專利名稱：圖象顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及容易進(jìn)行多圖象化的圖象顯示裝置，特別涉及適合于進(jìn)行高清晰度化的圖象顯示裝置。
背景技術(shù)：
以下，使用圖9～圖12來(lái)說(shuō)明2種現(xiàn)有技術(shù)。
圖9是表示現(xiàn)有例子1的發(fā)光顯示設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)圖。在顯示區(qū)域200內(nèi)矩陣狀地設(shè)置象素201，將象素201分別與信號(hào)線202和柵線群203連接。信號(hào)線202的一端與信號(hào)電流產(chǎn)生電路SGEN連接，柵線群203的一端與掃描電路SCN連接。實(shí)際上，在顯示區(qū)域200內(nèi)設(shè)置多個(gè)象素201，但為了簡(jiǎn)化附圖而在圖9中只記載了一個(gè)象素。在信號(hào)線202中存在寄生電容Cs。并且，如以下所述，在象素201中還布線了電源線和公共接地線，但省略了對(duì)它們的記載。另外，柵線群203實(shí)際由多個(gè)柵線群構(gòu)成，但在此進(jìn)行了簡(jiǎn)化，而只圖示一個(gè)。
接著，說(shuō)明圖9所示的現(xiàn)有例子的動(dòng)作。掃描電路SCN通過(guò)依次掃描柵線群203，而選擇寫入顯示信號(hào)電流Isig的象素行。與之同步地，信號(hào)電流生成電路SGEN向信號(hào)線202輸入顯示信號(hào)電流Isig，由此向被選擇了的象素201寫入顯示信號(hào)電流Isig。
使用圖10說(shuō)明象素201的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作。
圖10是象素201的電路結(jié)構(gòu)圖。在各象素201中作為發(fā)光元件設(shè)置有機(jī)EL(Organic Electro-Iuminescent有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光)元件210。有機(jī)EL元件210的負(fù)極端與公共接地217連接。另外，正極端經(jīng)由驅(qū)動(dòng)TFT(Thin-Film-Transistor薄膜晶體管)211的通道和電源開關(guān)215與電源線216連接。驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子一側(cè)進(jìn)而通過(guò)寫入開關(guān)214與信號(hào)線202連接。驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子和柵極端子之間設(shè)置信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig，在漏極端子和柵電子之間設(shè)置復(fù)位開關(guān)212。并且，電源開關(guān)215、寫入開關(guān)214、復(fù)位開關(guān)212通過(guò)柵線群203掃描。
接著，就圖10所示象素的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)把顯示信號(hào)電流Isig寫入象素201的時(shí)，設(shè)定為通過(guò)柵線群203電源開關(guān)215呈關(guān)狀態(tài)，寫入開關(guān)214和復(fù)位開關(guān)212呈開狀態(tài)。如果在該定時(shí)向信號(hào)線202寫入顯示信號(hào)電流Isig，則顯示信號(hào)電流Isig經(jīng)由驅(qū)動(dòng)TFT211流入有機(jī)EL元件210。此時(shí)，在驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓差。在此，如果接著將寫入開關(guān)214和復(fù)位開關(guān)212切換到關(guān)狀態(tài)，則在驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生的、與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓信號(hào)被原樣保持在存儲(chǔ)電容Csig中。
以上是寫入動(dòng)作。然后，如果通過(guò)柵線群203電源開關(guān)215成為開狀態(tài)，則由于從電源線216向驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子供給電壓，所以驅(qū)動(dòng)TFT211向有機(jī)EL元件210施加與保持在信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig中的柵電壓信號(hào)對(duì)應(yīng)的顯示信號(hào)電流Isig。據(jù)此，在接著的顯示期間內(nèi)，有機(jī)EL元件210以規(guī)定的亮度持續(xù)點(diǎn)亮。
有關(guān)這樣的現(xiàn)有技術(shù)，例如在非專利文獻(xiàn)1等中有詳細(xì)記載。
但是，在該現(xiàn)有例子1中，有以下問(wèn)題向選擇了的象素寫入信號(hào)電流的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，無(wú)法對(duì)應(yīng)發(fā)光顯示設(shè)備的多象素化。
一般來(lái)說(shuō)，被用于一個(gè)象素內(nèi)的有機(jī)EL元件驅(qū)動(dòng)的信號(hào)電流為500nA以下，例如如果假設(shè)50等級(jí)的顯示精度，則最小值需要10nA的信號(hào)電流的寫入。但是信號(hào)的寄生電容Cs一般在10pF以上，例如為了以10nA的信號(hào)電流寫入100mV的信號(hào)移動(dòng)，則時(shí)間常數(shù)為100μ秒。如果假設(shè)寫入需要時(shí)間常數(shù)的3倍的時(shí)間，則一行象素的寫入需要300μ秒，所以如果假設(shè)60幀/秒的動(dòng)畫顯示，則實(shí)時(shí)寫入的最大象素行數(shù)只有56行。
使用圖11和圖12說(shuō)明的現(xiàn)有例子2就是為了解決這樣的問(wèn)題點(diǎn)而提出的。
圖11是表示現(xiàn)有例子2的發(fā)光顯示設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)圖。該現(xiàn)有例子的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作與此前使用圖9說(shuō)明了的現(xiàn)有例子1的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作幾乎相同，因而對(duì)相同的結(jié)構(gòu)部分給予了相同的參考符號(hào)，并省略再次說(shuō)明。即，在現(xiàn)有例子2中，在信號(hào)電流生成電路SGEN向信號(hào)線202寫入Isig×K倍的信號(hào)電流這點(diǎn)上與現(xiàn)有例子1不同。在此，信號(hào)Isig如前所述是驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件210的顯示信號(hào)電流的值。
使用圖12說(shuō)明象素201A的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作。
圖12是象素201A的電路結(jié)構(gòu)圖。在各象素201A作為發(fā)光元件設(shè)置有機(jī)EL元件210。有機(jī)EL元件210的負(fù)極端子與公共接地217連接，正極端子經(jīng)由驅(qū)動(dòng)TFT211的通道與電源線216連接。驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子和柵極端子分別與寫入TFT228的源極端子和柵極端子連接。另外，在驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子和柵極端子之間設(shè)置信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig，在寫入TFT228的漏極端子和柵極端子之間設(shè)置復(fù)位開關(guān)222，寫入TFT228的漏極端子經(jīng)由寫入開關(guān)224與信號(hào)線202連接。并且，通過(guò)柵線群203掃描寫入開關(guān)224和復(fù)位開關(guān)222。
