專利名稱：：信息記錄介質(zhì)及其制造方法、以及濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光學(xué)或電性地記錄、消除、重寫及/或再生信息的信息記錄介質(zhì)以其制造方法、以及能用于制造該信息記錄介質(zhì)的濺射靶。
背景技術(shù)：
：作為現(xiàn)有的信息記錄介質(zhì)，有利用其記錄層(相變化材料層)發(fā)生相變化的現(xiàn)象的相變化型信息記錄介質(zhì)。作為該相變化型信息記錄介質(zhì)之一，有使用激光束光學(xué)地將信息記錄、消除、重寫、再生的信息記錄介質(zhì)(以下有時簡單稱為光學(xué)信息記錄介質(zhì))。在光學(xué)信息記錄介質(zhì)中，記錄信息是通過利用照射激光束所產(chǎn)生的熱使記錄層的相變化材料在例如結(jié)晶相和無定形相之間發(fā)生狀態(tài)變化來進行的。記錄后的信息通過檢測結(jié)晶相和無定形相之間的反射率差而讀取。進而，作為光學(xué)信息記錄介質(zhì)之一，有能消除和重寫信息的重寫型信息記錄介質(zhì)。通常，記錄層的初始狀態(tài)為結(jié)晶相。記錄信息時，照射高功率(記錄功率)的激光束熔融記錄層后，急劇冷卻，由此使激光照射部轉(zhuǎn)化為無定形相。另一方面，消除信息時，照射比記錄時低的功率(消除功率)的激光束，將記錄層升溫后慢慢冷卻，由此使激光照射部轉(zhuǎn)化為結(jié)晶相。因此，在重寫型信息記錄介質(zhì)中，通過對記錄層照射在高功率水平和低功率水平之間進行功率調(diào)制的激光束，能邊消除被記錄的信息邊記錄或重寫新信息。為了使記錄層轉(zhuǎn)化為結(jié)晶相，必須在使記錄層變化為結(jié)晶相的溫度(結(jié)晶化溫度)下僅保持一定時間(結(jié)晶化時間)。由于結(jié)晶化時間越短，轉(zhuǎn)化為結(jié)晶相所需的時間越短，所以能在短時間內(nèi)消除和重寫，即高速消除，重寫。另夕卜，相變化型信息記錄介質(zhì)中，只能記錄一次信息而不能消除和重寫信息的追記型信息記錄介質(zhì)中，通常記錄層的初始狀態(tài)為無定形相。在該追記型信息記錄介質(zhì)中記錄信息時，通過照射高功率(記錄功率)的激光束，將記錄層升溫后慢慢冷卻，由此將激光照射部轉(zhuǎn)化為結(jié)晶相。也有下述相變化型信息記錄介質(zhì)，其是通過施加電能(例如電流)產(chǎn)生的焦耳熱使記錄層的相變化材料發(fā)生狀態(tài)變化代替上述照射激光束，由此來記錄信息。在該信息記錄介質(zhì)中記錄信息如下進行，即通過由施加電流而產(chǎn)生的焦耳熱使記錄層的相變化材料在結(jié)晶相(低電阻)和無定形相(高電阻)之間發(fā)生狀態(tài)變化。信息的再生通過檢測結(jié)晶相和無定形相之間的電阻差作為信息而讀取來進行。作為相變化型信息記錄介質(zhì)的例子，可以舉出4.7GB/DVD-RAM。4.7GB/DVD-RAM如圖15的信息記錄介質(zhì)12所示，從激光入射側(cè)觀察于基板1上依次具有第1電介質(zhì)層2、第1界面層3、記錄層4、第2界面層5、第2電介質(zhì)層6、光吸收補償層7、反射層8這7層構(gòu)成。記錄層4使用含有(Ge-Sn)Te-Sb2Te3的高速結(jié)晶化材料而形成，所述(Ge-Sn)Te-Sb2Te3是混合化合物GeTe禾卩Sb2Te3得至U的GeTe-Sb2Te3擬二元系相變化材料(例如參見專利文獻1)的一部分Ge被Sn取代而獲得的。另外，使用混合化合物GeTe和Bi2Te3得到的GeTe-Bi2Te3擬二元系相變化材料(例如參見專利文獻2)時，能更高速的重寫。通過使用上述材料，不僅僅能實現(xiàn)初始記錄重寫性能，也能實現(xiàn)優(yōu)異的記錄保存性(可以將記錄的信號在長期保存后再生的特性)以及重寫保存性(可以將記錄的信號在長期保存后消除或重寫的特性)。第1電介質(zhì)層2和第2電介質(zhì)層6具有下述光學(xué)作用，即調(diào)節(jié)光學(xué)距離來提高在記錄層4中的光吸收效率，增加結(jié)晶相和無定形相的反射率變化，從而擴大信號強度。另外，上述電介質(zhì)層2及6具有下述熱作用，即將不耐受熱的基板1及模仿基板(dummysubstrate)10等從記錄時處于高溫的記錄層4隔斷。迄今為止所用的(ZnS)8Q(Si02)2Q(mol%)是透明且高折射率、低熱傳導(dǎo)率、隔熱性優(yōu)良、機械特性以及耐濕性也良好的優(yōu)異的電介質(zhì)材料。反射層8具有增加記錄層4所吸收的光量的光學(xué)功能。另外，反射層8也具有使在記錄層4中產(chǎn)生的熱迅速擴散、從而使記錄層4容易無定形化的熱功能。進而，反射層8還具有保護多層膜免受使用環(huán)境的破壞的功能。第1界面層3和第2界面層5具有防止在第1電介質(zhì)層2和記錄層4、以及第2電介質(zhì)層6和記錄層4之間產(chǎn)生的物質(zhì)移動的功能。所謂該物質(zhì)移動，是指下述現(xiàn)象在以例如(ZnS)so(Si02)2Q(下標(biāo)表示以mol%所示的組成比)形成第1電介質(zhì)層2以及第2電介質(zhì)層6的情況下，對記錄層4照射激光束反復(fù)記錄'重寫時，S(硫)在記錄層中擴散。S擴散到記錄層中時，反復(fù)重寫性能惡化。為了防止該反復(fù)重寫性能惡化，可以在第1界面層3以及第2界面層5中使用含有Ge的氮化物(例如參見專利文獻3)。通過以上的技術(shù)，達到了優(yōu)異的重寫性能和高可靠性，并且4.7GB/DVD-RAM實現(xiàn)了商品化。目前，作為使信息記錄介質(zhì)進一步大容量化的技術(shù)，導(dǎo)入了各種技術(shù)。例如導(dǎo)入了下述技術(shù)，即通過在光學(xué)信息記錄介質(zhì)中使用比紅色激光短的波長的藍紫色激光，以及減少激光束入射一側(cè)的基板的厚度，并使用開口數(shù)(NA)大的物鏡，由此通過使用較小的點徑的激光束進行高密度記錄的技術(shù)。也導(dǎo)入了下述技術(shù)，即使用具有2個信息層的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，將記錄容量提高2倍，并且通過僅入射到其一方的面上的激光束用2個信息層進行記錄再生(例如參見專利文獻4)。在該2層信息記錄介質(zhì)中，使用透過接近于激光束的入射側(cè)的信息層(以下稱為第l信息層)的激光束，進行距離激光束的入射側(cè)較遠的信息層(以下稱為第2信息層)的記錄再生。因此，在第l信息層中，必須極度減小記錄層及反射層的厚度來提高透射率。專利文獻1專利第2584741號公報(第1-5頁、圖1)專利文獻2專利第2574325號公報(第1-5頁、圖1)專利文獻3特開平10-275360號公報(第2-6頁、圖2)專利文獻4特開2000-36130號公報(第2-ll頁、圖2)
發(fā)明內(nèi)容但是，薄化目前所用的記錄層、例如GeTe-Bi2Te3時，存在記錄層的結(jié)晶化能降低、消除性能降低的課題。另外，極度薄化記錄層以及反射層9來提高透射率時，在記錄層中的光吸收減少，記錄信息時需要較大的能量(激光功率)。即，也存在記錄靈敏度降低的課題。本發(fā)明用于解決上述現(xiàn)有的課題，目的在于提供記錄靈敏度以及消除性能同時提高的相變化型信息記錄介質(zhì)。為了達到上述目的，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)是通過照射光或施加電能而能夠記錄信息的信息記錄介質(zhì)，其特征在于，所述信息記錄介質(zhì)至少具有能發(fā)生相變化的記錄層，所述記錄層將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上。根據(jù)該特征，能提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。另外，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層可以含有下述式(1)表示的材料。含有上述材料的記錄層能提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。Sb1()().alMlal(原子％)(1)(其中，Ml表示選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，al表示以原子％表示的組成比，并且滿足0〈a1^50。)此處，所謂"原子％"，表示式(1)是以"Sb"原子及"Ml"原子的總數(shù)為基準(100%)表示的組成式。在以下的式中，"原子％"的表示以相同的宗旨進行使用。另外，式(l)是僅計數(shù)記錄層中所含的"Sb"原子以及"Ml"原子來表示的。因此，記錄層有時含有達總體的15原子％的量的上述原子以外的成分(例如其他金屬元素、氧、氫、氬和氮等)。另外，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層可以含有下述式(2)表示的材料。含有上述材料的記錄層能提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。Sb1()o.a2Zna2(原子％)(2)(其中，a2表示以原子Q/^表示的組成比，并且滿足0〈a2^30。)另外，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層可以含有下述式(3)表示的材料。含有上述材料的記錄層可以提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。Sb1()Q_a3Sia3(原子％)(3)(其中，a3表示以原子X表示的組成比，滿足0〈a3^30。)10另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層可以含有下述式(4)表示的材料。含有上述材料的記錄層可以提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。Sb10o_a4Ca4(原子％)(4)(其中，a4表示以原子X表示的組成比，并且滿足0〈a4S50。)另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層可以含有下述式(5)表示的材料，含有上述材料的記錄層可以提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。Sb100_a5(SiC)a5(mol%)(5)(其中，a5表示以原子X表示的組成比，并且滿足0〈a5S30。)另外，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層還可以含有選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素。記錄層含有上述元素，由此能進一步提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度。另外，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層可以含有下述式(6)表示的材料。含有上述材料的記錄層能進一步提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度。Sb10o.a6.b6Mla6M2b6(原子％)(6)(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素，a6以及b6表示以原子％表示的組成比，并且滿足0〈a6^50、0<b6^15。)另外，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層還可以含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、丁i、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層的厚度可以為15nm以下。由此，能提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度。另夕卜，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層的厚度可以為3nm以下。具有上述厚度的記錄層在多層的相變化型信息記錄介質(zhì)中可以提高接近激光束的入射側(cè)的信息層的透射率。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)可以具有N1個(其中，Nl為2以上的整數(shù))信息層、即可以具有N1層(其中，Nl為2以上的整數(shù))記錄層。由此，可以提高信息記錄介質(zhì)的記錄容量。需要說明的是，Nl可以為2。Nl也可以為3或4。在具有N1個信息層的信息記錄介質(zhì)中，至少一個記錄層含有上述材料(Sb和Ml的組合)。另外，本發(fā)明提供一種信息記錄介質(zhì)，其是通過照射光或施加電能而能夠記錄信息的信息記錄介質(zhì)，該記錄介質(zhì)具有記錄部，所述記錄部是層疊選自含有Sb的層、含有M1的層(其中，Ml是選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、含有M2的層(其中，M2是選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)、含有Sb-Ml的層、含有Sb-M2的層、含有Ml-M2的層以及含有Sb-Ml-M2的層中的至少2種以上的層而得到的。通過將記錄部設(shè)定為由多層形成的層，能提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。此處，用語"記錄部"是為了區(qū)別由2層以上的層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)的記錄層和單層結(jié)構(gòu)的記錄層而使用的，在記錄層和記錄部上信息記錄介質(zhì)的功能不發(fā)生變化。另外，具有記錄部的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄部可以至少具有含有Sb-Ml的層、以及含有Sb-M2的層的層疊結(jié)構(gòu)。在構(gòu)成記錄部的層疊結(jié)構(gòu)中，含有Sb-Ml的層能以50原子。％以下的比例含有C，含有Sb-M2的層能以30原子％以下的比例含有選自Ge以及Te中的至少一種元素。通過構(gòu)成上述記錄部，能調(diào)整相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。另外，具有記錄部的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)可以至少具有含有Sb-Ml的層與含有M2的層的層疊結(jié)構(gòu)。另外，在該層疊結(jié)構(gòu)中，含有Sb-Ml的層能以50原子％以下的比例含有C，含有M2的層能以40原子％以上的比例含有Te。通過構(gòu)成上述記錄部，能調(diào)整相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。另外，具有記錄部的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄部所含的l層或多層還可以含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素。另外，在具有記錄部的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄部的厚度可以為15nm以下。由此，能提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度。具有記錄部的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄部的厚度可以為3nm以下。具有上述厚度的記錄部在多層的相變化型信息記錄介質(zhì)中可以提高接近于激光束的入射側(cè)的信息層的透射率。具有記錄部的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)可以具有N2個信息層、即可以具有N2個(其中，N2為2以上的整數(shù))記錄部。由此，能提高信息記錄介質(zhì)的記錄容量。另外，N2可以為2。N2也可以為3或4。具有N2個信息層的信息記錄介質(zhì)中，至少一個記錄部由選自含有上述規(guī)定元素的層中的多層構(gòu)成。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)還可以具有與記錄層的至少一方的面或記錄部的至少一方的面相接觸而配置的界面層。如果設(shè)置界面層，則能提高相變化型信息記錄介質(zhì)的反復(fù)重寫性能。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，界面層可以含有選自氧化物、氮化物、碳化物、硫化物以及氟化物中的至少一種化合物。由此提高相變化型信息記錄介質(zhì)的反復(fù)重寫性能。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，界面層可以含有選自Zr、Hf、Y以及Si中的至少一種元素、選自Ga、In以及Cr中的至少一種元素和O。由此提高相變化型信息記錄介質(zhì)的反復(fù)重寫性能。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)還可以具有反射層。反射層提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度和信號強度。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，反射層可以主要含有Ag。由此提高相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度和信號強度。用語"主要"表示含有90原子X以上的Ag。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，反射層的厚度可以為20nm以下。反射層的厚度為20nm以下時，多層的相變化型信息記錄介質(zhì)中，能提高位于激光束入射側(cè)的信息層的透射率。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，反射層的厚度可以為5nm以下。上述薄反射層在多層相變化型信息記錄介質(zhì)中進一步提高接近于激光束的入射側(cè)的信息層的透射率。本發(fā)明提供上述本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法，該方法是至少包括下述工序的信息記錄介質(zhì)的制造方法，所述工序中，形成將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上的記錄層，其特征在于，形成記錄層的工序中，使用含有選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb的濺射靶進行濺射。通過上述制造方法制作記錄靈敏度以及消除性能提高的相變化型信息記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明提供一種信息記錄介質(zhì)的制造方法，該方法至少包括下述工序，所述工序中，形成將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上的記錄層，其特征在于，形成記錄層的工序中，使用選自Sb、Ml(其中，Ml是選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、M2(其中，M2是選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)、Sb-Ml、Sb-M2、Ml-M2以及Sb-Ml-M2表示的濺射革巴中的至少2個以上濺射靶進行濺射。根據(jù)該制造方法，能制作記錄靈敏度以及消除性能提高的相變化型信息記錄介質(zhì)。本發(fā)明還提供一種信息記錄介質(zhì)的制造方法，該方法至少包括形成層疊至少2種以上的層而形成的記錄部的工序，其特征在于，形成所述記錄部的工序中，使用選自Sb、Ml(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、M2(其中，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)、Sb-Ml、Sb-M2、Ml-M2以及Sb-Ml-M2表示的濺射靶中的至少2個以上濺射靶進行濺射。根據(jù)該制造方法，能制作記錄靈敏度以及消除性能提高的相變化型信息記錄介質(zhì)。本發(fā)明還提供將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上的濺射靶作為用于制造本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)時的濺射靶。通過使用上述濺射靶形成記錄層，能制作記錄靈敏度以及消除性能提高的相變化型信息記錄介質(zhì)。另外，對用于制造本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)時的濺射靶而言，想要得到的膜含有式(1)表示的材料時，可以為含有式(10)表示的材料的濺射耙。通過使用上述濺射靶形成記錄層，能制作記錄靈敏度以及消除性能提高的相變化型信息記錄介質(zhì)。Sb,o(N"Mla！(原子％)(1)(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，al表示以原14子％表示的組成比，并且滿足0<31^50。)Sb,oo.A,MUi(原子％)(10)(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，Al表示以原子％表示的組成比，滿足aKAl^(al+3)。)根據(jù)本發(fā)明，能提供記錄靈敏度以及消除性能提高的相變化型信息記錄介質(zhì)。另外，根據(jù)本發(fā)明的相變化型信息記錄介質(zhì)的制造方法及/或濺射靶，能容易地制造本發(fā)明的相變化型信息記錄介質(zhì)。圖1圖1是模式地表示本發(fā)明的具有1層信息層的信息記錄介質(zhì)的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。圖2圖2是模式地表示本發(fā)明的具有N層信息層的信息記錄介質(zhì)的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。圖3圖3是模式地表示本發(fā)明的具有2層信息層的信息記錄介質(zhì)的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。圖4圖4是模式地表示本發(fā)明的具有4層信息層的信息記錄介質(zhì)的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。圖5圖5是模式地表示本發(fā)明的具有1層信息層的信息記錄介質(zhì)的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。圖6圖6是模式地表示本發(fā)明的具有N層信息層的信息記錄介質(zhì)的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。圖7圖7是模式地表示本發(fā)明的具有2層信息層的信息記錄介質(zhì)的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。圖8圖8是模式地表示本發(fā)明的具有4層信息層的信息記錄介質(zhì)的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。圖9圖9模式地表示用于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄再生的記錄再生裝置的構(gòu)成的一部分。圖10圖IO模式地表示本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)以及電信息記錄再生裝置的構(gòu)成的一部分。圖11圖11模式地表示本發(fā)明的大容量電信息記錄介質(zhì)的構(gòu)成的15一部分。圖12圖12模式地表示本發(fā)明的電信息記錄介質(zhì)和其記錄再生系統(tǒng)的構(gòu)成的一部分。圖13圖13表示適用于本發(fā)明的電信息記錄介質(zhì)的記錄，消除脈沖波形之一例。圖14圖14模式地表示制造本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的濺射裝置的一部分。圖15圖15是模式地表示4.7GB/DVD-RAM的層構(gòu)成之一例的部分剖面圖。符號說明1，14，31，36，46基板2，102，302，702，801第1電介質(zhì)層3，103，303，703第l界面層4，104記錄層5第2界面層6，106，306，706，802第2電介質(zhì)層7光吸收補償層8，108反射層9，32，35膠粘層10，33模仿基板11激光束12，15，22，24，30，34，37，38，39，44《13透明層16，18，21信息層17，19，20光學(xué)分離層23，26第1信息層25，27第2信息層28第3信息層29第4信息層言息記錄介質(zhì)40主軸電動機41物鏡42半導(dǎo)體激光43光學(xué)頭45記錄再生裝置47下部電極48，204，404第1記錄層49，304，504第2記錄層50上部電極51，58電信息記錄介質(zhì)52施加部53，66電阻測定器54，56開關(guān)55，65脈沖電源57電信息記錄再生裝置59字線60位線61存儲單元62尋址電路63存儲裝置64外部電路67真空容器68排氣口69氣體供給口70陽極71基板72濺射靶74電源202，602第3電介質(zhì)層203，603第3界面層206，606第4電介質(zhì)層208，408第1反射層209透射率調(diào)整層308，508第2反射層402第7電介質(zhì)層403第7界面層406第8電介質(zhì)層409第l透射率調(diào)整層502第5電介質(zhì)層503第5界面層506第6電介質(zhì)層509第2透射率調(diào)整層604第3記錄層608第3反射層609第3透射率調(diào)整層704第4記錄層708第4反射層卯l，902,903，904，905，卯8，909記錄波形906，907消除波形具體實施例方式以下，參見本發(fā)明的實施方案。需要說明的是，以下的實施方案只是一例，本發(fā)明并不限定于以下的實施方案。另外，在以下的實施方案中，有時在相同的要素上標(biāo)記相同的符號，省略重復(fù)說明。(實施方案l)作為實施方案1，說明本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)之一例。實施方案1的信息記錄介質(zhì)15的部分剖面圖示于圖1。信息記錄介質(zhì)15是通過照射激光束11能夠進行信息的記錄再生的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)15由形成在基板14上的信息層16以及透明層13構(gòu)成。透明層13由光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或者遲效性樹脂等樹脂或電介質(zhì)等構(gòu)成。