專利名稱：主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種應(yīng)用具有淺摻雜汲極的薄膜晶體管，可有效降低開關(guān)薄膜晶體管的漏電流，而可穩(wěn)定儲存電容器的輸出電壓，并可改善驅(qū)動薄膜晶體管在進(jìn)行電壓電流操作時的扭折效應(yīng)，而可提高驅(qū)動薄膜晶體管的可靠度，進(jìn)而可使得有機(jī)發(fā)光二極管具有較佳顯示效果的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著信息科技的發(fā)達(dá)，各式各樣如計算機(jī)、行動電話、個人數(shù)字助理(PDA)及數(shù)字相機(jī)等信息設(shè)備，均不斷地推陳出新。在這些信息設(shè)備中，顯示器始終扮演著舉足輕重的地位，而平面顯示器(Flat Panel Display)由于具有薄型化、輕量化及省電的特性，乃逐漸地受到歡迎。在各種平面顯示器中，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器因?yàn)榫哂幸暯菑V、色彩對比效果好、輕薄、響應(yīng)速度快及成本低等優(yōu)點(diǎn)，故十分適用于如電子時鐘、行動電話、個人數(shù)字助理及數(shù)字相機(jī)等顯示器的應(yīng)用。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器初期階段均以低階的被動式驅(qū)動(PassiveDrive)為主，然而由于被動式驅(qū)動組件的發(fā)光效率和使用壽命會隨著顯示器尺寸和分辨率的增加而大幅度地降低，因而驅(qū)使有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器朝向主動式驅(qū)動(ActiveDrive)的方向發(fā)展。
請參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)知的一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。該主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)100，包括一掃描配線102、一資料(即數(shù)據(jù))配線104、一開關(guān)薄膜晶體管110、一驅(qū)動薄膜晶體管120、一儲存電容器130以及一有機(jī)發(fā)光二極管140。其中，主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)100的顯示灰階是由資料配線104上的電壓所決定，當(dāng)掃描配線102導(dǎo)通開關(guān)薄膜晶體管110時，資料配線104上的電壓可通過開關(guān)薄膜晶體管110驅(qū)動薄膜晶體管120的閘極(圖中未示)，以驅(qū)動所需電流流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管140，并藉由輸入不同的電壓值而產(chǎn)生不同的顯示灰階。另一方面，當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管110開啟的同時，儲存電容器130是進(jìn)行一充電的動作，以儲存輸入的電壓，而當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管110關(guān)閉時，儲存電容器130便進(jìn)行一放電的動作，以維持驅(qū)動薄膜晶體管120為導(dǎo)通的狀態(tài)，使得有機(jī)發(fā)光二極管140得以保持原有的顯示輝度。
請再參閱圖1所示，開關(guān)薄膜晶體管110及驅(qū)動薄膜晶體管120通常可依通道區(qū)的材質(zhì)分為非晶硅(amorphous-Silicon，簡稱a-Si)薄膜晶體管以及多晶硅(poly-Silocon，簡稱p-Si)薄膜晶體管，其中多晶硅薄膜晶體管相較于非晶硅薄膜晶體管，具有消耗功率小且電子遷移率大等優(yōu)點(diǎn)，雖然早期的多晶硅薄膜晶體管的制程溫度較高，而使得基材的選擇受到大幅的限制，但隨著近年來發(fā)展的低溫多晶硅(low temperature poly-silicon，簡稱為LTPS)薄膜晶體管的制程技術(shù)，已使其逐漸成為主動式組件中的主流。
然而，采用多晶硅薄膜晶體管作為開關(guān)薄膜晶體管時，由于其通道區(qū)為一多晶硅材質(zhì)，因此當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管關(guān)閉時，通道區(qū)仍可能發(fā)生漏電流的現(xiàn)象，使得儲存電容器所儲存的電壓改變，進(jìn)而影響有機(jī)發(fā)光二極管顯示時的穩(wěn)定性。此外，請參閱圖2所示，是現(xiàn)有習(xí)知的多晶硅型態(tài)的驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動電壓與傳輸電流的關(guān)系圖。如圖中所示的驅(qū)動電壓(Vds)與傳輸電流(Id)的關(guān)系曲線，其在飽和區(qū)內(nèi)具有一扭折效應(yīng)(KinkEffect)的問題，亦即隨著驅(qū)動電壓的改變，通過驅(qū)動薄膜晶體管的傳輸電流無法維持一穩(wěn)定的數(shù)值，使得驅(qū)動薄膜晶體管的可靠度(Reliability)變差，進(jìn)而影響有機(jī)發(fā)光二極管的顯示效果。