在現(xiàn)有例子2中應(yīng)該留意的點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)TFT211和寫入TFT228相互共通連接源極端子和柵極端子，即成為所謂的對(duì)晶體管結(jié)構(gòu)，以及與驅(qū)動(dòng)TFT211相比，寫入TFT228的W/L(柵寬度/柵長(zhǎng)度)的比例被設(shè)置為K倍。
接著，說(shuō)明圖12所示的象素的動(dòng)作。在向象素201A寫入顯示信號(hào)電流Isig×K時(shí)，通過(guò)柵線群203將寫入開關(guān)224和復(fù)位開關(guān)222設(shè)置為開狀態(tài)。如果在該定時(shí)向信號(hào)線202寫入了顯示信號(hào)電流Isig×K，則顯示信號(hào)電流Isig×K經(jīng)由電源線216寫入，通過(guò)TFT228的通道流入信號(hào)線202。此時(shí)，在寫入TFT228的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生與寫入的顯示信號(hào)電流Isig×K的值對(duì)應(yīng)的柵電壓差，但同時(shí)在驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓差。
在驅(qū)動(dòng)TFT211產(chǎn)生的信號(hào)電流Isig的值就是寫入TFT228中產(chǎn)生的信號(hào)電流值的1/K倍，這是因?yàn)槿缟纤?，與驅(qū)動(dòng)TFT211相比，寫入TFT228的W/L(柵寬度/柵長(zhǎng)度)的比例被設(shè)置為K倍。
在此，接著如果將寫入開關(guān)224和復(fù)位開關(guān)222切換為關(guān)狀態(tài)，則在寫入TFT228的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生的、與寫入的顯示信號(hào)電流Isig×K的值對(duì)應(yīng)的柵電壓信號(hào)被原樣保持在信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig中。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)TFT211與保持在信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig中的柵電壓信號(hào)對(duì)應(yīng)地，向有機(jī)EL元件210施加顯示信號(hào)電流Isig。據(jù)此，在接著的顯示期間內(nèi)，有機(jī)EL元件210以規(guī)定的亮度持續(xù)點(diǎn)亮。
有關(guān)這樣的現(xiàn)有技術(shù)，例如在非專利文獻(xiàn)2等中有詳細(xì)記載。
非專利文獻(xiàn)1Digest of Technical papers，IEDM 98，pp.875-878非專利文獻(xiàn)2Digest of Technical papers，SID 01，pp.384-387如果使用上述的現(xiàn)有例子2，就能使信號(hào)電流的值增加到K倍，能將上述寫入時(shí)的常量縮短為1/K倍。但是，在現(xiàn)有例子2中，有必要在象素內(nèi)設(shè)置W/L尺寸的大小的寫入TFT，不適用于象素的高清晰度化。例如，有必要將寫入TFT的W/L尺寸設(shè)置為與驅(qū)動(dòng)TFT比較同一等級(jí)的大小。寫入TFT和驅(qū)動(dòng)TFT由于是對(duì)晶體管，所以柵長(zhǎng)度L有必要基本保持一致。因此，寫入TFT的柵寬度W成為比驅(qū)動(dòng)TFT的柵寬度W大一個(gè)等級(jí)。據(jù)此，難以縮小象素，難以實(shí)現(xiàn)高精度發(fā)光顯示設(shè)備。
進(jìn)而，在上述2個(gè)現(xiàn)有例子中，難以只以n型溝道的晶體管構(gòu)成象素，有由于采用p通道晶體管而帶來(lái)的成本上升的問(wèn)題。Si-TFT由于n型溝道晶體管比p通道晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力高，所以能比n型溝道晶體管電路以更小面積實(shí)現(xiàn)，能降低考慮了生產(chǎn)率的制造成本。但是，一般由于有機(jī)EL元件的負(fù)極成為公共接地，所以如果不用p通道晶體管驅(qū)動(dòng)，則無(wú)法得到晶體管增益。換句話說(shuō)，當(dāng)把n型溝道晶體管用于驅(qū)動(dòng)TFT時(shí)，由于有機(jī)EL元件作為負(fù)載進(jìn)入源極一側(cè)，所以無(wú)法對(duì)有機(jī)EL元件進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問(wèn)題的存在，本發(fā)明的目的是提供一種能使多象素化和高清晰度化并存的圖象顯示裝置。
另外，本發(fā)明的另一目的是為了降低涉及成品率的制造成本而提供以n型溝道晶體管來(lái)構(gòu)成象素的圖象顯示裝置。
通過(guò)以下結(jié)構(gòu)來(lái)解決使上述多象素化和高清晰度化并存的問(wèn)題，即具備具有根據(jù)顯示信號(hào)電流而被驅(qū)動(dòng)發(fā)光的發(fā)光元件的象素；由多個(gè)象素構(gòu)成的顯示部；用來(lái)向上述象素寫入顯示信號(hào)電流的信號(hào)線；經(jīng)由該信號(hào)線從多個(gè)象素中選擇寫入顯示信號(hào)電流的象素的寫入象素選擇裝置；用來(lái)生成顯示信號(hào)電流的顯示信號(hào)電流生成裝置，其中上述寫入象素選擇裝置還具有同時(shí)選擇N個(gè)的多個(gè)象素的功能。
另外，通過(guò)以下結(jié)構(gòu)解決其他的用n型溝道晶體管構(gòu)成象素的上述問(wèn)題，即具備具有根據(jù)顯示信號(hào)電流而被驅(qū)動(dòng)發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管的象素；由多個(gè)象素構(gòu)成的顯示部；用來(lái)向上述象素寫入顯示信號(hào)電流的信號(hào)線；經(jīng)由該信號(hào)線從多個(gè)象素中選擇寫入顯示信號(hào)電流的的象素的寫入象素選擇裝置；用來(lái)生成顯示信號(hào)電流的顯示信號(hào)電流生成裝置，上述有機(jī)發(fā)光二極管的正極電極經(jīng)由第一開關(guān)裝置與第一結(jié)點(diǎn)連接，上述第一結(jié)點(diǎn)經(jīng)由第二開關(guān)裝置與上述信號(hào)連接，進(jìn)而，第1接點(diǎn)經(jīng)由有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)用n型溝道TFT晶體管的通道與電源線連接，上述有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)用n型溝道TFT在柵極和漏極之間設(shè)置第三開關(guān)裝置，在柵極和源極之間設(shè)置電容裝置。
這樣，如果用n型溝道晶體管來(lái)構(gòu)成象素電路，則n型溝道晶體管電路能以更小的面積來(lái)實(shí)現(xiàn)，能通過(guò)減少缺陷產(chǎn)生的概率，而以高成品率來(lái)制造圖象顯示裝置。


圖1是表示實(shí)施例1的OLED顯示板的整體結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示實(shí)施例1的象素電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖3是表示實(shí)施例1中的象素內(nèi)的各開關(guān)的驅(qū)動(dòng)定時(shí)的定時(shí)圖。
