專利名稱：顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置的制造方法，特別涉及對驅(qū)動顯示裝置用的晶體管的制造方法進行改善的顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示裝置和電子發(fā)光顯示裝置等顯示裝置大型化進一步發(fā)展。然而，伴隨顯示裝置的大型化，產(chǎn)生了產(chǎn)生成品率變差，制造成本上升等問題。
向來，驅(qū)動顯示裝置用的TFT陣列基板(TFT薄膜晶體管)是在整個基板面上形成膜后，利用光刻法形成抗蝕劑掩模，使用該掩模，在所述形成的膜中，蝕刻去除不要的部分，通過反復進行這樣的工序進行制造(參照例如專利文獻1)。
但是，在TFT陣列基板上，形成TFT的區(qū)域極小，形成的膜的幾乎被蝕刻除去了?？傊纬傻哪缀醵甲鳛闊o用的東西被除去了。在光刻中，利用旋轉(zhuǎn)涂層法將抗蝕劑材料涂布于基板的整個面上，因此滴下來的抗蝕劑材料幾乎都從處理基板上飛散到周邊，被浪費了。這樣的被浪費材料就成了妨礙降低材料費用的主要原因。
在為制造大型顯示裝置所需要的大型制造裝置中，隨著處理室的容量的增大，例如，需要更大的抽氣量的真空裝置，因此導致設(shè)備費用的增加。又，達到規(guī)定的真空度需要的時間也增加，完成工序的時間也增加了。
因此，希望進行減少原材料費用及設(shè)備費用、工程時間、工序數(shù)目、能夠降低制造成本的顯示裝置的制造方法的研究。
專利文獻1特開平6-202153號公報發(fā)明內(nèi)容(本發(fā)明要解決的課題)鑒于上述問題，在本發(fā)明中，以提出使用局部形成抗蝕膜的單元、以及利用在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下的等離子體處理局部成膜、蝕刻或灰化的單元，以實現(xiàn)顯示裝置制造的低成本化的顯示裝置的制作方法作為課題。
(解決本課題所用的手段)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，具有在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下，局部形成導電膜，并形成配線的工序。
又，在大氣壓或接近于大氣壓壓力下，局部性導電膜的形成也可以使用具有等離子體發(fā)生用的電極的等離子體處理單元。
在這里，配線是指包含作為有源矩陣型的顯示裝置的像素部中的柵極配線和源極配線起作用的配線，此外還有從外部輸入端子向像素部傳送信號用的連接配線，以及將薄膜晶體管(TFT)與像素電極相連接用的配線等全部配線。
又，所述等離子體處理單元是在大氣壓或接近于大氣壓下(5～800torr)，能夠發(fā)生等離子體的單元，是具有至少一組等離子體發(fā)生用電極的等離子體處理單元。
又，在本發(fā)明中，不僅形成導電膜，也可以局部形成抗蝕膜、絕緣膜。又，在形成膜以外，也可以局部進行膜的蝕刻和灰化等。
又，本發(fā)明的其他顯示裝置的制造方法，將使用具有等離子體發(fā)生用電極的等離子體處理單元在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下局部形成的導電膜使用抗蝕劑掩模掩模進行蝕刻，進一步加工成精密的形狀。
又，在形成抗蝕劑掩模時，抗蝕膜也可以使用配設(shè)多個滴液噴出口的滴液噴出單元或配設(shè)多個液體吐出口的液體吐出單元等局部地形成。又，這樣局部形成的抗蝕膜也可以以保持不變的形狀作為抗蝕劑掩模使用，或者也可以在通過光刻加工成更精密的形狀后作為抗蝕劑掩模使用。通過這樣局部形成抗蝕膜，能夠比使用旋轉(zhuǎn)涂層法形成抗蝕膜大幅度地降低抗蝕劑的使用量。
又，蝕刻也可以是使用具有發(fā)生等離子體用的電極的等離子體處理單元，在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下，通過局部地將反應(yīng)氣體噴在被處理物上進行。這樣，通過在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下進行蝕刻處理，節(jié)省了蝕刻處理室抽真空所需要的時間并且省去了真空系統(tǒng)等設(shè)備。又，利用在局部上噴反應(yīng)氣體，能夠減少蝕刻工序中的反應(yīng)氣體使用量。
還有，蝕刻后不需要的抗蝕劑掩模也可以使用具有發(fā)生等離子體用的電極的等離子體處理單元，在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下，通過局部地將反應(yīng)氣體噴在被處理物上將其除去。
另一發(fā)明的顯示裝置的制造方法，使用具有發(fā)生等離子體用的電極的等離子體處理單元，在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下，在覆蓋薄膜晶體管的絕緣膜的表面上局部地噴反應(yīng)氣體，對所述絕緣膜的一部分進行蝕刻，以形成貫通所述絕緣膜的接觸孔。
又，等離子體處理單元是在大氣壓或接近大氣壓的壓力下(5～800torr)，能夠發(fā)生等離子體的處理單元，是至少具有一個發(fā)生等離子體用的電極的處理單元。
又，在對絕緣膜進行蝕刻時，也可以利用抗蝕劑掩模進行蝕刻。借助于此，能夠形成形狀更精密的接觸孔。又，在形成該抗蝕劑掩模時，如上所述，抗蝕膜可以使用配設(shè)多個液滴噴出口的液滴噴出單元或配設(shè)多個液體吐出口的液體吐出單元在局部形成。又，這樣局部形成的抗蝕膜也可以保持原狀作為抗蝕劑掩模使用，或在通過光刻加工成更精密的形狀后作為抗蝕劑掩模使用。
再者，蝕刻后不需要的抗蝕劑掩模，也可以如上所述使用具有發(fā)生等離子體用的電極的等離子體處理單元，在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下，通過局部地將反應(yīng)氣體噴在被處理物上來除去。
(發(fā)明的效果)采用本發(fā)明，能夠在制造工序中減少所使用的原材料的使用量及真空處理工序，降低顯示裝置的制造成本。還能使搭載這些顯示裝置的電子設(shè)備的價格降低。


圖1(A)～(C)是本發(fā)明的等離子體處理的說明圖。
圖2(A)、(B)是本發(fā)明的抗蝕膜形成方法的說明圖。
圖3是本發(fā)明的抗蝕膜形成方法的說明圖。
圖4(A)～(C)是本發(fā)明的抗蝕膜形成方法的說明圖。
圖5(A)、(B)是本發(fā)明的抗蝕膜形成方法的說明圖。
圖6(A)、(B)是本發(fā)明中用的等離子體處理裝置的說明圖。
圖7(A)～(E)是本發(fā)明中用的等離子體處理裝置的說明圖。
圖8(A)～(C)是本發(fā)明中用的接觸孔形成方法的說明圖。
