專利名稱：驅(qū)動(dòng)選擇性執(zhí)行復(fù)位放電的等離子體顯示面板方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用來驅(qū)動(dòng)用于顯示電視機(jī)或計(jì)算機(jī)監(jiān)視器圖像的等離子體顯示面板的一種方法和裝置，而且更特別地，涉及用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的一種方法和裝置，在這種顯示裝置中根據(jù)放電小室中壁電荷的分布復(fù)位放電被選擇性地執(zhí)行。
背景技術(shù)：
面板驅(qū)動(dòng)時(shí)序可以被分成復(fù)位(初始化)周期、尋址周期、持續(xù)周期和消除周期。在復(fù)位周期期間，每個(gè)小室的狀態(tài)被初始化以消除小室尋址。在尋址周期期間，從面板中選擇出將被開啟的小室和將不被開啟的小室而且壁電荷被累積在將被開啟的小室中。在持續(xù)周期期間，在已尋址的小室中產(chǎn)生放電使實(shí)際上顯示出一個(gè)圖像。在消除周期期間，小室的壁電荷被減少以終止持續(xù)放電。
對(duì)比度是影響由等離子體顯示面板產(chǎn)生的圖像質(zhì)量的一個(gè)重要因素。對(duì)比度由面板上所顯示畫面的明亮部分的亮度與黑暗部分的亮度的比率來表示。明亮部分主要來自持續(xù)放電產(chǎn)生的光，而且黑暗部分來自復(fù)位放電產(chǎn)生的光。為了增強(qiáng)對(duì)比度，增加明亮部分的亮度或降低黑暗部分的亮度是必要的。
圖1是AC等離子顯示面板一部分的透視圖。被覆蓋有介電層2和保護(hù)層3的成對(duì)掃描電極4和持續(xù)電極5在第一玻璃基板1上彼此相互平行被構(gòu)成。覆蓋有絕緣層7的地址電極8在第二玻璃基板6上被構(gòu)成。分區(qū)壁9平行于地址電極8被構(gòu)成在絕緣層7上。磷層10被構(gòu)成在絕緣層7的表面和分區(qū)壁9的兩個(gè)面上。第一玻璃基板1和第二玻璃基板6被彼此面對(duì)放置并具有其間的放電空間11。以便使掃描電極4和持續(xù)電極5與地址電極8相正交。放電空間11在每個(gè)地址電極8與每對(duì)掃描電極4和持續(xù)電極5之間的相交處構(gòu)成了放電小室12。
圖2是面板內(nèi)的一個(gè)電極陣列圖。電極構(gòu)成了具有m列和n行的矩陣。地址電極A1至Am被排列在列內(nèi)。掃描電極SCN1至SCN2和持續(xù)電極SUS1至SUS2被排列在行內(nèi)。圖2所示的放電小室相當(dāng)于圖1所示的放電小室12。
圖3是根據(jù)傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)面板方法的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖。在這種驅(qū)動(dòng)方法中，一個(gè)幀的周期由代表256灰度等級(jí)的8個(gè)子場(chǎng)組成。每個(gè)子場(chǎng)由復(fù)位周期、尋址周期、持續(xù)周期和消除周期組成?，F(xiàn)在將在下面說明第一子場(chǎng)中的操作。
在復(fù)位周期的早期階段，所有的地址電極A1至Am和所有的持續(xù)電極SUS1至SUSn被維持在0V。起始于不大于相對(duì)于持續(xù)電極SUS1至SUSn放電起始電壓的電壓Vp且緩慢向大于放電起始電壓的電壓Vr增加的斜坡電壓被施加到所有的掃描電極SCN1至SCNn。當(dāng)斜坡電壓在增加的同時(shí)，在所有的放電小室中，從掃描電極向地址電極和持續(xù)電極的方向出現(xiàn)第一微弱復(fù)位放電。結(jié)果是，在每個(gè)掃描電極的保護(hù)層表面上負(fù)壁電荷被累積。同時(shí)，在每個(gè)地址電極的絕緣層表面和每個(gè)持續(xù)電極的保護(hù)層表面上正壁電荷被累積。
在復(fù)位周期的后期階段，所有的持續(xù)電極SUS1至SUSn被維持在一個(gè)恒定的電壓Vh。起始于不大于相對(duì)于持續(xù)電極SUS1至SUSn放電起始電壓的電壓Vq且緩慢向大于放電起始電壓的0電壓減小的斜坡電壓被施加到所有的掃描電極SCN1至SCNn。當(dāng)斜坡電壓在減小的同時(shí)，在所有的放電小室中，從持續(xù)電極向掃描電極的方向出現(xiàn)第二微弱復(fù)位放電。結(jié)果是，在每個(gè)掃描電極保護(hù)層表面上的負(fù)壁電荷和每個(gè)持續(xù)電極保護(hù)層表面上的正壁電荷被減小。此外，在地址電極和掃描電極之間出現(xiàn)微弱的放電，而且每個(gè)地址電極上的絕緣層表面的正壁電荷被調(diào)節(jié)到適合于尋址操作的一個(gè)數(shù)值。借助于這樣的一種裝置，在復(fù)位周期期間復(fù)位操作得以完成。
其次，在尋址周期期間，所有的掃描電極SCN1至SCNn被維持在電壓Vs。正尋址脈沖電壓+Vw被施加到對(duì)應(yīng)于第一行上將被顯示的放電小室的預(yù)先設(shè)定的地址電極Aj(j是在1和m之間的整數(shù))上，而且同時(shí)，0V的掃描脈沖電壓被施加到第一行上的掃描電極SCN1上。在此，在掃描電極SCN1上的絕緣層表面和保護(hù)層表面之間，在地址電極Aj和掃描電極SCN1的相交處的電壓是尋址脈沖電壓+Vw與每個(gè)地址電極絕緣層表面的正壁電壓之和。結(jié)果是，在預(yù)先設(shè)定的地址電極Aj和掃描電極SCN1之間以及持續(xù)電極SUS1和掃描電極SCN1之間，在上述相交處出現(xiàn)尋址放電。因而，在相交處，在掃描電極SCN1保護(hù)層表面上正壁電荷被累積，在持續(xù)電極SUS1保護(hù)層表面上負(fù)壁電荷被累積，而且在地址電極Aj絕緣層表面上負(fù)壁電荷被累積。
持續(xù)周期緊隨著尋址周期。在持續(xù)周期期間，所有的掃描電極SCN1至SCNn和所有的持續(xù)電極SUS1至SUSn被維持在0V，然后一個(gè)正持續(xù)脈沖電壓+Vm被施加到所有的掃描電極SCN1至SCNn。在此，在已經(jīng)出現(xiàn)尋址放電的放電小室中，在掃描電極SCNi(i是在1和n之間的整數(shù))保護(hù)層表面和每個(gè)持續(xù)電極保護(hù)層表面之間的電壓是持續(xù)脈沖電壓、在尋址周期期間累積在掃描電極SCN1保護(hù)層表面上的正壁電荷與在尋址周期期間累積在持續(xù)電極SUS1保護(hù)層表面上的負(fù)壁電荷之和，其大于放電起始電壓。結(jié)果是，在已經(jīng)出現(xiàn)尋址放電的放電小室中，在掃描電極和持續(xù)電極之間出現(xiàn)持續(xù)放電。在已經(jīng)出現(xiàn)持續(xù)放電的放電小室中，負(fù)壁電荷被累積在掃描電極保護(hù)層表面上，而且正壁電荷被累積在持續(xù)電極保護(hù)層表面上。其后，被施加到掃描電極的持續(xù)脈沖電壓變成0V。隨后，正持續(xù)脈沖電壓+Vm被施加到所有的持續(xù)電極SUS1至SUSn，而且通過如上所述的同樣步驟，在已經(jīng)出現(xiàn)尋址放電的放電小室中，在掃描電極和持續(xù)電極之間出現(xiàn)持續(xù)放電。其后，通過如上所述的相同步驟，正持續(xù)脈沖電壓被交替地施加到所有的掃描電極SCN1至SCNn和所有的持續(xù)電極SUS1至SUSn，因而執(zhí)行了持續(xù)放電。這種持續(xù)放電激發(fā)磷，從而產(chǎn)生用于顯示圖像的可見射線。
持續(xù)周期結(jié)束后，在消除周期期間，起始于0V并向電壓+Ve方向增加的斜坡電壓被施加到所有的持續(xù)電極SUS1至SUSn。在此，在已經(jīng)出現(xiàn)持續(xù)放電的放電小室中，在掃描電極保護(hù)層表面和持續(xù)電極保護(hù)層表面之間的電壓是在持續(xù)周期的最后點(diǎn)上在掃描電極保護(hù)層上的負(fù)壁電荷、在持續(xù)周期的最后點(diǎn)上在持續(xù)電極保護(hù)層上的正壁電荷與斜坡電壓之和。結(jié)果是，在已經(jīng)出現(xiàn)持續(xù)放電的放電小室中，在持續(xù)電極和掃描電極之間出現(xiàn)微弱的消除放電。此外，在掃描電極保護(hù)層上的負(fù)壁電荷和持續(xù)電極保護(hù)層上的正壁電荷減小，因而停止了持續(xù)放電。借助于這樣的裝置，消除操作得以完成。
