專利名稱：電光學(xué)裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于液晶裝置等電光學(xué)裝置的技術(shù)領(lǐng)域，尤其屬于配有規(guī)定圖像顯示區(qū)域的框緣遮光膜的電光學(xué)裝置及配備這種電光學(xué)裝置的電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
現(xiàn)有技術(shù)這種電光學(xué)裝置中，像素電極和條狀電極等顯示用電極、數(shù)據(jù)線及掃描線等各種布線、像素轉(zhuǎn)換用的薄膜晶體管(以下在適當(dāng)?shù)膱?chǎng)合下稱為TFT)和薄膜二極管(以下在適當(dāng)?shù)膱?chǎng)合下稱為TFD)等轉(zhuǎn)換元件等被形成的元件陣列基片，與全面形成了條狀的對(duì)置電極、遮光膜等被形成的對(duì)置基片被對(duì)置配置。在這些一對(duì)基片之間，液晶等電光學(xué)物質(zhì)通過密封材料被包圍，配置了顯示用電極的圖像顯示區(qū)域位于與存在該密封材料的密封區(qū)域相比更接近中央的部位(即面向液晶等的基片上的區(qū)域)上。尤其在這里，從平面看，(即，從與圖像顯示區(qū)域?qū)χ玫姆较蚩慈?沿密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)輪廓的框緣形態(tài)下，圖像顯示區(qū)域的框緣區(qū)域通過與被設(shè)置在比如上述的對(duì)置基片上的遮光膜的同一膜被規(guī)定。
此外，在框緣區(qū)域及位于其外圍的外圍區(qū)域中的元件陣列基片上，設(shè)有掃描線驅(qū)動(dòng)電路、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、取樣電路、檢查電路等外圍電路的所謂外圍電路內(nèi)置型電光學(xué)裝置也是一般化的。
因此，在框緣區(qū)域內(nèi)，存在從圖像顯示區(qū)域向外圍區(qū)域引出的布線。而且在把被與該布線連接的取樣電路等外圍電路的一部分設(shè)置到框緣區(qū)域內(nèi)的場(chǎng)合下，在框緣區(qū)域內(nèi)，存在構(gòu)成該外圍電路的一部分的電路元件。即，在框緣區(qū)域內(nèi)，存在由布線和電路元件組成的圖案部。
具有上述構(gòu)成的電光學(xué)裝置，按照在設(shè)有與圖像顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示窗的遮光性安裝罩內(nèi)，顯示窗的邊緣位于框緣區(qū)域的中心線附近的原則被收容。

發(fā)明內(nèi)容
然而，根據(jù)上述電光學(xué)裝置，由存在于元件陣列基片上的框緣區(qū)域的布線及電路元件組成的圖案部，使Al膜等導(dǎo)電膜被形成圖案。因此，尤其在用于投影儀等之類的入射光較強(qiáng)且含有大量斜向成分的場(chǎng)合下，入射光根據(jù)圖案部的反射率在其表面反射，同時(shí)入射光從圖案部的縫隙間通過。這樣，在該圖案部反射的光，通過由對(duì)置基片上的Cr(鉻)等形成的框緣遮光膜被反射。此外，(i)這樣在框緣遮光膜被反射的內(nèi)面反射光和透過圖案部后的光，由元件陣列基片的背面反射的反射光，(ii)同樣通過這種框緣遮光膜被反射的內(nèi)面反射光和透過圖案部后的光，由被安裝在電光學(xué)裝置的射出側(cè)上的偏振光片、相位差片、防塵玻璃等光學(xué)要素反射的反射光，(iii)把多個(gè)電光學(xué)裝置組合成光閥，由在作為多片式投影儀的場(chǎng)合下的其它電光學(xué)裝置射出，通過合成光學(xué)系統(tǒng)返回的光，由圖案部和框緣遮光膜等反射而生成的內(nèi)面反射光等，最終與射出光混在一起從該電光學(xué)裝置射出。
上述結(jié)果存在下列問題與圖案部?jī)?nèi)的反射及透過對(duì)應(yīng)的明暗圖案(比如，在配有多條布線的場(chǎng)合下，條紋狀等的明暗圖案)將在顯示圖像的邊緣附近顯示出來。另外，由布線與電路元件組成的圖案部的表面，隨著其底層面的凹凸不平以及根據(jù)圖案形狀自身，由于存在凹凸，因而由相關(guān)的凹凸表面反射的內(nèi)面反射光，通過光的干涉作用也形成明暗圖案，因而最終與射出光混在一起的明暗圖案，根據(jù)圖案部的構(gòu)造將更為明顯。
反之，為消隱由上述布線的內(nèi)面反射所映出的明暗圖案，有必要按照規(guī)定比應(yīng)消隱的圖案部所占用的基片區(qū)域大許多的框緣區(qū)域的原則形成寬幅框緣遮光膜。其結(jié)果是，難以滿足確保在被限定的基片區(qū)域中盡量擴(kuò)大的圖像顯示區(qū)域的該電光學(xué)裝置的基本要求。而且，如果考慮到返回光和內(nèi)面反射光，通過面向框緣遮光膜的元件陣列基片一側(cè)的表面反射，最終作為具有明暗圖案的光與射出光混在一起，則通過單純擴(kuò)大該框緣遮光膜完全消隱明暗圖案的作法在理論上也是困難的。
本發(fā)明考慮到了上述問題點(diǎn)，其課題是提供可防止由被設(shè)置在框緣區(qū)域內(nèi)的布線及電路元件組成的圖案部所引起的明暗圖案在顯示圖像的外側(cè)被映出的電光學(xué)裝置及配有如此電光學(xué)裝置的各種電子設(shè)備。
本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置為解決上述課題，配有被配置在基片上的圖像顯示區(qū)域內(nèi)的顯示用電極；通過像素轉(zhuǎn)換用元件或直接被與該顯示用電極連接，同時(shí)由被設(shè)置在規(guī)定上述圖像顯示區(qū)域的周圍的框緣區(qū)域內(nèi)的布線與電路元件中的至少一方構(gòu)成的圖案部；在上述框緣區(qū)域的一部分內(nèi)，從上述基片側(cè)至少部分覆蓋上述圖案部的下側(cè)遮光膜。
根據(jù)本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置，比如數(shù)據(jù)線、掃描線等布線被從圖像顯示區(qū)域引出，被配置到框緣區(qū)域內(nèi)?；蛘?，取代該方法或再予以附加，構(gòu)成與被引出的布線連接的外圍電路的至少一部分的晶體管或TFT、TFD等電路元件被配置在框緣區(qū)域內(nèi)。這樣，通過設(shè)在該框緣區(qū)域內(nèi)的布線及電路元件，利用TFT等像素轉(zhuǎn)換用元件或直接把圖像信號(hào)等傳送給像素電極等顯示用電極，通過上述過程，可實(shí)現(xiàn)有源矩陣驅(qū)動(dòng)及無源矩陣驅(qū)動(dòng)等。
此時(shí)，尤其在用于投影儀等之類的入射光較強(qiáng)，而且含有大量斜向成分的場(chǎng)合下，根據(jù)比如Al膜等導(dǎo)電膜被形成圖案的圖案部的反射率，在該表面上入射光被反射，或入射光從圖案部的縫隙間通過。然而在本發(fā)明中，在框緣區(qū)域的一部分中，通過下側(cè)遮光膜，由布線及電路元件組成的圖案部，至少部分地被從基片側(cè)覆蓋。這樣，由該圖案部反射或從圖案部的縫隙間透過的入射光中經(jīng)過內(nèi)面反射后或最終直接與顯示用射出光混在一起的光量，只減少被該下側(cè)遮光膜吸收或被反射的部分。更具體地說，由圖案部反射后的光，即使通過被對(duì)置基片上的框緣遮光膜反射，在框緣區(qū)域的附近向基片側(cè)傳播，只有被下側(cè)遮光膜吸收或反射的部分，混在顯示用的射出光內(nèi)的光量得到減少。對(duì)于由框緣遮光膜反射的內(nèi)面反射光和透過圖案部后的光，通過元件陣列基片的背面和偏振光片、相位差片、防塵玻璃等光學(xué)要素反射后形成的反射光也同樣，只有被下側(cè)遮光膜吸收或反射的部分，混在顯示用的射出光內(nèi)的光量得到減少。此外，對(duì)于多片式投影儀的場(chǎng)合下的返回光，由圖案部和框緣遮光膜等進(jìn)一步反射后形成的內(nèi)面反射光也同樣，只有被下側(cè)遮光膜吸收或反射的部分，混在最終顯示用的射出光內(nèi)的光量得到減少。
尤其是，由布線與電路元件組成的圖案部的表面，隨著其底層面的凹凸不平或根據(jù)該圖案形狀自身，由于存在凹凸，因而由相關(guān)的凹凸表面反射的內(nèi)面反射光通過光的干涉作用也形成明暗圖案，通過由下側(cè)遮光膜吸收或反射，可減少該明暗圖案。
根據(jù)上述的本發(fā)明的電光學(xué)裝置，可減少由被設(shè)置在框緣區(qū)域的布線及電路元件組成的圖案部所引起的，在顯示圖像的外側(cè)映出的明暗圖案。因此，沒有必要為消隱在顯示圖像的邊緣附近被映出的明暗圖案而擴(kuò)大框緣遮光膜的寬度，可在被限定的基片區(qū)域內(nèi)確保較大的圖像顯示區(qū)域。
此外根據(jù)本發(fā)明的電光學(xué)裝置，由于下側(cè)遮光膜，不在整個(gè)框緣區(qū)域內(nèi)，而在與圖案部對(duì)置的一部分內(nèi)被設(shè)置，因而與在整個(gè)框緣區(qū)域內(nèi)形成的場(chǎng)合相比，可減少應(yīng)力的發(fā)生。
在本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置的一種模式下，在上述框緣區(qū)域內(nèi)，還配有被配置在上述圖案部的上側(cè)的框緣遮光膜。
根據(jù)這種模式，根據(jù)由比如在基片上形成的內(nèi)置遮光膜以及，在通過液晶等電光學(xué)物質(zhì)在基片上被對(duì)置配置的對(duì)置基片上被形成的遮光膜組成，在圖案部的上側(cè)被配置的框緣遮光膜，可規(guī)定框緣區(qū)域。尤其是，對(duì)于在該框緣遮光膜的內(nèi)面反射的內(nèi)面反射光在根據(jù)圖案部發(fā)生的顯示圖像的外側(cè)被映出的明暗圖案，可通過被配置在圖案部的下側(cè)的下側(cè)遮光膜減少。
在本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置的其它模式下，上述下側(cè)遮光膜，在上述基片的平坦表面上，通過平直或平坦的底層絕緣膜被形成。
根據(jù)該模式，由于下側(cè)遮光膜，在基片的平坦表面上，通過平直或平坦的底層絕緣膜被形成，因而在下側(cè)遮光膜的表面上幾乎不產(chǎn)生凹凸。因此，從基片的背面?zhèn)确祷氐墓饧皟?nèi)面反射光的一部分，假如通過下側(cè)遮光膜被反射后，即使混入最終顯示用的射出光內(nèi)，由于由該平坦的下側(cè)遮光膜反射的光，幾乎不伴隨干涉，因而可減少由于干涉作用所引起的明暗圖案。
在本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置的其它模式下，上述電路元件，包含第1晶體管，上述顯示用電極，由像素電極構(gòu)成，該電光學(xué)裝置，還配有作為上述像素轉(zhuǎn)換用元件與上述像素電極連接的第2晶體管，上述布線，與上述第2晶體管連接。
根據(jù)這種模式，比如取樣電路、掃描線驅(qū)動(dòng)電路、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、檢查電路、預(yù)充電電路等，通過包含第1晶體管同時(shí)被配置在框緣區(qū)域內(nèi)的外圍電路的至少一部分，向第2晶體管提供圖像信號(hào)。這樣，通過利用第2晶體管對(duì)像素電極進(jìn)行轉(zhuǎn)換控制，可實(shí)施有源矩陣驅(qū)動(dòng)。
在本發(fā)明第1電光學(xué)裝置的其它模式下，在上述第2晶體管的至少溝道區(qū)的下側(cè)，設(shè)有與上述下側(cè)遮光膜的同一膜。
根據(jù)這種模式，由于作為與像素電極連接的像素轉(zhuǎn)換元件的第2晶體管的溝道區(qū)，通過下側(cè)遮光膜被從下側(cè)覆蓋，因而可有效防止由于返回光向該溝道區(qū)入射而發(fā)生漏光電流，以及防止第2晶體管的特性發(fā)生變化的事態(tài)。此外，對(duì)于從上側(cè)向第2晶體管的溝道區(qū)入射的入射光，如果能通過由在基片上另外設(shè)置的內(nèi)置遮光膜、Al膜等遮光膜形成的布線、在對(duì)置基片上設(shè)置的遮光膜等進(jìn)行遮光則不會(huì)發(fā)生特別的問題。因此尤其，由于用于對(duì)該像素部?jī)?nèi)的第2晶體管遮光的下側(cè)遮光膜以及，用于防止發(fā)生框緣區(qū)域內(nèi)的明暗圖案的下側(cè)遮光膜，可以由同一膜形成，通過同一制造工序同時(shí)形成，因而可簡(jiǎn)化基片上的層疊構(gòu)造及制造過程。
