專利名稱：具有微反射器的發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光組件，尤其是涉及一種具有微反射器的發(fā)光組件。
發(fā)光組件的應(yīng)用頗為廣泛，例如，可應(yīng)用于光學(xué)顯示裝置、激光二極管、交通信號、信息儲(chǔ)存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫(yī)療裝置。在此技術(shù)中，目前技術(shù)人員重要課題之一為如何提高發(fā)光組件的發(fā)光效率。
背景技術(shù)：
于美國專利公開第2002/0017652號中，揭露一種具有埋藏式微反射結(jié)構(gòu)AlGaInP發(fā)光組件，如圖1所示，其利用蝕刻技術(shù)，將發(fā)光組件的外延層蝕刻成微反射結(jié)構(gòu)外延層41，該微反射結(jié)構(gòu)包含半圓球形、金字塔形或角錐形等，接著沈積金屬反射層42于該外延層上，再將微反射結(jié)構(gòu)外延層的頂端與導(dǎo)電載體40(硅芯片)鍵結(jié)在一起，再移除原先外延層的不透明基板，使得射向該不透明基板的光線可以射出。該微反射結(jié)構(gòu)可將射向反射結(jié)構(gòu)的光線經(jīng)由反射帶出，以提高發(fā)光組件的亮度。由于該發(fā)光組件僅靠反射結(jié)構(gòu)的頂端與該載體局部相接合，接觸面積較小，此結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度不夠強(qiáng)，易造成接合面剝離。
另外，對外延層進(jìn)行蝕刻形成該微反射結(jié)構(gòu)，因此該外延層必須成長到足夠的厚度，否則蝕刻形成的微反射結(jié)構(gòu)，無法達(dá)成光反射的功能，但是厚外延層成長需花費(fèi)較長的時(shí)間，不僅耗時(shí)，成本也相對提高。

發(fā)明內(nèi)容
本案發(fā)明人于思考如何解決前述的問題時(shí)，認(rèn)為若利用一種具有微反射器的發(fā)光組件，該發(fā)光組件具有微反射器，該微反射器的形成方法是于發(fā)光迭層上形成分布式透明幾何圖案模型層，該分布式透明幾何圖案模型層是以例如透明高分子材料或氧化物金屬所形成，再以蒸鍍技術(shù)，于該透明幾何圖案模型層形成反射層，由于該分布式透明幾何圖案模型層具有特定的圖案，因此蒸鍍上去的反射層也會(huì)具有該特定的圖案，由該透明幾何圖案模型層及該反射層構(gòu)成該微反射器；最后再利用粘接層將該微反射器與基板粘接在一起。當(dāng)由發(fā)光區(qū)射向該微反射器的光，會(huì)將入射光反射成垂直光帶出，因而可提高發(fā)光組件的亮度。由于本發(fā)明不需如已知技術(shù)中成長厚的外延層再蝕刻該外延層等步驟，因此可達(dá)到降低成本，提升亮度的目的。再者本發(fā)明以粘接層將具有微反射器的發(fā)光迭層與基板的表面粘接在一起，而不是如前述已知技術(shù)僅靠反射器的頂端與載體局部相接合，因此更可解決結(jié)構(gòu)的機(jī)械強(qiáng)度不夠強(qiáng)的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有微反射器的發(fā)光組件，該發(fā)光組件具有微反射器，該微反射器的形成方法是于發(fā)光迭層上形成分布式透明幾何圖案模型層，該分布式透明幾何圖案模型層是以例如透明高分子材料或氧化物金屬所形成，該分布式透明幾何圖案模型層的外型包含半圓球形、金字塔形或角錐形等幾何圖案，而該幾何圖案可以連續(xù)分布或不連續(xù)分布形成；接著再以蒸鍍技術(shù)，于該透明幾何圖案模型層上形成反射層，由于該分布式透明幾何圖案模型層具有特定的圖案，因此蒸鍍上去的反射層也會(huì)具有該特定的圖案，由該透明幾何圖案模型層及該反射層構(gòu)成該微反射器；最后再利用粘接層將該微反射器與基板粘接在一起或利用電鍍法于微反射器上形成金屬基板以供承載的功能。當(dāng)由發(fā)光區(qū)射向該微反射器的光，會(huì)將入射光反射成垂直光帶出，因而可提高發(fā)光組件的亮度。其中不需耗時(shí)進(jìn)行外延程序，僅需利用黃光程序，將高分子或氧化金屬材料預(yù)先蝕刻形成分布式透明幾何圖案模型層，再蒸鍍形成微反射器，因此可達(dá)到降低成本，提升亮度的目的。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有微反射器的發(fā)光組件，其利用該粘接層能與微反射器各面緊密接合的特性，使得微反射器、粘接層與基板之間接合強(qiáng)度增加，如此可以提升其機(jī)械強(qiáng)度，避免接合面剝離，簡化制程，增加信賴度。
依本發(fā)明一較佳實(shí)施例一種具有微反射器的發(fā)光組件，包含基板；形成于該基板上的第一反應(yīng)層；形成于該第一反應(yīng)層上的粘結(jié)層；形成于該粘結(jié)層上的第二反應(yīng)層；形成于該第二反應(yīng)層上的微反射器，該微反射器包含反射層與該第二反應(yīng)層相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層，該微反射器是利用該分明幾何圖案模型層，以蒸鍍技術(shù)于該透明幾何圖案模型層上形成該反射層；形成于該微反射器上的透明導(dǎo)電層，其中，該透明導(dǎo)電層的上表面包含第一表面區(qū)域與第二表面區(qū)域；形成于該第一表面區(qū)域上的第一接觸層；形成于該第一接觸層上的第一束縛層；形成于該第一束縛層上的發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的第二束縛層；形成于該第二束縛層上的第二接觸層；形成于該第二表面區(qū)域上的第一接線電極；以及形成于該第二接觸層上的第二接線電極。