按照傳統(tǒng)技術(shù)，等離子體顯示面板上的黑暗部分來自由復(fù)位放電產(chǎn)生的光線。當(dāng)單個(gè)子場(chǎng)開始這種復(fù)位放電時(shí)，則在所有的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電。由此，甚至在假設(shè)要被關(guān)掉的放電小室中也出現(xiàn)復(fù)位放電并產(chǎn)生光線，從而降低了對(duì)比度。
發(fā)明概述為了解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供用于驅(qū)動(dòng)等離子體面板的一種方法和裝置，借此方法和裝置，黑暗部分可以被顯示得更加黑暗以便于在面板顯示驅(qū)動(dòng)操作期間，通過選擇性地執(zhí)行復(fù)位放電加強(qiáng)對(duì)比度。
為了獲取上述目的，在一個(gè)實(shí)施方案中，提供有一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法。該方法包括用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位周期、用于識(shí)別在持續(xù)周期即將被開啟的小室與即將不被開啟的小室并執(zhí)行尋址操作的尋址周期以及用于將已尋址小室放電的持續(xù)周期。該方法包括施加一個(gè)復(fù)位信號(hào)，以防止在具有條件下的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，在所述條件下在尋址周期期間可能出現(xiàn)尋址放電，并允許在不具備上述條件的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電。優(yōu)選地是，當(dāng)根據(jù)復(fù)位周期開始時(shí)的壁電荷結(jié)構(gòu)加以確定后，施加復(fù)位信號(hào)以便于復(fù)位放電產(chǎn)生于具有一種壁電荷結(jié)構(gòu)的小室中，其中，即使在尋址周期期間施加一個(gè)尋址電壓但也不能出現(xiàn)尋址放電；或者復(fù)位放電產(chǎn)生于具有一種壁電荷結(jié)構(gòu)的小室中，其中，即使在尋址周期期間不出現(xiàn)尋址放電在持續(xù)周期期間也出現(xiàn)持續(xù)放電。
在另一個(gè)實(shí)施方案中，提供有一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法。該方法包括用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位周期、用于識(shí)別在持續(xù)周期即將被開啟的小室與即將不被開啟的小室并執(zhí)行尋址操作的尋址周期以及用于將已尋址小室放電的持續(xù)周期。該方法包括在復(fù)位周期期間施加一個(gè)復(fù)位波形，其中在復(fù)位周期的早期階段施加一個(gè)具有預(yù)先設(shè)定電壓電平的復(fù)位脈沖，而且在復(fù)位周期的后期階段施加一個(gè)具有逐漸減小電壓電平的斜坡脈沖。優(yōu)選地是，當(dāng)根據(jù)復(fù)位周期開始時(shí)的壁電荷結(jié)構(gòu)加以確定后，復(fù)位放電被防止在具有條件的小室中出現(xiàn)，在所述條件下由于尋址周期期間的尋址電壓可能在那里出現(xiàn)尋址放電。
在再另一個(gè)實(shí)施方案中，提供有一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法。該方法包括用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位周期、用于識(shí)別在持續(xù)周期即將被開啟的小室與即將不被開啟的小室并執(zhí)行尋址操作的尋址周期以及用于已尋址小室放電的持續(xù)周期。該方法包括在分別被施加到持續(xù)和地址電極的電壓被維持為恒量的同時(shí)，在復(fù)位周期將復(fù)位電壓施加到掃描電極，以便使復(fù)位放電基本上出現(xiàn)在掃描和地址電極之間而且基本上防止了其出現(xiàn)在掃描和持續(xù)電極之間。
為了達(dá)到上述目的，提供有一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的裝置。該裝置包括復(fù)位信號(hào)發(fā)生器，其用于產(chǎn)生用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位信號(hào)；尋址信號(hào)發(fā)生器，其用于產(chǎn)生用于識(shí)別即將被開啟的小室和即將不被開啟的小室并執(zhí)行尋址操作的尋址信號(hào)；以及持續(xù)信號(hào)發(fā)生器，其用于產(chǎn)生用于將尋址信號(hào)發(fā)生器所尋址的小室放電的持續(xù)信號(hào)。復(fù)位信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，以防止在滿足條件的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，在所述條件下由于尋址信號(hào)尋址放電通?？梢员粓?zhí)行，并在不滿足所述條件的小室中產(chǎn)生復(fù)位放電。優(yōu)選地是，復(fù)位信號(hào)發(fā)生器在復(fù)位周期的早期階段施加具有預(yù)先設(shè)定電壓電平的復(fù)位脈沖，并在復(fù)位周期的后期階段施加具有逐漸減小電壓電平的斜坡脈沖。


參照所附附圖，通過詳細(xì)說明本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，其中圖1為AC等離子體顯示面板一部分的透視圖。
圖2為面板中一個(gè)電極陣列的圖形。
圖3為根據(jù)驅(qū)動(dòng)面板傳統(tǒng)方法的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖。
圖4為在滿足尋址條件的放電小室中壁電荷的結(jié)構(gòu)圖。
圖5A至5C所示為不滿足尋址條件的一個(gè)放電小室的實(shí)例。
圖6A至6B所示為滿足尋址條件的一個(gè)放電小室的實(shí)例。
圖7為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案，根據(jù)驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的一種方法的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖。
圖8為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案，根據(jù)驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的一種方法的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖。
圖9為根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案，用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的一種裝置的方框圖。
具體實(shí)施例方式
此后，本發(fā)明的實(shí)施方案將參照所附的附圖詳細(xì)地被加以說明。
本發(fā)明涉及用于通過抑制等離子體顯示面板內(nèi)不必要的復(fù)位放電而加強(qiáng)對(duì)比度的一種方法。根據(jù)這種方法，在復(fù)位周期期間，復(fù)位放電并不出現(xiàn)在滿足尋址條件的小室中，而僅在不滿足尋址條件的小室中出現(xiàn)，以便于將在面板的黑暗部分所要產(chǎn)生的光線減至最小。在復(fù)位周期期間，具有適當(dāng)極性的適當(dāng)量的壁電荷在每個(gè)地址電極、持續(xù)電極和掃描電極上被形成，以便于調(diào)節(jié)壁電荷的分布使在尋址周期期間尋址操作可以被平穩(wěn)地執(zhí)行。在此，“尋址條件”表示這樣的一些條件，即在這些條件下，在尋址周期內(nèi)，識(shí)別在持續(xù)放電期間即將被開啟的小室和將不被開啟的小室的尋址操作可以被精確地執(zhí)行。因而，即使在復(fù)位周期期間不出現(xiàn)復(fù)位放電，但具有在尋址周期和持續(xù)周期期間允許正常操作的壁電荷的小室被稱為滿足尋址條件的小室。不具備這種壁電荷的小室被稱為不滿足尋址條件的小室。