在本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置的其它模式下，上述下側(cè)遮光膜，由光吸收膜構(gòu)成。
根據(jù)這種模式，返回光入射到下側(cè)遮光膜的基片側(cè)表面上后，通過光吸收作用，該反射光衰減。因此，即使該反射光混入最終顯示用的射出光內(nèi)，也可衰減基于該反射光的明暗圖案。
在這種模式下，上述光吸收膜，可以含有多晶硅膜及高融點(diǎn)金屬膜的至少一方。
根據(jù)這種構(gòu)成，可以較簡(jiǎn)單地把具有極佳的光吸收作用的光吸收膜設(shè)置到圖案部的下側(cè)。
在本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置的其它模式下，上述下側(cè)遮光膜，被形成島狀。
根據(jù)這種模式，通過按島狀分?jǐn)嘈纬?，尤其與在整個(gè)框緣區(qū)域內(nèi)形成下側(cè)遮光膜的場(chǎng)合相比，可緩解由于該下側(cè)遮光膜的存在所產(chǎn)生的應(yīng)力，可提高制造成品率和裝置的可靠性。
在本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置的其它模式下，上述下側(cè)遮光膜，由導(dǎo)電膜構(gòu)成。
根據(jù)該模式，下側(cè)遮光膜，由于由導(dǎo)電膜構(gòu)成，因而不僅可作為遮光膜，還可作為布線等使用。
在該下側(cè)遮光膜由導(dǎo)電膜構(gòu)成的模式下，可采用以下構(gòu)成上述下側(cè)遮光膜，可以至少部分地被提供固定電位。
在這種構(gòu)成下，可以預(yù)先防止在框緣區(qū)域內(nèi)下側(cè)遮光膜的電位變動(dòng)的不良影響波及到布線及電路元件上。
或者在該下側(cè)遮光膜由導(dǎo)電膜形成的模式下，上述下側(cè)遮光膜中至少被層疊到上述第1晶體管的下側(cè)的部分，可以具有浮動(dòng)電位。
在該構(gòu)成模式下，由于被層疊到第1晶體管的下側(cè)的下側(cè)遮光膜部分，具有浮動(dòng)電位，因而可有效地防止該下側(cè)遮光膜的電位變動(dòng)，對(duì)第1晶體管的特性產(chǎn)生不良影響。
尤其在該場(chǎng)合下，可采用以下構(gòu)成上述下側(cè)遮光膜中至少在上述第1晶體管的下側(cè)被層疊的部分，可以包含按照使與上述下側(cè)遮光膜中上述第1晶體管的源極電極對(duì)置的部分和與上述下側(cè)遮光膜中上述第1晶體管的漏極電極對(duì)置的部分互相分離的原則被設(shè)置成島狀的部分。
根據(jù)這種構(gòu)成，由于根據(jù)下側(cè)遮光膜的島狀部分，下側(cè)遮光膜中與源極電極對(duì)置的部分，和與漏極電極對(duì)置的部分互相分離，因而基于下側(cè)遮光膜與源極電極之間的寄生電容和下側(cè)遮光膜與漏極電極之間的寄生電容，源極電極與漏極電極之間的電容耦合可減小。因此，在該第1晶體管中可得到較高的晶體管特性。
在上述的下側(cè)遮光膜由導(dǎo)電膜組成的模式下，可以采用以下構(gòu)成在上述的下側(cè)遮光膜中至少在上述第1晶體管的下側(cè)被層疊的部分中，按照使與上述下側(cè)遮光膜中上述第1晶體管的源極電極對(duì)置的部分，和與上述下側(cè)遮光膜中上述第1晶體管的漏極電極對(duì)置的部分分離的原則設(shè)置縫隙。
根據(jù)這種構(gòu)成，由于與下側(cè)遮光膜中源極電極對(duì)置的部分，和與下側(cè)遮光膜中漏極電極對(duì)置的部分，通過縫隙被互相分離，因而基于下側(cè)遮光膜與源極電極之間的寄生電容和下側(cè)遮光膜與漏極電極之間的寄生電容，源極電極與漏極電極之間的電容耦合可減小。因此，在該第1晶體管中可得到較高的晶體管特性。
在上述的下側(cè)遮光膜由導(dǎo)電膜構(gòu)成的模式下，可采用以下構(gòu)成上述下側(cè)遮光膜，可以不在上述第1晶體管的溝道區(qū)下側(cè)被層疊。
根據(jù)這種構(gòu)成，由于下側(cè)遮光膜，不被配置在第1晶體管的溝道區(qū)下側(cè)，因而可有效防止該下側(cè)遮光膜的電位變動(dòng)，對(duì)第1晶體管的特性的不利影響。
在上述的下側(cè)遮光膜由導(dǎo)電膜構(gòu)成的模式下，可以采用以下構(gòu)成上述下側(cè)遮光膜中至少被層疊在上述第1晶體管的溝道區(qū)下側(cè)的部分，可以具有上述第1晶體管的柵極電位。
根據(jù)這種構(gòu)成，由于被層疊在第1晶體管的溝道區(qū)下側(cè)的下側(cè)遮光膜部分，具有第1晶體管的柵極電位，因而通過把第1晶體管的柵極電極配置到上側(cè)，可由該下側(cè)遮光膜部分形成背溝道。從而可提高第1晶體管的特性。
在本發(fā)明的第1電光學(xué)裝置的其它模式下，上述下側(cè)遮光膜，只以按照被照射到上述框緣區(qū)域內(nèi)的入射光部分的入射角度被預(yù)先設(shè)定的規(guī)定寬度在從上述圖像顯示區(qū)域的外周至外圍側(cè)的區(qū)域內(nèi)被形成。
根據(jù)這種模式，在比如放大投影的投影儀用途中，被照射到框緣區(qū)域內(nèi)的入射光部分的入射角度增大時(shí)，使根據(jù)與該入射角度對(duì)應(yīng)被預(yù)先設(shè)定的規(guī)定寬度的下側(cè)遮光膜在從圖像顯示區(qū)域的外周至外圍側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成。即，在框緣區(qū)域內(nèi)，也可以只在為根據(jù)入射角度防止明暗圖案所必要的區(qū)域內(nèi)，形成下側(cè)遮光膜，因而有利。
不過，只在覆蓋上述的圖案部的下側(cè)遮光膜中，有時(shí)不能完全得到在作為本發(fā)明目的的顯示圖像外側(cè)，不使本來不應(yīng)被顯示的任何圖像被映出的效果。即，在圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域，換言之，在不形成任何布線及電路元件等的區(qū)域內(nèi)，由于沒有任何遮光物，因而發(fā)生入射光按原樣通過的事態(tài)。這樣，“按原樣通過”的光，到達(dá)顯示圖像外側(cè)后，在該圖像的周圍將可能映出模糊的光像，有損圖像的美觀性。
于是，本發(fā)明的第2電光學(xué)裝置，為解決上述課題，配有被配置在基片上的圖像顯示區(qū)域內(nèi)的顯示用電極；由在通過像素轉(zhuǎn)換用元件或直接被與該顯示用電極連接的同時(shí)規(guī)定上述圖像顯示區(qū)域的周圍的框緣區(qū)域內(nèi)被設(shè)置的布線與電路元件的至少一方構(gòu)成的圖案部；在上述框緣區(qū)域的一部分內(nèi)，從上述基片側(cè)至少部分覆蓋上述圖案部的下側(cè)遮光膜；在上述框緣區(qū)域內(nèi)的上述圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)被形成，作為與上述下側(cè)遮光膜的同一膜被形成的第2下側(cè)遮光膜。
根據(jù)本發(fā)明的第2電光學(xué)裝置，比如數(shù)據(jù)線、掃描線等布線被從圖像顯示區(qū)域引出，被配置到框緣區(qū)域內(nèi)?；蛘撸〈摲椒ɑ蛟儆枰愿郊?，構(gòu)成與被引出的布線連接的外圍電路的至少一部分的晶體管或TFT、TFD等電路元件被配置在框緣區(qū)域內(nèi)。這樣，通過被設(shè)在該框緣區(qū)域內(nèi)的布線及電路元件，利用TFT等像素轉(zhuǎn)換用元件或直接把圖像信號(hào)等傳送給像素電極等顯示用電極，通過上述過程，可實(shí)現(xiàn)有源矩陣驅(qū)動(dòng)及無源矩陣驅(qū)動(dòng)等。
此時(shí)，尤其在用于投影儀等之類的入射光較強(qiáng)而且含有大量斜向成分的場(chǎng)合下，如上所述，產(chǎn)生圖案部中的光的反射及從圖案部的縫隙間通過的光，它們?cè)趫D像上被反映出來后，將有損美觀性，另外在框緣區(qū)域中的圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域，即不形成任何布線及電路元件等的區(qū)域，由于沒有任何遮光物，因而發(fā)生入射光按原樣通過的事態(tài)。
然而，在本發(fā)明中首先，經(jīng)過前者的圖案部中的光的反射或光的通過，它們混入構(gòu)成圖像的光內(nèi)的可能性，可通過下側(cè)遮光膜的光吸收或光反射減小。這與上述有關(guān)第1電光學(xué)裝置的記述相一致。因此尤其在本發(fā)明中，在圖案部形成區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)，通過形成第2下側(cè)遮光膜，可遮住上述的“原樣通過”的光，即，通過第2下側(cè)遮光膜可吸收或反射該光。因此，根據(jù)本發(fā)明，可預(yù)先防止發(fā)生在圖像周圍出現(xiàn)模糊光像的事態(tài)，可顯示出美觀性良好，高質(zhì)量的圖像。
此外，由于下側(cè)遮光膜及第2下側(cè)遮光膜被作為同一膜形成，因而可實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)單化或制造成本的低廉化等。
本發(fā)明的第3電光學(xué)裝置為解決上述課題，配有被配置在基片上的圖像顯示區(qū)域內(nèi)的顯示用電極；通過像素轉(zhuǎn)換用元件或直接被與該顯示用電極連接，同時(shí)由被設(shè)置在規(guī)定上述圖像顯示區(qū)域的周圍的框緣區(qū)域內(nèi)的布線與電路元件中的至少一方構(gòu)成的圖案部；在上述框緣區(qū)域的一部分內(nèi)，從上述基片側(cè)至少部分覆蓋上述圖案部的下側(cè)遮光膜；從上述基片側(cè)覆蓋作為上述像素轉(zhuǎn)換用元件的第2晶體管的至少溝道區(qū)，被作為與上述下側(cè)遮光膜同一膜形成的區(qū)域內(nèi)遮光膜；在位于包含上述框緣區(qū)域的上述圖像顯示區(qū)域的外圍的外圍區(qū)域的至少一部分中，被作為與上述下側(cè)遮光膜及上述區(qū)域內(nèi)遮光膜的同一膜形成的區(qū)域外遮光膜。
根據(jù)本發(fā)明的第3電光學(xué)裝置，比如數(shù)據(jù)線、掃描線等布線被從圖像顯示區(qū)域引出，被配置到框緣區(qū)域內(nèi)?；蛘?，取代該方法或予以附加，構(gòu)成與被引出的布線連接的外圍電路的至少一部分的晶體管或TFT、TFD等電路元件被配置在框緣區(qū)域內(nèi)。這樣，通過設(shè)在該框緣區(qū)域內(nèi)的布線及電路元件，利用TFT等像素轉(zhuǎn)換用元件或直接把圖像信號(hào)等傳送給像素電極等顯示用電極，通過上述過程，可實(shí)現(xiàn)有源矩陣驅(qū)動(dòng)及無源矩陣驅(qū)動(dòng)等。
尤其在本發(fā)明中，在基片上，形成均作為同一膜形成的三種遮光膜，即下側(cè)遮光膜，區(qū)域內(nèi)遮光膜，區(qū)域外遮光膜。其中下側(cè)遮光膜，如有關(guān)上述第1電光學(xué)裝置及其各種模式所述，可避免經(jīng)過圖案部中的反射后的光，或通過圖案部的光等混入圖像內(nèi)。這樣，可減少顯示圖像邊緣附近映出的明暗圖案。
另一方面，通過區(qū)域內(nèi)遮光膜，可提高作為在圖像顯示區(qū)域內(nèi)形成的圖像轉(zhuǎn)換用元件的第2晶體管的耐光性。即，通過區(qū)域內(nèi)遮光膜，按照從基片側(cè)覆蓋第2晶體管的至少溝道區(qū)的原則被形成，可防止針對(duì)該溝道區(qū)的光入射，抑制其中的漏光電流的發(fā)生。這樣，可以預(yù)先避免由第2晶體管的特性變化，或運(yùn)作不穩(wěn)等引起的圖像閃爍等。這樣，可進(jìn)一步使顯示圖像高質(zhì)量化。
此外，在本發(fā)明中，在位于圖像顯示區(qū)域的外圍的外圍區(qū)域中，形成區(qū)域外遮光膜。該區(qū)域外遮光膜，與包含上述的下側(cè)遮光膜所得到的概念的不同之處是，該區(qū)域外遮光膜的形成區(qū)域不局限于框緣區(qū)域內(nèi)。通過該區(qū)域外遮光膜的存在，可遮住將通過圖像顯示區(qū)域的主要外圍(即，外圍區(qū)域)的光的傳播。這樣，根據(jù)本發(fā)明，作為主要作用，可更有效地預(yù)防在圖像周圍產(chǎn)生模糊的光像的事態(tài)發(fā)生，可顯示出美觀的高質(zhì)量的圖像。
此外在本發(fā)明下，由于下側(cè)遮光膜、區(qū)域內(nèi)遮光膜及區(qū)域外遮光膜都作為同一膜，即在制造工序階段同時(shí)形成，因而與分別形成這些遮光膜等的場(chǎng)合相比，可實(shí)現(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)單化或制造成本的低廉化等。