圖9(A)～(E)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖10(A)～(F)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖11(A)～(C)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖12(A)～(C)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖13(A)～(C)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖14(A)、(B)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖15是對使用本發(fā)明的電子設(shè)備進行說明用的說明圖。
圖16是本發(fā)明的抗蝕膜形成方法的說明圖。
圖17(A)、(B)是本發(fā)明中用的等離子體處理裝置的說明圖。
圖18(A)～(E)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖19(A)～(E)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖20(A)～(C)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖21(A)～(C)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖22(A)、(B)是本發(fā)明的顯示裝置的制作方法的說明圖。
圖23(A)～(C)是關(guān)于本發(fā)明的等離子體處理的說明圖。
圖24是本發(fā)明中使用的等離子體處理單元的說明圖。
圖25是關(guān)于本發(fā)明的等離子體處理方法的說明圖。
具體實施例方式
以下參照附圖對本發(fā)明的最佳實施形態(tài)進行詳細說明。但是，本發(fā)明具有以多種不同形態(tài)實施的可能，不脫離本發(fā)明的宗旨及范圍的情況下，其形態(tài)及詳細內(nèi)容可以有種種變形，本行業(yè)的普通技術(shù)人員是容易理解的。從而，本發(fā)明并不能限于本實施形態(tài)所記載的內(nèi)容進行解釋。
實施形態(tài)1在本實施形態(tài)中，對使用圖2(A)、(B)所示的裝置局部形成抗蝕劑掩模的方法進行說明。
首先對圖2(A)所示的裝置進行說明。圖2(A)所示的是液滴噴出裝置的一個構(gòu)成例，圖3、圖4(A)～(C)所示的是使用于該液滴噴出裝置的配置多個噴嘴的液滴噴出單元部。
圖2(A)所示的液滴噴出裝置在裝置內(nèi)具備液滴噴出單元106，借助于此，通過噴出液滴，在被處理物102上得到所希望的圖案。
在圖2(A)中，被處理物102從搬入口104搬入到筐體101內(nèi)部，經(jīng)處理后，從搬出口105搬出。在筐體101的內(nèi)部，被處理物102搭載于搬送臺103，搬送臺103將搬入口與搬出口相連結(jié)，在導軌110a、110b上移動。
液滴噴出單元支持部107支持噴出液滴的液滴噴出單元106，與搬送臺103平行移動。將被處理物102搬入到筐體101內(nèi)部時，與此同時，液滴噴出單元支持部107配合著液滴噴出單元106進行最初的液滴噴出處理的規(guī)定位置移動。向液滴噴出單元106的初始位置的移動在被處理物搬入時或被處理物搬出時進行，這樣能夠高效地進行噴出處理。
液滴噴出處理在利用搬送臺103的移動使被處理物102到達液滴噴出單元106所等待的規(guī)定的位置后開始。液滴噴出處理利用液滴噴出單元支持部107和被處理物102相對移動與從支持于液滴噴出單元支持部107的液滴噴出單元106來的液滴噴出的組合實現(xiàn)。通過調(diào)節(jié)被處理物102和液滴噴出單元支持部107的移動速度、以及由液滴噴出單元106噴出液滴的周期，可以在被處理物102上形成所希望的圖案。最好是在進行有高精度要求的液滴噴出等處理時，使搬送臺103停止移動，只對容易控制的液滴噴出單元支持部107按順序進行掃描。又，由液滴噴出單元106的液滴噴出單元支持部107進行的掃描并不只限于同一方向，也可以通過往復或多次往復進行液滴噴出處理。
原料液體由設(shè)置于筐體101外部的原料液體供給部109對筐體內(nèi)部進行供給，再通過液滴噴出單元支持部107提供給到液滴噴出單元106內(nèi)部的液體室。該原料液體供給通過設(shè)置于筐體101外部的控制單元108進行控制，但是也可以通過內(nèi)藏于筐體101內(nèi)部的液滴噴出單元支持部107的控制單元進行控制。
又，搬送臺103及液滴噴出單元支持部107的移動也同樣利用設(shè)置于筐體101外部的控制單元108進行控制。
還可以根據(jù)需要設(shè)置與在被處理物102上預(yù)先形成的圖案對位置用的傳感器、向筐體101導入氣體的單元、筐體內(nèi)部抽氣用的單元、對基板進行加熱處理的單元、對被處理物進行光照射的單元、還有對溫度、壓力等種種物性值進行測定的單元等，雖然圖2(A)中未圖示。這些單元也可以通過設(shè)置于筐體101外部的控制單元108一起進行控制。
以下對液滴噴出單元106內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行說明。圖3是從長度方向看圖1(A)的液滴噴出單元106的剖面。在這里(未圖示)，與液滴噴出單元支持部連接。
由外部對液滴噴出單元內(nèi)部供給的原料液體在通過共同的液室流路122后，分配到吐出液滴用的各噴嘴129。各噴嘴部由為將原料液體裝填到噴嘴內(nèi)而設(shè)的流體阻擋部123、對原料液加壓將其吐出到噴嘴外部用的加壓室124，以及液滴噴出孔126構(gòu)成。
在加壓室124的側(cè)壁上配置具有因施加電壓而發(fā)生變形的鈦鋯酸鉛(即Pb(Zr、Ti)O3)等的壓電效應(yīng)的壓電元件125。因此，利用對配置于目標噴嘴的壓電元件125施加電壓的方法，擠壓加壓室124內(nèi)的液滴，可以將液滴127吐出到外部。而且各壓電元件利用與其連接的絕緣物絕緣，因此各元件不發(fā)生電氣接觸，可以控制從各個噴嘴的噴出。
在本實施形態(tài)中，記述了使用壓電元件的所謂壓電方式進行液滴噴出的方法，但是此外也可以使用使發(fā)熱體發(fā)熱產(chǎn)生氣泡擠壓出液滴的方法。在這種情況下，形成將壓電元件置換為發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)。