圖4是實(shí)施例1的OLED顯示板的制造步驟中的激光照射步驟的模式圖。
圖5是表示實(shí)施例2的象素電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖6是表示實(shí)施例2中的象素內(nèi)的各開關(guān)的驅(qū)動(dòng)定時(shí)的定時(shí)圖。
圖7是表示實(shí)施例3的象素電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖8是表示實(shí)施例4的象素顯示終端的結(jié)構(gòu)圖。
圖9是表示現(xiàn)有例1的發(fā)光顯示設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)圖。
圖10是表示現(xiàn)有例1的象素電路結(jié)構(gòu)的圖。
圖11是表示現(xiàn)有例2的發(fā)光顯示設(shè)備的整體結(jié)構(gòu)圖。
圖12是表示現(xiàn)有例2的象素電路結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明相關(guān)的圖象顯示裝置的適合的
<實(shí)施例1>
使用圖1～圖4來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1。
首先，使用圖1說(shuō)明本實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)及其動(dòng)作。
圖1是表示本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDOrganic LightEmitting Diode)顯示板的整體結(jié)構(gòu)圖。在顯示區(qū)域70內(nèi)，矩陣狀地設(shè)置象素71，象素71分別與信號(hào)線2和柵線群3連接。信號(hào)線2的一端與信號(hào)電流生成電路SGEN連接，柵線群3的一端通過(guò)同時(shí)選擇N個(gè)的多個(gè)象素的N象素同時(shí)選擇電路MSEL與掃描電路SCN連接。實(shí)際上，在顯示區(qū)域70內(nèi)設(shè)置多個(gè)象素71，但為了簡(jiǎn)化附圖，而在圖1中只記載了3個(gè)象素。在信號(hào)線2中存在寄生電容Cs。并且，如以下所述，在象素71中還布線了電源線和公共接地電極，但省略了它們的記載。另外，柵線群3實(shí)際上是由多個(gè)柵線群構(gòu)成的，在此為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，僅圖示了各一個(gè)。
使用數(shù)模(DA)轉(zhuǎn)換器和恒電流源電路，通過(guò)以前就公知的LSI(大規(guī)模集成電路)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)電流生成電路SGEN，并安裝在玻璃基板上。另外，使用多晶硅TFT技術(shù)，在基板上安裝已知的移位寄存器電路和邏輯電路，來(lái)實(shí)現(xiàn)掃描電路SCN和N象素同時(shí)選擇電路MSEL。
說(shuō)明圖1所示的本實(shí)施例的顯示板的動(dòng)作。掃描電路SCN依次掃描柵線群3。在此，如果掃描電路SCN選擇一個(gè)柵線群3，則N象素同時(shí)選擇電路MSEL接收它，通過(guò)選擇連續(xù)的N個(gè)柵線群3，來(lái)選擇寫入顯示信號(hào)電流的N個(gè)象素行。在此，設(shè)同時(shí)選擇的象素的行數(shù)為N。與之同步地，信號(hào)電流生成電路SGEN向信號(hào)線2輸入顯示信號(hào)電流Isig×N，因而被選擇的各象素71分別平均地被寫入顯示信號(hào)電流Isig。在此，從信號(hào)電流生成電SGEN輸出的信號(hào)電流Isig×N的方向是與圖11所示的現(xiàn)有例子2相同的從象素而出的方向。
接著，使用圖2說(shuō)明象素71的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作。
圖2是象素71的電路結(jié)構(gòu)圖。在各象素71中作為發(fā)光元件設(shè)置有有機(jī)EL元件10，有機(jī)EL元件10的負(fù)極端與公共接地17連接。另外，正極端經(jīng)由點(diǎn)亮開關(guān)18和驅(qū)動(dòng)TFT11的通道與電源線16連接。驅(qū)動(dòng)TFT11的漏極端子一側(cè)進(jìn)而通過(guò)寫入開關(guān)14與信號(hào)線2連接。另外，驅(qū)動(dòng)TFT11的源極端子和柵極端子之間設(shè)置有信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig，漏極端子和柵極端子之間設(shè)置有復(fù)位開關(guān)12。
即，有機(jī)EL元件10的正極經(jīng)由開關(guān)18與節(jié)點(diǎn)n1連接，節(jié)點(diǎn)n1經(jīng)由開關(guān)14與信號(hào)線2連接，進(jìn)而，節(jié)點(diǎn)n1的結(jié)構(gòu)是在柵源之間經(jīng)由具有信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig的驅(qū)動(dòng)TFT的通道與電源線16連接。
在此，通過(guò)上述的柵線群3掃描點(diǎn)亮開關(guān)18、寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12。使用多晶硅TFT在玻璃基板上構(gòu)成上述驅(qū)動(dòng)TFT11和點(diǎn)亮開關(guān)18、寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12。有關(guān)多晶硅TFT和有機(jī)EL元件10的制造方法等，由于與一般已知的技術(shù)沒有很大不同，所以在此省略其說(shuō)明。
接著，說(shuō)明象素的動(dòng)作。在向象素71寫入顯示信號(hào)電流Isig時(shí)，通過(guò)柵線群3將寫入開關(guān)14和復(fù)位開關(guān)12設(shè)置為開狀態(tài)。如果在該定時(shí)向信號(hào)線2寫入顯示信號(hào)電流Isig×N，則通過(guò)從選擇的N個(gè)象素加上各自的平均電流Isig來(lái)生成顯示信號(hào)電流Isig×N。
所以，如果著眼于一個(gè)象素，則從電流源16向驅(qū)動(dòng)TFT11的通道流入顯示信號(hào)電流Isig。此時(shí)，在驅(qū)動(dòng)TFT11的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓差。在此，如果將寫入開關(guān)14和復(fù)位開關(guān)12切換為關(guān)狀態(tài)，則在驅(qū)動(dòng)TFT11的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生的、與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓信號(hào)被原樣保持在存儲(chǔ)電容Csig中。
以上是寫入動(dòng)作。然后，如果通過(guò)柵線群3點(diǎn)亮開關(guān)18成為開狀態(tài)，則由于驅(qū)動(dòng)TFT11的漏極端子與有機(jī)EL元件10連接，所以驅(qū)動(dòng)TFT11從電源線16向有機(jī)EL元件10施加與保持在信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig中的柵電壓信號(hào)對(duì)應(yīng)的顯示信號(hào)電流Isig。據(jù)此，在接著的顯示期間內(nèi)，有機(jī)EL元件10以規(guī)定的亮度持續(xù)點(diǎn)亮。
