(fù)極性的壁電荷在維持電極Z上累積。正極性的壁電荷也在尋址電極X上累積。在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間的放電及其效果類似于圖6的實(shí)施例。因此，本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于因?yàn)閮H將傾斜波形施加到掃描電極Y，可以容易地控制掃描電極驅(qū)動(dòng)電路，而且當(dāng)和圖6的實(shí)施例相比時(shí)，仍然能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)復(fù)位周期PRERP的放電效果。
圖18和19的驅(qū)動(dòng)波形不僅限于第一子場，而是可以以和圖6的實(shí)施例相同的方式，應(yīng)用于包括第一子場的幾個(gè)子場和包括在幀周期中的剩余子場。另外，以和圖8相同的方式，能夠省略在剩余子場中的預(yù)復(fù)位周期PRERP。
圖20示出了用于用在根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中的第一子場中的驅(qū)動(dòng)波形。圖21示出了根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的用于在第n-1個(gè)子場SFn-1和第n個(gè)子場SFn(其中，n是大約2的正整數(shù))的維持周期SP的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖20和21，在根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中，對于每個(gè)子場，在撤除周期SD期間，將從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降的電壓施加到掃描電極Y，使得在建立周期SU期間初始化的所有放電單元的壁電荷分布均勻。
第一子場包括預(yù)復(fù)位周期PRERP、復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP，如圖20所示，并且剩余的子場SFn包括復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP，如圖21所示。就是說，在除了第一子場的子場中，預(yù)復(fù)位周期PRERP能被省略。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP、復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP的每一個(gè)期間的操作基本上和上述實(shí)施例的相同。因此，省略其詳細(xì)描述。
在子場SFn-1、SFn的每一個(gè)中，在復(fù)位周期RP的撤除周期SD期間，當(dāng)將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y時(shí)，將第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2施加到維持電極Z。不像上述實(shí)施例，第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降到負(fù)的電壓-V2。第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2的電壓從正的維持電壓Vs下降到0V或基準(zhǔn)電壓GND。因?yàn)閽呙桦姌OY和維持電極Z的電壓在撤除周期SD期間的相同時(shí)間降低，在它們之間不產(chǎn)生放電。相反的，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。該無光放電使得在掃描電極Y上累積的過多負(fù)極性的壁電荷被擦除，并且在尋址電極X上累積的過多的正極性的壁電荷被擦除。
如果第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓下降，相比上述實(shí)施例縮短了撤除周期SD。另外，雖然第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓下降，在掃描電極Y和維持電極Z之間的電壓差值很小。因此，在本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備中，可以更為穩(wěn)定地執(zhí)行初始化，同時(shí)更為有效地禁止在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電。這樣，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)闇p少了撤除周期SD，可以獲得更多的驅(qū)動(dòng)時(shí)間并更為穩(wěn)定的執(zhí)行撤除周期SD的初始化操作。
圖22示出了用于用在根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中的第一子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形。圖23是用于根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的第n-1個(gè)子場SFn-1和第n個(gè)子場SFn的維持周期SP的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖22和23，在根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中，對于每個(gè)子場，在撤除周期SD期間，將從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降的電壓施加到掃描電極Y，同時(shí)將在維持電極Z上的電壓保持在0V或基準(zhǔn)電壓GND。因此在建立周期SU中初始化的所有放電單元的壁電荷分布變得均勻。
第一子場包括預(yù)復(fù)位周期PRERP、復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP，如圖22所示，并且剩余的子場SFn包括復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP，如圖23所示。就是說，在除了第一子場的子場中，省略預(yù)復(fù)位周期PRERP。
在預(yù)復(fù)位周期PRERP、復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP的每一個(gè)期間的操作和圖20和21的相同。因此，省略其詳細(xì)描述。