由此可見，上述現(xiàn)有的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)現(xiàn)有的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其具有較高的發(fā)光穩(wěn)定度及可靠度，而可提供較佳的顯示效果，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其至少包括一有機(jī)發(fā)光二極管；一資料配線；一掃描配線；一開關(guān)薄膜晶體管，具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極，其中該第一閘極是耦接至該掃瞄配線，而該第一源極是耦接至該資料配線；一驅(qū)動薄膜晶體管，具有一第二閘極、一第二源極、一第二汲極及一第二淺摻雜汲極，其中該第二閘極是耦接至該第一汲極，而該第二汲極是耦接至該有機(jī)發(fā)光二極管，且該第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度與該第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度不同；以及一儲存電容器，其是與該第一汲極及該第二閘極電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度是大于該第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其至少包括一有機(jī)發(fā)光二極管；一資料配線；一掃描配線；一開關(guān)薄膜晶體管，具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極，其中該第一閘極是耦接至該掃瞄配線，而該第一汲極是耦接至該資料配線；一驅(qū)動薄膜晶體管，具有一第二閘極、一第二源極、一第二汲極及一第二淺摻雜汲極，其中該第二閘極是耦接至該第一源極，而該第二汲極是耦接至該有機(jī)發(fā)光二極管，且該第二淺摻雜汲極的長度與該第一淺摻雜汲極的長度不同；以及一儲存電容器，其是與該第一汲極及該第二閘極電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的第一淺摻雜汲極的長度是大于該第二淺摻雜汲極的長度。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
本發(fā)明的目的及解決其主要技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其至少包括一有機(jī)發(fā)光二極管；一資料配線；一掃描配線；一開關(guān)薄膜晶體管，具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極，其中該第一閘極是耦接至該掃瞄配線，而該第一汲極是耦接至該資料配線；一驅(qū)動薄膜晶體管，具有一第二閘極、一第二源極及一第二汲極，其中該第二閘極是耦接至該第一源極，而該第二汲極是耦接至該有機(jī)發(fā)光二極管；以及一儲存電容器，其是與該第一汲極及該第二閘極電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
前述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其例如是由一有機(jī)發(fā)光二極管、一資料配線、一掃描配線、一開關(guān)薄膜晶體管、一驅(qū)動薄膜晶體管及一儲存電容器所構(gòu)成。開關(guān)薄膜晶體管例如具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極(Light Doped Drain，LDD)，其中第一閘極是耦接至掃瞄配線，而第一源極是耦接至資料配線。此外，驅(qū)動薄膜晶體管例如具有一第二閘極、一第二源極、一第二汲極及一第二淺摻雜汲極，其中第二閘極是耦接至第一汲極，而第二汲極是耦接至有機(jī)發(fā)光二極管，且第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度是與第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度不同。另外，儲存電容器是與第一汲極及第二閘極電性連接。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述的第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度是大于第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度。此外，開關(guān)薄膜晶體管及驅(qū)動薄膜晶體管例如可同為P型低溫多晶硅薄膜晶體管或同為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
基于上述目的，本發(fā)明又提出了一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其例如是由一有機(jī)發(fā)光二極管、一資料配線、一掃描配線、一開關(guān)薄膜晶體管、一驅(qū)動薄膜晶體管及一儲存電容器所構(gòu)成。開關(guān)薄膜晶體管例如具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極，其中第一閘極是耦接至掃瞄配線，而第一源極是耦接至資料配線。此外，驅(qū)動薄膜晶體管例如具有一第二閘極、一第二源極、一第二汲極及一第二淺摻雜汲極，其中第二閘極是耦接至第一汲極，而第二汲極是耦接至有機(jī)發(fā)光二極管，且第二淺摻雜汲極的長度是與第一淺摻雜汲極的長度不同。另外，儲存電容器是與第一汲極及第二閘極電性連接。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述的第一淺摻雜汲極的長度是大于第二淺摻雜汲極的長度。此外，開關(guān)薄膜晶體管及驅(qū)動薄膜晶體管例如可同為P型低溫多晶硅薄膜晶體管或同為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
