專利名稱：D/a轉(zhuǎn)換器電路、有機(jī)el驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)el顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種D/A轉(zhuǎn)換器電路，一種有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路及一種有機(jī)EL顯示設(shè)備。具體地，本發(fā)明涉及對(duì)由電流反射鏡電路構(gòu)成的D/A轉(zhuǎn)換器電路的改進(jìn)，即使在電源電壓較低時(shí)，仍能獲得較大的模擬電流。此外本發(fā)明還涉及具有由電流反射鏡電路構(gòu)成的D/A轉(zhuǎn)換器電路的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的改進(jìn)，用于根據(jù)顯示數(shù)據(jù)，產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電流，并將驅(qū)動(dòng)電流提供給有機(jī)EL板的列線(有機(jī)EL元件的陽(yáng)極側(cè)驅(qū)動(dòng)線)的引線腳，從而即使以較低的電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)電路的D/A轉(zhuǎn)換器電路，所述D/A轉(zhuǎn)換器電路仍能產(chǎn)生具有用于對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行初始充電的峰值電流的驅(qū)動(dòng)電流，而不需要增加與有機(jī)EL顯示板的引線腳相應(yīng)地設(shè)置的每個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的面積。
背景技術(shù)：
已經(jīng)提出了用在便攜式電話機(jī)、PHS、DVD播放器、PDA(便攜式數(shù)字助理)等中的有機(jī)EL顯示設(shè)備的有機(jī)EL顯示板，其包括針對(duì)列線的396(132×3)個(gè)引線腳和針對(duì)行線的162個(gè)引線腳。仍在繼續(xù)增加針對(duì)列線和行線的引線腳數(shù)。
轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人的JP2003-234655A公開了一種設(shè)置用于有機(jī)EL顯示板的每個(gè)列引腳的有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)電路，其中，響應(yīng)提供給與列引腳相應(yīng)地設(shè)置的D/A轉(zhuǎn)換器電路的、與列引腳相對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流和顯示數(shù)據(jù)，通過(guò)根據(jù)基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流，對(duì)顯示數(shù)據(jù)進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生用于沿列方向排列的每個(gè)引線腳的驅(qū)動(dòng)電流或根據(jù)其得出驅(qū)動(dòng)電流的電流。
為了減小功率消耗，將D/A轉(zhuǎn)換器的電源電壓限制為大約DC 3V，而僅將最終輸出級(jí)電流源的電源電壓設(shè)置為如DC 15V到DC 20V。D/A轉(zhuǎn)換器響應(yīng)基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流，以產(chǎn)生根據(jù)其產(chǎn)生有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流并驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)電流源的電流。按照這種方式，對(duì)整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的功率消耗加以限制。在這種情況下，提供給與有機(jī)EL元件相連的引線腳的、用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流具有位于初始驅(qū)動(dòng)級(jí)中的峰值部分，以便對(duì)作為容性負(fù)載的有機(jī)EL元件進(jìn)行初始充電。
由位于D/A轉(zhuǎn)換器電路之前的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的電路部分或位于D/A轉(zhuǎn)換器電路之后的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的電路部分進(jìn)行驅(qū)動(dòng)電流的峰值部分的產(chǎn)生。在JP2003-234655A中，將這種峰值電流發(fā)生器電路設(shè)置在D/A轉(zhuǎn)換器電路和輸出級(jí)電流源之間。
與各個(gè)列引腳相對(duì)應(yīng)地設(shè)置峰值電流發(fā)生器電路，并且每個(gè)峰值電流發(fā)生器電路均需要較大的電流。當(dāng)將針對(duì)每個(gè)列引腳的這種峰值電流發(fā)生器電路設(shè)置在D/A轉(zhuǎn)換器電路和輸出級(jí)電流源之間，且增加列引腳的數(shù)量時(shí)，電流驅(qū)動(dòng)電路的電路尺寸相應(yīng)地增加。為了解決此問(wèn)題，轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人的美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)10360715(對(duì)應(yīng)于JP2003-308043A)公開了一種將峰值電流發(fā)射器電路添加到D/A轉(zhuǎn)換器電路中的技術(shù)，其由電流反射鏡電路構(gòu)成。
當(dāng)將由D/A轉(zhuǎn)換器電路構(gòu)成的峰值電流發(fā)生器電路添加到電流反射鏡電路中時(shí)，必須將D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸出模擬電流增加到足夠大以獲得峰值電流的電流值。當(dāng)D/A轉(zhuǎn)換器電路包括由MOS晶體管構(gòu)成的電流鏡電路，以便降低功率消耗時(shí)，不可能在電流反射鏡電路的輸出側(cè)晶體管中獲得足夠大的模擬電流，除非通過(guò)使電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管的柵極-源極電壓VGS更大，將大量的驅(qū)動(dòng)電流提供給輸入側(cè)晶體管。但是，當(dāng)D/A轉(zhuǎn)換器電路的電源電壓大約為DC 3V或更低時(shí)，電源電壓將輸入側(cè)晶體管的柵極-源極電壓VGS限制為大約DC3V或更低，不可能產(chǎn)生足夠大的峰值電流。結(jié)果，難以獲得大約為穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流的10倍的峰值電流。
