專利名稱：能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示器的驅(qū)動電路，且特別是有關(guān)于一種能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路。
由于上述的問題，而使得研究人員著手開發(fā)所謂的平面顯示器(Flat Panel Display)。這個領(lǐng)域包含液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)、場發(fā)射顯示器(Field Emission Display，簡稱FED)、有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，簡稱OLED)、以及等離子顯示器(Plasma Display Panel，簡稱PDP)。
其中，有機(jī)發(fā)光二極管又稱為有機(jī)電激發(fā)光顯示器(OrganicElectroluminescence Display，簡稱OELD)，其為自發(fā)光性的元件。因為OLED的特性為直流低電壓驅(qū)動、高亮度、高效率、高對比值、以及輕薄，并且其發(fā)光色澤由紅(Red，簡稱R)、綠(Green，簡稱G)、以及藍(lán)(Blue，簡稱B)三原色至白色的自由度高，因此OLED被喻為下一是世代的新型平面面板的發(fā)展重點。OLED技術(shù)除了兼具LCD的輕薄與高分辨率，以及LED的主動發(fā)光、響應(yīng)速度快與省電冷光源等優(yōu)點外，還有視角廣、色彩對比效果好及成本低等多項優(yōu)點。因此，OLED可廣泛應(yīng)用于LCD或指示看板的背光源、行動電話、數(shù)字相機(jī)、以及個人數(shù)字助理(PDA)等。
從驅(qū)動方式的觀點來看，OLED可分為被動矩陣(Passive Matrix)驅(qū)動方式及主動矩陣(Active Matrix)驅(qū)動方式兩大種類。被動矩陣式OLED的優(yōu)點在于結(jié)構(gòu)非常簡單，因而成本較低，但其缺點為不適用于高分辨率畫質(zhì)的應(yīng)用，而且在朝向大尺寸面板發(fā)展時，會產(chǎn)生耗電量增加、元件壽命降低、以及顯示性能不佳等的問題。而主動矩陣式OLED的優(yōu)點除了可應(yīng)用在大尺寸的主動矩陣驅(qū)動方式的需求外，其視角廣、高亮度、以及響應(yīng)速度快的特性也是不可忽視的，但是其成本會比被動矩陣式OLED略高。
依照驅(qū)動方式的不同，平面顯示器又可分為電壓驅(qū)動型及電流驅(qū)動型兩種。對于電壓驅(qū)動型的AM-OLED而言，公知的一種顯示器中的一個像素10的電路圖，請參照圖1所繪示。像素10包括驅(qū)動電路102及OLED(104)。上述的驅(qū)動電路102包括晶體管TFT1(106)、儲存電容C(108)、以及晶體管TFT2(110)。其中，晶體管TFT1(106)的漏極耦接至數(shù)據(jù)線；晶體管TFT1(106)的柵極耦接至掃描線；而晶體管TFT1(106)的源極耦接至儲存電容C(108)的一端及晶體管TFT2(110)的柵極。儲存電容C(108)的另一端耦接至電壓Vss(面板共同的負(fù)電源線)，其中電壓Vss為負(fù)電壓或接地電位。晶體管TFT2(110)的漏極耦接至電壓Vdd(面板共同的正電源線)，其中電壓Vdd為正電壓；而晶體管TFT2(110)的源極耦接至OLED(104)的陽極(也稱為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，簡稱ITO))。而OLED(104)的陰極耦接至電壓Vss。在此種的顯示器設(shè)計中，因為每個像素的OLED的陽極均為分開且獨立，所以像素10只能在晶體管TFT2(110)導(dǎo)通時，才能透過共享的電壓Vdd與其它的像素連結(jié)，這樣會使得在工藝的過程中所產(chǎn)生的靜電無法平均分散到每個像素，而集中于個別的像素，因此很容易產(chǎn)生靜電放電(electrostatic discharge，簡稱ESD)而使單一像素受損而無法點亮，這種現(xiàn)象稱為點缺陷。這種情形在50平方公分大小的面積中，通常會出現(xiàn)數(shù)十顆到數(shù)百顆的點缺陷。對于顯示器而言，如果出現(xiàn)點缺陷，則會對于顯示的品質(zhì)造成很大的影響，并且會使良率明顯地降低。而公知尚無解決點缺陷的技術(shù)。