為了在放電小室中滿足尋址條件，根據(jù)尋址周期期間將被施加到持續(xù)電極的偏壓，大量負(fù)電荷應(yīng)該被積累在掃描電極上，大量正電荷應(yīng)該積累在地址電極上，而且適度量的負(fù)電荷或小量正電荷應(yīng)該積累在持續(xù)電極上。此外，在尋址周期期間，當(dāng)在放電小室中還沒有出現(xiàn)尋址放電時(shí)，在持續(xù)和掃描電極上應(yīng)該保留足夠的在持續(xù)周期期間不會(huì)引起放電的壁電荷。因而，如上所述，本發(fā)明防止在滿足尋址條件的放電小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，而在不滿足尋址條件的放電小室中產(chǎn)生復(fù)位放電以使放電小室滿足尋址條件。
圖4為在滿足尋址條件的放電小室中壁電荷的結(jié)構(gòu)圖。大量負(fù)電荷應(yīng)該被累積在掃描電極Y上且大量正電荷應(yīng)該被累積在地址電極A上，以便于在尋址周期期間當(dāng)尋址電壓和掃描電壓分別被施加到地址電極A和掃描電極時(shí)，可以形成足夠的產(chǎn)生尋址(寫入)放電的壁電荷。在此，根據(jù)在尋址周期期間將被施加到持續(xù)電極X上的偏壓，適當(dāng)量的負(fù)電荷或小量正電荷應(yīng)該被累積在持續(xù)電極X上。
換句話說，圖4顯示了具有壁電荷條件的一種情況，在所述條件下，即使在復(fù)位周期期間沒有出現(xiàn)復(fù)位放電，但在尋址周期期間也可能出現(xiàn)尋址放電。即，在尋址周期期間當(dāng)尋址脈沖被施加到地址電極A，而且同時(shí)地，掃描脈沖被施加到掃描電極Y上時(shí)，由于在兩個(gè)電極A和Y之間形成的壁電壓及施加到這兩個(gè)電極A和Y的脈沖電壓，在地址電極A和掃描電極Y之間應(yīng)該出現(xiàn)放電。
相反，在一個(gè)任意小室的情況下，即在尋址周期期間，尋址脈沖沒有被施加到地址電極且掃描脈沖被施加到掃描電極(即，在寫入未被執(zhí)行的小室的情況下)的情況下，應(yīng)該在地址電極和掃描電極之間形成壁電荷，以使在兩個(gè)電極之間不出現(xiàn)放電，而在掃描電極和持續(xù)電極之間應(yīng)該形成壁電荷，以便于在兩個(gè)電極之間不出現(xiàn)放電。在這種情況下(即，在寫入未被執(zhí)行的小室的情況下)，優(yōu)選地是在復(fù)位周期期間，在地址電極和掃描電極之間形成壁電荷，以便于由地址電極和掃描電極之間形成的壁電荷引起的電勢(shì)差與由尋址周期期間被施加的外部電壓引起的電勢(shì)差之和小于放電起始電壓而大于(放電起始電壓-邊限電壓)。此外，為了防止在尋址周期期間掃描脈沖被施加到掃描電極且預(yù)先設(shè)定電壓被施加到持續(xù)電極的狀態(tài)下在掃描電極和持續(xù)電極之間出現(xiàn)放電，優(yōu)選地是在復(fù)位周期期間在掃描電極和持續(xù)電極之間形成壁電荷，以使由地址電極和掃描電極之間形成的壁電荷引起的電勢(shì)差與由尋址周期期間被施加的外部電壓引起的電勢(shì)差之和小于放電起始電壓。
在此，與最低極限相關(guān)的邊限電壓可以被設(shè)置為40V。原因?qū)⒈患右哉f明。為了在電極之間激發(fā)強(qiáng)烈的放電，有必要施加高于放電起始電壓一定程度的一個(gè)電壓。當(dāng)施加到地址電極用于尋址放電的脈沖電壓約為60-80V時(shí)，復(fù)位周期過后由壁電荷形成的壁電壓可以被設(shè)置為低于放電起始電壓25-40V。因而，當(dāng)在兩個(gè)電極之間施加約為(60-80V)-(24-40V)的外部電壓時(shí)，兩個(gè)電極之間的電壓超過放電起始電壓，因而在地址電極和掃描電極之間出現(xiàn)強(qiáng)烈的放電。因此，在具有如上所述條件的面板的情況下，邊限電壓可以被設(shè)置為約40V。在具有不同條件的面板的情況下，可以施加不同的適當(dāng)值。
同時(shí)，在放電小室不滿足尋址條件情況下的幾個(gè)實(shí)例如下。在第一實(shí)例中，如圖5A所示，正電荷被累積在掃描電極Y上，且負(fù)電荷被累積在地址電極A上。在第二實(shí)例中，由于累積在掃描電極Y上的負(fù)電荷和累積在地址電極A上的正電荷而產(chǎn)生的壁電壓低于預(yù)先設(shè)定的參考電平，這樣如圖5B所示，即使尋址電壓被施加到地址電極A，也不出現(xiàn)尋址(寫入)放電。上述兩個(gè)實(shí)例舉例說明了具有一壁電荷結(jié)構(gòu)的小室，在這種壁電荷結(jié)構(gòu)中，當(dāng)在復(fù)位周期期間不出現(xiàn)復(fù)位放電時(shí)，在尋址周期期間不出現(xiàn)尋址放電。換句話說，在這兩個(gè)實(shí)例中，在尋址周期期間，當(dāng)尋址脈沖和掃描脈沖分別被施加到地址電極和掃描電極時(shí)，在地址電極和掃描電極之間形成壁電荷，以便于由外部電壓(尋址電壓)引起的電勢(shì)差與由在地址電極和掃描電極之間形成的壁電荷引起的電勢(shì)差之和不超出放電起始電壓。
在第三實(shí)例中，大量負(fù)電荷被累積在持續(xù)電極X上，這樣如圖5C所示，即使在尋址周期期間不出現(xiàn)尋址放電，但在持續(xù)周期期間出現(xiàn)持續(xù)放電，這是錯(cuò)誤操作的一個(gè)情況。換句話說，雖然沒有出現(xiàn)尋址放電，但是壁電荷在地址電極和持續(xù)電極之間被形成，以便于在持續(xù)周期期間，由地址電極和持續(xù)電極之間形成的壁電荷引起的電勢(shì)差與外部電勢(shì)差之和超出放電起始電壓。
如圖4所示，本發(fā)明防止在滿足尋址條件的放電小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，如圖5A至5C所示，并在不滿足尋址條件的放電小室中產(chǎn)生復(fù)位放電。通過使?jié)M足尋址條件的放電小室及使不滿足尋址條件的放電小室具有不同的放電特性，這種選擇性的復(fù)位放電可以被實(shí)現(xiàn)，即使通過采用放電小室當(dāng)中的壁電荷分布，使同樣的復(fù)位脈沖信號(hào)被施加于其上。
圖7為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案，根據(jù)驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的一種方法的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖。單個(gè)幀由多個(gè)子場(chǎng)組成。每個(gè)子場(chǎng)被分成復(fù)位周期、尋址周期、持續(xù)周期和消除周期。顯然的是這種實(shí)施方案可以被應(yīng)用到幀不具有子場(chǎng)結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板和幀具有子場(chǎng)結(jié)構(gòu)的等離子體面板。
在復(fù)位周期的早期階段施加一個(gè)方形“復(fù)位脈沖”，而且隨后施加一個(gè)線性減小的“斜坡脈沖”。其間，預(yù)先設(shè)定的電壓被施加到持續(xù)電極，這樣由于在復(fù)位早期階段被施加的一個(gè)復(fù)位脈沖，在掃描電極和持續(xù)電極之間不出現(xiàn)放電。例如，具有預(yù)先設(shè)定電勢(shì)的一個(gè)電壓Vb被施加到持續(xù)電極。電壓Vb被設(shè)置成等于或略高于復(fù)位周期期間的持續(xù)放電電壓Vm而且被設(shè)置成高于或等于尋址周期期間的持續(xù)放電電壓Vm。一個(gè)0電壓被施加到地址電極。