為了解決此問(wèn)題，可以考慮通過(guò)電平轉(zhuǎn)移電路來(lái)轉(zhuǎn)移電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓的電平。然而，在這種情況下，與單獨(dú)設(shè)置峰值電流發(fā)生器電路的情況一樣，可能會(huì)增加電路尺寸。
另一方面，當(dāng)由電流反射鏡電路根據(jù)基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流將數(shù)字顯示數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)時(shí)，與各個(gè)引線腳相對(duì)應(yīng)的D/A轉(zhuǎn)換器電路的轉(zhuǎn)換特性的變化使得列引腳的輸出電流發(fā)生變化，導(dǎo)致了有機(jī)EL顯示板的顯示屏幕上的亮度不均勻和亮度變化。
僅通過(guò)調(diào)節(jié)提供給D/A轉(zhuǎn)換器電路的基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流的數(shù)值，不能完全消除亮度不均勻和亮度變化。因此，不得不將用于調(diào)整通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器電路而獲得的模擬電流的調(diào)整器電路添加到D/A轉(zhuǎn)換器電路中。但是，由于必須為每個(gè)列引腳設(shè)置這種調(diào)整電路，隨著調(diào)節(jié)器電路的電路元件數(shù)的增加，整個(gè)電路的尺寸變大，導(dǎo)致其難以將電流驅(qū)動(dòng)電路制造成一個(gè)IC芯片。
為了解決此問(wèn)題，轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人的美國(guó)專利申請(qǐng)序列號(hào)10948237公開了一種以具有較大溝道長(zhǎng)度的晶體管構(gòu)成D/A轉(zhuǎn)換器電路，以減小D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸出側(cè)晶體管的輸出電壓的變化的技術(shù)。但是，當(dāng)使用這種具有較大溝道長(zhǎng)度的晶體管時(shí)，必須使電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管的電壓VGS較大。因此，在D/A轉(zhuǎn)換器電路中使用具有較大溝道長(zhǎng)度的晶體管的缺點(diǎn)在于并不能有效地降低電源電壓。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提出一種利用電流反射鏡電路的D/A轉(zhuǎn)換器電路，即使在電源電壓較低時(shí)，仍能獲得較大的模擬電流。
本發(fā)明的另一目的是提出一種有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)電路，能夠通過(guò)以較低電流驅(qū)動(dòng)的D/A轉(zhuǎn)換器電路，在用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流中，產(chǎn)生用于對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行初始充電的峰值電流，而無(wú)需增加用于有機(jī)EL顯示板的每個(gè)引線腳的驅(qū)動(dòng)電路所占用的面積。
本發(fā)明的另一目的是提出一種有機(jī)EL顯示設(shè)備，能夠減小有機(jī)EL顯示板上的亮度變化。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一種D/A轉(zhuǎn)換器電路、一種有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路和一種有機(jī)EL顯示設(shè)備，每一個(gè)均包括由輸入側(cè)晶體管電路和輸出側(cè)晶體管電路構(gòu)成的電流反射鏡電路，其特征在于所述輸入側(cè)晶體管電路包括第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的串聯(lián)電路以及與所述第一MOS晶體管并聯(lián)的第一開關(guān)電路；所述第一和第二MOS晶體管的柵極共同連接；所述第一MOS晶體管和第二MOS晶體管之一的源極與所述第一和第二MOS晶體管中的另一個(gè)的漏極相連；所述第二MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度短于所述第一MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度；所述第一和第二MOS晶體管的未連接源極和未連接漏極之一直接或通過(guò)其他元件或電路與預(yù)定電壓的電源線相連；以及接通所述第一開關(guān)電路，以便向所述串聯(lián)電路提供比按照以下方式確定的電流大的電流由受到所述預(yù)定電壓限制的、所述第一和第二MOS晶體管之一的所述柵極和所述未連接源極之間的源極-柵極電壓來(lái)確定電流，從而在所述電流反射鏡電路的所述輸出側(cè)晶體管電路處獲得較大的模擬電流。
在本發(fā)明中，由于第二MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度比第一MOS晶體管小，當(dāng)接通第一開關(guān)電路時(shí)，在串聯(lián)電路中，第一MOS晶體管短路，而只有第二MOS晶體管工作。
如以下所述的等式(2)所示，MOS晶體管的柵極-源極電壓VGS是柵極長(zhǎng)度(溝道長(zhǎng)度L)與漏極電流ID的乘積的函數(shù)。因此，當(dāng)保持柵極-源極電壓恒定，而使柵極長(zhǎng)度(溝道長(zhǎng)度L)為一半或更小時(shí)，漏極電流ID變?yōu)榇蠹s兩倍或更大。
另一方面，對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行初始充電所需的峰值驅(qū)動(dòng)電流通常至少為穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流的兩倍。為了獲得這么高的峰值驅(qū)動(dòng)電流，設(shè)置第一MOS晶體管和其溝道長(zhǎng)度比第一MOS晶體管小的第二MOS晶體管的串聯(lián)電路，并在接通第一開關(guān)電路時(shí)，短路第一MOS晶體管。按照這種方式，以至少為穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流的兩倍的驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管電路。因此，能夠在要進(jìn)行模擬轉(zhuǎn)換的顯示數(shù)據(jù)值保持恒定的情況下，在電流反射鏡電路的輸出側(cè)晶體管電路處獲得至少為穩(wěn)態(tài)模擬電流的兩倍的模擬電流。
附帶地，由于正如通過(guò)稍后所述的等式(1)所清楚的那樣，柵極長(zhǎng)度(溝道長(zhǎng)度)L影響數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換的精度，正如從等式(2)所清楚的那樣，優(yōu)選地，將晶體管的較大柵極長(zhǎng)度L用于有機(jī)EL元件的穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)。