在本發(fā)明的第3電光學(xué)裝置的一種模式下，上述區(qū)域外遮光膜，包含在上述框緣區(qū)域內(nèi)的上述圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)，作為與上述下側(cè)遮光膜的同一膜被形成的第2下側(cè)遮光膜。
根據(jù)這種模式，通過在框緣區(qū)域內(nèi)圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)形成的第2下側(cè)遮光膜，可防止只由上述的下側(cè)遮光膜所不能完全防止的光的通過。即，可防止在未形成由布線及電路元件構(gòu)成的圖案部的區(qū)域內(nèi)，入射光的無條件通過。因此，根據(jù)本發(fā)明，可更有效地預(yù)先避免在圖像周圍出現(xiàn)模糊的光像，可顯示出美觀的高質(zhì)量的圖像。
在本發(fā)明的第3電光學(xué)裝置的其它模式下，在上述外圍區(qū)域中，還配有用于在被與上述圖案部連接的同時(shí)對(duì)上述顯示用電極進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的外圍電路，上述區(qū)域外遮光膜，在對(duì)構(gòu)成上述外圍電路的各布線之間及各電路元件之間及布線與電路元件之間的至少一組進(jìn)行連接的第2圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域中被形成。
根據(jù)這種模式，在連接構(gòu)成外圍電路的各布線間及各電路元件間以及布線與電路元件間的至少一組的第2圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域內(nèi)，形成上述區(qū)域外遮光膜。要點(diǎn)是，本模式下的區(qū)域外遮光膜，在外圍區(qū)域中，包含按照把本來不形成任何要素的部分“埋置”起來的形式被形成的部分。由于這種區(qū)域外遮光膜的存在，可更減少產(chǎn)生“按原樣”通過的光的可能性。
此外，在本模式下，在構(gòu)成外圍電路的各布線及各電路元件被形成的部分中，通過該各布線及各電路元件，原本，由于不發(fā)生光線“按原樣”通過的事態(tài)(即，由于這些布線及電路元件，光的傳播受到某種程度的遮阻)，因而本模式所涉及的區(qū)域外遮光膜，可在適當(dāng)而且必要的位置上被形成。這樣，可實(shí)現(xiàn)區(qū)域外遮光膜面積的相對(duì)窄小化，可減小該遮光膜的內(nèi)部應(yīng)力作用。
此外，在本模式下，雖然專門談到在“第2圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域”內(nèi)形成區(qū)域外遮光膜的場(chǎng)合，但根據(jù)具體場(chǎng)合，即使在包括這種區(qū)域的，“第2圖案部的形成區(qū)域”內(nèi)，也可以作為形成區(qū)域外遮光膜的模式。根據(jù)這種模式，如果說全面形成區(qū)域外遮光膜，將產(chǎn)生容易使內(nèi)部應(yīng)力問題更明顯化的缺點(diǎn)，但由于在上述第2圖案部中相對(duì)上述圖案部也發(fā)生上述光的反射或通過等，因而可以說具有相應(yīng)的意義。即，預(yù)先避免在第2圖案部中反射或透過的光混入構(gòu)成圖像的光內(nèi)的意義，在于在該第2圖案部的形成區(qū)域內(nèi)形成區(qū)域外遮光膜。因而具有一定的意義。這樣，如更直接地說，把上述場(chǎng)合說成是“區(qū)域外遮光膜，按照覆蓋整個(gè)外圍區(qū)域的形式被形成”則較為妥當(dāng)。
在本發(fā)明的第2或第3電光學(xué)裝置的其它模式下，上述區(qū)域外遮光膜，被形成島狀。
根據(jù)這種模式，由于上述區(qū)域外遮光膜被形成島狀，因而正如通過與被形成全面貝塔狀的遮光膜的對(duì)比可看出的那樣，可減小其內(nèi)部應(yīng)力。這樣，可預(yù)先避免區(qū)域外遮光膜，由于自身的內(nèi)部應(yīng)力造成破壞等事態(tài)，及該應(yīng)力對(duì)該區(qū)域外遮光膜周圍存在的其它構(gòu)成要素(比如，層間絕緣膜)等的作用，發(fā)生裂紋等事態(tài)。
尤其在該模式下，相鄰接的島之間的距離為4微米以下。
根據(jù)該構(gòu)成，意味著被形成了島狀的區(qū)域外遮光膜間的距離可被適當(dāng)設(shè)定。通過下文對(duì)其作以說明。首先，在區(qū)域外遮光膜形成島狀的場(chǎng)合下，將產(chǎn)生光從該島間的間隙通過的可能性。比如，考慮一種從基片背面入射的返回光從該縫隙中通過的場(chǎng)合。在該場(chǎng)合下，該通過后的光在由處于背后的框緣遮光膜等反射并再次通過該縫隙時(shí)，有可能混入構(gòu)成圖像的光內(nèi)。然而，在本模式下，由于島之間的距離為4微米以下，因而幾乎不會(huì)發(fā)生上述的事態(tài)。即，由于該間隙的大小為4微米以下，比較窄小，因而幾乎不會(huì)發(fā)生通過該間隙后的光，在由設(shè)于其背后的要素反射后，再次通過該間隙。此外，雖然當(dāng)然也應(yīng)當(dāng)考慮非返回光的入射光，直接通過該間隙的場(chǎng)合，但即使在這種場(chǎng)合下，由于該間隙只有較小的間隔，因而可把對(duì)圖像產(chǎn)生的影響抑制到最小限度。
這樣，在本模式下，可得到由上述島狀的形成所產(chǎn)生的作用效果，即所謂內(nèi)部應(yīng)力下降的作用效果，同時(shí)還可以幾乎毫不遜色地享受遮光膜本來具有的作用效果，即防止在圖像周圍發(fā)生光像的作用效果。
此外，根據(jù)上述狀況，本發(fā)明涉及的遮光膜的島間距離，如能為2微米以下則更好。
在本發(fā)明的第2或第3電光學(xué)裝置的其它模式下，還配有在安裝該電光學(xué)裝置的同時(shí)形成了與上述圖像顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示窗的安裝罩，上述第2下側(cè)遮光膜與上述區(qū)域外遮光膜的至少一方，在上述顯示窗的邊緣與上述圖像顯示區(qū)域的邊緣之間的區(qū)域內(nèi)至少部分的被形成。
根據(jù)這種模式，配備按照從電光學(xué)裝置的外部面對(duì)圖像顯示區(qū)域的原則配備顯示窗的安裝罩。即，實(shí)質(zhì)上具有透光可能性的區(qū)域是包含圖像顯示區(qū)域的顯示窗部分，對(duì)于除此之外的部分，由構(gòu)成該安裝罩的材料(比如最好是鎂或其合金等金屬材料等)遮住光的傳播。這意味著，對(duì)該顯示窗以外的部分，對(duì)于由上述的圖案部反射后的光，或通過圖案部的光的存在，或進(jìn)一步說，按原樣從圖案部形成區(qū)域以外的區(qū)域通過的光的存在等沒有特別考慮的必要。不過，對(duì)于顯示窗部分中圖像顯示區(qū)域以外的部分，仍然有必要作上述考慮。
這樣，在本模式下，第2下側(cè)遮光膜及區(qū)域外遮光膜的至少一方(以下有時(shí)簡(jiǎn)稱為“本發(fā)明涉及的遮光膜”)在顯示窗邊緣與圖像顯示區(qū)域邊緣之間的區(qū)域內(nèi)至少部分地被形成，由此可以實(shí)施能反映上述機(jī)理的有效的遮光。此外，與此同時(shí)，它意味著使本發(fā)明涉及的遮光膜只按必要的面積適當(dāng)?shù)匦纬杉纯桑蓪?shí)現(xiàn)該面積的相對(duì)窄小化。因此，可進(jìn)一步減小該遮光膜內(nèi)部的內(nèi)部應(yīng)力，可提高裝置的可靠性。
此外，對(duì)于上述的本發(fā)明第2或第3電光學(xué)裝置中的下側(cè)遮光膜、第2下側(cè)遮光膜、區(qū)域內(nèi)遮光膜或區(qū)域外遮光膜，可具有與上述的第1電光學(xué)裝置中的下側(cè)遮光膜所具有的各種特征相同的特征。即，在平坦的基片或底層絕緣膜上形成這些遮光膜，或者這些遮光膜由光吸收膜組成，尤其是含有多晶硅膜或高融點(diǎn)金屬膜中的至少一方，或這些遮光膜由導(dǎo)電膜組成，或具有固定電位或浮動(dòng)電位等。這樣，在本發(fā)明的第2或第3電光學(xué)裝置中也可享受與上述同樣的作用效果。
在本發(fā)明的第2或第3電光學(xué)裝置的其它模式下，在上述框緣區(qū)域中，還配有被配置在上述圖案部的上側(cè)的框緣遮光膜，同時(shí)，該框緣遮光膜由鋁構(gòu)成。
根據(jù)該模式，可利用由比如在基片上形成的內(nèi)置遮光膜以及，通過液晶等電光學(xué)物質(zhì)在基片上被對(duì)置配置的對(duì)置基片上形成的遮光膜組成的，被配置在圖案部的上側(cè)的框緣遮光膜，規(guī)定框緣區(qū)域。
此外，尤其在本發(fā)明下，由于上述的框緣遮光膜至少含有鋁，因而易于產(chǎn)生光的反射，在電光學(xué)裝置內(nèi)部不發(fā)生熱蓄積。這樣，可確保比如作為圖像轉(zhuǎn)換用元件的薄膜晶體管等的穩(wěn)定的運(yùn)作等，可實(shí)現(xiàn)較長(zhǎng)期的穩(wěn)定的電光學(xué)裝置的運(yùn)用。
不過，通過利用上述光反射能力強(qiáng)的材料構(gòu)成框緣遮光膜，在上述的在圖像周圍被映出的明暗圖案的發(fā)生，或圖像附近出現(xiàn)模糊光像的發(fā)生，將更為顯著。
然而，在本發(fā)明下，在由該框緣遮光膜的內(nèi)面反射的內(nèi)面反射光根據(jù)圖案部發(fā)生的顯示圖像的外側(cè)被映出的明暗圖案，可通過被配置在圖案部下側(cè)的下側(cè)遮光膜減少。此外，即使在由框緣遮光膜的內(nèi)面反射的內(nèi)面反射光，按原樣通過基片的場(chǎng)合下，根據(jù)本發(fā)明，通過配有第2下側(cè)遮光膜，或區(qū)域外遮光膜，可抑制圖像邊緣附近出現(xiàn)的模糊光像的發(fā)生。
本發(fā)明的電子設(shè)備為解決上述課題，配有上述本發(fā)明的電光學(xué)裝置(也包括其各種模式)。
本發(fā)明的電子設(shè)備，由于配有上述本發(fā)明的電光學(xué)裝置，因而由被設(shè)置在框緣區(qū)域內(nèi)的布線及電路元件組成的圖案部所引起的明暗圖案在顯示圖像內(nèi)不會(huì)被映出，可實(shí)現(xiàn)具有高質(zhì)量圖像顯示的投射型顯示裝置、液晶電視、便攜電話、電子帳薄、字處理器、取景器型或監(jiān)視器直視型視頻磁帶錄像機(jī)、工作站、可視電話、POS終端、觸摸盤等各種電子設(shè)備。
通過下列說明的實(shí)施方式，可了解本發(fā)明的上述作用及其它長(zhǎng)處。


圖1是從對(duì)置基片側(cè)觀看本發(fā)明實(shí)施方式1的電光學(xué)裝置中的TFT陣列基片及在其上形成的各構(gòu)成要素的平面圖。
圖2是圖1的H-H′斷面圖。
圖3是表示構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式1的電光學(xué)裝置中的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀多個(gè)像素內(nèi)所設(shè)置的各種元件、布線等的等效電路及外圍電路的方框圖。
圖4是放大表示圖2中CR部分附近的部分?jǐn)嗝鎴D。
圖5是放大表示比較例中與CR部分附近對(duì)應(yīng)位置的部分?jǐn)嗝鎴D。
圖6是圖4所示部位中框緣遮光膜、數(shù)據(jù)線引出布線及下側(cè)遮光膜的部分摘選示圖的部分斜視圖。
圖7是比較例中框緣遮光膜、數(shù)據(jù)線引出布線的部分摘選示圖的部分斜視圖。
圖8是形成了實(shí)施方式的電光學(xué)裝置中數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基片的多個(gè)鄰接像素群的平面圖。
圖9是圖8的E-E′斷面圖。
圖10是構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式2下的外圍電路的互補(bǔ)型晶體管的放大平面圖。
圖11是圖10的A-A′斷面圖。
圖12是構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式3下的外圍電路的互補(bǔ)型晶體管的放大平面圖。
圖13是圖12的B-B′斷面圖。
圖14是構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式4下的外圍電路的互補(bǔ)型晶體管的放大平面圖。
圖15是圖14的C-C′斷面圖。
