專(zhuān)利名稱(chēng)：掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置和制備掩膜圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示中的掩膜形成技術(shù)，尤其涉及一種掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置和制備掩膜圖形的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)IXD)是目前常用的平板顯示器。在近十年的飛速發(fā)展中，LCD從屏幕的尺寸到顯示的質(zhì)量都取得了很大的進(jìn)步。隨著LCD生產(chǎn)的不斷擴(kuò)大，各個(gè)生產(chǎn)廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)也日趨激烈。各廠家在不斷提高LCD的產(chǎn)品性能同時(shí)，也在不斷努力降低生產(chǎn)成本，從而提高市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。掩膜曝光是目前IXD制備過(guò)程中必不可少的一道工序。掩膜曝光是通過(guò)將掩膜版上的圖形通過(guò)曝光的方法轉(zhuǎn)印到經(jīng)過(guò)涂膠、低壓干燥、前烘烤等工序制備的感光性的光刻膠涂層上；經(jīng)過(guò)顯影與后烘烤工藝將光刻膠涂層制備成掩膜圖形；再經(jīng)過(guò)刻蝕工序與剝離工序?qū)⒀谀D形轉(zhuǎn)移到結(jié)構(gòu)層上，完成一層結(jié)構(gòu)圖形的制備。如此反復(fù)若干次完成LCD 的制備。但是，由于采用掩膜曝光的方法制備LCD需要使用多塊掩膜版完整器件，而掩膜版的制備由于其異常高昂的價(jià)格成為L(zhǎng)CD生產(chǎn)成本高的原因之一；并且當(dāng)掩膜版的設(shè)計(jì)發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)，修改很不方便。此外，由于在制備光刻膠涂層的過(guò)程中需要進(jìn)行低壓干燥、前烘烤、顯影工序，這些工序中需要的顯影液、壓縮氣體等耗材也提高了 IXD的生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置和制備掩膜圖形的方法，以降低LCD的生產(chǎn)成本。本發(fā)明提供一種掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置，包括內(nèi)輪，相對(duì)于所述內(nèi)輪的輪軸固定，所述內(nèi)輪與基板在水平面上相對(duì)運(yùn)動(dòng)；磁化磁頭，設(shè)置于所述內(nèi)輪上與所述基板距離最短的內(nèi)輪底部，用于磁化鍍完結(jié)構(gòu)層膜層的所述基板上對(duì)應(yīng)無(wú)需掩膜保護(hù)的區(qū)域的復(fù)合粉末，所述復(fù)合粉末由內(nèi)核的鐵磁性金屬和外圍的樹(shù)脂外膜組成且均勻鋪設(shè)在所述結(jié)構(gòu)層膜層之上；非鐵磁性材料形成的外輪，用于繞所述內(nèi)輪轉(zhuǎn)動(dòng)，吸附經(jīng)過(guò)所述磁化磁頭磁化后的復(fù)合粉末以使所述基板上剩余的所述復(fù)合粉末形成預(yù)掩膜圖形，其中，形成的所述預(yù)掩膜圖形經(jīng)過(guò)烘烤后，所述剩余的復(fù)合粉末外圍的所述樹(shù)脂外膜融化以消除所述預(yù)掩膜圖形的間隙，形成掩膜圖形；去磁化磁頭，設(shè)置于朝向所述基板轉(zhuǎn)動(dòng)的所述外輪對(duì)應(yīng)的所述內(nèi)輪的邊緣部，用于對(duì)所述外輪吸附的所述磁化后的復(fù)合粉末進(jìn)行去磁化操作；收集斗，所述收集斗的外邊緣與朝向所述基板轉(zhuǎn)動(dòng)的所述外輪一側(cè)相切，且設(shè)置于所述去磁化磁頭的下方，用于收集去磁化后的復(fù)合粉末。本發(fā)明還提供一種制備掩膜圖形的方法，包括
通過(guò)控制掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的磁化磁頭的磁化時(shí)間，所述磁化磁頭磁化鍍完結(jié)構(gòu)層膜層的基板上對(duì)應(yīng)無(wú)需掩膜保護(hù)的區(qū)域的復(fù)合粉末，所述復(fù)合粉末由內(nèi)核的鐵磁性金屬和外圍的樹(shù)脂外膜組成且均勻鋪設(shè)在所述結(jié)構(gòu)層膜層之上；所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的外輪繞所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的內(nèi)輪轉(zhuǎn)動(dòng)，并吸附經(jīng)過(guò)所述磁化磁頭磁化后的復(fù)合粉末，以使所述基板上剩余的復(fù)合粉末形成預(yù)掩膜圖形；所述磁化后的復(fù)合粉末隨所述外輪轉(zhuǎn)動(dòng)至所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的去磁化磁頭處，被所述去磁化磁頭去磁化，并由所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的收集斗收集去磁化后的復(fù)合粉末；烘烤所述基板上形成的所述預(yù)掩膜圖形，使所述剩余的復(fù)合粉末外圍的所述樹(shù)脂外膜融化以消除所述預(yù)掩膜圖形的間隙，形成掩膜圖形。