接著，一邊比較在列方向相鄰的近旁的象素間的動(dòng)作，一邊說(shuō)明寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12和點(diǎn)亮開關(guān)18的驅(qū)動(dòng)時(shí)序。
圖3是寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12和點(diǎn)亮開關(guān)18的驅(qū)動(dòng)定時(shí)圖，橫軸為時(shí)間，縱軸表示了從任意的第I行到(I+4)行的5行象素的各開關(guān)的動(dòng)作和信號(hào)線2的動(dòng)作定時(shí)。如圖中所記載的那樣，是由N象素同時(shí)選擇電路MSEL選擇的象素的行數(shù)N為N＝3的情況。另外，在定時(shí)圖中，作為各個(gè)波形的上、下來(lái)表示各開關(guān)的開、關(guān)狀態(tài)。
另外，在本實(shí)施例中，設(shè)同時(shí)選擇的象素的行數(shù)N為3，但N可以取2以上行方向的象素?cái)?shù)以下的任意的數(shù)。但是，實(shí)際如以下所述，通過(guò)在某程度的期間使點(diǎn)亮開關(guān)18開，能確保亮度，因而理想的是N是行方向的象素?cái)?shù)的一半以下。
以下，根據(jù)圖3所示的從t1到t11的各定時(shí)，說(shuō)明各開關(guān)的動(dòng)作。
在定時(shí)t1，如果通過(guò)掃描電路SCN而從第I行到第(I+2)行的3行象素的寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12成為開狀態(tài)，則信號(hào)電流生成電路SGEN向信號(hào)線2輸入N倍的顯示信號(hào)電流Isig×N。并且，在此，顯示信號(hào)電流Isig是應(yīng)該輸入到第I行象素的數(shù)據(jù)。
接著，在定時(shí)t2，如果從第I行到(I+2)行的3行象素的寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12成為關(guān)狀態(tài)，則在從第I行到第(I+2)行的3行象素中存儲(chǔ)了上述應(yīng)該輸入到第I行象素的顯示信號(hào)電流Isig。
在定時(shí)t2和t3之間，第I行象素的點(diǎn)亮開關(guān)18成為開，第I行象素開始點(diǎn)亮，同時(shí)此后開始寫入動(dòng)作的第(I+3)行象素的點(diǎn)亮開關(guān)18成為關(guān)狀態(tài)。以上，向第I行象素的顯示信號(hào)電流Isig的寫入完成。
接著，在定時(shí)t3，如果通過(guò)掃描電路SCN從第(I+1)行到第(I+3)行的3行象素的寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12成為開狀態(tài)，則信號(hào)電流生成電路SGEN向信號(hào)線2輸入N倍的顯示信號(hào)電流Isig×N。并且，在此，顯示信號(hào)電流Isig是應(yīng)該輸入到第(I+1)行象素的數(shù)據(jù)。
接著，在定時(shí)t4，如果從第(I+1)行到(I+3)行的3行象素的寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12成為關(guān)狀態(tài)，則在從第(I+1)行到第(I+3)行的3行象素中存儲(chǔ)了上述應(yīng)該輸入到第(I+1)行象素的顯示信號(hào)電流Isig。
在定時(shí)t4和t5之間，第(I+1)行象素的點(diǎn)亮開關(guān)18成為開，第(I+1)行象素開始點(diǎn)亮，同時(shí)此后開始寫入動(dòng)作的第(I+4)行象素的點(diǎn)亮開關(guān)18成為關(guān)狀態(tài)。以上，向第(I+1)行象素的顯示信號(hào)電流Isig的寫入完成。
接著，在定時(shí)t5，如果經(jīng)由N象素同時(shí)選擇電路MSEL，利用掃描電路SCN，使從第(I+2)行到(I+4)行的3行象素的寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12為開狀態(tài)，則電流生成電路SGEN向信號(hào)線2輸入N倍的顯示信號(hào)電流Isig×N。并且，在此，顯示信號(hào)電流Isig是應(yīng)該輸入到第(I+2)行象素的數(shù)據(jù)。
接著，在定時(shí)t6，如果從第(I+2)行到(I+4)行的3行象素的寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)12成為關(guān)狀態(tài)，則在從第(I+2)行到第(I+4)行的3行象素中存儲(chǔ)了上述應(yīng)該輸入到第(I+2)行象素的顯示信號(hào)電流Isig。
在定時(shí)t6和t7之間，第(I+2)行象素的點(diǎn)亮開關(guān)18成為開，第(I+2)行象素開始點(diǎn)亮，同時(shí)此后開始寫入動(dòng)作的第(I+5)行象素的點(diǎn)亮開關(guān)18成為關(guān)狀態(tài)。以上，向第(I+2)行象素的顯示信號(hào)電流Isig的寫入完成。
如上所述，在從定時(shí)t8到t9，向第(I+3)行象素進(jìn)行顯示信號(hào)電流Isig的寫入，在從定時(shí)t10到t11向第(I+4)行象素進(jìn)行顯示信號(hào)電流Isig的寫入。這樣，在本實(shí)施例中，在一個(gè)幀期間內(nèi)，向各象素進(jìn)行N次的顯示信號(hào)電流Isig的寫入，但要注意的是象素基于N次寫入的最后一次的顯示信號(hào)電流Isig的值進(jìn)行點(diǎn)亮。
接著，定時(shí)t11以后也一樣，繼續(xù)寫入和開始點(diǎn)亮。并且，在象素行的最后一個(gè)，由于再次開始第1行象素的掃描，所以結(jié)果是始終向N個(gè)象素進(jìn)行顯示信號(hào)電流的寫入。
如上所述，在本實(shí)施例中，將同時(shí)選擇的象素的行數(shù)N固定為3，但N可以任意進(jìn)行變化。
另外，在本實(shí)施例中，從寫入完成的象素行依次使點(diǎn)亮開關(guān)18開，但也可以在向全部象素的寫入完成了的時(shí)刻統(tǒng)一地使點(diǎn)亮開關(guān)18開。在該情況下，通過(guò)增加象素不點(diǎn)亮的時(shí)間，能提高動(dòng)畫分辨率。也可以根據(jù)顯示的象素的種類和用戶的選擇切換這樣的點(diǎn)亮開關(guān)18的驅(qū)動(dòng)方法。
如果使用本實(shí)施例，就能使信號(hào)電流的值增加為N倍，即使在信號(hào)線2中存在寄生電容Cs，也能將向信號(hào)線寫入時(shí)常量縮短為1/N倍。并且，在本實(shí)施例中，沒有必要特別設(shè)置現(xiàn)有例子2那樣的尺寸大小的TFT，容易地進(jìn)行象素的高清晰度化。
并且，在本發(fā)明中，理想的是寫入到各象素的顯示信號(hào)電流Isig平均分配到寫入的N個(gè)象素。因此，就沒有必要使寫入的N個(gè)象素的驅(qū)動(dòng)TFT11的特性幾乎相同那樣地進(jìn)行制造了。以下，說(shuō)明為此的TFT制造技術(shù)。
如上所述，使用多晶硅TFT技術(shù)，在玻璃基板上設(shè)置驅(qū)動(dòng)TFT11。該多晶硅TFT技術(shù)如已經(jīng)在許多文獻(xiàn)中揭示的那樣，通過(guò)向形成在玻璃基板上的非結(jié)晶Si薄膜照射整形為大致長(zhǎng)方形的激光，來(lái)使其在多晶硅TFT薄膜上結(jié)晶。是在通道層使用該多晶硅TFT薄膜制造TFT的技術(shù)。但是，在這樣制造的各個(gè)多晶硅TFT之間，會(huì)因多結(jié)晶時(shí)使用的激光照射能量的偏差而引起特性偏差。但是，在本實(shí)施例中，如上所述不需要使寫入的N個(gè)象素的驅(qū)動(dòng)TFT11的特性幾乎沒有不同地進(jìn)行制造。所以，使用以下所示的TFT制造技術(shù)。
圖4模式地表示了通過(guò)向形成在玻璃基板上的非結(jié)晶Si薄膜照射被整形為大致長(zhǎng)方形的激光，來(lái)使其在多晶硅TFT薄膜上結(jié)晶化時(shí)的狀況。激光照射步驟就是TFT的通道層的制作步驟，因而在實(shí)際的激光照射步驟中，由于還沒有形成顯示區(qū)域70、象素71、信號(hào)線2、柵線群3、信號(hào)電流生成電路SGEN、掃描電路SCN等，所以預(yù)定此后形成圖中所示的那些結(jié)構(gòu)。