為達(dá)成上述及其它目的，本發(fā)明提出一種能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路。此驅(qū)動電路用以驅(qū)動第一發(fā)光元件及第二發(fā)光元件，其中第一發(fā)光元件具有第一陽極及第一陰極，而第二發(fā)光元件具有第二陽極及第二陰極。此驅(qū)動電路特征為在第一陽極與第二陽極之間以一高電阻相互連接，而此高電阻必須大于第一發(fā)光元件的內(nèi)阻及第二發(fā)光元件的內(nèi)阻。
在本發(fā)明的一較佳實施例中，此顯示器為主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器。
在本發(fā)明的一較佳實施例中，第一發(fā)光元件及第二發(fā)光元件為有機(jī)發(fā)光二極管或高分子發(fā)光二極管。
本發(fā)明還提出一種能防止靜電放電的顯示器。此顯示器包括數(shù)個像素，而每一個像素包括一發(fā)光元件。此顯示器的特征為每兩個相鄰像素的個別的發(fā)光元件的陽極之間以一高電阻相互連接，而此高電阻必須大于發(fā)光元件的內(nèi)阻。
綜上所述，本發(fā)明是通過在顯示器的每兩個相鄰像素的發(fā)光元件的陽極端以高電阻(其電阻值視發(fā)光元件的材料及像素的大小而定)相互連接，而使得在工藝的過程中所產(chǎn)生的靜電放電能平均分散到每個像素，這樣發(fā)光元件的陽極就不會產(chǎn)生電荷累積的問題，因此能解決點缺陷的問題。


圖1是公知的一種顯示器中的一個像素的電路圖；以及圖2是根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的能防止靜電放電的顯示器中的相鄰兩個像素的電路圖。
10、20、22像素102，202驅(qū)動電路104有機(jī)發(fā)光二極管106、110、208、212、214、218晶體管210，216儲存電容204，206發(fā)光元件24高電阻從另一個角度觀之，上述的相鄰兩個像素包括根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路202、發(fā)光元件204、以及發(fā)光元件206。驅(qū)動電路202用以驅(qū)動發(fā)光元件204及發(fā)光元件206，其中發(fā)光元件204具有陽極及陰極，發(fā)光元件206具有陽極及陰極，并且發(fā)光元件204及發(fā)光元件206可為有機(jī)發(fā)光二極管或高分子發(fā)光二極管。上述的驅(qū)動電路202包括晶體管TFT1(208)、儲存電容C1(210)、晶體管TFT2(212)、晶體管TFT3(214)、儲存電容C2(216)、晶體管TFT4(218)、以及高電阻R(24)。另外要說明的是，因為在被動式有機(jī)電激發(fā)光顯示器中，發(fā)光元件的陽極及陰極均為整行或整列，所以電荷可分散到整行或整列而不會產(chǎn)生電荷累積的問題，因此本發(fā)明系針對主動式有機(jī)電激發(fā)光顯示器來做說明。
接下來將說明驅(qū)動電路202的結(jié)構(gòu)。晶體管TFT1(208)具有漏極、柵極、以及源極。儲存電容C1(210)具有兩端。晶體管TFT2(212)具有漏極、柵極、以及源極。晶體管TFT3(214)具有漏極、柵極、以及源極。儲存電容C2(216)具有兩端。晶體管TFT4(218)具有漏極、柵極、以及源極。高電阻R(24)具有兩端。其中，晶體管TFT1(208)的漏極耦接至數(shù)據(jù)線；晶體管TFT1(208)的柵極耦接至掃描線；而晶體管TFT1(208)的源極耦接至儲存電容C1(210)的一端及晶體管TFT2(212)的柵極。儲存電容C1(210)的另一端耦接至電壓Vss(面板共同的負(fù)電源線)，其中電壓Vss為負(fù)電壓或接地電位且由電源供應(yīng)器提供。晶體管TFT2(212)的漏極耦接至電壓Vdd(面板共同的正電源線)，其中電壓Vdd為正電壓且由電源供應(yīng)器提供；而晶體管TFT2(212)的源極耦接至高電阻R(24)的一端及發(fā)光元件(204)的陽極。晶體管TFT3(214)的漏極耦接至數(shù)據(jù)線；晶體管TFT3(214)的柵極耦接至掃描線；而晶體管TFT3(214)的源極耦接至儲存電容C2(216)的一端及晶體管TFT4(218)的柵極。儲存電容C2(216)的另一端耦接至電壓Vss。晶體管TFT4(218)的漏極耦接至電壓Vdd；而晶體管TFT4(218)的源極耦接至高電阻R(24)的另一端及發(fā)光元件(206)的陽極。而發(fā)光元件(204)的陰極及發(fā)光元件(206)的陰極耦接至電壓Vss。其中，高電阻R(24)必須大于發(fā)光元件204的內(nèi)阻及發(fā)光元件206的內(nèi)阻。
