具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其制作方法

文檔序號：2483981閱讀：221來源：國知局

專利名稱：具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其制作方法，尤指一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其制作方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)打印機所使用的光學打印頭，乃以單一激光源，經(jīng)過一套復(fù)雜的光學系統(tǒng)將要打印的資料以光的信號方式轉(zhuǎn)移到感光鼓，在感光鼓上形成靜電潛像，經(jīng)碳粉吸附、轉(zhuǎn)寫、熱壓、除電等步驟，以達打印的需求。然而，激
光打印頭卻因為其光學元件多、機構(gòu)復(fù)雜且光程(optical path)較長，而使得激光打印機在機構(gòu)上存在著無法進一步縮小的問題。因此，目前打印機設(shè) 計者常使用發(fā)光二極管(LED)的光源來替代激光光源，以簡化傳統(tǒng)過于復(fù) 雜的光學機構(gòu)。
在發(fā)光二極管打印技術(shù)中，若要提高分辨率(resolution)的話，則需要更小尺寸的發(fā)光二極管元件，以使得在相同的打印機頭體積下，可容納更多的發(fā)光二極管。然而，在傳統(tǒng)構(gòu)裝方法中，首先需要通過高精度的粘晶設(shè)備將發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)與驅(qū)動集成電路陣列(drive IC array)精確的平行放置于印刷電路板上；接著在導線接合步驟中，以A4尺寸600dpi為例，需要通過約5000條導線以電連接于每一個發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)與每一個驅(qū)動集成電路陣列之間，以使得每一個驅(qū)動集成電路能以電驅(qū)動每一個相對應(yīng)的發(fā) 光二極管。
因此，公知的構(gòu)裝方法，由于打線的條數(shù)及密度太高，將導致生產(chǎn)效率不高及工藝難度增加的困擾，因而造成產(chǎn)品合格率降低及制造成本增加。此外，隨著市場上的需求，使用者對分辨率的要求越來越高，因此發(fā)光二極管元件會做得越來越小，而造成打線接合工藝會更加的困難。
為了解決上述問題，公知提供一種具有高密度電連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其首先在驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面蝕刻出至少一個凹槽，然后將發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)容置于該至少一個凹槽內(nèi)，最后再通過半導體工藝進行該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)及該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)之間的電連接，以達到高密度電連接的目的。
然而，上述公知為達成高密度電連接的工藝仍顯得復(fù)雜(尤其是半導體工藝部分)，而造成制造時間及成本的增加，因此本發(fā)明人提出一種設(shè)計結(jié) 構(gòu)，不僅改善了公知電連接合格率低、成本高的缺陷，而且進一步獲得提升產(chǎn)品分辨率的高性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，在于提供一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其制作方法，并且本發(fā)明的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊可為發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)模塊。此外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)模塊為一種光輸出模塊
(light exposure module),其可應(yīng)用在掃描器(scanner)與光電成像式
(Electrophotography, EPG)打印機中。
此外，本發(fā)明的技術(shù)特點在于(1)首先，在驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面成形至少一個凹槽；(2)將發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)容置于該至少一個凹槽內(nèi)，并且使得該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)與該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)之間形成高度差(heightdifference) ; (3)分別在該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)與該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)相鄰近的兩側(cè)壁上制作用于電連接的凹槽；(4)在該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)上電鍍焊錫材料；(5)將該電路板傾斜預(yù)定角度并進行回焊工藝，因此在回焊過程中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)上的焊錫材料將往較低處的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的方向流動，進而與該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的焊盤連接，以達成 600dpi 1200dpi (dots per inch)高密度的電連接。因此，本發(fā)明可縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電連接所需的生產(chǎn)成本。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案提供一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其包括驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)、發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)、及多個導電結(jié)構(gòu)。其中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)具有至少一個凹槽。該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)靠近該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個第二開槽。所述導電結(jié)構(gòu)分別橫跨所述第二開槽，以分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面與該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面不等高。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個分別鄰近所述第二開槽的第一開槽，并且每一個導電結(jié)構(gòu)橫跨該相對應(yīng)的第一開槽。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其中，每一個第