基于上述目的，本發(fā)明還提出了一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其例如是由一有機(jī)發(fā)光二極管、一資料配線、一掃描配線、一開關(guān)薄膜晶體管、一驅(qū)動薄膜晶體管及一儲存電容器所構(gòu)成。開關(guān)薄膜晶體管例如具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極，其中第一閘極是耦接至掃瞄配線，而第一源極是耦接至資料配線。此外，驅(qū)動薄膜晶體管例如具有一第二閘極、一第二源極及一第二汲極，其中第二閘極是耦接至第一汲極，而第二汲極是耦接至有機(jī)發(fā)光二極管。另外，儲存電容器是與第一汲極及第二閘極電性連接。
依照本發(fā)明的較佳實(shí)施例所述，上述的開關(guān)薄膜晶體管及驅(qū)動薄膜晶體管例如可同為P型低溫多晶硅薄膜晶體管或同為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
基于上述，本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，是在開關(guān)薄膜晶體管及驅(qū)動薄膜晶體管中形成一淺摻雜汲極，來解決現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)顯示不佳的問題。在本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)中，該淺摻雜汲極例如可以具有下列幾種配置方式(一)、開關(guān)薄膜晶體管的第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度小于驅(qū)動薄膜晶體管的第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度。
(二)、開關(guān)薄膜晶體管的第一淺摻雜汲極的長度大于驅(qū)動薄膜晶體管的第二淺摻雜汲極的長度。
(三)、僅在開關(guān)薄膜晶體管內(nèi)形成一第一淺摻雜汲極。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其例如是由一有機(jī)發(fā)光二極管、一資料配線、一掃描配線、一開關(guān)薄膜晶體管、一驅(qū)動薄膜晶體管及一儲存電容器所構(gòu)成。其中開關(guān)薄膜晶體管具有一第一淺摻雜汲極，而驅(qū)動薄膜晶體管具有一第二淺摻雜汲極，且第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度是大于第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度。藉由該主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)可降低開關(guān)薄膜晶體管內(nèi)的漏電流，并能夠改善驅(qū)動薄膜晶體管的扭折效應(yīng)，而可提供一較佳的顯示效果。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)至少具有以下優(yōu)點(diǎn)其可有效的降低開關(guān)薄膜晶體管的漏電流，而可穩(wěn)定儲存電容器的輸出電壓；此外，本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)亦可改善驅(qū)動薄膜晶體管在進(jìn)行電壓電流操作時的扭折效應(yīng)，而可提高驅(qū)動薄膜晶體管的可靠度，進(jìn)而可以使得有機(jī)發(fā)光二極管具有較佳的顯示效果。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，具有較高的發(fā)光穩(wěn)定度及可靠度，而可提供較佳的顯示效果，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)具有增進(jìn)的多項功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知的一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2是現(xiàn)有習(xí)知的多晶硅型態(tài)的驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動電壓與傳輸電流的關(guān)系圖。
圖3是本發(fā)明較佳實(shí)施例中一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4是上述的開關(guān)薄膜晶體管的剖面示意圖。
圖5是上述的驅(qū)動薄膜晶體管的剖面示意圖。
圖6是本發(fā)明的具有淺摻雜汲極的驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動電壓與傳輸電流的關(guān)系圖。
100主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu) 102掃描配線104資料配線110開關(guān)薄膜晶體管120驅(qū)動薄膜晶體管 130儲存電容器140有機(jī)發(fā)光二極管200主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu) 202掃描配線