前述的基板，系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、Si、SiC、玻璃、BN、AlN或Ge所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的透明導(dǎo)電層系包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的反射層系包含選自In、Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ge、Ag、Ti、Pb、Pd、Cu、AuBe、AuGe、Ni、Cr、PbSn、AuZn或氧化銦錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的透明幾何圖案模型層的外型包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形等幾何圖案所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀；前述的微反射器的反射面的形狀，系包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀；前述的透明幾何圖案模型層，系包含選自聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)、全氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化錫、氧化鋅錫或氧化鈦所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一束縛層，系包含選自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述發(fā)光層，系包含選自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二束縛層，系包含選自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二接觸層，系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一接觸層，系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述粘結(jié)層系包含選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或全氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一反應(yīng)層系包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二反應(yīng)層系包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料。


圖1顯示已知技術(shù)的埋藏式微反射器AlGaInP發(fā)光組件；圖2顯示依本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種具有微反射器的發(fā)光組件；圖3顯示依本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種具有微反射器的發(fā)光組件；圖4顯示依本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的一種具有微反射器的發(fā)光組件。
符號說明1 發(fā)光組件10基板100 第一反應(yīng)層101 粘結(jié)層102 第二反應(yīng)層11微反射器110 反射層111 透明幾何圖案模型層12透明導(dǎo)電層13第一接觸層14第一束縛層15發(fā)光層16第二束縛層17第二接觸層18第一接線電極19第二接線電極20金屬基板、21微反射器210 反射層211 透明幾何圖案模型層22透明導(dǎo)電層23第一接觸層24第一束縛層25發(fā)光層26第二束縛層27第二接觸層
28第一接線電極3 發(fā)光組件30導(dǎo)電基板300 第一反應(yīng)層301 導(dǎo)電粘結(jié)層302 第二反應(yīng)層31微反射器310 反射層311 透明幾何圖案模型層32透明導(dǎo)電層33第一接觸層34第一束縛層35發(fā)光層36第二束縛層37第二接觸層38第一接線電極39第二接線電極具體實(shí)施方式

請參閱圖2，依本發(fā)明一較佳實(shí)施例一種具有微反射器的發(fā)光組件1，包含基板10、形成于該基板10上的第一反應(yīng)層100、形成于該第一反應(yīng)層上的粘結(jié)層101、形成于該粘結(jié)層101上的第二反應(yīng)層102、形成于該第二反應(yīng)層102上的微反射器11，該微反射器11包含反射層110與該第二反應(yīng)層相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層111，該微反射器11是利用該透明幾何圖案模型層111，其中該幾何圖案可以是連續(xù)分布式形成，也可以是間斷不連續(xù)式形成；再以蒸鍍技術(shù)于該透明幾何圖案模型層上形成該反射層110；形成于該微反射器上的透明導(dǎo)電層12，其中，該透明導(dǎo)電層12的上表面包含第一表面區(qū)域與第二表面區(qū)域、形成于該第一表面區(qū)域上的第一接觸層13、形成于該第一接觸層上的第一束縛層14、形成于該第一束縛層上的發(fā)光層15、形成于該發(fā)光層上的第二束縛層16、形成于該第二束縛層上的第二接觸層17、形成于該第二表面區(qū)域上的第一接線電極18、以及形成于該第二接觸層上的第二接線電極19。前述的第一反應(yīng)層及第二反應(yīng)層的目的在于輔助該粘接層與微反射器或透明導(dǎo)電層之間的結(jié)合力。
請參閱圖3，依本發(fā)明一較佳實(shí)施例一種具有微反射器的發(fā)光組件2，包含金屬基板20、形成于該金屬基板20上的微反射器21，其中該微反射器包含反射層210與該金屬基板相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層211，該微反射器21是利用該透明幾何圖案模型層211，以蒸鍍技術(shù)于該透明幾何圖案模型層上形成該反射層210；形成于該微反射器21上的透明導(dǎo)電層22、形成于該透明導(dǎo)電層22上的第一接觸層23、形成于該第一接觸層上的第一束縛層24、形成于該第一束縛層上的發(fā)光層25、形成于該發(fā)光層上的第二束縛層26、形成于該第二束縛層上的第二接觸層27、以及形成于該第二接觸層上的第一接線電極28。