一開槽的槽深介于50-100微米之間，并且每一個第二開槽的槽深介于 50-100微米之間。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，還進一步包括-具有至少一個輸出/輸入焊盤的基板及至少一個導電元件，其中該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)電連接地設(shè)置于該基板上，并且該導電元件電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)與該基板的輸出/輸入焊盤之間。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽的驅(qū)動集成電路焊盤，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽的發(fā)光二極管焊盤。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽的驅(qū)動集成電路焊盤及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤與所述第一開槽之間的第一導電軌跡，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽的發(fā) 光二極管焊盤及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤與所述第二開槽之間的第二導電軌跡。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其中，每一個導電結(jié)構(gòu)分成三個依序電相連的第一部分、第二部分及第三部分，該第一部分成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)驅(qū)動集成電路焊盤及第一導電軌跡上，該第二部分依序橫跨該相對應(yīng)的第一開槽及第二開槽并成形于位于相對應(yīng) 的第二開槽的側(cè)壁上的第二導電軌跡上，并且該第三部分成形于相對應(yīng)的第二導電軌跡上表面以電連接于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)發(fā)光二極管焊盤。如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面覆蓋一層用以曝露出所述發(fā)光二極管焊盤及所述第二導電軌跡的外側(cè)端的絕緣層。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其中，每一個導電結(jié)構(gòu)分成兩個電相連的第一部分及第二部分，該第一部分成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)驅(qū)動集成電路焊盤及第一導電軌跡上，該第二部分依序橫跨該相對應(yīng)的第一開槽及第二開槽并且通過該絕緣層的阻擋而成形于相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁上及該相對應(yīng)的第二導電軌跡的外側(cè)端上。
為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其步驟包括首先，提供具有至少一個凹槽的驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)及容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其中該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個導電材料，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)靠近該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個第二開槽，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面高于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面；接著，將該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)電連接于基板上；然后，在回焊過程中將該基板相對于水平面傾斜預(yù)定角度，以使得所述導電材料形成液態(tài)的導電材料，并使所述液態(tài)的導電材料分別橫跨所述第二開槽而流向該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)；最后，冷卻所述液態(tài)的導電材料，以形成多個分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間的導電結(jié)構(gòu)。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個分別鄰近所述第二開槽的第一開槽，并且每一個導電結(jié)構(gòu)橫跨該相對應(yīng)的第一開槽。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其中，每一個第一開槽的槽深介于50-100微米之間，每一個第二開槽的槽深介于50~100微米之間，并且所述第一開槽、所述第二幵槽、及該至少一個凹槽通過蝕刻的方式完成。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其中，所述導電材料通過電鍍的方式成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)上，并且所述導電材料為焊錫。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽的驅(qū)動集成電路焊盤及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤與所述第一開槽之間的第一導電軌跡，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽的發(fā)光二極管焊盤及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤與所述第二開槽之間的第二導電軌跡。
本發(fā)明還提供一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于，包括下列步驟提供具有至少一個凹槽的驅(qū)動集成電路結(jié) 構(gòu)及容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其中該驅(qū) 動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個第一開槽，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個導電材料，并且該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面高于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面；將該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)電連接于基板上；在回焊過程中將該基板相對于水平面傾斜預(yù)定角度，以使得所述導電材料形成液態(tài)的導電材料，并使所述液態(tài)的導電材料分別橫跨所述第二開槽而流向該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)；以及冷卻所述液態(tài)的導電材料，以形成多個分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間的導電結(jié)構(gòu)。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個分別鄰近所述第二開槽的第一開槽，并且每一個導電結(jié)構(gòu)橫跨該相對應(yīng)的第一開槽。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其中，每一個第一開槽的槽深介于50~100微米之間，每一個第二開槽的槽深介于50~100微米之間，并且所述第一開槽、所述第二開槽、及該至少一個凹槽通過蝕刻的方式完成。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其中，所述導電材料通過電鍍的方式成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)上，并且所述導電材料為焊錫。
如上所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽的驅(qū)動集成電路焊盤及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤與所述第一開槽之間的第一導電軌跡，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽的發(fā)光二極管焊盤及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤與所述第二開槽之間的第二導電軌跡。
因此，本發(fā)明不但能解決傳統(tǒng)工藝采用一根一根進行打線接合而產(chǎn)生冗長的工藝的缺失，并且也能解決公知為達成高密度電連接的工藝仍顯得復(fù)雜 (尤其是半導體工藝部分)的缺陷，進而以達到縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電連接所需的生產(chǎn)成本的優(yōu)點。
為了能更進一步了解本發(fā)明為達到預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段及功效，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，相信本發(fā)明的目的、特征與特點，當可由此得以深入且具體的了解，然而所附附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

圖1為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第