在液滴噴出用噴嘴部129中，原料液體與共同液室流路122、流體阻擋部123、加壓室124以及液滴噴出孔126的浸潤性是重要的。因此也可以在各流路上形成用于調(diào)整與各材質(zhì)的浸潤性的碳素膜、樹脂膜等。
利用上述單元，可以將液滴127滴到被處理物102上。
圖4(A)～圖4(C)是表示圖2(A)的液滴噴出單元106的底部的示意圖。圖4(A)是將液滴噴出孔132線狀地配置于液滴噴出單元106的底面的圖。與此不同，在圖4(B)中，將液滴噴出單元106底部的液滴噴出孔排列為2列，各列錯開半個間距配置。而圖4(C)中，不錯開間距地增加為兩列配置。圖4(C)的配置中，可以在第一級的液滴噴出孔140噴出液滴后，通過保持時間差從液滴噴出孔140噴涂同樣的液滴到相同的地方，在已經(jīng)噴涂到基板的液滴干燥和固化之前，再將相同的液滴疊層得較厚。又，在第一級的噴嘴部上發(fā)生由液滴等引起的堵塞的情況下，作為預(yù)備可以使第二級的液滴噴出孔140發(fā)揮作用。
又，圖2(B)是在圖2(A)中所示的液滴噴出裝置設(shè)置有兩個液滴噴出單元206的雙液滴噴出單元結(jié)構(gòu)的液滴噴出裝置。還有，對與圖2(A)相同的結(jié)構(gòu)要素賦予相同的符號并省略其說明。在本裝置中，使用兩種原料液體的液滴噴射可以以一次掃描進行?？傊?，一邊用液滴噴出單元206a以噴出液滴A形成圖案，一邊用微小的時間差以液滴噴出單元206b噴出液滴B形成圖案，這樣可以形成連續(xù)圖案。209a與209b是原料液體供給部，存儲各液滴噴出單元使用的液滴A的原料液體以及液滴B的原料液體以進行供給。
在本實施形態(tài)中，使用圖2(B)所示的顯示裝置，以抗蝕劑溶液作為原料液使用，形成抗蝕膜。又在被處理物上的202抗蝕膜形成部分上，最好是預(yù)先形成提高抗蝕膜的致密性用的六甲基二硅胺烷(HMDS)等界面活性劑膜。
首先，從設(shè)在液滴噴出單元206a上的多個液滴噴出孔噴出HMDS液滴，在被處理物20上利用各液滴形成的圖案形成連續(xù)連接的線狀的HMDS膜。而且設(shè)在液滴噴出單元206b上的多個液滴噴出孔噴出抗蝕劑液滴，利用各液滴形成的圖案在HMDS膜上形成連續(xù)連接的抗蝕膜。
下面用圖5(A)、(B)對利用這種方法形成的抗蝕膜圖案進行說明。在圖5(A)中，被處理物150上形成的多個HMDS膜151a～151e是從設(shè)在液滴噴出單元206a的全部液滴噴出口以相同時間的間隔噴出液滴形成的。然后從與液滴噴出單元206a同樣設(shè)置在液滴噴出單元206b上的全部液滴噴出口以相同的時間間隔噴出液滴，在HMDS膜151a～151e上形成線狀抗蝕膜152a～152c。又，液滴噴出單元206b以比液滴噴出單元206a遲某些時間開始掃描，以與液滴噴出單元206a相同的掃描速度進行掃描。又如圖16所示，液滴噴出單元206a、206b的掃描過程中，通過設(shè)置在具有多個的液滴噴出口中只從某一特定的液滴噴出口(132a、132b)噴出液滴的過程，如圖5(B)所示那樣，可以同時在同一被處理物160上形成T字形(或ト字形)的HMDS膜161a與抗蝕膜162a、長度不同的HMDS膜161b與抗蝕膜162b、以及與圖5相同的HMDS膜161c～161e與抗蝕膜162c。
又，在抗蝕膜形成后進行加熱處理，然后原封不動作為抗蝕劑掩模使用即可。在這種情況下，抗蝕膜的形狀形成抗蝕劑掩模的形狀。從而，大幅度減少了抗蝕材料的使用量，能夠省去光刻工序。又，在要形成具有比所述抗蝕劑掩模更精密的形狀的抗蝕劑掩模的情況下，只要在加熱處理上述抗蝕膜前用光掩模曝光并進行顯象處理就可以了。在這種情況下，也將大大減少抗蝕材料的使用量。
如上所述使用液滴噴出法，能夠只在有必要形成抗蝕劑掩模的部分上局部形成抗蝕膜。因此，與滴下的抗蝕材料幾乎全部飛散的旋轉(zhuǎn)噴涂法相比，能夠大大減少抗蝕材料的使用量。又，需要在整個基板面上形成抗蝕膜的情況下，也可以在整個基板上利用上述方法形成抗蝕膜。無論怎樣，利用上述方法都能夠大大降低抗蝕材料的使用量。
如上所述使用液滴噴出法，能夠只在有必要形成抗蝕劑掩模的部分上局部形成抗蝕膜。因此，與滴下的抗蝕材料幾乎全部飛散的旋轉(zhuǎn)噴涂法相比，能夠大大減少抗蝕材料的使用量。又，在本實施形態(tài)中，使用使液滴吐出的方法，但是也可以使用調(diào)合器(dispenser)方式在一定時間連續(xù)噴出抗蝕劑溶液，局部形成抗蝕膜。
如本實施形態(tài)所示，不使用旋轉(zhuǎn)涂層法，實施液滴噴出法和液體吐出法形成抗蝕膜，能夠大大降低抗蝕材料的使用量。
實施形態(tài)2在本實施形態(tài)中，對使用圖6(A)～圖7(D)所示的裝置進行局部蝕刻·灰化·成膜等等離子體處理的方法進行說明。
圖6(A)是本發(fā)明用的等離子體處理裝置的一個例子的頂視圖、圖6(B)是剖面圖。該圖中，盒室16內(nèi)放置所期望的尺寸的玻璃基板、以塑料基板為代表的樹脂基板等被處理物13。作為被處理物的輸送方式，有例如水平輸送方式，但是在使用第5代以后的1米見方數(shù)量級大小的基板的情況下，為達到減少搬送機的所占的面積，也可以豎置著基板進行輸送。
在搬送室17內(nèi)，盒室內(nèi)16中所配置的被處理物13利用搬送機構(gòu)(機械手)20輸送到等離子體處理室18。在與搬送室17相鄰的等離子體處理室18內(nèi)，設(shè)有氣流控制單元10、具有發(fā)生等離子體用的電極的圓筒狀等離子體處理單元12、使等離子體處理單元12移動的導軌14a、14b、以及移動被處理物的移動單元等。
氣流控制單元10是用于防塵目的的單元，用從排氣口19排出的非活性氣體，進行氣流的控制以遮斷來自外部的氣體。等離子體處理單元12利用配置于被處理物13的輸送方向上的導軌14a、還有配置于與該輸送方向垂直方向上的導軌14b，移動到規(guī)定的位置上。
以下用圖7(A)～圖7(D)對等離子體處理單元12進行詳細說明。圖7(A)表示具有發(fā)生等離子體用的電極的圓筒狀的等離子體處理單元12的立體圖，圖7(B)～(D)表示等離子體處理單元12具備的一組電極的剖面圖。又，等離子體處理單元也可以是圖7(A)所表示的那樣，單獨設(shè)一組電極的結(jié)構(gòu)的等離子體處理單元，或是圖24所表示那樣配設(shè)多組電極的結(jié)構(gòu)的等離子體處理單元。又，在圖24所述的等離子體處理裝置中，等離子體處理單元60如圖7(B)～(D)中的任何一個所表示的那樣以配設(shè)多組電極的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