在此要注意的是，本發(fā)明的特點是在顯示器的每兩個相鄰像素的發(fā)光元件的陽極之間，通過一高電阻的相互連接而使顯示器中的單一像素所累積的電荷能平均分散到其它像素，以避免單一像素受到靜電放電而損害，而導(dǎo)致點缺陷的問題。而當(dāng)在顯示器的每兩個相鄰兩像素的發(fā)光元件的陽極之間連接高電阻時，為了避免像素間的相互的干擾而影響顯示器的正常運作，此高電阻必須大于發(fā)光元件的內(nèi)阻。一般而言，此高電阻的范圍可為0.1k歐姆～100M歐姆，其端視發(fā)光元件的材料及像素的大小而定。
綜上所述，本發(fā)明是通過在顯示器的每兩個相鄰像素的發(fā)光元件的陽極端以高電阻(其電阻值視發(fā)光元件的材料及像素的大小而定)相互連接，而使得在工藝的過程中所產(chǎn)生的靜電放電能平均分散到每個像素，這樣發(fā)光元件的陽極就不會產(chǎn)生電荷累積的問題，因此能解決點缺陷的問題。
權(quán)利要求
1.一種能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路，用以驅(qū)動一第一發(fā)光元件及一第二發(fā)光元件，該第一發(fā)光元件具有一第一陽極及一第一陰極，該第二發(fā)光元件具有一第二陽極及一第二陰極，其特征是，該驅(qū)動電路在該第一陽極與該第二陽極之間以一高電阻相互連接，而該高電阻必須大于該第一發(fā)光元件的內(nèi)阻及該第二發(fā)光元件的內(nèi)阻。
2.如權(quán)利要求1所述的能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路，其特征是，該顯示器為一主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器。
3.如權(quán)利要求1所述的能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路，其特征是，該第一發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管。
4.如權(quán)利要求1所述的能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路，其特征是，該第一發(fā)光元件為一高分子發(fā)光二極管。
5.如權(quán)利要求1所述的能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路，其特征是，該第二發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管。
6.如權(quán)利要求1所述的能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路，其特征是，該第二發(fā)光元件為一高分子發(fā)光二極管。
7.一種能防止靜電放電的顯示器，包括多個像素，每一該些像素包括一發(fā)光元件，其特征是，該顯示器為在該些像素中的每兩個相鄰像素的個別的該發(fā)光元件的陽極之間以一高電阻相互連接，而該高電阻必須大于該發(fā)光元件的內(nèi)阻。
8.如權(quán)利要求7所述的能防止靜電放電的顯示器，其特征是，該顯示器為一主動矩陣式有機(jī)電激發(fā)光顯示器。
9.如權(quán)利要求7所述的能防止靜電放電的顯示器，其特征是，該發(fā)光元件為一有機(jī)發(fā)光二極管。
10.如權(quán)利要求7所述的能防止靜電放電的顯示器，其特征是，該發(fā)光元件為一高分子發(fā)光二極管。
全文摘要
一種能防止靜電放電的顯示器的驅(qū)動電路。本發(fā)明是通過在顯示器的每兩個相鄰像素的發(fā)光元件的陽極端以高電阻(其電阻值視發(fā)光元件的材料及像素的大小而定)相互連接，而使得在工藝的過程中所產(chǎn)生的靜電放電能平均分散到每個像素，這樣發(fā)光元件的陽極就不會產(chǎn)生電荷累積的問題，因此能解決點缺陷的問題。
文檔編號G09G3/32GK1477611SQ02141848
公開日2004年2月25日 申請日期2002年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月23日
發(fā)明者李信宏 申請人:友達(dá)光電股份有限公司