一實施例的流程圖1A1至圖1D2分別為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第一實施例的流程示意圖2為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第二實施例的流程圖2A1至圖2D2分別為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第二實施例的流程示意圖3為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第三實施例的流程圖3A1至圖3D2分別為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第三實施例的流程示意圖4為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第四實施例的流程圖；以及
圖4A1至圖4D2分別為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第四實施例的流程示意圖。
其中，附圖標記說明如下
第一實施例
la驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu) laW側(cè)壁2a發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)
3al導電材料 3A導電結(jié)構(gòu)
4a
5a導電元件
e 預(yù)定角度
第二實施例
lb 驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)
2b發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)
10a第一開槽 10aW側(cè)壁
lla驅(qū)動集成電路焊盤 12a第一導電軌跡 100a凹槽 2aW 側(cè)壁 20a第二開槽 20aW 側(cè)壁 21a發(fā)光二極管焊盤 22a第二導電軌跡 23a第三導電軌跡 24a發(fā)光二極管晶粒 200a粘著元件 3a2液態(tài)的導電材料 3A1第一部分 3A2第二部分 3A3第三部分 40a輸出/輸入焊盤
lbW 側(cè)壁 10b 第一開槽 10bW側(cè)壁 100b 凹槽
lib 驅(qū)動集成電路焊盤 12b 第一導電軌跡
2bW 側(cè)壁
20b第二開槽
20bW側(cè)壁200b粘著元件
21b發(fā)光二極管焊盤
22b第二導電軌跡
220b外側(cè)端
23b 第三導電軌跡
24b 發(fā)光二極管晶粒
25b 絕緣層
3bl導電材料3b2 液態(tài)的導電材料
3B導電結(jié)構(gòu)3B1 第一部分
3B2 第二部分
4b 基板40b輸出/輸入焊盤
5b 導電元件
e 預(yù)定角度
第三實施例
lc驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lcW 側(cè)壁
10c第一開槽
10cW 側(cè)壁
100c凹槽
llc 驅(qū)動集成電路焊盤
12c 第一導電軌跡
2c發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2cW 側(cè)壁
20c 第二開槽
20cW 側(cè)壁
200c粘著元件
21c 發(fā)光二極管焊盤
22c 第二導電軌跡
23c 第三導電軌跡
24c發(fā)光二極管晶粒
3cl 導電材料3c2 液態(tài)的導電材料
3C 導電結(jié)構(gòu)3C1 第一部分4c
5c導電元件
e 預(yù)定角度
第四實施例
ld驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)
2d發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)
3C2 第二部分 3C3 第三部分 40c輸出/輸入焊盤
ldW 10d 10dW 100d
側(cè)壁第一開4 側(cè)壁凹槽
3dl導電材料 3D導電結(jié)構(gòu)
4d 基板
5d導電元件
e 預(yù)定角度
lld 驅(qū)動集成電路焊盤
12d 第一導電軌跡
120d 外側(cè)端
2dW側(cè)壁
20d 第二開槽
20dW側(cè)壁
200d粘著元件
21d 發(fā)光二極管焊盤 22d 第二導電軌跡 23d第三導電軌跡 24d發(fā)光二極管晶粒 25d 3d2 3D1 3D2 40d
液態(tài)的導電材料第一部分第二部分輸出/輸入焊盤
具體實施方式

請參閱圖1、及圖1A1至圖1D2所示，其中圖1為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第一實施例的流程圖；圖1A1至圖 1D2分別為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第一實施例的流程示意圖。
由圖1可知，本發(fā)明的第一實施例提供一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其步驟包括首先，請配合圖1、圖1A1及圖1A2 (圖1A2為圖1A1的部分俯視圖)所示，步驟S100為"提供一具有至少一個凹槽100a的驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la及容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la的凹槽100a內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la的側(cè)壁laW形成有多個第一開槽10a，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la的上表面具有多個導電材料 3al，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的側(cè)壁2aW形成有多個分別鄰近所述第一開槽10a的第二開槽20a"。
其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a通過粘著元件200a以容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la的凹槽100a內(nèi)。該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的上表面高于該驅(qū) 動集成電路結(jié)構(gòu)la的上表面。所述第一開槽10a與該至少一個凹槽100a、及所述第二開槽20a皆通過蝕刻的方式分別成形在該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la 的側(cè)壁laW上及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的側(cè)壁2aW上，并且每一個第一開槽10a及每一個第二開槽20a的槽深介于50~100微米(拜)之間。再者，所述導電材料3al可通過電鍍或任何成形的方式，以成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la上，并且所述導電材料3al可為焊錫。
然后，步驟S102為"將該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la電連接于基板4a上"。其中該基板4a可為電路板(PCB)，并且該基板4a具有至少一個輸出/輸入焊盤40a。此外，至少一個導電元件5a電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la 與該基板4a的至少一個輸出/輸入焊盤40a之間。
再者，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽 10a的驅(qū)動集成電路焊盤lla及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤lla 與所述第一開槽10a之間的第一導電軌跡12a。其中，每一個第一導電軌跡 12a除了成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la的上表面外，亦成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la的相對應(yīng)第一開槽10a的側(cè)壁10aW上。此外，所述導電材料3al 分別成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la的所述驅(qū)動集成電路焊盤lla上。并且，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽20a的發(fā)光二極管焊盤21a及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤21a與所述第二開槽20a之間的第二導電軌跡22a。其中，每一個第二導電軌跡22a 除了成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的上表面外，亦成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的相對應(yīng)第二開槽20a的側(cè)壁20aW上。另外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a具有多個分別通過相對應(yīng)的第三導電軌跡23a而電連接于所述發(fā)光二極管焊盤21a的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 24a。
