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掃描發(fā)光芯片及打印頭的制作方法_3

文檔序號:9557830閱讀:來源:國知局
管化無須連接至發(fā)光控制 線φ?,將使得線路設(shè)計更為簡單,也無須將第一個發(fā)光閩流體L1遮蓋住,并且僅需二移位 信號線Φ1、Φ2及一發(fā)光控制線φ?即可微調(diào)發(fā)光閩流體L何時開始發(fā)光及各發(fā)光閩流體L的發(fā)光時間。
[0077] 在此,移位電路300負載電阻R相對于接地電阻Rs具有一比例關(guān)系,亦即接地電 阻Rs與負載電阻R的比值位于0. 01至1. 5的范圍內(nèi)。在一實施例中,接地電阻Rs與負載 電阻R的比值位于0. 1至0. 5的范圍內(nèi)。在此,接地電阻Rs可為化歐姆(Ohm),負載電阻 R可為10k歐姆,第一二極管D與第二二極管化的障壁電壓約為1. 5伏特(Volt)。
[0078] 請參見圖11,圖11為本發(fā)明第二實施例的掃描發(fā)光忍片的移位信號線Φ1、Φ2信 號示意圖。與前述第一實施例相同,移位信號線Φ1、Φ2的信號為兩相互交錯的時脈,而在 初始期間to內(nèi),每一發(fā)光閩流體L都不發(fā)光。在第一個發(fā)光期間tl內(nèi),第一個發(fā)光閩流體 L1發(fā)光;在第二個發(fā)光期間t2內(nèi),第二個發(fā)光閩流體L2發(fā)光;在第Ξ個發(fā)光期間t3內(nèi),第 Ξ個發(fā)光閩流體L3發(fā)光,W此類推。
[0079] 圖12至圖15分別為本發(fā)明第二實施例的初始期間to及發(fā)光時間tl、t2、t3的 移位閩流體Τ的柵極端電位示意圖。請先合并參照圖11與圖12,于初始期間to內(nèi),由于 第一個移位閩流體T1尚未作動,而低位準線VGA的電壓約為-3.3伏特。因此,第一個移位 閩流體T1的柵極端G1電位約為-1. 67伏特。而其后的移位閩流體T2的柵極端G2電位則 因第一二極管D1的障壁電壓而為-3. 1伏特,而其余的移位閩流體T3、T4等的柵極端(如 G3、G4)電位則為-3. 3伏特。
[0080] 再請參照圖11及圖13,在發(fā)光期間tl中,由于移位信號線Φ1轉(zhuǎn)變?yōu)?3. 3伏特, 使得第一個移位閩流體T1得W作動,因此第一個移位閩流體T1的柵極端G1電位為0伏特。 因第一二極管D的障壁電壓的緣故,移位閩流體T2的柵極端G2、移位閩流體T3的柵極端 G3及移位閩流體T4的柵極端G4的電位分別為-1. 5伏特、-3. 1伏特及-3. 3伏特。
[0081] 接著如圖11、圖13及圖14所示,移位閩流體T2的柵極端G2電位原為-1. 5伏特, 在發(fā)光期間t2中,由于移位信號線Φ2轉(zhuǎn)變?yōu)?3. 3伏特,造成第二個移位閩流體T2啟動, 使得其柵極端G2電位變?yōu)?伏特。因第一二極管D的障壁電壓的緣故,移位閩流體T3的 柵極端G3及移位閩流體T4的柵極端G4的電位分別為-1. 5伏特及-3. 1伏特。此時,第一 個移位閩流體T1的柵極端G1電位再回復(fù)到-1. 67伏特。
[0082] 如圖11、圖14及圖15所示,移位閩流體T3的柵極端G3電位原為-1. 5伏特,在發(fā) 光期間t3中,由于移位信號線Φ1轉(zhuǎn)變?yōu)?3. 3伏特,造成第Ξ個移位閩流體T3啟動,使得 其柵極端G3電位變?yōu)?伏特。此時,因第一個移位閩流體T1不作動,因此其柵極端G1電 位仍維持為-1. 67伏特。同樣地,因第一二極管D的障壁電壓的緣故,移位閩流體T2的柵 極端G2及移位閩流體T4的柵極端G4的電位分別為-3. 17伏特及-1. 5伏特。
[0083] 由上述說明可W理解,藉由接地電阻Rs與負載電阻R的阻值設(shè)計讓第二二極管化 的第一端37電位在初始期間達到可使移位閩流體T作動的電位,配合適當?shù)牡谝欢O管D 障壁電壓,使得作動的移位閩流體T的下一個移位閩流體T的柵極端33維持在可使移位閩 流體T作動的電位,配合移位信號線的時脈,移位閩流體T便可依序作動。于此,第二二極 管化的第一端37電位(即第一個移位閩流體T1的柵極端G1電位,于此為-1. 67伏特) 低于作動的移位閩流體τ所連接的第一二極管D的陰極端電位(于此為-1. 5伏特)。
[0084] 在此,如同前述,本實施例的掃描發(fā)光忍片亦可應(yīng)用于打印頭,可如前述圖3所示 的排列方式,設(shè)置多個掃描發(fā)光忍片于打印頭。