圖7(B)中，虛線表示氣體的經(jīng)過路線，21、22是鋁、銅等具有導電性的金屬構(gòu)成的電極，各個電極的表面由固體電介質(zhì)覆蓋。又，第1電極21連接于電源(高頻電源)29。又可以在第1電極21連接冷卻水循環(huán)用的冷卻系統(tǒng)(未圖示)。設(shè)置冷卻系統(tǒng)，可以利用冷卻水的循環(huán)防止在連續(xù)進行表面處理的情況下的發(fā)熱，使連續(xù)處理效率能夠提高。第2電極22具有包圍第1電極21的形狀，并電氣接地。而且，第1電極21與第2電極22在其前端形成有噴嘴狀的氣體細口的圓筒狀。在該第1電極21與第2電極22兩電極間的空間內(nèi)，通過閥門從氣體供給單元(儲氣瓶)31供給處理用的氣體。借助于此，置換該空間的氣體，在該狀態(tài)下利用高頻電源29對第1電極21施加高頻電壓(10～500MHz)時，即在所述空間內(nèi)形成等離子體。然后，將含有由該等離子體生成的離子、游離基(radical)等化學活性的激勵源的反應(yīng)氣體流噴向被處理物13的表面，于是能夠可以在該處理物13的表面進行局部蝕刻、灰化、以及CVD等等離子體處理。又，反應(yīng)氣體的噴出口與基板的距離為3mm以下，較理想的是1mm以下，更理想的是0.5mm以下。這些距離調(diào)整，也可以通過附加專用傳感器的方法進行。
充填于氣體供給單元(儲氣瓶)31的處理用氣體按照對被處理物13進行的處理進行合適的設(shè)定。又，采用氧氣作為處理用的氣體，也可以進行灰化處理。如果將硅烷(SiH4)氣體和氫氣(H2)作為處理用氣體導入，就可以形成非晶態(tài)硅膜。如果再導入磷化氫(PH3)氣體等，就可以形成N型非晶態(tài)硅膜。在處理用氣體中使用三異丁基鋁(i-C4H9)3等，可以形成鋁等導電膜。而使用四氯化鈦和氨(NH3)可以形成氮化鈦(TiN)等薄膜。
排出氣體通過除去混入氣體中的灰塵的過濾器33和閥門28導入到排氣單元30中。又，對導入排氣單元30的排出氣體進行提煉，將未反應(yīng)的殘余氣體作為處理用氣體再利用。
又，與圖7(B)具有不同的結(jié)構(gòu)，在等離子體處理單元12中具備的一組電極的剖面圖如圖7(C)、(D)所示。圖7(C)中所示的一組電極中，第1電極21與第2電極22的前端分別成銳角狀。又，第1電極21的前端延長的前端與第2電極22的前端延長的前端在吐出口形成交叉的結(jié)構(gòu)。又，圖7(D)所示的一組電極中形成這樣的結(jié)構(gòu)，即第2電極22也比第1電極21延伸得長，通過以第2電極22圍繞的空間，從吐出口將在第1電極21與第2電極22之間發(fā)生的反應(yīng)氣體吐出到外部。
在圖6(A)、(B)的等離子體處理裝置中，等離子體處理單元12可以在行方向與列方向上交替掃描。例如，以等離子體處理單元12在列方向和行方向上交替掃描，同時利用對吐出反應(yīng)氣體的定時的控制，可以如圖1(B)所示在被處理物250上設(shè)置具有細長形狀的多個處理區(qū)域251a～251e。又如圖1(C)所示，也在被處理物260上設(shè)置具有行方向長的形狀的處理領(lǐng)域261b、261c，以及具有在列方向長的形狀的處理領(lǐng)域261a、261d～261f等。
又，等離子體處理裝置中的等離子體處理并不限于如上所述的這些，例如，可以使用具有配設(shè)如圖24所示的多組電極的等離子體處理單元的等離子體處理裝置，進行如下所述的處理。例如，與等離子體處理單元752在行方向或列方向的任何一個方向上進行掃描的同時(圖23(A))，利用對吐出反應(yīng)氣體的定時的控制，可以將具有圖23(B)所示的細長形狀的多個處理領(lǐng)域751a～751e設(shè)置于被處理物750上。又，等離子體處理單元752的掃描并不限于在如上所述的只在一個方向上進行的掃描，也可以在前后左右方向掃描。如圖25所示，控制為在具有多個等離子體處理單元762的反應(yīng)氣體吐出口中，只從某特定的反應(yīng)氣體吐出口39a、39b吐出反應(yīng)氣體，這樣可以如圖23(C)所示將與掃描方向平行的方向上長的具有細長形狀的處理領(lǐng)域761b、761c與垂直于掃描方向的方向上長的具有細長形狀的處理領(lǐng)域761a、761d～761f同時設(shè)置于同一處理物760上。
在將蝕刻用氣體導入處理用氣體中的情況下，對等離子體處理領(lǐng)域進行局部蝕刻。在將CVD用氣體(成膜用氣體)導入處理用氣體中的情況下，在各等離子體處理領(lǐng)域成膜。
通過使用在大氣壓或接近于大氣壓(5～800torr)的壓力下工作的等離子體處理裝置，就不再需要減壓裝置需要的抽真空和通大氣的時間了，也不需要配置復雜的真空系統(tǒng)。特別是具備處理大型基板用的裝置的減壓裝置，處理室必然也要大型化，為使處理室成為減壓狀態(tài)也需要處理時間，因此在大氣壓或接近于大氣壓下工作的本裝置是有效果的，可以降低制造成本。又，在使用圖23(A)那樣的發(fā)生等離子體用的配設(shè)多組電極的等離子體處理單元60的情況下，能夠以在一個方向上只進行一次掃描進行等離子體處理，因此對于大型基板特別有效的。
實施形態(tài)3在本實施形態(tài)中，參照圖7(E)對使用與實施形態(tài)2不同的方法在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下局部成膜的方法進行說明。
在本實施形態(tài)中，圖6(A)、(B)所示的與等離子體發(fā)生單元僅在結(jié)構(gòu)上不同，關(guān)于其他部分則使用同樣的裝置進行局部成膜處理。因此僅對與作為圖6(A)、(B)中的等離子體處理單元12的說明圖的圖7(A)的不同部分加以說明。
在本實施形態(tài)中，與圖7(A)中所示的等離子體處理單元12不同，如圖7(E)所示，在筐體36中具備在通過以卷繞成線圈狀的燈絲35中間的管37中保持原料的成膜單元。被燈絲35通電加熱的原料蒸發(fā)，從管37噴出，能夠在被處理物上成膜。
作為原料，也可以采用鋁等公知的材料。
又，與等離子體處理單元不同，氣體供給單元·排氣單元不一定要設(shè)置。
實施形態(tài)4下面用圖8(A)～(C)對在本實施形態(tài)中，使用如實施形態(tài)1所示的液滴噴出裝置形成抗蝕劑掩模后，使用如實施形態(tài)2所示的等離子體處理裝置進行局部蝕刻，形成接觸孔的方法進行說明。
在基板上形成的膜50上，利用實施形態(tài)1所示的方法形成多枚抗蝕膜51a～51c(圖8(A))。又，在本實施形態(tài)中，膜50為氮化硅和氧化硅等絕緣膜，在膜50的下方形成由導電膜構(gòu)成的多條柵極配線58a～58f及與其連接的TFT等。
利用曝光和顯像形成具有多個開口部52a～52f的抗蝕劑掩模53a～53c。