以本實施例而言，所述驅(qū)動集成電路焊盤1 la排列成鋸齒形狀(sawtooth shape)，以用于增加所述驅(qū)動集成電路焊盤lla的密集度，而所述發(fā)光二極管焊盤21a排列成直線形狀(line shape)。然而，上述所述驅(qū)動集成電路焊盤11a及所述發(fā)光二極管焊盤21a的排列方式并非用以限定本發(fā)明，任何的排列方式皆為本發(fā)明所保護的范圍。例如所述驅(qū)動集成電路焊盤lla排列成直線形狀(line shape)，而所述發(fā)光二極管焊盤21a排列成鋸齒形狀 (sawtooth shape);或者，所述驅(qū)動集成電路焊盤1 la及所述發(fā)光二極管焊盤21a皆排列成直線形狀(line shape)或皆鋸齒形狀(sawtooth shape)。
緊接著，請配合圖l、圖1B及圖1C所示，步驟S104為"于回焊過程中將該基板4a相對于水平面傾斜預(yù)定角度e，以使得所述導電材料3al(如圖1B所示)形成液態(tài)的導電材料3a2 (如圖1C所示)，并使所述液態(tài)的導電材料3a2分別依序橫跨所述第一開槽10a及所述第二開槽20a而流向該發(fā) 光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a"。換言之，每一個液態(tài)的導電材料3a2依序沿著該相對應(yīng)的第一導電軌跡12a、橫跨該相對應(yīng)的第一開槽10a及第二開槽20a、以及沿著該相對應(yīng)的第二開槽20a的側(cè)壁20aW及該相對應(yīng)的第二導電軌跡 22a，而流向該相對應(yīng)的發(fā)光二極管焊盤21a?；蛘?，每一個液態(tài)的導電材料 3a2沿著該相對應(yīng)的第一導電軌跡12a并且橫跨該相對應(yīng)的第一開槽10a及第二開槽20a，以流向成形于相對應(yīng)第二開槽20a的側(cè)壁20aW上的第二導電軌跡22a。
緊接著，請配合圖1、圖1D1及圖1D2(圖1D2為圖1D1的部分俯視圖) 所示，步驟S106為"冷卻所述液態(tài)的導電材料3a2，以形成多個分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a之間的導電結(jié)構(gòu) 3A"。其中，每一個導電結(jié)構(gòu)3A分成三個依序電相連的第一部分3A1、第二部分3A2及第三部分3A3，該第一部分3A1成形于相對應(yīng)的驅(qū)動集成電路焊盤lla及第一導電軌跡12a上，并且該第二部分3A2依序橫跨該相對應(yīng) 的第一開槽10a及第二開槽20a并成形于位于相對應(yīng)的第二開槽20a的側(cè)壁 20aW上的第二導電軌跡22a上，以及該第三部分3A3成形于相對應(yīng)的第二導電軌跡22a上表面以電連接于相對應(yīng)的發(fā)光二極管焊盤21a。因此，所述導電結(jié)構(gòu)3A分別電連接于所述驅(qū)動集成電路焊盤lla及所述發(fā)光二極管焊盤21a之間。
請參閱圖2、及圖2A1至圖2D2所示，其中圖2為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第二實施例的流程圖；圖2A1至圖 2D2分別為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第二實施例的流程示意圖。
由圖2可知，本發(fā)明的第二實施例提供一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其步驟包括首先，請配合圖2、圖2A1及圖2A2 (圖2A2為圖2A1的部分俯視圖)所示，步驟S200為"提供具有至少一個凹槽100b的驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb及容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb的凹槽100b內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb的側(cè)壁lbW 形成有多個第一開槽10b，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb的上表面具有多個導電材料3bl，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的側(cè)壁2bW形成有多個分別鄰近所述第一開槽10b的第二開槽20b，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的上表面具有絕緣層25b"。
其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的上表面高于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb 的上表面。所述第一開槽10b與該至少一個凹槽100b、及所述第二開槽20b 皆通過蝕刻的方式分別成形在該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb的側(cè)壁lbW上及該發(fā) 光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的側(cè)壁2bW上，并且每一個第一開槽10b及每一個第二開槽20b的槽深介于50~100微米(拜)之間。再者，所述導電材料3bl 可通過電鍍或任何成形的方式，成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb上，并且所述導電材料3bl可為焊錫。
然后，步驟S202為"將該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb電連接于基板4b上"。其中該基板4b可為電路板(PCB)，并且該基板4b具有至少一個輸出/輸入焊盤40b。此外，至少一個導電元件5b電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb與該基板4b的至少一個輸出/輸入焊盤40b之間。
再者，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽 10b的驅(qū)動集成電路焊盤lib及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤lib 與所述第一開槽10b之間的第一導電軌跡12b。其中，每一個第一導電軌跡 12b除了成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb的上表面外，亦成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb的相對應(yīng)第一開槽10b的側(cè)壁10bW上。此外，所述導電材料3bl 分別成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb的所述驅(qū)動集成電路焊盤llb上。
并且，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽20b的發(fā)光二極管焊盤21b及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤21b與所述第二開槽20b之間的第二導電軌跡22b。其中，每一個第二導電軌跡22b 除了成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的上表面外，亦成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的相對應(yīng)第二開槽20b的側(cè)壁20bW上。另外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b具有多個分別通過相對應(yīng)的第三導電軌跡23b而電連接于所述發(fā)光二極管焊盤21b的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 24b。
再者，該成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的上表面的絕緣層25b用以曝露出所述發(fā)光二極管晶粒24b及所述第二導電軌跡22b的外側(cè)端220b。
以本實施例而言，所述驅(qū)動集成電路焊盤lib排列成鋸齒形狀(sawtooth shape)，用于增加所述驅(qū)動集成電路焊盤llb的密集度，而所述發(fā)光二極管悍盤21b排列成直線形狀(line shape)。