透明層13的材料優(yōu)選對使用的激光束11具有較小的光吸收，并優(yōu)選在短波長區(qū)域中顯示光學(xué)的小雙折射。另外，透明層13可以為由透明的圓盤狀聚碳酸酯、無定形聚烯烴或者PMMA等樹脂、或玻璃構(gòu)成的片或板。此時，透明層13能通過光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或者遲效性樹脂等樹脂、或粘合性片等貼合于第1電介質(zhì)層102。在高密度記錄時，激光束11的波長X特別優(yōu)選為450nm以下。原因在于聚集激光束11時的點徑取決于波長^(波長人越短，越能聚集為更小的點徑)。另外，入小于350nm時，導(dǎo)致透明層13等的光吸收增加。因此，較優(yōu)選X在350nm450nm的范圍內(nèi)?；?4是透明的圓盤狀基板。作為構(gòu)成基板14的材料，例如可以使用聚碳酸酯、無定形聚烯烴或者PMMA等樹脂或玻璃。作為基板14的材料，從轉(zhuǎn)印性和量產(chǎn)性優(yōu)異、低成本考慮，聚碳酸酯特別有用。可以根據(jù)需要在基板14的信息層16側(cè)的表面形成用于引導(dǎo)激光束的導(dǎo)向槽。另一方面，基板14的與信息層16側(cè)相反的側(cè)的表面優(yōu)選平滑?；?4的厚度優(yōu)選在0.5mm1.2mm的范圍內(nèi)，使其能確保充分的強度，并且使得信息記錄介質(zhì)15的厚度為1.2mm左右。需要說明的是，透明層13的厚度為0.6mm左右(NA=0.6，能進行良好的記錄再生的厚度)時，基板的厚度優(yōu)選在0.55mm0.65mm的范圍內(nèi)。另外，透明層13的厚度為O.lmm左右(NA=0.85，能進行良好的記錄再生的厚度)時，基板的厚度優(yōu)選在1.05mm1.15mm的范圍內(nèi)。以下，詳細說明信息層16的構(gòu)成。信息層16有從激光束11的入射側(cè)依次配置的第1電介質(zhì)層102、記錄層104、第2電介質(zhì)層106以及反射層108。如圖所示，可以根據(jù)需要在第1電介質(zhì)層102和記錄層104之間設(shè)置第1界面層103。第l電介質(zhì)層102由電介質(zhì)構(gòu)成。該第1電介質(zhì)層102具有下述作用防止記錄層104氧化、腐蝕和變形等的作用；調(diào)整光學(xué)距離來提高記錄層104的光吸收效率的作用；增加記錄前后的反射光量的變化來提高信號強度的作用。19作為形成第1電介質(zhì)層102的材料，可以舉出例如Ti02、Zr02、Hf02、ZnO、Nb205、Ta205、Si02、Sn02、Al203、Bi203、Cr203、Ga203、In203、Sc203、Y203、La203、Gd203、Dy203、Yb203、CaO、MgO、Ce02、和Te02等氧化物。另外，也可以使用C-N、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N和Ge-Cr-N等氮化物。另外，還可以使用ZnS等硫化物、SiC等碳化物、LaF3和CeF3等氟化物以及C作為第1電介質(zhì)層102的材料。第1電介質(zhì)層102可以使用選自上述化合物及碳中的1種或多種材料的混合物來形成。例如作為ZnS和Si02的混合物的ZnS-Si02作為第1電介質(zhì)層102的材料特別優(yōu)異。原因在于ZnS-Si02是無定形材料，折射率高、成膜速度快、機械特性以及耐濕性良好。第1電介質(zhì)層102的厚度可以通過基于陣列法的計算嚴密確定，使其滿足記錄層104為結(jié)晶相的情況與記錄層為無定形相的情況的反射光量變化增大的條件。根據(jù)需要配置的第1界面層103發(fā)揮防止因反復(fù)記錄而在第1電介質(zhì)層102和記錄層104之間產(chǎn)生的物質(zhì)移動的作用。另外，第1界面層103也發(fā)揮調(diào)整促進或抑制記錄層104結(jié)晶化的結(jié)晶化能的作用。第1界面層103優(yōu)選由光吸收少、記錄時不熔解的高熔點材料、且與記錄層104的密合性良好的材料形成。記錄時不熔解的高熔點是為了在照射高功率的激光束11時不熔解混入記錄層104中所需的特性。如果混入第1界面層103的材料，則記錄層104的組成改變，重寫性能顯著降低。另夕卜，與記錄層104的密合性優(yōu)良是確?？煽啃运璧奶匦?。第1界面層103可以使用與第1電介質(zhì)層102相同的含有選自氧化物、氮化物、碳化物、硫化物以及氟化物中至少一種的材料形成。特別是含有Cr和0的材料進一步促進記錄層104結(jié)晶化，所以優(yōu)選使用，進一步優(yōu)選Cr和O形成的氧化物即Cr203。原因在于，Cr203是與記錄層104的密合性優(yōu)良的材料。另外，作為第1界面層103的材料，特別也可以使用含有In和0的材料?？梢詢?yōu)選使用111和0形成的氧化物即111203。原因在于，ln203是與記錄層104的密合性優(yōu)良的材料。作為第1界面層103的材料，特別也可以使用含有Ga和O的材料?？梢詢?yōu)選使用Ga和0形成的氧化物即Ga203。原因在于，Ga203是與記錄層104的密合性優(yōu)良的材料。另外，第1界面層103除可以含有Cr和O、Ga和O、或In和O之外，還可以含有選自Zr、Hf以及Y中的至少一種元素，該至少一種元素較優(yōu)選作為氧化物含有。作為其原因，可以舉出Zr02以及Hf02透明，熔點高達約2700280(TC，以及是在氧化物中熱傳導(dǎo)率低的材料，優(yōu)化信息記錄介質(zhì)的反復(fù)重寫性能。Y203是透明的材料，且發(fā)揮穩(wěn)定Zr02以及Hf02的作用。另外，通過混合該3種氧化物中的任一種或多種，即使與記錄層104部分或整體連接形成第1界面層103，也能實現(xiàn)反復(fù)重寫性能優(yōu)異、可靠性高的信息記錄介質(zhì)15。為了確保與記錄層104的密合性，第1界面層103中的Cr203、Ga203或111203的含量優(yōu)選為10mol^以上。進而，為了保持在第1界面層103的光吸收較小，第1界面層103中的Cr203的含量優(yōu)選為70mol^以下。Cr203增加時，有光吸收增加的傾向。第1界面層103可以使用除含有Cr、Ga、In、Zr、Hf、Y以及O之外還含有Si的材料來形成。通過在第1界面層103內(nèi)含有Si、例如Si02，能實現(xiàn)透明性提高、記錄性能優(yōu)異的第1信息層16。第1界面層103中的Si02的含量優(yōu)選為5mol^以上，為了確保與記錄層104的密合性，優(yōu)選為50mol^以下，較優(yōu)選為10mol^以上40mol^以下。為了不使第1界面層103中的光吸收導(dǎo)致信息層16在記錄前后反射光量的變化減少，第1界面層103的厚度優(yōu)選在0.5nm15nm的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在lnm10nm的范圍內(nèi)。第2電介質(zhì)層106可以使用與第1電介質(zhì)層102相同類的材料來形成。第2電介質(zhì)層106的厚度優(yōu)選在2nm75nm的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在2nm40nm的范圍內(nèi)。通過在上述范圍內(nèi)選擇第2電介質(zhì)層106的厚度，能使在記錄層104中產(chǎn)生的熱有效地擴散到反射層108偵ij。記錄層104由因照射激光束11而在結(jié)晶相和無定形相之間發(fā)生相變化的材料形成。本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，記錄層104由將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上的發(fā)生可逆相變化的材料形成。具體而言，記錄層104可以含有下述式(1)表示的材料，或者僅由該材料(即，記錄層104的組成由式(1)表示)形成。Sb10Q.alMlal(原子％)(1)(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)通過組合Sb和Ml，能將結(jié)晶化溫度提高至20(TC左右，從而無定形相的穩(wěn)定性提高。在Sb和Ml的組合中，Sb的量多時，由于結(jié)晶化速度提高，所以消除性能優(yōu)化。另外，Sb的量少時，無定形相變穩(wěn)定，從而記錄靈敏度變良好。因此，在上述式(1)中。表示以原子％表示的組成的al優(yōu)選滿足(Xa1^50，較優(yōu)選滿足2^al^20。另外，記錄層104可以含有下述式(2)表示的發(fā)生可逆相變化的材料或僅由該材料(即記錄層104的組成由式(2)表示)形成。該式(2)中，根據(jù)與上述相同的理由，表示以原子％表示的組成的a2優(yōu)選滿足0<a2^30，a2較優(yōu)選滿足2^a2^15。Sb1()()-a2Zna2(原子％)(2)另外，記錄層104可以含有下述式(3)表示的發(fā)生可逆相變化的材料或僅由該材料(即記錄層104的組成由式(3)表示)形成。在該式(3)中，根據(jù)與上述相同的理由，表示以原子％表示的組成的a3優(yōu)選滿足0<a3^30，a3較優(yōu)選滿足2^a3^15。Sb10Q.a3Sia3(原子％)(3)另外，記錄層104可以含有下述式(4)表示的發(fā)生可逆相變化的材料或僅由該材料(即記錄層104的組成由式(4)表示)形成。該式(4)中，根據(jù)與上述相同的理由，表示以原子％表示的組成的a4優(yōu)選滿足0<a4^50，較優(yōu)選滿足2^a4當(dāng)30。Sb1QQ.a4Ca4(原子％)(4)另外，記錄層104可以含有下述式(5)表示的發(fā)生可逆相變化的材料或僅由該材料(即記錄層104的組成由式(5)表示)形成。在該式(5)中，根據(jù)與上述相同的理由，表示以原子％表示的組成的a5優(yōu)選滿足0<a5^30，較優(yōu)選滿足2^a5^20。(Sb)100_a5(SiC)a5(mol%)(5)記錄層104除可以由上述式(1)(5)表示的材料形成之外，也可以由還含有選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素的材料形成。具體而言，記錄層104可以含有下述式(6)表示的材料，或可以僅由該材料(即記錄層104的組成由式(6)表示)形成。Sb10().a6.b6Mla6M2b6(原子％)(6)(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)。在式(6)表示的材料中，Sb量多時，由于結(jié)晶化速度提高，所以消除性能優(yōu)化。另外，Sb量少時，無定形相變穩(wěn)定，記錄靈敏度變良好。因此，表示以原子％表示的組成的a6和b6優(yōu)選滿足0<a6^50、0<b6^15，較優(yōu)選滿足2^a6^30、l^b6^10。使用該材料時，添加的M2能穩(wěn)定無定形相，從而能進一步提高記錄靈敏虔。記錄層104含有除上述式(1)(6)表示的材料以外的材料時，對于其比例而言，Sb和Ml共計占有構(gòu)成記錄層104的材料整體的85原子。X以上，以這樣的方式含有其他材料。記錄層104的厚度小于6nm時，為了防止結(jié)晶化速度降低，優(yōu)選Sb和Ml共計占有95原子％以上。另外，記錄層104除可以由上述式(1)(6)表示的材料形成之外，還可以由含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素的材料形成。此時，添加的元素穩(wěn)定無定形相，能提高記錄靈敏度。或者，上述元素有時不可避免地含有在記錄層104中。優(yōu)選以例如1原子％5原子％的比例在記錄層104中含有上述元素。為了提高信息層16的記錄靈敏度，記錄層104的厚度優(yōu)選在6nm15nm的范圍內(nèi)。即使在該范圍內(nèi)，記錄層104較厚時，也因熱在面內(nèi)方向上擴散導(dǎo)致熱對鄰接區(qū)域的影響變大。另外，記錄層104較薄時，信息層16的反射率減小。因此，記錄層104的厚度較優(yōu)選在8nm13nm的范圍內(nèi)。如上所述，將記錄層的厚度設(shè)定為小于6nm時，優(yōu)選使Sb和Ml共計占有95原子％以上，不降低結(jié)晶化速度。此時，也適合下述具有多個信息層的多層光學(xué)信息記錄介質(zhì)。另外，記錄層104可以形成為記錄部，所述記錄部層疊選自含有Sb的層、含有M1的層(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、23含有M2的層(其中，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)、含有Sb-Ml的層、含有Sb-M2的層、含有M1-M2的層以及含有Sb-Ml-M2的層中的至少2種以上的層而形成。本說明書中，"-"表示混合物或合金。此處，含有Sb的層是指含有60原子X以上Sb的層(其中，該層是不含有M1及M2中任一種的層)。含有M1的層是指含有60原子量％以上M1的層(其中，不含有M2)。含有M2的層是指含有60原子％以上M2的層(其中，不含有Ml)。含有Sb-Ml的層是指含有Sb和Ml(其中，不含有M2)、且含有50原子％以上Sb的層。含有Sb-M2的層是指含有60原子％以上Sb的層。含有Ml-M2的層是指共計含有60原子％以上Ml和M2的層。含有Sb-Ml-M2的層是指含有Sb、Ml和M2且含有50原子X以上Sb的層。特別是記錄部優(yōu)選至少具有含有Sb-Ml的層與含有Sb-M2的層的層疊結(jié)構(gòu)。此時，含有Sb-Ml的層能以50原子。/^以下的比例含有C，含有Sb-M2的層能以30原子％以下的比例含有選自Ge以及Te中的至少一種元素。含有Sb-Ml的層的結(jié)晶化速度較高。含有Sb-M2的層的無定形相(無定形相)比較穩(wěn)定。因此，如果采用層疊上述層而成的結(jié)構(gòu)，則能容易地調(diào)整相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。含有Sb-M2的層含有例如Sb-Ga、(Sb-Te)畫Ga、Sb-Ge、(Sb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In及(Sb-Te)-Ag-In中的任一種。另外，記錄部可以至少具有含有Sb-Ml的層與含有M2的層的層疊結(jié)構(gòu)。此時，含有Sb-Ml的層能以50原子％以下的比例含有C，含有M2的層以40原子X以上的比例含有Te。含有Sb-Ml的層的結(jié)晶化速度比較高。含有M2的層的無定形相比較穩(wěn)定。因此，如果采用層疊上述層而成的結(jié)構(gòu)，則能容易地調(diào)整相變化型信息記錄介質(zhì)的記錄靈敏度以及消除性能。含有M2的層含有例如GeTe、(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3、及(Ge誦Sn)Te-(Bi扁In)2Te3中的任一種。作為層疊結(jié)構(gòu)的例子，可以舉出Sb-C(lnm)/(Sb-Te)-Ge(9nm)、Sb-C(lnm)/(GeTe)-(Sb-Ge)(9nm)、Sb-C(lnm)/(Sb-Ge)-Te(9nm)、Sb畫Si(2nm)/(Sb-Te)-Ge(8nm)、Sb-Zn(3nm)/Sb陽Ge(7nm)、Sb-SiC(2nm)/Sb-Ge(8nm)、Sb-C(0.5nm)/(Sb-Te)-Ge(9nm)/Sb-C(0.5nm)、Sb陽Si(lnm)/(Sb-Te)-Ge(8nm)/Sb-Si(lnm)、Sb-Zn(1.5nm)/Sb隱Ge(7nm)/Sb-Zn(1.5nm)、Sb-SiC(lnm)/Sb-Ge(8腦)/Sb畫SiC(lnm)等。進而，作為其他例，可以舉出Sb誦C(5nm)/GeTe(lnm)、Sb-Si(4nm)/GeTe-Sb2Te3(2nm)、Sb-Zn(3nm)/GeTe-Bi2Te3(3nm)、Sb畫SiC(4nm)/(Ge-Sn)Te-Bi2Te3(2nm)、Sb-C(2.5nm)/GeTe(lnm)/Sb-C(2.5nm)、Sb-Si(2nm)/GeTe-Sb2Te3(2nm)/Sb-Si(2nm)、Sb-Zn(1.5nm)/GeTe-Bi2Te3(3nm)/Sb-Zn(1.5nm)、Sb-SiC(2nm)/(Ge/Sn)Te-Bi2Te3(2nm)/Sb-SiC(2nm)等。當(dāng)然，也可以使用含有此處所列舉的材料以外的材料的層?；蛘撸懿捎脤拥暮穸炔皇谴颂幩信e的厚度的結(jié)構(gòu)、或調(diào)換了層疊順序的結(jié)構(gòu)。例如可以采用上述列舉的膜厚作為優(yōu)選的膜厚比，根據(jù)記錄部的所希望的厚度，分別設(shè)定為例如2-4倍。記錄部還可以構(gòu)成為像在激光二極管中采用的超格子結(jié)構(gòu)那樣具有由較多薄層規(guī)律地層疊而成的層疊結(jié)構(gòu)，由此能進一步提高記錄靈敏度以及消除性能。作為具有上述層疊結(jié)構(gòu)的記錄部的例子，可以舉出Sb(lnm)/C(0.5nm)/Sb(lnm)/C(0.5nm)/Sb(lnm)、C(0.5nm)/Sb(lnm)/C(0.5nm)/Sb(lnm)/C(0.5nm)、Sb(lnm)/Si(0.5nm)/Sb(lnm)/Si(0.5nm)/Sb(lnm)、Si(0.5nm)/Sb(lnm)/Si(0.5nm)/Sb(lnm)/Si(0.5nm)、Sb(lnm)/Zn(0.5nm)/Sb(lnm)/Zn(0.5nm)/Sb(lnm)、Zn(0,5nm)/Sb(lnm)/Zn(0.5nm)/Sb(lnm)/Zn(0.5nm)、Sb(lnm)/SiC(0.5nm)/Sb(lnm)/C(0.5nm)/Sb(lnm)/SiC(0.5nm)/Sb(lnm)、SiC(0.5nm)/Sb(lnm)/C(0.5證)/Sb(lnm)/C(0.5nm)/Sb(lnm)/SiC(0.5nm)、Sb(lnm)/Sb-C(0.5nm)/Sb(lnm)/Sb畫C(0.5腦)/Sb(lnm)、Sb-C(0.5nm)/Sb(lnm)/Sb-C(0.5nm)/Sb(lnm)/Sb-C(0.5nm)等。當(dāng)然，可以使用含有此處所列舉的材料以外的材料的層?；蛘?，能采-用將層的厚度設(shè)定為此處未列舉的厚度的結(jié)構(gòu)、或調(diào)換了層疊順序的結(jié)構(gòu)。例如，可以采用上述列舉的膜厚作為優(yōu)選的膜厚比，根據(jù)記錄部的所希望的厚度分別設(shè)定為例如2-4倍。記錄層采用任一種層疊結(jié)構(gòu)時，為了提高信息層16的記錄靈敏度，記錄部的厚度(合并2個以上層的厚度)優(yōu)選在6nm15nm的范圍內(nèi)。即使在該范圍內(nèi)，記錄部較厚時，熱在面內(nèi)方向擴散導(dǎo)致熱對鄰接區(qū)域的熱影響擴大。另外，記錄部較薄時，信息層16的反射率減小。因此，記錄部的厚度較優(yōu)選在8nm13nm的范圍內(nèi)。記錄部中所具有的各層還可以含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素。以上所列舉的層疊結(jié)構(gòu)中，記錄部特別優(yōu)選將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb作為整體含有共計85原子X以上?；蛘?，記錄部作為整體含有75原子X以上的Sb，較優(yōu)選含有80原子％以上是理想的。又或者，記錄部中，至少一個層將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子X以上時，Sb占整體組成的比例即使小，也顯示良好的記錄靈敏度及消除性能?；蛘?，記錄部優(yōu)選作為整體含有上述式(1)(6)中任一項所示的材料。由此，優(yōu)選考慮作為整體的優(yōu)選組成，決定各層的組成來構(gòu)成記錄部?？梢栽谟涗泴?04和第2電介質(zhì)層106之間配置第2界面層(未圖示)。在圖1所示的信息記錄介質(zhì)15中，設(shè)置有第2界面層時，第2界面層可以表示為符號104表示的層和符號106表示的層之間例如符號105表示的層。第2界面層與第1界面層103相同，可以為了防止反復(fù)記錄導(dǎo)致第2電介質(zhì)層106和記錄層104之間生成的物質(zhì)移動而設(shè)置。第2界面層可以使用在第1電介質(zhì)層102中列舉的材料來形成。其中，特別優(yōu)選使用含有In和0的材料。In和0優(yōu)選為形成ln203的氧化物。另外，第2界面層也可以使用特別是含有Cr和0的材料來構(gòu)成。Cr和O優(yōu)選為形成Cr203的氧化物。第2界面層105也可以使用特別是含有Ga和O的材料來構(gòu)成。Ga和0是優(yōu)選形成Ga203的氧化物的材料。另外，第2界面層與第1界面層103相同，除含有In和O、Cr和O、或Ga和O之外，還可以含有選自Zr、Hf以及Y中的至少一種元素，或者除含有In、Cr、Ga、Zr、Hf、Y以及0之外，還可以含有Si。第2界面層具有密合性比第1界面層103差的傾向，所以第2界面層中的ln203、Cr203或Ga203的優(yōu)選含量的下限值比第1界面層103的下限值多20mol%。第2界面層105的厚度與第1界面層103相同，優(yōu)選在0.5nm15nm的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在lnm10nm的范圍內(nèi)。反射層108具有增加被記錄層104吸收的光量的光學(xué)功能。另外，反射層108也具有使記錄層104中產(chǎn)生的熱迅速擴散，容易將記錄層104無定形化的熱功能。進而，反射層108還具有保護多層膜免受使用的環(huán)境破壞的功能。反射層108可以使用例如Ag、Au、Cu以及Al之類熱傳導(dǎo)率高的單體金屬來形成。另外，也可以使用A1-Cr、Al畫Ti、Al-Ni、Al-Cu、Au-Pd、Au-Cr、Ag-Cu、Ag畫Pd、Ag-Pd畫Cu、Ag-Pd-Ti、Ag-Ru誦Au、Ag-Cu-Ni、Ag-Zn誦Al、Ag-Nd-Au、Ag-Nd-Cu、Ag-Bi、Ag畫Ga、Ag-Ga-In、Ag-Ga-Cu、Ag-In、Ag-In-Sn或Cu-Si之類合金。特別是含有50原子％以上Ag的Ag合金由于熱傳導(dǎo)率大，所以作為反射層108的材料的理想的。為了能充分發(fā)揮熱擴散功能，反射層108的厚度優(yōu)選為30nm以上。其中，反射層108比200nm厚時，過度發(fā)揮其熱擴散功能，有時信息層16的記錄靈敏度降低。因此，反射層108的厚度較優(yōu)選在30nm200nm的范圍內(nèi)。可以在反射層108和第2電介質(zhì)層106之間設(shè)置界面層。在圖1所示的信息記錄介質(zhì)15中設(shè)置有界面層的情況下，界面層可以在符號108表示的層和符號106表示的層之間形成為符號107表示的層。此時，形成界面層的材料優(yōu)選具有比反射層108中說明的材料低的熱傳導(dǎo)率。使用Ag合金形成反射層108時，作為界面層的材料，可以使用例如Al或Al合金。另夕卜，作為界面層的材料的例子，可以舉出Cr、Ni、Si及C等元素、Ti02、Zr02、Hf02、ZnO、Nb205、Ta205、Si02、Sn02、AI203、Bi203、Cr203、Ga203、ln203、Sc203、Y203、La203、Gd203、Dy203、Yb203、CaO、MgO、Ce02、及Te02等氧化物；C畫N、Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr畫N、Al-N、Ge-Si-N、及Ge-Cr-N等氮化物；ZnS等硫化物；SiC等碳化物；LaF3、CeF3等氟化物；以及C。界面層可以使用選自上述材料中的1種或多種材料的混合物來構(gòu)成。界面層107的厚度優(yōu)選在3nm100nm的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在10nm50nm的范圍內(nèi)。在信息層16中，記錄層104為結(jié)晶相時的反射率Re(%)以及記錄層104為無定形相的反射率Ra(X)優(yōu)選滿足Ra〈Rc。通過滿足該關(guān)系，在未記錄信息的初始狀態(tài)下反射率高，能穩(wěn)定地進行記錄再生動作。另外，為了增加反射率差(Re-Ra)，能獲得良好的記錄再生特性，Rc、Ra優(yōu)選滿足0.2^Ra^10并且12^Rc當(dāng)40，較優(yōu)選滿足0.2^Ra〇5且12SRC^30。信息記錄介質(zhì)15可以通過以下所說明的方法來制造。首先，在基板14(厚度例如為l.lmm)上層疊信息層16。信息層由單層膜或多層膜構(gòu)成。構(gòu)成信息層的各層能在成膜裝置內(nèi)依次濺射適合構(gòu)成各層的濺射靶而形成。具體而言，首先，在基板14上形成反射層108。反射層108可以如下形成，在稀有氣體(例如Ar氣)氣氛中、或稀有氣體和反應(yīng)氣體(例如選自02氣以及N2氣中的至少一種氣體)的混合氣體氣氛中，使用直流(DC)電源、脈沖DC電源或高頻(RF)電源濺射由構(gòu)成反射層108的金屬或合金形成的濺射靶。由于反射層108是金屬層或合金層，所以優(yōu)選通過能提高成膜速度的使用DC電源或脈沖DC電源的濺射來形成。然后，根據(jù)需要在反射層108上形成界面層。界面層可以如下形成，即在稀有氣體氣氛中、或稀有氣體和反應(yīng)氣體的混合氣體氣氛中使用DC電源、脈沖DC電源或RF電源濺射由構(gòu)成界面層的元素或化合物形成的濺射靶。用導(dǎo)電性材料形成界面層吋，優(yōu)選使用能提高成膜速度的DC電源或脈沖DC電源。用絕緣性材料形成界面層時，優(yōu)選使用RF電源。然后，在反射層108或界面層上形成第2電介質(zhì)層106。第2電介質(zhì)層106可以通過在稀有氣體氣氛中、或稀有氣體和反應(yīng)氣體(特別是02氣)的混合氣體氣氛中使用RF電源濺射由構(gòu)成第2電介質(zhì)層106的化合物形成的濺射耙來形成。為了提高成膜速度，也可以在第2電介質(zhì)層106的材料中添加微量導(dǎo)電性材料，賦予濺射靶導(dǎo)電性，使用DC電源或脈沖DC電源濺射該濺射靶來形成。另夕卜，第2電介質(zhì)層106也可以如下形成，即在稀有氣體和反應(yīng)氣體的混合氣體氣氛中，使用DC電源、脈沖DC電源或RF電源反應(yīng)性濺射由金屬形成的濺射靶來形成?；蛘撸?電介質(zhì)層106也可以通過準備多種由單一化合物形成的濺射耙、使用多種電源同時濺射而形成。另外，第2電介質(zhì)層106也可以使用多個電源同時濺射組合2種以上化合物得到的2元系濺射靶或3元系濺射耙等來形成。使用上述濺射靶時，也可以在稀有氣體氣氛中、或稀有氣體和反應(yīng)氣體(特別是02氣)的混合氣體氣氛中實施濺射。然后，根據(jù)需要在反射層108、界面層107或第2電介質(zhì)層106上形成第2界面層。第2界面層可以用與第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接下來，在第2電介質(zhì)層106或第2界面層105上形成記錄層104。記錄層104例如可以通過使用一個電源濺射含有選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb的濺射靶來形成。具體而言，記錄層可以使用一個電源濺射濺射靶來形成，所述濺射靶調(diào)整了組成，使其為含有上述式(1)(5)中任一項表示的材料的組成，或為僅由上述材料形成的組成。