參考圖22和23，在根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中，維持電極Z的電壓被保持在0V或基準(zhǔn)電壓GND，同時(shí)被在撤除周期SD期間施加到掃描電極Y的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降。在第n-1子場(其中，n大于等于2)的維持周期和第n子場的預(yù)復(fù)位周期PRERP期間都沒有擦除放電。
在子場SFn-1、SFn的每一個(gè)中，在復(fù)位周期RP的撤除周期SD期間，將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y。在這個(gè)周期期間，還將0V或基準(zhǔn)電壓GND施加到維持電極Z和尋址電極X。第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓GND下降到負(fù)電壓-V2。在第二子場之后的子場中，通過由于在撤除周期SD期間先前子場的維持放電而累積在尋址電極X上壁電荷的幫助，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。無光放電使得在掃描電極Y上累積的過多負(fù)的壁電荷被擦除和在尋址電極X上累積的過多正的壁電荷被刪除。在第一子場中，在撤除周期SD期間，通過在預(yù)復(fù)位周期PRERP期間累積在尋址電極X上的壁電荷的幫助在掃描電極和尋址電極之間產(chǎn)生無光放電。該無光放電使得在掃描電極上的過多的負(fù)壁電荷擦除，以及在尋址電極上過多的正的壁電荷被擦除。
如果第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓下降，相比上述的一些實(shí)施例，撤除周期SD縮短。另外，雖然第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓低于0V或基準(zhǔn)電壓，在掃描電極Y和維持電極Z之間的電壓差值很小。因此，在本實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備中，初始化更為穩(wěn)定并且更為有效的禁止在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電。另外，當(dāng)和圖20和21的實(shí)施例相比時(shí)，本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于因?yàn)樵诔烦芷赟D期間僅將傾斜波形加到掃描電極Y，可以更為容易地控制維持電極驅(qū)動(dòng)電路。因此，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)槌烦芷赟D的減少可獲得更多的驅(qū)動(dòng)時(shí)間，并且能夠更為容易地控制維持電極驅(qū)動(dòng)電路。
圖24示出了用于用在根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中的第一子場周期中的驅(qū)動(dòng)波形。圖25示出了在根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中，在第n-1個(gè)子場SFn-1和第n個(gè)子場SFn的維持周期SP期間的驅(qū)動(dòng)波形。
參考圖24和25，在根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中，在撤除周期SD期間，在每個(gè)子場的撤除周期SD期間將正的偏壓加到尋址電極。
第一子場包括預(yù)復(fù)位周期PRERP、復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP，如圖24所示，并且剩余的子場SFn包括復(fù)位周期RP、尋址周期AP和維持周期SP，如圖25所示。就是說，在除了第一子場的子場中，預(yù)復(fù)位周期PRERP被省略。
預(yù)復(fù)位周期PRERP、建立周期SU、尋址周期AP和維持周期SP的操作基本上和上述關(guān)于圖6的實(shí)施例的相同。因此為了簡明省略其詳細(xì)描述。
在每個(gè)子場SFn-1、SFn中，在復(fù)位周期RP的撤除周期SD期間，當(dāng)將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y時(shí)，將第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2施加到維持電極Z。第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從正的維持電壓Vs下降到負(fù)電壓-V2。作為選擇的，第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓能夠從0V或基準(zhǔn)電壓下降，如在圖20到23的實(shí)施例中。同時(shí)，第二Z負(fù)傾斜波形NRZ2的電壓從正的維持電壓Vs下降到0V或基準(zhǔn)電壓。在這個(gè)周期期間，還將正極性的偏壓施加到尋址電極X。例如，偏壓可以是和數(shù)據(jù)電壓Va相等的電壓，因?yàn)閽呙桦姌OY和維持電極Z的電壓同時(shí)降低，在它們之間不產(chǎn)生放電。相反的，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。在尋址電極X的正極性的偏壓增加在尋址電極X和掃描電極Y之間的電壓差值，因此使得在建立周期SU中更為迅速地發(fā)生無光放電。這還延長了產(chǎn)生無光放電的時(shí)間。因此，即使在各個(gè)放電單元之間的放電特性中的偏差很嚴(yán)重，該偏壓在每個(gè)放電單元中引起無光放電發(fā)生一次，由此進(jìn)一步增加了在所有放電單元中壁電荷分布的均勻性。
再一次，在圖20、22和24中所示的驅(qū)動(dòng)波形不限于第一子場，而是可以應(yīng)用于包括第一子場的一個(gè)或多個(gè)子場。還可以應(yīng)用于幀中的所有子場。
圖26示出了用在根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法中的波形。參考圖26，在復(fù)位周期RP期間，維持電極Z的電壓被保持在基準(zhǔn)電壓。
在本發(fā)明中，預(yù)復(fù)位周期PRERP、復(fù)位周期RP的建立周期SU、尋址周期AP和維持周期SP和上述實(shí)施例相同。因此省略其詳細(xì)描述。
在復(fù)位周期RP的撤除周期SD期間，將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y，并且將基準(zhǔn)電壓GND施加到維持電極Z。在這個(gè)周期期間，在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。該無光放電使得在掃描電極Y上累積的過多負(fù)極性的壁電荷被擦除，并且在尋址電極X上累積的過多正極性的壁電荷被擦除。結(jié)果，所有放電單元具有對于尋址的目的最優(yōu)的均勻的壁電荷分布。