緊接著，請配合圖2、圖2B及圖2C所示，步驟S204為"在回焊過程中將該基板4b相對于水平面傾斜預(yù)定角度e，以使得所述導電材料3bl(如圖2B所示)形成液態(tài)的導電材料3b2 (如圖2C所示)，并使所述液態(tài)的導電材料3b2分別依序橫跨所述第一開槽10b及所述第二開槽20b而分別流向所述第二導電軌跡22b的外側(cè)端220b"。換言之，每一個液態(tài)的導電材料 3b2依序沿著該相對應(yīng)的第一導電軌跡12b、橫跨該相對應(yīng)的第一開槽10b 及第二開槽20b、以及沿著該相對應(yīng)的第二開槽20b的側(cè)壁20bW，而流向該相對應(yīng)第二導電軌跡22b的外側(cè)端220b(所述液態(tài)的導電材料3b2被該絕緣層25b阻擋至每一個第二導電軌跡22b的外側(cè)端220b)。或者，每一個液態(tài)的導電材料3b2沿著該相對應(yīng)的第一導電軌跡12b并且橫跨該相對應(yīng)的第一開槽10b及第二開槽20b，以流向成形于相對應(yīng)第二開槽20b的側(cè)壁20bW上的第二導電軌跡22b。
緊接著，請配合圖2、圖2D1及圖2D2(圖2D2為圖2D1的部分俯視圖) 所示，步驟S206為"冷卻所述液態(tài)的導電材料3b2，以形成多個分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lb及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b之間的導電結(jié)構(gòu) 3B」。其中，每一個導電結(jié)構(gòu)3B分成兩個電相連的第一部分3B1及第二部分3B2，該第一部分3B1成形于相對應(yīng)的驅(qū)動集成電路焊盤llb及第一導電軌跡12b上，該第二部分3B2依序橫跨該相對應(yīng)的第一開槽10b及第二開槽 20b并且通過該絕緣層25b的阻擋而成形于相對應(yīng)的第二開槽20b的側(cè)壁 20bW上及該相對應(yīng)的第二導電軌跡22b的外側(cè)端220b上。因此，所述導電結(jié)構(gòu)3B分別電連接于所述驅(qū)動集成電路焊盤lib及所述第二導電軌跡22b 的外側(cè)端220b之間，以使得每一個相對應(yīng)的驅(qū)動集成電路焊盤lib及發(fā)光二極管焊盤21b產(chǎn)生電連接。
請參閱圖3、及圖3A1至圖3D2所示，其中圖3為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第三實施例的流程圖；圖3A1至圖 3D2分別為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第三實施例的流程示意圖。
由圖3可知，本發(fā)明的第三實施例提供一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其步驟包括首先，請配合圖3、圖3A1及圖3A2 (圖3A2為圖3A1的部分俯視圖)所示，步驟S300為"提供具有至少一個凹槽100c的驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc及容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc的凹槽 100c內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc的側(cè)壁lcW形成有多個第一開槽10c，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的側(cè)壁2cW形成有多個分別鄰近所述第一開槽10c的第二開槽20c，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的上表面具有多個導電材料3cl」。
其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c通過粘著元件200c以容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc的凹槽100c內(nèi)。該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的上表面低于該驅(qū) 動集成電路結(jié)構(gòu)lc的上表面。所述第一開槽10c與該至少一個凹槽100c、及所述第二開槽20c皆通過蝕刻的方式分別成形在該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc 的側(cè)壁lcW上及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的側(cè)壁2cW上，并且每一個第一開槽10c及每一個第二開槽20c的槽深介于50~100微米(Mm)之間。再者，所述導電材料3cl可通過電鍍或任何成形的方式，以成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc上，并且所述導電材料3cl可為焊錫。
然后，步驟S302為"將該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc電連接于基板4c上"。其中該基板4c可為電路板(PCB)，并且該基板4c具有至少一個輸出/輸入焊盤40c。此外，至少一個導電元件5c電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc 與該基板4c的至少一個輸出/輸入焊盤40c之間。
再者，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽 10c的驅(qū)動集成電路焊盤llc及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤llc 與所述第一開槽10c之間的第一導電軌跡12c。其中，每一個第一導電軌跡 12c除了成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc的上表面外，亦成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc的相對應(yīng)第一開槽10c的側(cè)壁10cW上。
并且，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽20c的發(fā)光二極管焊盤21c及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤21c與所述第二開槽20c之間的第二導電軌跡22c。其中，每一個第二導電軌跡22c 除了成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的上表面外，亦成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的相對應(yīng)第二開槽20c的側(cè)壁20cW上。另外，所述導電材料 3cl分別成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的所述發(fā)光二極管焊盤21c上。另外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c具有多個分別通過相對應(yīng)的第三導電軌跡23c 而電連接于所述發(fā)光二極管焊盤21c的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 24c。
以本實施例而言，所述驅(qū)動集成電路焊盤llc排列成鋸齒形狀(sawtooth shape)，以用于增加所述驅(qū)動集成電路焊盤llc的密集度，而所述發(fā)光二極管焊盤21c排列成直線形狀(line shape)。
緊接著，請配合圖3、圖3B及圖3C所示，步驟S304為"在回焊過程中將該基板4c相對于水平面傾斜預(yù)定角度e，以使得所述導電材料3cl(如圖3B所示)形成液態(tài)的導電材料3c2 (如圖3C所示)，并使所述液態(tài)的導電材料3c2分別依序橫跨所述第二開槽20c及所述第一開槽10c而流向該驅(qū) 動集成電路結(jié)構(gòu)lc"。換言之，每一個液態(tài)的導電材料3c2依序沿著該相對應(yīng)的第二導電軌跡22c、橫跨該相對應(yīng)的第二開槽20c及第一開槽10c、以及沿著該相對應(yīng)的第一開槽10c的側(cè)壁10cW及該相對應(yīng)的第一導電軌跡12c，而流向該相對應(yīng)的驅(qū)動集成電路焊盤llc?；蛘?，每一個液態(tài)的導電材料3c2沿著該相對應(yīng)的第二導電軌跡22c并且橫跨該相對應(yīng)的第二開槽20c及第一開槽10c，以流向成形于相對應(yīng)第一開槽10c的側(cè)壁lOcW上的第一導電軌跡12c上。