接著，使用實施形態(tài)2所示的等離子體處理裝置，在形成抗蝕劑掩模53a的部分的內(nèi)側(cè)部分(以虛線55a圍繞的部分)局部噴射反應(yīng)氣體。借助于此，能夠蝕刻由開口部52a、52b露出的部分膜50。以后，使等離子體處理單元12按順序移動，將抗蝕劑掩模53b、53c作為掩模，通過僅在形成抗蝕劑掩模53b、53c的部分的內(nèi)側(cè)部分(用虛線55b、55c圍繞的部分)局部噴射反應(yīng)氣體，進行局部蝕刻處理，對從形成于抗蝕劑掩模53b、53c上的開口部52c～52f露出的部分膜50進行蝕刻。又，等離子體處理裝置既可以使用單獨設(shè)置一組電極的裝置，也可以使用有多組電極的裝置。
再者，蝕刻后將蝕刻中使用的等離子體處理裝置的處理用氣體替換為氧氣(02)，而后在使用該等離子體處理裝置形成的抗蝕劑掩模53a的部分，在考慮到準直(alignment)偏離等偏離的大小的稍大部分(虛線56a包圍的部分)上，局部噴射反應(yīng)氣體進行灰化處理，除去抗蝕劑掩模53a。同樣在形成抗蝕劑掩模53b、53c的部分，在考慮到偏離的大小的稍微大的部分56b、56c上進行灰化處理，除去抗蝕劑掩模53b、53c。也可以在灰化處理后，使用剝離液進一步完全除去抗蝕劑掩模53a～53c。又，灰化處理也不一定需要局部進行，但是如上所述與蝕刻一起連續(xù)進行，能夠降低基板搬出搬入的次數(shù)，又，局部進行可以減少氣體使用量。
如上所述進行，可以在膜50上形成配線連接孔57a～57f(圖8(C))。
又，如圖8所示，不僅一個抗蝕劑掩模內(nèi)行方向上成一列，在列方向上多個并列設(shè)置開口部的圖案，也可以使用具有在行方向上多個并列配置的以格子排列開口部的圖案的多個抗蝕劑掩模。
如上所述地形成接觸孔，可以以此大大降低與形成接觸孔有關(guān)的抗蝕劑材料和蝕刻氣體的使用量。又由于在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下進行蝕刻處理或灰化處理等等離子體處理，因此不需要配置復雜的真空系統(tǒng)，不必使裝置設(shè)備復雜化。
實施形態(tài)5在本實施形態(tài)中，對不使用掩模，僅使用實施形態(tài)2所示的那樣的等離子體處理裝置開接觸孔的方法進行說明。
在等離子體處理單元中，以與發(fā)生等離子體用的電極形成接觸孔的間隔相同的間隔排列的要求進行調(diào)整。從發(fā)生等離子體用的電極噴出反應(yīng)氣體，形成接觸孔。又，反應(yīng)氣體噴出口最好是與形成的接觸孔尺寸相同或比其小。
實施形態(tài)6下面用圖9(A)～10(F)的剖面圖及圖11(A)～圖13(C)的頂視圖對本發(fā)明的顯示裝置的制造方法進行說明。本實施形態(tài)中所示的顯示裝置的制造方法，部分包含進行局部性等離子體處理(蝕刻、灰化、成膜)的工程。這里所示的是本發(fā)明的一種實施形態(tài)，但本發(fā)明的顯示裝置的制作方法并不限于本實施形態(tài)的方法。TFT的結(jié)構(gòu)也并不限于圖9(A)～圖13(C)所示的結(jié)構(gòu)。
又，使用本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，僅在需要的部分局部形成抗蝕膜，以此大幅度減少抗蝕材料的使用量，又由于有在大氣壓或接近于大氣壓下局部進行成膜、蝕刻和灰化等處理的工序，所以不需要形成真空狀態(tài)所需的設(shè)備和時間。因此與使用已有技術(shù)的顯示裝置制造方法相比，能夠減少原材料費用、設(shè)備費用及工程時間，并降低制造價格。這樣制造低成本的顯示裝置制作方法特別是對于第5代(1000×1200mm2)以上的基板尺寸的大型顯示裝置中是有效的。
在基板300上形成柵極電極301a、電容電極301b、柵極配線350a、電容配線350b。作為基板300，使用以玻璃或塑料等作為材料的基板尺寸1000×1200mm2的透明基板。又，柵極電極301a、電容電極301b、柵極配線350a、電容配線350b按順序在基板的整個表面上形成含有釹(Nd)的鋁(Al)和鉬(Mo)的膜以形成導電膜后，在該導電膜上形成抗蝕劑掩模，再以該抗蝕劑掩模作為掩模，蝕刻該導電膜以形成在同一層上。又，抗蝕劑掩模在使用旋轉(zhuǎn)涂層法形成抗蝕膜后，利用光刻法對其進行加工形成。又，作為柵極配線301a、電容電極301b、柵極配線350a、電容配線350b的材料，也可以使用含有釹(Nd)等的鋁以外的其他材料，如鉻(Cr)等導電材料。此外，也可以使用鈦、鋁、鈦按順序疊層的疊層膜。又，基板300也可以是上述以外的尺寸。
除如上所述在基板的整個表面上形成導電膜外，也可以使用如實施形態(tài)2和實施形態(tài)3所示的裝置，在大氣壓下局部形成導電膜，以此形成柵極電極301a、電容電極301b、柵極配線350a、電容配線350b。
圖11(A)是形成柵極電極301a及電容電極301b的基板的一部分的頂視圖。圖11(A)中，柵極電極301a和柵極配線350a形成一體。電容電極301b與電容配線350b形成一體。
接著，形成覆蓋柵極電極301a和電容電極301b的絕緣膜302。作為絕緣膜302，使用氮化硅膜和氧化硅膜等絕緣膜，或使用氮化硅和氧化硅膜等疊層的膜。絕緣膜302中的柵極電極301a的上方部分作為柵極絕緣膜起作用。
接著在絕緣膜302上形成半導體膜303(圖9(A)、圖11(B))。半導體膜303以非晶態(tài)硅膜等成膜于整個基板上。又，在本實施形態(tài)中，在半導體膜303上不特別添加使其成為N型或P型的雜質(zhì)。
又，在半導體膜303的形成上，除如上所述在整個基板上成膜以外，也可以使用如圖2所示的等離子體處理裝置，在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下，在有形成TFT的必要的部分上使用局部形成的方法。
接著在半導體膜303中，在形成TFT的通道(channel)區(qū)域的部分形成保護膜304(圖9(B)、圖11(C))。保護膜304是在基板的全部表面上形成氮化硅膜等絕緣膜后，在該絕緣膜上形成抗蝕劑掩模，再以該抗蝕劑掩模為掩模蝕刻該絕緣膜形成的。又，抗蝕劑掩模是在使用旋轉(zhuǎn)涂層法形成抗蝕膜后，利用光刻對其進行加工后形成的。
如上所述除了在基板的整個表面上形成氮化硅膜等絕緣膜以外，也可以使用如實施形態(tài)2或?qū)嵤┬螒B(tài)3所示的方法，在大氣壓下局部形成氮化硅膜等絕緣膜，以此形成保護膜304。
接著，N型半導體膜305與導電膜306a或306b疊層形成源極配線308和配線309。又，配線309為連接TFT與像素電極而設(shè)。下面對源極配線308、配線309的形成方法進行說明。
首先，形成N型半導體膜305(圖9(c)、圖12(A))。在本實施形態(tài)中，作為N型半導體膜305，使用添加磷的非晶態(tài)硅膜。