另外，記錄層104可以如下形成，g卩，使用一個電源濺射在上述濺射耙中進一步添加選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素而得到的濺射靶來形成。具體而言，使用一個電源濺射濺射靶來形成，所述濺射靶調(diào)整了組成，使得記錄層的組成為含有上述式(6)表示的材料的組成或為僅由該材料形成的組成。記錄層104也可以如下形成，即，使用2個以上電源同時濺射選自由Sb、Ml(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、M2(其中，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)、Sb-Ml、Sb-M2、Ml-M2以及Sb-Ml-M2表示的濺射耙中的至少2個以上濺射耙來形成。此時，根據(jù)所用的濺射靶的種類和數(shù)量以及電源的輸出等確定所得的記錄層的組成。由此，優(yōu)選適當(dāng)選擇上述要因，得到所希望組成的記錄層104。如上所述，使用2種以上濺射靶對于例如難以形成混合物的濺射靶的情況是有用的。另外，記錄層104形成為由層疊2種以上層形成的記錄部時，也可以使用2個以上電源依次及/或同時濺射選自由Sb、Ml(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一個元素)、M2(其中，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一個元素)、Sb-Ml、Sb-M2、Ml-M2以及Sb-Ml-M2表示的濺射靶中的至少2個以上濺射靶來形成。即，為了形成記錄部，可以使用2個以上濺射靶，實施2次以上濺射，或者可以同時濺射2個以上濺射靶。另外，在記錄層104形成為單層結(jié)構(gòu)的記錄層的情況和形成為記錄部的情況的任一種情況下，可以在上述濺射靶中進一步含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素。作為濺射的氣氛氣體，在形成單層結(jié)構(gòu)的記錄層的情況和形成記錄層作為記錄部的情況中的任一種情況下，均可以使用稀有氣體、或稀有氣體和反應(yīng)氣體(例如選自N2氣以及02氣中的至少一種氣體)的混合氣體。作為用于濺射的電源，如上所述，可以使用DC電源、脈沖DC電源及RF30電源中的任一種。然后，根據(jù)需要在記錄層104上形成第1界面層103。第1界面層103可以用與第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接下來，在記錄層104或第1界面層103上形成第1電介質(zhì)層102。第1電介質(zhì)層102可以用與第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。最后，在第1電介質(zhì)層102上形成透明層13。透明層13可以通過在第1電介質(zhì)層102上涂布光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂進行旋轉(zhuǎn)涂布后，使樹脂固化來形成。另外，作為透明層13，可以使用透明的圓盤狀基板?；逵衫缇厶妓狨ァo定形聚烯烴或PMMA等樹脂、或玻璃形成。此時，透明層13可以通過在第1電介質(zhì)層102上涂布光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂等樹脂，在使基板密合在第1電介質(zhì)層102上的狀態(tài)下進行旋轉(zhuǎn)涂布后，使樹脂固化來形成。另外，可以在基板上預(yù)先均勻地涂布粘合性樹脂，通過該粘合性樹脂使基板密合在第1電介質(zhì)層102上。需要說明的是，形成第1電介質(zhì)層102后或形成透明層13后，可以根據(jù)需要進行使記錄層104的整面結(jié)晶化的初始化工序。記錄層104的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。如上所述地操作可以制造信息記錄介質(zhì)15。另外，本實施方案中，作為各層的成膜方法，使用濺射法。成膜方法不限定于此，也可以釆用真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。(實施方案2)作為實施方案2，說明本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的其他例。實施方案2的信息記錄介質(zhì)22的部分剖面圖如圖2所示。信息記錄介質(zhì)22是通過照射單向激光束11(即僅照向一個面的激光光)能進行信息的記錄再生的多層光學(xué)信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)22由具有在基板14上依次層疊的第N信息層21、......第2信息層18以及第l信息層23的N組(N是滿足N^2的自然數(shù))信息層、以及透明層13構(gòu)成。信息層之間插入光學(xué)分離層20、19.......17。在圖示的方案中，作為第N信息層21以外的信息層的第1信息層23及第2信息層18、......第(n-l)信息層(以下將從激光束11的入射側(cè)開始數(shù)的第K個(l^K^N)信息層記為"第K信息層"。)為光透過型信息層?；?4以及透明層13可以使用在實施方案1中說明的材料來形成。另外，上述形狀以及功能如實施方案1中所說明。光學(xué)分離層20、19......及17由光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或者遲效性樹脂等樹脂或電介質(zhì)等構(gòu)成。光學(xué)分離層20、19......及17優(yōu)選對使用的激光束11具有較小的光吸收率，并優(yōu)選在短波長區(qū)域中顯示光學(xué)性上較小的雙折射。光學(xué)分離層20、19......以及17是為了區(qū)別信息記錄介質(zhì)22的第1信息層23、第2信息層18.......以及第N信息層21的各自的焦點位置而設(shè)置的。光學(xué)分離層20、19......以及17的厚度必須為由物鏡的開口數(shù)NA和激光束11的波長人確定的焦深A(yù)Z以上。焦光點的強度的基準假定為沒有像差時的80%時，AZ能近似為AZ二X/{2(NA)2}。X=405nm、NA=0.85時，AZ=0.280jim，±0.3pm以內(nèi)為焦深內(nèi)。因此，此時，光學(xué)分離層20、19......以及17的厚度必須為0.6pm以上。鄰接的2個信息層間的距離、及第1信息層23和距離該第1信息層23最遠的第N信息層之間的距離優(yōu)選為能使用物鏡聚集激光束11的范圍。因此，光學(xué)分離層20、19、......以及17的總厚度優(yōu)選在物鏡能允許的公差內(nèi)(例如50(im以下)。在光學(xué)分離層20、19.......以及17中，可以根據(jù)需要在激光束11的入射側(cè)的表面上形成用于引導(dǎo)激光束的導(dǎo)向槽。此時，通過僅向介質(zhì)的一個面照射的激光束ll，能將第K信息層(K為KK^N的自然數(shù))通過透過第1第(K-l)信息層的激光束11進行記錄再生。需要說明的是，N個信息層中的任一個可以為再生專用型信息層(ROM(ReadOnlyMemory))、或僅能寫入一次的追記型信息層(WO(WriteOnce))。以下，詳細說明第1信息層23的構(gòu)成。第1信息層23是具有從激光束11的入射側(cè)依次配置第3電介質(zhì)層202、第1記錄層204、第4電介質(zhì)層206的構(gòu)成?？梢愿鶕?jù)需要進一步具有第1反射層208、及/或進一步具有透射率調(diào)整層209。第3電介質(zhì)層202和第1記錄層204之間可以具有第3界面層203。此處，將構(gòu)成第1信息層的界面層以及2個電介質(zhì)層方便地稱為第3界面層、以及第3及第4電介質(zhì)層。根據(jù)需要，遵照其他規(guī)則將它們例如從靠近激光束11側(cè)開始標(biāo)記第l、第2......的序號進行命名。第3電介質(zhì)層202可以使用與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的材料相同的材料來構(gòu)成。另外，其功能與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的功能相同。第3電介質(zhì)層202的厚度通過基于陣列法的計算嚴密確定，以滿足下述條件，即第1記錄層204為結(jié)晶相的情況和其為無定形相的情況的反射光量的變化大，且在第1記錄層204中的光吸收大，并且第1信息層23的透射率大。根據(jù)需要配置的第3界面層203可以使用與實施方案1的第1界面層103的材料相同的材料來構(gòu)成。另外，對于其功能以及形狀，也與實施方案1的第1界面層103相同。第4電介質(zhì)層206具有調(diào)整光學(xué)距離來提高第1記錄層204的光吸收效率的作用以及增大記錄前后的反射光量的變化來擴大信號強度的作用。第4電介質(zhì)層206可以使用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的材料相同的材料來形成。另外，第4電介質(zhì)層206的厚度優(yōu)選在0.5nm75nm的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在lnm40nm的范圍內(nèi)。通過在該范圍內(nèi)選擇第4電介質(zhì)層206的厚度，能將第1記錄層204中產(chǎn)生的熱有效地擴散至第1反射層208側(cè)。需要說明的是，可以在第1記錄層204和第4電介質(zhì)層206之間配置第4界面層。第4界面層可以使用與實施方案1的第2界面層105的材料相同的材料來形成。在圖1所示的信息記錄介質(zhì)22中，設(shè)置有第4界面層時，第4界面層可以表示為在符號204表示的層和符號206表示的層之間例如以符號205表示的層。作為第1記錄層204的材料，可以使用與實施方案1的記錄層104的材料相同的材料。另外，其他信息層的記錄層共計含有85原子％以上的Sb和Ml時，第1記錄層204可以由其他材料形成。也可以使用含有例如GeTe、(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge漏Sn)Te-(Sb畫Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3、及(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3中的任一種的材料。另外，使用Sb-Ga、(Sb-Te)-Ga、Sb漏Ge、(Sb-Te)誦Ge、Sb-In、(Sb陽Te)-In或(Sb-Te)-八§-111表示的且含有50原子％以上51)的材料也可以形成第1記錄層204。第1信息層23必須具有高透射率，使得記錄再生時所需的激光光量從激光束11的入射側(cè)到達存在于比第1信息層23遠的一側(cè)的信息層。因此，第1記錄層204的厚度優(yōu)選為15nm以下，較優(yōu)選為8nm以下。另外，第1記錄層204可以使用發(fā)生不可逆相變化的材料構(gòu)成，可以用例如Te-O、Te-Pd-O、Bi-O、或Sb-0表示的材料形成。此時，第1記錄層204的厚度優(yōu)選為30nm以下。另外，第1記錄層204可以為發(fā)生不可逆合金化的材料的層疊膜(例如Cu/Si層疊構(gòu)成)。根據(jù)需要設(shè)置的第1反射層208具有增加被第1記錄層204吸收的光量的光學(xué)功能。另外，第1反射層208也具有使在第1記錄層204中產(chǎn)生的熱迅速擴散，容易將第l記錄層204無定形化的熱功能。進而，第l反射層208還具有保護多層膜免受使用的環(huán)境破壞的功能。作為第1反射層208的材料，可以使用與實施方案1的反射層108的材料相同的材料。特別是由于Ag合金的熱傳導(dǎo)率大，所以作為第l反射層208的材料是理想的。為了盡可能地提高第1信息層23的透射率，第1反射層208的厚度優(yōu)選為20nm以下，較優(yōu)選為5nm以下。厚度在該范圍內(nèi)的第1反射層208具有充分的熱擴散功能，且確保第1信息層23的反射率并充分提高第1信息層23的透射率。根據(jù)需要設(shè)置的透射率調(diào)整層209由電介質(zhì)構(gòu)成，特別是配置第1反射層208時，具有調(diào)整第1信息層23的透射率的功能。通過該透射率調(diào)整層209，能同時提高第1記錄層204為結(jié)晶相時的第1信息層23的透射率Te(%)和第1記錄層204為無定形相時的第1信息層23的透射率Ta(%)。具體而言，與沒有透射率調(diào)整層209的情況相比，具有透射率調(diào)整層209的第1信息層23的透射率提高2%10%左右。另外，透射率調(diào)整層209也有效地使在第1記錄層204中產(chǎn)生的熱擴散。為了能進一步提高第1信息層23的透射率Te以及Ta，透射率調(diào)整層209的折射率nt以及消光系數(shù)kt優(yōu)選滿足2.0Snt且kt^0.1，較優(yōu)選滿足2.4^nt當(dāng)3.0且kt^0.05。透射率調(diào)整層209的厚度L優(yōu)選在(1/32)X/nt^LS(3/16)人/nt的范圍內(nèi)、或在(17/32)X/nt^LS(11/16)X/nt的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在(1/16)X/nt^LS(5/32)人/nt的范圍內(nèi)、或在(9/16)X/nt^L^(21/32)X/nt的范圍內(nèi)。選擇激光束11的波長X和透射率調(diào)整層209的折射率nt使其滿足例如350nm^人^450nm、2.0^nt^3.0時，L的優(yōu)選范圍為3nm^LS40nm或60nm^LS130nm，較優(yōu)選的范圍為7nmSLS30nm或65nm^L^120nm。通過在該范圍內(nèi)選擇L，能同時提高第1信息層23的透射率Te以及Ta。作為透射率調(diào)整層209的材料，可以舉出例如Ti02、Zr02、Hf02、ZnO、Nb205、Ta205、Si02、A1203、Bi203、Ce02、Cr203、Ga203、及Sr-0等。另夕卜，作為透射率調(diào)整層209的材料，也可以舉出Ti-N、Zr-N、Nb-N、Ta-N、Si-N、Ge-N、Cr-N、Al-N、Ge-Si-N、及Ge-Cr誦N等。還可以使用ZnS等硫化物。透射率調(diào)整層209可以單獨使用選自上述材料中的1種化合物或使用多種化合物的混合物來形成。其中，特別優(yōu)選使用含有Ti02或7102的材料。上述材料由于折射率大(n=2.62.8)、消光系數(shù)小(k=0.00.05)，所以使用該材料形成的透射率調(diào)整層209能進一步提高第l信息層23的透射率。為了使記錄再生時所需的激光光量從激光束11的入射側(cè)到達位于比第1信息層23遠的一側(cè)的信息層，第1信息層23的透射率Te以及Ta優(yōu)選滿足40<TC且40<Ta。Tc以及Ta較優(yōu)選滿足46<TC且46<Ta。另夕卜，第1信息層23的透射率Tc以及Ta優(yōu)選滿足-5S(Tc-Ta)^5，較優(yōu)選滿足-3^(Te-Ta)^3。Te以及Ta滿足該條件時，從激光束ll的入射側(cè)至位于比第i信息層23遠的一側(cè)的信息層的記錄再生時，第1信息層23的第1記錄層204的狀態(tài)導(dǎo)致透射率變化的影響小，能得到良好的記錄再生特性。在第1信息層23中，第l記錄層204為結(jié)晶相時的反射率Rd(%)以及第1記錄層204為無定形相時的反射率Ral(%)優(yōu)選滿足Ral<Rcl。由此，在信息未被記錄的初始狀態(tài)下反射率高，能穩(wěn)定地進行記錄再生。35另外，為了能擴大反射率差(Rc廣R")得到良好的記錄再生特性，Rcl、Rai優(yōu)選滿足0.1^Ral〇5、且4^Rd^15，較優(yōu)滿足0.1^Ral當(dāng)3、且信息記錄介質(zhì)22可以由以下所說明的方法來制造。首先，在基板14(厚度例如為l.lmm)上以光學(xué)分離層插入信息層之間地依次層疊(N-l)個信息層。信息層由單層膜或多層膜構(gòu)成。構(gòu)成信息層的各層可以通過在成膜裝置內(nèi)依次濺射適合構(gòu)成各層的濺射耙來形成。另外，光學(xué)分離層可以通過在信息層上涂布光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂，然后使基板14旋轉(zhuǎn)，均勻地延展樹脂后(旋轉(zhuǎn)涂布)使樹脂固化來形成。在光學(xué)分離層中形成激光束11的導(dǎo)向槽時，使形成有槽的基板(模)密合在固化前的樹脂上后，使基板14和與其密合的模旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)涂布樹脂，固化樹脂后，取下基板(模)，通過該方法來形成導(dǎo)向槽。由此，在基板14上以將光學(xué)分離層插入信息層之間地層疊(N-l)個信息層后，進一步形成光學(xué)分離層17。然后，在光學(xué)分離層17上形成第l信息層23。具體而言，首先以光學(xué)'分離層插入信息層之間地層疊(N-l)個信息層后，將形成光學(xué)分離層17的基板14配置在成膜裝置內(nèi)，根據(jù)需要在光學(xué)分離層17上形成透射率調(diào)整層209。透射率調(diào)整層209可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在光學(xué)分離層17或透射率調(diào)整層209上形成第1反射層208。第1反射層208可以用與實施方案1的反射層108的形成方法相同的方法來形成。然后，在光學(xué)分離層17、第1反射層208或透射率調(diào)整層209上形成第4電介質(zhì)層206。第4電介質(zhì)層206可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接下來，根據(jù)需要在第4電介質(zhì)層206上形成第4界面層。第4界面層可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，在第4電介質(zhì)層206或第4界面層上形成第1記錄層204。第1記錄層204可以使用對應(yīng)其組成的濺射靶，用與實施方案1的記錄層104的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在第1記錄層204上形成第3界面層203。第3界面層203可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接著，在第3界面層203上形成第3電介質(zhì)層202。第3電介質(zhì)層202可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。最后，在第3電介質(zhì)層202上形成透明層13。透明層13可以用實施方案1中說明的方法來形成。需要說明的是，形成第3電介質(zhì)層202后或形成透明層13后，根據(jù)需要可以使第1記錄層204整面結(jié)晶化進行初始化。第1記錄層204的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。如上所述地操作，能制造信息記錄介質(zhì)22。需要說明的是，在本實施方案中，使用濺射法作為各層的成膜方法。成膜方法并不限定于此，也可以使用真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。另外，還可以與第1信息層相同地形成第1信息層以外的信息層。(實施方案3)作為實施方案3，說明在實施方案2的本發(fā)明的多層光學(xué)的信息記錄介質(zhì)中，N=2、即由2組信息層構(gòu)成的信息記錄介質(zhì)的一例。實施方案3的信息記錄介質(zhì)24的部分剖面圖示于圖3。信息記錄介質(zhì)24是通過照射單向的激光束11能進行信息的記錄再生的2層光學(xué)信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)24由在基板14上依次層疊的第2信息層25、光學(xué)分離層17、第1信息層23以及透明層13構(gòu)成?；?4、光學(xué)分離層17、第1信息層23以及透明層13可以使用實施方案1和2中說明的材料來形成。另外，它們的形狀以及功能如實施方案1以及2中所說明。以下，詳細說明第2信息層25的構(gòu)成。第2信息層25具有從激光束11的入射側(cè)依次配置的第1電介質(zhì)層302、第1界面層303、第2記錄層304、第2電介質(zhì)層306以及第2反射層308。在第2信息層25中的信息的記錄再生通過透過透明層13、第1信息層23以及光學(xué)分離層17的激光束11來進行。第1電介質(zhì)層302可以使用與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的材料相同的材料來形成。另外，其功能也與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的功能相同。此處，序號"第l"為了方便而使用，只要能與相同介質(zhì)內(nèi)的其他電介質(zhì)層相區(qū)別，也可以使用其他序號。該原則也適用于其他層。第1電介質(zhì)層302的厚度通過基于陣列法的計算嚴密確定，以滿足第2記錄層304為結(jié)晶相時和其為無定形相時的反射光量的變化增大的條件。第1界面層303可以使用與實施方案1的第1界面層103的材料相同的材料來形成。第1界面層303根據(jù)需要而形成，也可以不設(shè)置。另外，關(guān)于其功能以及形狀，與實施方案1的第1界面層103相同。第2電介質(zhì)層306也可以使用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的材料相同的材料來形成。另外，關(guān)于其功能以及形狀，與實施方案1的第2電介質(zhì)層i06相同。可以根據(jù)需要在第2記錄層304和第2電介質(zhì)層306之間設(shè)置第2界面層。第2界面層可以使用與實施方案1的第2界面層105的材料相同的材料來形成。另外，關(guān)于其功能以及形狀，與實施方案1的第2界面層105相同。在圖3所示的信息記錄介質(zhì)24中，設(shè)置有第2界面層時，第2界面層可以表示為在符號304表示的層和符號306表示的層之間例如以符號305表示的層。第2記錄層304可以使用與實施方案1的記錄層104的材料相同的材料來形成。另外，第1信息層23的第1記錄層204含有共計85原子％以上的Sb和Ml時，第2記錄層304也可以由其他材料形成。也可以使用例如GeTe、(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3及(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3的任一種。另外，使用Sb-Ga、(Sb腸Te)-Ga、Sb-Ge、(Sb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In、或(Sb-Te)-Ag-In中的任一種表示的、且含有50原子％以上Sb的材料也能形成第2記錄層304。第2記錄層304的厚度在其材料為發(fā)生可逆相變化的材料時，為了提高第2信息層25的記錄靈敏度，優(yōu)選在6nm15nm的范圍內(nèi)。即使在該范圍內(nèi)，第2記錄層304較厚時，熱在面內(nèi)方向擴散導(dǎo)致熱對鄰接區(qū)域的影響擴大。另外，第2記錄層304較薄時，第2信息層25的反射率減少。因此，第2記錄層304的厚度較優(yōu)選在8nm13nm的范圍內(nèi)。另外，使用發(fā)生不可逆相變化的材料(例如Te-Pd-O)構(gòu)成第2記錄層304時，第382記錄層304的厚度優(yōu)選在10nm40nm的范圍內(nèi)。第2反射層308可以使用與實施方案1的反射層108的材料相同的材料來形成。另外，關(guān)于其功能以及形狀，與實施方案1的反射層108相同?？梢栽诘?反射層308和第2電介質(zhì)層306之間設(shè)置界面層。界面層可以使用與實施方案l的界面層的材料相同的材料來形成。另外，關(guān)于其功能以及形狀，也與實施方案1的界面層相同。圖3所示的信息記錄介質(zhì)24中，設(shè)置有界面層時，界面層可以表示為在符號308表示的層和符號306表示的層之間例如以符號307表示的層。信息記錄介質(zhì)24可以由以下所說明的方法來制造。首先，形成第2信息層25。具體而言，首先，準備基板14(厚度為例如l.lmm)，配置在成膜裝置內(nèi)。然后，在基板14上形成第2反射層308。此時，在基板14上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時，在形成導(dǎo)向槽的一側(cè)形成第2反射層308。第2反射層308用與實施方案1的反射層108的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在第2反射層308上形成界面層。界面層307可以用與實施方案1的界面層或第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接下來，在第2反射層308或界面層307上形成第2電介質(zhì)層306。第2電介質(zhì)層306可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接著，根據(jù)需要在第2反射層308、界面層或第2電介質(zhì)層306上形成第2界面層。第2界面層可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，在第2電介質(zhì)層306、或第2界面層上形成第2記錄層304。第2記錄層304可以使用對應(yīng)其組成的濺射靶用與實施方案1的記錄層104的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在第2記錄層304上形成第1界面層303。第1界面層303用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接著，在第2記錄層304或第1界面層303上形成第1電介質(zhì)層302。第1電介質(zhì)層302可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同39的方法來形成。由此，形成第2信息層25。接著，在第2信息層25的第1電介質(zhì)層302上形成光學(xué)分離層17。光學(xué)分離層17可以通過在第1電介質(zhì)層302上涂布光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂進行旋轉(zhuǎn)涂布后，使樹脂固化來形成。需要說明的是，光學(xué)分離層17具有激光束11的導(dǎo)向槽時，使形成有槽的基板(模)密合在固化前的樹脂上后，使樹脂固化，然后取下基板(模)，由此可以形成導(dǎo)向槽。形成第2電介質(zhì)層302后或形成光學(xué)分離層17后，可以根據(jù)需要使第2記錄層304的整面結(jié)晶化進行初始化。第2記錄層304的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。然后，在光學(xué)分離層17上形成第1信息層23。