緊接著，請配合圖3、圖3D1及圖3D2(圖3D2為圖3D1的部分俯視圖) 所示，步驟S306為"冷卻所述液態(tài)的導電材料3c2，以形成多個分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c之間的導電結(jié)構(gòu) 3C"。其中，每一個導電結(jié)構(gòu)3C分成三個依序電相連的第一部分3C1、第二部分3C2及第三部分3C3，該第一部分3C1成形于相對應(yīng)的發(fā)光二極管焊盤21c及第二導電軌跡22c上，并且該第二部分3C2依序橫跨該相對應(yīng)的第二開槽20c及第一開槽10c并成形于位于相對應(yīng)的第一開槽10c的側(cè)壁10cW 上的第一導電軌跡12c上，以及該第三部分3C3成形于相對應(yīng)的第一導電軌跡12c上表面以電連接于相對應(yīng)的驅(qū)動集成電路焊盤llc。因此，所述導電結(jié)構(gòu)3C分別電連接于所述驅(qū)動集成電路焊盤1 lc及所述發(fā)光二極管焊盤21c 之間。
請參閱圖4、及圖4A1至圖4D2所示，其中圖4為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第四實施例的流程圖；圖4A1至圖 4D2分別為本發(fā)明具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法的第四實施例的流程示意圖。
由圖4可知，本發(fā)明的第四實施例提供一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其步驟包括首先，請配合圖4、圖4A1及圖4A2 (圖4A2為圖4A1的部分俯視圖)所示，步驟S400為"提供具有至少一個凹槽100d的驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld及容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld的凹槽100d內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld的側(cè)壁ldW 形成有多個第一開槽10d,該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld的上表面具有多個導電材料3dl，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的側(cè)壁2dW形成有多個分別鄰近所述第一開槽10d的第二開槽20d，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的上表面具有絕緣層25d"。
其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d通過粘著元件200d以容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld的凹槽100d內(nèi)。該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的上表面低于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld的上表面。所述第一開槽10d、所述第二開槽20d、及該至少一個凹槽100d皆通過蝕刻的方式分別成形在該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)Id 的側(cè)壁ldW上及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的側(cè)壁2dW上，并且每一個第一開槽10d及每一個第二開槽20d的槽深介于50 100微米(pm)之間。再者，所述導電材料3dl可通過電鍍或任何成形的方式，以成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld上，并且所述導電材料3dl可為焊錫。
然后，步驟S402為"將該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld電連接于基板4d上"。其中該基板4d可為電路板(PCB)，并且該基板4d具有至少一個輸出/輸入焊盤40d。此外，至少一個導電元件5d電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld 與該基板4d的至少一個輸出/輸入焊盤40d之間。
再者，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽 10d的驅(qū)動集成電路焊盤lld及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤lld 與所述第一開槽10d之間的第一導電軌跡12d。其中，每一個第一導電軌跡 12d除了成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld的上表面外，亦成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld的相對應(yīng)第一開槽10d的側(cè)壁10dW上。
并且，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽20d的發(fā)光二極管焊盤21d及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤21d與所述第二開槽20d之間的第二導電軌跡22d。其中，每一個第二導電軌跡22d 除了成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的上表面外，亦成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的相對應(yīng)第二開槽20d的側(cè)壁20dW上。此外，所述導電材料 3dl分別成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的所述發(fā)光二極管焊盤21d上。另外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d具有多個分別通過相對應(yīng)的第三導電軌跡23d 而電連接于所述發(fā)光二極管焊盤21d的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 24d。
再者，該成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)Id的上表面的絕緣層25d用以曝露出所述驅(qū)動集成電路焊盤lld及所述第一導電軌跡12d的外側(cè)端120d。
以本實施例而言，所述驅(qū)動集成電路焊盤lid排列成鋸齒形狀(sawtooth shape)，以用于增加所述驅(qū)動集成電路焊盤lld的密集度，而所述發(fā)光二極管焊盤21d排列成直線形狀(line shape)。
緊接著，請配合圖4、圖4B及圖4C所示，步驟S404為"在回焊過程中將該基板4d相對于水平面傾斜預(yù)定角度e,以使得所述導電材料3dl(如圖4B所示)形成液態(tài)的導電材料3d2 (如圖4C所示)，并使所述液態(tài)的導跨所述第二開槽20d及所述第一開槽10d而分別流向所述第一導電軌跡12d的外側(cè)端120d"。換言之，每一個液態(tài)的導電材料 3d2依序沿著該相對應(yīng)的第二導電軌跡22d、橫跨該相對應(yīng)的第二開槽20d 及第一開槽10d、以及沿著該相對應(yīng)的第一開槽10d的側(cè)壁10dW，而流向該相對應(yīng)第一導電軌跡12d的外側(cè)端120d(所述液態(tài)的導電材料3d2被該絕緣層25d阻擋至每一個第一導電軌跡12d的外側(cè)端120d)。或者，每一個液態(tài)的導電材料3d2沿著該相對應(yīng)的第二導電軌跡22d并且橫跨該相對應(yīng)的第二開槽20d及第一開槽10d，以流向成形于相對應(yīng)第一開槽10d的側(cè)壁10dW 上的第一導電軌跡12d上。
緊接著，請配合圖4、圖4D1及圖4D2(圖4D2為圖4D1的部分俯視圖) 所示，步驟S406為"冷卻所述液態(tài)的導電材料3d2，以形成多個分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)ld及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d之間的導電結(jié)構(gòu) 3D"。其中，每一個導電結(jié)構(gòu)3D分成兩個電相連的第一部分3D1及第二部分3D2，該第一部分3D1成形于相對應(yīng)的發(fā)光二極管悍盤21d及第二導電軌跡22d上，該第二部分3D2依序橫跨該相對應(yīng)的第二開槽20d及第一開槽 10d并且通過該絕緣層25d的阻擋而成形于相對應(yīng)的第一開槽10d的側(cè)壁 10dW上及該相對應(yīng)的第一導電軌跡12d的外側(cè)端120d上。因此，所述導電結(jié)構(gòu)3D分別電連接于所述發(fā)光二極管焊盤21d及所述第一導電軌跡12d的外側(cè)端120d之間，以使得每一個相對應(yīng)的驅(qū)動集成電路焊盤lld及發(fā)光二極管焊盤21d產(chǎn)生電連接。