在本實(shí)施例中，僅在掃描電極Y和尋址電極X之間引起在撤除周期SD期間產(chǎn)生的無光放電。結(jié)果，僅在掃描電極Y和尋址電極X之間利用在放電單元中的壁電荷分布來產(chǎn)生尋址放電。為了這個(gè)原因，縮短了尋址需要的時(shí)間。下面將結(jié)合圖26-29做出其詳細(xì)描述。
在圖6、7、18-26中，在尋址周期AP期間施加到維持電極Z的正Z偏壓Vzb低于維持電壓Vs和掃描電壓Vsc，使得可以在掃描電極Y和尋址電極X之間發(fā)生尋址放電。
圖27是示出了根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施的施加到除第一子場以外的子場的驅(qū)動(dòng)波形的一部分的波形。圖28a-28d示出了在放電單元中的壁電荷分布，其根據(jù)如圖27所示的驅(qū)動(dòng)波形一步一步地改變。
參考圖27，如果在所有子場中具有寬的脈沖寬度的最后一個(gè)維持脈沖LSTSUSP被施加到維持電極Z，則在掃描電極Y和維持電極Z之間產(chǎn)生維持放電。在放電單元中，利用最后一個(gè)維持放電，在掃描電極Y上累積正極性的壁電荷、在維持電極Z上累積負(fù)極性的壁電荷，以及在尋址電極X上累積正極性的壁電荷，如圖28所示。
在復(fù)位周期RP的建立周期SU中，將第一Y正傾斜波形PRY1和第二Y正傾斜波形PRY2連續(xù)施加到所有掃描電極Y，并且將0V施加到維持電極Z和尋址電極X。第一Y正傾斜波形PRY1的電壓從0V上升到正的維持電壓Vs。第二Y正傾斜波形PRY2的電壓從正的維持電壓Vs上升到正的Y復(fù)位電壓Vry。正的Y復(fù)位電壓Vry低于正的Z復(fù)位電壓Vrz，并且意在在正的Z復(fù)位電壓Vrz和正的維持電壓Vs之間。第二Y正傾斜波形PRY2的斜率低于第一Y正傾斜波形PRY1的斜率。由于第一Y正傾斜波形PRY1和與在放電單元中在掃描電極Y和尋址電極X之間形成的電場相關(guān)的電壓的緣故，在所有放電單元中在掃描電極Y和維持電極Z之間以及掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電。作為這個(gè)放電的結(jié)果，正好在建立周期SU之后，因?yàn)樵谒蟹烹妴卧袙呙桦姌OY和維持電極Z之間的間隙周圍負(fù)極性的壁電荷在掃描電極Y上累積，如圖28b所示，壁電荷的極性從正極性倒轉(zhuǎn)為負(fù)極性。這樣，更多的正極性的壁電荷在尋址電極X上累積。另外，累積在維持電極Z上的壁電荷減少。特別的，負(fù)極性的壁電荷向著掃描電極Y減少，如圖28b所示。
在復(fù)位周期RP的撤除周期SD中，當(dāng)將第二Y負(fù)傾斜波形NRY2施加到掃描電極Y時(shí)，將基準(zhǔn)電壓GND或0V施加到維持電極Z和尋址電極X。第二Y負(fù)傾斜波形NRY2的電壓從正的維持電壓Vs下降到負(fù)的電壓-V2。在其中應(yīng)用這些驅(qū)動(dòng)電壓的撤除周期SD中，正極性的壁電荷在尋址電極X上累積。這樣，僅在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生無光放電，如圖28c所示。無光放電使得在掃描電極Y上累積的過多的負(fù)極性的壁電荷被擦除，并且在尋址電極X上累積的過多的正極性的壁電荷被擦除。結(jié)果，所有壁電荷具有對于尋址最優(yōu)的均勻壁電荷分布。
在尋址周期AP中，當(dāng)將負(fù)的掃描脈沖-SCNP循序加到掃描電極Y時(shí)，和掃描脈沖-SCNP同步地將正的數(shù)據(jù)脈沖DP施加到尋址電極X。掃描脈沖-SCNP的電壓是Vsc，其從0V或在0V附近的負(fù)的掃描偏壓Vyb下降到負(fù)的掃描電壓-Vy。數(shù)據(jù)脈沖DP的電壓是正的數(shù)據(jù)電壓Va。在尋址周期AP期間，將低于掃描電壓Vsc但是高于正的維持電壓Vs的正的Z偏壓Vzb加到維持電極Z。其中，正好在復(fù)位周期RP之后，所有放電單元的間隙電壓被最優(yōu)的調(diào)整用于尋址，僅在打開單元中的掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生尋址放電，其中當(dāng)在電極Y和X之間的間隙電壓超過啟動(dòng)電壓Vf時(shí)，將掃描電壓Vsc和數(shù)據(jù)電壓Va施加到打開單元。在這時(shí)，因?yàn)樵趻呙桦姌OY靠近在掃描電極Y和維持電極Z的間隙的一側(cè)和尋址電極X之間產(chǎn)生尋址放電，放電延時(shí)被縮短。在尋址放電的情況下，如圖28d所示的，在打開單元中的壁電荷分布將改變。
同時(shí)，其中將0V或基準(zhǔn)電壓加到尋址電極X，或?qū)?V或掃描偏壓Vyb加到掃描電極Y的關(guān)閉單元具有小于啟動(dòng)電壓的間隙電壓。因此，在關(guān)閉單元中沒有尋址放電，并且壁電荷分布基本上和如圖28c所示的相同。
維持周期SP基本上和上述實(shí)施例的相同。因此，為了簡明省略其詳細(xì)說明。
圖29示出了在掃描電極Y和維持電極Z之間的外部施加的電壓以及在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電單元間隙電壓之間的差值，假定在圖27的驅(qū)動(dòng)波形中，正的維持電壓Vs是80V，正的Y復(fù)位電壓Vry是180V，負(fù)的掃描偏壓-Vy是200V，并且Z偏壓Vzb是100V。在圖29中，Vfyz和Vfzy表示在掃描電極Y和維持電極Z之間的啟動(dòng)電壓。
圖30示出了在掃描電極Y和維持電極Z之間的外部施加的電壓以及在掃描電極Y和維持電極Z之間的放電單元間隙電壓之間的差值，假定在圖27的驅(qū)動(dòng)波形中，正的維持電壓Vs是80V，正的Y復(fù)位電壓Vry是180V，負(fù)的掃描偏壓-Vy是200V，并且Z偏壓Vzb是100V。在圖30中，Vfyx和Vfxy表示在掃描電極Y和維持電極Z之間的啟動(dòng)電壓。
圖31示出了根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的用于等離子顯示設(shè)備的驅(qū)動(dòng)波形。參考圖31，在維持周期SP和復(fù)位周期RP之間不存在擦除放電。利用在每個(gè)子場中產(chǎn)生的維持放電，使用在尋址電極上累積的正極性的壁電荷來產(chǎn)生撤除放電和尋址放電。另外，依照根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法，在撤除周期SD期間，維持電極Z的電壓保持在基準(zhǔn)電壓GND或0V，并且使用在所有子場中的尋址電極X上累積的壁電荷。因此，僅在掃描電極Y和尋址電極X之間產(chǎn)生撤除放電和尋址放電。
另外，在建立周期SU之前，壁電荷在各個(gè)放電單元中充分累積。因此，在子場SF2-SFn中復(fù)位電壓Vry能被降低。另外，在子場SF2-SFn期間，可以僅使用維持電壓Vs在所有放電單元產(chǎn)生建立放電，而不用增加電壓到復(fù)位電壓Vry。