具體而言，首先，在光學(xué)分離層17上以第4電介質(zhì)層206、第1記錄層204、以及第3電介質(zhì)層202這樣的順序形成。此時，也可以根據(jù)需要在第4電介質(zhì)層206和第1記錄層204之間形成第4界面層。另外，可以根據(jù)需要在第1記錄層204和第3電介質(zhì)層202之間形成第3界面層203?？梢愿鶕?jù)第1信息層23的構(gòu)成，在形成第4電介質(zhì)層206前形成第1反射層208，進而也可以在形成第1反射層208前形成透射率調(diào)整層209。上述各層可以用實施方案2中說明的方法來形成。最后，在第3電介質(zhì)層202上形成透明層13。透明層13可以用與實施方案1中說明的方法來形成。形成第3電介質(zhì)層202后或形成透明層13后，可以根據(jù)需要使第1記錄層204的整面結(jié)晶化進行初始化。第1記錄層204的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。或者，可以在該階段實施第2記錄層304(未在形成第1信息層23之前進行結(jié)晶化的情況)的初始化以及第l記錄層204的初始化。此時，如果先進行第1記錄層204的結(jié)晶化，則具有為了使第2記錄層304結(jié)晶化所需的激光功率增大的傾向，所以優(yōu)選使第2記錄層304先結(jié)晶化。如上所述地操作，可以制造信息記錄介質(zhì)24。另外，在本實施方案中，使用濺射法作為各層的成膜方法。成膜方法并不限定于此，也能使用真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。(實施方案4)作為實施方案4,說明在實施方案2的多層光學(xué)的信息記錄介質(zhì)中，N二4、即由4組信息層構(gòu)成的信息記錄介質(zhì)的一例。實施方案4的信息記錄介質(zhì)30的部分剖面圖示于圖4。信息記錄介質(zhì)30是通過照射單向的激光束11能進行信息的記錄再生的4層光學(xué)的信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)30由在基板14上依次層疊的第4信息層29、光學(xué)分離層20、第3信息層28、光學(xué)分離層19、第2信息層27、光學(xué)分離層17、第1信息層26以及透明層13構(gòu)成?；?4、光學(xué)分離層17、19、20以及透明層13可以使用在實施方案1以及2中說明的材料來形成。另外，上述形狀以及功能如實施方案1以及2所說明。以下，詳細說明第4信息層29、第3信息層28、第2信息層27以及第1信息層26的構(gòu)成。第4信息層29具有從激光束11的入射側(cè)依次配置的第1電介質(zhì)層702、第4記錄層704、第2電介質(zhì)層706以及第4反射層708。也可以在第1電介質(zhì)層702和第4記錄層704之間設(shè)置第1界面層703。在第4信息層29的信息的記錄再生可以通過透過透明層13、第1信息層26、光學(xué)分離層17、第2信息層27、光學(xué)分離層19、第3信息層28以及光學(xué)分離層20的激光束11來進行。第1電介質(zhì)層702可以使用與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的材料相同的材料來形成。另外，其功能也與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的功能相同。第1電介質(zhì)層702的厚度可以通過基于陣列法的計算嚴密地確定，以滿足第4記錄層704為結(jié)晶相時和其為無定形相時的反射光量的變化增大的條件。根據(jù)需要設(shè)置的第1界面層703可以使用與實施方案1的第1界面層103的材料相同的材料來形成。另外，其功能以及形狀也與實施方案1的第1界面層103相同。第2電介質(zhì)層706可以使用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的材料相同的材料來形成。另外，其功能以及形狀也與實施方案l的第2電介質(zhì)層106相同。需要說明的是，可以根據(jù)需要在第4記錄層704和第2電介質(zhì)層706之間設(shè)置第2界面層。第2界面層可以使用與實施方案1的第2界面層的材料相同的材料來形成。另外，其功能以及形狀也與實施方案1的第2界面層相同。在圖4所示的信息記錄介質(zhì)30中，設(shè)置有第2界面層時，第2界面層可以表示為在符號704表示的層和符號706表示的層之間例如以符號705表示的層。第4記錄層704可以用與實施方案1的記錄層104的材料相同的材料來形成。另外，其他信息層的記錄層共計含有85原子X以上的Sb和Ml時，第4記錄層704也可以由其他材料形成。例如也可以使用含有GeTe、(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb畫Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3、及(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3中的任一種的材料。另外，可以使用Sb隱Ga、(Sb-Te)-Ga、Sb-Ge、(Sb陽Te)隱Ge、Sb誦In、(Sb-Te)-In、或(Sb-Te)-Ag-In中的任一種表示的、且含有50原子X以上Sb的材料，也可以形成第4記錄層704。第4記錄層704的材料為發(fā)生可逆相變化的材料時，為了提高第4信息層29的記錄靈敏度，第4記錄層704的厚度優(yōu)選在6nm15nm的范圍內(nèi)。即使在該范圍內(nèi)，第4記錄層704較厚時，熱在面內(nèi)方向下的擴散導(dǎo)致熱對鄰接區(qū)域的影響擴大。另外，第4記錄層704較薄時，第4信息層29的反射率減小。因此，第4記錄層704的厚度較優(yōu)選在8nm13nm的范圍內(nèi)。另外，使用發(fā)生不可逆相變化的材料(例如Te-Pd-O)形成第4記錄層704時，第4記錄層704的厚度優(yōu)選在10nm40nm的范圍內(nèi)。第4反射層708可以使用與實施方案1的反射層108的材料相同的材料來形成。另外，關(guān)于其功能以及形狀，也與實施方案1的反射層108相同?？梢栽诘?反射層708和第2電介質(zhì)層706之間設(shè)置界面層。界面層可以使用與實施方案l的界面層的材料相同的材料形成。另外，關(guān)于其功能以及形狀，與實施方案1的界面層相同。在圖4所示的信息記錄介質(zhì)30中，設(shè)置有界面層時，界面層可以表示為在符號708表示的層和符號706表示的層之間例如符號707表示的層。第3信息層28為具有從激光束11的入射側(cè)依次配置的第3電介質(zhì)層602、第3記錄層604、第4電介質(zhì)層606的構(gòu)成。根據(jù)需要，第3信息層28還可以具有第3反射層608及/或還可以具有第3透射率調(diào)整層609。進而，第3信息層28還可以在第3電介質(zhì)層602和第3記錄層604之間具有第3界面層603。第3電介質(zhì)層602可以使用與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的材料相同的材料來形成。另外，關(guān)于其功能，也與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的功能相同。第3電介質(zhì)層602的厚度可以通過基于陣列法的計算嚴密地確定，以滿足下述條件，即第3記錄層604為結(jié)晶相的情況和其為無定形相的情況的反射光量的變化大，且在第3記錄層604的光吸收大，并且第3信息層28的透射率大。根據(jù)需要設(shè)置的第3界面層603可以使用與實施方案1的第1界面層103的材料相同的材料來形成。另外，關(guān)于其功能以及形狀，與實施方案1的第l界面層103相同。第4電介質(zhì)層606發(fā)揮調(diào)整光學(xué)距離來提高第3記錄層604的光吸收效率的作用、以及增加記錄前后的反射光量的變化來擴大信號強度的作用。第4電介質(zhì)層606可以使用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的材料相同的材料來形成。另夕卜，第4電介質(zhì)層606的厚度優(yōu)選在0.5nm75nm的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在lnm40nm的范圍內(nèi)。通過在該范圍內(nèi)選擇第4電介質(zhì)層606的厚度，可以使在第3記錄層604中產(chǎn)生的熱有效地擴散到第3反射層608側(cè)。另夕卜，可以在第3記錄層604和第4電介質(zhì)層606之間配置第4界面層。第4界面層可以使用與實施方案1的第2界面層的材料相同的材料來形成。在圖4所示的信息記錄介質(zhì)30中，設(shè)置有第4界面層時，第4界面層可以表示為在符號604表示的層和符號606表示的層之間例如以符號605表示的層。作為第3記錄層604的材料，可以使用與實施方案1的記錄層104的材料相同的材料。另外，其他信息層的記錄層含有共計85原子％以上的Sb和Ml時，第3記錄層604也可以由其他材料形成。例如，也可以使用含有GeTe、(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge-Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge誦Sn)Te-(Sb畫Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3、及(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3中的任一種的材料。另外，使用Sb-Ga、(Sb-Te)-Ga、Sb-Ge、(Sb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In或(Sb-Te)-Ag-In中的任一種表示的、且含有50原子％以上Sb的材料，也可以形成第3記錄層604。為了使記錄再生時所需的激光光量從激光束11的入射側(cè)到達位于比第3信息層28遠的一側(cè)的信息層，第3信息層28需要高透射率。因此，第3記錄層604的厚度優(yōu)選為8nm以下，較優(yōu)選為5nm以下。另外，第3記錄層604也可以由發(fā)生不可逆的相變化的材料(例如Te-Pd-O)來形成。此時，第3記錄層604的厚度優(yōu)選為20nm以下。根據(jù)需要設(shè)置的第3反射層608具有增加第3記錄層604所吸收的光量的光學(xué)功能。另外，第3反射層608也具有使在第3記錄層604中產(chǎn)生的熱迅速擴散、容易使第3記錄層604無定形化的熱功能。進而，第3反射層608還具有保護多層膜免受使用的環(huán)境破壞的功能。作為第3反射層608的材料，也可以使用與實施方案1的反射層108的材料相同的材料。特別是Ag合金由于熱傳導(dǎo)率大，所以作為第3反射層608材料是理想的。為了盡可能地提高第3信息層28的透射率，第3反射層608的厚度優(yōu)選為10nm以下，較優(yōu)選為7nm以下。厚度在該范圍內(nèi)的第3反射層608具有充分的熱擴散功能，且確保第3信息層28的反射率，還能充分提高第3信息層28的透射率。根據(jù)需要設(shè)置的第3透射率調(diào)整層609可以使用與實施方案2的透射率調(diào)整層209的材料相同的材料來形成。另外，其形狀以及功能也與實施方案2的透射率調(diào)整層209的形狀和功能相同。為了使記錄再生時所需的激光光量從激光束11的入射側(cè)達到位于比第3信息層28遠的一側(cè)的信息層，第3信息層28的透射率Te3以及Ta3優(yōu)選滿足6(XTe3i60<Ta3。Tc3以及13較優(yōu)選滿足65〈Tc3且65<Ta3。另外，第3信息層28的透射率Te3以及T"優(yōu)選滿足-5■(Tc3-Ta3)^5，較優(yōu)選滿足-3^(Te3-Ta3)S3。Te3以及Ta3滿足該條件時，從激光束11的入射側(cè)到位于比第3信息層28遠的一側(cè)的信息層的記錄再生時，第3信息層28的第3記錄層604的狀態(tài)導(dǎo)致透射率的變化的影響小，能得到良好的記錄再生特性。在第3信息層28中，第3記錄層604為結(jié)晶相時的反射率Rc3(%)、以及第3記錄層604為無定形相時的反射率Ra3(%)優(yōu)選滿足Ra3<Rc3。由此，在未記錄信息的初始狀態(tài)，反射率提高，能穩(wěn)定地進行記錄再生。第2信息層27歲是具有從激光束11的入射側(cè)依次配置的第5電介質(zhì)層502、第2記錄層504、第6電介質(zhì)層506的構(gòu)成。根據(jù)需要第2信息層27還可以具有第2反射層508、及/或還可以具有第2透射率調(diào)整層509。進而，第2信息層27可以在第5電介質(zhì)層502和第2記錄層504之間具有第5界面層503。第5電介質(zhì)層502可以使用與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的材料相同的材料來形成。另外，其功能也與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的功能相同。第5電介質(zhì)層502的厚度可以根據(jù)基于陣列法的計算嚴密地確定，以滿足下述條件，即第2記錄層504為結(jié)晶相的情況和其為無定形相的情況的反射光量的變化大，且在第2記錄層504的光吸收大，并且第2信息層27的透射率大。根據(jù)需要設(shè)置的第5界面層503可以使用與實施方案1的第1界面層103的材料相同的材料來形成。另外，其功能以及形狀也與實施方案1的第1界面層103的功能和形狀相同。第6電介質(zhì)層506具有調(diào)整光學(xué)距離來提高第2記錄層504的光吸收效率的作用、以及增大記錄前后的反射光量的變化來擴大信號強度的作用。第6電介質(zhì)層506可以使用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的材料相同的材料來形成。另外，第6電介質(zhì)層506的厚度優(yōu)選在0.5nm75nm的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在lnm40nm的范圍內(nèi)。通過在該范圍內(nèi)選擇第6電介質(zhì)層506的厚度，可以使在第2記錄層504中產(chǎn)生的熱有效地擴散到第2反射層508側(cè)。另外，可以在第2記錄層504和第6電介質(zhì)層506之間設(shè)置第6界面層。第6界面層可以使用與實施方案1的第2界面層105的材料相同的材料來形成。在圖4所示的信息記錄介質(zhì)30中，設(shè)置有第6界面層時，第6界面層可以表示為在符號504表示的層和符號506表示的層之間例如符號505表示的層。作為第2記錄層504的材料，可以使用與實施方案1的記錄層104的材料相同的材料。另外，其他信息層的記錄層共計含有85原子％以上的Sb和Ml時，第2記錄層504可以由其他材料形成。例如也可以使用含有GeTe、(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge隱Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3、及(Ge畫Sn)Te-(Bi-In)2Te3中的任一種的材料。另外，使用Sb-Ga、(Sb-Te)-Ga、Sb-Ge、(Sb-Te)-Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In或(Sb-Te)-Ag-In中的任一種表示的、且含有50原子％以上Sb的材料，也可以形成第2記錄層504。為了使記錄再生時所需的激光光量從激光束11的入射側(cè)到達位于比第2信息層27遠的一側(cè)的信息層，第2信息層27必須具有高透射率。因此，第2記錄層504的厚度優(yōu)選為7nm以下，較優(yōu)選為4nm以下。另外，第2記錄層504也可以由發(fā)生不可逆的相變化的材料(例如Te-Pd-O)形成。此時，第2記錄層504的厚度優(yōu)選為20nm以下。根據(jù)需要設(shè)置的第2反射層508具有增加第2記錄層504所吸收的光量的光學(xué)功能。另外，第2反射層508也具有使在第2記錄層504中產(chǎn)生的熱迅速擴散、容易使第2記錄層504無定形化的熱功能。進而，第2反射層508還具有保護多層膜免受使用的環(huán)境破壞的功能。作為第2反射層508的材料，可以使用與實施方案1的反射層108的材料相同的材料。另外，其功能也與實施方案1的反射層108的功能相同。特別是Ag合金由于熱傳導(dǎo)率大，所以作為第2反射層508的材料是理想的。為了盡可能地提高第2信息層27的透射率，第2反射層508的厚度優(yōu)選為9nm以下，較優(yōu)選為6nm以下。厚度在該范圍內(nèi)的第2反射層508具有充分的熱擴散功能，且確保第2信息層27的反射率，還能充分提高第2信息層27的透射率。根據(jù)需要設(shè)置的第2透射率調(diào)整層509可以使用與實施方案2的透射率調(diào)整層209的材料相同的材料來形成。另外，其形狀以及功能也與實施方案2的透射率調(diào)整層209的形狀和功能相同。為了使記錄再生時所需的激光光量從激光束11的入射側(cè)達到位于比46第2信息層27遠的一側(cè)的信息層，第2信息層27的透射率Te2以及Ta2預(yù)選滿足65<Te2且65<1;2，較優(yōu)選滿足70<Te2且70<7;2。第2信息層27的透射率Te2以及Ta2優(yōu)選滿足-5^(Tc2-Ta2)S5，較優(yōu)選滿足-3S(Tc2-Ta2)^3。Tc2以及12滿足該條件時，從激光束11的入射側(cè)到位于比第2信息層27遠的一側(cè)的信息層的記錄再生時，第2信息層27的第2記錄層504的狀態(tài)導(dǎo)致透射率變化的影響小，能得到良好的記錄再生特性。在第2信息層27中，第2記錄層504為結(jié)晶相時的反射率Re2(%)、以及第2記錄層504為無定形相時的反射率Ra2(%)優(yōu)選滿足Ra2<Rc2。由此，信息未記錄時的初始的狀態(tài)反射率高，能穩(wěn)定地進行記錄再生。第1信息層26為具有從激光束11的入射側(cè)依次配置的第7電介質(zhì)層402、第1記錄層404、第8電介質(zhì)層406的構(gòu)成。根據(jù)需要，第1信息層26還可以具有第1反射層408及/或還可以具有第1透射率調(diào)整層409。進而，第1信息層26可以在第7電介質(zhì)層402和第1記錄層404之間具有第7界面層403。第7電介質(zhì)層402可以使用與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的材料相同的材料來形成。另外，其功能與實施方案1的第1電介質(zhì)層102的功能相同。第7電介質(zhì)層402的厚度可以根據(jù)基于陣列法的計算嚴密地確定，以滿足下述條件，即第1記錄層404為結(jié)晶相的情況和其為無定形相的情況的反射光量的變化大，且在第1記錄層404的光吸收大，并且第l信息層26的透射率增大。根據(jù)需要設(shè)置的第7界面層403可以使用與實施方案1的第1界面層103的材料相同的材料來形成。另外，其功能以及形狀與實施方案1的第1界面層103的功能和形狀相同。第8電介質(zhì)層406具有調(diào)整光學(xué)距離來提高第1記錄層404的光吸收效率的作用、以及增加記錄前后的反射光量的變化來擴大信號強度的作用。第8電介質(zhì)層406可以使用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的材料相同的材料來形成。另夕卜，第8電介質(zhì)層406的厚度優(yōu)選在0.5nm75nm的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在lnm40nm的范圍內(nèi)。通過在該范圍內(nèi)選擇第8電介質(zhì)層406的厚度，可以使在第1記錄層404產(chǎn)生的熱有效地擴散至第1反射層408側(cè)。另外，可以在第1記錄層404和第8電介質(zhì)層406之間配置第8界面層。第8界面層可以使用與實施方案1的第2界面層的材料相同的材料來形成。在圖4所示的信息記錄介質(zhì)30中，設(shè)置有第8界面層時，第8界面層可以表示為在符號404表示的層和符號406表示的層之間例如以符號405表示的層。作為第1記錄層404的材料，可以使用與實施方案1的記錄層104的材料相同的材料。另外，其他信息層的記錄層含有共計85原子％以上的Sb和Ml時，第l記錄層404可以由其他材料形成。例如，也可以使用含有GeTe、(Ge-Sn)Te、GeTe-Sb2Te3、(Ge-Sn)Te-Sb2Te3、GeTe-Bi2Te3、(Ge陽Sn)Te-Bi2Te3、GeTe-(Sb-Bi)2Te3、(Ge-Sn)Te-(Sb-Bi)2Te3、GeTe-(Bi-In)2Te3及(Ge-Sn)Te-(Bi-In)2Te3的任一種的材料。另夕卜，使用Sb誦Ga、(Sb-Te)-Ga、Sb-Ge、(Sb-Te)誦Ge、Sb-In、(Sb-Te)-In、或(Sb-Te)-Ag-In的任一個表示的且含有50原子％以上Sb的材料，也可以形成第l記錄層404。為了使記錄再生時所需的激光光量從激光束11的入射側(cè)到達位于比第1信息層26遠的一側(cè)的信息層，第1信息層26必須具有高透射率。因此，第l記錄層404的厚度優(yōu)選為6nm以下，較優(yōu)選為3nm以下。另外，第1記錄層404也可以由發(fā)生不可逆相變化的材料(例如Te-Pd-O)來形成。此時，第l記錄層404的厚度優(yōu)選為20nm以下。根據(jù)需要設(shè)置的第1反射層408具有增加第1記錄層404所吸收的光量的光學(xué)功能。另外，第1反射層408還具有使在第1記錄層404產(chǎn)生的熱迅速擴散、容易使第1記錄層404無定形化的熱功能。進而，第1反射層408還具有保護多層膜免受使用環(huán)境破壞的功能。作為第1反射層408的材料，可以使用與實施方案1的反射層108的材料相同的材料。特別是Ag合金由于熱傳導(dǎo)率大，所以作為第l反射層408的材料是理想的。為了盡可能地提高第1信息層26的透射率，第1反射層408的厚度優(yōu)選為8nm以下，較優(yōu)選為5nm以下。厚度在該范圍內(nèi)的第1反射層408具有充分的熱擴散功能且能確保第1信息層26的反射率，還能充分提高第1信息層26的透射率。根據(jù)需要設(shè)置的第1透射率調(diào)整層409可以使用與實施方案2的透射率調(diào)整層209的材料相同的材料來形成。另外，其形狀以及功能與實施方案2的透射率調(diào)整層209的和形狀和功能相同。為了使記錄再生時所需的激光光量從激光束11的入射側(cè)到達位于比第1信息層26遠的一側(cè)的信息層，第1信息層26的透射率Tel以及Tal優(yōu)選滿足65〈Te！且65<了31。Tel以及Ta,較優(yōu)選滿足7(XTe！且70<Tal。第l信息層26的透射率Td以及U尤選滿足-5^(Tcl-Tal)§5，較優(yōu)選滿足-3^(Tcl-Tal)^3。Tcl以及Tai滿足該條件時，從激光束11的入射側(cè)至位于比第1信息層26遠的側(cè)的信息層的記錄再生時，第1信息層26的第1記錄層404的狀態(tài)導(dǎo)致透射率變化的影響小，能得到良好的記錄再生特性。在第1信息層26中，第1記錄層404為結(jié)晶相時的反射率R^(%)、以及第1記錄層404為無定形相時的反射率Ral(%)優(yōu)選滿足Ral〈Rd。由此，在未記錄信息的初始狀態(tài)下反射率提高，能穩(wěn)定地進行記錄再生。信息記錄介質(zhì)30可以由以下說明的方法來制造。首先，形成第4信息層29。具體而言，首先，準備基板14(厚度例如為l.lmm)，配置在成膜裝置內(nèi)。然后，在基板14上形成第4反射層708。此時，在基板14上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時，在形成導(dǎo)向槽的一側(cè)形成第4反射層708。第4反射層708可以用與實施方案1的反射層108的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在第4反射層708上形成界面層。界面層可以用與實施方案1的界面層或第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，在第4反射層708或界面層上形成第2電介質(zhì)層706。第2電介質(zhì)層706可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接下來，根據(jù)需要在第4反射層708、界面層707或第2電介質(zhì)層706上形成第2界面層705。第2界面層705可以用與實施方案1的第2電介49質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，在第2電介質(zhì)層706或第2界面層705上形成第4記錄層704。第4記錄層704可以使用對應(yīng)其組成的濺射耙，與實施方案1的記錄層104的形成方法相同的方法來形成。接著，根據(jù)需要在第4記錄層704上形成第1界面層703。第1界面層703可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，在第4記錄層704或第1界面層703上形成第1電介質(zhì)層702。第1電介質(zhì)層702可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。由此，形成第4信息層29。然后，在第4信息層29的第1電介質(zhì)層702上形成光學(xué)分離層20。光學(xué)分離層20可以通過將光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂涂布在第l電介質(zhì)層702上進行旋轉(zhuǎn)涂布后，使樹脂固化來形成。另外，光學(xué)分離層20具有激光束11的導(dǎo)向槽時，可以使形成槽的基板(模)密合在固化前的樹脂上后，使樹脂固化，然后，取下基板(模)，由此形成導(dǎo)向槽。另外，形成第1電介質(zhì)層702后或形成光學(xué)分離層20后，可以根據(jù)需要使第4記錄層704的整面結(jié)晶化進行初始化。第4記錄層704的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。然后，在光學(xué)分離層20上形成第3信息層28。具體而言，首先，將在基板14上形成第4信息層29以及光學(xué)分離層20的層疊體配置在成膜裝置內(nèi)。然后，根據(jù)需要在光學(xué)分離層20上形成第3透射率調(diào)整層609。第3透射率調(diào)整層609可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在光學(xué)分離層20或第3透射率調(diào)整層609上形成第3反射層608。第3反射層608可以用與實施方案1的反射層108的形成方法相同的方法來形成。接著，在光學(xué)分離層20、第3透射率調(diào)整層609或第3反射層608上形成第4電介質(zhì)層606。第4電介質(zhì)層606可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接下來，根據(jù)需要在第4電介質(zhì)層606上形成第4界面層。