地施加到第一導(dǎo)電壁部61a的每側(cè)。因此，可以進(jìn)一步增加在第一連通開口 42a的周圍的密封的密封性或有效性。此外，優(yōu)選的是:設(shè)置在一個(gè)第一導(dǎo)電壁部61a的在片材饋送方向上的上游上的驅(qū)動(dòng)布線35和設(shè)置在所述一個(gè)第一導(dǎo)電壁部61a的在片材饋送方向上的下游上的驅(qū)動(dòng)布線35離該第一導(dǎo)電壁部61a等間隔。
[0072]如圖4中所示，在未設(shè)置壓電元件36的區(qū)域中，公共電極31、保護(hù)層37和38以及驅(qū)動(dòng)布線35依次從振動(dòng)板30側(cè)層積。公共電極31的一部分被設(shè)置在振動(dòng)板30的連通開口 42的周圍的區(qū)域處。換言之，經(jīng)由保護(hù)層37和38，導(dǎo)電壁部61的導(dǎo)電部62和公共電極31在連通開口 42的周圍彼此重疊。在該結(jié)構(gòu)中，從驅(qū)動(dòng)布線35朝向振動(dòng)板30輻射的電場(chǎng)(例如輻射噪聲)被在連通開口 42的周圍的公共電極31遮斷。因此，可以防止或減少電場(chǎng)朝向帶通道構(gòu)件21傳播。
[0073]如果設(shè)置在圍繞連通開口 42的區(qū)域處的特定導(dǎo)電壁部61在平面圖中延伸到壓力室26的邊緣的外側(cè)，則用于設(shè)置未電連接到特定導(dǎo)電壁部61的導(dǎo)電部62的所述另一個(gè)驅(qū)動(dòng)布線35的區(qū)域減少如下量或面積，即，特定導(dǎo)電壁部61延伸到壓力室26的邊緣的外側(cè)的量或面積。在解釋性實(shí)施例中，如圖3和4中所示，在平面圖中，連通開口 42和導(dǎo)電壁部61被設(shè)置在壓力室26的邊緣的內(nèi)側(cè)并且設(shè)置在壓力室26內(nèi)。因此，可以在壓力室26的外側(cè)確保用于布置所述另一個(gè)驅(qū)動(dòng)布線35的較寬廣區(qū)域。
[0074]當(dāng)驅(qū)動(dòng)壓電元件36時(shí)，隨著在壓力室26中出現(xiàn)的壓力波朝向儲(chǔ)存器52泄漏，驅(qū)動(dòng)效率(例如施加到墨的噴射能相對(duì)于施加到壓電元件36的電能的效率)降低。為了盡可能防止或減少壓力波朝向儲(chǔ)存器52泄漏，優(yōu)選的是:在從儲(chǔ)存器52到壓力室26的墨供應(yīng)通道的一部分處，提供具有較大流動(dòng)阻力的減小部。當(dāng)設(shè)置在壓力室26的在墨供應(yīng)方向上的上游的連通開口 42的直徑減小時(shí)，連通開口 42用作減小部。因此，可以減少或防止壓力波從壓力室26朝向儲(chǔ)存器52泄漏。
[0075]接著，將描述用于制造噴墨頭4的頭單元12的方法。圖5A-?示出頭單元12的制造過(guò)程。
[0076](a)形成層積體22
[0077]如圖5A中所示，層積體22形成在成為帶通道構(gòu)件21的硅基板71的上表面上。使用已知的半導(dǎo)體加工技術(shù)形成層積體22。為了簡(jiǎn)潔，使用已知的膜或?qū)有纬杉夹g(shù)諸如濺射法或溶膠-凝膠法，使成為層積體22的相應(yīng)層的膜順次形成。在適當(dāng)時(shí)刻例如通過(guò)蝕刻將膜的不需要部分除去，以形成層積體22。
[0078]在形成層積體22的過(guò)程(例如，環(huán)形壁部形成過(guò)程)中，環(huán)形壁部60(例如導(dǎo)電壁部61)形成在連通開口 42的周圍的區(qū)域處。更具體地，環(huán)形導(dǎo)電部62在連通開口 42的周圍的區(qū)域處形成為包圍連通開口 42。隨后，導(dǎo)電部62被由絕緣材料形成的保護(hù)層39覆蓋。如上所述，在所有第一連通開口 42a以及一些第二連通開口 42b的周圍設(shè)置的導(dǎo)電壁部61中，每個(gè)導(dǎo)電部62組成所述一個(gè)驅(qū)動(dòng)布線35的一部分。
[0079](b)結(jié)合儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23