在滿足尋址條件的放電小室中，復(fù)位脈沖電壓(或由于復(fù)位脈沖被施加到地址電極和掃描電極之間的電勢(shì)差)被設(shè)置，以便于由于地址電極和掃描電極之間壁電荷引起的電勢(shì)差與由于復(fù)位脈沖被施加到地址電極和掃描電極之間的電勢(shì)差之和不超出放電起始電壓。例如，優(yōu)選地是，復(fù)位脈沖電壓被設(shè)置成小于一個(gè)值，該值通過將邊限電壓(例如，40V)加上兩倍的放電起始電壓而獲得。(這將在隨后加以說明)至于復(fù)位脈沖電壓的最高極限，超出放電起始電壓的一個(gè)電壓應(yīng)該在地址電極和掃描電極之間被形成，以便于在面板中激發(fā)令人滿意的放電。該超出的電壓相當(dāng)于邊限電壓。因而，當(dāng)邊限電壓被定義為從尋址周期期間被施加到地址電極和掃描電極之間的整個(gè)電勢(shì)差中減去放電起始電壓而獲得的一個(gè)值(通過方程式(3)的左側(cè)減去右側(cè)而獲得的一個(gè)值，該值將在隨后加以說明，該值即方程式(4)中的α)時(shí)，該值甚至可以被施加到具有不同條件的面板。
其間，在不滿足尋址條件的放電小室中，復(fù)位脈沖電壓(或由于復(fù)位脈沖被施加到地址電極和掃描電極之間的電勢(shì)差)被設(shè)置，以使由地址電極和掃描電極之間壁電荷引起的電勢(shì)差與由于復(fù)位脈沖而被施加到地址電極和掃描電極之間的電勢(shì)差之和超出放電起始電壓。例如，優(yōu)選地是，復(fù)位脈沖電壓被設(shè)置成大于通過兩倍的放電起始電壓減去尋址脈沖電壓而獲得的一個(gè)值，或者通過兩倍的放電起始電壓減去兩倍的尋址脈沖電壓而獲得的一個(gè)值(這將在隨后加以說明)。
一旦方形復(fù)位脈沖被施加到掃描電極，則在滿足尋址條件的放電小室中不出現(xiàn)復(fù)位放電，但是卻在不滿足尋址條件的小室中出現(xiàn)，以便于大量負(fù)電荷可以被累積在掃描電極上且大量正電荷可以被累積到地址電極上。在此，當(dāng)尋址電壓被施加時(shí)足夠的電荷被累積以產(chǎn)生尋址放電(參見圖6A)。在放電小室的電極當(dāng)中的這種電荷分布下，當(dāng)線性減小的斜坡脈沖被施加到掃描電極時(shí)，持續(xù)電極和掃描電極之間的電壓差被適當(dāng)?shù)丶右跃S持，以便于放電小室可以具有滿足尋址條件的壁電荷結(jié)構(gòu)，如圖6B所示。在復(fù)位周期后期階段期間被施加的斜坡脈沖可以作為這樣的脈沖被實(shí)現(xiàn)，這種脈沖具有從具有從預(yù)先設(shè)定電平的電壓開始向具有較低掃描脈沖電平或具有高于較低掃描脈沖電平電壓下降的斜率，在所述具有預(yù)先設(shè)定電平的電壓處，在掃描電極和地址電極之間以及掃描電極和持續(xù)電極之間不出現(xiàn)放電。
在復(fù)位周期期間的放電機(jī)理將參照?qǐng)D7所示的波形加以說明。在每個(gè)持續(xù)電極和地址電極被維持為恒定電壓的狀態(tài)下，復(fù)位電壓被施加到掃描電極，以便于在掃描電極和地址電極之間可以出現(xiàn)復(fù)位放電，但是在掃描電極和持續(xù)電極之間的放電被抑制。為了在掃描電極和地址電極之間激發(fā)復(fù)位放電，優(yōu)選地是，被施加到掃描電極的方形復(fù)位脈沖具有一個(gè)復(fù)位電壓，以使掃描電極和地址電極之間的外部電勢(shì)差小于通過預(yù)先設(shè)定邊限(例如，40V)加上兩倍的放電起始電壓而獲得的值2Vfay+40V，且大于通過兩倍的放電起始電壓減去尋址脈沖電壓而獲得的值2Vfay-Va或通過兩倍的放電起始電壓減去兩倍的尋址脈沖電壓而獲得的值2Vfay-2Va(這將在隨后加以說明)。
具有這種脈沖結(jié)構(gòu)的復(fù)位周期可以在每個(gè)子場(chǎng)開始處被執(zhí)行，或者可以在特定的幀或子場(chǎng)中被選擇性地執(zhí)行。
在驅(qū)動(dòng)面板時(shí)，當(dāng)單個(gè)幀被分成多個(gè)子場(chǎng)時(shí)，在復(fù)位周期期間對(duì)每個(gè)幀的第一子場(chǎng)或一些子場(chǎng)施加的復(fù)位脈沖電壓，或者在復(fù)位周期期間對(duì)多個(gè)幀當(dāng)中一些幀的一個(gè)或多個(gè)子場(chǎng)施加的復(fù)位脈沖電壓可以被設(shè)置成高于在其它子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖電壓。換句話說，在復(fù)位周期期間被施加的復(fù)位脈沖電壓在所有的子場(chǎng)當(dāng)中可以是相同的或者根據(jù)子場(chǎng)的位置可以不相同。例如，每個(gè)幀的第一子場(chǎng)的復(fù)位脈沖電壓可以被設(shè)置成比在其它子場(chǎng)中的高。
在一個(gè)子場(chǎng)具有復(fù)位脈沖被設(shè)置成在復(fù)位周期期間相對(duì)低于在其它子場(chǎng)施加的復(fù)位脈沖的一個(gè)電壓的情況下，被施加到掃描電極和地址電極的脈沖電壓被設(shè)置成使由復(fù)位脈沖和尋址脈沖引起的掃描電極和地址電極之間的外部電勢(shì)差與由在掃描電極和地址電極之間累積的壁電荷引起的電勢(shì)差之和在滿足尋址條件的小室中不超出放電起始電壓，而在不滿足尋址條件的小室中超出放電起始電壓。在一個(gè)子場(chǎng)具有復(fù)位脈沖被設(shè)置成相對(duì)高的電壓的情況下，一個(gè)脈沖電壓被設(shè)置成使掃描電極和地址電極之間的外部電勢(shì)差與由掃描電極和地址電極之間所累積的壁電荷引起的電勢(shì)差之和在所有的小室中都超出放電起始電壓。由于復(fù)位脈沖被設(shè)置為相對(duì)較高的電壓而引起的掃描電極和地址電極之間的外部電勢(shì)差大于由于復(fù)位脈沖被設(shè)置為相對(duì)較低的電壓而引起的掃描電極和地址電極之間的外部電勢(shì)差，而且等于或大于兩倍的放電起始電壓。
其次，復(fù)位周期期間在放電小室中的操作將通過多種情況加以說明。當(dāng)方形復(fù)位脈沖被施加到滿足尋址條件的放電小室的掃描電極上時(shí)，如圖4所示，復(fù)位脈沖電壓被具有大量負(fù)電荷的掃描電極和具有大量正電荷的地址電極之間已經(jīng)形成的壁電壓所平衡，所以在放電小室中實(shí)際施加到掃描電極和地址電極之間的電壓低于復(fù)位脈沖電壓。因而，在放電小室中不出現(xiàn)放電。
在放電小室不滿足尋址條件的情況下，因?yàn)檎姾杀焕鄯e在掃描電極上且負(fù)電荷被累積在地址電極上，如圖5A所示，當(dāng)方形復(fù)位脈沖被施加到掃描電極時(shí)，在放電小室中掃描電極和地址電極之間的實(shí)際電壓等于復(fù)位脈沖電壓與壁電荷所形成的電壓之和，因?yàn)樵趻呙桦姌O和地址電極之間所形成的電場(chǎng)與復(fù)位脈沖具有相同的極性。因而，在掃描電極和地址電極之間出現(xiàn)復(fù)位放電，從而引起在地址電極上正電荷的累積及在掃描電極上負(fù)電荷的累積。其后，一旦斜坡脈沖被施加到掃描電極，則放電小室可以具有滿足尋址條件的壁電荷結(jié)構(gòu)。
在即使施加了尋址電壓也不出現(xiàn)尋址(寫入)放電的放電小室的情況下，因?yàn)樵趻呙桦姌O和地址電極之間所形成的壁電荷低于參考電壓，所以在掃描電極和地址電極之間形成了內(nèi)部電場(chǎng)，但是內(nèi)部電場(chǎng)的值是小的。當(dāng)采用復(fù)位脈沖將電壓施加到掃描電極時(shí)，地址電極和掃描電極之間的電壓被這些電極之間已經(jīng)形成的壁電荷所平衡。然而，如果考慮了壁電壓電平，將施加到掃描電極上的方形復(fù)位脈沖的電壓電平設(shè)置成高于預(yù)先設(shè)定的電平時(shí)，則即使所施加的電壓被壁電荷所平衡，但在掃描電極和地址電極之間可以出現(xiàn)復(fù)位放電。因此，足夠的正電荷可以被累積在地址電極上且足夠的負(fù)電荷可以被累積在掃描電極上，以便于其后當(dāng)斜坡脈沖被施加到掃描電極時(shí)，放電小室可以具有滿足尋址條件的壁電荷結(jié)構(gòu)。在此，因?yàn)楸陔姾稍趻呙韬偷刂冯姌O上沿著壁電荷平衡復(fù)位脈沖電場(chǎng)的方向上被形成，可以說放電電荷處于這樣的一個(gè)狀態(tài)，即在這種狀態(tài)下，根據(jù)本發(fā)明采用被假設(shè)可以在不滿足尋址條件的小室中產(chǎn)生復(fù)位放電的復(fù)位脈沖來產(chǎn)生復(fù)位放電是相對(duì)困難的。在其它不滿足尋址條件如在掃描和地址電極不具有壁電荷的小室以及在掃描和地址電極具有相同極性壁電極的小室的情況下，通過利用如圖5B所示情況下所采用的方法，可以產(chǎn)生復(fù)位放電。