請參閱圖4，依本發(fā)明另一較佳實(shí)施例一種具有微反射器的發(fā)光組件3，包含導(dǎo)電基板30、形成于該導(dǎo)電基板30上表面上的形成于該導(dǎo)電基板上的第一反應(yīng)層300、形成于該第一反應(yīng)層300上的導(dǎo)電粘結(jié)層301、形成于該導(dǎo)電粘結(jié)層301上的第二反應(yīng)層302、形成于該第二反應(yīng)層302上的微反射器31，該微反射器31包含反射層310與該第二反應(yīng)層相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層311，該微反射器31是利用該透明幾何圖案模型層311，以蒸鍍技術(shù)于該透明幾何圖案模型層上形成該反射層310；形成于該微反射器上的透明導(dǎo)電層32、形成于該透明導(dǎo)電層32上的第一接觸層33、形成于該第一接觸層33上的第一束縛層34、形成于該第一束縛層34上的發(fā)光層35、形成于該發(fā)光層25上的第二束縛層36、形成于該第二束縛層36上的第二接觸層37、形成于該導(dǎo)電基板下表面上的第一接線電極38、以及形成于該第二接觸層37上的第二接線電極39。
前述的導(dǎo)電粘接層具有導(dǎo)電的功能；前述的第一反應(yīng)層及第二反應(yīng)層的目的在于輔助該導(dǎo)電粘接層與微反射器或?qū)щ妼又g的結(jié)合力，同時(shí)使其接合面形成奧姆接觸。
前述的三個(gè)實(shí)施例中，亦可于第二接線電極與第二接觸層之間形成透明導(dǎo)電層；前述的透明幾何圖案模型層的外型包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形等幾何圖案所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀；前述的透明幾何圖案模型層，系包含選自聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)、全氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化錫、氧化鋅錫或氧化鈦所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述基板，系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、Si、SiC、玻璃、BN、AlN或Ge所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述導(dǎo)電基板，系包含選自Si、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、BN或AlN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述反射層，系包含選自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、AuZn或氧化銦錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料；前述的反射層的形狀，系包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀；前述的透明導(dǎo)電層，系包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅及氧化鋅錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一束縛層，系包含選自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述發(fā)光層，系包含選自AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二束縛層，系包含選自AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二接觸層，系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一接觸層，系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述粘結(jié)層系包含選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或全氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第一反應(yīng)層系包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述第二反應(yīng)層系包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的導(dǎo)電粘結(jié)層包含選自于自發(fā)性導(dǎo)電高分子(Intrinsically conducting polymer)或高分子中摻雜導(dǎo)電材質(zhì)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述的導(dǎo)電材質(zhì)包含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Au及Ni/Au所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料；前述金屬基板的形成方法系包含選自電鍍，電鑄，無電解電鍍及電弧蒸鍍的中至少一種方法或其它可替代的方法。
雖然本發(fā)明的發(fā)光組件已以較佳實(shí)施例揭露于上，然本發(fā)明的范圍并不限于上述較佳實(shí)施例，例如透明幾何模型層的材料應(yīng)包含非磊晶所形成的半導(dǎo)體以外的透明材料，將該材料經(jīng)加工而形成的透明幾何模型層；應(yīng)以所述權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。因此任何熟知此項(xiàng)技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求及精神下，當(dāng)可做任何改變。
權(quán)利要求
1.一種具有微反射器的發(fā)光組件，包含基板；粘接層，形成于該基板之上；微反射器，形成于該粘接層之上，該微反射器包含反射層與該粘接層相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層；以及發(fā)光迭層，形成于該微反射器之上。