圖16是構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施方式5下的外圍電路的互補(bǔ)型晶體管的放大平面圖。
圖17是圖16的D-D′斷面圖。
圖18是放大表示帶有本發(fā)明實(shí)施方式6下圖2的符號(hào)A的部分附近的平面圖。
圖19是放大表示帶有比較例中圖2的符號(hào)A的部分附近的平面圖。
圖20是放大表示帶有本發(fā)明實(shí)施方式6下圖2的符號(hào)CR的部分附近的部分?jǐn)嗝鎴D。
圖21是表示作為本發(fā)明電子設(shè)備的實(shí)施方式的投射型彩色顯示裝置一例的彩色液晶投影儀的斷面圖。
符號(hào)說明1a半導(dǎo)體層1a′ 溝道區(qū)1b低濃度源極區(qū)1c低濃度漏極區(qū)1d高濃度源極區(qū)1e高濃度漏極區(qū)2 絕緣膜3a掃描線6a數(shù)據(jù)線9a像素電極10TFT陣列基片11a 下側(cè)遮光膜12底層絕緣膜
16定向膜20對(duì)置基片21對(duì)置電極22定向膜30TFT50液晶層53框緣遮光膜70蓄存電容71中繼層81、83、85 傳導(dǎo)孔101 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路104 掃描線驅(qū)動(dòng)電路114 取樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)線115 圖像信號(hào)線116 引出布線202 TFT202a～202d 互補(bǔ)型TFT206 引出布線300 電容線301 取樣電路302 TFT501 下側(cè)遮光膜實(shí)施方式以下，基于附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作以說明。在以下的實(shí)施方式中，本發(fā)明的電光學(xué)裝置適用于液晶裝置。
實(shí)施方式1首先，參照?qǐng)D1及圖2，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式1下的電光學(xué)裝置的總體構(gòu)成作以說明。這里，以作為電光學(xué)裝置一例的驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置型TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的液晶裝置為例。
圖1是從對(duì)置基片側(cè)觀看TFT陣列基片及在其上形成的各構(gòu)成要素的平面圖。圖2是圖1的H-H′斷面圖。
在圖1及圖2中，在本實(shí)施方式涉及的電光學(xué)裝置中，TFT陣列基片10與對(duì)置基片20被對(duì)置配置。在TFT陣列基片10與對(duì)置基片20之間封入液晶層50，TFT陣列基片10與對(duì)置基片20，通過被設(shè)在位于圖像顯示區(qū)域10a周圍的密封區(qū)內(nèi)的密封材料52相互粘接。
密封材料52由用于使TFT陣列基片10與對(duì)置基片20貼合的比如紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等構(gòu)成，在制造過程中被涂布到TFT陣列基片10上后，通過紫外線照射、加熱等被硬化。此外，在密封材料52中，混入用于使TFT陣列基片10與對(duì)置基片20的間隔(基片之間的間隙)達(dá)到規(guī)定值的玻璃纖維或玻璃細(xì)珠等填隙材料。即，本實(shí)施方式的電光學(xué)裝置適用于作為投影儀的光閥，以小型規(guī)模實(shí)施放大顯示。但是，如果該電光學(xué)裝置是液晶顯示器及液晶電視等以大型規(guī)模實(shí)施同倍顯示的液晶裝置，則這種填隙材料也可以被包括在液晶層50內(nèi)。
與配置了密封材料52的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)平行，用于規(guī)定圖像顯示區(qū)域10a的遮光性框緣遮光膜53被設(shè)置在對(duì)置基片20側(cè)。但是，這種框緣遮光膜的一部分或全部，也可以在TFT陣列基片10側(cè)被作為內(nèi)置遮光膜設(shè)置。
尤其在本實(shí)施方式下，在框緣遮光膜53的下側(cè)，下側(cè)遮光膜501被部分地形成。下側(cè)遮光膜501，在從圖像顯示區(qū)域10a的外圍至外圍側(cè)的框緣遮光膜53的下側(cè)被部分形成。有關(guān)下側(cè)遮光膜501的構(gòu)成及遮光作用在后文中詳述。
在圖像顯示區(qū)域10a的外圍中較大的區(qū)域內(nèi)，在位于配置了密封材料52的密封區(qū)域外側(cè)的外圍區(qū)域內(nèi)，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101及外部電路連接端子102被沿TFT陣列基片10的一邊設(shè)置，掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，被沿與其一邊鄰接的2邊設(shè)置。此外，在TFT陣列基片10的剩余一邊上，設(shè)有用于連接被設(shè)置在圖像顯示區(qū)域10a的兩側(cè)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路104之間的多條布線105。此外如圖1所示，在對(duì)置基片20的4個(gè)邊角部中，配置作為兩個(gè)基片之間的上下導(dǎo)通端子的上下導(dǎo)通材料106。另一方面，在TFT陣列基片10中，在與這些邊角對(duì)置的區(qū)域內(nèi)設(shè)有上下導(dǎo)通端子。通過它們，可在TFT陣列基片10與對(duì)置基片20之間實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。
尤其在本實(shí)施方式下，對(duì)由數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101提供的圖像信號(hào)取樣的取樣電路301，被配置在由框緣遮光膜53組成的框緣區(qū)域內(nèi)。即，構(gòu)成取樣電路301的后述的TFT等電路元件被配置在框緣區(qū)域內(nèi)。此外，從在圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)被布線的數(shù)據(jù)線至取樣電路301的布線部分、從數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101至取樣電路301的布線部分、從在圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)被布線的掃描線至掃描線驅(qū)動(dòng)電路104的布線部分等的各種布線部分，也被配置在框緣區(qū)域內(nèi)。
在圖2中，在TFT陣列基片10上，在形成像素轉(zhuǎn)換用TFT及掃描線、數(shù)據(jù)線等布線后的像素電極9a上，形成定向膜。另一方面，在對(duì)置基片20上，除了對(duì)置電極21之外，在最上層部分還形成定向膜。此外，液晶層50由比如一種或多種向列液晶混合后的液晶構(gòu)成，在上述一對(duì)定向膜之間，具有規(guī)定的定向狀態(tài)。
此外，在圖1及圖2所示的TFT陣列基片10上，除了這些數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線驅(qū)動(dòng)電路104、取樣電路301等之外，也可以形成在圖像信號(hào)之前向多個(gè)數(shù)據(jù)線分別提供具有規(guī)定電壓電平的預(yù)充電信號(hào)的預(yù)充電電路、用于檢查制造過程中及出廠時(shí)的該電光學(xué)裝置的質(zhì)量及缺陷等的檢查電路等。
以下參照?qǐng)D3對(duì)具有上述構(gòu)成的電光學(xué)裝置中的電路構(gòu)成及運(yùn)作作以說明。圖3是表示按照構(gòu)成電光學(xué)裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀形成的多個(gè)像素中的各種元件、布線等的等效電路及外圍電路的方框圖。
在圖3中，在按照構(gòu)成本實(shí)施方式下的電光學(xué)裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀形成的多個(gè)像素中，形成圖像電極9a及用于對(duì)該圖像電極9a實(shí)施轉(zhuǎn)換控制的TFT30，被提供圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線6a與該TFT30的源極電連接。
在被設(shè)在圖像顯示區(qū)域10a的外側(cè)的外圍區(qū)域內(nèi)，數(shù)據(jù)線6a的一端(圖3中的下端)，被與構(gòu)成取樣電路301的TFT202的漏極連接。另一方面，圖像信號(hào)線115，通過引出布線116與構(gòu)成取樣電路301的TFT202的源極連接。與數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101連接的取樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)線114，被與構(gòu)成取樣電路301的TFT202的柵極連接。這樣，通過圖像信號(hào)線115被提供的圖像信號(hào)S1，S2……Sn，根據(jù)通過取樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)線114由數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101提供的取樣電路驅(qū)動(dòng)信號(hào)，由取樣電路301取樣，被提供給各數(shù)據(jù)線6a。
這樣被寫入數(shù)據(jù)線6a內(nèi)的圖像信號(hào)S1，S2……Sn，可以按該順序按線路依次提供，也可以對(duì)相鄰的多個(gè)數(shù)據(jù)線6a，按各組提供。
此外，像素轉(zhuǎn)換用的TFT30的柵極與掃描線3a電連接，在規(guī)定的定時(shí)下，由掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，把掃描信號(hào)G1，G2……，Gm以脈沖形式按該順序按線路依次施加到掃描線3a上。像素電極9a，被與TFT30的漏極電連接，通過只在一定期間內(nèi)關(guān)閉作為轉(zhuǎn)換元件的TFT30的開關(guān)，在規(guī)定的定時(shí)內(nèi)寫入由數(shù)據(jù)線6a提供的圖像信號(hào)S1，S2……Sn。通過像素電極9a在作為電光學(xué)物質(zhì)一例的液晶內(nèi)寫入的具有規(guī)定電平的圖像信號(hào)S1，S2……Sn，在與在對(duì)置基片20上形成的對(duì)置電極21之間被保存一定時(shí)間。液晶通過由所施加的電位電平改變分子集合的定向及秩序，可對(duì)光進(jìn)行調(diào)制，并分階段顯示。如果是常白模式，根據(jù)被按各像素的單位施加的電壓，與入射光對(duì)應(yīng)的透過率下降，如果是常黑模式，根據(jù)被按各像素的單位施加的電壓，與入射光對(duì)應(yīng)的透過率增加，作為整體，由電光學(xué)裝置發(fā)射出具有與圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)的對(duì)比度的光。這里，為防止被保持的圖像信號(hào)外漏，與在圖像電極9a與對(duì)置電極21之間形成的液晶電容并聯(lián)附加蓄存電容70。與掃描線3a并聯(lián)設(shè)置一條包括蓄存電容70的固定電位側(cè)電容電極，同時(shí)被固定在恒定電位上的電容線300。
接下來，對(duì)設(shè)有圖1及圖2所示的框緣遮光膜53的框緣區(qū)域及外圍區(qū)域中的電光學(xué)裝置的詳細(xì)構(gòu)成，以被設(shè)置在框緣區(qū)域內(nèi)的下側(cè)遮光膜501的構(gòu)成及遮光作用為中心，參照?qǐng)D4至圖7作以說明。這里圖4是圖2中的CR部分附近的放大的部分?jǐn)嗝鎴D，圖3是比較例中的CR部分附近對(duì)應(yīng)位置的放大的部分?jǐn)嗝鎴D，圖5是圖4所示部位中框緣遮光膜53、數(shù)據(jù)線6a的引出布線206及下側(cè)遮光膜501的部分摘選示圖的部分斜視圖，圖6是比較例中的框緣遮光膜53、數(shù)據(jù)線6a的引出布線206的部分摘選示圖的部分斜視圖。