這樣，當(dāng)將要利用受到電源線電壓限制的、輸入側(cè)晶體管的柵極-源極電壓VGS，在電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管的源極和漏極之間產(chǎn)生與峰值驅(qū)動(dòng)電流一樣大的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)，通過(guò)接通第一開關(guān)電路，即使柵極-源極電壓低于受到電源電壓的限制的電壓(預(yù)定電壓)，仍能獲得這種較大的模擬電流。
因此，即使D/A轉(zhuǎn)換器電路的電源電壓較低，在電流反射鏡電路的輸出側(cè)晶體管電路中，仍能使柵極-源極電壓較低，并產(chǎn)生能夠用作峰值驅(qū)動(dòng)電流的較大模擬電流。
附帶地，由于可以使構(gòu)成開關(guān)電路的晶體管的總面積比用于輸出電流的晶體管的總面積小得多，即使在將這種開關(guān)電路添加到其中時(shí)，仍然不會(huì)增加有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的總面積。
結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)D/A轉(zhuǎn)換器電路，其利用了電流反射鏡電路，并且即使在電源電壓較低時(shí)，仍能獲得較大的模擬電流。此外，根據(jù)本發(fā)明，能夠產(chǎn)生用于對(duì)有機(jī)EL源極進(jìn)行初始充電的峰值驅(qū)動(dòng)電流，作為以較低的電壓驅(qū)動(dòng)的D/A轉(zhuǎn)換器電路的模擬輸出電流，而不會(huì)增加與引線腳相對(duì)應(yīng)地設(shè)置的驅(qū)動(dòng)電路所占用的總面積。


圖1是包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的D/A轉(zhuǎn)換器電路的有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)電路的方框電路圖；圖2是電流反射鏡型D/A轉(zhuǎn)換器電路中的晶體管單元電路的電路圖；圖3(a)是如圖2所示的晶體管單元電路的實(shí)施例的平面圖；圖3(b)是沿圖3(a)所示的線A-A得到的剖面圖；圖4(a)是晶體管單元電路的另一實(shí)施例的平面圖；以及圖4(b)是沿圖4(a)所示的線A-A得到的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
可以通過(guò)以下的等式(1)來(lái)表示利用MOS晶體管的電流反射鏡電路的輸出側(cè)電流相對(duì)于其預(yù)定輸入側(cè)驅(qū)動(dòng)電流Ip(對(duì)應(yīng)于基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip)的變化ΔI
ΔI＝Ip-2ΔVth/(VGS-Vth)…(1)其中VGS是MOS晶體管的柵極-源極電壓，Vth是MOS晶體管的閾值電壓，ΔVth是作為MOS晶體管的設(shè)計(jì)基準(zhǔn)電壓的閾值電壓與閾值電壓Vth之間的差。
等式(1)中的柵極-源極電壓與閾值電壓Vth之間的差(VGS-Vth)可以由等式(2)表示VGS-Vth={(2/μnCox)·(L/W)·ID}---(2)]]>其中μn是電子遷移率，Cox是MOS晶體管的柵極氧化膜的單位面積的電容，ID是漏極電流，L是與柵極長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)的溝道長(zhǎng)度，以及W是溝道寬度。
假設(shè)漏極電流ID是恒定的，則通過(guò)使(VGS-Vth)變大，可以減小變化ΔI。為了增加(VGS-Vth)，需要增加L/W。換句話說(shuō)，需要減小W/L，L/W的倒數(shù)。
因此，需要使用具有較大溝道長(zhǎng)度的晶體管。當(dāng)增加晶體管的溝道長(zhǎng)度時(shí)，晶體管的柵極-源極電壓VGS相應(yīng)地增加。
另一方面，根據(jù)顯示器更高清晰度的要求，傾向于增加有機(jī)EL板的驅(qū)動(dòng)引腳數(shù)。由于隨著引線腳數(shù)量的增加，有機(jī)EL顯示設(shè)備的功率消耗增加，需要進(jìn)一步減小功率消耗。為了實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的功率消耗的減小，需要將D/A轉(zhuǎn)換器電路的工作電源電壓限制為大約3V或更低。因此，不可能增加D/A轉(zhuǎn)換器電路的晶體管的柵極-源極電壓VGS。
保持柵極-源極電壓VGS恒定，將溝道長(zhǎng)度為L(zhǎng)的晶體管與溝道長(zhǎng)度為L(zhǎng)/2的晶體管進(jìn)行比較，根據(jù)等式(2)，溝道長(zhǎng)度為L(zhǎng)/2的后一晶體管的漏極電流ID可以變?yōu)榍耙痪w管的兩倍。
考慮到此，根據(jù)本發(fā)明，在穩(wěn)態(tài)電流驅(qū)動(dòng)周期中，兩個(gè)MOS晶體管串聯(lián)。原樣使用此串聯(lián)電路，以將串聯(lián)電路的溝道長(zhǎng)度增加為峰值電流驅(qū)動(dòng)周期中的至少兩倍，從而限制D/A轉(zhuǎn)換器電路的模擬輸出的變化，并提高D/A轉(zhuǎn)換的精度。在峰值電流驅(qū)動(dòng)周期中，通過(guò)短路串聯(lián)MOS晶體管之一來(lái)縮短串聯(lián)MOS晶體管的溝道長(zhǎng)度，以便向電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管提供為穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流的兩倍或更大的驅(qū)動(dòng)電流，從而在電流反射鏡電路的輸出側(cè)晶體管中，產(chǎn)生較大的輸出模擬電流，作為有機(jī)EL元件的峰值驅(qū)動(dòng)電流。
附帶地，即使在峰值電流驅(qū)動(dòng)期間，由于縮短的溝道長(zhǎng)度，或多或少地在一些時(shí)間內(nèi)降低了D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸出模擬電流的精度，該時(shí)間段也較短，這是因?yàn)榻^大部分峰值驅(qū)動(dòng)電流用于對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行初始充電，所以對(duì)有機(jī)EL元件的亮度幾乎沒有影響。
(實(shí)施例1)在圖1中，有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路的列驅(qū)動(dòng)器10的電路圖包括由電流反射鏡電路構(gòu)成的D/A轉(zhuǎn)換器電路11、用于產(chǎn)生基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip的恒流源12、電流反射鏡電路的電流輸出電路13、峰值電流發(fā)生器電路14、控制電路15和用于存儲(chǔ)顯示數(shù)據(jù)的寄存器16。