2.如權(quán)利要求1所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中于該粘接層與該基板之間進(jìn)一步包含第一反應(yīng)層。
3.如權(quán)利要求1所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中于該微反射器與該粘接層之間進(jìn)一步包含第二反應(yīng)層。
4.如權(quán)利要求1所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中于該發(fā)光迭層的同一正面形成第一電極及第二電極。
5.如權(quán)利要求1所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中分別于該發(fā)光迭層的正面及基板反面形成第一電極及第二電極。
6.一種具有微反射器的發(fā)光組件，包含金屬基板；微反射器，形成于該金屬基板之上，該微反射器包含反射層與該金屬基板相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層；以及發(fā)光迭層，形成于該微反射器之上。
7.一種具有微反射器的發(fā)光組件，包含基板；形成于該基板上的第一反應(yīng)層；形成于該第一反應(yīng)層上的粘結(jié)層；形成于該粘結(jié)層上的第二反應(yīng)層；形成于該第二反應(yīng)層上的微反射器，該微反射器包含反射層與該第二反應(yīng)層相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層；形成于該微反射器上的透明導(dǎo)電層，其中，該透明導(dǎo)電層的上表面包含第一表面區(qū)域與第二表面區(qū)域；形成于該第一表面區(qū)域上的第一接觸層；形成于該第一接觸層上的第一束縛層；形成于該第一束縛層上的發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的第二束縛層；形成于該第二束縛層上的第二接觸層；形成于該第二表面區(qū)域上的第一接線電極；以及形成于該第二接觸層上的第二接線電極。
8.一種具有微反射器的發(fā)光組件，包含導(dǎo)電基板；形成于該導(dǎo)電基板上的第一反應(yīng)層；形成于該第一反應(yīng)層上的導(dǎo)電粘結(jié)層；形成于該導(dǎo)電粘結(jié)層上的第二反應(yīng)層；形成于該第二反應(yīng)層上的微反射器，該微反射器包含反射層與該第二反應(yīng)層相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層；形成于該微反射器上的透明導(dǎo)電層；形成于該透明導(dǎo)電層上的第一接觸層；形成于該第一接觸層上的第一束縛層；形成于該第一束縛層上的發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的第二束縛層；形成于該第二束縛層上的第二接觸層；形成于該導(dǎo)電基板下表面上的第一接線電極；以及形成于該第二接觸層上的第二接線電極。
9.一種具有微反射器的發(fā)光組件，包含金屬基板；形成于該金屬基板上的微反射器，該微反射器包含反射層與該金屬基板相接，以及形成于該反射層上的透明幾何圖案模型層；形成于該微反射器上的透明導(dǎo)電層；形成于該透明導(dǎo)電層上的第一接觸層；形成于該第一接觸層上的第一束縛層；形成于該第一束縛層上的發(fā)光層；形成于該發(fā)光層上的第二束縛層；形成于該第二束縛層上的第二接觸層；以及形成于該第二接觸層上的第一接線電極。
10.如權(quán)利要求1、6、7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該透明幾何圖案模型層的形狀，系包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀或其它可替代的形狀。
11.如權(quán)利要求1、6、7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該反射層的形狀，系包含選自半圓球形、金字塔形或角錐形所構(gòu)成形狀中的至少一種形狀或其它可替代的形狀。
12.如權(quán)利要求1、6、7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該透明幾何圖案模型層為連續(xù)分布式的幾何圖案。
13.如權(quán)利要求1、6、7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該透明幾何圖案模型層為不連續(xù)分布式的幾何圖案。
14.如權(quán)利要求1或7所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該基板，系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、Si、SiC、玻璃、藍(lán)寶石、BN、AlN或Ge所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
15.如權(quán)利要求8所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該導(dǎo)電基板，系包含選自Si、GaAs、SiC、GaP、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、BN或AlN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
16.如權(quán)利要求6或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該金屬基板，系包含選自Cu、Al、Au、Ag、W及其合金所構(gòu)成材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
17.如權(quán)利要求1、6、7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該反射層，系包含選自Sn、Al、Au、Pt、Zn、Ag、Ti、Pb、Pd、Ge、Cu、AuBe、AuGe、Ni、PbSn、AuZn或氧化銦錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