204資料配線210開關(guān)薄膜晶體管211基板212第一閘極214第一源極214a第一源極區(qū)214b第一源極金屬層 216第一汲極216a第一汲極區(qū) 216b第一汲極金屬層217通道區(qū) 218閘介電層219中間介電層 219a接觸窗219b接觸窗 220驅(qū)動薄膜晶體管221基板222第二閘極224第二源極224a第二源極區(qū)224b第二源極金屬層 226第二汲極226a第一汲極區(qū) 226b第一汲極金屬層227通道區(qū) 228閘介電層229中間介電層 229a接觸窗229b接觸窗 230儲存電容器240有機(jī)發(fā)光二極管 250第一淺摻雜汲極260第二淺摻雜汲極 L1、L2長度具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式

、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請參閱圖3所示，是本發(fā)明的較佳實(shí)施例中一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。該主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)200，例如是由一有機(jī)發(fā)光二極管240、一資料配線204、一掃描配線202、一開關(guān)薄膜晶體管210、一驅(qū)動薄膜晶體管220及一儲存電容器230所構(gòu)成。其中，開關(guān)薄膜晶體管210具有一第一閘極212、一第一源極214及一第一汲極216，且開關(guān)薄膜晶體管210例如藉由第一閘極212而與掃瞄配線202耦接，并例如藉由第一源極214而與資料配線204耦接。此外，驅(qū)動薄膜晶體管220具有一第二閘極222、一第二源極224及一第二汲極226，且驅(qū)動薄膜晶體管220例如藉由第二閘極222與開關(guān)薄膜晶體管210耦接，并藉由第二汲極226與有機(jī)發(fā)光二極管230耦接。另外，儲存電容器230是與開關(guān)薄膜晶體管210的第一汲極216及驅(qū)動薄膜晶體管220的第二閘極222電性連接。
請參閱圖4所示，是上述的開關(guān)薄膜晶體管的剖面示意圖。該開關(guān)薄膜晶體管210，例如是為一P型低溫多晶硅薄膜晶體管，其例如為包括一基板211、第一閘極212、第一源極(包含一第一源極區(qū)214a與一第一源極金屬層214b)214、第一汲極(包含一第一汲極區(qū)216a與一第一汲極金屬層216b)216、一通道區(qū)(即信道區(qū))217、一閘介電層218、一中間介電層(inter-layerdielectric layer)219及一第一淺摻雜汲極250。其中，第一源極區(qū)214a、第一汲極區(qū)216a、第一淺摻雜汲極250及通道區(qū)217是配置在基板211上，第一源極區(qū)214a及第一汲極區(qū)216a是配置于通道區(qū)217的兩側(cè)，而第一淺摻雜汲極250是配置于第一源極區(qū)214a、第一汲極區(qū)216a及通道區(qū)217之間。此外，閘介電層218是覆蓋第一源極區(qū)214a、第一汲極區(qū)216a、第一淺摻雜汲極250及通道區(qū)217，而第一閘極212是對應(yīng)配置于通道區(qū)217上方的閘介電層218上。另外，中間介電層219是位于基板211的上方并覆蓋第一閘極212，而第一源極金屬層214b以及第一汲極金屬層216b是配置于中間介電層219上，且第一源極金屬層214b與第一汲極金屬層216b是藉由中間介電層219的接觸窗219a及接觸窗219b而與第一源極區(qū)214a以及第一汲極區(qū)216a電性連接。
請參閱圖5所示，是上述的驅(qū)動薄膜晶體管的剖面示意圖。該驅(qū)動薄膜晶體管220，同樣例如為一P型低溫多晶硅薄膜晶體管，然而該驅(qū)動薄膜晶體管220的大部份構(gòu)件及其配置關(guān)系皆與圖4中所述的開關(guān)薄膜晶體管210相同，故在此僅給予不同的圖號，而不再詳細(xì)重復(fù)贅述。其中，值得注意的是，依照本發(fā)明的特征，開關(guān)薄膜晶體管210的第一淺摻雜汲極250與驅(qū)動薄膜晶體管220的第二淺摻雜汲極260是具有下列的關(guān)系(一)、第一淺摻雜汲極250的離子摻雜濃度是小于第二淺摻雜汲極260的離子摻雜濃度。(二)、第一淺摻雜汲極250的長度L1是大于第二淺摻雜汲極260的長度L2。
此外，除了上述的具有淺摻雜汲極的驅(qū)動薄膜晶體管外，本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動薄膜晶體管更可以為不具有淺摻雜汲極的結(jié)構(gòu)型態(tài)，然而其相關(guān)圖標(biāo)與說明因與上述的驅(qū)動薄膜晶體管類似，故在此亦不再重復(fù)。
綜上所述，本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)是在開關(guān)薄膜晶體管中形成一淺摻雜汲極，而可加大源極區(qū)與汲極區(qū)的間距，如此一來，將可有效的降低源極區(qū)與汲極區(qū)之間產(chǎn)生漏電流的機(jī)會，而儲存電容器的輸出電壓也將更為穩(wěn)定。此外，本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)亦可選擇性地在驅(qū)動薄膜晶體管中形成一淺摻雜汲極，以改善驅(qū)動薄膜晶體管在進(jìn)行電壓電流操作時的扭折效應(yīng)，如圖6所示即為本發(fā)明的具有淺摻雜汲極的驅(qū)動薄膜晶體管的驅(qū)動電壓與傳輸電流的關(guān)系圖。