[0085] 當然,本發(fā)明還可有其他多種實施例,在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下,熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形,但運些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種掃描發(fā)光芯片,其特征在于,包含: 一移位電路,包含: 多個移位閘流體,間隔地區(qū)分為多個群組; 多個第一二極管,依序串接,且各該第一二極管分別電連接于兩相鄰的該些移位閘流 體之間; 多個移位信號線,每一該移位信號線分別電性連接屬于該些群組其中之一的該些移位 閘流體,其中該些移位信號線的數(shù)量與該些群組的數(shù)量相同;及 一第二二極管,具有一第一端及一第二端,該第二二極管的該第一端電連接于該些第 一二極管中的第一個該第一二極管與對應(yīng)的該移位閘流體的連接處;以及 一發(fā)光電路,包含: 多個發(fā)光閘流體,各該發(fā)光閘流體對應(yīng)電連接該些移位閘流體的其中之一;及 一發(fā)光控制線,電性連接該些發(fā)光閘流體,并電連接至該第二二極管的該第二端。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描發(fā)光芯片,其特征在于,該第二二極管的該第一端為陰 極端,該第二二極管的該第二端為陽極端。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描發(fā)光芯片,其特征在于,該發(fā)光電路更包含一遮光片,該 遮光片覆蓋于該些發(fā)光閘流體中相鄰于該第二二極管的該發(fā)光閘流體上。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掃描發(fā)光芯片,其特征在于,該遮光片的材質(zhì)為鋁。5.-種掃描發(fā)光芯片,其特征在于,包含: 一移位電路,包含: 多個移位閘流體,間隔地區(qū)分為多個群組; 多個第一二極管,依序串接,且各該第一二極管分別電連接于兩相鄰的該些移位閘流 體之間; 多個移位信號線,每一該移位信號線分別電性連接屬于該些群組其中之一的該些移位 閘流體,其中該些移位信號線的數(shù)量與該些群組的數(shù)量相同; 一第二二極管,具有一第一端及一第二端,該第二二極管的該第一端電連接于該些第 一二極管中的第一個該第一二極管與對應(yīng)的該移位閘流體的連接處;及 一接地電阻,一端電連接至該第二二極管的該第二端,另一端接地;以及 一發(fā)光電路,包含: 多個發(fā)光閘流體,各該發(fā)光閘流體對應(yīng)電連接該些移位閘流體的其中之一;及 一發(fā)光控制線,電性連接該些發(fā)光閘流體。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的掃描發(fā)光芯片,其特征在于,該移位電路更包含多個負載電 阻,各該多個負載電阻分別電連接各該第一二極管與對應(yīng)的該移位閘流體與該發(fā)光閘流體 的連接處。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掃描發(fā)光芯片,其特征在于,該接地電阻與該負載電阻的電 阻值的比值位于0. 01至1. 5的范圍內(nèi)。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的掃描發(fā)光芯片,其特征在于,該接地電阻與該負載電阻的電 阻值的比值位于0. 1至0. 5的范圍內(nèi)。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掃描發(fā)光芯片,其特征在于,該多個移位閘流體依序作動,該 第二二極管的該第一端電位低于作動的該移位閘流體所連接的該第一二極管的陰極端電 位。10. -種打印頭,其特征在于,包含多個如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的掃描發(fā)光 芯片。
【專利摘要】一種掃描發(fā)光芯片及其打印頭。掃描發(fā)光芯片主要具有移位電路及發(fā)光電路。移位電路包含多個移位閘流體、多個第一二極管、第二二極管及多個移位信號線。發(fā)光電路包含多個發(fā)光閘流體及一發(fā)光控制線。第一二極管依序串接,且各第一二極管分別電連接于兩相鄰的移位閘流體之間。第二二極管的第一端電連接于第一個第一二極管與其對應(yīng)的移位閘流體的連接處。第二二極管的第二端可連接至發(fā)光控制線或經(jīng)由接地電阻連接至接地。藉此,可僅使用很少的控制線來啟動移位電路與控制發(fā)光閘流體發(fā)光。
【IPC分類】H01L27/15, B41J2/145, B41J2/14
【公開號】CN105313470
【申請?zhí)枴緾N201510304065
【發(fā)明人】吳俊毅
【申請人】日昌電子股份有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年6月5日
【公告號】US20150375522
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