在此，在圖4內(nèi)預(yù)先形成非結(jié)晶Si膜，將照射的大致長(zhǎng)方形的激光形狀21規(guī)定為其長(zhǎng)邊與信號(hào)線2并行。
如果照射了這樣形狀的激光束，則在時(shí)間軸上激光照射能量產(chǎn)生偏差，但在某一瞬間激光照射能量在面內(nèi)幾乎沒有偏差，因而能減少與同一信號(hào)線2連接的N個(gè)象素的驅(qū)動(dòng)TFT11的特性偏差。
如上所述，在本實(shí)施例中，在不脫離本發(fā)明的要義的范圍內(nèi)可以進(jìn)行多種變更。例如，在本實(shí)施例中作為TFT基板使用了玻璃基板，但也可以將其變更為石英基板或透明的塑料基板等其他透明絕緣基板。另外，如果在基板上面得到有機(jī)EL元件10的發(fā)光，則可以使用不透明的基板。
另外，在本實(shí)施例的說(shuō)明中，并未說(shuō)明象素?cái)?shù)和板大小等。這是由于本發(fā)明并不特別限制這些特性和規(guī)格。
另外，在本實(shí)施例中，信號(hào)電流生成電路SGEN使用DA轉(zhuǎn)換器和恒電流源電路，通過(guò)LSI技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并安裝在玻璃基板上，另外掃描電路SCN、N象素同時(shí)選擇電路MSEL、象素71由低溫多晶硅TFT電路構(gòu)成。但是，在本發(fā)明的范圍內(nèi)也可以以如下方式安裝用低溫多晶硅TFT電路構(gòu)成信號(hào)電流生成電路SGEN，或相反地用單結(jié)晶LSI電路構(gòu)成掃描電路SCN和N象素同時(shí)選擇電路MSEL或其一部分。
在本實(shí)施例中，作為發(fā)光設(shè)備使用了有機(jī)EL元件10，但使用包含其他無(wú)機(jī)物的能進(jìn)行電流驅(qū)動(dòng)的各種發(fā)光元件也能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
以上各種變更等并不僅限于本實(shí)施例，基本上同樣能適用于其他
<實(shí)施例2>
以下，使用圖5、圖6來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2。
本實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)及其動(dòng)作與已經(jīng)說(shuō)明了的實(shí)施例1的整體結(jié)構(gòu)和動(dòng)作相同，因而向相同的構(gòu)成部分賦予相同的參考符號(hào)，并在此省略其詳細(xì)說(shuō)明。
本實(shí)施例的象素結(jié)構(gòu)及其動(dòng)作與實(shí)施例1不同。以下，使用圖5說(shuō)明象素71A的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作。
圖5是象素71B的電路結(jié)構(gòu)圖。在各象素71A中作為發(fā)光元件設(shè)置有機(jī)EL元件10。有機(jī)EL元件10的負(fù)極(陰極)端與公共接地17連接，正極端經(jīng)由點(diǎn)亮開關(guān)48和驅(qū)動(dòng)TFT11的通道與電源線16連接。驅(qū)動(dòng)TFT11的漏極端子一側(cè)進(jìn)而通過(guò)寫入開關(guān)44與信號(hào)線2連接。另外，驅(qū)動(dòng)TFT11的源極端子和柵極端子之間設(shè)置有信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig，驅(qū)動(dòng)TFT11的漏極端子和柵極端子之間設(shè)置有復(fù)位開關(guān)42。
在此，通過(guò)柵線3A掃描點(diǎn)亮開關(guān)48、寫入開關(guān)44、復(fù)位開關(guān)42。而且，使用多晶硅TFT在玻璃基板上構(gòu)成上述驅(qū)動(dòng)TFT11和點(diǎn)亮開關(guān)48、寫入開關(guān)44、復(fù)位開關(guān)42。點(diǎn)亮開關(guān)48如圖示那樣，由p型溝道晶體管構(gòu)成，寫入開關(guān)44和復(fù)位開關(guān)42分別由n型溝道晶體管構(gòu)成，并且，點(diǎn)亮開關(guān)48、寫入開關(guān)44、復(fù)位開關(guān)42的柵電極相互連接，并連接到柵線3A上。在此，在每個(gè)象素行都布線了一個(gè)柵線3A。
接著，說(shuō)明圖5所示的象素的動(dòng)作。在向象素71A寫入顯示信號(hào)電流Isig時(shí)，如果將柵線3A設(shè)置為高電壓電平(以下為了方便，將該狀態(tài)稱為柵線3A開的狀態(tài))，則寫入開關(guān)44和復(fù)位開關(guān)42被設(shè)置為開狀態(tài)，點(diǎn)亮開關(guān)48被設(shè)置為關(guān)狀態(tài)。如果在該定時(shí)向信號(hào)線2寫入顯示信號(hào)電流Isig×N，則通過(guò)從選擇的N個(gè)象素加上各自的平均電流Isig來(lái)生成顯示信號(hào)電流Isig×N。
因此，如果著眼于一個(gè)象素，則從電流源16向驅(qū)動(dòng)TFT11的通道流入顯示信號(hào)電流Isig。此時(shí)，在驅(qū)動(dòng)TFT11的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓差。
在此，如果接著將柵線3A設(shè)置為低電壓電平(以下為了方便，將該狀態(tài)稱為柵線3A為關(guān)的狀態(tài))則寫入開關(guān)44和復(fù)位開關(guān)42被切換為關(guān)狀態(tài)，點(diǎn)亮開關(guān)48被切換為開狀態(tài)。此時(shí)，在驅(qū)動(dòng)TFT11的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生的、與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓信號(hào)被原樣保持在存儲(chǔ)電容Csig中。以上是寫入動(dòng)作。
與此同時(shí)，由于驅(qū)動(dòng)TFT11的漏極端子與有機(jī)EL元件10連接，所以驅(qū)動(dòng)TFT11從電源線16向有機(jī)EL元件10施加與保持在信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig中的柵電壓信號(hào)對(duì)應(yīng)的顯示信號(hào)電流Isig。據(jù)此，在接著的顯示期間內(nèi)，有機(jī)EL元件10以規(guī)定的亮度持續(xù)點(diǎn)亮。
接著，一邊比較在列方向相鄰的近旁的象素間的動(dòng)作，一邊說(shuō)明控制寫入開關(guān)44、復(fù)位開關(guān)42和點(diǎn)亮開關(guān)48的柵線3A的驅(qū)動(dòng)時(shí)序。
圖6是控制寫入開關(guān)44、復(fù)位開關(guān)42和點(diǎn)亮開關(guān)48的柵線3A的驅(qū)動(dòng)定時(shí)圖，橫軸為時(shí)間，縱軸表示了從任意的第I行到第(I+4)行的5行象素的柵線3A和信號(hào)線2的動(dòng)作定時(shí)。并且如上所示，將柵線3A被設(shè)置為高電壓電平的狀態(tài)稱為柵線3A關(guān)的狀態(tài)，將柵線3A被設(shè)置為低電壓電平的狀態(tài)稱為柵線3A開的狀態(tài)，在圖中，作為各個(gè)波形的上、下來(lái)表示。另外，在本實(shí)施例中，也設(shè)同時(shí)選擇的象素的行數(shù)N為3，但可以知道在本發(fā)明中，N可以取2以上行方向的象素?cái)?shù)以下的任意數(shù)。