作為應(yīng)用圖31的驅(qū)動(dòng)波形到PDP的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)尋址放電延遲值，也就是，抖動(dòng)值對于下一個(gè)子場顯著減少。另外，如圖31所示，以和圖15相同的方式，在第一子場的預(yù)復(fù)位周期PRERP中，將正的偏壓VS(方波)施加到維持電極，同時(shí)將第一Y負(fù)傾斜波形NRY1施加到掃描電極。另外，在復(fù)位周期的建立周期SU中，在將第一Y正傾斜波形PRY1和第二Y正傾斜波形PRY2連續(xù)施加到掃描電極之后，在撤除周期SD中施加第二Y負(fù)傾斜波形NRY2。在本發(fā)明中，在撤除周期SD中，維持電極保持在0V或基準(zhǔn)電壓。
圖32是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備的配置的框圖。參考圖32，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的等離子顯示設(shè)備包括PDP180，用于提供數(shù)據(jù)給PDP180的尋址電極X1-Xm的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182，用于驅(qū)動(dòng)PDP180的掃描電極Y1到Y(jié)n的掃描驅(qū)動(dòng)單元183，用于驅(qū)動(dòng)PDP180的維持電極Z的維持驅(qū)動(dòng)電路184，用于控制各個(gè)驅(qū)動(dòng)單元182、183和184的時(shí)序控制器181，以及用于產(chǎn)生各個(gè)驅(qū)動(dòng)單元182、183和184所需的驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓發(fā)生器185。
雖然在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182中沒有示出，將通過反向伽馬修正電路和錯(cuò)誤擴(kuò)散電路等經(jīng)歷反向伽馬修正和錯(cuò)誤擴(kuò)散的數(shù)據(jù)通過子場映射電路映射到預(yù)定的子場圖形。在預(yù)復(fù)位周期PRERP、復(fù)位周期RP和維持周期SP期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182將0V或基準(zhǔn)電壓施加到尋址電極X1-Xm，如圖6、8、14-26、27和31所示。另外，在復(fù)位周期RP的撤除周期SD中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182能夠提供來自驅(qū)動(dòng)電壓發(fā)生器185的正的偏壓(比如數(shù)據(jù)電壓Va)給尋址電極X1-Xm，如圖24和25所示。另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182在時(shí)序控制器181的控制下采樣和鎖存數(shù)據(jù)，并且在尋址周期AP期間提供采樣的數(shù)據(jù)給尋址電極X1-Xm。
在時(shí)序控制器181的控制下，在預(yù)復(fù)位周期PRERP和復(fù)位周期RP期間，掃描驅(qū)動(dòng)單元183提供傾斜波形NRY1、PRY1、PRY2和NRY2給掃描電極Y1-Yn，以初始化所有放電單元，并且之后在尋址周期AP期間，連續(xù)提供掃描脈沖SCNP給掃描電極Y1-Yn以選擇從其提供數(shù)據(jù)的掃描線，如圖6、8、14-26、27和31所示。另外，掃描驅(qū)動(dòng)單元183提供掃描脈沖FSTSUSP、SUSP給掃描電極Y1-Yn，使得能夠在維持周期SP期間在所選打開單元中產(chǎn)生維持放電。
在時(shí)序控制器181的控制下，在預(yù)復(fù)位周期PRERP和復(fù)位周期RP期間，維持驅(qū)動(dòng)單元184提供傾斜波形PRZ、NRZ1和NRZ2給維持電極Z，以初始化所有放電單元，并且之后在尋址周期AP期間提供Z偏壓Vzb給維持電極Z，如圖6、8、14-26、27和31所示。另外，在維持周期SP期間，維持驅(qū)動(dòng)單元184提供維持脈沖FSTSUSP、SUSP和LSTSUSP給維持電極Z，同時(shí)與掃描驅(qū)動(dòng)單元183交替工作。
時(shí)序控制器181接收垂直和水平同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)以產(chǎn)生需要用于各個(gè)驅(qū)動(dòng)單元182、183和184的時(shí)序控制信號(hào)CTRX、CTRY和CTRZ，并且提供時(shí)序控制信號(hào)CTRX、CTRY和CTRZ給相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元182、183和184，從而控制各個(gè)驅(qū)動(dòng)單元182、183和184。提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元182的時(shí)序控制信號(hào)CTRX包括用于采樣數(shù)據(jù)的采樣時(shí)鐘、鎖存控制信號(hào)和用于控制能量回收電路和驅(qū)動(dòng)開關(guān)元件的接通/斷開時(shí)間的開關(guān)控制信號(hào)。提供給掃描驅(qū)動(dòng)單元183的時(shí)序控制信號(hào)CTRY包括用于控制能量回收電路和在掃描驅(qū)動(dòng)單元183中的驅(qū)動(dòng)開關(guān)元件的接通/斷開時(shí)間的開關(guān)控制信號(hào)。另外，提供給維持驅(qū)動(dòng)單元184的時(shí)序控制信號(hào)CTRZ包括用于控制能量回收電路和在維持驅(qū)動(dòng)單元184中的驅(qū)動(dòng)開關(guān)元件的接通/斷開時(shí)間的開關(guān)控制信號(hào)。
驅(qū)動(dòng)電壓發(fā)生器185產(chǎn)生提供給PDP180的驅(qū)動(dòng)電壓，也就是，Vry，Vrz，Vs，-V1，-V2，-Vy，Va，Vyb，Vzb等，如圖6、8、14-26、27和31所示。同時(shí)，這些驅(qū)動(dòng)電壓能夠根據(jù)放電特性改變，而放電特性根據(jù)PDP180的分辨率、型號(hào)等，或者放電氣體的組成而變化。