請參閱圖6所示，從圖中可明顯見到，驅(qū)動電壓(Vds)在進(jìn)入飽和區(qū)之后，傳輸電流(Id)值是趨近于一定值，如此一來，當(dāng)位于飽和區(qū)的驅(qū)動電壓降低時，通過驅(qū)動薄膜晶體管而進(jìn)入有機(jī)發(fā)光二極管的傳輸電流仍可幾乎維持一恒常值，使得有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度更為穩(wěn)定。結(jié)合上述的開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動薄膜晶體管，本發(fā)明主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)可提供一穩(wěn)定的顯示效果。此外，雖然本發(fā)明的實(shí)施例所繪示的開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動薄膜晶體管皆為P型低溫多晶硅薄膜晶體管，然而依照本發(fā)明的特征，亦可采用N型低溫多晶硅薄膜晶體管作為本發(fā)明的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)的開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動薄膜晶體管。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括一有機(jī)發(fā)光二極管；一資料配線；一掃描配線；一開關(guān)薄膜晶體管，具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極，其中該第一閘極是耦接至該掃瞄配線，而該第一源極是耦接至該資料配線；一驅(qū)動薄膜晶體管，具有一第二閘極、一第二源極、一第二汲極及一第二淺摻雜汲極，其中該第二閘極是耦接至該第一汲極，而該第二汲極是耦接至該有機(jī)發(fā)光二極管，且該第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度與該第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度不同；以及一儲存電容器，其是與該第一汲極及該第二閘極電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度是大于該第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
7.一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括一有機(jī)發(fā)光二極管；一資料配線；一掃描配線；一開關(guān)薄膜晶體管，具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極，其中該第一閘極是耦接至該掃瞄配線，而該第一汲極是耦接至該資料配線；一驅(qū)動薄膜晶體管，具有一第二閘極、一第二源極、一第二汲極及一第二淺摻雜汲極，其中該第二閘極是耦接至該第一源極，而該第二汲極是耦接至該有機(jī)發(fā)光二極管，且該第二淺摻雜汲極的長度與該第一淺摻雜汲極的長度不同；以及一儲存電容器，其是與該第一汲極及該第二閘極電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一淺摻雜汲極的長度是大于該第二淺摻雜汲極的長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
13.一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其至少包括一有機(jī)發(fā)光二極管；一資料配線；一掃描配線；一開關(guān)薄膜晶體管，具有一第一閘極、一第一源極、一第一汲極及一第一淺摻雜汲極，其中該第一閘極是耦接至該掃瞄配線，而該第一汲極是耦接至該資料配線；一驅(qū)動薄膜晶體管，具有一第二閘極、一第二源極及一第二汲極，其中該第二閘極是耦接至該第一源極，而該第二汲極是耦接至該有機(jī)發(fā)光二極管；以及一儲存電容器，其是與該第一汲極及該第二閘極電性連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為P型低溫多晶硅薄膜晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的開關(guān)薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的驅(qū)動薄膜晶體管是為N型低溫多晶硅薄膜晶體管。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)，其例如是由一有機(jī)發(fā)光二極管、一資料配線、一掃描配線、一開關(guān)薄膜晶體管、一驅(qū)動薄膜晶體管及一儲存電容器所構(gòu)成。其中開關(guān)薄膜晶體管具有一第一淺摻雜汲極，而驅(qū)動薄膜晶體管具有一第二淺摻雜汲極，且第二淺摻雜汲極的離子摻雜濃度是大于第一淺摻雜汲極的離子摻雜濃度。藉由該主動式有機(jī)發(fā)光二極管的畫素結(jié)構(gòu)可降低開關(guān)薄膜晶體管內(nèi)的漏電流，并能夠改善驅(qū)動薄膜晶體管的扭折效應(yīng)，而可提供一較佳的顯示效果。
文檔編號G09F9/30GK1529300SQ2003101018
公開日2004年9月15日 申請日期2003年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月20日
發(fā)明者陳坤宏 申請人:友達(dá)光電股份有限公司