構(gòu)成了D/A轉(zhuǎn)換器電路11的電流反射鏡電路包括兩個(gè)輸入側(cè)晶體管單元TNa和TNp以及多個(gè)輸出側(cè)晶體管單元TNb～TNn-1。與輸入側(cè)晶體管單元TNa并聯(lián)設(shè)置輸入側(cè)晶體管單元TNp。
晶體管單元TNa～TNn-1和TNp中的每一個(gè)均由具有漏極端D、源極端S和接線端CT和*CT的單位單元電路1構(gòu)成，如圖2所示。單位單元電路1的源極端S接地。單位單元電路1的接線端CT連接在一起，并引出到D/A轉(zhuǎn)換器電路11的外部，作為D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸入端。
單位單元電路1的柵極端G共同連接。晶體管單元TNa和TNp的柵極端G和漏極端D與D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸入端11a相連，以便由電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管形成二極管連接。
在圖2中，構(gòu)成了晶體管單元TNa的單元電路1的接線端*CT與預(yù)定的偏置線相連，從而使開關(guān)電路SW2為常通的接通。設(shè)置開關(guān)電路SW2用于平衡D/A轉(zhuǎn)換器電路。
將晶體管單元TNp的單位單元電路1的接線端*CT引出到D/A轉(zhuǎn)換器電路11的外部，并通過(guò)反相器17向其提供控制脈沖CONT。晶體管單元TNb～TNn-1的接線端*CT分別是顯示數(shù)據(jù)接線端D1～Dn-1。即，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)，確定晶體管單元TNb～TNn-1的開關(guān)電路SW2的狀態(tài)。根據(jù)控制電路15的鎖存脈沖LP，從MPU等，將顯示數(shù)據(jù)設(shè)置在寄存器16中。附帶地，由控制脈沖CONT確定有機(jī)EL元件的穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流中的峰值電流產(chǎn)生周期。即，在控制脈沖CONT的電平為高(H)的周期內(nèi)，在穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流中產(chǎn)生峰值驅(qū)動(dòng)電流。
在圖1中，數(shù)字表達(dá)式×1、×2、×4、…表示要并聯(lián)的單位單元電路1的數(shù)量。分別如數(shù)字表達(dá)式所示地對(duì)輸出側(cè)晶體管單元TNb～TNn-1的輸出進(jìn)行加權(quán)。
并聯(lián)以形成晶體管單元TNa的單位單元電路1的數(shù)目與并聯(lián)以形成晶體管單元TNp的單位單元電路1的數(shù)目的比為1∶9。因此，這些晶體管單元的溝道寬度(柵極寬度)的比為1∶9。
恒流源12與低至如+3V的電源線+VDD相連，并通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸入端11a，向晶體管單元TNa和TNp提供基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip。
恒流源12對(duì)應(yīng)于基準(zhǔn)電流分配器電路的輸出電流源?；鶞?zhǔn)電流分配器電路將提供給構(gòu)成了A/D轉(zhuǎn)換器電路的電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管的基準(zhǔn)電流IP分配給與引線腳相對(duì)應(yīng)地并聯(lián)設(shè)置的、電流反射鏡電路的多個(gè)輸出側(cè)晶體管，作為鏡電流。在本實(shí)施例中，將基準(zhǔn)電流Ip輸入每個(gè)D/A轉(zhuǎn)換器電路11的晶體管單元TNa，并將用于根據(jù)基準(zhǔn)電流Ip和顯示數(shù)據(jù)D0～Dn-1來(lái)產(chǎn)生峰值驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)電流Ia(＝Ipa)輸出到接線端11b，作為輸出側(cè)晶體管的總模擬電流。附帶地，電流源12是構(gòu)成了基準(zhǔn)電流分配器電路的電流反射鏡電路的輸出側(cè)晶體管之一，并通常是源極與電源線+VDD相連且漏極與輸入端11a相連的P溝道MOS晶體管。
電流反射鏡輸出電路13由驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)移器電路13a和輸出級(jí)電流反射鏡電路13b構(gòu)成。
驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)移器電路13a包括N溝道MOS FET TNV，并用于向輸出級(jí)電流反射鏡電路13b傳送D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸出。MOS FET TNV的柵極與偏置線Vb相連，并且其源極與D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸出端11b相連。MOS FET TNv的漏極與輸出級(jí)電流反射鏡電路13b的輸入端13c相連。
因此，能夠?qū)⒆鳛镈/A轉(zhuǎn)換器電路11的模擬輸出電流的驅(qū)動(dòng)電流Ia輸入到輸出級(jí)電流反射鏡電路13b的輸入端13c中。
附帶地，驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)移器電路13a包括設(shè)置在輸出級(jí)電流反射鏡電路13b的晶體管TPW的漏極與地GND之間的三個(gè)串聯(lián)MOS晶體管。這三個(gè)串聯(lián)MOS晶體管構(gòu)成了晶體管TPW的偏置電路。偏置線Vc對(duì)作為三個(gè)串聯(lián)MOS晶體管之一的N溝道MOS晶體管進(jìn)行偏置。將N溝道MOS晶體管用作偏置電阻器。
輸出級(jí)電流反射鏡電路13b包括構(gòu)成了用于校正基極電流的電流反射鏡電路的P溝道MOS FET TPu和TPW以及構(gòu)成了輸出級(jí)電流反射鏡電路的P溝道MOS FET TPX和TPy。
輸出級(jí)電流反射鏡電路13b的晶體管TPX和TPy的溝道寬度比為1∶N(其中N＞1)，且三個(gè)晶體管的源極與其電壓高于電源線+VDD的電壓的電源線+Vcc相連，如+15V。輸出側(cè)晶體管TPy的輸出與列側(cè)引腳9相連，并且在驅(qū)動(dòng)周期內(nèi)，輸出側(cè)晶體管TPy通過(guò)向其提供驅(qū)動(dòng)電流N×Ia，對(duì)有機(jī)EL元件4進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)。附帶地，有機(jī)EL元件4連接在引線腳9和地GND之間，并且引線腳9用作有機(jī)EL元件4的列引腳和輸出級(jí)電流反射鏡電路13b的輸出端。
如圖2所示，構(gòu)成了D/A轉(zhuǎn)換器電路11的晶體管單元TNa～TNn-1和TNp中的每一個(gè)的單元電路1包括串聯(lián)電路，包括四個(gè)N溝道MOS晶體管Tr1～Tr4，其源極和漏極分別順序相連；以及兩個(gè)N溝道MOS開關(guān)晶體管Tr5和Tr6，分別構(gòu)成了開關(guān)電路SW1和SW2。