其次，在操作過程中可能出現(xiàn)錯(cuò)誤的情況下，如圖5C所示，因?yàn)榇罅控?fù)電荷被累積在放電小室中的持續(xù)電極上，一旦方形脈沖被施加到掃描電極，則在掃描電極和持續(xù)電極之間出現(xiàn)復(fù)位放電，因而減小了持續(xù)電極上過多的負(fù)電荷。其后，在復(fù)位周期的后一階段一個(gè)斜坡電壓被施加到掃描電極上，而且每個(gè)電極上的壁電荷量被斜坡脈沖適當(dāng)?shù)丶右哉{(diào)節(jié)，以便于放電小室可以具有滿足尋址條件的壁電荷結(jié)構(gòu)。
復(fù)位周期后緊隨著尋址周期和持續(xù)周期。在這些周期期間，基本上如圖3所示的相同的操作被執(zhí)行。因此其詳細(xì)說明被省略。其后，如圖7所示，在消除周期期間通過采用從預(yù)先設(shè)定電壓向等于或大于持續(xù)脈沖的高電平電壓線性增加的斜坡脈沖，針對(duì)于單個(gè)子場(chǎng)用于消除在持續(xù)周期期間由持續(xù)放電所形成的壁電荷的消除操作被執(zhí)行。作為選擇地是，可以采用具有窄寬度的脈沖、具有電壓低于持續(xù)放電電壓且具有寬度大于持續(xù)放電脈沖寬度的脈沖，或形狀像對(duì)數(shù)波形的脈沖。用于消除由持續(xù)放電所形成的壁電荷的消除操作可不被執(zhí)行。
圖8為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方案，根據(jù)驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的一種方法的驅(qū)動(dòng)波形的時(shí)序圖。在復(fù)位周期期間，在圖8中的信號(hào)波形同圖7中的信號(hào)波形相同。但是，在消除周期期間，在圖7中消除脈沖被施加到持續(xù)電極，而在圖8中消除脈沖被施加到掃描電極。除了這點(diǎn)不同以外，圖8的波形基本上與圖7的波形相同。此外，在圖7和圖8中面板的驅(qū)動(dòng)操作是相同的。
圖9為根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案，用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的一種裝置的方框圖。將要在面板97中被顯示的一個(gè)模擬圖像信號(hào)被轉(zhuǎn)變成數(shù)字信號(hào)并存儲(chǔ)在幀存儲(chǔ)器91中。幀發(fā)生器92按需要將存儲(chǔ)在幀存儲(chǔ)器91中的數(shù)字信號(hào)劃分并將劃分的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出到掃描電路94。例如，對(duì)于面板97上的灰度等級(jí)，根據(jù)灰度等級(jí)幀發(fā)生器92將存儲(chǔ)在幀存儲(chǔ)器91中的象素?cái)?shù)據(jù)的單個(gè)幀劃分成多個(gè)子場(chǎng)并為每個(gè)子場(chǎng)輸出數(shù)據(jù)。
掃描電路94掃描面板97的掃描電極(Y)驅(qū)動(dòng)器96和持續(xù)電極(X)驅(qū)動(dòng)器95，并包括復(fù)位脈沖發(fā)生器942、尋址脈沖發(fā)生器943、持續(xù)脈沖發(fā)生器944和消除脈沖發(fā)生器941，以用于分別在復(fù)位周期、尋址周期、持續(xù)周期和消除周期期間產(chǎn)生被施加到電極上的信號(hào)波形。復(fù)位脈沖發(fā)生器942產(chǎn)生用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位信號(hào)。尋址脈沖發(fā)生器943產(chǎn)生用于識(shí)別即將被開啟的小室和即將不被開啟的小室并執(zhí)行尋址操作的尋址信號(hào)。持續(xù)脈沖發(fā)生器944產(chǎn)生用于將已經(jīng)被尋址脈沖發(fā)生器943尋址的小室放電的持續(xù)信號(hào)。消除脈沖發(fā)生器941產(chǎn)生用于消除通過持續(xù)放電累積在電極上的壁電荷的消除脈沖。掃描電路94也包括用于合成上述信號(hào)并將合成的信號(hào)施加到每個(gè)電極的合成電路945。時(shí)序控制器93產(chǎn)生幀發(fā)生器92和掃描電路94操作所需要的多種時(shí)序信號(hào)。
下面的說明涉及根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方案的用于驅(qū)動(dòng)面板的操作，而且尤其是在復(fù)位周期期間的操作。應(yīng)注意到參照?qǐng)D7或圖8所說明的在復(fù)位周期期間的波形、操作或設(shè)置電壓也可以被適用到裝置上。在其它周期期間，面板可以用典型的方法被驅(qū)動(dòng)，因而其詳細(xì)說明將被省略。
如圖7或圖8所示，在復(fù)位周期期間復(fù)位脈沖發(fā)生器942將一個(gè)復(fù)位信號(hào)施加到掃描電極上。復(fù)位脈沖發(fā)生器942產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，以便于在滿足尋址條件的小室中不能出現(xiàn)復(fù)位放電，即，具有這樣條件的小室，在所述條件下在尋址周期期間識(shí)別持續(xù)周期期間即將被開啟的小室與在持續(xù)周期期間即將不被開啟的小室的尋址操作可以被正確地執(zhí)行，而且以便于在不滿足尋址條件的小室中可以出現(xiàn)復(fù)位放電。
為了完成這樣的功能，優(yōu)選地是復(fù)位脈沖發(fā)生器942在復(fù)位周期的早期階段施加一個(gè)具有預(yù)先設(shè)定電壓電平的復(fù)位脈沖并在復(fù)位周期的后期階段施加一個(gè)電壓電平逐漸減小的斜坡脈沖。借此，在復(fù)位周期期間，在復(fù)位周期開始時(shí)具有壁電荷結(jié)構(gòu)的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，在該小室中即使在尋址周期期間施加一個(gè)尋址電壓也不能夠出現(xiàn)尋址放電，或者在復(fù)位周期開始時(shí)具有壁電荷結(jié)構(gòu)的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，在該小室中雖然在尋址周期期間尋址放電一直沒有出現(xiàn)，但在持續(xù)周期期間出現(xiàn)持續(xù)放電。
下面的說明涉及圖7或圖8所示的實(shí)施方案中的操作，在該實(shí)施方案中Vs＝170V(在復(fù)位周期期間的初始電壓)、Vset1＝210V(在第一子場(chǎng)中復(fù)位脈沖的電壓)、Vset2＝200V(在非第一子場(chǎng)中的復(fù)位脈沖的電壓)、Vb＝180V(在復(fù)位周期期間和尋址周期期間持續(xù)電極的電壓)、Va＝75V(尋址電壓)及Vsc＝70V(掃描電壓)。在此，Vset1或Vset2意味著對(duì)應(yīng)于復(fù)位周期的初始電壓Vs和復(fù)位脈沖最高電壓之間電勢(shì)差的一個(gè)電壓。
(a)在放電小室滿足尋址條件的情況下，在下面條件下復(fù)位脈沖不產(chǎn)生放電。
壁電荷已經(jīng)被形成，以便于在放電小室中可以出現(xiàn)尋址放電。在此，由累積在地址電極上的壁電荷引起的壁電壓由Vaw1表示、由累積在掃描電極上的壁電荷引起的壁電壓由Vyw1表示，且用于產(chǎn)生地址電極和掃描電極之間放電的放電起始電壓由Vfay表示。在尋址周期期間，掃描電極被維持在接地電壓，而且被施加到地址電極上的電壓由Va表示。