如圖4所示，在本實(shí)施方式下，在位于框緣遮光膜53之下的框緣區(qū)域，作為圖案部的一例，配有數(shù)據(jù)線6a的引出布線206等各種布線和構(gòu)成取樣電路的TFT等各種電路元件。這樣，在被設(shè)置在該框緣區(qū)域內(nèi)的引出布線206等的下側(cè)，設(shè)有下側(cè)遮光膜501。
在圖5所示的比較例中，不設(shè)有這種下側(cè)遮光膜501。
因此，如圖6所示，在本實(shí)施方式下，尤其在投影儀用途等中從圖中上側(cè)入射的入射光L1較強(qiáng)大而且大量含有斜向成分的場(chǎng)合下，比如Al膜等導(dǎo)電膜被形成圖案，根據(jù)引出布線206等的反射率，在其表面上反射光L1被反射，或者入射光L1從引出布線206等的間隙中通過。這里，引出布線206等，通過下側(cè)遮光膜501從TFT陣列基片10側(cè)(圖中的下側(cè))被覆蓋。因此，在框緣區(qū)域附近，即圖像顯示區(qū)域10a的外圍附近，通過引出布線206等反射，或者從引出布線206等的間隙中通過后的入射光L1中經(jīng)過內(nèi)面反射后或最終直接與顯示用射出光Lout混在一起的光L3的光量，只有被該下側(cè)遮光膜501吸收或被反射的部分顯著減少。
更具體地說，如圖4及圖6所示，由引出布線206等反射后的光，通過由框緣遮光膜53的內(nèi)面被反射，即使在框緣區(qū)域53附近向TFT陣列基片10側(cè)傳播，只有被下側(cè)遮光膜501吸收或反射的部分，混在顯示用的射出光Lout內(nèi)的光量得到減少。對(duì)于由框緣遮光膜53反射的內(nèi)面反射光和透過引出布線206等后的光，通過TFT陣列基片10的背面，和被外裝的偏振光片、相位差片、防塵玻璃等反射后形成的返回光L2也同樣，只有被下側(cè)遮光膜501吸收或反射的部分，混在顯示用的射出光Lout內(nèi)的光量得到減少。此外，對(duì)于多片式投影儀的場(chǎng)合下的返回光L2，由引出布線206和框緣遮光膜53等進(jìn)一步反射后形成的內(nèi)面反射光也同樣，只有被下側(cè)遮光膜501吸收或反射的部分，混在最終顯示用的射出光Lout內(nèi)的光量得到減少。
此外，電光學(xué)裝置，被收容在由樹脂等形成的遮光性安裝罩800內(nèi)，對(duì)于漏入安裝罩800內(nèi)的光，由于被其內(nèi)面吸收，因而不成特別問題。
與此對(duì)應(yīng)，如圖5及圖7所示，在未設(shè)有下側(cè)遮光膜501的比較例的場(chǎng)合下，在框緣區(qū)域附近即圖像顯示區(qū)域10a的外圍附近，通過引出布線206等反射，或者從引出布線206等的間隙中通過的入射光L1中經(jīng)過內(nèi)面反射后或最終直接與顯示用射出光Lout混在一起的光量，與配有下側(cè)遮光膜501的本實(shí)施方式的場(chǎng)合相比，顯著增加。此外，在該比較例的場(chǎng)合下，在框緣區(qū)域附近即圖像顯示區(qū)域10a的外圍附近，對(duì)于返回光L2同樣，通過引出布線206等反射，或者從引出布線206等的間隙中通過，并經(jīng)過框緣遮光膜等的內(nèi)面反射后最終與顯示用射出光Lout混在一起的光量，與配有下側(cè)遮光膜501的本實(shí)施方式的場(chǎng)合相比，顯著增加。
根據(jù)本實(shí)施方式，由于在由引出布線206等形成的圖案部的下側(cè)配有下側(cè)遮光膜501，因而可以減少具有在圖像顯示區(qū)域10a的外圍附近的顯示用射出光Lout中由于圖案部的明暗及光的干涉所產(chǎn)生的明暗圖案的光的發(fā)生。因此，可以有效地防止由顯示圖像外側(cè)附近的圖案部引起的明暗圖案的發(fā)生。
最好在本實(shí)施方式下，下側(cè)遮光膜501，直接在TFT陣列基片10的平坦表面上，或在平坦的TFT陣列基片10上被成膜的平坦的底層絕緣膜上被形成。這樣，下側(cè)遮光膜501的表面上幾乎不會(huì)產(chǎn)生凹凸。因此，圖5及圖7所示的入射光L1及返回光L2的一部分，假如由下側(cè)遮光膜501反射后，即使最終混入顯示用射出光Lout內(nèi)，由于由平坦的下側(cè)遮光膜501反射的光，幾乎不伴隨干涉，因而可顯著減少由干涉作用所引起的明暗圖案。
此外，下側(cè)遮光膜501由比如含有Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)等高融點(diǎn)金屬中至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、層疊它們的物質(zhì)等構(gòu)成。因此，這種下側(cè)遮光膜501最好如上所述，由與從下側(cè)覆蓋圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)的像素轉(zhuǎn)換用的TFT30的溝道區(qū)的下側(cè)遮光膜同一膜形成。這樣，可以在同一制造工序中同時(shí)形成針對(duì)像素轉(zhuǎn)換用的TFT30的遮光用下側(cè)遮光膜以及，用于防止發(fā)生框緣區(qū)域中的明暗圖案的下側(cè)遮光膜501，可實(shí)現(xiàn)TFT陣列基片10上的層疊構(gòu)造及制造過程的簡(jiǎn)略化。
下側(cè)遮光膜501，可以主要通過光反射實(shí)施遮光，也可以主要通過光吸收實(shí)施遮光，也可以通過上述二者實(shí)施遮光。在主要通過光吸收實(shí)施遮光的構(gòu)成下，在框緣區(qū)域附近每當(dāng)入射光L1和返回光L2入射到構(gòu)成下側(cè)遮光膜501的光吸收膜上時(shí)，都可以使該光衰減。尤其是在返回光L2有問題的場(chǎng)合下，可以將下側(cè)遮光膜501，在TFT陣列基片10上，按照在TFT陣列基片10側(cè)(下側(cè))配有光吸收層同時(shí)在對(duì)置側(cè)(上側(cè))配有反射膜的原則層疊二層或多層。或者，在入射光L1有問題的場(chǎng)合下，可以將下側(cè)遮光膜501，在TFT陣列基片10上，按照在對(duì)置基片20側(cè)(上側(cè))配有光吸收層同時(shí)在對(duì)置側(cè)(下側(cè))配有反射膜的原則層疊二層或多層。這種光吸收層，至少含有比如多晶硅膜及高融點(diǎn)金屬膜中的一方。
此外最好下側(cè)遮光膜501，以適當(dāng)大小的單位，被按島狀分?jǐn)嘈纬?。通過這種按島狀分?jǐn)嘈纬?，尤其與在整個(gè)框緣區(qū)域內(nèi)形成下側(cè)遮光膜的場(chǎng)合相比，可以緩和由下側(cè)遮光膜501的存在所產(chǎn)生的應(yīng)力。
此外在本實(shí)施方式下，如圖4所示，從圖像顯示區(qū)域10a的外圍至外圍側(cè)的區(qū)域內(nèi)的重疊寬度ΔW上，形成下側(cè)遮光膜501。該重疊寬度ΔW，可根據(jù)被照射到框緣區(qū)域內(nèi)的入射光L2的入射角被預(yù)先設(shè)為適當(dāng)?shù)闹?。在用于放大投影的投影儀時(shí)，這種入射角一般較大，與此相對(duì)，為不發(fā)生上述的明暗圖案有必要增加重疊寬度ΔW。這種規(guī)定寬度，根據(jù)實(shí)際裝置規(guī)格，可通過實(shí)驗(yàn)、經(jīng)驗(yàn)、模擬等逐個(gè)具體地設(shè)定。
接下來，參照?qǐng)D8及圖9，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式下的電光學(xué)裝置的圖像顯示區(qū)域中的構(gòu)成作以說明。圖8是與形成了數(shù)據(jù)線、掃描線、像素電極等的TFT陣列基片相鄰的多個(gè)像素群的平面圖。圖9是圖8的E-E′斷面圖。此外在圖9中，為了使各層及各部件的大小能在圖上看清，各層及各部件的比例大小都不同。
在8中，在電光學(xué)裝置的TFT陣列基片上，以矩陣狀設(shè)置了多個(gè)透明像素電極9a(由虛線9a′以輪廓形式表示)，沿像素電極9a的各縱橫邊界設(shè)置數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a。
此外，按照與半導(dǎo)體層1a中由圖中右上斜線區(qū)表示的溝道區(qū)1a′對(duì)置的原則配置掃描線3a，掃描線3a具有柵極電極的功能。這樣，在掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a交叉的位置上，設(shè)有在溝道區(qū)1a′中掃描線3a被作為柵極電極對(duì)置配置的像素轉(zhuǎn)換用的TFT30。
如圖8及圖9所示，蓄存電容70的形成狀態(tài)是，作為與TFT30的高濃度漏極區(qū)1e及像素電極9a連接的像素電位側(cè)電容電極的中繼層71，和作為固定電位側(cè)電容電極的電容線300的一部分，通過電介體膜75被對(duì)置配置。
電容線300從平面上看，沿掃描線3a呈條狀延伸，與TFT30重疊的位置在圖8中向上下突出。這種電容線300的構(gòu)成最好具有由膜厚為50nm左右的導(dǎo)電性多晶硅膜等構(gòu)成的第1膜、由包含膜厚為150nm左右的高融點(diǎn)金屬的金屬硅化物膜等構(gòu)成的第2膜被層疊的多層構(gòu)造。根據(jù)這種構(gòu)成，第2膜除了具有電容線300或蓄存電容70的固定電位側(cè)電容電極功能外，還具有在TFT30的上側(cè)對(duì)TFT30遮住入射光的遮光層功能。
尤其在本實(shí)施方式下，電容線300由于在掃描線3a及數(shù)據(jù)線6a之間層疊，通過在從平面上看掃描線3a及數(shù)據(jù)線6a的重疊區(qū)內(nèi)設(shè)置電容，可增大蓄存電容70的容量。
另一方面，在TFT陣列基片10上的TFT30的下側(cè)，下側(cè)遮光膜11a被設(shè)置成格狀。下側(cè)遮光膜11a由含有比如Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)等高融點(diǎn)金屬中的至少一種的金屬單體、合金、金屬硅化物、多晶硅化物、層疊它們的物質(zhì)等構(gòu)成。
這樣，通過圖8中沿縱向延伸的數(shù)據(jù)線6a與圖8中沿橫向延伸的電容線300相交叉形成以及按格狀形成的下側(cè)遮光膜11a，規(guī)定各像素的開口區(qū)域。
如圖8及圖9所示，數(shù)據(jù)線6a，通過傳導(dǎo)孔81，與由比如多晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層1a中高濃度源極區(qū)1d電連接。此外，也可以形成由與上述的中繼層71的同一膜構(gòu)成的中繼層，通過該中繼層及2個(gè)傳導(dǎo)孔，對(duì)數(shù)據(jù)線6a及高濃度源極區(qū)1d電連接。
此外電容線300最好從配有像素電極9a的圖像顯示區(qū)域10a(參照?qǐng)D1)向周圍延伸，與固定電位源電連接，具有固定電位。作為這種固定電位源，可以采用向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101及掃描線驅(qū)動(dòng)電路104提供的正電源及負(fù)電源的固定電位源，也可以采用向?qū)χ没?0的對(duì)置電極21提供的固定電位。此外，對(duì)于被設(shè)置在TFT30的下側(cè)的下側(cè)遮光膜11a也同樣，為避免該電位變動(dòng)對(duì)TFT30的不利影響，與電容線300同樣，從圖像顯示區(qū)域10a向周圍延伸，與固定電位源連接。
像素電極9a，通過以中繼層71為中繼，通過傳導(dǎo)孔83及85與半導(dǎo)體層1a中的高濃度漏極區(qū)1e電連接。
在圖8及圖9中，電光學(xué)裝置，配有透明的TFT陣列基片10、與此對(duì)置配置的透明的對(duì)置基片20。TFT陣列基片10，由比如石英基片、玻璃基片、硅基片構(gòu)成，對(duì)置基片20，由比如玻璃基片和石英基片構(gòu)成。
如圖9所示，在TFT陣列基片10上，設(shè)有像素電極9a，在其上側(cè)，設(shè)有被實(shí)施了摩擦處理等規(guī)定的定向處理的定向膜16。像素電極9a由比如ITO膜等的透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。此外定向膜16由比如聚酰亞胺膜等透明的有機(jī)膜構(gòu)成。