本發(fā)明提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置和制備掩膜圖形的方法，采用磁化與去磁化技術(shù)，對(duì)基板上的復(fù)合粉末進(jìn)行操作，從而形成掩膜圖形，不需要掩模版與顯影等進(jìn)行掩膜圖形的制備，能夠提高LCD的制作效率和液晶面板的質(zhì)量，降低LCD的生產(chǎn)成本。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中形成的制備圖形示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中形成的預(yù)掩膜圖形示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例一中形成的掩膜圖形示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例一中采用掩膜圖形刻蝕結(jié)構(gòu)層膜層的示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例三提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例四提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例五提供的制備掩膜圖形的方法的流程示意圖。附圖標(biāo)記1-基板； 11-內(nèi)輪；12-外輪；13-磁化磁頭；14-去磁化磁頭；15-收集斗；16-吸收器；17-噴灑裝置；2-結(jié)構(gòu)層膜層；3-復(fù)合粉末；31-磁化后的復(fù)合粉末；32-剩余的復(fù)合粉末。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一中形成的制備圖形示意圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例一中形成的預(yù)掩膜圖形示意圖。圖 4為本發(fā)明實(shí)施例一中形成的掩膜圖形示意圖。如圖1所示，該掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置包括內(nèi)輪11、外輪12、磁化磁頭13、去磁化磁頭14以及收集斗15。
內(nèi)輪11，相對(duì)于內(nèi)輪11的輪軸固定，即該內(nèi)輪11為非轉(zhuǎn)動(dòng)內(nèi)輪；并且該內(nèi)輪11 與基板1在水平面上相對(duì)運(yùn)動(dòng)。具體地，如果基板1是固定的，那么內(nèi)輪11就相對(duì)于基板 1在水平面上做水平移動(dòng)，如果內(nèi)輪11是固定不動(dòng)的，那么基板1就相對(duì)于內(nèi)輪11在水平面上做水平移動(dòng)?；蛘呋?和內(nèi)輪11都在水平面上水平移動(dòng)，只要二者相對(duì)運(yùn)動(dòng)，有相對(duì)位移即可。磁化磁頭13，設(shè)置于內(nèi)輪11上與基板1距離最短的內(nèi)輪11底部，用于磁化鍍完結(jié)構(gòu)層膜層2的基板1上對(duì)應(yīng)無(wú)需掩膜保護(hù)的區(qū)域的復(fù)合粉末3，如圖2所示，復(fù)合粉末3由內(nèi)核的鐵磁性金屬和外圍的樹(shù)脂外膜組成且均勻鋪設(shè)在結(jié)構(gòu)層膜層2之上。其中，可以采用多種方式在結(jié)構(gòu)層膜層2上均勻鋪設(shè)復(fù)合粉末3。例如采用噴槍在結(jié)構(gòu)層膜層2上均勻噴灑復(fù)合粉末3 ；或者將包覆有某種溶劑(如水)的復(fù)合粉末3均勻地刷在結(jié)構(gòu)層膜層2 上，等待包覆的溶劑揮發(fā)后，形成復(fù)合粉末3的膜層；或者將復(fù)合粉末3撒在結(jié)構(gòu)層膜層2 上，通過(guò)在基板1上方勻速水平移動(dòng)的裝置將復(fù)合粉末3的膜層刮平。非鐵磁性材料形成的外輪12，用于繞內(nèi)輪11轉(zhuǎn)動(dòng)，吸附經(jīng)過(guò)磁化磁頭13磁化后的復(fù)合粉末31以使基板1上剩余的復(fù)合粉末32形成預(yù)掩膜圖形，如圖1和圖3所示。其中，形成的預(yù)掩膜圖形經(jīng)過(guò)烘烤后，剩余的復(fù)合粉末32外圍的樹(shù)脂外膜融化以消除預(yù)掩膜圖形的間隙，形成掩膜圖形，如圖4所示。