此外，依據(jù)設(shè)計者的需求，設(shè)置導電材料的一端可省去開槽的設(shè)置。換言之，以第一實施例而言，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la不需要事先形成所述第一開槽10a，而使得所述液態(tài)的導電材料3a2只要分別橫跨該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的所述相對應(yīng)的第二開槽20a，即可形成所述電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)la及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a之間的導電結(jié)構(gòu)3B。以第三實施例而言，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c不需要事先形成所述第二開槽20c，而使得所述液態(tài)的導電材料3c2只要分別橫跨該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc的所述相對應(yīng) 的第一開槽10c，即可形成所述電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)lc及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c之間的導電結(jié)構(gòu)3C。
綜上所述，本發(fā)明的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊可為發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)模塊。此外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)模塊為一種光輸出模塊(light exposure module)，其可應(yīng)用在掃描器(scanner)與光電成像式(Electrophotography, EPG)打印機中。
此外，本發(fā)明的技術(shù)特點在于(1)首先，在驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面成形至少一個凹槽；(2)將發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)容置于該至少一個凹槽內(nèi)，并且使得該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)與該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)之間形成高度差(heightdifference) ; (3)分別在該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)與該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)相鄰近的兩側(cè)壁上制作用于電連接的凹槽；(4)在該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)上電鍍焊錫材料；(5)將該電路板傾斜預(yù)定角度并進行回焊工藝，因此在回焊過程中，該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)上的焊錫材料將往較低處的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的方向流動，進而與該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的焊盤連接，以達成 600dpi 1200dpi (dots per inch)高密度的電連接。因此，本發(fā)明可縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電連接所需的生產(chǎn)成本。
因此，本發(fā)明不但能解決傳統(tǒng)工藝采用一根一根進行打線接合而產(chǎn)生冗長的工藝的缺失，并且也能解決公知為達成高密度電連接的工藝仍顯的復(fù)雜 (尤其是半導體工藝部分)的缺失，進而以達到縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電連接所需的生產(chǎn)成本的優(yōu)點。
以上所述僅為本發(fā)明最優(yōu)選具體實施例之一的詳細說明與附圖，但本發(fā) 明的特征并不局限于此，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明的所有范圍應(yīng)以下述的權(quán)利要求書為準，凡符合本發(fā)明權(quán)利要求的精神與其類似變化的實施例，皆應(yīng)包含于本發(fā)明的范圍中，本領(lǐng)域技術(shù)人員在本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)，可輕易想到的變化或修飾皆可涵蓋在以下本申請的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于，包括驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)，其具有至少一個凹槽；發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)靠近該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個第二開槽；以及多個導電結(jié)構(gòu)，其分別橫跨所述第二開槽，以分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間。
2、如權(quán)利要求1所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面與該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面不等高。
3、如權(quán)利要求1所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個分別鄰近所述第二開槽的第一開槽，并且每一個導電結(jié)構(gòu)橫跨該相對應(yīng)的第一開槽。
4、如權(quán)利要求3所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于每一個第一開槽的槽深介于50~100微米之間，并且每一個第二開槽的槽深介于50~100微米之間。
5、如權(quán)利要求1所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于，還進一步包括具有至少一個輸出/輸入焊盤的基板及至少一個導電元件，其中該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)電連接地設(shè)置于該基板上，并且該導電元件電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)與該基板的輸出/輸入焊盤之間。
6、如權(quán)利要求2所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽的驅(qū) 動集成電路焊盤，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽的發(fā)光二極管焊盤。
7、如權(quán)利要求2所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽的驅(qū) 動集成電路焊盤及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤與所述第一開槽之間的第一導電軌跡，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng) 所述第二開槽的發(fā)光二極管焊盤及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤與所述第二開槽之間的第二導電軌跡。
8、如權(quán)利要求7所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于每一個導電結(jié)構(gòu)分成三個依序電相連的第一部分、第二部分及第三部分，該第一部分成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)驅(qū)動集成電路焊盤及第一導電軌跡上，該第二部分依序橫跨該相對應(yīng)的第一開槽及第二開槽并成形于位于相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁上的第二導電軌跡上，并且該第三部分成形于相對應(yīng)的第二導電軌跡上表面以電連接于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)發(fā)光二極管焊盤。
9、如權(quán)利要求7所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面覆蓋一層用以曝露出所述發(fā)光二極管焊盤及所述第二導電軌跡的外側(cè)端的絕緣層。