另一方面，在對(duì)置基片20上，在整個(gè)表面上設(shè)置對(duì)置電極21，在其下側(cè)，設(shè)置被實(shí)施了摩擦處理等規(guī)定的定向處理的定向膜22。對(duì)置電極21由比如ITO膜等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。此外定向膜22由聚酰亞胺膜等透明的有機(jī)膜構(gòu)成。
在對(duì)置基片20上，可以與各像素的非開口區(qū)域?qū)?yīng)，設(shè)置格狀或條狀遮光膜。通過采用這種構(gòu)成，通過規(guī)定上述非開口區(qū)域的電容線300及數(shù)據(jù)線6a及該對(duì)置基片20上的遮光膜，可更可靠地阻止來自對(duì)置基片20側(cè)的入射光侵入溝道區(qū)1a′和低濃度源極區(qū)1b及低濃度漏極區(qū)1c。此外，這種對(duì)置基片20上的遮光膜，通過利用高反射膜形成至少被入射光照射的表面，可防止電光學(xué)裝置的溫度上升。此外，這種對(duì)置基片20上的遮光膜，最好按照不因兩個(gè)基片的貼合偏差而使各像素的開口區(qū)域縮小的形式，在非開口區(qū)域的內(nèi)側(cè)細(xì)致地形成。通過這種細(xì)致地形成，也可在實(shí)施充裕的遮光的同時(shí)，發(fā)揮防止由于入射光所造成的電光學(xué)裝置內(nèi)部的溫度上升的效果。
在與上述構(gòu)成的像素電極9a和對(duì)置電極21對(duì)置配置的TFT陣列基片10與對(duì)置基片20之間，在由密封材料52(參照?qǐng)D1及圖2)圍成的空間內(nèi)封入作為電光學(xué)物質(zhì)一例的液晶，形成液晶層50。
此外，在像素轉(zhuǎn)換用TFT30之下，設(shè)有底層絕緣膜12。底層絕緣膜12，除了具有使下側(cè)遮光膜11a與TFT30層間絕緣的功能之外，通過在整個(gè)TFT基片10上形成，還具有防止由TFT陣列基片10的表面研磨所產(chǎn)生的殘?jiān)?，及洗凈后殘留的污物等引起的像素轉(zhuǎn)換用TFT30的特性變化的功能。
圖9中，像素轉(zhuǎn)換用TFT30，具有LDD(Lightly Doped drain微量摻雜漏極)結(jié)構(gòu)，配有掃描線3a、由該掃描線3a產(chǎn)生的電場(chǎng)形成溝道的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)1a′、包含使掃描線3a與半導(dǎo)體層1a絕緣的柵極絕緣膜的絕緣膜2、半導(dǎo)體層1a的低濃度源極區(qū)1b及低濃度漏極區(qū)1c、半導(dǎo)體層1a的高濃度源極區(qū)1d及高濃度漏極區(qū)1e。
在掃描線3a上，形成分別開設(shè)通往高濃度源極區(qū)1d的傳導(dǎo)孔81及通往高濃度漏極區(qū)1e的傳導(dǎo)孔83的第1層間絕緣膜41。
在第1層間絕緣膜41上形成中繼層71及電容線300，在其上面，形成分別開設(shè)通往高濃度源極區(qū)1d的傳導(dǎo)孔81及通往中繼層71的傳導(dǎo)孔85的第2層間絕緣膜42。
在第2層間絕緣膜42上形成數(shù)據(jù)線6a，在其上面，形成已形成了通往中繼層71的傳導(dǎo)孔85的平坦化了的第3層間絕緣膜43。像素電極9a，被設(shè)置在如此構(gòu)成的第3層間絕緣膜43的上面。
在本實(shí)施方式下，第3層間絕緣膜43的表面，通過CMP(Chemicalmechanical Polishing化學(xué)機(jī)械研磨)處理等實(shí)現(xiàn)平坦化，可減少由于其下方存在的各種布線及元件引起的階差所造成的液晶層50內(nèi)的液晶定向不良。
根據(jù)上述說明的實(shí)施方式1，由于設(shè)有下側(cè)保護(hù)膜501，因而可減少由被設(shè)在框緣區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線引出布線206等各種布線和TFT202等各種電路元件形成的圖案部所引起的，在顯示圖像外側(cè)附近被映出的明暗圖案。因此，也沒有必要增大用于消隱這種明暗圖案的框緣遮光膜53的寬度，可擴(kuò)大圖像顯示區(qū)域10a。
此外根據(jù)實(shí)施方式1，由于下側(cè)遮光膜501，不僅在整個(gè)框緣區(qū)域，在與由被設(shè)置在框緣區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)線引出布線206等的各種布線及TFT202等各種電路元件組成的圖案部對(duì)置的一部分內(nèi)也被設(shè)置，因而與在整個(gè)框緣區(qū)域內(nèi)形成的場(chǎng)合相比，可減少應(yīng)力的發(fā)生。
此外在以上說明的實(shí)施方式下，通過圖9所示的層疊多個(gè)導(dǎo)電層，通過第3層間絕緣膜43的表面平坦化，雖然可以緩解像素電極9a的底層面(即，第3層間絕緣膜43的表面)在沿?cái)?shù)據(jù)線6a及掃描線3a的區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的階差，但也可以用以下內(nèi)容予以代替或加以補(bǔ)充在TFT陣列基片10、底層絕緣膜12、第1層間絕緣膜41、第2層間絕緣膜42或第3層間絕緣膜43上掘置溝槽，通過把數(shù)據(jù)線6a等布線和TFT30等埋置于內(nèi)，實(shí)施平坦化處理，也可以通過利用CMP處理等對(duì)第2層間絕緣膜42上面的階差進(jìn)行研磨，或者通過利用有機(jī)或無機(jī)SOG形成平坦表面，實(shí)施該平坦化處理。
接下來，對(duì)具有上述構(gòu)成的下側(cè)遮光膜501的平面形狀的各種具體示例所涉及的第2至實(shí)施方式4及其變形方式作以說明。在這些實(shí)施方式中，下側(cè)遮光膜501，由高融點(diǎn)金屬膜等導(dǎo)電性遮光膜組成。因此，這些實(shí)施方式，涉及到適合于減小被配置在框緣區(qū)域內(nèi)的下側(cè)遮光膜501中的電狀態(tài)或電位變動(dòng)，對(duì)被配置在同一框緣區(qū)域內(nèi)的TFT202等電路元件的運(yùn)作所產(chǎn)生的不利影響的下側(cè)遮光膜501的具體形狀。
實(shí)施方式2
參照?qǐng)D10及圖11，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2下的電光學(xué)裝置作以說明。這里圖10是作為在實(shí)施方式2下的框緣區(qū)域內(nèi)形成的電路元件一例的互補(bǔ)型TFT的放大平面圖，圖11是它的A-A′斷面圖。此外，在圖10及圖11中，在與從圖1至圖9所示的實(shí)施方式1相同的構(gòu)成要素中附加相同的參照符號(hào)，省略其說明。
如圖10及圖11所示，互補(bǔ)型TFT202a，配有包含P溝道區(qū)320p及N溝道區(qū)320n的半導(dǎo)體層320，把布線316的前端部作為柵極電極(輸入側(cè))，把低電位布線321及高電位布線322的前端部作為源極電極，把布線306的前端部作為漏極電極(輸出側(cè))，P溝道型TFT202p及N溝道型TFT202n被組合而成。此外，這種P溝道型TFT202p及N溝道型TFT202n，可以具有與像素轉(zhuǎn)換用TFT30相同的LDD構(gòu)造。尤其在實(shí)施方式2下，由高融點(diǎn)金屬膜等導(dǎo)電膜組成的下側(cè)遮光膜501a，被分?jǐn)嘈纬桑瑥南聜?cè)至少覆蓋互補(bǔ)型TFT202a的島狀部分，具有浮動(dòng)電位。其它構(gòu)成與參照?qǐng)D1至圖9說明的實(shí)施方式1的場(chǎng)合相同。
這樣，根據(jù)實(shí)施方式2，由于下側(cè)遮光膜501a的電位變動(dòng)具有浮動(dòng)電位，因而可有效地防止其電位變動(dòng)對(duì)互補(bǔ)型TFT202a的特性的不利影響。
此外，在實(shí)施方式2下，可以有以下構(gòu)成對(duì)于除了與下側(cè)遮光膜501a中的互補(bǔ)型TFT202a對(duì)置配置的島狀部分之外的其它部分，可以與圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)的下側(cè)遮光膜11a的場(chǎng)合同樣被供應(yīng)固定電位。
實(shí)施方式3參照?qǐng)D12及圖13，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式3下的電光學(xué)裝置作以說明。這里圖12是作為實(shí)施方式3下的框緣區(qū)域內(nèi)形成的電路元件一例的互補(bǔ)型TFT的放大平面圖，圖13是其B-B′斷面圖。此外，在圖12及圖13中，在與從圖1至圖9所示的實(shí)施方式1及圖10和圖11所示的實(shí)施方式2相同的構(gòu)成要素中附加相同的參照符號(hào)，省略其說明。
如圖12及圖13所示，尤其在實(shí)施方式3下，由高融點(diǎn)金屬膜等導(dǎo)電膜組成的下側(cè)遮光膜501b，不像實(shí)施方式2那樣被分?jǐn)嘈纬?，而是分別沿互補(bǔ)型TFT202b的二個(gè)柵極電位極，設(shè)置二條縫隙。對(duì)于其它構(gòu)成，與參照?qǐng)D10及圖11說明的實(shí)施方式2的場(chǎng)合相同。
因此，根據(jù)實(shí)施方式3，基于下側(cè)遮光膜501b與源極電極之間的寄生電容及下側(cè)遮光膜501b與漏極電極之間的寄生電容，互補(bǔ)型TFT202b中的源極電極與漏極電極之間的電容耦合可減小，因而可有效地防止下側(cè)遮光膜501b的電位變動(dòng)，對(duì)互補(bǔ)型TFT202b的特性的不利影響。
作為這種下側(cè)遮光膜501b的縫隙，比如可以為1微米的寬度。即使形成這種縫隙，由于比如由導(dǎo)電性多晶硅膜等形成的柵極電極本身，具有某種程度的光吸收性，因而由于縫隙的存在所產(chǎn)生的明暗圖案可以較小。
此外，在實(shí)施方式3下，可以有以下構(gòu)成具有上述縫隙的下側(cè)遮光膜501b通過其延伸部502，與存在于圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)的下側(cè)遮光膜11a的場(chǎng)合同樣被提供固定電位。
實(shí)施方式4參照?qǐng)D14及圖15，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式4下的電光學(xué)裝置作以說明。這里圖14是作為實(shí)施方式4下的框緣區(qū)域內(nèi)形成的電路元件一例的互補(bǔ)型TFT的放大平面圖，圖15是其C-C′斷面圖。此外，在圖14及圖15中，在與從圖1至圖9所示的實(shí)施方式1及圖10和圖11所示的實(shí)施方式2相同的構(gòu)成要素中附加相同的參照符號(hào)，省略其說明。
如圖14及圖15所示，尤其在實(shí)施方式4下，由高融點(diǎn)金屬膜等導(dǎo)電膜組成的下側(cè)遮光膜501c，不像實(shí)施方式1那樣把互補(bǔ)型TFT的半導(dǎo)體層320作為一個(gè)單位分?jǐn)嘈纬蔀檩^大的島狀，而是把互補(bǔ)型TFT202c的半導(dǎo)體層320中的源極區(qū)及漏極區(qū)各作為一個(gè)單位，分?jǐn)嘈纬蔀楦〉膷u狀。對(duì)于其它構(gòu)成，與參照?qǐng)D10及圖11說明的實(shí)施方式2的場(chǎng)合相同。
因此，根據(jù)實(shí)施方式4，基于下側(cè)遮光膜501c與源極電極之間的寄生電容及下側(cè)遮光膜501c與漏極電極之間的寄生電容，互補(bǔ)型TFT202c中的源極電極與漏極電極之間的電容耦合可減小，因而可有效地防止下側(cè)遮光膜501c的電位變動(dòng)，對(duì)互補(bǔ)型TFT202c的特性的不利影響。
作為這種下側(cè)遮光膜501c的縫隙，比如可以為1微米的寬度。即使存在這種縫隙，由于比如由導(dǎo)電性多晶硅膜等形成的柵極電極本身具有某種程度的光吸收性，因而由于縫隙的存在所產(chǎn)生的明暗圖案可以較小。
此外，在實(shí)施方式4下，可以有以下構(gòu)成對(duì)于除了與下側(cè)遮光膜501c中的互補(bǔ)型TFT202c對(duì)置配置的島狀部分之外的其它部分，可以與圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)的下側(cè)遮光膜11a的場(chǎng)合同樣被供應(yīng)固定電位。