當(dāng)復(fù)位脈沖被施加到掃描電極上時(shí)，地址電極和掃描電極之間的內(nèi)部電壓由方程式(1)的左側(cè)來表達(dá)。因?yàn)榉烹娦∈揖哂袧M足尋址條件的壁電荷結(jié)構(gòu)，所以地址和掃描電極之間的電壓應(yīng)該不大于放電起始電壓。因此，兩個(gè)電極之間的電壓可以由下面的方程式表達(dá)。即，復(fù)位脈沖電壓減去掃描電極和地址電極之間的壁電壓的結(jié)果小于放電起始電壓。
(Vs+Vset)-(Vaw1-Vyw1)＜Vfay…(1)即，Vs+Vset＜Vfay-Vyw1+Vaw1…(2)其間，因?yàn)榉烹娦∈业谋陔姾山Y(jié)構(gòu)滿足尋址條件，所以當(dāng)尋址電壓被施加到放電小室時(shí)，出現(xiàn)放電。因而，電壓之間的關(guān)系可以由下面的方程式表達(dá)Va+(Vaw1+Vyw1)≥Vfay…(3)在上面的方程式中，當(dāng)Va被移項(xiàng)到右側(cè)且通過左側(cè)減去右側(cè)所得到的值被定義為α?xí)r，可以得到下面的方程式。
Vaw1-Vyw1＝Vfay-Va+α，
而且這里，α＝Va+(Vaw1-Vyw1)-Vfay(＞0)…(4)當(dāng)方程式(4)與方程式(2)結(jié)合時(shí)，關(guān)于復(fù)位脈沖電壓的方程式可以被表示如下。
Vs+Vset＜2Vfay-Va+α …(5)在方程式(5)中，α表示通過尋址電壓Va與由地址電極和掃描電極上所形成的壁電荷引起的電勢(shì)差Vaw1-Vyw1之和減去放電起始電壓Vfay所得到的一個(gè)值。如果在地址電極和掃描電極之間所形成的壁電壓與放電起始電壓相同，則α與尋址電壓Va相同，且方程式(5)中的復(fù)位電壓Vs+Vset變成2*Vfay，即兩倍的放電起始電壓。換句話說，當(dāng)在復(fù)位周期期間施加為放電起始電壓兩倍的復(fù)位電壓時(shí)，在復(fù)位周期期間在地址電極和掃描電極之間所形成的壁電壓同放電起始電壓相同。在實(shí)際的復(fù)位操作中，當(dāng)考慮了脈沖寬度、放電延遲和放電強(qiáng)度后將邊限設(shè)置約為40V時(shí)，復(fù)位電壓的最高極限是2*Vfay+40V。
(b)如圖5A或5B所示，在具有尋址周期期間不可能出現(xiàn)尋址放電的壁電荷結(jié)構(gòu)的放電小室的情況下，由復(fù)位周期期間就在復(fù)位脈沖被施加之前累積在掃描電極和地址電極上的壁電荷引起的壁電壓分別由Vyw2和Vaw2表達(dá)，而且其它參數(shù)同情況(a)中的相同。當(dāng)復(fù)位脈沖被施加時(shí)，地址電極和掃描電極之間的內(nèi)部電場(chǎng)可以由下面方程式的左側(cè)表達(dá)，而且為了在復(fù)位周期期間采用復(fù)位脈沖在地址電極和掃描電極之間產(chǎn)生復(fù)位放電，下面的條件應(yīng)該得到滿足。換句話說，復(fù)位脈沖電壓與掃描電極和地址電極之間的壁電壓相加的結(jié)果等于或大于放電起始電壓。
(Vs+Vset)+(Vyw2-Vaw2)＞Vfay…(6)即，
Vs+Vset＞Vfay-Vyw2+Vaw2…(7)其間，因?yàn)樵趯ぶ分芷谄陂g在當(dāng)前的壁電荷結(jié)構(gòu)中不可能出現(xiàn)尋址放電，所以在尋址周期期間下面的條件得到滿足。即，即使在尋址周期期間尋址電壓被施加到地址電極，掃描電極和地址電極之間的電壓仍小于放電起始電壓。
Va+(Vaw2-Vyw2)＜Vfay…(8)Vaw2-Vyw2＝Vfay-Va-β，且這里，β＝Vfay-(Va+Vaw2-Vyw2)(＞0)…(9)當(dāng)方程式(9)與方程式(7)結(jié)合時(shí)，關(guān)于復(fù)位脈沖電壓的方程式可以被表示如下。
Vs+Vset＞2Vfay-Va-β …(10)在方程式(10)中，β表示放電起始電壓Vfay同尋址電壓Va與地址電極和掃描電極之間所形成的壁電壓Vaw2-Vyw2之和的差。當(dāng)小室不可以被尋址時(shí)，在地址電極和掃描電極之間所形成的壁電壓是小的，或者即使若干壁電荷被累積在兩個(gè)電極之間，當(dāng)尋址電壓被施加時(shí)，壁電壓仍然不超出放電起始電壓。
在具有小的壁電壓的情況下，壁電壓Vaw2-Vyw2接近零，而且方程式(10)中的β變成放電起始電壓與尋址電壓之差。因而，復(fù)位電壓應(yīng)該大于放電起始電壓。在壁電壓未超出放電起始電壓的情況下，當(dāng)尋址電壓與壁電壓之和，即Va+Vaw2-Vyw2僅僅略小于放電起始電壓時(shí)，β接近于零。因而復(fù)位電壓應(yīng)該大于2Vfay-Va，即通過兩倍的放電起始電壓減去尋址電壓所得到的值。將上述兩種情況考慮進(jìn)去后，鑒于誤差或操作邊限優(yōu)選地是將復(fù)位電壓的下限設(shè)置成2(Vfay-Va)，雖然理論的下限為2Vfay-Va。
換句話說，在少許壁電壓必須被額外地加到尋址電壓Va以激發(fā)尋址放電的狀態(tài)下，當(dāng)正電荷被形成在地址電極上且負(fù)電荷被形成在掃描電極上時(shí)，復(fù)位電壓應(yīng)該為最大。在此，在與復(fù)位脈沖極性相反的方向上所形成的壁電壓應(yīng)該被平衡，而且放電起始電壓應(yīng)該是新近被形成。因而，由兩倍的放電起始電壓減去尋址電壓所得到的值2Vfay-Va是滿足所有條件的復(fù)位脈沖的最低電壓值。將除這樣的理論下限之外的面板操作特性加以考慮后，預(yù)先設(shè)定的邊限量可以被考慮。
(c)在這種情況下，放電小室具有如圖5C所示的壁電荷結(jié)構(gòu)，即在地址電極和持續(xù)電極之間出現(xiàn)放電，這是因?yàn)樵趯ぶ分芷诘哪┢诋?dāng)持續(xù)電極的電勢(shì)被接地時(shí)，在持續(xù)電極上已經(jīng)形成了過量的負(fù)電荷。在本發(fā)明中，對(duì)于具有如此壁電荷結(jié)構(gòu)的放電小室，通過采用復(fù)位脈沖在持續(xù)電極和掃描電極之間產(chǎn)生放電，以從持續(xù)電極除去過量的負(fù)電荷。結(jié)果是，正電荷被累積在持續(xù)電極上。這些正電荷不影響尋址操作，因?yàn)樵趶?fù)位周期期間它們可以被斜坡脈沖消除。正相反，累積在持續(xù)電極上的正電荷在持續(xù)電極和掃描電極之間形成了適當(dāng)?shù)碾妶?chǎng)，這樣它們可以有利地對(duì)尋址操作發(fā)揮作用。
當(dāng)在復(fù)位周期期間就在復(fù)位脈沖被施加之前由掃描電極和地址電極上的壁電荷引起的壁電壓分別被表示為Vyw3和Vaw3，由在尋址周期結(jié)束時(shí)當(dāng)持續(xù)電極的電勢(shì)從Vb降到接地零電位時(shí)允許在地址電極和持續(xù)電極之間出現(xiàn)放電的持續(xù)電極上的壁電荷引起的壁電壓由Vxx表示，地址電極和持續(xù)電極之間的放電起始電壓由Vfax表示，掃描電極和持續(xù)電極之間的放電起始電壓由Vfxy表示時(shí)，在下面的條件下在地址電極和持續(xù)電極之間出現(xiàn)錯(cuò)誤的放電。
Vaw3-Vxx≥Vfax…(11)-Vxx＝Vfax-Vaw3+γ，
而且在此，γ＝Vaw3-Vxx-Vfax(＞0) …(12)為了利用復(fù)位脈沖在持續(xù)電極和掃描電極之間產(chǎn)生放電，下面的條件應(yīng)該得到滿足。
(Vs+Vset)-Vb+(Vyw3-Vxx)＞Vfxy…(13)當(dāng)方程式(12)與方程式(13)結(jié)合時(shí)，構(gòu)成下面的方程式。
(Vs+Vset)-Vb＞Vfxy-Vyw3-Vfax+Vaw3-γ …(14)例如，當(dāng)Vfay＝230V，Vfxy＝260V且Va＝70V時(shí)，復(fù)位脈沖的電壓條件由從方程式(5)得到的下面方程式表示。即，在滿足尋址條件的放電小室中復(fù)位放電不出現(xiàn)的這一條件由方程式(15)表示。
Vs+Vset＜390V+α …(15)其次，如圖5C或5B所示在不滿足尋址條件的放電小室中出現(xiàn)復(fù)位放電的這一條件由從方程式(10)得到的下面方程式表示。
Vs+Vset＞390V-β …(16)此外，如圖5C所示，在可能出現(xiàn)錯(cuò)誤放電的放電小室的情況下，當(dāng)假設(shè)Vaw1＝70V且Vyw2＝-80V時(shí)，為了在采用復(fù)位脈沖的放電小室中產(chǎn)生放電下面的條件應(yīng)該得到滿足。