與晶體管Tr1～Tr4并聯(lián)設(shè)置晶體管Tr5(開關(guān)電路SW1)，并且與晶體管Tr1～Tr4串聯(lián)設(shè)置晶體管Tr6(開關(guān)電路SW2)。晶體管Tr1～Tr4的柵極與柵極端G公共相連，晶體管Tr1的漏極與漏極端D相連，晶體管Tr4的源極通過(guò)晶體管Tr6(開關(guān)電路SW2)與源極端S相連。
晶體管Tr5(開關(guān)電路SW1)的漏極與晶體管Tr4的源極相連，源極與晶體管Tr4的源極相連，以及柵極與接線端CT相連。因此，晶體管Tr5(開關(guān)電路SW1)構(gòu)成了用于短路晶體管Tr1～Tr4的短路電路。
晶體管Tr6(開關(guān)電路SW2)的漏極與晶體管Tr4的源極相連，源極與源極端S相連，以及柵極與接線端*CT相連。
如圖2下部的虛線所示，將通過(guò)反相器電路17對(duì)用于產(chǎn)生峰值電流的控制脈沖CONT進(jìn)行反相而獲得的反相信號(hào)(*CONT)從控制電路15提供給晶體管單元TNp的單元電路1的接線端*CT。另一方面，將顯示數(shù)據(jù)D0～Dn-1分別輸入晶體管單元TNb～TNn-1的接線端*CT。因此，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)D0～Dn-1確定晶體管Tr6的開/關(guān)狀態(tài)，而與控制脈沖CONT無(wú)關(guān)。
在控制脈沖CONT為“L”電平，即，不產(chǎn)生峰值電流的周期內(nèi)，晶體管TNp的單元電路1的接線端*CT變?yōu)椤癏”電平，從而晶體管Tr6導(dǎo)通。因此，將來(lái)自恒流源12的基準(zhǔn)電流Ip分路到晶體管TNa和TNp，并且電流反射鏡電路的輸入側(cè)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流變?yōu)镮p/10。因此，能夠獲得穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)周期中的模擬電流。
將控制脈沖CONT提供給接線端CT。當(dāng)控制脈沖CONT為“H”(有效電平)時(shí)，晶體管單元TNp和TNa～TNn-1的單元電路1的晶體管Tr5導(dǎo)通，而晶體管單元TNp的單元電路1的晶體管Tr6截止。因此，在產(chǎn)生峰值驅(qū)動(dòng)電流的周期內(nèi)，短路每個(gè)單元電路1的晶體管Tr2～Tr4，而只有晶體管Tr1能夠進(jìn)行操作。
附帶地，晶體管Tr1～Tr6的背柵極公共地連接到源極端S。
假設(shè)晶體管Tr1～Tr4的溝道長(zhǎng)度是常數(shù)，晶體管Tr2～Tr4的串聯(lián)電路的溝道長(zhǎng)度變?yōu)榫w管Tr1的溝道長(zhǎng)度的三倍。晶體管Tr5和Tr6是具有較小溝道長(zhǎng)度和較小溝道寬度的開關(guān)晶體管，并在非飽和區(qū)域內(nèi)執(zhí)行開/關(guān)操作。因此，即使晶體管Tr5和Tr6的柵極-源極電壓VGS較低，仍然能夠在晶體管Tr5和Tr6中產(chǎn)生相對(duì)較大的漏極電流ID。例如，即使電源電壓較低的，晶體管Tr5和Tr6的開/關(guān)操作仍然是可能的。
另一方面，為了限制來(lái)自D/A轉(zhuǎn)換器電路的模擬電流的變化并提高D/A轉(zhuǎn)換的精度，優(yōu)選的是，晶體管Tr1～Tr4的串聯(lián)電路的總溝道長(zhǎng)度較大。當(dāng)使溝道長(zhǎng)度L變大時(shí)，不可能獲得這些晶體管的較大的漏極電流ID，除非柵極-源極電壓VGS較高。但是，當(dāng)D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸入側(cè)晶體管的電源電壓為大約3V或更低時(shí)，源極-柵極電壓VGS受到限制，不可能獲得與用于對(duì)有機(jī)EL源極進(jìn)行初始充電的峰值電流一樣大的漏極電流ID。
但是，在本實(shí)施例中，通過(guò)如圖1所示的控制脈沖CONT，接通晶體管單元TNp和TNa～TNn-1的單元電路1的開關(guān)電路SW1，從而停止晶體管Tr2～Tr4的操作，而只有晶體管Tr1能夠進(jìn)行操作。
即，當(dāng)根據(jù)通過(guò)反相控制脈沖CONT而獲得的*CONT信號(hào)斷開晶體管單元TNp的單元電路1的開關(guān)電路SW2時(shí)，獲得與峰值驅(qū)動(dòng)電流一樣大的漏極電流ID。相對(duì)于晶體管單元TNp的單元電路1的開關(guān)電路SW1的操作，反轉(zhuǎn)了相同單元電路1的開關(guān)電路SW2的開/關(guān)操作。另一方面，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)D0～Dn-1的邏輯值“H”(高電平)和“L”(低電平)，對(duì)晶體管單元TNb～TNn-1的單元電路1的開關(guān)電路SW2進(jìn)行開/關(guān)控制。由于在有機(jī)EL元件4的驅(qū)動(dòng)周期的初始部分中，峰值驅(qū)動(dòng)電流的控制脈沖CONT變?yōu)椤癏”恒定的時(shí)間段，導(dǎo)通單元電路1的晶體管Tr5，即開關(guān)電路SW1，從而只有晶體管Tr1進(jìn)行操作。
因此，來(lái)自恒流源12的基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip流向晶體管單元TNa的晶體管Tr1，并且在輸出側(cè)晶體管單元TNb～TNn-1中，在有機(jī)EL元件4的驅(qū)動(dòng)電流的初始部分中，產(chǎn)生用于對(duì)有機(jī)EL元件4進(jìn)行初始充電的峰值驅(qū)動(dòng)電流的模擬電流Ia(＝Ipa)。在這種情況下，通過(guò)斷開晶體管單元TNp的開關(guān)電路SW2，基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip并不流向晶體管單元TNp的晶體管Tr1。
在這種情況下，D/A轉(zhuǎn)換器電路11的晶體管單元TNa和TNp的柵極-源極電壓VGS可以低于受到電源電壓+VDD限制的晶體管單元TNa和TNp的柵極-源極電壓。
因此，溝道長(zhǎng)度L由較短的晶體管Tr1的溝道長(zhǎng)度確定。因此，能夠提供向晶體管Tr1提供足夠大以產(chǎn)生峰值驅(qū)動(dòng)電流的漏極電流ID，而無(wú)需增加?xùn)艠O-源極電壓VGS，即，即使在電源電壓為大約3V或更低時(shí)。
假設(shè)晶體管Tr1～Tr4的溝道長(zhǎng)度相同，由于只有晶體管Tr1進(jìn)行操作，所以晶體管單元TNa的單元電路1的溝道長(zhǎng)度變?yōu)樗姆种?。因此，能夠向晶體管單元TNa的晶體管Tr1提供穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流的四倍的漏極電流ID，而無(wú)需增加?xùn)艠O-源極電壓VGS。因此，即使電源電壓+VDD較低，仍能通過(guò)基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip，產(chǎn)生針對(duì)輸出側(cè)晶體管單元TNb～TNn-1的模擬電流Ia(＝Ipa)。