18.如權(quán)利要求1或7所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該粘結(jié)層系包含選自于聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烷或全氟環(huán)丁烷所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
19.如權(quán)利要求2所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該第一反應(yīng)層系包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
20.如權(quán)利要求7或8所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該第一反應(yīng)層系包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
21.如權(quán)利要求3所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該第二反應(yīng)層系包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
22.如權(quán)利要求7或8所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該第二反應(yīng)層系包含選自于SiNx、Ti或Cr所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
23.如權(quán)利要求8所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該導(dǎo)電粘結(jié)層包含選自于自發(fā)性導(dǎo)電高分子或高分子中摻雜導(dǎo)電材質(zhì)所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
24.如權(quán)利要求23所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該導(dǎo)電材質(zhì)包含選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Au及Ni/Au所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
25.如權(quán)利要求7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該第一束縛層，系包含選自于AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
26.如權(quán)利要求7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該發(fā)光層，系包含選自于AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
27.如權(quán)利要求7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該第二束縛層，系包含選自于AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
28.如權(quán)利要求7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該第一接觸層系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
29.如權(quán)利要求7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該第二接觸層，系包含選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
30.如權(quán)利要求7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，于該第二接線電極與該第二接觸層之間形成透明導(dǎo)電層。
31.如權(quán)利要求7、8或9所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該透明導(dǎo)電層，系包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅或氧化鋅錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
32.如權(quán)利要求30所述的具有微反射器的發(fā)光組件，其中該透明導(dǎo)電層，系包含選自氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅或氧化鋅錫所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
33.如權(quán)利要求1、6、7、8或9所述的一種具有微反射器的發(fā)光組件，其中該透明幾何圖案模型層，系包含選自聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烷、全氟環(huán)丁烷、氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化錫、氧化鋅錫或氧化鈦所構(gòu)成材料組群中的至少一種材料或其它可代替的材料。
全文摘要
一種具有微反射器的發(fā)光組件，該組件系具有微反射器，藉由該微反射器，將由發(fā)光層射向該微反射器的光反射后導(dǎo)出，以提高發(fā)光組件的發(fā)光效率。
文檔編號G09F13/22GK1758452SQ200410085260
公開日2006年4月12日 申請日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月8日
發(fā)明者謝明勛 申請人:晶元光電股份有限公司