第4界面層605可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，在第4電介質(zhì)層606或第4界面層上形成第3記錄層604。第3記錄層604可以使用對應(yīng)其組成的濺射靶，與實施方案1的記錄層104的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在第3記錄層604上形成第3界面層603。第3界面層603可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接著，在第3記錄層604或第3林面層603上形成第3電介質(zhì)層602。第3電介質(zhì)層602可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。由此，形成第3信息層28。然后，在第3信息層28的第3電介質(zhì)層602上用與上述光學(xué)分離層20的形成方法相同的方法來形成光學(xué)分離層19。形成第3電介質(zhì)層602后或形成光學(xué)分離層19后，可以根據(jù)需要使第3記錄層604及/或第4記錄層704(形成第3信息層28前未進行結(jié)晶化的情況)的整面結(jié)晶化，進行初始化工序。第3記錄層604及/或第4記錄層704的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。然后，在光學(xué)分離層19上形成第2信息層27。具體而言，首先，將在基板14上形成第4信息層29、光學(xué)分離層20、第3信息層28以及光學(xué)分離層19的層疊體配置在成膜裝置內(nèi)。然后，根據(jù)需要在光學(xué)分離層19上形成第2透射率調(diào)整層509。第2透射率調(diào)整層509可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接著，根據(jù)需要在光學(xué)分離層19或第2透射率調(diào)整層509上形成第2反射層508。第2反射層508可以用與實施方案1的反射層108的形成方法相同的方法來形成。然后，在光學(xué)分離層19或第2反射層508上形成第6電介質(zhì)層506。第6電介質(zhì)層506可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接著，根據(jù)需要在第6電介質(zhì)層506上形成第6界面層。第6界面層可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106相同的方法來形成。然后，在第6電介質(zhì)層506或第6界面層上形成第2記錄層504。第2記錄層504可以使用對應(yīng)其組成的濺射靶，用與實施方案1的記錄層104的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在第2記錄層504上形成第5界面層503。第5界面層503可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接著，在第2記錄層504或第5界面層503上形成第5電介質(zhì)層502。第5電介質(zhì)層502可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。由此，形成第2信息層27。然后，用與上述光學(xué)分離層20的形成方法相同的方法在第2信息層27的第5電介質(zhì)層502上形成光學(xué)分離層17。形成第5電介質(zhì)層502后或形成光學(xué)分離層17后，可以根據(jù)需要進行使第2記錄層504、第3記錄層604及/或第4記錄層704的整面結(jié)晶化的初始化工序。即，第2記錄層504及/或第3記錄層604可以在該階段進行初始化。第2記錄層504、第3記錄層604及/或第4記錄層704的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。然后，在光學(xué)分離層17上形成第1信息層26。具體而言，首先，將在基板14上形成第4信息層29、光學(xué)分離層20、第3信息層28、光學(xué)分離層19、第2信息層27以及光學(xué)分離層17的層疊體配置在成膜裝置內(nèi)。然后，在光學(xué)分離層17上根據(jù)需要形成第1透射率調(diào)整層409。第1透射率調(diào)整層409可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在光學(xué)分離層17或第1透射率調(diào)整層409上形成第1反射層408。第1反射層408可以用與實施方案1的反射層108的形成方法相同的方法來形成。然后，在光學(xué)分離層17或第1反射層408上形成第8電介質(zhì)層406。第8電介質(zhì)層406可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在第8電介質(zhì)層406上形成第8界面層405。第8界面層405可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。接著，在第8電介質(zhì)層406或第8界面層405上形成第1記錄層404。第1記錄層404可以使用對應(yīng)于其組成的濺射靶，用與實施方案1的記錄層104的形成方法相同的方法來形成。然后，根據(jù)需要在第1記錄層404上形成第7界面層403。第7界面層403可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。然后，在第1記錄層404或第7界面層403上形成第7電介質(zhì)層402。第7電介質(zhì)層402可以用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的形成方法相同的方法來形成。由此，形成第1信息層26。最后，在第7電介質(zhì)層402上形成透明層13。透明層13可以用在實施方案1中說明的方法來形成。形成第7電介質(zhì)層402后或形成透明層13后，可以根據(jù)需要使第1記錄層404、第2記錄層504、第3記錄層604及/或第4記錄層704的整面結(jié)晶化進行初始化。即，第2記錄層504、第3記錄層604及/或第4記錄層704可以在該階段進行初始化。第1記錄層404、第2記錄層504、第3記錄層604及/或第4記錄層704的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。如上所述地操作，可以制造信息記錄介質(zhì)30。需要說明的是，本實施方案中，使用濺射法作為各層的成膜方法。成膜方法不限定于此，也能采用真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。(實施方案5)作為實施方案5，說明本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的其他例。實施方案5的信息記錄介質(zhì)34的部分剖面圖示于圖5。信息記錄介質(zhì)34是與實施方案1的信息記錄介質(zhì)15相同，在激光束11的照射下能進行信息的記錄再生的光學(xué)信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)34是層疊在基板31上的信息層16和模仿基板33被膠粘層32密合的構(gòu)成?；?1以及模仿基板33是透明的圓盤狀基板。作為構(gòu)成基板31以及模仿基板33的材料的例子，與實施方案l的基板14相同，可以舉出例如聚碳酸酯、無定形聚烯烴或者PMMA等樹脂或玻璃。作為基板31以及模仿基板33的材料，考慮到轉(zhuǎn)印性及量產(chǎn)性優(yōu)異，低成本，聚碳酸酯特別有用?？梢愿鶕?jù)需要在基板31的第1電介質(zhì)層102側(cè)的表面形成用于引導(dǎo)激光束的導(dǎo)向槽?；?1的與第1電介質(zhì)層102側(cè)相反的側(cè)的表面以及模仿基板33的與膠粘層32側(cè)相反的側(cè)的表面優(yōu)選是平滑的。為了確保充分的強度，且使信息記錄介質(zhì)34的厚度為1.2mm左右，基板31以及模仿基板33的厚度優(yōu)選在0.3mm0.9mm的范圍內(nèi)。膠粘層32由光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂等樹脂構(gòu)成，優(yōu)選對使用的激光束11具有較小的光吸收，并優(yōu)選在短波長區(qū)域中具有光學(xué)的較小的雙折射。通過與光學(xué)分離層19以及17等相關(guān)說明的理由相同的理由，膠粘層32的厚度優(yōu)選在0.6^n50pm的范圍內(nèi)。此外，對于與實施方案1標(biāo)記相同符號的要素省略其說明。信息記錄介質(zhì)34可以用以下說明的方法來制造。首先，在基板31(厚度例如為0.6mm)上形成信息層16。在基板31上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時，在形成有導(dǎo)向槽的一側(cè)形成信息層16。具體而言，將基板31配置在成膜裝置內(nèi)，依次層疊第1電介質(zhì)層102、記錄層104、第2電介質(zhì)層106、反射層108。另外，可以根據(jù)需要在第1電介質(zhì)層102和記錄層104之間形成第1界面層103。另外，也可以根據(jù)需要形成位于記錄層104和第2電介質(zhì)層106之間的第2界面層。進而，還可以根據(jù)需要形成位于第2電介質(zhì)層106和反射層108之間的界面層。各層的形成方法與實施方案l的各層的形成方法相同。然后，使用膠粘層32在層疊有信息層16的基板31上貼合模仿基板33(厚度例如為0.6mm)。具體而言，貼合按照以下的順序來實施。首先，將光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂等樹脂涂布在模仿基板33上。然后，使層疊有信息層16的基板31密合在模仿基板33上，使其旋轉(zhuǎn)(旋轉(zhuǎn)涂布)后，使樹脂固化。作為其他方法，也可以預(yù)先在模仿基板33上均勻地涂布粘合性樹脂，使其密合在層疊有信息層16的基板31上。使基板31以及模仿基板33密合后，可以根據(jù)需要使記錄層104的整面結(jié)晶化，進行初始化。記錄層104的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。如上所述地操作，可以制造信息記錄介質(zhì)34。另外，在本實施方案中，使用濺射法作為各層的成膜方法。成膜方法不限定于此，也能使用真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。(實施方案6)作為實施方案6，說明本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的又一其他例。實施方案6的信息記錄介質(zhì)37的部分剖面圖示于圖6。信息記錄介質(zhì)37是與實54施方案2的信息記錄介質(zhì)22相同、通過照射單向的激光束11能進行信息的記錄再生的多層光學(xué)的信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)37是具有依次層疊在基板31上的第1信息層23及信息層18的N組信息層和層疊在基板36上的信息層21借助膠粘層35密合得到的構(gòu)成。在信息層之間插入光學(xué)分離層17、19?；?6是透明的圓盤狀基板。作為構(gòu)成基板36的材料，與基板14相同，可以舉出例如聚碳酸酯、無定形聚烯烴或者PMMA等樹脂或玻璃?？梢愿鶕?jù)需要在基板36的信息層21側(cè)的表面形成用于引導(dǎo)激光束的導(dǎo)向槽?；?6的與信息層21側(cè)相反的側(cè)的表面優(yōu)選平滑。作為基板36的材料，從轉(zhuǎn)印性及量產(chǎn)性優(yōu)異、低成本的觀點考慮，聚碳酸酯特別有用。為了能確保充分的強度、并且信息記錄介質(zhì)37的厚度為1.2mm左右，基板36的厚度優(yōu)選在0.3mm0.9mm的范圍內(nèi)。此外，對于標(biāo)記了與實施方案2以及5相同符號的要素，省略其說明。信息記錄介質(zhì)37可以用以下說明的方法來制造。首先，在基板31(厚度為例如0.6mm)上形成第1信息層23。在基板31形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時，在形成有導(dǎo)向槽的一側(cè)形成第1信息層23。具體而言，將基板31配置在成膜裝置內(nèi)，依次層疊第3電介質(zhì)層202、第1記錄層204、第4電介質(zhì)層206。根據(jù)需要可以形成位于第3電介質(zhì)層202和第1記錄層204之間的第3界面層203。另外，根據(jù)需要也可以形成位于第1記錄層204和第4電介質(zhì)層206之間的第4界面層。進而，根據(jù)第1信息層23的構(gòu)成，形成第4電介質(zhì)層206后，也可以形成第1反射層208。進一步形成第1反射層208后，可以形成透射率調(diào)整層209。各層的形成方法與實施方案2的各層的形成方法相同。然后，依次層疊(N-2)層信息層，使光學(xué)分離層位于各信息層之間。另外在基板36(厚度例如為0.6mm)上形成信息層21。信息層由單層膜或多層膜構(gòu)成，與實施方案2相同，可以通過在成膜裝置內(nèi)依次濺射適合構(gòu)成各層的濺射靶來形成上述各層。最后，使用膠粘層35貼合層疊有信息層的基板31以及基板36。具體而言，可以將光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂等樹脂涂布在信息層21上，使形成有第1信息層23的基板31密合在信息層21上，進行旋轉(zhuǎn)涂布后，使樹脂固化。另外，可以預(yù)先在信息層21上涂布粘合性樹脂，使其與基板31密合。需要說明的是，可以使基板31以及基板36密合后，根據(jù)需要使第l記錄層204的整面結(jié)晶化，進行初始化。第1記錄層204的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。如上所述地操作，可以制造信息記錄介質(zhì)37。本實施方案中，使用濺射法作為各層的成膜方法。成膜方法不限定于此，也能采用真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。(實施方案7)作為實施方案7，說明在實施方案6的本發(fā)明的多層光學(xué)的信息記錄介質(zhì)中，由N二2、即2組信息層構(gòu)成的信息記錄介質(zhì)的一例。實施方案7的信息記錄介質(zhì)38的部分剖面圖示于圖7。信息記錄介質(zhì)38與實施方案3的信息記錄介質(zhì)24相同，是通過照射單向的激光束11能進行信息的記錄再生的2層光學(xué)信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)38的構(gòu)成如下在基板31上層疊第1信息層23、在基板36上層疊第2信息層25，將上述層疊體通過膠粘層35密合?？梢愿鶕?jù)需要在基板36的第2反射層308側(cè)的表面上形成用于引導(dǎo)激光束的導(dǎo)向槽?；?6的與第2反射層308側(cè)相反的側(cè)的表面優(yōu)選平滑。此外，關(guān)于標(biāo)記與實施方案3、實施方案5以及實施方案6相同的符號的要素，省略其說明。信息記錄介質(zhì)38可以通過以下說明的方法來制造。首先，通過與實施方案6相同的方法在基板31(厚度為例如0.6mm)上形成第1信息層23。形成透射率調(diào)整層209或第1反射層208、或第4電介質(zhì)層206后，可以根據(jù)需要使第1記錄層204的整面結(jié)晶化，進行初始化。第1記錄層204的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。另外在基板36(厚度例如為0.6mm)上形成第2信息層25。在基板36上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時，在形成有導(dǎo)向槽的一側(cè)形成第2信息層25。具體而言，將基板36配置在成膜裝置內(nèi)，依次層疊第2反射層308、第2電介質(zhì)層306、第2記錄層304、第1電介質(zhì)層302。另外，可以根據(jù)需要形成位于第1電介質(zhì)層302和第2記錄層304之間的第1界面層303。另外，可以根據(jù)需要形成位于第2記錄層304和第2電介質(zhì)層306之間的第2界面層。還可以根據(jù)需要形成位于第2反射層308和第2電介質(zhì)層306之間的界面層。各層的成膜方法與實施方案3的各層的成膜方法相同。形成第1電介質(zhì)層302后，可以根據(jù)需要使第2記錄層304的整面結(jié)晶化，進行初始化。第2記錄層304的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。最后，使用膠粘層35貼合層疊有第1信息層23的基板31和層疊有第2信息層25的基板36。具體而言，首先，將光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂等樹脂涂布在第1信息層23或第2信息層25上。然后，可以使基板31上的第1電介質(zhì)層302和基板36上的透射率調(diào)整層209或第1反射層208、或第4電介質(zhì)層206密合進行旋轉(zhuǎn)涂布后，使樹脂固化。另外，也可以預(yù)先在第1信息層23或第2信息層25上均勻地涂布粘合性樹脂，用該樹脂密合基板31和基板36。然后，可以根據(jù)需要使第1記錄層204的整面結(jié)晶化，進行初始化?；蛘?，除第1記錄層204之外，也可以在該階段實施第2記錄層304的初始化。此時，根據(jù)與實施方案3中說明的理由相同的理由，先使第2記錄層304結(jié)晶化是理想的。如以所述地操作，可以制造信息記錄介質(zhì)38。另外，在本實施方案中，使用濺射法作為各層的成膜方法。成膜方法不限定于此，也能使用真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。(實施方案8)作為實施方案8,說明在實施方案6的多層光學(xué)的信息記錄介質(zhì)中，N=4、即由4組信息層構(gòu)成的信息記錄介質(zhì)的一例。實施方案8的信息記錄介質(zhì)39的部分剖面圖示于圖8。信息記錄介質(zhì)39與實施方案4的信息記錄介質(zhì)30相同，是通過照射單向激光束11能進行信息的記錄再生的4層光學(xué)的信息記錄介質(zhì)。信息記錄介質(zhì)39構(gòu)成如下在基板31上層疊第1信息層26以及第2信息層27，在基板36上層疊第4信息層29以及第3信息層28，通過膠粘層35使上述層疊體密合。57此外，關(guān)于標(biāo)記了與實施方案4、實施方案5、實施方案6以及實施方案7相同的符號的要素，省略其說明。信息記錄介質(zhì)39可以通過以下說明的方法來制造。首先，在基板31(厚度例如為0.6mm)上形成第1信息層26。在基板31形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時，在形成有導(dǎo)向槽的一側(cè)形成第l信息層26。具體而言，將基板31配置在成膜裝置內(nèi)，依次層疊第7電介質(zhì)層402、第1記錄層404及第8電介質(zhì)層406。另外，可以根據(jù)需要形成位于第7電介質(zhì)層402和第1記錄層404之間的第7界面層403。還可以根據(jù)需要在第1記錄層404和第8電介質(zhì)層406之間形成第8界面層。也可以對應(yīng)第1信息層23的構(gòu)成形成第8電介質(zhì)層406后，進一步形成第1反射層408。還可以形成第1反射層408后，進一步形成第1透射率調(diào)整層409。各層的成膜方法與實施方案4的各層的成膜方法相同。然后，通過與在實施方案4中說明的方法相同的方法在第1透射率調(diào)整層409或第1反射層408、或第8電介質(zhì)層406上形成光學(xué)分離層17。形成光學(xué)分離層17后，形成第1透射率調(diào)整層409、或第1反射層408、或第8電介質(zhì)層406后，可以根據(jù)需要使第1記錄層404的整面結(jié)晶化，進行初始化。第1記錄層404的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。然后，在光學(xué)分離層17上形成第2信息層27。具體而言，將在基板31上形成第1信息層26及光學(xué)分離層17得到的構(gòu)件配置在成膜裝置內(nèi)，依次層疊第5電介質(zhì)層502、第2記錄層504及第6電介質(zhì)層506?？梢愿鶕?jù)需要形成位于第5電介質(zhì)層502和第2記錄層504之間的第5界面層503。另外，可以根據(jù)需要形成位于第2記錄層504和第6電介質(zhì)層506之間的第6界面層。可以對應(yīng)第2信息層27的構(gòu)成形成第6電介質(zhì)層506后，形成第2反射層508。還可以形成第2反射層508后形成第2透射率調(diào)整層509。各層的成膜方法與實施方案4的各層的成膜方法相同。形成第2透射率調(diào)整層509、或第2反射層508、或第6電介質(zhì)層506后，可以根據(jù)需要使第1記錄層404及/或第2記錄層504的整面結(jié)晶化，進行初始化。即，第1記錄層404的初始化可以在該階段實施。第l記錄層404及/或第2記錄層504的結(jié)晶化通常可以照射激光束來進行。然后，在基板36(厚度例如為0.6mm)上形成第4信息層29。在基板36上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時，在形成導(dǎo)向槽的一側(cè)形成第4信息層29。具體而言，將基板36配置在成膜裝置內(nèi)，依次層疊第4反射層708、第2電介質(zhì)層706、第4記錄層704及第1電介質(zhì)層702。可以根據(jù)需要形成位于第1電介質(zhì)層702和第4記錄層704之間的第1界面層703。另外，可以根據(jù)需要形成位于第4記錄層704和第2電介質(zhì)層706之間的第2界面層。進而，還可以根據(jù)需要形成位于第2電介質(zhì)層706和第4反射層708之間的界面層。各層的成膜方法與實施方案4的各層的成膜方法相同。然后，通過與在實施方案4中相關(guān)說明的方法相同的方法在第1電介質(zhì)層702上形成光學(xué)分離層20。另外，形成光學(xué)分離層20后或形成第1電介質(zhì)層702后，也可以根據(jù)需要使第4記錄層704的整面結(jié)晶化，進行初始化。第4記錄層704的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。然后，在光學(xué)分離層20上形成第3信息層28。具體而言，將在基板36上形成第4信息層29及光學(xué)分離層20的層疊體配置在成膜裝置內(nèi)，依次層疊第4電介質(zhì)層606、第3記錄層604及第3電介質(zhì)層602。另外，可以根據(jù)需要形成位于第3電介質(zhì)層602和第3記錄層604之間的第3界面層603。也可以根據(jù)需要形成位于第3記錄層604和第4電介質(zhì)層606之間的第4界面層。還可以對應(yīng)第3信息層28的構(gòu)成，在成膜第4電介質(zhì)層606前形成第3反射層608。另外，可以在形成第3反射層608前形成第3透射率調(diào)整層609。各層的成膜方法與實施方案4的各層的成膜方法相同。形成第3電介質(zhì)層602后，可以根據(jù)需要使第3記錄層604及/或第4記錄層704(形成第3信息層28前未進行初始化時)的整面結(jié)晶化，進行初始化工序。第3記錄層604及/或第4記錄層704的結(jié)晶化通常通過照射激光束來進行。最后，使用膠粘層35貼合層疊第1信息層26、光學(xué)分離層17及第2信息層27得到的基板31和層疊第4信息層29、光學(xué)分離層20及第3信息層28的基板36。具體而言，首先，將光固化性樹脂(特別是紫外線固化性樹脂)或遲效性樹脂等樹脂涂布在第2信息層27或第3信息層28上。然后，使基板31和基板36密合，進行旋轉(zhuǎn)涂布后，使樹脂固化。另夕卜，也可以預(yù)先在第2信息層27或第3信息層28上均勻涂布粘合性樹脂，用該樹脂密合基板31和基板36。然后，可以根據(jù)需要進行使第4記錄層704、第3記錄層604、第2記錄層504及/或第1記錄層404的整面結(jié)晶化的初始化工序。如以所述地操作，可以制造信息記錄介質(zhì)39。本實施方案中，使用濺射法作為各層的成膜方法。成膜方法不限定于此，也能使用真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。(實施方案9)實施方案9中，對作為實施方案l、2、3、4、5、6、7以及8說明的本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄再生方法進行說明。用于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的記錄再生方法的記錄再生裝置45的部分構(gòu)成模式地示于圖9。圖9所示的記錄再生裝置45具備用于使信息記錄介質(zhì)44旋轉(zhuǎn)的主軸電動機40和半導(dǎo)體激光42、以及配備收集從半導(dǎo)體激光42射出的激光束11的物鏡41的光學(xué)頭43。信息記錄介質(zhì)44是實施方案l、2、3、4、5、6、7或8的信息記錄介質(zhì)，具有一個信息層(例如信息層16)或多個信息層(例如第1信息層23、第2信息層25)。物鏡41將激光束11收集到信息層上。信息在信息記錄介質(zhì)上的記錄、消除以及蓋寫記錄是通過使激光束11的功率在高功率的峰功率(PP(mW"和低功率的偏置功率(Pb(mW))之間調(diào)制來進行。通過照射峰功率的激光束11，記錄層的局部的一部分轉(zhuǎn)化為無定形相，該無定形相成為記錄記號。在記錄記號間照射偏置功率的激光束ll，形成結(jié)晶相(消除部分)。另外，照射峰功率的激光束11時，通常設(shè)定為以脈沖列形成的所謂多脈沖。多脈沖可以在峰功率和偏置功率的功率水平之間調(diào)制2個值?；蛘叨嗝}沖可以設(shè)定比偏置功率更低的功率的冷卻功率(pe(mW))及保底功率(PB(mW))，在處于0mW峰功率的范圍內(nèi)的功率水平之間調(diào)制3個值或4個值。信息信號的再生是通過用檢測器讀取來自照射再生功率的激光束11而獲得的信息記錄介質(zhì)的信號來實施的。再生功率(Pr(mW))比峰功率及偏置功率的功率水平更低。再生功率設(shè)定為在其功率水平下的激光束11的照射下，記錄記號的光學(xué)性質(zhì)不受影響，并且能得到來自信息記錄介質(zhì)的記錄記號再生所需的充分的反射光量。為了使激光束的點徑能調(diào)整至0.4,0.7,的范圍內(nèi)，物鏡41的開口數(shù)NA優(yōu)選在0.5U的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在0.60.9的范圍內(nèi)。激光束11的波長優(yōu)選在450nm以下(較優(yōu)選在350nm450nm的范圍內(nèi))。記錄信息時的信息記錄介質(zhì)的線速度優(yōu)選在難以發(fā)生再生光導(dǎo)致的結(jié)晶化、并且能獲得充分的消除性能的4m/秒50m/秒的范圍內(nèi)，較優(yōu)選在9m/秒40m/秒的范圍內(nèi)。