之后，在以穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流啟動(dòng)穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)的定時(shí)，來(lái)自控制電路15的控制脈沖CONT變?yōu)椤癓”。因此，*CONT信號(hào)變?yōu)椤癏”，且晶體管單元TNp的開關(guān)電路SW2接通，從而基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip流向晶體管單元TNp的單元電路1的晶體管Tr1。此時(shí)，由于停止了控制脈沖CONT，晶體管單元TNp和TNa～TNn-1的開關(guān)電路SW1變?yōu)閿嚅_狀態(tài)。由于輸入側(cè)晶體管單元TNa的單元電路1的數(shù)量與輸入側(cè)晶體管單元TNp的單元電路1的數(shù)量的比值為1∶9，所以通過(guò)分支基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip，輸入側(cè)晶體管單元TNa和TNp的驅(qū)動(dòng)電流變?yōu)镮p/10。因此，將有機(jī)EL元件4的驅(qū)動(dòng)電流從峰值驅(qū)動(dòng)電流減小到穩(wěn)態(tài)驅(qū)動(dòng)電流。在這種情況下，由于溝道長(zhǎng)度L是產(chǎn)生模擬峰值電流Ia(＝Ipa)時(shí)的四倍，減小了D/A轉(zhuǎn)換器電路的變化。此外，由于流經(jīng)每個(gè)晶體管單元TNa和TNp的電流是Ip/10，不需要降低柵極-源極電壓VGS。
因此，響應(yīng)控制脈沖CONT和反相控制脈沖*CONT，即使在D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸入側(cè)晶體管的電源電壓低至大約3V甚或比3V更低時(shí)，D/A轉(zhuǎn)換器電路11仍然能夠通過(guò)將基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip提供給輸入側(cè)晶體管單元TNa，根據(jù)顯示數(shù)據(jù)，在顯示周期的開始部分中，在其輸出端11b，產(chǎn)生峰值驅(qū)動(dòng)電流Ia(＝Ipa)。當(dāng)停止控制脈沖CONT時(shí)，基準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電流Ip被分路到輸入側(cè)晶體管單元TNa和TNp，從而使電流反射鏡電路的輸入側(cè)驅(qū)動(dòng)電流實(shí)質(zhì)上變?yōu)槭种?，并能夠以較高的精度，在D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸出端11b產(chǎn)生模擬電流Ia(＝Ipa/10)。
(實(shí)施例2)圖3(a)示出了單元電路1的布局20，單元電路1包括具有短溝道長(zhǎng)度的晶體管和具有長(zhǎng)溝道長(zhǎng)度的晶體管的串聯(lián)電路，所述晶體管均為彎曲晶體管(serpentine transistor)。
參考數(shù)字21表示包括區(qū)域24和區(qū)域25的區(qū)域，在區(qū)域24中，形成了如圖2所示的晶體管Tr1，在區(qū)域25中，形成了如圖2中的虛線所示的晶體管Tr7。區(qū)域25中的晶體管Tr7的溝道長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于圖2所示的晶體管Tr2～Tr4的溝道長(zhǎng)度的總和。因此，在實(shí)施例2中，能夠?qū)卧娐?的晶體管數(shù)減少兩個(gè)。
參考數(shù)字22表示其中形成了構(gòu)成開關(guān)電路SW1的晶體管Tr5的區(qū)域，以及參考數(shù)字23表示其中形成了構(gòu)成開關(guān)電路SW2的晶體管Tr6的區(qū)域。
參考數(shù)字24表示其中形成了晶體管Tr1的區(qū)域，并包括漏極區(qū)域24d和源極接觸區(qū)域24sc。在漏極和源極接觸區(qū)域24d和24sc的下方設(shè)置源極區(qū)域。在源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間設(shè)置帶狀U形溝道區(qū)域。
在開關(guān)電路SW1的區(qū)域22中，參考數(shù)字22s表示晶體管Tr5的源極區(qū)域，并且其源極接觸區(qū)域22sc通過(guò)上層配線30連接至與晶體管Tr7的源極區(qū)域共用的、晶體管Tr6的漏極區(qū)域23d的漏極接觸區(qū)域23dc，從而使晶體管Tr5的源極區(qū)域與晶體管Tr7的源極區(qū)域相連。
參考數(shù)字22g表示晶體管Tr5的柵極區(qū)域。柵極區(qū)域22g的柵極接觸區(qū)域22gc與接線端CT相連。晶體管Tr5的漏極區(qū)域22d被公用作晶體管Tr1的源極區(qū)域。
在開關(guān)電路SW2的區(qū)域23中，參考數(shù)字23s表示晶體管Tr6的源極區(qū)域。源極區(qū)域23s的源極接觸區(qū)域23sc通過(guò)上配線31與源極端S相連。參考數(shù)字23g表示晶體管Tr6的柵極區(qū)域，并且柵極區(qū)域23g的柵極接觸區(qū)域23gc與接線端*CT相連。晶體管Tr6的漏極區(qū)域23d用于晶體管Tr7的源極區(qū)域。
晶體管Tr1的漏極區(qū)域24d通過(guò)上層配線32與漏極端D相連。與晶體管Tr7的漏極區(qū)域公用的、晶體管Tr1的源極區(qū)域通過(guò)上層配線33與晶體管Tr7的漏極區(qū)域25d的漏極接觸區(qū)域25dc相連。因此，晶體管Tr5(開關(guān)電路SW1)與晶體管Tr7并聯(lián)。
參考數(shù)字21g表示晶體管單元TN(晶體管單元TNp和TNa～TNn-1中的每一個(gè))的柵極區(qū)域，以及參考數(shù)字25表示晶體管單元TN的柵極接觸區(qū)域。參數(shù)數(shù)字26表示溝道形成區(qū)域，用于形成位于柵極區(qū)域21g中的柵極電極下方的溝道的，從而當(dāng)將預(yù)定電壓施加到柵極上時(shí)，立即在溝道形成區(qū)域26下方，形成折疊帶狀彎曲的溝道(反型層)。在溝道形成區(qū)域周圍設(shè)置用于隔離各個(gè)帶形溝道的LOCOS(SiO2)區(qū)域26L。
圖3(b)是沿圖3(a)中的A-A線得到的剖面圖。交替排列溝道形成區(qū)域26和LOCOS區(qū)域26L，從而將形成在柵極區(qū)域中的溝道限制在溝道形成區(qū)域26內(nèi)。結(jié)果，能夠在柵極區(qū)域中，形成平面圖所示的帶狀彎曲的溝道。因此，在柵極區(qū)域中的溝道中的電流流動(dòng)方向變?yōu)閺澢?，從而能夠減小晶體管TN的W/L。
結(jié)果，單元電路1的等效電路包括具有短?hào)艠O長(zhǎng)度(短溝道長(zhǎng)度L)的晶體管Tr1和具有長(zhǎng)柵極長(zhǎng)度(長(zhǎng)溝道長(zhǎng)度L)的晶體管Tr7的串聯(lián)電路以及由各個(gè)晶體管Tr5和Tr6構(gòu)成的開關(guān)電路，如圖3(a)所示。即，在單元電路1中，設(shè)置晶體管Tr7，以代替如圖2所示的晶體管Tr2～Tr4。
(實(shí)施例3)圖4(a)示出了另一溝道形成區(qū)域26，其包括多個(gè)平行設(shè)置的U形彎曲溝道形成區(qū)域261和設(shè)置在U形彎曲溝道形成區(qū)域261兩側(cè)的直帶262。即，溝道形成區(qū)域261對(duì)應(yīng)于如圖3(a)所示的單一溝道形成區(qū)域26。
