專利名稱：核微孔防偽標識的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于防偽技術領域，特別涉及核微孔防偽標識的制作方法。
申請?zhí)?4104555.2公開了一種利用重離子通過模板照射成像的方法制作防偽標識的方法，其步驟如下1)用重離子模板照射塑料薄膜；2)用NaOH蝕刻顯像；3)清洗；4)干燥。
用這種方法生產(chǎn)的防偽標識圖案是由大量微孔組成，由于微孔孔壁對光的散射作用使圖案區(qū)成為乳白色，因此孔密度的下限是104l/cm2，采用8微米到20微米厚的薄膜和普通的化學蝕刻方法，能制作的孔徑范圍是0.1微米至12微米，考慮到薄膜的機械強度，所能使用的最大孔密度為108l/cm2。
申請?zhí)?7120352.0公開的核徑跡防偽膜的制造方法，其步驟是1)重離子照射塑料薄膜；2)紫外線模板照射；3)化學蝕刻；4)清洗；5)干燥。
這種方法制作的標識圖案也是僅靠大量微孔對光的散射作用形成的，因此孔密度為104l/cm2至108l/cm2，孔徑范圍為0.1微米至十幾微米。
以上兩種方法制作防偽標識均只能采用重離子輻照，如加速器加速的32S或者裂變碎片，所能使用的塑料薄膜厚度有限，如8至25微米。
本發(fā)明提出的一種新的核微孔防偽標識的制作方法，其特征在于，包括以下步驟1.采用重離子或輕離子照射塑料薄膜；2.將照射后的塑料薄膜放入二甲基甲酰胺(DMF)溶液敏化；3.采用耐蝕刻的膠粘劑在經(jīng)過處理后的薄膜表面印刷圖案，進行化學蝕刻；4.清洗；5.干燥。
上述步驟2的敏化條件可為在40℃～90℃范圍內(nèi)，浸泡時間1分鐘至20分鐘。
上述步驟2與3之間還可包括；將敏化后的薄膜浸入水中水解。
所說的水解條件可為20℃～90℃，時間2分鐘至2小時。
本發(fā)明采用塑料薄膜的厚度可在5微米至100微米的范圍。
本發(fā)明的原理及特點本發(fā)明方法首次采用DNF溶液敏化步驟，可使敏化后的徑跡蝕刻速度比未經(jīng)敏化的化學蝕刻速度高上百倍，因此用這種方法制作的防偽膜孔徑可以小到40nm，且可以用輕離子照射，因此薄膜厚度可從5微米至100微米，孔密度上限可高達1010l/cm2。
DMF敏化后再在水中浸泡，會使化學蝕刻后在微孔的周圍產(chǎn)生大小不等(幾微米至幾十微米)的結(jié)晶體，其形成機理與離子和塑料薄膜中的電子相互作用產(chǎn)生的高能6射線在薄膜中產(chǎn)生的輻射損傷有關，且與DMF溶液處理和水解作用有關，因此這是本發(fā)明方法產(chǎn)生的特有的圖象符號。這些結(jié)晶體與塑料本身的密度不同，因此在結(jié)晶體與塑料交接處存在光學界面，對光有反射和折射作用，宏觀上就是散射作用，使得標識的圖案區(qū)呈現(xiàn)白色。同時由于這些結(jié)晶體對光的強反射，使圖案區(qū)呈現(xiàn)類似金屬表面的光澤。本發(fā)明方法制作的標識圖案的成像機理不僅是靠大量微孔對光的散射作用，同時是靠大量微結(jié)晶體對光的散射和表面對光的強反射作用，因此照射的孔密度下限可小至102l/cm2，成像后膜的機械強度接近原膜的強度。
用本發(fā)明方法制作的防偽標識孔徑可以小至納米量級，識別時，利用隨機分布的微孔對平行光的衍射特性，激光照射標識膜檢測衍射圖象的愛麗斑直徑，可以求得微孔的直徑，實現(xiàn)識別的目的。