在整個基板上形成N型半導體膜305后，再使用如實施形態(tài)2或?qū)嵤┬螒B(tài)3所示的裝置309，在N型半導體膜305上局部地形成島狀分離的多枚導電膜306a、306b。除了如上所述在基板整體上形成N型半導體膜305以外，也可以利用實施形態(tài)2或?qū)嵤┬螒B(tài)3所示的裝置，在形成TFT的部分局部成膜。又，也可以在局部成膜的情況下，使用實施形態(tài)2所示的裝置，進行局部蝕刻。作為導電膜306a、306b，使用鉬、鋁、鉬按順序疊層的膜。但并不限于此，例如，也可以用鈦等(Ti)取代鉬(Mo)。島狀分離的導電膜306a采用形成源極配線308那樣的成膜方法，島狀分離的導電膜306b采用形成連接TFT與像素電極的配線309那樣成膜的方法。
接著在導電膜306a、306b上形成抗蝕劑掩模392a、392b(圖9(E)、圖12(B))，以該抗蝕劑掩模392a、392b為掩模對導電膜306a、306b進行蝕刻(圖10(A)、圖12(C))。在這里，抗蝕劑掩模392a、392b的形成使用實施形態(tài)1所示那樣的液滴噴出裝置391來進行。又，蝕刻使用實施形態(tài)2所示的裝置在大氣壓或接近于大氣壓下局部進行。如上所述，利用局部成膜形成導電膜306a、306b，以此可以減少在導電膜306a、306b的成膜工序中所使用的原材料的使用量。使用抗蝕劑掩模對局部形成的導電膜306a、306b進行加工，以此能夠形成更精密形狀的源極配線308、配線309。
又，沒有必要使導電膜306a、306b形成為更精密的形狀，在原封不動使用成膜時的形狀的情況下，也可以不特別設(shè)有使用抗蝕劑掩模392a、392b的導電膜306a、306b的加工工序。
接著以島狀分離的多枚導電膜306a、306b作為掩模對N型半導體膜305進行蝕刻(圖10(B)、圖13(A))。利用上述工序形成N型半導體膜305與導電膜306a或306b疊層形成源極配線308、配線309。
接著N型半導體膜305的蝕刻，對半導體膜303也進行蝕刻(圖10(C))。在進行半導體膜303的蝕刻時，除了導電膜306a、306b以外，先前形成的保護膜304也作為掩模起作用。在保護膜304中殘留于下部的未蝕刻的半導體膜303作為TFT的活性層起作用。
接著在源極配線308、配線309的上方形成絕緣膜310(圖10(D))。作為絕緣膜310，使用氮化硅膜或氧化硅膜等。
接著貫通絕緣膜310形成到達配線309的接觸孔351(圖10(E)、圖13(B))。在本實施形態(tài)中，接觸孔351采用實施形態(tài)5所示的方法形成。
接著形成像素電極311(圖10(F)、圖13(C))。像素電極是在形成ITO(IndiumTin Oxide氧化銦、錫)等透明導電膜后，在該透明導電膜上使用旋轉(zhuǎn)涂層法形成抗蝕劑掩模，再以該抗蝕劑掩模作為掩模進行蝕刻形成的。
如上所述，形成有像素電極驅(qū)動用TFT、電容及像素電極形成的TFT陣列基板。又，圖9(A)～圖10(F)是圖11(A)～圖13(C)的頂視圖中的A-A’部的剖面圖。
下面以圖14對將如上所述制成的TFT陣列基板形成單元組的工序進行說明。在TFT陣列基板901上形成取向膜903a后，對取向膜實施摩擦處理。
而后，制作在基板907上形成遮光膜906、對向電極905、取向膜903b的對向基板902。而且，也可以根據(jù)需要形成濾色鏡。還在取向膜903b上實施摩擦處理。
接著，在使用密封劑將對向基板902與TFT陣列基板粘貼合后，剪斷不需要的部分。再在對向基板902與TFT陣列基板901之間注入液晶材料908而后密封。又，對向基板902與TFT陣列基板901通過墊塊904保持間隙。再安裝FPC、偏光板、相位差板。如上所述制造使用本發(fā)明的液晶顯示裝置。又，也可以在將液晶材料908滴下到基板907或?qū)ο蚧?02上后，使用將雙方基板貼合的方法制造液晶顯示裝置。
圖14(B)是使用本發(fā)明制造的液晶顯示裝置的頂視圖。與像素部1001相鄰接設(shè)置連接配線群1002，利用所述連接配線群1002連接外部輸入輸出端子群1003。1007是對向基板。在像素部1001，從各連接配線群1002延伸的配線群矩陣狀地交叉形成像素。密封劑1004形成于TFT陣列基板1006上的像素部1001的外側(cè)，且比外部輸入端子群1003更靠內(nèi)側(cè)的部分上。在液晶顯示裝置上，可撓性印刷電路板(FPCFlexible Printed Circuit)1005與外部輸入輸出端子群1003相連接，利用連接配線群1002連接于各信號線。外部輸入輸出端子群1003由與連接配線群相同的導電膜形成?？蓳闲杂∷㈦娐钒?005在聚酰亞胺等有機樹脂薄膜上形成銅配線，用各向異性的導電性粘著劑與外部輸入輸出端子群103相連接。
又，本實施形態(tài)中，在導電膜306a、306b的加工工序中，使用如實施形態(tài)1所示的局部的抗蝕膜形成及實施形態(tài)2所示的局部性等離子體處理等方法，但是在除此以外的工序中也可以使用局部形成抗蝕膜，進行局部等離子體處理的方法。借助于此，能夠以低成本制造顯示裝置。
在本實施形態(tài)中，對液晶顯示裝置的制造方法進行了說明，但不限于此，也可以制造采用使用于本實施形態(tài)中的TFT陣列基板為止的制造方法的場致發(fā)光顯示裝置等。在這種情況下，電路結(jié)構(gòu)只要適當變更就可以了。
實施形態(tài)7在本實施形態(tài)中，以圖18(A)～圖19(E)的剖面圖及圖20(A)～圖22(B)的頂視圖對使用與實施形態(tài)6中所說明的有所不同的疊層結(jié)構(gòu)的TFT的本發(fā)明的顯示裝置的制造方法進行說明。在此所示的是本發(fā)明的另一實施形態(tài)，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法并不限于本實施形態(tài)所示。對于TFT的構(gòu)造也不限于圖18(A)～圖22(B)所示的結(jié)構(gòu)。
本實施形態(tài)中的顯示裝置的制造方法，與實施形態(tài)6中說明的相同，僅在需要的部分局部形成抗蝕膜，以此大幅度減少抗蝕材料的使用量，又具有在大氣壓或接近于大氣壓的條件下局部進行成膜、蝕刻、灰化等處理的工序。因此，與使用已有技術(shù)的顯示裝置的制造方法相比，能夠減少原材料費用、設(shè)備費用、工程時間，降低制造的成本。這樣的低成本制造顯示裝置的方法，對第5代(1000×1200mm2)以后的基板尺寸的大型顯示裝置特別有效。
在基板600上形成柵極電極601a、電容電極601b、柵極配線650a、電容電極650b。作為基板600，使用以玻璃或塑料作為材料的基板尺寸1000×1200mm2的透明基板。又，柵極電極601a、電容電極601b、柵極配線650a、電容電極650b按順序在基板的整個表面上形成含有釹(Nd)等的鋁(Al)和鉬(Mo)的膜，形成導電膜后在該導電膜上形成抗蝕劑掩模，再以該抗蝕劑掩模作為掩模利用蝕刻該導電膜的方法形成。又，抗蝕劑掩模是在使用旋轉(zhuǎn)涂層法形成抗蝕膜后，利用光刻法對其進行加工形成的。又，作為柵極配線601a、電容電極601b、柵極配線650a、電容電極650b的材料，除了含有釹(Nd)等的鋁以外也可以使用鉻(Cr)等導電材料。此外，也可以使用鈦、鋁、鈦按順序疊層的疊層膜。又，基板600也可以上述以外的尺寸。