Vs+Vset-Vb＞180V-γ…(17)
當(dāng)根據(jù)方程式(15)至(17)的條件設(shè)置復(fù)位脈沖電壓時(shí)，在滿足尋址條件的小室中不出現(xiàn)復(fù)位放電而僅在不滿足尋址條件的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電。換句話說，在復(fù)位脈沖電壓小于方程式的右側(cè)的條件下，在圖5A或圖5B的情況下方程式(16)應(yīng)該得到滿足，而且在圖5C的情況下方程式(17)應(yīng)該得到滿足。因而，考慮電極結(jié)構(gòu)或壁電荷的分布設(shè)置復(fù)位脈沖電壓的范圍。雖然如圖4至圖5C所示放電小室的壁電荷結(jié)構(gòu)不同，但是復(fù)位脈沖電壓可以被適當(dāng)?shù)貜囊陨鲜龇匠淌綖闂l件的范圍中加以選擇，因而完成選擇性的復(fù)位放電。
當(dāng)考慮到已經(jīng)滿足尋址條件的小室隨著時(shí)間的消逝自然地?fù)p失壁電荷直到不再滿足尋址條件的這一情況，或由于小室間物理特性的不同引起小室間放電起始電壓的不同的這一情況，通過保障方程式(15)至方程式(17)中α、β和γ的預(yù)先設(shè)定范圍，波形的操作范圍可以被有利地保障。為此，在每個(gè)幀的第一子場(chǎng)中的復(fù)位脈沖電壓或者在多個(gè)幀中的特定子場(chǎng)的復(fù)位脈沖電壓被設(shè)置成高于其它子場(chǎng)中的該值。因而，雖然在具有較高復(fù)位脈沖的子場(chǎng)中在滿足尋址條件的一些小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，可能更有利地是允許復(fù)位放電出現(xiàn)在處于滿足尋址條件和不滿足尋址條件之間分界線處的模糊狀態(tài)的小室中。
如圖3所示，當(dāng)按照傳統(tǒng)方法執(zhí)行復(fù)位操作時(shí)的對(duì)比度為500∶1時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案當(dāng)執(zhí)行復(fù)位操作時(shí)對(duì)比度被改善到超出15000∶1。此外，當(dāng)根據(jù)傳統(tǒng)方法復(fù)位周期的時(shí)間大約為290*12＝3480μs時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方案復(fù)位周期的時(shí)間大約為120*12＝1440μs。根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)閺?fù)位放電被選擇性地加以執(zhí)行，所以復(fù)位周期的時(shí)間可以被降低到約41％。
如上所述，在根據(jù)本發(fā)明用于驅(qū)動(dòng)等離子體面板的方法和裝置中，在復(fù)位周期期間，在滿足尋址條件的小室中不出現(xiàn)放電而僅在不滿足尋址條件的小室中出現(xiàn)放電，以便于不必要的復(fù)位放電可以被抑制，因而使黑暗部分更加黑暗。因而，對(duì)比度可以被大大地改善，而且復(fù)位周期的時(shí)間可以被縮短。
權(quán)利要求
1.一種驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法，該方法包括用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位周期、用于識(shí)別在持續(xù)周期即將被開啟的小室與即將不被開啟的小室的尋址周期，以及用于將已尋址小室放電的持續(xù)周期，該方法包括施加一個(gè)復(fù)位信號(hào)，以防止在具有條件下的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，在所述條件下在尋址周期期間可能出現(xiàn)尋址放電，并允許在不具備上述條件的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電。
2.權(quán)利要求1中的方法，其中當(dāng)根據(jù)小室在復(fù)位周期開始時(shí)的壁電荷結(jié)構(gòu)加以確定后，施加復(fù)位信號(hào)以便于在具有即使在尋址周期期間施加一個(gè)尋址電壓但也不能出現(xiàn)尋址放電的壁電荷結(jié)構(gòu)的小室中或者在具有即使在尋址周期期間不出現(xiàn)尋址放電但在持續(xù)周期期間出現(xiàn)持續(xù)放電的壁電荷結(jié)構(gòu)的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電。
3.權(quán)利要求1中的方法，其中復(fù)位信號(hào)被施加，以便于防止在具有條件的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，在這些條件下在尋址周期期間當(dāng)尋址電壓被施加時(shí)可能在那里出現(xiàn)尋址放電，因?yàn)樵谛∈抑?，大量的?fù)電荷被累積在掃描電極上、大量的正電荷被累積在地址電極上且小量的負(fù)電荷或適量的正電荷被累積在持續(xù)電極上。
4.權(quán)利要求1中的方法，其中復(fù)位信號(hào)被施加，以使復(fù)位放電在具有條件的小室中被產(chǎn)生，在這些條件下即使在尋址周期期間施加尋址電壓也不可能在那里出現(xiàn)尋址放電，因?yàn)檎姾杀焕鄯e在掃描電極上且負(fù)電荷被累積在地址電極上。
5.權(quán)利要求1中的方法，其中復(fù)位信號(hào)被施加以使復(fù)位放電在具有條件的小室中被產(chǎn)生，在這些條件下即使在尋址周期期間施加尋址電壓也不可能在那里出現(xiàn)尋址放電，因?yàn)橛衫鄯e在掃描電極上的負(fù)電荷和累積在地址電極上的正電荷而形成的壁電壓低于預(yù)先設(shè)定的參考電壓。
6.權(quán)利要求1中的方法，其中復(fù)位信號(hào)被施加，以使在掃描電極或地址電極上基本上沒有形成壁電荷或在掃描電極和地址電極上形成具有相同極性的壁電荷的小室中產(chǎn)生復(fù)位放電。
7.權(quán)利要求1中的方法，其中復(fù)位信號(hào)被施加，以使復(fù)位放電在具有條件的小室中被產(chǎn)生，在這些條件下即使在尋址周期期間沒有出現(xiàn)尋址放電但是在持續(xù)周期期間可能在那里出現(xiàn)持續(xù)放電。
8.權(quán)利要求1中的方法，其中當(dāng)單個(gè)幀被分成多個(gè)子場(chǎng)時(shí)，在復(fù)位周期期間在每個(gè)幀的一個(gè)子場(chǎng)或多個(gè)子場(chǎng)或者在多個(gè)幀當(dāng)中的一個(gè)或多個(gè)幀中的一個(gè)或多個(gè)子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖電壓可以被設(shè)置成高于在復(fù)位周期期間在其它子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖電壓。
9.權(quán)利要求1中的方法，其中在復(fù)位周期期間施加一個(gè)復(fù)位波形，其中在復(fù)位周期的早期階段施加一個(gè)具有預(yù)先設(shè)定的電壓電平的復(fù)位脈沖，而且在復(fù)位周期的后期階段施加一個(gè)具有逐漸減小的電壓電平的斜坡脈沖。
10.權(quán)利要求9中的方法，其中持續(xù)周期期滿后，具有預(yù)先設(shè)定寬度的脈沖信號(hào)或者具有電壓從預(yù)先設(shè)定電壓向與持續(xù)脈沖高電平電壓相同或更高的電壓逐漸增加的斜坡信號(hào)被施加到持續(xù)或掃描電極，由此完成消除放電。
11.權(quán)利要求9中的方法，其中在復(fù)位周期內(nèi)被施加到持續(xù)電極上的電壓是恒定的。
12.權(quán)利要求9中的方法，其中當(dāng)單個(gè)幀被分成多個(gè)子場(chǎng)時(shí)，在至少一個(gè)子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖的電壓電平不同于在其它的子場(chǎng)的復(fù)位脈沖的電壓電平。