去磁化磁頭14，設(shè)置于朝向基板1轉(zhuǎn)動(dòng)的外輪12對(duì)應(yīng)的內(nèi)輪11的邊緣部，用于對(duì)外輪12吸附的磁化后的復(fù)合粉末31進(jìn)行去磁化操作，如圖1所示，其中朝向基板1轉(zhuǎn)動(dòng)的外輪12為外輪12的左半部。收集斗15，該收集斗15的外邊緣與朝向基板1轉(zhuǎn)動(dòng)的外輪 12 一側(cè)相切，且設(shè)置于去磁化磁頭14的下方，用于收集去磁化后的復(fù)合粉末，如圖1所示。圖5為本發(fā)明實(shí)施例一中采用掩膜圖形刻蝕結(jié)構(gòu)層膜層的示意圖。使用該掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置在基板1上形成掩膜圖形后，用常規(guī)方法進(jìn)行后續(xù)的刻蝕工序，然后將掩膜圖形剝離后，制備出基板1上的結(jié)構(gòu)層膜層2的結(jié)構(gòu)圖形。本實(shí)施例的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置，采用磁化與去磁化技術(shù)，對(duì)基板上的復(fù)合粉末進(jìn)行操作，從而形成掩膜圖形，不需要掩模版與顯影等進(jìn)行掩膜圖形的制備，能夠提高LCD的制作效率和液晶面板的質(zhì)量，降低LCD的生產(chǎn)成本。圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，與上述實(shí)施例一提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的不同之處在于，在外輪12外設(shè)置有吸收器16，該吸收器16的吸收口朝向通過(guò)去磁化磁頭14的徑向方向，用于吸收被去磁化磁頭14去磁化后的復(fù)合粉末。本實(shí)施例中的吸收器能夠輔助收集斗對(duì)去磁化后的復(fù)合粉末的收集，從而確保去磁化后的復(fù)合粉末與外輪的分離。圖7為本發(fā)明實(shí)施例三提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，與上述實(shí)施例一和實(shí)施例二提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的不同之處在于，去磁化磁頭14設(shè)置于朝向基板1轉(zhuǎn)動(dòng)的外輪12對(duì)應(yīng)的內(nèi)輪11的低于軸心的邊緣部，從而使得該去磁化磁頭 14與收集斗15的距離縮短，且收集斗15能夠在低于內(nèi)輪11的軸心的位置對(duì)去磁化后的復(fù)合粉末進(jìn)行收集，通過(guò)收集斗15的外邊緣與外輪12的摩擦，更加容易將去磁化后的復(fù)合粉末從外輪12上分離。圖7中所示為沒(méi)有吸收器的情況。圖8為本發(fā)明實(shí)施例四提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，在上述實(shí)施例提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的基礎(chǔ)上，還包括在收集斗15的下方設(shè)置有噴灑裝置17，用于向收集斗15的外邊緣下方至磁化磁頭13之間的外輪12上噴灑增強(qiáng)復(fù)合粉末3 外圍的樹(shù)脂外膜與外輪12吸附能力的噴霧，從而使得經(jīng)過(guò)磁化磁頭13磁化后的復(fù)合粉末 31，能夠在磁力作用下吸附到外輪12上時(shí)，由于外輪12上的噴霧的作用，使得磁化后的復(fù)合粉末31的樹(shù)脂外膜也能夠強(qiáng)力吸附到外輪12上。其中，噴灑裝置17可以一體形成在收集斗15的外邊緣下方，如圖8所示；噴灑裝置17噴灑的噴霧可以為對(duì)樹(shù)脂外膜有強(qiáng)吸附作用的六甲基二硅氨烷(HMDS)蒸汽。圖9為本發(fā)明實(shí)施例五提供的制備掩膜圖形的方法的流程示意圖。本實(shí)施例的制備掩膜圖形的方法可以采用本發(fā)明上述實(shí)施例所提供的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置來(lái)執(zhí)行，完成對(duì)應(yīng)的流程。如圖9所示，包括如下步驟步驟901、通過(guò)控制掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的磁化磁頭的磁化時(shí)間，磁化磁頭磁化鍍完結(jié)構(gòu)層膜層的基板上對(duì)應(yīng)無(wú)需掩膜保護(hù)的區(qū)域的復(fù)合粉末。所述復(fù)合粉末由內(nèi)核的鐵磁性金屬和外圍的樹(shù)脂外膜組成且均勻鋪設(shè)在所述結(jié)構(gòu)層膜層之上，其中，鐵磁性金屬可以為鐵、鈷、鎳或其合金，外圍的樹(shù)脂外膜可以為酚醛樹(shù)脂。步驟902、掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的外輪繞掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的內(nèi)輪轉(zhuǎn)動(dòng)，并吸附經(jīng)過(guò)磁化磁頭磁化后的復(fù)合粉末，以使基板上剩余的復(fù)合粉末形成預(yù)掩膜圖形。