當(dāng)然可以根據(jù)信息記錄介質(zhì)的種類等使用此處未列舉的波長、物鏡的開口數(shù)及線速度。例如激光束的波長可以為650670nm。具有二個信息層的信息記錄介質(zhì)24以及信息記錄介質(zhì)38中，在第1信息層23上進行記錄時，使激光束11的焦點對準第1記錄層204，通過透過透明層13的激光束11在第1記錄層204上記錄信息。再生是檢測被第1記錄層204反射、并透過透明層13的激光束11來進行的。在第2信息層25上進行記錄時，使激光束11的焦點對準第2記錄層304，通過透過透明層13、第1信息層23以及光學(xué)分離層17的激光束11記錄信息。再生是檢測被第2記錄層304反射、并透過光學(xué)分離層17、第1信息層23以及透明層13的激光束11來進行的。在基板14、光學(xué)分離層20、19以及17上形成用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽時，信息可以記錄在接近距離激光束ll的入射側(cè)的一個槽面(溝)上，也可以記錄在較遠的一個槽面(岸)上。另外，可以在溝和岸的兩側(cè)記錄信息。使用該記錄再生裝置，可以如下所述地評價信息記錄介質(zhì)的性能。記錄性能可以如下評價將激光束ll在0Pp(mW)之間進行功率調(diào)制，以(1-7)調(diào)制方式記錄記號長度為0.149|am(2T)至0.596(xm(8T)的隨機信號，用時間間隔分析器測定記錄記號的前端間以及后端間的偏差(jitter)(記號位置的誤差)。偏差值越小，記錄性能越好。Pp和Pb確定為使前端間以及后端間的偏差的平均值(平均偏差)達到最小。以此時的最佳Pp作為記錄靈敏度。另外，以下面的順序評價消除性能。將激光束ll在0Pp(mW)之間進行功率調(diào)制，在同一溝中交替地連續(xù)10次記錄記號長度為0.149pm61(2T)和0.671jim(9T)的信號。用光譜分析儀測定第11次蓋寫(overwriting)2T信號時的2T信號的信號振幅以及隨后蓋寫9T信號時的2T信號的信號振幅之差作為2T信號的消除率。消除率越大，消除性能越好。另外，按照以下的順序評價信號強度。將激光束ll在0Pp(mW)之間進行功率調(diào)制，在相同溝內(nèi)連續(xù)10次交替記錄記號長度為0.149pm(2T)和0.671拜(9T)的信號。最后蓋寫2T信號，用光譜分析儀測定在2T信號的頻率下的信號振幅(carrierlevel)和雜音振幅(noiselevel)之比(CNR(CarriertoNoiseRatio))。CNR越大，信號強度越強。進而，按照以下的順序評價反復(fù)重寫次數(shù)。將激光束11在0Pp(mW)之間進行功率調(diào)制，在同一溝中連續(xù)記錄記號長度0.149pm(2T)至0.596pm(8T)的隨機信號。每結(jié)束1次重寫時，用時間間隔分析器測定前端間以及后端間的偏差。相對于第1次的前端間和后端間的平均偏差值，以增加3%時的重寫次數(shù)作為上限值。Pp、Pb、Pe及PB確定為平均偏差值最小。(實施方案10)作為實施方案10，說明本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的其他例。實施方案10的電信息記錄介質(zhì)51的一個構(gòu)成例如圖10所示。電信息記錄介質(zhì)51是通過施加電能(特別是電流)能進行信息的記錄再生的信息記錄介質(zhì)。作為基板46，可以使用聚碳酸酯等樹脂基板、玻璃基板、A1203等陶瓷基板、Si等半導(dǎo)體基板及Cu等金屬基板。此處，作為基板，說明使用Si基板的方案。電信息記錄介質(zhì)51是在基板46上依次層疊下部電極47、第1電介質(zhì)層801、第1記錄層48、第2記錄層49、第2電介質(zhì)層802以及上部電極50得到的結(jié)構(gòu)。下部電極47以及上部電極50是為了對第1記錄層48以及第2記錄層49施加電流而形成的。第1電介質(zhì)層801是為了調(diào)整施加在第1記錄層48上的電能量、第2電介質(zhì)層802是為了調(diào)整施加在第2記錄層49上的電能量而設(shè)置的。作為第1電介質(zhì)層801及第2電介質(zhì)層802的材料，可以使用與實施方案1的第2電介質(zhì)層106的材料相同的材料。第1記錄層48以及第2記錄層49由通過施加電流而產(chǎn)生的焦耳熱能在結(jié)晶相和無定形相之間發(fā)生可逆相變化的材料構(gòu)成。因此，在該介質(zhì)中，將電阻率在結(jié)晶相和無定形相之間發(fā)生變化的現(xiàn)象用于記錄信息。作為第1記錄層48以及第2記錄層49的材料，可以使用與實施方案1的記錄層104的材料相同的材料。另外，第1記錄層48以及第2記錄層49可以用與實施方案1的記錄層104的形成方法相同的方法來形成。另外，下部電極47以及上部電極50可以用Ti、W、Al、Au、Ag、Cu或者Pt等單體金屬材料來形成。或者，下部電極47以及上部電極50可以使用以選自上述元素中的1種或多種元素為主成分、為了提高耐濕性或調(diào)整熱傳導(dǎo)率等而適當(dāng)添加1種或多種其他元素得到的合金材料來形成。下部電極47以及上部電極50可以通過在Ar氣氣氛中或Ar氣和反應(yīng)氣體(選自02氣或N2氣中的至少1種氣體)的混合氣體氣氛中，濺射作為材料的金屬母材或合金母材來形成。各層的成膜方法不限定于濺射法，可以為真空蒸鍍法、離子鍍法、CVD法或MBE法等。通過施加部52將電信息記錄再生裝置57電連接電信息記錄介質(zhì)51上。在該電信息記錄再生裝置57中，為了在第1記錄層48以及第2記錄層49上施加電流脈沖而通過開關(guān)54將脈沖電源55連接在下部電極47和上部電極50之間。另外，為了檢測第1記錄層48以及第2記錄層49的相變化導(dǎo)致的電阻值的變化，通過開關(guān)56將電阻測定器53連接在下部電極47和上部電極50之間。為了使處于無定形相(高電阻狀態(tài))的第1記錄層48或第2記錄層49轉(zhuǎn)化為結(jié)晶相(低電阻狀態(tài))，關(guān)閉開關(guān)54(開關(guān)56打開)，在電極間施加電流脈沖。施加電流脈沖使得施加電流脈沖的部分的溫度比材料的結(jié)晶化溫度高、且比熔點低的溫度下保持結(jié)晶化時間。從結(jié)晶相再次恢復(fù)無定形相時，以較短時間施加相對高于結(jié)晶化時的電流脈沖，以高于熔點的溫度熔融記錄層后，急劇冷卻。另外，電信息記錄再生裝置57的脈沖電源55為能輸出圖13的記錄/消除脈沖波形的電源。此處，以第l記錄層48是無定形相時的電阻值為rd，以第l記錄層48是結(jié)晶相時的電阻值為rcl，以第2記錄層49是無定形相時的電阻值為ra2，以第2記錄層49是結(jié)晶相時的電阻值為re2。上述電阻值滿足re,^re2<rai<ra2、或者rcl^rc2<ra2<rai、或者rc2^rc!<ral<ra2、或者re2^rel<ra2<ral，從而能將第1記錄層48和第2記錄層49的電阻值的和設(shè)定為ra,+ra2、ral+ra2、ra2+rel、以及rc,+re2的4個不同的值。因此，通過用電阻測定器53測定電極間的電阻值，能一次性檢測4個不同的狀態(tài)即2個值的信息。通過陣列狀地配置多個該電信息記錄介質(zhì)51，能構(gòu)成如圖11所示的大容量的電信息記錄介質(zhì)58。各存儲單元61中，在微小區(qū)域形成與電信息記錄介質(zhì)51相同的構(gòu)成。信息在各個存儲單元61中的記錄再生是通過分別指定一條字線59和位線60來進行的。圖12是給出使用電信息記錄介質(zhì)58的信息記錄系統(tǒng)的一個構(gòu)成例。存儲裝置63由電信息記錄介質(zhì)58和尋址電路62構(gòu)成?？梢酝ㄟ^尋址電路62，分別指定電信息記錄介質(zhì)58的字線59和位線60，進行信息在各個存儲單元61的記錄再生。另外，通過將存儲裝置63電連接在至少由脈沖電源65和電阻測定器66構(gòu)成的外部電路64上，能進行信息在電信息記錄介質(zhì)58中的記錄再生。(實施方案ll)作為實施方案ll，以下說明本發(fā)明的濺射靶的實施方案。本發(fā)明的濺射靶將^I'自Zn、Si以及C中的至少一種元素(以下，將上述元素組記為M1)和Sb含有共計85原子。Z以上。另外，本發(fā)明的濺射靶還可以含有選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素(以下，將上述元素組記為M2)。本發(fā)明的濺射靶還可以含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素(以下，將上述元素組記為M3)。使用上述濺射靶時，可以形成含有Sb-Ml、Sb-Ml-M2或Sb-Ml-M2-M3的膜作為信息記錄介質(zhì)的記錄層。通過使用上述濺射靶，并且通過只導(dǎo)入稀有氣體或者、稀有氣體和微量反應(yīng)氣體來形成記錄層。另外，進行高速成膜時，能抑制信息記錄介質(zhì)的例如反射率的不均及晃動(jitter)的介質(zhì)面內(nèi)的不均較小。為了進行更高速的成膜，同時進一步減少不均，濺射靶優(yōu)選具有高密度(密度表示粉末的填充率，將完全沒有間隙地填充粉末的狀態(tài)定義為100%)。本發(fā)明的濺射靶具有優(yōu)選80%以上、較優(yōu)選90%以上的密度。然后，說明本發(fā)明的濺射靶的制造方法之一例。作為一例，說明含有Sb和Ml的濺射靶的制造方法。準備具有規(guī)定粒徑的高純度的Sb粉末及Ml粉末，稱量并混合上述粉末使其達到規(guī)定的混合比，放入熱壓裝置中。根據(jù)需要將熱壓裝置設(shè)成真空，在規(guī)定的高壓力和高溫條件下保持規(guī)定時間，燒結(jié)混合粉末。通過充分進行混合，使濺射靶的面內(nèi)及厚度方向的組成變均勻。另外，通過將壓力、溫度及時間的條件設(shè)定為最佳，能提高填充性并制造高密度的濺射靶。由此，完成了以規(guī)定的組成比含有Sb和Ml的濺射靶。燒結(jié)后，可以根據(jù)需要使用In等焊錫，焊接在例如表面平滑的銅板上。由此，可以將濺射靶安裝在濺射裝置上進行濺射。可以相同地準備具有規(guī)定粒徑的高純度的Sb粉末、Ml粉末及M2粉末，用上述方法制造含有Sb和Ml及M2的濺射靶。或者，可以準備具有規(guī)定粒徑的高純度的Sb-Ml粉末及Sb-M2粉末?；蛘撸梢詼蕚渚哂幸?guī)定粒徑的高純度的Sb粉末及Ml-M2粉末。或者還可以準備具有規(guī)定粒徑的高純度的Sb粉末、Sb-Ml粉末及Sb-M2粉末?；蚩梢詼蕚渚哂幸?guī)定粒徑的高純度的Sb粉末、Ml粉末、M2粉末及Sb-Ml-M2粉末。使用任一種粉末的組合，都能用上述方法制造濺射靶。同樣地，可以準備例如具有規(guī)定粒徑的的高純度的Sb粉末、M1粉末、M2粉末及M3粉末，用上述方法制造含有Sb、Ml、M2及M3的濺射靶。記錄層優(yōu)選如上所述使用上述濺射靶、采用濺射法來形成。作為用于實施濺射法的裝置，用于層疊多層膜的量產(chǎn)用的成膜裝置已經(jīng)投入市場，原因在于該裝置能比較容易地得到膜質(zhì)良好的薄膜。本發(fā)明的濺射靶可以具有在上述記錄層中相關(guān)說明的式(O(6)表示的組成?；蛘?，根據(jù)濺射條件，具有al、a2、a3、a4、a5、a6及b6不在上述范圍內(nèi)的組成的濺射靶有時也能用作本發(fā)明的濺射靶。本發(fā)明的記錄層中所含的Sb比其他元素容易濺射(即，由于濺射率高)，所以在所得的膜組成中，有時Sb的比例比濺射靶中Sb的比例高。因此，優(yōu)選預(yù)先將濺射靶的Sb的比例設(shè)定為比膜的組成中期望的比例小。由于其他元素(Ml、M2及M3)也分別具有固有的濺射率，所以實際上需要求出膜組成和濺射靶組成的關(guān)系，確定濺射靶的組成使其達到所希望65的膜組成。具體而言，欲得到的膜含有式(O表示的組成的材料時，濺射耙可以為含有式(10)表示的材料的濺射靶。Sb10o.alMlal(原子％)(1)(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，al表示以原子％表示的組成比，滿足(Xal,50。)Sb1()。-A1M1A1(原子％)(10)(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，al表示以原子％表示的組成比，滿足aKAlS(al+3)。)此處，說明用于制造本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的濺射裝置之一例。圖14模式地表示使用濺射裝置進行成膜的狀態(tài)。如圖14所示，在該濺射裝置中，在真空容器67上通過排氣口68連接真空泵(未圖示)，能使真空容器67內(nèi)保持為高真空。設(shè)定成能從氣體供給口69供給一定流量的氣體?；?1(此處的基板是用于堆積膜的基材)載置在陽極70上。通過將真空容器67接地，真空容器67以及基板71保持為陽極。濺射靶72連接在陰極73上，通過開關(guān)(未圖示)連接在電源74上。通過在陽極70和陰極73之間施加規(guī)定的電壓，能通過從濺射靶72釋放的粒子在基板71上形成薄膜。實施例使用實施例更詳細地說明本發(fā)明的更具體的實施方案。(試驗1)試驗1中，制作圖1的信息記錄介質(zhì)15。調(diào)査記錄層104的組成和信息層16的記錄靈敏度以及消除性能的關(guān)系。具體而言，制作具有記錄層104的組成不同的信息層16的信息記錄介質(zhì)15的試樣1-1至1-48，領(lǐng)lj定信息層16的記錄靈敏度以及消除性能。如下所述地制作試樣。首先，作為基板14，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距(溝間隔)為0.32pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為l.lmm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為反射層108的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層106的(ln203)5G(Zr02)5Q層(厚度25nm)、記錄層104(厚度10nm)、作為第1界面層103的(Cr203)5o(Zr02)5()層(厚度5nm)、作為第1電介質(zhì)層102的(ZnS)s。(Si02)2Q層(厚度60nm)。濺射上述各層的成膜裝置具備形成反射層108的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第2電介質(zhì)層106的(ln203)5Q(Zr02)5。濺射靶、形成記錄層104的合金濺射靶(例如使用含有Sb和C的合金濺射靶形成Sb9QC1()層)、形成第1界面層103的(Cr203)5。(Zr02)5。濺射靶、形成第1電介質(zhì)層102的(ZnS)8Q(Si02)2Q濺射靶。濺射靶均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。反射層108的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為200W下進行。第2電介質(zhì)層106的形成在Ar氣氛中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，投入功率為200W下進行。記錄層104的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，投入功率為IOOW下進行。第1界面層103的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，投入功率為200W下進行。第1電介質(zhì)層102的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，投入功率為400W下進行。最后，將紫外線固化性樹脂涂布在第1電介質(zhì)層102上，使基板14旋轉(zhuǎn)形成均勻的樹脂層后，照射紫外線使樹脂固化，由此形成厚度為100pm的透明層13。然后，用激光束使記錄層104結(jié)晶化，進行初始化。如上所述地操作，制作記錄層104的組成不同的多個試樣。對于如上所述得到的試樣，使用圖9的記錄再生裝置45，測定信息記錄介質(zhì)15的信息層16的記錄靈敏度以及消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.85，測定時試樣的線速度為19.7m/s(相當(dāng)于藍光盤(Blu-rayDisc)規(guī)格的4倍速度，在極短時間的激光照射下進行信息記錄以及消除。)，最短記號長度(2T)為0.149pm。信息記錄在溝中。關(guān)于各試樣，將記錄層104的組成和信息層16的記錄靈敏度、以及消除率的評價結(jié)果示于(表1A)及(表1B)。關(guān)于記錄靈敏度，將小于8mW評價為"A"，8mW以上小于9mW為"B"，9mW以上為"C"。另外，關(guān)于消除性能，將消除率為25dB以上評價為"A"，20dB以上小于25dB為"B"，小于20dB為"C"。另夕卜，評價為"A"以及"B"時能耐受實用，評價為"C"時不能耐受實用。<table>tableseeoriginaldocumentpage68</column></row><table>[表1B]<table>tableseeoriginaldocumentpage69</column></row><table>結(jié)果可知，記錄層104僅由Sb形成的試樣l-l中，結(jié)晶化速度過大，記錄靈敏度差(為了記錄需要高激光功率)。另外，記錄層104的組成分別為Sb5oGe50的試樣1-18以及SbsoGe25Te25的試樣1-24中，添加的Ge以及Te量過多，結(jié)晶化速度降低，消除性能變差。比較試樣1-41和試樣1_42至44可知，記錄層104含有Sb、但不含有Zn、Si以及C中的任一種的試樣的消除性能或記錄靈敏度差。記錄層104含有Sb和Zn、Si以及C中的任一種，但上述成分的總比例不是85原子％以上的試樣1-46至1-48的消除性能差。記錄層104將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上，并且記錄層104的組成為上述式(1)表示的試樣1-19至1-23、上述式(2)表示的試樣1-2至1-6、上述式(3)表示的試樣1-7至1-11、上述式(4)表示的試樣1-12至1-17、上述式(6)表示的試樣1-25至1-41的記錄靈敏度和消除性能均良好。其中，與M2的比例為小于15原子％的試樣相比，M2的比例為15原子％的試樣1-29、1-39、1-40以及1-41的消除性能稍差。通過同時濺射例如Sb濺射靶以及C濺射靶形成Sb9odo的記錄層104時，也得到與如上所述用含有Sb和C的合金濺射靶形成Sb9()C1()層時相同的結(jié)果。另外，為了得到其他記錄層104的組成，同時濺射2個以上濺射靶迸行成膜時，也得到與使用l個合金濺射靶進行成膜時相同的結(jié)果。另外，使用在Ar氣中以相對于整體為1體積％以下的比例添加氮氣及/或氧氣的混合氣體形成記錄層104時也得到與只使用Ar氣時況相同的結(jié)果。(試驗2)試驗2中，制作圖3的信息記錄介質(zhì)24，調(diào)查第2記錄層304的組成和第2信息層25的記錄靈敏度、以及消除性能的關(guān)系。具體而言，制作具有第2記錄層304的組成不同的第2信息層25的信息記錄介質(zhì)24的試樣2-1至2-38，領(lǐng)i淀第2信息層25的記錄靈敏度以及消除性能。如以所述制造試樣。首先，作為基板14，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為l.lmm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第2反射層308的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層306的(ln203)so(Zr02)5Q層(厚度25nm)、第2記錄層304(厚度10nm)、作為第1界面層303的(Cr203)5o(Zr02)5Q層(厚度5nm)、作為第1電介質(zhì)層302的(ZnS)so(Si02)2o層(厚度60nm)。濺射上述各層的成膜裝置具備形成第2反射層308的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第2電介質(zhì)層306的(ln203)5o(Zr02)5Q濺射靶、形成第2記錄層304的合金濺射靶(例如使用含有Sb和C的合金濺射靶形成Sb9oC1())、形成第1界面層303的(Cr203)5()(Zr02)5()濺射靶、形成第1電介質(zhì)層302的(ZnS)8q(Si02)2Q濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。第2反射層308的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為200W下進行。第2電介質(zhì)層306的形成在Ar氣氛70下，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第2記錄層304的形成在Ar氣氣氛下，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為IOOW下進行。第1界面層303的形成在Ar氣氣氛下，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第1電介質(zhì)層302的形成在Ar氣氣氛下，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。然后，在第l電介質(zhì)層302上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距0.32(im)的基板的狀態(tài)下使其旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果，得到在第1信息層23側(cè)形成引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為25pm的光學(xué)分離層17。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層17上依次層疊作為透射率調(diào)整層209的Ti02層(厚度20nm)、作為第1反射層208的Ag-Pd-Cu層(厚度10nm)、作為第4電介質(zhì)層206的(Si02)25(ln203)50(Zr02)25層(厚度15nm)、作為第l記錄層204的Ge4sIniBi3Te"層(厚度6nm)、作為第3界面層203的(SiO2)25(Cr203)5Q(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第3電介質(zhì)層202的(ZnS)8o(Si02)2。層(厚度40nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有形成透射率調(diào)整層209的Ti02濺射靶、形成第1反射層208的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第4電介質(zhì)層206的(Si02)25(ln203)50(ZrO2)25濺射靶、形成第1記錄層204的Ge-In-Bi-Te合金濺射靶、形成第3界面層203的(Si02)25(Cr203)5Q(Zr02)25濺射靶、形成第3電介質(zhì)層202的(ZnS)8q(Si02)2C濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。透射率調(diào)整層209的形成在Ar和氧的混合氣體氣氛(氧占總體的比例為3體積％)中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。第1反射層208的形成在Ar氣氣氛下，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為IOOW下進行。第4電介質(zhì)層206的形成在Ar氣氣氛下，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第1記錄層204的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下進行。第3界面層203的形成71在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第3電介質(zhì)層202的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。最后，將紫外線固化性樹脂涂布在第3電介質(zhì)層202上，使基板14旋轉(zhuǎn)，形成均勻的樹脂層后，照射紫外線，使樹脂固化，由此形成厚度為75pm的透明層13。然后，用激光束使第2記錄層304以及第1記錄層204結(jié)晶化，進行初始化。如上所述地操作，制造第2記錄層304的組成不同的多個試樣。對于如上所述得到的試樣，使用圖9的記錄再生裝置45，測定信息記錄介質(zhì)24的第2信息層25的記錄靈敏度以及消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.85，測定時試樣的線速度為19.7m/s，最短記號長度(2T)為0.149nm。信息記錄在溝中。關(guān)于各試樣，第2記錄層304的組成和第2信息層25的記錄靈敏度以及消除性能的評價結(jié)果示于(表2A)以及(表2B)。另外，關(guān)于記錄靈敏度，將小于16mW評價為"A"，16mW以上小于18mW為"B"，18mW以上為"C"。此處，第2信息層25的記錄靈敏度是試驗1的記錄靈敏度的2倍。其原因在于，通過第1信息層23時激光束的強度變?yōu)榧s一半。另外，關(guān)于消除性能，將消除率為25dB以上評價為"A"，20dB以上小于25dB為"B"，小于20dB為"C"。[表2A]<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table>[表2B]試樣No.第2記錄層304的組成(原子％)記錄靈敏度消除性能2—31AA2—32AA2—33Sbfl0C5Sn5AA2—34AA2—35Sb9C1C5Bi!iAA2—36SbfiSCSGe5Te5AA2—37AA2—38Sbg。C5Ge2Ag，Ir^Te，AA2—39Sb80Zrs5Te10Ge5AB2—40Sb80Si5Te10Ge;iAB2—41Sb75C10Te10Ge5AB2—42Sb75Ag10Te10Ge5AC2—43Sb75Ini0Te10Ge5AC2—44Sb75Sn10Te10Ge5BC2—45Sb75Bi10Te10Ge5CB2—46Sb75Zn5Te15Ge5AC2—47Sb75Si5Te15Ge5AC2—48Sb70C10Te15Ge5AC結(jié)果可知，第2記錄層304僅由Sb形成的試樣2-1中，結(jié)晶化速度過大，記錄靈敏度差。另外，第2記錄層304的組成為Sb5oGe5Q的試樣2-18以及為Sb5()Ge25Te25的試樣2-24中，添加的Ge以及Te的量過多，結(jié)晶化速度降低，消除性能變差。比較試樣2-41與試樣2-42至2-44，可知第2記錄層304含有Sb但不含Zn、Si以及C中的任一種的試樣的消除性能或記錄靈敏度差。第2記錄層304含有Sb和Zn、Si以及C中的任一種，但上述元素的總比例不是85原子％以上的試樣2-46至2-48的消除性能也差。