10、如權(quán)利要求9所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于每一個導電結(jié)構(gòu)分成兩個電相連的第一部分及第二部分，該第一部分成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)驅(qū)動集成電路焊盤及第一導電軌跡上，該第二部分依序橫跨該相對應(yīng)的第一開槽及第二開槽并且通過該絕緣層的阻擋而成形于相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁上及該相對應(yīng)的第二導電軌跡的外側(cè)端上。
11、一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于，包括下列步驟提供具有至少一個凹槽的驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)及容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其中該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個導電材料，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)靠近該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個第二開槽，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面高于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面；將該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)電連接于基板上；在回焊過程中將該基板相對于水平面傾斜預(yù)定角度，以使得所述導電材料形成液態(tài)的導電材料，并使所述液態(tài)的導電材料分別橫跨所述第二開槽而流向該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)；以及冷卻所述液態(tài)的導電材料，以形成多個分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié) 構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間的導電結(jié)構(gòu)。
12、如權(quán)利要求11所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個分別鄰近所述第二開槽的第一開槽，并且每一個導電結(jié)構(gòu)橫跨該相對應(yīng)的第一開槽。
13、如權(quán)利要求12所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于每一個第一開槽的槽深介于50-100微米之間，每一個第二開槽的槽深介于50-100微米之間，并且所述第一開槽、所述第二開槽、及該至少一個凹槽通過蝕刻的方式完成。
14、如權(quán)利要求11所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于所述導電材料通過電鍍的方式成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)上，并且所述導電材料為焊錫。
15、如權(quán)利要求12所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽的驅(qū)動集成電路焊盤及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤與所述第一開槽之間的第一導電軌跡，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽的發(fā)光二極管焊盤及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤與所述第二開槽之間的第二導電軌跡。
16、一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于，包括下列步驟提供具有至少一個凹槽的驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)及容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其中該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個第一開槽，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個導電材料，并且該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面高于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面；將該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)電連接于基板上；在回焊過程中將該基板相對于水平面傾斜預(yù)定角度，以使得所述導電材料形成液態(tài)的導電材料，并使所述液態(tài)的導電材料分別橫跨所述第二開槽而流向該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)；以及冷卻所述液態(tài)的導電材料，以形成多個分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié) 構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間的導電結(jié)構(gòu)。
17、如權(quán)利要求16所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個分別鄰近所述第二開槽的第一開槽，并且每一個導電結(jié)構(gòu)橫跨該相對應(yīng)的第一開槽。
18、如權(quán)利要求17所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于每一個第一開槽的槽深介于50-100微米之間，每一個第二開槽的槽深介于50~100微米之間，并且所述第一開槽、所述第二開槽、及該至少一個凹槽通過蝕刻的方式完成。
19、如權(quán)利要求16所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于所述導電材料通過電鍍的方式成形于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)上，并且所述導電材料為焊錫。
20、如權(quán)利要求17所述的具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的制作方法，其特征在于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第一開槽的驅(qū)動集成電路焊盤及多個分別成形于所述驅(qū)動集成電路焊盤與所述第一開槽之間的第一導電軌跡，并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的上表面具有多個相對應(yīng)所述第二開槽的發(fā)光二極管焊盤及多個分別成形于所述發(fā)光二極管焊盤與所述第二開槽之間的第二導電軌跡。
全文摘要
一種具有高密度電連接的嵌入式構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其制作方法，其中該構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊包括具有至少一個凹槽的驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)、容置于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)、及多個導電結(jié)構(gòu)。該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個第一開槽。該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個分別鄰近所述第一開槽的第二開槽。所述導電結(jié)構(gòu)分別依序橫跨所述第一開槽及所述第二開槽，以分別電連接于該驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間。本發(fā)明能夠縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電連接所需的生產(chǎn)成本。
文檔編號B41J2/45GK101554803SQ200810091149
公開日2009年10月14日申請日期2008年4月7日優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日
發(fā)明者吳明哲申請人:環(huán)隆電氣股份有限公司

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