本發(fā)明的良好效果1結(jié)晶體是本發(fā)明技術產(chǎn)生的特有特征，作為防偽標識的加密信息，增加了標識的防偽力度；2孔徑可從納米量級～幾十微米，防偽力度更高；3塑料薄膜的厚度可從5微米～100微米；標識膜的機械強度大，因此適用范圍寬，如可用于制作香煙防偽拉線；4照射使用的離子可以是質(zhì)量數(shù)A小至16的輕離子，照射密度低，照射密度范圍102～1010l/cm2；因此照射時間短，產(chǎn)量大；5微米量級的結(jié)晶體和微孔孔壁對光的散射；微米量級的結(jié)晶體表面對光的強反射；使標識的表面有類似金屬表面的光澤，因此更加美觀。
實施例2采用反應堆中子照射裂變源產(chǎn)生的裂變碎片照射12微米塑料薄膜，90℃ DMF溶液浸泡1分鐘敏化，再用膠粘劑在膜的一面印刷，另一面用預涂膜保護后放入90℃ 6.25N NaOH溶液中蝕刻1.58分鐘，即制成納米防偽徑跡膜。
實施例3采用加速器產(chǎn)生的重離子照射5微米的塑料薄膜，40℃ DMF溶液浸泡20分鐘敏化，然后放入70℃水中水解5分鐘，用膠粘劑在膜的一面印刷，另一面用預涂膜保護后放入90℃ 6.5N NaOH溶液中蝕刻2分鐘，經(jīng)清洗、晾干后即制成防偽標識。
實施例4采用加速器產(chǎn)生的輕離子(16O)照射100微米的塑料薄膜，60℃ DMF溶液浸泡15分鐘敏化，然后放入90℃水中水解5分鐘，用膠粘劑在膜的一面印刷，另一面用預涂膜保護后放入90℃ 6.5N NaOH溶液中蝕刻60分鐘，經(jīng)清洗、晾干后即制成防偽標識。
實施例5采用加速器產(chǎn)生的重離子照射20微米的塑料薄膜，90℃ DMF溶液浸泡2分鐘敏化，然后放入20℃水中水解1小時，用膠粘劑在膜的一面印刷，另一面用預涂膜保護后放入30℃ 6.25N NaOH溶液中蝕刻6小時，經(jīng)清洗、晾干后即制成防偽標識。
權利要求
1.一種核微孔防偽標識的制作方法，其特征在于，包括以下步驟1)用重離子或輕離子照射塑料薄膜；2)將照射后的塑料薄膜放入二甲基甲酰胺(DMF)溶液敏化；3)采用耐蝕刻的膠粘劑在經(jīng)過處理后的薄膜表面印刷圖案，進行化學蝕刻；4)清洗；5)干燥。
2.如權利要求1所述的核微孔防偽標識的制作方法，其特征在于，所說的步驟2的敏化條件為在40℃～90℃范圍內(nèi)，浸泡時間1分鐘至20分鐘。
3.如權利要求1或2所述的核微孔防偽標識的制作方法，其特征在于，所說的上述步驟2與3之間還包括；將敏化后的薄膜浸入水中水解。
4.如權利要求3所述的核微孔防偽標識的制作方法，其特征在于，所說的水解條件為20℃～90℃，時間2分鐘至2小時。
5.如權利要求1所述的核微孔防偽標識的制作方法，其特征在于，所說的塑料薄膜的厚度在5微米至100微米的范圍。
全文摘要
本發(fā)明屬于防偽技術領域，涉及核微孔防偽標識的制作方法，包括用重離子或輕離子照射塑料薄膜；將照射后的塑料薄膜放入二甲基甲酰胺(DMF)溶液敏化；采用耐蝕刻的膠粘劑在經(jīng)過處理后的薄膜表面印刷圖案，進行化學蝕刻；清洗；干燥。本發(fā)明具有防偽力度更高，適用范圍寬，照射時間短，產(chǎn)量大，更加美觀的優(yōu)點。
文檔編號G09F3/00GK1419224SQ021599
公開日2003年5月21日 申請日期2002年12月31日 優(yōu)先權日2002年12月31日
發(fā)明者王玉蘭, 鄭成武, 劉宣瑋, 陳大年 申請人:北京清華試金石新技術有限公司