在柵極區(qū)域21g的外部，分別在彎曲溝道形成區(qū)域261的端部和帶262的端部設(shè)置具有用于引導(dǎo)溝道電流的接觸端264的溝道接觸區(qū)域263。通過(guò)上配線層中的配線265來(lái)連接其接觸端264，串聯(lián)溝道形成區(qū)域261和262，以形成單一的彎曲溝道。
圖4(b)是沿圖4(a)中的線A-A得到的剖面圖，實(shí)質(zhì)上域如圖3(b)所示的剖面圖相同。分別緊鄰在彎曲溝道形成區(qū)域261和帶262的下方，形成溝道接觸區(qū)域263，作為N+接線盤區(qū)域(landregion)。
如上所述，本實(shí)施例的電流源12由其源極與電源線+VDD相連且其漏極與輸入端11a相連的單一的P溝道MOS晶體管構(gòu)成。在這種情況下，可以將用于電平調(diào)整的晶體管插入在此晶體管的源極和輸入端11a之間，與驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)移器電路13a的晶體管TNv相對(duì)應(yīng)。
此外，由于高精度D/A轉(zhuǎn)換的需要，輸入側(cè)晶體管單元和輸出側(cè)晶體管單元分別由等同的單元電路構(gòu)成。但是，較低的電源線電壓導(dǎo)致了構(gòu)成D/A轉(zhuǎn)換器電路11的電流反射鏡電路的輸入晶體管單元TNa和TNp中的問(wèn)題。因此，如果不需要高精度的D/A轉(zhuǎn)換，完全可以將開關(guān)電路SW1設(shè)置在至少一個(gè)輸入側(cè)晶體管單元中，或改變至少一個(gè)輸入側(cè)晶體管單元中的柵極長(zhǎng)度。
此外，盡管在所描述的實(shí)施例中，將N溝道MOS晶體管用于構(gòu)建D/A轉(zhuǎn)換器電路，但在本實(shí)施例中，當(dāng)然可以只用P溝道MOS晶體管或P溝道晶體管和N溝道晶體管的組合來(lái)構(gòu)建D/A轉(zhuǎn)換器電路。
權(quán)利要求
1.一種D/A轉(zhuǎn)換器電路，包括由輸入側(cè)晶體管電路和輸出側(cè)晶體管電路構(gòu)成的電流反射鏡電路，所述輸入側(cè)晶體管電路包括第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的串聯(lián)電路；以及與所述第一MOS晶體管并聯(lián)的第一開關(guān)電路，所述第一和第二MOS晶體管的柵極共同連接，所述第一MOS晶體管和第二MOS晶體管之一的源極與所述第一和第二MOS晶體管中的另一個(gè)的漏極相連，并且所述第二MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度短于所述第一MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度，所述第一和第二MOS晶體管的未連接源極和未連接漏極之一直接或間接地與預(yù)定電壓的電源線相連，接通所述第一開關(guān)電路，以便向所述串聯(lián)電路提供比由所述第一和第二MOS晶體管之一的所述柵極和所述未連接源極之間的源極-柵極電壓所確定的電流大的電流，所述源極-柵極電壓受到所述預(yù)定電壓限制，從而在所述電流反射鏡電路的所述輸出側(cè)晶體管電路處獲得較大的模擬電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其特征在于設(shè)置多個(gè)所述輸出側(cè)晶體管電路，將低于由所述預(yù)定電壓所限定的源級(jí)-柵極電壓的電壓施加在所述另一MOS晶體管的所述未連接源級(jí)和所述柵極之間，并獲得模擬電流，作為所述輸出側(cè)晶體管電路的總輸出電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其特征在于所述輸入側(cè)晶體管電路和所述輸出晶體管電路中的每一個(gè)均由包括所述串聯(lián)電路和與所述串聯(lián)電路串聯(lián)連接的第二開關(guān)電路的晶體管單元構(gòu)成，同時(shí)接通所述晶體管單元的所述第一開關(guān)電路，以及根據(jù)要進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)，對(duì)所述輸出側(cè)晶體管電路的所述晶體管單元的所述第二開關(guān)電路進(jìn)行開/關(guān)控制。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其特征在于并聯(lián)設(shè)置多個(gè)所述輸入側(cè)晶體管電路，在斷開所述第一開關(guān)電路時(shí)，接通所述輸入側(cè)晶體管電路之一的所述晶體管單元的所述第二開關(guān)電路，以便將較大的電流分路到所述輸入側(cè)晶體管電路的所述晶體管單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其特征在于當(dāng)接通所述第一開關(guān)電路時(shí)，在模擬輸出電流中產(chǎn)生與較大的電流相對(duì)應(yīng)的峰值電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其特征在于所述第一MOS晶體管由通過(guò)源級(jí)-漏極連接順序連接的多個(gè)晶體管構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的D/A轉(zhuǎn)換器電路，其特征在于所述第一MOS晶體管是具有平面圖為折疊帶形彎曲的柵極區(qū)域的晶體管或者是具有溝道的晶體管，所述溝道中的電流流動(dòng)方向在平面圖上為折疊帶形彎曲的形狀。
8.一種有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路，包括由電流反射鏡電路構(gòu)成的D/A轉(zhuǎn)換器電路，具有輸入側(cè)晶體管電路和輸入側(cè)晶體管電路，并響應(yīng)顯示數(shù)據(jù)，產(chǎn)生模擬電流，用于產(chǎn)生有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流或驅(qū)動(dòng)電流與之相關(guān)的電流，所述電流反射鏡電路包括所述輸入側(cè)晶體管電路包括第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的串聯(lián)電路；以及與所述第一MOS晶體管并聯(lián)的第一開關(guān)電路，所述第一和第二MOS晶體管的柵極共同連接，所述第一MOS晶體管和第二MOS晶體管之一的源極與所述第一和第二MOS晶體管中的另一個(gè)的漏極相連，并且所述第二MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度短于所述第一MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度，所述第一和第二MOS晶體管的未連接源極和未連接漏極之一直接或間接地與預(yù)定電壓的電源線相連，接通所述第一開關(guān)電路，以便向所述串聯(lián)電路提供比由所述第一和第二MOS晶體管之一的所述柵極和所述未連接源極之間的源極-柵極電壓所確定的電流大的電流，所述源極-柵極電壓受到所述預(yù)定電壓限制，從而在所述電流反射鏡電路的所述輸出側(cè)晶體管電路處獲得較大的模擬電