以下，根據(jù)圖6所記載的從t1到t11的各定時(shí)，說(shuō)明各開關(guān)的動(dòng)作。在定時(shí)t1，如果通過(guò)掃描電路SCN(未圖示)而從第I行到第(I+2)行的3行象素的柵線3A成為開狀態(tài)，則信號(hào)電流生成電路SGEN(未圖示)向信號(hào)線2輸入N倍的顯示信號(hào)電流Isig×N。并且，在此，顯示信號(hào)電流Isig是應(yīng)該輸入到第I行象素的數(shù)據(jù)。
接著，在定時(shí)t2，如果從第I行到(I+2)行的柵線3A成為關(guān)狀態(tài)，則在從第I行到第(I+2)行的3行象素中存儲(chǔ)了上述應(yīng)該輸入到第I行象素的顯示信號(hào)電流Isig，同時(shí)點(diǎn)亮開關(guān)48成為開，開始點(diǎn)亮。以上，向第I行象素的顯示信號(hào)電流Isig的寫入完成。
在定時(shí)t3，如果通過(guò)掃描電路SCN從第(I+1)行到第(I+3)行的3行柵線3A成為開狀態(tài)，則信號(hào)電流生成電路SGEN向信號(hào)線2輸入N倍的顯示信號(hào)電流Isig×N。并且，在此，顯示信號(hào)電流Isig是應(yīng)該輸入到第(I+1)行象素的數(shù)據(jù)。
接著，在定時(shí)t4，如果從第(I+1)行到(I+3)行的柵線3A成為關(guān)狀態(tài)，則在從第(I+1)行到第(I+3)行的3行象素中存儲(chǔ)了上述應(yīng)該輸入到第(I+1)行象素的顯示信號(hào)電流Isig，同時(shí)點(diǎn)亮開關(guān)48成為開，開始點(diǎn)亮。以上，向第(I+1)行象素的顯示信號(hào)電流Isig的寫入完成。
在定時(shí)t5，如果經(jīng)由掃描電路SCAN從第(I+2)行到(I+4)行的3行的柵線3A成為關(guān)狀態(tài)，則電流生成電路SGEN向信號(hào)線2輸入N倍的顯示信號(hào)電流Isig×N。并且，在此，顯示信號(hào)電流Isig是應(yīng)該輸入到第(I+2)行象素的數(shù)據(jù)。
接著，在定時(shí)t6，如果從第(I+2)行到(I+4)行的柵線3B成為關(guān)狀態(tài)，則在從第(I+2)行到第(I+4)行的3行象素中存儲(chǔ)了上述應(yīng)該輸入到第(I+2)行象素的顯示信號(hào)電流Isig，同時(shí)點(diǎn)亮開關(guān)48成為開，開始點(diǎn)亮。這樣，就完成了對(duì)第(I+2)行象素的顯示信號(hào)電流Isig的寫入。
如上所述，在從定時(shí)t7到t8，向第(I+3)行象素進(jìn)行顯示信號(hào)電流Isig的寫入，在從定時(shí)t9到t10向第(I+4)行象素進(jìn)行顯示信號(hào)電流Isig的寫入。
以下，定時(shí)t11以后也一樣，繼續(xù)寫入和點(diǎn)亮開始。并且，在象素行的最后一個(gè)由于再次開始第1行象素的掃描，所以結(jié)果是始終向N個(gè)象素進(jìn)行顯示信號(hào)電流的寫入。
如上所述，在本實(shí)施例中，將同時(shí)選擇的象素的行數(shù)N固定為3，但N可以任意進(jìn)行變化。
<實(shí)施例3>
使用圖7說(shuō)明來(lái)本發(fā)明的實(shí)施例3。
本實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)及其動(dòng)作與已經(jīng)說(shuō)明了的實(shí)施例1的整體結(jié)構(gòu)和動(dòng)作相同，因而向相同的構(gòu)成部分賦予相同的參考符號(hào)，并在此省略其詳細(xì)說(shuō)明。
本實(shí)施例的象素結(jié)構(gòu)及其動(dòng)作與實(shí)施例1不同。以下，使用圖7說(shuō)明象素71B的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作。
圖7是象素71B的電路結(jié)構(gòu)圖。在各象素71B中作為發(fā)光元件設(shè)置有機(jī)EL元件10。有機(jī)EL元件10的負(fù)極端與公共接地17連接，正極端經(jīng)由點(diǎn)亮開關(guān)18和驅(qū)動(dòng)TFT13的通道與電源線16連接。驅(qū)動(dòng)TFT13的源極端子一側(cè)進(jìn)而通過(guò)寫入開關(guān)14與信號(hào)線2連接。另外，驅(qū)動(dòng)TFT13的源極端子和柵極端子之間設(shè)置有信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig，驅(qū)動(dòng)TFT13的漏極端子和柵極端子之間設(shè)置有復(fù)位開關(guān)61。并且，在此，通過(guò)柵線群3掃描點(diǎn)亮開關(guān)18、寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)61。使用多晶硅TFT在玻璃基板上構(gòu)成上述驅(qū)動(dòng)TFT11和點(diǎn)亮開關(guān)18、寫入開關(guān)14、復(fù)位開關(guān)61。
接著，說(shuō)明圖7所示的象素的動(dòng)作。在向象素71B寫入顯示信號(hào)電流Isig時(shí)，通過(guò)柵線群3將寫入開關(guān)14和復(fù)位開關(guān)61設(shè)置為開狀態(tài)。如果在該定時(shí)向信號(hào)線2寫入顯示信號(hào)電流Isig×N，則通過(guò)從選擇的N個(gè)象素加上各自的平均電流Isig來(lái)生成顯示信號(hào)電流Isig×N。
所以，如果著眼于一個(gè)象素，則從電流源16向驅(qū)動(dòng)TFT13的通道流入顯示信號(hào)電流Isig。此時(shí)，在驅(qū)動(dòng)TFT13的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓差。在此，如果將寫入開關(guān)14和復(fù)位開關(guān)61切換為關(guān)狀態(tài)，則在驅(qū)動(dòng)TFT13的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生的、與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓信號(hào)被原樣保持在存儲(chǔ)電容Csig中。
以上是寫入動(dòng)作。然后，如果通過(guò)柵線群3點(diǎn)亮開關(guān)18成為開狀態(tài)，則由于驅(qū)動(dòng)TFT13的源極端子與有機(jī)EL元件10連接，所以驅(qū)動(dòng)TFT13從電源線16向有機(jī)EL元件10施加與保持在信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig中的柵電壓信號(hào)對(duì)應(yīng)的顯示信號(hào)電流Isig。據(jù)此，在接著的顯示期間內(nèi)，有機(jī)EL元件10以規(guī)定的亮度持續(xù)點(diǎn)亮。
在本實(shí)施例中，由于驅(qū)動(dòng)TFT13是n型溝道晶體管，所以如果用n型溝道晶體管構(gòu)成由點(diǎn)亮開關(guān)18、寫入開關(guān)14和復(fù)位開關(guān)61構(gòu)成的各開關(guān)，就能只用n型溝道晶體管構(gòu)成象素。所以，能通過(guò)不使用p通道晶體管而降低成本。這是因?yàn)镾i-TFT由于n型溝道晶體管比p通道晶體管電流驅(qū)動(dòng)能力高，所以能用n型溝道晶體管以更小的面積實(shí)現(xiàn)，能降低考慮了成品率的制造成本。
一般來(lái)說(shuō)，由于有機(jī)EL元件的負(fù)極電極公共接地，所以在現(xiàn)有例子中，如果不用p通道晶體管驅(qū)動(dòng)則難以得到晶體管增益。換句話說(shuō)，在驅(qū)動(dòng)TFT中使用了n型溝道晶體管的情況下，由于在源極一側(cè)將有機(jī)EL作為負(fù)荷，所以難以伴隨著灰度顯示而電流驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件。