步驟903、磁化后的復(fù)合粉末隨外輪轉(zhuǎn)動(dòng)至掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的去磁化磁頭處，被去磁化磁頭去磁化，并由掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的收集斗收集去磁化后的復(fù)合粉末。其中，如果該掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置還包括吸收器，則可以先由吸收器吸收去磁化后的復(fù)合粉末，再由收集斗收集外輪上剩余的去磁化后的復(fù)合粉末。步驟904、烘烤基板上形成的預(yù)掩膜圖形，使剩余的復(fù)合粉末外圍的樹(shù)脂外膜融化以消除預(yù)掩膜圖形的間隙，形成掩膜圖形。在上述步驟902外輪吸附磁化后的復(fù)合粉末過(guò)程中，還可以包括由掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的噴灑裝置向收集斗的外邊緣下方至磁化磁頭之間的外輪上噴灑增強(qiáng)復(fù)合粉末外圍的樹(shù)脂外膜與外輪吸附能力的噴霧。從而能夠增強(qiáng)外輪對(duì)磁化后的復(fù)合粉末的吸附能力。在上述步驟中，復(fù)合粉末的粒徑一般要小于500nm，以使得復(fù)合粉末鋪設(shè)均勻，復(fù)合粉末間的間隙不會(huì)過(guò)大；控制外輪最下端與基板上的復(fù)合粉末的間距在0. 2um-5um范圍內(nèi)，以使得磁化磁頭能夠磁化復(fù)合粉末，且將復(fù)合粉末吸附到外輪上；在烘烤基板上形成的預(yù)掩膜圖形的步驟中，烘烤溫度可以控制在100°C -150°C之間，以使復(fù)合粉末外圍的樹(shù)脂外膜融化。本實(shí)施例的制備掩膜圖形的方法，采用磁化與去磁化技術(shù)，對(duì)基板上的復(fù)合粉末進(jìn)行操作，從而形成掩膜圖形，不需要掩模版與顯影等進(jìn)行掩膜圖形的制備，能夠提高LCD 的制作效率和液晶面板的質(zhì)量，降低LCD的生產(chǎn)成本。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，包括內(nèi)輪，相對(duì)于所述內(nèi)輪的輪軸固定，所述內(nèi)輪與基板在水平面上相對(duì)運(yùn)動(dòng)；磁化磁頭，設(shè)置于所述內(nèi)輪上與所述基板距離最短的內(nèi)輪底部，用于磁化鍍完結(jié)構(gòu)層膜層的所述基板上對(duì)應(yīng)無(wú)需掩膜保護(hù)的區(qū)域的復(fù)合粉末，所述復(fù)合粉末由內(nèi)核的鐵磁性金屬和外圍的樹(shù)脂外膜組成且均勻鋪設(shè)在所述結(jié)構(gòu)層膜層之上；非鐵磁性材料形成的外輪，用于繞所述內(nèi)輪轉(zhuǎn)動(dòng)，吸附經(jīng)過(guò)所述磁化磁頭磁化后的復(fù)合粉末以使所述基板上剩余的所述復(fù)合粉末形成預(yù)掩膜圖形，其中，形成的所述預(yù)掩膜圖形經(jīng)過(guò)烘烤后，所述剩余的復(fù)合粉末外圍的所述樹(shù)脂外膜融化以消除所述預(yù)掩膜圖形的間隙，形成掩膜圖形；去磁化磁頭，設(shè)置于朝向所述基板轉(zhuǎn)動(dòng)的所述外輪對(duì)應(yīng)的所述內(nèi)輪的邊緣部，用于對(duì)所述外輪吸附的所述磁化后的復(fù)合粉末進(jìn)行去磁化操作；收集斗，所述收集斗的外邊緣與朝向所述基板轉(zhuǎn)動(dòng)的所述外輪一側(cè)相切，且設(shè)置于所述去磁化磁頭的下方，用于收集去磁化后的復(fù)合粉末。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，在所述外輪外設(shè)置有吸收器，所述吸收器的吸收口朝向通過(guò)所述去磁化磁頭的徑向方向，用于吸收被所述去磁化磁頭去磁化后的復(fù)合粉末。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，所述去磁化磁頭設(shè)置于朝向所述基板轉(zhuǎn)動(dòng)的所述外輪對(duì)應(yīng)的所述內(nèi)輪的低于軸心的邊緣部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，在所述收集斗的下方設(shè)置有噴灑裝置，用于向所述收集斗的外邊緣下方至所述磁化磁頭之間的所述外輪上噴灑增強(qiáng)所述復(fù)合粉末外圍的所述樹(shù)脂外膜與所述外輪吸附能力的噴霧。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，所述噴灑裝置一體形成在所述收集斗的外邊緣下方。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置，其特征在于，所述噴灑裝置噴灑的所述噴霧為六甲基二硅氨烷蒸汽。