[0080]如圖5B中所示，形成有儲(chǔ)存器52和墨供應(yīng)通道53的儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23壓靠層積體22的上表面，以利用熱固性粘合劑45結(jié)合。在此時(shí)，儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23壓靠圍繞連通開口 42的區(qū)域中的環(huán)形壁部60(例如，導(dǎo)電壁部61)的同時(shí)結(jié)合。因此，儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23的全周可以可靠地結(jié)合在連通開口 42的周圍的區(qū)域處，并且密封的密封性或有效性可以更好。
[0081](c)在帶通道構(gòu)件21中形成通道
[0082]如圖5C中所示，在硅基板71上例如通過(guò)蝕刻形成通道例如壓力室26。因此，硅基板71成為帶通道構(gòu)件21。
[0083]如上所述，在解釋性實(shí)施例中，導(dǎo)電壁部61形成在對(duì)應(yīng)壓力室26內(nèi)的位置處且形成在相應(yīng)連通開口 42的周圍的區(qū)域處。振動(dòng)板30的一部分相對(duì)于壓力室26的邊緣向內(nèi)延伸。在該情況下，在帶通道構(gòu)件21上形成壓力室26之后，如果儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23在壓靠導(dǎo)電壁部61的同時(shí)被結(jié)合，則帶通道構(gòu)件21(例如硅基板71)可能不承受對(duì)導(dǎo)電壁部61的壓力。因此，振動(dòng)板30的相對(duì)于壓力室26的邊緣而言向內(nèi)延伸的部分可能受損。在這點(diǎn)上，在解釋性實(shí)施例中，在儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23如圖5B中所示結(jié)合到包括振動(dòng)板30的層積體22之后，如圖5C中所示在帶通道構(gòu)件21上形成壓力室26。換言之，在儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23如圖5B中所示結(jié)合時(shí)，在帶通道構(gòu)件21 (例如硅基板71)上尚未形成壓力室26。因此，施加到導(dǎo)電壁部61的壓力由帶通道構(gòu)件21接收。因此，在結(jié)合儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23時(shí)，振動(dòng)板30較少受損。
[0084](d)結(jié)合噴嘴板20
[0085]最后，如圖中所示，形成有噴嘴24的噴嘴板20利用粘合劑45結(jié)合到帶通道構(gòu)件21的下表面。
[0086]在上述解釋性實(shí)施例中，噴墨頭4與本發(fā)明的液體噴射裝置對(duì)應(yīng)。帶通道構(gòu)件21和噴嘴板20與本發(fā)明的第一帶通道結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)。形成在噴嘴板20上的噴嘴24以及形成在帶通道構(gòu)件21上的壓力室26與本發(fā)明的第一液體通道對(duì)應(yīng)。儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23與本發(fā)明的第二帶通道結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)。儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23的儲(chǔ)存器52和墨供應(yīng)通道53與本發(fā)明的第二液體通道對(duì)應(yīng)。驅(qū)動(dòng)觸點(diǎn)部40與本發(fā)明的觸點(diǎn)部對(duì)應(yīng)。多個(gè)單獨(dú)電極33與本發(fā)明的多個(gè)第二電極對(duì)應(yīng)。公共電極31的與相應(yīng)單獨(dú)電極33對(duì)置的部分(例如，與活性部32a接觸的部分)與本發(fā)明的多個(gè)第一電極對(duì)應(yīng)。
[0087]接著，將描述上述解釋性實(shí)施例的變型。同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的對(duì)應(yīng)部分，并且在此將省略其就下列變型而言的詳細(xì)描述。