實(shí)施方式5參照?qǐng)D16及圖17，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式5下的電光學(xué)裝置作以說明。這里圖16是作為實(shí)施方式5下的框緣區(qū)域內(nèi)形成的電路元件一例的互補(bǔ)型TFT的放大平面圖，圖17是其D-D′斷面圖。此外，在圖16及圖17中，在與從圖1至圖9所示的實(shí)施方式1及圖10和圖11所示的實(shí)施方式2相同的構(gòu)成要素中附加相同的參照符號(hào)，省略其說明。
如圖16及圖17所示，尤其在實(shí)施方式5下，由高融點(diǎn)金屬膜等導(dǎo)電膜組成的下側(cè)遮光膜501d，不像實(shí)施方式2那樣把互補(bǔ)型TFT的半導(dǎo)體層320作為一個(gè)單位分?jǐn)嘈纬傻妮^大的島狀部分具有浮動(dòng)電位，而是通過傳導(dǎo)孔503與處于布線316的前端部的柵極電極(輸入側(cè))連接，與柵極電極具有相同電位。對(duì)于其它構(gòu)成，與參照?qǐng)D10及圖11說明的實(shí)施方式2的場(chǎng)合相同。
因此，根據(jù)實(shí)施方式5，由于可以通過下側(cè)遮光膜501d的島狀部分形成背溝道，因而可提高互補(bǔ)型TFT202d中的晶體管特性。
此外，在實(shí)施方式5下，可以有以下構(gòu)成對(duì)于除了與下側(cè)遮光膜501d中的互補(bǔ)型TFT202d對(duì)置配置的島狀部分之外的其它部分，可以與圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)的下側(cè)遮光膜11a的場(chǎng)合同樣被供應(yīng)固定電位。
在參照上述圖1至圖17說明的各實(shí)施方式下，也可以不在TFT陣列基片10上設(shè)置數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路101及掃描線驅(qū)動(dòng)電路104，而在被安裝在比如TAB(Tape Automated bonding)基片上的驅(qū)動(dòng)用LSI上，通過被設(shè)置在TFT陣列基片10的外圍部的各向異性導(dǎo)電膜進(jìn)行電氣及機(jī)械連接。此外，在各對(duì)置基片20的投射光入射側(cè)及TFT陣列基片10的射出光的射出側(cè)，根據(jù)比如TN(Twisted Nematic)式、VA(Vertica11y Aligned)式、PDLC(Polymer Dispersed LiquidCrysta1)式等運(yùn)作模式及常白模式/常黑模式的不同，按規(guī)定方向配置偏振光膜、相位差膜、偏振光片等。
實(shí)施方式6參照?qǐng)D18至圖20，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式6下的電光學(xué)裝置作以說明。這里圖18是帶有本發(fā)明實(shí)施方式6下圖1的符號(hào)A的部分附近的放大平面圖，圖19是帶有比較例中的圖1的符號(hào)A的部分附近的放大平面圖。圖20是帶有實(shí)施方式6下圖2的符號(hào)CR的部分附近的放大部分?jǐn)嗝鎴D。此外，在圖18至圖20中，在與從圖1至圖9所示的實(shí)施方式1及圖10和圖11所示的實(shí)施方式2相同的構(gòu)成要素中附加相同的參照符號(hào)，省略其說明。
首先在圖18中，在TFT陣列基片10上，如上述實(shí)施方式1中所說明，數(shù)據(jù)線6a的引出布線206被形成，在該引出布線206的一端連接構(gòu)成圖3所說明的取樣電路301的TFT202a。此外，在該圖中，掃描線3a的引出布線208(相當(dāng)于本發(fā)明中的“圖案部”一例)被形成。在該引出布線208的未圖示的延長(zhǎng)端上，掃描線驅(qū)動(dòng)電路(參照?qǐng)D1)被連接。此外，在該圖中，按照用于向?qū)χ没?0上的對(duì)置電極提供規(guī)定電位等目的被設(shè)置的各種布線210及212被形成(參照?qǐng)D1中的上下導(dǎo)通材料106)。此外，對(duì)于上述的引出布線206，或TFT202a，與上述各種實(shí)施方式同樣，從TFT陣列基片10側(cè)至少覆蓋它們的一部分的下側(cè)遮光膜501及501a被形成(參照?qǐng)D4或圖6或圖10或圖11等)。此外，上述的布線210及212，在實(shí)施方式6下，相當(dāng)于“第2圖案部”一例。
這樣，尤其在實(shí)施方式6下，除了上述的下側(cè)遮光膜501及501a以外，仍然從TFT陣列基片10側(cè)覆蓋作為在圖像顯示區(qū)域10a內(nèi)形成的像素轉(zhuǎn)換用元件的TFT30的下側(cè)遮光膜11a(參照?qǐng)D9等)，以及按照覆蓋位于圖像顯示區(qū)域10a的外圍的整個(gè)外圍區(qū)域的原則形成的區(qū)域外遮光膜501A被形成。上述三種遮光膜，都作為同一膜，即在制造工序階段被同時(shí)形成。
詳細(xì)觀察圖18，其中的區(qū)域外遮光膜501A等的構(gòu)成如下。
首先，在該圖的左上部分，按照覆蓋引出布線206的原則形成下側(cè)遮光膜501(參照?qǐng)D4或圖6)。此外，在圖18中下方，按照覆蓋構(gòu)成取樣電路301的TFT202a的原則形成下側(cè)遮光膜501a(參照?qǐng)D10或圖11)。此外，在該圖中，按照覆蓋從掃描線3a引出的引出布線208的原則設(shè)置下側(cè)遮光膜501z。它們具有與上述各種實(shí)施方式下的各種下側(cè)遮光膜相同的目的，而且發(fā)揮相同的作用。
這樣，實(shí)施方式6涉及的區(qū)域外遮光膜501A，在上述的下側(cè)遮光膜501，501a及501z的形成區(qū)域以外的區(qū)域R1中，包含與它們一體形成的第2下側(cè)遮光膜501Aa。即，該第2下側(cè)遮光膜501Aa，在框緣區(qū)域(參照?qǐng)D18中的粗線)內(nèi)的上述引出布線206，或TFT202a等的形成區(qū)域以外的區(qū)域R1中也被形成。此外，區(qū)域外遮光膜501A，包括在被設(shè)在框緣區(qū)域外的區(qū)域R2內(nèi)的布線210及212之間的間隙中被形成的真區(qū)域外遮光膜501Ab。此外，在布線210的下方，以及布線212的下方，也可以不形成真區(qū)域外遮光膜501Ab。即，真區(qū)域外遮光膜501Ab被分?jǐn)嘈纬伞?br> 以上的要點(diǎn)是，在實(shí)施方式6下，如同有關(guān)布線210或212等，即使在各種布線或電路元件被形成的區(qū)域內(nèi)不形成的場(chǎng)合下，區(qū)域外遮光膜501A，也按照幾乎全部覆蓋TFT陣列基片10的原則被形成。
在這種區(qū)域外遮光膜501A中，如圖18所示，在適當(dāng)?shù)奈恢蒙显O(shè)有切孔，即，該區(qū)域外遮光膜501A被分?jǐn)嘈纬蔀閸u狀。這樣，在實(shí)施方式6下，被形成為島狀的區(qū)域外遮光膜501A的島間距離為2微米以下，這種形狀，在形成該區(qū)域外遮光膜501A時(shí)如果實(shí)施適當(dāng)?shù)膱D案形成處理，則可簡(jiǎn)單地形成。
由于這種區(qū)域外遮光膜501A的存在，可具有以下作用效果。即，如作為比較例的圖19所示，在未形成實(shí)施方式6涉及的區(qū)域外遮光膜501A的場(chǎng)合下，該部分的TFT陣列基片10的表面呈所謂赤裸暴露狀態(tài)(當(dāng)然，各種層間絕緣膜12，41，42及43等當(dāng)然被形成)。因此，對(duì)于該部分，入射光具有“按原樣”通過的可能性，該光在混入構(gòu)成圖像的光Lout(參照?qǐng)D4或圖6)后，具有對(duì)圖像顯示產(chǎn)生影響的可能性。比如，在如上所述的返回光，通過區(qū)域R1后由框緣遮光膜53反射，然后再通過區(qū)域R1等場(chǎng)合下，該光混入構(gòu)成圖像的光Lout的概率較高，因此具有圖像邊緣附近出現(xiàn)模糊光像的可能性。
不過，在實(shí)施方式6下，如上所述，由于在包括區(qū)域R1及R2的區(qū)域內(nèi)，形成包括第2下側(cè)遮光膜501Aa及真區(qū)域外遮光膜501Ab的區(qū)域外遮光膜501A，因而幾乎不會(huì)發(fā)生上述事態(tài)。因此，在實(shí)施方式6下，可以預(yù)先避免在圖像邊緣附近發(fā)生模糊光像等的可能性，可顯示出美觀的高質(zhì)量的圖像。
此外，實(shí)施方式6下的區(qū)域外遮光膜501A，被按上述形式分?jǐn)嘈纬桑蛘甙凑赵诓季€210及布線212之間的間隙內(nèi)形成的真區(qū)域外遮光膜501Ab的形式，根據(jù)位置被分?jǐn)嘈纬蔀檩^大的形狀，通過以上過程，與按貝塔狀形成這種遮光膜的場(chǎng)合相比，可以相對(duì)減小其內(nèi)部應(yīng)力。這樣，幾乎不會(huì)發(fā)生該區(qū)域外遮光膜501A由于自身的內(nèi)部應(yīng)力所產(chǎn)生的破壞，或者由于周圍的構(gòu)成(比如，底層絕緣膜12等)所產(chǎn)生的裂紋等事態(tài)，可提供可靠性較高的電光學(xué)裝置。
另外，由于區(qū)域R1等內(nèi)的區(qū)域外遮光膜501A被分?jǐn)嘈纬傻膱?chǎng)合下，各島間的間隔為2微米以下，因而幾乎不會(huì)發(fā)生從該間隙通過后的光，由位于其背后的框緣遮光膜53等反射后，再次通過該間隙的可能。因此，這種光混入構(gòu)成圖像的光Lout內(nèi)的可能性極小，該間隙對(duì)圖像顯示所產(chǎn)生的影響極小。這樣，在實(shí)施方式6下，也可得到上述島狀的形成所產(chǎn)生的作用效果，即所謂減小內(nèi)部應(yīng)力的作用效果，同時(shí)還可毫不遜色地享受區(qū)域外遮光膜501A本來的作用效果，即防止在圖像周圍產(chǎn)生光像的作用效果。
此外，有關(guān)該實(shí)施方式6所涉及的區(qū)域外遮光膜501A，雖然在上述中所記述的是，按“幾乎全面覆蓋TFT陣列基片10”原則形成，但根據(jù)本發(fā)明的觀點(diǎn)，該區(qū)域外遮光膜501A，根據(jù)其字意，當(dāng)然沒有必要在TFT陣列基片10上“全面”形成。事實(shí)上，如圖18及圖19所示，區(qū)域外遮光膜501A在適當(dāng)?shù)奈恢蒙媳环謹(jǐn)嘈纬?，從這一點(diǎn)上，也可以看出該區(qū)域外遮光膜501A沒有必要被“全面”形成。
此外如果從積極的意義上說，本發(fā)明涉及的區(qū)域外遮光膜，可以只在比如圖20所示的WW部分區(qū)域內(nèi)形成。在該圖中，該WW部分是在安裝罩800內(nèi)形成的顯示窗的邊緣部分801a，與下側(cè)遮光膜501的邊緣部分之間的部分。這是因?yàn)?，在該WW部分以外的部分中，由于安裝罩800的存在使光的傳播被遮住，因而如上所述，可以認(rèn)為光線“按原樣”通過的事態(tài)，實(shí)質(zhì)上只在該WW部分內(nèi)發(fā)生。因此，區(qū)域外遮光膜，只需在如圖20所示的該WW部分內(nèi)形成便足夠(參照符號(hào)501B，并參照光LA的傳播)。
這樣，根據(jù)這種形成模式，可有效地實(shí)現(xiàn)遮光，此外，由于該場(chǎng)合下的區(qū)域外遮光膜501B，只按適當(dāng)而且必要的面積形成即可，因而可以進(jìn)一步抑制該遮光膜內(nèi)部的內(nèi)部應(yīng)力所引起的上述不正?，F(xiàn)象的發(fā)生。
上述說明的實(shí)施方式下的電光學(xué)裝置為用于投影儀，采用3個(gè)電光學(xué)裝置作為RGB用的光閥，在各光閥內(nèi)，通過各RGB色分解用雙色鏡被分解的各顏色的光被作為投射光入射。這樣，在各實(shí)施方式下，在對(duì)置基片20上，不設(shè)置濾色器。然而，在與像素電極9a對(duì)置的規(guī)定區(qū)域內(nèi)，在對(duì)置基片20上可以形成RGB濾色器及其保護(hù)膜。這樣，對(duì)于投影儀以外的直視型及反射型彩色電光學(xué)裝置，可采用各實(shí)施方式下的電光學(xué)裝置。此外，在對(duì)置基片20上也可以按照1個(gè)像素對(duì)應(yīng)1個(gè)的形式形成微型透鏡?；蛘?，也可以在與TFT陣列基片10上的RGB對(duì)置的像素電極9a下方通過耐色膜等形成濾色層。這樣，通過提高入射光的集光效率，可實(shí)現(xiàn)鮮明的電光學(xué)裝置。此外，通過在對(duì)置基片20上，層疊若干層其折射率各異的干涉層，可利用光的干涉，形成能產(chǎn)生RGB色的雙色濾色器。利用設(shè)有該雙色濾色器的對(duì)置基片，可實(shí)現(xiàn)更為鮮明的彩色電光學(xué)裝置。