7.一種制備掩膜圖形的方法，其特征在于，包括通過(guò)控制掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的磁化磁頭的磁化時(shí)間，所述磁化磁頭磁化鍍完結(jié)構(gòu)層膜層的基板上對(duì)應(yīng)無(wú)需掩膜保護(hù)的區(qū)域的復(fù)合粉末，所述復(fù)合粉末由內(nèi)核的鐵磁性金屬和外圍的樹(shù)脂外膜組成且均勻鋪設(shè)在所述結(jié)構(gòu)層膜層之上；所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的外輪繞所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的內(nèi)輪轉(zhuǎn)動(dòng)，并吸附經(jīng)過(guò)所述磁化磁頭磁化后的復(fù)合粉末，以使所述基板上剩余的復(fù)合粉末形成預(yù)掩膜圖形；所述磁化后的復(fù)合粉末隨所述外輪轉(zhuǎn)動(dòng)至所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的去磁化磁頭處，被所述去磁化磁頭去磁化，并由所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的收集斗收集去磁化后的復(fù)合粉末；烘烤所述基板上形成的所述預(yù)掩膜圖形，使所述剩余的復(fù)合粉末外圍的所述樹(shù)脂外膜融化以消除所述預(yù)掩膜圖形的間隙，形成掩膜圖形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備掩膜圖形的方法，其特征在于，在所述由所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的收集斗收集去磁化后的復(fù)合粉末之前，還包括由所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的吸收器吸收所述去磁化后的復(fù)合粉末。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備掩膜圖形的方法，其特征在于，還包括由所述掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置的噴灑裝置向所述收集斗的外邊緣下方至所述磁化磁頭之間的所述外輪上噴灑增強(qiáng)所述復(fù)合粉末外圍的所述樹(shù)脂外膜與所述外輪吸附能力的噴霧。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備掩膜圖形的方法，其特征在于，所述復(fù)合粉末的粒徑小于 500nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備掩膜圖形的方法，其特征在于，還包括控制所述外輪最下端與所述基板上的所述復(fù)合粉末的間距在0. 2um-5um范圍內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備掩膜圖形的方法，其特征在于，在所述烘烤所述基板上形成的預(yù)掩膜圖形的步驟中，烘烤溫度在100°C -150°C。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置和制備掩膜圖形的方法。掩膜圖形轉(zhuǎn)印裝置包括內(nèi)輪，相對(duì)于內(nèi)輪的輪軸固定，所述內(nèi)輪與基板在水平面上相對(duì)運(yùn)動(dòng)；磁化磁頭，設(shè)置于內(nèi)輪上與基板距離最短的內(nèi)輪底部，用于磁化鍍完結(jié)構(gòu)層膜層的基板上對(duì)應(yīng)無(wú)需掩膜保護(hù)的區(qū)域的復(fù)合粉末；非鐵磁性材料形成的外輪，用于繞內(nèi)輪轉(zhuǎn)動(dòng)，吸附經(jīng)過(guò)磁化磁頭磁化后的復(fù)合粉末；去磁化磁頭，設(shè)置于朝向基板轉(zhuǎn)動(dòng)的外輪對(duì)應(yīng)的內(nèi)輪的邊緣部，用于對(duì)外輪吸附的磁化后的復(fù)合粉末進(jìn)行去磁化操作；收集斗，其外邊緣與朝向基板轉(zhuǎn)動(dòng)的外輪一側(cè)相切，且設(shè)置于去磁化磁頭的下方，用于收集去磁化后的復(fù)合粉末。本發(fā)明能夠提高LCD的制作效率和液晶面板的質(zhì)量，降低LCD的生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)B41J2/43GK102233743SQ2010101563
公開(kāi)日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2010年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月21日
發(fā)明者周偉峰, 明星, 郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司