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于還包括電流源，用于以所述D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸出電流對(duì)所述有機(jī)EL元件進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)，其中設(shè)置多個(gè)所述輸出側(cè)晶體管電路，將低于由所述預(yù)定電壓所限定的源級(jí)-柵極電壓的電壓施加在所述另一MOS晶體管的所述未連接源級(jí)和所述柵極之間，并獲得模擬電流，作為所述輸出側(cè)晶體管電路的總輸出電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述輸入側(cè)晶體管電路和所述輸出晶體管電路中的每一個(gè)均由包括所述串聯(lián)電路和與所述串聯(lián)電路串聯(lián)連接的第二開關(guān)電路的晶體管單元構(gòu)成，同時(shí)接通所述晶體管單元的所述第一開關(guān)電路，以及根據(jù)要進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)，對(duì)所述輸出側(cè)晶體管電路的所述晶體管單元的所述第二開關(guān)電路進(jìn)行開/關(guān)控制。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)EL驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于并聯(lián)設(shè)置多個(gè)所述輸入側(cè)晶體管電路，在斷開所述第一開關(guān)電路時(shí)，接通所述輸入側(cè)晶體管電路之一的所述晶體管單元的所述第二開關(guān)電路，以便將較大的電流分路到所述輸入側(cè)晶體管電路的所述晶體管單元。
12.一種有機(jī)EL顯示設(shè)備，具有包括由電流反射鏡電路構(gòu)成的D/A轉(zhuǎn)換器電路的驅(qū)動(dòng)電路，具有輸入側(cè)晶體管電路和輸出側(cè)晶體管電路，并響應(yīng)顯示數(shù)據(jù)，產(chǎn)生模擬電流，用于產(chǎn)生有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流或驅(qū)動(dòng)電流與之相關(guān)的電流，用于向有機(jī)EL板的引線腳輸出有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電流，所述電流反射鏡電路包括所述輸入側(cè)晶體管電路包括第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的串聯(lián)電路；以及與所述第一MOS晶體管并聯(lián)的第一開關(guān)電路，所述第一和第二MOS晶體管的柵極共同連接，所述第一MOS晶體管和第二MOS晶體管之一的源極與所述第一和第二MOS晶體管中的另一個(gè)的漏極相連，并且所述第二MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度短于所述第一MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度，所述第一和第二MOS晶體管的未連接源極和未連接漏極之一直接或間接地與預(yù)定電壓的電源線相連，接通所述第一開關(guān)電路，以便向所述串聯(lián)電路提供比由所述第一和第二MOS晶體管之一的所述柵極和所述未連接源極之間的源極-柵極電壓所確定的電流大的電流，其中所述源極-柵極電壓受到所述預(yù)定電壓限制，從而在所述電流反射鏡電路的所述輸出側(cè)晶體管電路處獲得較大的模擬電流。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)EL顯示設(shè)備，其特征在于還包括電流源，用于以所述D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸出電流對(duì)所述有機(jī)EL元件進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)，其中設(shè)置多個(gè)所述輸出側(cè)晶體管電路，將低于由所述預(yù)定電壓所限定的源級(jí)-柵極電壓的電壓施加在所述另一MOS晶體管的所述未連接源級(jí)和所述柵極之間，并獲得模擬電流，作為所述輸出側(cè)晶體管電路的總輸出電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)EL顯示設(shè)備，其特征在于所述輸入側(cè)晶體管電路和所述輸出晶體管電路中的每一個(gè)均由包括所述串聯(lián)電路和與所述串聯(lián)電路串聯(lián)連接的第二開關(guān)電路的晶體管單元構(gòu)成，同時(shí)接通所述晶體管單元的所述第一開關(guān)電路，以及根據(jù)要進(jìn)行D/A轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)，對(duì)所述輸出側(cè)晶體管電路的所述晶體管單元的所述第二開關(guān)電路進(jìn)行開/關(guān)控制。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)EL顯示設(shè)備，其特征在于針對(duì)每個(gè)所述引線腳，設(shè)置所述D/A轉(zhuǎn)換器電路和所述電流源，并聯(lián)設(shè)置多個(gè)所述輸入側(cè)晶體管電路，在斷開所述第一開關(guān)電路時(shí)，接通所述輸入側(cè)晶體管電路之一的所述晶體管單元的所述第二開關(guān)電路，以便將較大的電流分路到所述輸入側(cè)晶體管電路的所述晶體管單元。
全文摘要
在包括由輸入側(cè)晶體管電路和輸出側(cè)晶體管電路構(gòu)成的電流反射鏡電路的D/A轉(zhuǎn)換器電路中，輸入側(cè)晶體管電路包括第一MOS晶體管和第二MOS晶體管的串聯(lián)電路；以及與第一MOS晶體管并聯(lián)的第一開關(guān)電路。第一和第二MOS晶體管的柵極共同連接，第一MOS晶體管和第二MOS晶體管之一的源極與第一和第二MOS晶體管中的另一個(gè)的漏極相連，并且第二MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度短于第一MOS晶體管的柵極長(zhǎng)度。第一和第二MOS晶體管的未連接源極和未連接漏極之一直接或通過(guò)其他元件或電路與預(yù)定電壓的電源線相連，以及接通第一開關(guān)電路，以便向串聯(lián)電路提供電流，從而獲得比當(dāng)電流值由于受到預(yù)定電壓限制的、第一和第二MOS晶體管之一的柵極和未連接源極之間的源極－柵極電壓而被禁止流入串聯(lián)電路時(shí)、位于電流反射鏡的輸出側(cè)晶體管電路處的電流大的模擬電流。
文檔編號(hào)G09G3/30GK1622175SQ2004100963
公開日2005年6月1日 申請(qǐng)日期2004年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月26日
發(fā)明者前出淳, 阿部真一, 藤澤雅憲 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司