但是，在本實(shí)施例中，經(jīng)由點(diǎn)亮開關(guān)18將有機(jī)EL元件10的正極端與第一結(jié)點(diǎn)n1連接，第一結(jié)點(diǎn)n1經(jīng)由寫入開關(guān)14與信號(hào)線2連接，進(jìn)而，上述第一結(jié)點(diǎn)n1經(jīng)由驅(qū)動(dòng)TFT13的通道與電源線16連接。驅(qū)動(dòng)TFT13采用以下結(jié)構(gòu)在柵極與漏極之間設(shè)置復(fù)位開關(guān)61，在柵極與源極之間設(shè)置信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig。因此，在顯示信號(hào)電流Isig的寫入時(shí)，通過(guò)點(diǎn)亮開關(guān)18將有機(jī)EL元件10從驅(qū)動(dòng)TFT13的負(fù)荷分離，在點(diǎn)亮?xí)r，由于復(fù)位開關(guān)61關(guān)，所以通過(guò)信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig規(guī)定驅(qū)動(dòng)TFT13的源、柵極端子間電壓。所以，有機(jī)EL元件10成為驅(qū)動(dòng)TFT13的負(fù)荷而不降低增益。
這樣的電路結(jié)構(gòu)特別由于基板是玻璃那樣的絕緣體，所以寄生電容少，因而能特別有效地發(fā)揮功能。
在本實(shí)施例中，也與已經(jīng)說(shuō)明了的其他實(shí)施例一樣，使用N象素同時(shí)選擇電路MSEL同時(shí)向N行象素寫入信號(hào)電流，但對(duì)于能只使用n型溝道晶體管構(gòu)成象素的所述優(yōu)點(diǎn)，使用N象素同時(shí)選擇電路MSEL同時(shí)向N行的象素寫入信號(hào)電流并不是其前提條件。所以，在不同時(shí)向N象素寫入信號(hào)電流的實(shí)施例中，也能適用具有只用n型溝道晶體管構(gòu)成象素的優(yōu)點(diǎn)的本實(shí)施例中所說(shuō)明的電路結(jié)構(gòu)。
<實(shí)施例4>
使用圖8來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例4。
圖8是表示實(shí)施例4的圖象顯示終端(PDAPersonal DigitalAssistants個(gè)人數(shù)字助理)100的結(jié)構(gòu)圖。
從外部將壓縮的圖象數(shù)據(jù)等作為基于近距離無(wú)線通信規(guī)范的無(wú)線數(shù)據(jù)而輸入到無(wú)線接口(I/F)電路102，無(wú)線I/F電路102的輸出經(jīng)由I/O(輸入/輸出)電路103與設(shè)備總線108連接。數(shù)據(jù)總線108與其他的微處理器(MPU)104、顯示板控制器106、主存儲(chǔ)器107等連接。進(jìn)而，顯示板控制器106的輸出被輸入到OLED顯示板101。并且，在圖象顯示終端100中還設(shè)置有電源109。并且，OLED顯示板101由于具有與前面說(shuō)明了的實(shí)施例1相同的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作，所以在此省略其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)和動(dòng)作的說(shuō)明。
以下，說(shuō)明本實(shí)施例的動(dòng)作。首先，無(wú)線I/F電路102依照指令從外部取得壓縮的圖象數(shù)據(jù)，并經(jīng)由I/O電路103將該圖象數(shù)據(jù)傳送到微處理器104和主存儲(chǔ)器107。微處理器104接收來(lái)自用戶的指令操作，根據(jù)需要驅(qū)動(dòng)圖象顯示終端100全體，進(jìn)行壓縮的圖象數(shù)據(jù)的解碼、信號(hào)處理、信息顯示。在此，被信號(hào)處理了的圖象數(shù)據(jù)被暫時(shí)存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器107中。
在此，在微處理器104發(fā)出了顯示指令的情況下，依照該指示將圖象數(shù)據(jù)從主存儲(chǔ)器107經(jīng)由顯示板控制器106輸入到OLED顯示板101，OLED顯示板101實(shí)時(shí)地顯示輸入的圖象數(shù)據(jù)。此時(shí)，顯示板控制器106輸出同時(shí)顯示圖象所必需的規(guī)定的定時(shí)脈沖。在此，電源109包含充電電池，供給驅(qū)動(dòng)這些圖象顯示終端1全體的電力。
通過(guò)本實(shí)施例，就能提供可以進(jìn)行多象素并且高清晰度的多灰度顯示的圖象顯示終端100。
在本實(shí)施例中，作為圖象顯示設(shè)備，使用了在實(shí)施例1中說(shuō)明了的OLED顯示板，但除此以外，當(dāng)然還可以使用在本發(fā)明的其他實(shí)施例中說(shuō)明了的各種顯示板。
以上，說(shuō)明了本發(fā)明的適合的實(shí)施例，但本發(fā)明并不僅限于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)，當(dāng)然可以有各種設(shè)計(jì)變更。例如，可以適用于圖10的現(xiàn)有例子1。
在向圖10的象素201寫入顯示信號(hào)電流Isig時(shí)，選擇通過(guò)柵線群203選擇的N個(gè)象素201，針對(duì)N個(gè)象素201，將電源開關(guān)215設(shè)置為關(guān)狀態(tài)，將寫入開關(guān)214和復(fù)位開關(guān)212設(shè)置為開狀態(tài)。如果在該定時(shí)向信號(hào)線202寫入顯示信號(hào)電流Isig×N，則對(duì)于選擇的各象素201，顯示信號(hào)電流Isig經(jīng)由驅(qū)動(dòng)TFT211的通道流入有機(jī)EL元件10。此時(shí)，在驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子和柵極端子之間，生成與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓差。并且，從信號(hào)電流生成電路SGEN輸出的信號(hào)電流Isig×N的方向是進(jìn)入象素的方向。
在此，如果接著針對(duì)選擇的N象素201將寫入開關(guān)214和復(fù)位開關(guān)212切換為關(guān)狀態(tài)，則在驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子和柵極端子之間產(chǎn)生的、與寫入的顯示信號(hào)電流Isig的值對(duì)應(yīng)的柵電壓信號(hào)被原樣保持在信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig中。然后，如果通過(guò)柵線群203電源開關(guān)215成為開狀態(tài)，則從電源線216向驅(qū)動(dòng)TFT211的源極端子供給電壓。因此，驅(qū)動(dòng)TFT211向有機(jī)EL元件10施加與保持在信號(hào)存儲(chǔ)電容Csig中的柵電壓信號(hào)對(duì)應(yīng)的顯示信號(hào)電流Isig。據(jù)此，在接著的顯示期間內(nèi)，有機(jī)EL元件10以規(guī)定的亮度持續(xù)點(diǎn)亮。
這樣，對(duì)于通過(guò)柵線群203選擇的N個(gè)象素201，能將本發(fā)明的以下內(nèi)容適用于現(xiàn)有例子1的象素電路中寫入各自幾乎相等的顯示信號(hào)電流Isig，以及信號(hào)電流生成電路SGEN向信號(hào)線202輸入顯示信號(hào)電流Isig×N。
但是，由于不具有實(shí)施例1那樣的點(diǎn)亮開關(guān)18，所以每當(dāng)向所選擇的N個(gè)象素201輸入顯示信號(hào)電流Isig時(shí)，各象素對(duì)應(yīng)于顯示信號(hào)電流Isig的值會(huì)有幾個(gè)點(diǎn)亮。因此，雖然有除了整個(gè)黑顯示時(shí)以外，難以進(jìn)行嚴(yán)格意義上的黑顯示這一難點(diǎn)，但有能原樣使用已經(jīng)存在的有效的象素電路這一優(yōu)點(diǎn)。