如上所述，依照根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，在初始化放電單元之前，正極性的壁電荷在放電單元中的掃描電極上充分累積，而負(fù)極性的壁電荷在維持電極上充分累積。因此，能夠防止錯(cuò)誤放電、故障放電和非正常放電，并且在初始化過程期間產(chǎn)生的放電總數(shù)被減少。因此，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于它能夠增加無光空間對比度和拓寬工作裕量。另外，根據(jù)本發(fā)明，將在撤除周期SD期間產(chǎn)生的負(fù)的傾斜波形的電壓從0V或基準(zhǔn)電壓降低。因此，通過較少撤除周期SD保證了足夠的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。另外，通過在撤除周期SD期間應(yīng)用正的偏壓到尋址電極，在掃描電極和尋址電極之間產(chǎn)生的無光放電的放電時(shí)間變長。因此，能夠使得在所有放電單元中的壁電荷分布均勻。
另外，依照根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，在復(fù)位周期RP之前，在放電單元中形成足夠的壁電荷，并且因此在維持電壓中的所有放電單元中產(chǎn)生建立放電。因此可以降低建立操作需要的復(fù)位電壓。另外，在撤除周期SD和尋址周期期間，僅在掃描電極和尋址電極之間產(chǎn)生放電。因此可以減少尋址放電需要的時(shí)間。
這樣描述了本發(fā)明，很明顯可以做出多種修改。這種修改不應(yīng)該被認(rèn)為脫離本發(fā)明的精神和范圍，并且所有對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說很明顯的改變都意在被包括在下面權(quán)利要求的范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，在復(fù)位周期中將具有和第一波形的極性相反的極性方向的第一傾斜波形施加到第一電極，并且然后將具有與第一傾斜波形的極性相反的極性方向的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期中將具有與第一波形相反的極性方向的第二波形施加到第二電極，以及在復(fù)位周期中與第二傾斜波形同步將具有與第二傾斜波形相同的極性方向的第三傾斜波形加到第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一傾斜波形包括具有第一斜率的第一部分以及具有小于第一斜率的第二斜率的第二部分。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一傾斜波形的電壓小于第二波形的電壓。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第二波形包括從第一電壓變化到第二電壓的第一波形部分，并且其中該第一傾斜波形的最大電壓小于第二電壓。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該壁電荷在預(yù)復(fù)位周期期間在第一和第二電極上累積，并且其中該第一和第二電極的至少其中之一的壁電荷的極性在復(fù)位周期期間被保持不變。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該壁電荷在預(yù)復(fù)位周期期間在第一和第二電極上累積，并且其中在復(fù)位周期期間在放電單元中產(chǎn)生兩個(gè)或多個(gè)放電，以及其中在該該第一和第二電極的至少其中之一上累積的壁電荷的極性在復(fù)位周期期間保持不變。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元將電壓施加到第一和第二電極，以使得在復(fù)位周期的撤除周期期間，僅在第一和第三電極之間發(fā)生無光放電。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其進(jìn)一步包括第三驅(qū)動(dòng)單元，其在尋址周期期間將數(shù)據(jù)脈沖施加到第三電極，其中該第一、第二和第三驅(qū)動(dòng)單元分別將電壓施加到第一、第二和第三電極，以使得在尋址周期期間，僅在第一和第三電極之間發(fā)生無光放電。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其進(jìn)一步包括第三驅(qū)動(dòng)單元，其在尋址周期期間將數(shù)據(jù)脈沖施加到第三電極，其中該第一驅(qū)動(dòng)單元在尋址周期期間將掃描脈沖施加到第一電極，并且其中該第二驅(qū)動(dòng)單元施加偏壓，并且將電壓加到第一到第三電極以使得在尋址周期期間，僅在第一和第三電極之間發(fā)生無光放電，其中該偏壓低于和掃描脈沖相關(guān)的電壓，并且具有和掃描脈沖電壓相反的極性方向。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在至少一個(gè)子場期間分別將第一和第二波形施加到第一和第二電極，并且其中多個(gè)子場的至少其中之一包括復(fù)位周期和維持周期。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在多個(gè)子場的至少其中之一中省略預(yù)復(fù)位周期。
12.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示設(shè)備，其中，在除了第一子場的多個(gè)子場的至少其中之一中的維持周期和下一個(gè)復(fù)位周期之間沒有擦除周期。
13.如權(quán)利要求10所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在給定子場的維持周期期間分別將維持脈沖的序列交替施加到第一和第二電極，并且其中最后一個(gè)維持脈沖具有的脈沖寬度大于一個(gè)或多個(gè)先前的維持脈沖的脈沖寬度。
14.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該等離子顯示設(shè)備進(jìn)一步包括顯示面板，并且當(dāng)在預(yù)復(fù)位周期期間將第一波形加到第一電極和將第二波形加到第二電極時(shí)，所述顯示面板的內(nèi)部是至少40℃。
15.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且之后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第二波形施加到第二電極，以及在復(fù)位周期中與第二傾斜波形同步將與第二傾斜波形極性方向相同的第三傾斜波形施加到第二電極，其中該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在多個(gè)子場的每一個(gè)中將波形施加到第一和第二電極，其中單個(gè)幀包括多個(gè)子場，并且其中該預(yù)復(fù)位周期出現(xiàn)在單個(gè)幀的多個(gè)子場的至少其中之一中。