除如上所述在基板的整個表面上形成導電膜外，也可以使用如實施形態(tài)2和實施形態(tài)3所示的裝置，在大氣壓下局部形成導電膜，以此形成柵極電極601a、電容電極601b、柵極配線650a、電容電極650b。
圖20(A)是形成柵極電極601a及電容電極601b等的基板的一部分的頂視圖。圖20(A)中，柵極電極601a和柵極配線650a形成一體。電容電極601b與電容配線650b也形成一體。
接著，形成覆蓋柵極電極601a及電容電極601b、柵極配線650a、電容電極650b的絕緣膜602。作為絕緣膜602，使用氮化硅膜和氧化硅膜等絕緣膜，或使用氮化硅膜和氧化硅膜等疊層的膜。絕緣膜602中的柵極電極601a的上方部分作為柵極絕緣膜起作用。
在絕緣膜602上形成半導體膜603(圖18(A))。半導體膜603以非晶態(tài)硅膜等成膜于整個基板上。又，在半導體膜603上也可以不特地添加使其成為N型或P型的雜質(zhì)。
又，在半導體膜603的形成上，除如上所述在整個基板上成膜以外，也可以使用如圖2所示那樣的等離子體處理裝置，在大氣壓或接近于大氣壓的壓力條件下，在有形成TFT的必要的部分上使用局部形成的方法。
接著在半導體膜603上形成N型半導體膜604(圖18(B)、圖20(B))后，在N型半導體膜604上形成抗蝕劑掩模605，以該抗蝕劑掩模605為掩模蝕刻N型半導體膜604和半導體膜603(圖18(C)、圖20(C))。在這里，抗蝕劑掩模的形成使用實施形態(tài)1所示的液滴噴出法來進行。借助于此，能夠大大減少抗蝕溶液的使用量和光刻工序的工序數(shù)目。又，蝕刻使用實施形態(tài)2所示的裝置，在大氣壓或接近于大氣壓的條件下局部進行。在本實施形態(tài)中，以添加磷的非晶態(tài)硅膜作為N型半導體膜604使用。
而后，形成N型半導體膜604與導電膜606a或606b疊層而成的源極配線608及配線609。又，配線609為連接TFT與像素電極而設(shè)。下面對源極配線608、配線609的形成方法進行說明。
在本實施形態(tài)中，作為導電膜606a、606b，使用鉬(Mo)、鋁(Al)、鉬(Mo)依次疊層而成的膜。但不限于此，例如也可以使用鉬(Mo)以外的鈦(Ti)等。
使用如實施形態(tài)3所示的方法用等離子體處理裝置局部形成島狀分離的多片導電膜606a、606b(圖18(E)、圖21(A))。又，島狀分離的導電膜606a作為源極配線起作用地成膜，導電膜606b作為使TFT與像素電極連接的配線609起作用地成膜。而后，在導電膜606a、606b上形成抗蝕劑掩模692a、692b，以該抗蝕劑掩模692a、692b為掩模對導電膜606a、606b進行蝕刻。在這里，抗蝕劑掩模的形成使用實施形態(tài)1所示的液滴噴出裝置691進行。又，蝕刻使用實施形態(tài)2所示的裝置在大氣壓或接近于大氣壓下局部進行。如上所述，利用局部成膜形成導電膜606a、606b，以此可以減少在導電膜606a、606b的成膜工程中所使用的原材料的使用量。使用抗蝕劑掩模692a、692b對局部形成的導電膜606a、606b進行加工，以此能夠形成更精密形狀的源極配線608、配線309(圖18(E)、圖19(A)、圖21(B)、圖21(C))。
接著，以導電膜606a、606b作為掩模對N型半導體膜604進行蝕刻，將TFT的源極領(lǐng)域和漏極領(lǐng)域加以分離。
又，在進行N型半導體膜604的蝕刻時，也對半導體膜603的一部分進行蝕刻(圖19(B))。
而后，在源極配線608、配線609的上方形成絕緣膜610(圖19(C))。作為絕緣膜610，使用氮化硅膜和氧化硅膜等。
接著貫通絕緣膜610形成到配線609的接觸孔651(圖19(D)、圖22(A))。在本實施例中，接觸孔651使用實施形態(tài)5所示的方法形成。但并不限于此，也可以使用實施形態(tài)6所示的方法來形成。
接著形成像素電極611(圖19(E))、圖22(B))。像素電極在以ITO(Indium TinOxide)等透明性導電膜成膜后，在該透明性導電膜上用旋轉(zhuǎn)涂層法形成抗蝕劑掩模，以該抗蝕劑掩模為掩模進行蝕刻形成。
如上所述，形成有像素電極驅(qū)動用TFT、電容及像素電極形成的TFT陣列基板。又，圖18(A)～圖19(E)相當于圖20(A)～圖22(B)中以虛線A-A’部表示的部分的剖面圖。
對于將如上所述制成的TFT陣列基板形成單元組的工序也可以用與實施形態(tài)6所示的相同的方法來進行，在本實施形態(tài)中省略其記載。
實施形態(tài)8在實施形態(tài)6、7中，在柵極電極301a、601a、電容電極301b、601b等的形成工程中，將使用旋轉(zhuǎn)涂層法成膜的抗蝕膜利用光刻法進行加工的膜作為抗蝕劑掩模使用。但并不限于此，也可以使用實施形態(tài)1所示的裝置，在導電膜上局部形成抗蝕劑掩模。借助于此，能夠大大減少抗蝕溶液的使用量和使用光刻工序的工序數(shù)。
又，為使柵極電極301a、601a、電容電極301b、601b形成更加精密的形狀，在局部形成抗蝕膜后，也可以這樣來加工，即利用光刻法用該抗蝕膜加工成所期望的形狀的抗蝕劑掩模蝕刻導電膜。在這種情況下，抗蝕溶液的使用量也大大降低了。
對其他工序也可以使用與實施形態(tài)6、7所示的相同的方法來進行。
實施形態(tài)9實施形態(tài)6、實施形態(tài)7及實施形態(tài)8中，在像素電極的形成工程中，對使用旋轉(zhuǎn)涂層法成膜的抗蝕膜利用光刻法進行加工得到的膜作為抗蝕劑掩模使用。但是并不限于此，也可以使用實施形態(tài)1所示的裝置，在透明性導電膜上局部形成抗蝕膜后，也可以將該抗蝕膜原封不動地作為抗蝕劑掩模來使用。借助于此，能夠大大減少抗蝕溶液的使用量和光刻工序的工序數(shù)。
又，也可以使用實施形態(tài)1所示的裝置在基板的全部表面上形成抗蝕膜后，利用光刻法將其加工形成抗蝕劑掩模。在這種情況下，這樣在基板的整個表面上形成抗蝕膜的情況下，與旋轉(zhuǎn)涂層法相比，也能夠大大降低抗蝕溶液的使用量。
實施形態(tài)10在本實施形態(tài)中，以圖17對特征為在大氣壓或接近于大氣壓的條件下進行等離子體處理的等離子體處理裝置進行說明。