電子設(shè)備的實(shí)施方式以下，對(duì)作為把上述詳細(xì)說明過的電光學(xué)裝置作為光閥使用的電子設(shè)備一例的投射型彩色顯示裝置的實(shí)施方式下的總體構(gòu)成，特別是光學(xué)構(gòu)成作以說明。這里圖21，是投射型彩色顯示裝置的斷面圖。
在圖21中，作為本實(shí)施方式下的投射型彩色顯示裝置一例的液晶投影儀1100，配有3個(gè)包括在TFT陣列基片上搭載驅(qū)動(dòng)電路的液晶裝置的液晶模塊，各自被作為RGB用的光閥100R、100G、100B使用的投影儀構(gòu)成。在液晶投影儀1100中，來自金屬鹵燈等白色光源的燈單元1102的投射光被發(fā)出后，通過3個(gè)反射鏡1106和2個(gè)雙色鏡1108，被分成與RGB三原色對(duì)應(yīng)的光成分R、G、B，分別被導(dǎo)入與各色對(duì)應(yīng)的光閥100R、100G、100B內(nèi)。此時(shí)的B光，為防止由較長(zhǎng)的光路造成的光損失，通過由入射透鏡1122、中繼透鏡1123及射出透鏡1124構(gòu)成的中繼透鏡系統(tǒng)1121被傳導(dǎo)。這樣，與分別由光閥100R、100G、100B調(diào)制后的三原色對(duì)應(yīng)的光成分，在由雙色棱鏡1112再度合成后，通過投射透鏡1114作為彩色圖像被投射到屏面1120上。
此外，本發(fā)明的電光學(xué)裝置，也可適用于電泳裝置、EL裝置等。
本發(fā)明不局限于上述的實(shí)施方式，在不違反從權(quán)利要求范圍及說明書整體讀取的發(fā)明宗旨或思想的范圍內(nèi)可作適當(dāng)?shù)淖兏?，伴隨著這種變更的電光學(xué)裝置及電子設(shè)備也被包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于配有被配置在基片上的圖像顯示區(qū)域的顯示用電極；在通過像素轉(zhuǎn)換用元件或直接連接于該顯示用電極的同時(shí)由被設(shè)置在規(guī)定上述圖像顯示區(qū)域的周圍的框緣區(qū)域內(nèi)的配線及電路元件中的至少一方構(gòu)成的圖案部；在上述框緣區(qū)域的一部分內(nèi)，從上述基片側(cè)至少部分覆蓋上述圖案部的下側(cè)遮光膜。
2.權(quán)利要求1中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于還配有在上述框緣區(qū)域內(nèi)，被配置在上述圖案部的上側(cè)的框緣遮光膜。
3.權(quán)利要求1中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜，在上述基片的平坦表面上，通過平直或平坦的底層絕緣膜被形成。
4.權(quán)利要求1中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述電路元件，包含第1晶體管，上述顯示用電極，由像素電極構(gòu)成，該電光學(xué)裝置，還配有作為上述像素轉(zhuǎn)換用元件與上述像素電極連接的第2晶體管，上述配線，與上述第2晶體管連接。
5.權(quán)利要求4中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于在上述第2晶體管的至少溝道區(qū)的下側(cè)，設(shè)有與上述下側(cè)遮光膜同一的膜。
6.權(quán)利要求1中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜，由光吸收膜構(gòu)成。
7.權(quán)利要求6中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述光吸收膜，包含多晶硅膜及高融點(diǎn)金屬膜中的至少一方。
8.權(quán)利要求1中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜，被形成為島狀。
9.權(quán)利要求1中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜，由導(dǎo)電膜構(gòu)成。
10.權(quán)利要求9中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜，至少部分地被供應(yīng)固定電位。
11.權(quán)利要求9中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜中至少在上述第1晶體管的下側(cè)被層疊的部分，具有浮動(dòng)電位。
12.權(quán)利要求11中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜中至少在上述第1晶體管的下側(cè)被層疊的部分，包含按照使與上述下側(cè)遮光膜中上述第1晶體管的源極電極對(duì)置的部分和與上述下側(cè)遮光膜中上述第1晶體管的漏極電極對(duì)置的部分互相分離的原則被設(shè)置成島狀的部分。
13.權(quán)利要求9中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于在上述下側(cè)遮光膜中至少在上述第1晶體管的下側(cè)被層疊的部分，按照使與上述下側(cè)遮光膜中上述第1晶體管的源極電極對(duì)置的部分和與上述下側(cè)遮光膜中上述第1晶體管的漏極電極對(duì)置的部分分離的原則設(shè)置縫隙。
14.權(quán)利要求9中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜，在上述第1晶體管的溝道區(qū)域下側(cè)不被層疊。
15.權(quán)利要求9中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜中至少被層疊在上述第1晶體管的溝道區(qū)域下側(cè)的部分，具有上述第1晶體管的柵極電位。
16.權(quán)利要求1中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述下側(cè)遮光膜，以按照被照射到上述框緣區(qū)域的入射光部分的入射角度被預(yù)先設(shè)定的規(guī)定寬度在從上述圖像顯示區(qū)域的外周至外圍側(cè)的框緣區(qū)域內(nèi)被形成。
17.一種電光學(xué)裝置，其特征在于配有被配置在基片上的圖像顯示區(qū)域的顯示用電極；在通過像素轉(zhuǎn)換用元件或直接連接于該顯示用電極的同時(shí)由被設(shè)置在規(guī)定上述圖像顯示區(qū)域的周圍的框緣區(qū)域內(nèi)的配線及電路元件中的至少一方構(gòu)成的圖案部；在上述框緣區(qū)域的一部分內(nèi)，從上述基片側(cè)至少部分覆蓋上述圖案部的下側(cè)遮光膜；在上述框緣區(qū)域內(nèi)的上述圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域被形成、作為與上述下側(cè)遮光膜的同一膜被形成的第2下側(cè)遮光膜。
18.權(quán)利要求17中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述區(qū)域外遮光膜，被形成為島狀。
19.權(quán)利要求18中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于相鄰接的島之間的距離為4微米以下。
20.權(quán)利要求17中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于還配有在安裝該電光學(xué)裝置的同時(shí)形成了與上述圖像顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示窗的安裝罩，上述第2下側(cè)遮光膜及上述區(qū)域外遮光膜的至少一方，在上述顯示窗的邊緣與上述圖像顯示區(qū)域的邊緣之間的區(qū)域至少部分被形成。
21.權(quán)利要求17中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于在上述框緣區(qū)域中，還配有被配置在上述圖案部的上側(cè)的框緣遮光膜，同時(shí)該框緣遮光膜至少含有鋁。
22.一種電光學(xué)裝置，其特征在于配有被配置在基片上的圖像顯示區(qū)域的顯示用電極；在通過像素轉(zhuǎn)換用元件連接于該顯示用電極的同時(shí)由被設(shè)置在規(guī)定上述圖像顯示區(qū)域的周圍的框緣區(qū)域內(nèi)的配線及電路元件中的至少一方構(gòu)成的圖案部；在上述框緣區(qū)域的一部分內(nèi)，從上述基片側(cè)至少部分覆蓋上述圖案部的下側(cè)遮光膜；從上述基片側(cè)覆蓋作為上述像素轉(zhuǎn)換用元件的第2晶體管的至少溝道區(qū)，作為與上述下側(cè)遮光膜同一膜被形成的區(qū)域內(nèi)遮光膜；在位于包含上述框緣區(qū)域、上述圖像顯示區(qū)的外圍的外圍區(qū)域的至少一部分，作為與上述下側(cè)遮光膜及上述區(qū)域內(nèi)遮光膜同一膜被形成的區(qū)域外遮光膜。
23.權(quán)利要求22中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述區(qū)域外遮光膜，包含在上述框緣區(qū)域內(nèi)的上述圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域，作為與上述下側(cè)遮光膜同一膜被形成的第2下側(cè)遮光膜。
24.權(quán)利要求22中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于在上述外圍區(qū)域，還配有在與上述圖案部連接的同時(shí)用于對(duì)上述顯示用電極進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的外圍電路，上述區(qū)域外遮光膜，在對(duì)構(gòu)成上述外圍電路的各配線之間及各電路元件之間并且配線及電路元件之間的至少一組進(jìn)行連接的第2圖案部的形成區(qū)域以外的區(qū)域被形成。
25.權(quán)利要求22中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于上述區(qū)域外遮光膜，被形成為島狀。
26.權(quán)利要求25中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于相鄰接的島之間的距離為4微米以下。
27.權(quán)利要求22中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于還配有在安裝該電光學(xué)裝置的同時(shí)形成了與上述圖像顯示區(qū)域?qū)?yīng)的顯示窗的安裝罩，上述第2下側(cè)遮光膜及上述區(qū)域外遮光膜的至少一方，在上述顯示窗的邊緣與上述圖像顯示區(qū)域的邊緣之間的區(qū)域至少部分被形成。
28.權(quán)利要求22中記載的電光學(xué)裝置，其特征在于在上述框緣區(qū)域中，還配有被配置在上述圖案部的上側(cè)的框緣遮光膜，同時(shí)該框緣遮光膜至少含有鋁。
29.一種電子設(shè)備，其特征在于具備權(quán)利要求1至28任一項(xiàng)記載的電光學(xué)裝置而成。
全文摘要
電光學(xué)裝置配有在TFT陣列基片上，被配置在圖像顯示區(qū)域的顯示用電極；與其通過像素轉(zhuǎn)換用元件或直接連接、同時(shí)由被設(shè)置在規(guī)定圖像顯示區(qū)域的周圍的框緣區(qū)域內(nèi)的布線及電路元件的至少一方構(gòu)成的圖案部。此外，配有在框緣區(qū)域的一部分內(nèi)，從TFT陣列基片側(cè)至少部分覆蓋這些圖案部的下側(cè)遮光膜。由此，在液晶裝置等電光學(xué)裝置中，防止因由被設(shè)置在框緣區(qū)域的布線及電路元件構(gòu)成的圖案部引起的明暗圖案在顯示圖像邊緣附近被映出。
文檔編號(hào)G09F9/30GK1410805SQ0214449
公開日2003年4月16日 申請(qǐng)日期2002年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月4日
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