第2記錄層304將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上，并且第2記錄層304的組成為上述式(1)表示的試樣2-19至2-23、上述式(2)表示的試樣2-2至2-6、上述式(3)表示的試樣2_7至2_11、上述式(4)表示的試樣2-12至2-17、上述式(6)表示的試樣2-25至2-41的記錄靈敏度和消除性能良好。其中，與M2的比例為小于15原子％的試樣相比較，M2的比例為15原子％的試樣2-29、2-39、742-40以及2-41的消除性能稍差。(試驗3)試驗3中，制作圖3的信息記錄介質(zhì)24，調(diào)查第1記錄層204的組成、第1信息層23的記錄靈敏度以及消除性能的關(guān)系。具體而言，制作具有與第1記錄層204的組成不同的第1信息層23的信息記錄介質(zhì)24的試樣3-1至3-35，測定第1信息層23的記錄靈敏度以及消除性能。如下所述地制造試樣。首先，作為基板14，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32|im)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為l.lmm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第2反射層308的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層306的(Si02)25(ln203)5q(Zr02)25層(厚度15nm)、作為第2界面層(未圖示)的(Si02)15(ln203)35(Zr02)5q層(厚度10nm)、作為第2記錄層304的Ge45ln!Bi3Te^層(厚度:10nm)、作為第1界面層303的(Cr203)5Q(Zr02)5。層(厚度5nm)、作為第1電介質(zhì)層302的(ZnS)80(Si02)20層(厚度:60nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有分別形成第2反射層308的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第2電介質(zhì)層306的(Si02)25(ln203)50(Zr02)25濺射靶、形成第2界面層的(Si02)15(ln203)35(Zr02)5q濺射靶、形成第2記錄層304的Ge-In-Bi-Te合金濺射靶、形成第1界面層303的(Cr2O3)50(ZrO2)50濺射靶、形成第1電介質(zhì)層302的(ZnS)so(Si02)2o濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。第2反射層308的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為200W下進行。第2電介質(zhì)層306的形成在Ar氣氣氛下，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第2界面層的形成在Ar氣氣氛中，壓力為(X2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第2記錄層304的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為IOOW下進行。第l界面層303的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第1電介質(zhì)層302的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為卯OW下進行。然后，在第1電介質(zhì)層302上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距0.32pm)的基板的狀態(tài)下，使基板14旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果得到在第1信息層23側(cè)形成有引導(dǎo)激光束11的厚度為25pm的光學(xué)分離層17。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層17上依次層疊作為透射率調(diào)整層209的Ti02層(厚度20nm)、作為第1反射層208的Ag-Pd-Cu層(厚度10nm)、作為第4電介質(zhì)層206的(ln203)5Q(Zr02)5Q層(厚度15nm)、第1記錄層204(厚度6nm)、作為第3界面層203的(Si02)25(Cr203)50(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第3電介質(zhì)層202的(ZnS)8Q(Si02)20層(厚度40nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有分別形成透射率調(diào)整層209的Ti02濺射靶、形成第1反射層208的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第4電介質(zhì)層206的(ln203)5Q(Zr02)5q濺射靶、形成第1記錄層204的合金濺射靶(例如使用含有Sb和C的合金濺射靶，形成Sb9QC1G層)、形成第3界面層203的(Si02)25(Cr203)5Q(Zr02)25濺射靶、形成第3電介質(zhì)層202的(ZnS)8q(Si02)2Q濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。透射率調(diào)整層209的形成在Ar和氧的混合氣體氣氛(氧占總體的比例為3體積％)中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。第1反射層208的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為IOOW下進行。第4電介質(zhì)層206的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第1記錄層204的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下進行。第3界面層203的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第3電介質(zhì)層202的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。最后，將紫外線固化性樹脂涂布在第3電介質(zhì)層202上，使基板14旋轉(zhuǎn)，形成均勻的樹脂層后，照射紫外線使樹脂固化，由此形成厚度為7675pm的透明層13。然后，用激光束使第2記錄層304以及第1記錄層204結(jié)晶化，進行初始化。如上所述地操作，制造第1記錄層204的組成不同的多個試樣。對于如上所述操作得到的試樣，使用圖9的記錄再生裝置45，測定信息記錄介質(zhì)24的第1信息層23的記錄靈敏度以及消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.85，測定時試樣的線速度為19.7m/s，最短記號長度(2T)為0.149pm。信息記錄在溝中。關(guān)于各試樣，第1記錄層204的材料和第1信息層23的記錄靈敏度、以及消除性能的評價結(jié)果示于(表3A)及(表3B)中。另外，關(guān)于記錄靈敏度，將小于16mW評價為"A"、16mW以上小于18mW為"B"、18mW以上為"C"。第1信息層23的記錄靈敏度是試驗1的記錄靈敏度的2倍。其原因在于，為了在第2信息層25上記錄信息，第1信息層23必須透過一半激光束。因此，能用于第1信息層23的記錄的激光功率大約為輸出激光功率的一半。關(guān)于消除性能，將消除率為25dB以上評價為"A"、20dB以上小于25dB為"B"、小于20dB為"C"。[表3A]試樣—No.第1記錄層204的組成記錄靈敏度消除性能3—1313982|12(原子％)已A3—2Sb的Zn5(原子恥)AA3—3513902|110(原子％)AA3—4Sb加Zn加(原子0/6)AB3—5Sb98SJ2(原子私)BA3—6Sb9sSi5(原子私)AA3—7SbgoSiw(原子o/0)AA3—8Sb8oSi加(原子怖)AB3—9Sb卯C2(原子0/0)BA3—10Sb的C5(原子0/0)AA3—"Sb的Cw(原子o/0)AA3—12Sb如C20(原子O/0)AA3—133137()030(原子％)A已3—14Sb9B(SiC)2(mol%)BA3—15Sb95(SiC)5(mol%)AA3—16Sb90(SiC)10(mol%)AA3—17Sb80(SiC)20(mol%)AA3—18Sb70(SiC)30(mol%)AB3—19Sb90Zn5Si5(mol%)AA3—20Sb9oZn5C5源子私)AA3—21Sba5Si5C化(原子0/0)AA3—22Sb肪ZnsSi5C5(原子妨)AA3—23Sb9sC4Ge,(原子W)AA3—24Sb的C3Ge2(原子W)AA3—255139()0^65(原子％)AA3—26Sb85C5Ge10OI+%)A已3—27Sb9(jCsGa5(原子私)AA3—28Sb9oCsAg5(原子0/0)AA3—2931390(:511^(原子％)AA3—303139￡)053(原子％)AA3—315139()05丁65(原子％)AA3—323匕9005815(原子％)AA3—33Sb85CsGe5Te5(原子0/0)A已3—34313850^851|15(原子％)AB3—35Sb9oCsGe2Ag)Ir^Te,(原子0/0)AA78[表3B]<table>tableseeoriginaldocumentpage79</column></row><table>該結(jié)果可知，第1記錄層204將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上，并且第1記錄層204的組成為上述式(1)表示的試樣3-19至3-22、上述式(2)表示的試樣3-l至3-4、上述式(3)表示的試樣3-5至3-8、上述式(4)表示的試樣3-9至3-13、上述式(5)表示的試樣3-14至3-18、上述式(6)表示的試樣3-23至3-38的記錄靈敏度和消除性能均良好。比較試樣3-38和試樣3-39至試樣3-42，可知第1記錄層204含有Sb但不含有Zn、Si以及C的任一種的試樣的消除性能或記錄靈敏度差。第2記錄層204含有Sb和Zn、Si以及C的任一種、但含有上述元素的總比例不是85原子％以上的試樣3-43至3-45的消除性能也差。(試驗4)試驗4中，制作圖4的信息記錄介質(zhì)30，調(diào)查第1記錄層404的組成和第1信息層26的記錄靈敏度、以及消除性能的關(guān)系。具體而言，制作具有第1記錄層404的組成不同的第1信息層26的信息記錄介質(zhì)30的試樣4-1至4-24，測定第1信息層26的記錄靈敏度以及消除性能。如下所述地制造試樣。首先，作為基板14，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32|am)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為l.lmm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第4反射層708的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層706的(Si02)25(ln203)50(Zr02)25層(厚度:15nm)、作為第2界面層(未圖示)的(Si02)15(ln203)35(Zr02)5o層(厚度:10nm)、作為第4記錄層704的Ge45ln!Bi3Te5,層(厚度10nm)、作為第1界面層703的(Cr203)5Q(Zr02)5Q層(厚度5nm)、作為第1電介質(zhì)層702的(ZnS)8Q(Si02)2()層(厚度60nm)。濺射上述各層的成膜裝置具備形成第4反射層708的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第2電介質(zhì)層706的(Si02)25(ln203)50(Zr02)25濺射靶、形成第2界面層的(Si02)15(ln203)35(Zr02)5o濺射靶、形成第4記錄層704的Ge-In-Bi-Te合金濺射靶、形成第1界面層703的(Cr203)5o(Zr02)5Q濺射靶、形成第1電介質(zhì)層702的(ZnS)8o(Si02)20濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。第4反射層708的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為200W下進行。第2電介質(zhì)層706的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第2界面層的形成在Ar氣氣氛中，壓力為(X2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第4記錄層704的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為IOOW下進行。第l界面層703的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第1電介質(zhì)層702的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。然后，在第l電介質(zhì)層702上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32,)的基板的狀態(tài)下，使基板14旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果得到在第3信息層28側(cè)形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為10jim的光學(xué)分離層20。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層20上依次層疊作為第3透射率調(diào)整層609的Ti02層(厚度30nm)、作為第3反射層608的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第4電介質(zhì)層606的(ln203)5o(Zr02)5o層(厚度10nm)、作為第3記錄層604的Sb9()C1()層(厚度3nm)、作為第3界面層603的(Si02)25(Cr203)5Q(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第3電介質(zhì)層602的(ZnS)8。(Si02)2Q層(厚度45nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有形成第3透射率調(diào)整層609的Ti02濺射靶、形成第3反射層608的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第4電介質(zhì)層606的(ln203)50(Zr02)50濺射靶、形成第3記錄層604的Sb-C合金濺射靶、形成第3界面層603的(Si02)25(Cr203)5。(Zr02)25濺射靶、形成第3電介質(zhì)層602的(ZnS)8Q(Si02)2。濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為100mm、厚度為6mm的圓盤形。第3透射率調(diào)整層609的形成在Ar和氧的混合氣體氣氛(氧占總體的比例為3體積％)中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。第3反射層608的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為100W下進行。第4電介質(zhì)層606的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第3記錄層604的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下進行。第3界面層603的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第3電介質(zhì)層602的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。然后，在第3電介質(zhì)層602上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32pm)的基板的狀態(tài)下，使基板14旋轉(zhuǎn)，形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果，得到在第2信息層27側(cè)形成引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為15pm的光學(xué)分離層19。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層19上依次層疊作為第2透射率調(diào)整層509的Ti02層(厚度:25nm)、作為第2反射層508的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第6電介質(zhì)層506的(ln203)5Q(Zr02)5Q層(厚度10nm)、作為第2記錄層504的Sb9odo層(厚度3nm)、作為第5界面層503的(Si02)25(Cr203)5Q(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第5電介質(zhì)層502的(ZnS)80(Si02)2。層(厚度:40nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有分別形成第2透射率調(diào)整層509的Ti02濺射靶、形成第2反射層508的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第6電介質(zhì)層506的(ln203)5Q(Zr02)5G濺射靶、形成第2記錄層504的Sb-C合金濺射靶、形成第5界面層503的(Si02)25(Cr203)5Q(Zr02)25濺射靶、形成第5電介質(zhì)層502的(ZnS)8C(Si02)2()濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。第2透射率調(diào)整層509的形成在Ar和氧的混合氣體氣氛(氧占總體的比例為3體積％)中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。第2反射層508的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為100W下進行。第6電介質(zhì)層506的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第2記錄層504的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下進行。第5界面層503的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第5電介質(zhì)層502的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。然后，在第5電介質(zhì)層502上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32pm)的基板的狀態(tài)下，使基板14旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果得到在第1信息層26側(cè)形成有引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為10,的光學(xué)分離層17。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層17上依次層疊作為第1透射率調(diào)整層409的Ti02層(厚度20nm)、作為第1反射層408的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第8電介質(zhì)層406的(ln203)5q(Zr02)5Q層(厚度10nm)、第1記錄層404(厚度3nm)、作為第7界面層403的(Si02)25(Cr203)5Q(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第7電介質(zhì)層402的(ZnS)80(Si02)2q層(厚度35nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有分別形成第1透射率調(diào)整層409的Ti02濺射靶、形成第1反射層408的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第8電介質(zhì)層406的(ln203)5Q(Zr02)5Q濺射靶、形成第1記錄層404的合金濺射耙(例如使用含有Sb和C的合金濺射靶，形成Sb9QC1G層)、形成第7界面層403的(Si02)25(Cr203)5Q(Zr02)25濺射靶、形成第7電介質(zhì)層402的(ZnS)80(Si02)2。濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為100mm、厚度為6mm的圓盤形。'第1透射率調(diào)整層409的形成在Ar和氧的混合氣體氣氛(氧占總體的比例為3體積％)，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。第1反射層408的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為IOOW下進行。第8電介質(zhì)層406的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第1記錄層404的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下進行。第7界面層403的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第7電介質(zhì)層402的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。最后，將紫外線固化性樹脂涂布在第7電介質(zhì)層402上，使基板14旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層后，照射紫外線使樹脂固化，由此形成厚度為65pm的透明層13。然后，用激光束使第4記錄層704、第3記錄層604、第2記錄層504以及第1記錄層404結(jié)晶化，進行初始化。如上所述地操作，制造第1記錄層404的組成不同的多個試樣。對于如上所述得到的試樣，使用圖9的記錄再生裝置45，測定信息記錄介質(zhì)30的第1信息層26的記錄靈敏度以及消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.85，測定時試樣的線速度為19.7m/s，最短記號長度(2T)為0.149pm。信息記錄在溝中。對于各試樣，第1記錄層404的組成、第1信息層26的記錄靈敏度以及消除性能的評價結(jié)果示于(表4)。關(guān)于記錄靈敏度，將小于32mW評價為"A"，32mW以上小于36mW為"B"，36mW以上為"C"。第1信息層26的記錄靈敏度為試驗1的記錄靈敏度的4倍。其原因在于，為了在第4信息層29、第3信息層28以及第2信息層27上記錄信息，第1信息層26必須透過激光束的75%左右。因此，能用于第1信息層26的記錄的激光功率為輸出激光功率的25%左右。另外，關(guān)于消除性能，將消除率為25dB以上評價為"A"，20dB以上小于25dB為"B"，小于20dB為"C"。83<table>tableseeoriginaldocumentpage84</column></row><table>表示的試樣4-15至4-18、式(2)表示的試樣4-l至試樣4-3、式(3)表示的試樣4-4至4-6、式(4)表示的試樣4-7至4-10、式(5)表示的試樣4-11至4_14、式(6)表示的試樣4-19至4-27的記錄靈敏度和消除性能均良好。比較試樣4-27和試樣4-28至試樣4-31可知，第1記錄層404含有Sb、但不含有Zn、Si以及C中的任一種的試樣的消除性能差。第1記錄層404含有Sb和Zn、Si以及C的任一種，但上述元素的總比例不是85原子％以上的試樣4-32至4-34的消除性能也差。(試驗5)試驗5中，制作在圖4的信息記錄介質(zhì)30中沒有第1信息層26、即圖2的信息記錄介質(zhì)22中N=3時的信息記錄介質(zhì)30的試樣，領(lǐng)定第4信息層29、第3信息層28以及第2信息層27的記錄靈敏度以及消除性能。此處，為了方便，在3個信息層上標(biāo)記序號第4至第2，但有時也可以分別將它們稱為第3、第2及第1信息層。如下所述地制造試樣。首先，作為基板14，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為l.lmm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第4反射層708的Ag-Pd-Cn層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層706的(Si02)25(ln203)5q(Zr02)25層(厚度15nm)、作為第2界面層(未圖示)的(Si02)15(ln203)35(Zr02)5o層(厚度10nm)、作為第4記錄層704的Sb9。d。層(厚度10nm)、作為第1界面層703的(Cr203)5Q(Zr02)5o層(厚度5nm)、作為第1電介質(zhì)層702的(ZnS)80(Si02)2q層(厚度:60nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有形成第4反射層708的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第2電介質(zhì)層706的(Si02)25(ln203)50(Zr02)25濺射靶、形成第2界面層的(Si02)15(ln203)35(Zr02)5G濺射靶、形成第4記錄層704的Sb-C合金濺射靶、形成第1界面層703的(Cr203)50(Zr02)50濺射靶、形成第1電介質(zhì)層702的(ZnS)80(Si02)20濺射靶。另外，濺射靶的形狀均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。第4反射層708的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)85電源，在投入功率為200W下進行。