16.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，以及在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且之后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第二波形施加到第二電極，以及在復(fù)位周期中與第二傾斜波形同步施加與第二傾斜波形極性方向相同的第三傾斜波形，其中該第三傾斜波形在該第二傾斜波形到達(dá)基準(zhǔn)電壓之前達(dá)到基準(zhǔn)電壓并保持在基準(zhǔn)電壓。
17.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，以及在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且之后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一方波施加到第二電極，以及在復(fù)位周期中，施加與第二傾斜波形極性方向相反的第二方波。
18.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一波形在將第一方波施加到第二電極的時(shí)間周期中被施加到第一電極。
19.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第二驅(qū)動(dòng)單元在該第一驅(qū)動(dòng)單元將第一傾斜波形加到第一電極之前將第一方波施加到第二電極。
20.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第二方波的電壓小于該第一方波的電壓。
21.如權(quán)利要求17所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在多個(gè)子場的至少其中之一期間分別將波形施加到第一和第二電極，其中該至少一個(gè)子場包括維持周期。
22.如權(quán)利要求21所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在給定子場的維持周期期間，將維持脈沖的序列交替地施加到第一和第二電極，其中最后一個(gè)維持脈沖具有的脈沖寬度大于至少一個(gè)先前的維持脈沖的脈沖寬度，并且其中在第一子場之后的至少一個(gè)子場中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元省略預(yù)復(fù)位周期，該第一驅(qū)動(dòng)單元在復(fù)位周期期間施加來自基準(zhǔn)電壓的第二傾斜波形，并且該第二驅(qū)動(dòng)單元在復(fù)位周期期間省略第二方波。
23.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，以及在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且之后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一方波施加到第二電極，以及在復(fù)位周期中，施加與第二傾斜波形極性方向相反的第二方形波，其中該第一波形的電壓電平至少等于第二傾斜波形的電壓電平。
24.如權(quán)利要求23所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一波形的電壓電平等于該第二傾斜波形的電壓電平。
25.如權(quán)利要求24所述的等離子顯示設(shè)備，其進(jìn)一步包括電壓源，其中該電壓源產(chǎn)生第一波形和第二傾斜波形所需的電壓。
26.如權(quán)利要求18所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一方波的電壓電平大于在復(fù)位周期之后的尋址周期期間被施加到第二電極的偏壓。
27.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將基準(zhǔn)電壓施加到第一電極，以及在復(fù)位周期中將第一傾斜波形施加到第一電極，并且然后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期期間將具有與第一波形相同的極性方向的第三傾斜波形施加到第二電極，并且之后將具有與第二波形相同的極性方向的第四傾斜波形施加到第二電極，以及在復(fù)位周期中，將具有與第二傾斜波形相同的極性方向的第五傾斜波形施加到第二電極。
28.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，以及在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且然后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期期間將基準(zhǔn)電壓施加到第二電極，并且在復(fù)位周期期間，將具有與第二傾斜波形相同的極性方向的第三傾斜波形施加到第二電極。
29.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，以及在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且然后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極，其中該第二傾斜波形從基準(zhǔn)電壓開始；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第二波形施加到第二電極，并且在復(fù)位周期期間，將具有與第二傾斜波形相同的極性方向的第三傾斜波形施加到第二電極。
30.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，以及在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且然后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極，其中該第二傾斜波形從基準(zhǔn)電壓開始；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期期間將具有與第一波形相反的極性方向的第二波形施加到第二電極，并且在復(fù)位周期期間將基準(zhǔn)電壓施加到第二電極。
31.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形施加到第一電極，在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且然后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期期間將與第一波形極性方向相反的第二波形施加到第二電極，并且在復(fù)位周期期間將具有與第二傾斜波形相同的極性方向的第三傾斜波形施加到第二電極；以及第三驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期期間和第二傾斜波形同步，將與第二傾斜波形極性方向相反的第三方波加到第三電極。