如上述各實(shí)施例所說(shuō)明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，就能避免現(xiàn)有例子1那樣的因信號(hào)線寄生電容的影響而導(dǎo)致的寫入遲緩，并且不必在象素內(nèi)設(shè)置如現(xiàn)有例子2那樣大尺寸的對(duì)晶體管，所以能提供可以進(jìn)行多象素且高清晰度顯示的圖象顯示裝置。
另外，由于能用n型溝道晶體管來(lái)構(gòu)成象素，所以在該情況下，n型溝道晶體管電路能以更小面積來(lái)實(shí)現(xiàn)，能通過(guò)減少減小缺陷產(chǎn)生的概率來(lái)提高產(chǎn)品制造的合格率。因此，能降低圖象顯示裝置的制造成本。
權(quán)利要求
1.一種圖象顯示裝置，其特征在于包括具有根據(jù)顯示信號(hào)電流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光的發(fā)光元件的象素；由多個(gè)上述象素構(gòu)成的顯示部；用于把上述顯示信號(hào)電流寫入到上述象素中的信號(hào)線；用于從多個(gè)上述象素中選擇經(jīng)上述信號(hào)線而寫入上述顯示信號(hào)電流的象素的寫入象素選擇裝置；和用于生成上述顯示信號(hào)電流的顯示信號(hào)電流生成裝置；上述寫入象素選擇裝置具有同時(shí)選擇N個(gè)的多個(gè)象素的功能。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述寫入象素選擇裝置的同時(shí)選擇的象素個(gè)數(shù)N為2以上、連接在一條上述信號(hào)線上的象素?cái)?shù)的一半以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述寫入象素選擇裝置在1幀期間內(nèi)對(duì)各象素進(jìn)行N次上述顯示信號(hào)電流的寫入，上述經(jīng)選擇的各象素根據(jù)N次寫入的最后一次的上述顯示信號(hào)電流的電流值而點(diǎn)亮。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述各象素的點(diǎn)亮在按每1幀進(jìn)行上述N次顯示信號(hào)電流寫入結(jié)束后開始進(jìn)行。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖象顯示裝置，其特征在于開始、停止上述點(diǎn)亮的時(shí)刻，所有象素都按照同一定時(shí)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述發(fā)光元件是設(shè)置在上述象素內(nèi)的有機(jī)發(fā)光二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖象顯示裝置，其特征在于驅(qū)動(dòng)上述發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電路由多晶硅TFT構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖象顯示裝置，其特征在于構(gòu)成上述多晶硅TFT的多晶硅是通過(guò)用具有長(zhǎng)軸方向的激光照射光呈脈沖狀地掃描而多晶體化的，上述激光照射光的長(zhǎng)軸方向與上述信號(hào)線的延長(zhǎng)方向大致并行。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述各象素具有設(shè)置在上述有機(jī)發(fā)光二極管的一端與第一結(jié)點(diǎn)間的第一開關(guān)裝置；設(shè)置在上述第一結(jié)點(diǎn)與上述信號(hào)線之間的第二開關(guān)裝置；設(shè)置在上述第一結(jié)點(diǎn)與電源線之間的上述有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)用TFT；設(shè)置在上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵極與漏極之間的第三開關(guān)裝置；和設(shè)置在上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵極與源極之間的電容裝置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述有機(jī)發(fā)光二極管的一端是正極，上述驅(qū)動(dòng)用TFT的導(dǎo)電類型是n溝道。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖象顯示裝置，其特征在于上述第一至第三開關(guān)裝置是各個(gè)柵電極彼此共同連接著的TFT，構(gòu)成上述第一開關(guān)裝置的TFT的導(dǎo)電類型與構(gòu)成上述第二和第三開關(guān)裝置的TFT的導(dǎo)電類型極性相反。
12.一種圖象顯示裝置，其特征在于包括具有根據(jù)顯示信號(hào)電流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光的發(fā)光元件的象素；由多個(gè)上述象素構(gòu)成的顯示部；用于把上述顯示信號(hào)電流寫入到上述象素中的信號(hào)線；用于從多個(gè)上述象素中選擇經(jīng)上述信號(hào)線而寫入上述顯示信號(hào)電流的象素的寫入象素選擇裝置；和用于生成上述顯示信號(hào)電流的顯示信號(hào)電流生成裝置；上述發(fā)光元件是設(shè)置在上述象素內(nèi)的有機(jī)發(fā)光二極管；上述各象素具有設(shè)置在上述有機(jī)發(fā)光二極管的正極與第一結(jié)點(diǎn)間的第一開關(guān)裝置；設(shè)置在上述第一結(jié)點(diǎn)與上述信號(hào)線之間的第二開關(guān)裝置；設(shè)置在上述第一結(jié)點(diǎn)與電源線之間的上述有機(jī)發(fā)光二極管的n型溝道的驅(qū)動(dòng)用TFT；設(shè)置在上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵極與漏極之間的第三開關(guān)裝置；和設(shè)置在上述驅(qū)動(dòng)用TFT的柵極與源極之間的電容裝置。
13.一種圖象顯示裝置，其特征在于包括具有根據(jù)顯示信號(hào)電流來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光的發(fā)光元件的象素；由多個(gè)上述象素構(gòu)成的顯示部；用于把上述顯示信號(hào)電流寫入到上述象素中的信號(hào)線；用于從多個(gè)上述象素中選擇經(jīng)上述信號(hào)線而寫入上述顯示信號(hào)電流的象素的寫入象素選擇裝置；存儲(chǔ)從外部取得的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)裝置；和根據(jù)所存儲(chǔ)的上述數(shù)據(jù)進(jìn)行圖象數(shù)據(jù)處理，生成上述顯示信號(hào)電流的顯示信號(hào)電流生成裝置；上述寫入象素選擇裝置還具有同時(shí)選擇N個(gè)的多個(gè)象素的功能。
全文摘要
本發(fā)明提供一種圖象顯示裝置，具有多象素且能進(jìn)行高清晰度顯示。通過(guò)使寫入顯示信號(hào)電流(Isig)的象素選擇裝置(MSEL)具有同時(shí)選擇多個(gè)象素(71)的功能，來(lái)實(shí)現(xiàn)多象素化和高清晰度顯示。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1577421SQ200410005850
公開日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月30日
發(fā)明者秋元肇, 佐藤敏浩, 景山寬 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所, 株式會(huì)社日立顯示器