圖17(A)是表示在大氣壓或接近于大氣壓(5～800torr)的條件下進行等離子體處理的處理室401的剖面圖。在處理室401內(nèi)，設(shè)有與電源402連接的針狀電極403、及與該第1電極403相向的接地電極407。在接地電極407上，放置所期望的尺寸的玻璃基板、塑料基板等的被處理物406。又，在處理室401內(nèi)，由氣體供給單元409通過閥門408供給反應(yīng)氣體，從排氣口405排出廢氣。又，使排出的氣體通過過濾器，以此除去混入的灰塵并加以提煉，以謀求可以再利用。通過這樣進行再次利用，能夠有效提高氣體的利用率。又可以在處理室內(nèi)根據(jù)需要設(shè)置燈等加熱單元(未圖示)。
對處理室401內(nèi)供給反應(yīng)氣體，置換處理室內(nèi)的氣體。在這種狀態(tài)下，一旦在針狀電極403上施加高頻電壓(50kHz～1MHz為宜，最好是100～1000kHz)，就會發(fā)生等離子體。于是能夠利用含有利用該等離子體生成的離子、游離基等化學活性的激勵源的反應(yīng)氣體在被處理物406的表面進行規(guī)定的等離子體處理。又，使針狀電極403與被處理物406的一方或兩者相對移動著進行規(guī)定的表面處理。
使用在大氣壓或接近于大氣壓下工作的等離子體處理裝置的本發(fā)明，就不需要減壓裝置進行的抽真空了，也就不需要配置復雜的真空系統(tǒng)，也不需要有抽真空和通大氣的時間。特別是在使用大型基板的情況下，必然也要使腔室大型化，因此如果使腔室減壓也需要處理時間，在大氣壓或接近于大氣壓下工作的本裝置是有效的，也可以降低制造成本。
又，如圖17(B)所示，也可以線狀配置多個針狀電極403。從而，在多個電極403中，通過適當選擇施加電壓的針狀電極403，能夠進行局部的選擇加工。這樣，通過使用線狀配置的多個等離子體處理單元，在生產(chǎn)節(jié)拍時間上是有利的，最好是與基板的一邊相同長度地線狀配置多個等離子體處理單元，這樣就能夠以一次掃描完成處理。掃描方向并不限于與基板的一邊平行，也可以在斜方向上掃描。
實施形態(tài)11在本實施形態(tài)中，以圖15對使用本發(fā)明進行制造電子設(shè)備進行說明。由于能夠利用本發(fā)明以非常低的制造成本進行大型顯示裝置的制造，因此能夠提供搭載該顯示裝置的大型而且廉價的電子設(shè)備。又，不僅是大型的電子設(shè)備，也可以適用于采用在大型的玻璃基板上一起制造多個小型TFT陣列基板的方法制造的便攜式電話等小型電子設(shè)備。
圖15是大型液晶顯示器的圖，含有筐體5501、顯示部5503、聲音輸出部5504。本發(fā)明能夠使用于顯示部5503，也可以適用于具有該顯示部的顯示裝置上。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含在5～800torr的壓力下，使用具有發(fā)生等離子體用的電極的等離子體處理單元，利用在基板上局部形成導電膜的方法形成配線的工序。
2.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含在5～800torr的壓力下，使用具有多個發(fā)生等離子體用的電極的等離子體處理單元，利用在基板上局部形成導電膜的方法形成配線的工序。
3.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含使用第1等離子體處理單元，在5～800torr的壓力下于基板上局部形成導電膜，在所述導電膜上形成抗蝕劑掩模，使用第2等離子體處理單元，在5～800torr的壓力下以所述抗蝕劑掩模作為掩模，對所述導電膜進行局部蝕刻以形成配線的工序。
4.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含使用具有多個電極的第1等離子體處理單元，在5～800torr的壓力下于基板上局部形成導電膜，在所述導電膜上形成抗蝕劑掩模，使用第2等離子體處理單元，在5～800torr的壓力下以所述抗蝕劑掩模作為掩模，對所述導電膜進行局部蝕刻以形成配線的工序。
5.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含使用第1等離子體處理單元，在5～800torr的壓力下于基板上局部形成導電膜，在所述導電膜上形成抗蝕劑掩模，使用具有多個電極的第2等離子體處理單元，在5～800torr壓力下以所述抗蝕劑掩模作為掩模，對所述導電膜進行局部蝕刻以形成配線的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述基板為1000×1200mm2以上大小的基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述等離子體處理單元在一個方向上對所述基板上進行掃描。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的顯示裝置的制作方法，其特征在于，所述等離子體處理單元在行方向和列方向上交替對所述基板上進行掃描。
9.根據(jù)權(quán)利要求3至5中的任一項所述的顯示裝置的制作方法，其特征在于，使用液滴噴出單元形成所述抗蝕劑掩模。
10.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含形成覆蓋薄膜晶體管的絕緣膜的工序、以及局部地對所述絕緣膜噴反應(yīng)氣體形成開口部的工序。
11.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含形成覆蓋薄膜晶體管的絕緣膜的工序、在所述絕緣膜上形成抗蝕劑掩模的工序、以及以所述抗蝕劑掩模為掩模蝕刻所述絕緣膜的工序，利用光刻方法對使用液滴噴出單元局部形成的抗蝕膜進行加工形成所述抗蝕劑掩模，所述絕緣膜的蝕刻包含在5～800torr的壓力下使用等離子體處理單元進行蝕刻的工序。
全文摘要
本發(fā)明提出的顯示裝置的制造方法，使用局部形成抗蝕膜的單元，以及利用在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下的等離子體處理局部成膜、蝕刻或灰化的單元，實現(xiàn)顯示裝置制作低成本化。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，其特征是具有在大氣壓或接近于大氣壓的壓力下，局部形成導電膜并形成配線的工序。在這里，所謂配線，包含在有源矩陣型的顯示裝置的像素部中作為柵極配線和源極配線起作用的配線，此外還有從外部輸入端子向像素部傳送信號用的連接配線，以及將薄膜晶體管(TFT)與像素電極相連接用的配線等所有的配線。
文檔編號G09F9/30GK1745465SQ2004800032
公開日2006年3月8日 申請日期2004年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月5日
發(fā)明者山崎舜平 申請人:株式會社半導體能源研究所