13.權(quán)利要求1中的方法，其中在被施加到持續(xù)和地址電極的電壓分別維持為恒量的同時(shí)，當(dāng)在復(fù)位周期期間將復(fù)位電壓施加到掃描電極時(shí)，復(fù)位放電基本上被產(chǎn)生在掃描和地址電極之間而且基本上防止了其在掃描和持續(xù)電極之間出現(xiàn)。
14.驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的一種方法，該方法包括用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位周期、用于識(shí)別在持續(xù)周期即將被開啟的小室與即將不被開啟的小室的尋址周期、以及用于將已尋址小室放電的持續(xù)周期，該方法包括在復(fù)位周期期間施加一個(gè)復(fù)位波形，其中在復(fù)位周期的早期階段施加具有預(yù)先設(shè)定的電壓電平的復(fù)位脈沖，而且在復(fù)位周期的后期階段施加具有逐漸減小的電壓電平的斜坡脈沖。
15.權(quán)利要求14中的方法，其中持續(xù)周期期滿后，具有預(yù)先設(shè)定寬度的脈沖信號(hào)或者具有電壓從預(yù)先設(shè)定電壓向與持續(xù)脈沖高電平電壓相同或更高的電壓逐漸增加的斜坡信號(hào)被施加到持續(xù)或掃描電極，從而執(zhí)行了消除放電。
16.權(quán)利要求14中的方法，其中在復(fù)位周期內(nèi)被施加到持續(xù)電極上的電壓是恒定的。
17.權(quán)利要求14中的方法，其中當(dāng)單個(gè)幀被分成多個(gè)子場(chǎng)時(shí)，在至少一個(gè)子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖的電壓電平不同于在其它的子場(chǎng)的復(fù)位脈沖的電壓電平。
18.權(quán)利要求14中的方法，其中斜坡脈沖逐漸從預(yù)先設(shè)定的電壓向與掃描脈沖的低電平電壓相同或更高的電壓減小。
19.權(quán)利要求14中的方法，其中當(dāng)單個(gè)幀被分成多個(gè)子場(chǎng)時(shí)，在至少一個(gè)子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖的電壓被設(shè)置成高于在其它的子場(chǎng)中所施加的復(fù)位脈沖電壓。
20.權(quán)利要求14中的方法，其中當(dāng)根據(jù)復(fù)位周期開始時(shí)的壁電荷結(jié)構(gòu)加以確定后，防止在具有條件的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，在所述條件下由于尋址周期期間的尋址電壓可能在那里出現(xiàn)尋址放電。
21.一種驅(qū)動(dòng)等離子顯示面板的方法，該方法包括用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位周期、用于識(shí)別在持續(xù)周期即將被開啟的小室與即將不被開啟的小室的尋址周期、以及用于將已尋址小室放電的持續(xù)周期，該方法包括在分別被施加到持續(xù)和地址電極的電壓維持為恒量的同時(shí)，在復(fù)位周期期間向掃描電極施加復(fù)位電壓，以便于復(fù)位放電基本上出現(xiàn)在掃描和地址電極之間而且基本上防止了其在掃描和持續(xù)電極之間出現(xiàn)。
22.權(quán)利要求21中的方法，其中復(fù)位電壓以矩形脈沖波形被施加到掃描電極。
23.權(quán)利要求21中的方法，其中當(dāng)單個(gè)幀被分成多個(gè)子場(chǎng)時(shí)，在至少一個(gè)子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖的電壓電平不同于在其它的子場(chǎng)的復(fù)位脈沖的電壓電平。
24.權(quán)利要求22中的方法，其中在矩形脈沖被施加后，逐漸從預(yù)先設(shè)定的電壓向與掃描脈沖的低電平電壓相同或更高的電壓減小的斜坡脈沖被施加。
25.用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的一種裝置，該裝置包括復(fù)位信號(hào)發(fā)生器，其用于產(chǎn)生用于初始化每個(gè)小室狀態(tài)的復(fù)位信號(hào)；尋址信號(hào)發(fā)生器，其用于產(chǎn)生用于識(shí)別即將被開啟的小室和即將不被開啟的小室的尋址信號(hào)；以及持續(xù)信號(hào)發(fā)生器，其用于產(chǎn)生用于將尋址信號(hào)發(fā)生器所尋址的小室放電的持續(xù)信號(hào)，其中復(fù)位信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)以防止在滿足條件的小室中出現(xiàn)復(fù)位放電，在這些條件下由于尋址信號(hào)尋址放電通?？梢员粓?zhí)行，并在不滿足這些條件的小室中產(chǎn)生復(fù)位放電。
26.權(quán)利要求25中的裝置，其中復(fù)位信號(hào)發(fā)生器在復(fù)位周期的早期階段施加具有預(yù)先設(shè)定的電壓電平的復(fù)位脈沖，并在復(fù)位周期的后期階段施加具有逐漸減小的電壓電平的斜坡脈沖。
27.權(quán)利要求25中的裝置，其中，當(dāng)根據(jù)復(fù)位周期開始時(shí)小室的狀態(tài)加以確定后，復(fù)位信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，以便于在具有條件的小室中產(chǎn)生復(fù)位放電，在所述條件下，即使在尋址周期期間不出現(xiàn)尋址放電但是持續(xù)放電可能出現(xiàn)。
28.權(quán)利要求25中的裝置，其中在復(fù)位周期期間復(fù)位信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生具有恒定電壓的復(fù)位信號(hào)。
29.權(quán)利要求25中的裝置，其中當(dāng)單個(gè)幀被分成多個(gè)子場(chǎng)時(shí)，在復(fù)位周期期間在每個(gè)幀的第一子場(chǎng)或一些子場(chǎng)或者在多個(gè)幀當(dāng)中一個(gè)或多個(gè)幀的一個(gè)或多個(gè)子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖電壓可以被設(shè)置成高于在復(fù)位周期期間在其它子場(chǎng)所施加的復(fù)位脈沖電壓。
30.權(quán)利要求25中的裝置，其中在被施加到持續(xù)和地址電極的電壓分別維持為恒量的同時(shí)，當(dāng)在復(fù)位周期期間將復(fù)位電壓施加到掃描電極時(shí)，復(fù)位放電基本上被產(chǎn)生在掃描和地址電極之間而且基本上防止了其在掃描和持續(xù)電極之間出現(xiàn)。
全文摘要
提供有一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示面板的方法和裝置,在該面板中根據(jù)在放電小室中壁電荷的分布復(fù)位放電被選擇性地執(zhí)行。該方法包括施加一個(gè)復(fù)位信號(hào),以防止復(fù)位放電出現(xiàn)在具有條件的小室中,在這些條件下在尋址周期期間可能出現(xiàn)尋址放電,并允許復(fù)位放電出現(xiàn)在不滿足上述條件的小室中。從而,不必要的復(fù)位放電可以被抑制,因此使黑暗部分更加黑暗。因而,對(duì)比度可以被大大地改善,而且復(fù)位周期的時(shí)間可以被縮短。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1377019SQ011302
公開日2002年10月30日 申請(qǐng)日期2001年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月23日
發(fā)明者金鎮(zhèn)成, 孫晉釜 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社