[0088]I]在上述解釋性實(shí)施例中，為相應(yīng)連通開口 42設(shè)置的環(huán)形壁部60是每個(gè)均具有導(dǎo)電部62的導(dǎo)電壁部61。在多個(gè)導(dǎo)電壁部61中，一些導(dǎo)電壁部61包括每個(gè)均組成驅(qū)動(dòng)布線35的一部分的導(dǎo)電部62。導(dǎo)電壁部61的其余導(dǎo)電部62不與驅(qū)動(dòng)布線35電連接并且是獨(dú)立圖案。在另一個(gè)實(shí)施例中，所有導(dǎo)電壁部61的每個(gè)導(dǎo)電部62均可以組成驅(qū)動(dòng)布線35的一部分。
[0089]例如，在圖6中，與壓電元件36對(duì)應(yīng)的連通開口 42和導(dǎo)電壁部61設(shè)置到每個(gè)壓電元件36的右方。驅(qū)動(dòng)布線35從每個(gè)壓電元件36向右延伸。在該結(jié)構(gòu)中，在驅(qū)動(dòng)布線35向右延伸的部分處，為所有壓電元件36設(shè)置與相應(yīng)壓電元件36對(duì)應(yīng)的連通開口 42。所有導(dǎo)電壁部61的每個(gè)導(dǎo)電部62組成驅(qū)動(dòng)布線35的一部分。換言之，在所有導(dǎo)電壁部61中的每個(gè)導(dǎo)電壁部61中均包括驅(qū)動(dòng)布線35的一部分。
[0090]2]為相應(yīng)連通開口 42設(shè)置的所有環(huán)形壁部分60不必包括導(dǎo)電部62。在另一個(gè)實(shí)施例中，例如，一些環(huán)形壁部60可以不包括導(dǎo)電部62，而是可以由絕緣材料層組成。
[0091]3]在圖2中的解釋性實(shí)施例和圖6中的變型中，連接到相應(yīng)壓電元件36的所有驅(qū)動(dòng)布線35都延伸到設(shè)置于掃描方向上的一側(cè)的相關(guān)驅(qū)動(dòng)觸點(diǎn)部40。在另一個(gè)實(shí)施例中，如圖7中所示，第一驅(qū)動(dòng)觸點(diǎn)部40a設(shè)置在與振動(dòng)板30的右端部對(duì)應(yīng)的部分處。第二驅(qū)動(dòng)觸點(diǎn)部40b設(shè)置在與振動(dòng)板30的左端部對(duì)應(yīng)的部分處。在從相應(yīng)壓電元件36延伸的驅(qū)動(dòng)布線35中，第一驅(qū)動(dòng)布線35a可以向右延伸，并且第二驅(qū)動(dòng)布線35b可以向左延伸。因此，驅(qū)動(dòng)布線35可以在掃描方向上的每側(cè)上延伸。
[0092]4]導(dǎo)電壁部61的橫截面結(jié)構(gòu)不限于在解釋性實(shí)施例中的上述結(jié)構(gòu)。例如，如圖8A中所示，導(dǎo)電壁部61可以包括層68，該層68由與壓電元件36的壓電層32相同的壓電材料形成。在該情況下，可以以與壓電層32相同的膜形成過(guò)程形成層68。導(dǎo)電壁部61可以包括層積體22的其它層(例如，保護(hù)層37和38)。
[0093]可替換地，如圖8B中所示，導(dǎo)電壁部61可不必包括覆蓋導(dǎo)電部62的保護(hù)層39，而可以由導(dǎo)電部62組成。在該結(jié)構(gòu)中，因?yàn)閷?dǎo)電部62暴露，所以流過(guò)連通開口 42的墨接觸導(dǎo)電部62，可以優(yōu)選的是:導(dǎo)電部62被用于結(jié)合儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23的粘合劑45覆蓋。
[0094]如圖8C中所示，導(dǎo)電壁部61可以直接形成在振動(dòng)板30的上表面上。換言之，公共電極31以及保護(hù)層37和38可以不必形成在振動(dòng)板30的連通開口 42的周圍。在該情況下，儲(chǔ)存器形成構(gòu)件23可以直接結(jié)合到振動(dòng)板30的上表面。
[0095]5]導(dǎo)電壁部61的導(dǎo)電部62的平面形狀不限于上述解釋性實(shí)施例的平面形狀。導(dǎo)電部62不必完全包圍連通開口 42的全周。在另一個(gè)實(shí)施例中，例如，導(dǎo)電部62可以局部地包圍連通開口 42的周界的四分之三(3/4)或更大(例如，270-360度的角度范圍)。因此，如圖9A中所不，由于導(dǎo)電部