32.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形加到第一電極，以及在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且然后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期期間將與第一波形極性方向相反的第二波形施加到第二電極，并且在復(fù)位周期期間將基準(zhǔn)電壓施加到第二電極。
33.如權(quán)利要求32所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在多個(gè)子場的至少其中之一中分別將波形施加到第一和第二電極，其中該至少一個(gè)子場包括維持周期周期和復(fù)位周期。
34.如權(quán)利要求32所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在復(fù)位周期的建立周期期間，將電壓施加到第一和第二電極，由此使得在復(fù)位周期的撤除周期期間，通過倒轉(zhuǎn)在第二電極的側(cè)面部分與第一電極相關(guān)聯(lián)的壁電荷的極性，來在第一電極的側(cè)面部分和第三電極之間發(fā)生無光放電。
35.如權(quán)利要求32所述的等離子顯示設(shè)備，其進(jìn)一步包括第三驅(qū)動(dòng)單元，其用于在尋址周期期間將數(shù)據(jù)脈沖施加到第三電極，其中該第一、第二和第三驅(qū)動(dòng)單元分別將電壓施加到第一、第二和第三電極，由此使得在尋址周期期間，在靠近第二電極的第一電極的側(cè)面部分和第三電極之間發(fā)生無光放電。
36.如權(quán)利要求33所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元在維持周期期間將維持脈沖交替地施加到第一和第二電極，其中，該維持周期的最后一個(gè)維持脈沖具有的脈沖寬度大于與至少一個(gè)前面的維持脈沖相關(guān)聯(lián)的脈沖寬度，并且其中，在多個(gè)子場的至少一個(gè)中，該第一和第二驅(qū)動(dòng)單元省略預(yù)復(fù)位周期，并且該第一驅(qū)動(dòng)單元在復(fù)位周期期間從基準(zhǔn)電壓開始施加第二傾斜波形。
37.一種等離子顯示設(shè)備，其包括每個(gè)都具有第一電極和第二電極的表面放電電極對，與表面放電電極對交叉的第三電極；以及每個(gè)都被設(shè)置在表面放電電極對和第三電極的交叉點(diǎn)的多個(gè)放電單元，該等離子顯示設(shè)備還包括第一驅(qū)動(dòng)單元，其用于在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期中將第一波形加到第一電極，在復(fù)位周期中將與第一波形極性方向相反的第一傾斜波形施加到第一電極，并且然后將與第一傾斜波形極性方向相反的第二傾斜波形施加到第一電極；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，其用于在預(yù)復(fù)位周期期間，將具有與第一波形相反的極性方向的第一方波施加到第二電極，并且在復(fù)位周期期間將基準(zhǔn)電壓施加到第二電極。
38.一種等離子顯示設(shè)備，其包括第一基片，其包括至少一個(gè)電極；第二基片，其包括至少一個(gè)電極；以及多個(gè)放電單元，將其設(shè)置在第一基片和第二基片之間，其中，在初始化放電單元的復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期期間，將第一波形施加到第一基片，并且在復(fù)位周期中，將具有與第一波形相反的極性方向的第二波形施加到第一基片以初始化放電單元。
39.一種等離子顯示設(shè)備，其包括第一基片，其包括至少一個(gè)電極；第二基片，其包括至少一個(gè)電極；以及多個(gè)放電單元，將其設(shè)置在第一基片和第二基片之間，其中第一波形和具有與第二波形相反的極性方向的第二波形在初始化放電單元的復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期期間被施加到第一基片，并且在復(fù)位周期期間將具有與第一波形相反的極性方向的第三波形施加到第一基片以初始化放電單元。
40.一種等離子顯示設(shè)備，其包括第一基片，其包括至少一個(gè)電極；第二基片，其包括至少一個(gè)電極；以及多個(gè)放電單元，將其設(shè)置在第一基片和第二基片之間，其中，在初始化放電單元的復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期期間，將第一波形施加到第一基片，并且在復(fù)位周期期間將具有與第一波形相反的極性方向的第二波形施加到第一基片以初始化放電單元，同時(shí)至少一個(gè)電極保持在預(yù)復(fù)位周期期間在第一基片的至少一個(gè)電極中累積的電荷的極性。
41.一種等離子顯示設(shè)備，其包括第一基片，其包括至少一個(gè)電極；第二基片，其包括至少一個(gè)電極；以及多個(gè)放電單元，將其設(shè)置在第一基片和第二基片之間，其中在初始化放電單元的復(fù)位周期期間將基準(zhǔn)電壓施加到第一基片的至少一個(gè)電極。
42.如權(quán)利要求39所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該基準(zhǔn)電壓是0V或地(GND)電平電壓。
43.一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法，該等離子顯示設(shè)備包括分別具有至少一個(gè)電極的第一和第二基片，以及設(shè)置在第一基片和第二基片之間的多個(gè)放電單元，該方法包括步驟在初始化放電單元的復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期期間，將第一波形施加到第一電極；以及在復(fù)位周期中，將具有與第一波形相反的極性方向的第二波形施加到第一基片以初始化放電單元。
44.一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法，該等離子顯示設(shè)備包括分別具有至少一個(gè)電極的第一和第二基片，以及設(shè)置在第一基片和第二基片之間的多個(gè)放電單元，該方法包括步驟將第一波形和具有與第一波形相反的極性方向的第二波形在初始化放電單元的復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期期間被施加到第一基片；以及在復(fù)位周期期間將具有與第一波形相反的極性方向的第三波形施加到第一基片以初始化放電單元。
45.一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法，該等離子顯示設(shè)備包括分別具有至少一個(gè)電極的第一和第二基片，以及設(shè)置在第一基片和第二基片之間的多個(gè)放電單元，該方法包括步驟在初始化放電單元的復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期期間，將第一波形施加到第一基片，并且在復(fù)位周期期間將具有與第一波形相反的極性方向的第二波形加到第一基片以初始化放電單元，同時(shí)與第一基片相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)電極保持在預(yù)復(fù)位周期期間累積的電荷的極性。
46.一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示設(shè)備的方法，該等離子顯示設(shè)備包括分別具有至少一個(gè)電極的第一和第二基片，以及設(shè)置在第一基片和第二基片之間的多個(gè)放電單元，其中在初始化放電單元的復(fù)位周期期間，將基準(zhǔn)電壓加到與第一基片相關(guān)聯(lián)的至少一個(gè)電極。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其中，該基準(zhǔn)電壓是0V或地(GND)電平電壓。
48.一種等離子顯示設(shè)備，其包括第一電極，在復(fù)位周期之前的預(yù)復(fù)位周期期間，將第一波形施加到該第一電極；以及第二電極，在預(yù)復(fù)位周期期間將具有與第一波形相反的極性方向的第二波形施加到該第二電極。
49.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，在多個(gè)子場的至少一個(gè)子場期間將多個(gè)波形施加到第一和第二電極，其中至少一個(gè)子場包括復(fù)位周期和在復(fù)位周期之后的尋址周期，以及其中在復(fù)位周期之后和在尋址周期期間波形被加到第一電極的第一掃描脈沖之前將偏壓波形被加到第二電極。
50.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一波形是負(fù)的電壓波形，以及該第二波形是正的電壓波形。
51.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，將第一波形在第二波形施加到第二電極的時(shí)間周期期間施加到第一電極。
52.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一波形包括具有第一斜率的第一脈沖。
53.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第二波形是其最大電壓的10％到90％之間的電壓被設(shè)置為短于10μs的方波。
54.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一波形是其最大電壓的10％到90％之間的電壓被設(shè)置為短于10μs的方波。
55.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第二波形包括其中電壓逐漸變化的周期。
56.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該復(fù)位周期包括具有正的斜率的被施加到第一電極的第二傾斜脈沖，并且具有小于第二傾斜脈沖的斜率的正的斜率的第三傾斜脈沖被施加到第一電極。
57.如權(quán)利要求52所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一斜率在復(fù)位周期期間基本上等于至少一個(gè)脈沖的斜率。
58.如權(quán)利要求49所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第二波形的電壓大于該偏壓。
59.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第一波形的電壓基本上等于在尋址周期期間施加到第一電極的掃描脈沖電壓。
60.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該第二波形的電壓基本上等于在尋址周期之后的維持周期期間施加到第二電極的電壓。
61.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，在預(yù)復(fù)位周期中，正極性的壁電荷在第一電極中增加，而負(fù)極性的壁電荷在第二電極中增加。
62.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，在復(fù)位周期中，正極性的壁電荷在第一電極中減少，而負(fù)極性的壁電荷在第二電極中減少。
63.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該預(yù)復(fù)位周期從多個(gè)子場的至少一個(gè)之中被省略。
64.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該在一個(gè)子場的復(fù)位周期期間被施加到第一電極的最大電壓大于或基本上等于在另一子場的復(fù)位周期期間被施加到第一電極的最大電壓。
65.如權(quán)利要求48所述的等離子顯示設(shè)備，其中在一個(gè)子場的復(fù)位周期期間，相比另一子場的復(fù)位周期，電壓更為陡峭地從預(yù)定基準(zhǔn)電壓下降到0V或到地(GND)電壓電平。
66.如權(quán)利要求65所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該基準(zhǔn)電壓基本上等于與具有正極性的維持脈沖相關(guān)的電壓，該電壓在尋址周期之后的維持周期期間被施加。
67.如權(quán)利要求52所述的等離子顯示設(shè)備，其中，該等離子顯示設(shè)備進(jìn)一步包括顯示面板，并且當(dāng)在預(yù)復(fù)位周期期間將第一波形施加到第一電極和將第二波形施加到第二電極時(shí)，所述顯示面板的內(nèi)部是至少40℃。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，其能防止錯(cuò)誤放電、故障放電和非正常放電，增加無光空間對比度，并且拓寬工作裕量。根據(jù)等離子顯示設(shè)備及其驅(qū)動(dòng)方法，在預(yù)復(fù)位周期期間在放電單元中，將負(fù)電壓施加到第一電極，并且將正電壓施加到第二電極，從而在第一電極上累積正極性的壁電荷并且在第二電極上累積負(fù)極性的壁電荷。然后在復(fù)位周期期間使用放電單元的壁電荷的分布來初始化放電單元。
文檔編號(hào)G09G3/298GK1677462SQ20051006400
公開日2005年10月5日 申請日期2005年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月2日
發(fā)明者鄭允權(quán), 梁熙贊, 徐周源, 姜鳳求, 金軫榮 申請人:Lg電子株式會(huì)社