第2電介質(zhì)層706的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第2界面層的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第4記錄層704的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為IOOW下進行。第1界面層703的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第1電介質(zhì)層702的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。然后，在第l電介質(zhì)層702上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32pm)的基板的狀態(tài)下，使基板14旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果得到在第3信息層28側(cè)形成引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為15pm的光學(xué)分離層20。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層20上依次層疊作為第3透射率調(diào)整層609的Ti02層(厚度30nm)、作為第3反射層608的Ag-Pd-Cn層(厚度5nm)、作為第4電介質(zhì)層606的(ln203)5()(Zr02)5Q層(厚度lOnm)、作為第3記錄層604的Sb9odo層(厚度4nm)、作為第3界面層603的(Si02)25(Cr203)5。(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第3電介質(zhì)層602的(ZnS)80(Si02)20層(厚度:45nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有形成第3透射率調(diào)整層609的Ti02濺射靶、形成第3反射層608的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第4電介質(zhì)層606的(ln203)50(Zr02)50濺射靶、形成第3記錄層604的Sb畫C合金濺射靶、形成第3界面層603的(Si02)25(Cr203)50(Zr02)25濺射靶、形成第3電介質(zhì)層602的(ZnS)8Q(Si02)2Q濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為100mm、厚度為6mm的圓盤形。第3透射率調(diào)整層609的形成在Ar和氧的混合氣體氣氛(氧占總體的比例為3體積％)中，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。第3反射層608的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為100W下進行。第4電介質(zhì)層606的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa,使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第3記錄層604的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下進行。第3界面層603的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第3電介質(zhì)層602的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。然后，在第3電介質(zhì)層602上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為20nm、磁道間距為0.32pm)的基板的狀態(tài)下，使基板14旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果得到在第2信息層27側(cè)形成引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為20pm的光學(xué)分離層19。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層19上依次層疊作為第2透射率調(diào)整層509的Ti02層(厚度25nm)、作為第2反射層508的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第6電介質(zhì)層506的(ln203)50(Zr02)5o層(厚度10nm)、作為第2記錄層504的Sb9。C，。層(厚度4nm)、作為第5界面層503的(Si02)25(Cr203)5q(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第5電介質(zhì)層502的(ZnS)8q(Si02)2Q層(厚度40nm)。濺射上述各層的成膜裝置具有分別形成第2透射率調(diào)整層509的Ti02濺射靶、形成第2反射層508的Ag-Pd-Cu合金濺射靶、形成第6電介質(zhì)層506的(ln203)50(Zr02)5。灘射靶、形成第2記錄層504的Sb-C合金濺射靶、形成第5界面層503的(Si02)25(Cr203)5q(Zr02)25濺射靶、形成第5電介質(zhì)層502的(ZnS)8C(Si02)2q濺射靶。濺射靶的形狀均是直徑為lOOmm、厚度為6mm的圓盤形。第2透射率調(diào)整層509的形成在Ar和氧的混合氣體氣氛(氧占總體的比例為3體積％)，壓力為0,2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。第2反射層508的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為IOOW下進行。第6電介質(zhì)層506的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第2記錄層504的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下進行。第5界面層503的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為200W下進行。第5電介質(zhì)層502的形成在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用高頻(RF)電源，在投入功率為400W下進行。最后，將紫外線固化性樹脂涂布在第5電介質(zhì)層502上，使基板14旋轉(zhuǎn)，形成均勻的樹脂層后，照射紫外線使樹脂固化，由此形成厚度為65pm的透明層13。然后，用激光束使第4記錄層704、第3記錄層604以及第2記錄層504結(jié)晶化，進行初始化。如上所述地操作，制造信息記錄介質(zhì)30。對如上所述得到的試樣，使用圖9的記錄再生裝置45，測定信息記錄介質(zhì)30的第4信息層29、第3信息層28以及第2信息層27的記錄靈敏度和消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.85，測定時的試樣的線速度為19.7m/s，最短記號長度(2T)為0.149pm。信息記錄在溝中。各信息層的記錄靈敏度以及消除性能的評價結(jié)果示于(表5)。另外，關(guān)于記錄靈敏度，將小于24mW評價為"A"，24mW以上小于27mW為"B"，27mW以上為"C"。第4信息層29、第3信息層28以及第2信息層27的記錄靈敏度為試驗1的記錄靈敏度的3倍。其原因在于，必須在上述3個信息層中記錄信息。因此，輸出激光功率的33%左右用于各信息層。關(guān)于消除性能，將消除率為25dB以上評價為"A"，20dB以上小于25dB為"B"，小于20dB為"C"。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage88</column></row><table>由該結(jié)果可知，第4信息層29、第3信息層28以及第2信息層27的各自的記錄靈敏度、以及消除性能均良好。對上述以外的組成也進行了相同的試驗，可知在將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上、并且含有80原子X以上Sb的組成中，記錄靈敏度以及消除性能均良好。另外，對各種組成進行了試驗，結(jié)果可知優(yōu)選第4記錄層704、第3記錄層604、以及第2記錄層504的組成分別由上述式(1)至(6)的任一禾中^^。(試驗6)試驗6中，制作圖5的信息記錄介質(zhì)34，進行與試驗l相同的試驗。如以下所述地制造試樣。首先，作為基板31，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68(im)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.6mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第1電介質(zhì)層102的(ZnS)so(Si02)20層(厚度60nm)、作為第1界面層103的(Cr203)5Q(Zr02)5q層(厚度5nm)、記錄層104(厚度10nm)、作為第2電介質(zhì)層106的(ln203)5o(Zr02)50層(厚度25nm)、作為反射層108的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗1的條件相同。然后，將紫外線固化性樹脂涂布在模仿基板33上，在使基板31的反射層108密合在模仿基板33上的狀態(tài)下，使基板31及33旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層(厚度為20pm)。然后，照射紫外線，使樹脂固化，通過膠粘層32粘合基板31和模仿基板33。最后，用激光束使記錄層104的整面結(jié)晶化，進行初始化。對于如上所述得到的試樣，用與試驗1相同的方法，測定信息記錄介質(zhì)34的信息層16的記錄靈敏度以及消除性能。此時，激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.65，測定時試樣的線速度為22.4m/s，最短記號長度為0.173pm。信息記錄在溝和岸中。該結(jié)果可知，與試驗1相同，記錄層104將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上、并且記錄層104的組成由上述式(1)、(2)、(3)、(4)及(6)表示的試樣的記錄靈敏度和消除性能均良好。(試驗7)試驗7中，制作圖7的信息記錄介質(zhì)38，進行與試驗2相同的試驗。如以下所述地制造試樣。首先，作為基板31，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.6mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上層疊作為第3電介質(zhì)層202的(ZnS)8。(Si02)2q層(厚度40nm)、作為第3界面層203的(Si02)25(Cr203)50(Zr02)25層(厚度:5nm)、作為第1記錄層204的Ge45IniBi3Te51層(厚度6nm)、作為第4電介質(zhì)層206的(Si02)25(ln203)50(Zr02)25層(厚度:10nm)、作為第1反射層208的Ag-Pd-Cu層(厚度10nm)、作為透射率調(diào)整層209的TiCb層(厚度20nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗2的形成第1信息層23的條件相同。另外，作為基板36，準備形成有引導(dǎo)激光束ll的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.58mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上層疊作為第2反射層308的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層306的(ln203)5q(Zr02)5o層(厚度25nm)、第2記錄層304(厚度10nm)、作為第1界面層303的(Cr203)5。(Zr02)5q層(厚度5nm)、作為第1電介質(zhì)層302的(ZnS)8Q(Si02)2Q層(厚度60nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗2的形成第2信息層25的條件相同。然后，將紫外線固化性樹脂涂布在基板36的第1電介質(zhì)層302上，在使基板31的透射率調(diào)整層209密合在基板36上的狀態(tài)下，使基板31及36旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層(厚度為20pm)。然后，照射紫外線，使樹脂固化，通過膠粘層35粘合基板31和基板36。最后，用激光束使第2記錄層304、以及第1記錄層204的整面結(jié)晶化，進行初始化。對于如上所述得到的試樣，用與試驗2相同的方法測定信息記錄介質(zhì)38的第2信息層25的記錄靈敏度以及消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.65，測定時試樣的線速度為22.4m/s，最短記號長度為0.173pm。信息記錄在溝和岸中。與試驗2相同，改變第2記錄層304的材料評價記錄靈敏度和消除性能，結(jié)果第2記錄層304將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以(3)、(4)及(6)表示的試樣的記錄靈敏度和消除性能均良好。(試驗8)試驗8中，制作圖7的信息記錄介質(zhì)38，進行與試驗3相同的試驗。如下所述地制造試樣。首先，作為基板31，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.6mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上層疊作為第3電介質(zhì)層202的(ZnS)8Q(Si02)2。層(厚度40nm)、作為第3界面層203的(Si02)25(Cr2;O3)50(Zr02)25層(厚度:5nm)、第1記錄層204(厚度6nm)、作為第4電介質(zhì)層206的(ln203)5G(Zr02)50層(厚度15nm)、作為第1反射層208的Ag-Pd-Cu層(厚度10nm)、作為透射率調(diào)整層209的Ti02層(厚度20nm)。使用的成膜裝置、濺射耙、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗3的形成第1信息層23的條件相同。另外，作為基板36，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68|am)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.58mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第2反射層308的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層306的(Si02)25(ln203)so(Zr02)25層(厚度15nm)、作為第2界面層(未圖示)的(Si02)15(ln203)35(Zr02)5()層(厚度10nm)、作為第2記錄層304的Ge45In,Bi3Te5,層(厚度10nm)、作為第1界面層303的(0203)50(Zr02)5o層(厚度5nm)、作為第l電介質(zhì)層302的(ZnS)8Q(Si02)20層(厚度60nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗3的形成第2信息層25的條件相同。然后，將紫外線固化性樹脂涂布在基板36的第1電介質(zhì)層302上，在使基板31的透射率調(diào)整層209密合在基板36上的狀態(tài)下，使基板31及36旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層(厚度為20pm)。然后，照射紫外線使樹脂固化，通過膠粘層35粘合基板31和基板36。最后，用激光束使第2記錄層304、以及第1記錄層204的整面結(jié)晶化，進行初始化。對于如上所述操作得到的試樣，用與試驗3相同的方法，測定信息記錄介質(zhì)38的第1信息層23的記錄靈敏度以及消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.65，測定時試樣的線速度為22.4m/s，最短記號長度為0.173)iim。信息記錄在溝和岸中。與試驗3相同，改變第1記錄層204的材料評價記錄靈敏度和消除性能，結(jié)果可知第1記錄層204將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子X以上、并且第1記錄層204的組成由上述式(1)至上述式(6)中的任一種表示的試樣的記錄靈敏度和消除性能均良好。(試驗9)試驗9中，制作圖8的信息記錄介質(zhì)39，進行與試驗4相同的試驗。如下所述地制造試樣。首先，作為基板31，準備形成由用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68|im)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.6mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第7電介質(zhì)層402的(ZnS)8()(Si02)2Q層(厚度35nm)、作為第7界面層403的(SiO2)25(Cr2O3)50(Zr02)25層(厚度5nm)、第1記錄層404(厚度:6nm)、作為第8電介質(zhì)層406的(111203)50(Zr02)50層(厚度10nm)、作為第1反射層408的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第1透射率調(diào)整層409的Ti02層(厚度20nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗4的形成第l信息層26的條件相同。然后，在第1透射率調(diào)整層409上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度40nm、磁道間距為0.68pn)的基板的狀態(tài)下，使基板31旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后取下基板。結(jié)果得到在第2信息層27側(cè)形成有引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為10|im的光學(xué)分離層17。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層；7上依次層疊作為第5電介質(zhì)層502的(ZnS)8Q(Si02)2Q層(厚度40nm)、作為第5界面層503的(Si02)25(Cr203)5Q(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第2記錄層504的Sb9QC10層(厚度3nm)、作為第6電介質(zhì)層506的(ln203)5G(Zr02)5Q層(厚度10nm)、作為第2反射層508的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第2透射率調(diào)整層509的Ti02層(厚度25nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗4的形成第2信息層27的條件相同。另外，作為基板36，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.58mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第4反射層708的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層706的(Si02)25(ln203)5G(Zr02)25層(厚度15nm)、作為第2界面層(未圖示)的(Si02)15(ln203)35(Zr02)50層(厚度:10nm)、作為第4記錄層704的Ge45lniBi3Te5i層(厚度10nm)、作為第1界面層703的(0*203)50(ZrO2)50層(厚度5nm)、作為第1電介質(zhì)層702的(ZnS)80(Si。2)20層(厚度60nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗4的形成第4信息層29的條件相同。然后，在第l電介質(zhì)層702上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68pm)的基板的狀態(tài)下，使基板36旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果得到在第3信息層28側(cè)形成引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為10pm的光學(xué)分離層20。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層20上層疊作為第3透射率調(diào)整層609的1102層(厚度30nm)、作為第3反射層608的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第4電介質(zhì)層606的(ln203)50(Zr02)50層(厚度:10nm)、作為第3記錄層604的Sb9。d。層(厚度3nm)、作為第3界面層603的(Si02)25(Cr203)50(Zr02)25層(厚度:5nm)、作為第3電介質(zhì)層602的(ZnS)8Q(Si02)2Q層(厚度45nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗4的形成第3信息層28的條件相同。然后，將紫外線固化性樹脂涂布在基板36的第3電介質(zhì)層602上，在使基板31的第2透射率調(diào)整層509密合在基板36上的狀態(tài)下，使基板31及36旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層(厚度為15pm)。然后，照射紫外線使樹脂固化。由此，通過膠粘層35使基板31和基板36粘合。最后，用激光束使第4記錄層704、第3記錄層604、第2記錄層504以及第1記錄層404的整面結(jié)晶化，進行初始化。對于如上所述得到的試樣，通過與試驗4相同的方法測定信息記錄介質(zhì)39的第1信息層26的記錄靈敏度以及消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.65，測定時試樣的線速度為22.4m/s，最短記號長度為0.173pm。信息記錄在溝和岸中。與試驗4相同，改變第1記錄層404的組成來評價記錄靈敏度和消除性能，結(jié)果可知第1記錄層404將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb共計含有85原子X以上、并且第1記錄層404的組成由上述式(1)至上述式(6)中的任一種表示的試樣的記錄靈敏度和消除性能均良好。(試驗10)試驗10中，制作在圖8的信息記錄介質(zhì)39中沒有第1信息層26、即圖6的信息記錄介質(zhì)37中N=3時的信息記錄介質(zhì)37的試樣，進行與試驗5相同的試驗。如下所述地制造試樣。首先，作為基板31，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.6mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第5電介質(zhì)層502的(ZnS)8q(Si02)2Q層(厚度40nm)、作為第5界面層503的(Si。2)2s(Cr2O3)50(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第2記錄層504的Sb9。C,q層(厚度4nm)、作為第6電介質(zhì)層506的(111203)5。(Zr02)5o層(厚度10nm)、作為第2反射層508的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第2透射率調(diào)整層509的TiO2層(厚度25nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗5的形成第2信息層27的條件相同。另外，作為基板36，準備形成有用于引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68pm)的聚碳酸酯基板(直徑為120mm、厚度為0.58mm)。然后，通過濺射法在該聚碳酸酯基板上依次層疊作為第4反射層708的Ag-Pd-Cu層(厚度80nm)、作為第2電介質(zhì)層706的(Si02)25(ln203)5G(Zr02)25層(厚度15nm)、作為第2界面層(未圖示)的(Si02)15(ln203)35(Zr02)5。層(厚度:10nm)、作為第4記錄層704的Sb9odo層(厚度10nm)、作為第1界面層703的(Cr203)50(Zr02)5。層(厚度5nm)、作為第l電介質(zhì)層702的(ZnS)so(Si02)2o層(厚度60nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗5的形成第4信息層29的條件相同。然后，在第l電介質(zhì)層702上涂布紫外線固化性樹脂，在于其上密合形成有導(dǎo)向槽(深度為40nm、磁道間距為0.68pim)的基板的狀態(tài)下，使基板36旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層。使樹脂固化后，取下基板。結(jié)果得到第3信息層28側(cè)形成有引導(dǎo)激光束11的導(dǎo)向槽的厚度為20pm的光學(xué)分離層20。然后，通過濺射法在光學(xué)分離層20上依次層疊作為第3透射率調(diào)整層609的Ti02層(厚度30nm)、作為第3反射層608的Ag-Pd-Cu層(厚度5nm)、作為第4電介質(zhì)層606的(ln203)5Q(Zr02)5Q層(厚度10nm)、作為第3記錄層604的Sb9QC1()層(厚度4nm)、作為第3界面層603的(Si02)25(Cr203)5o(Zr02)25層(厚度5nm)、作為第3電介質(zhì)層602的(ZnS)8Q(Si02)2Q層(厚度45nm)。使用的成膜裝置、濺射靶、成膜條件(氣體種類、壓力、投入功率)等與用于試驗5的形成第3信息層28的條件相同。然后，將紫外線固化性樹脂涂布在基板36的第3電介質(zhì)層602上，在使基板31的第2透射率調(diào)整層509密合在基板36上的狀態(tài)下，使基板31及36旋轉(zhuǎn)，由此形成均勻的樹脂層(厚度為15,)。然后，照射紫外線使樹脂固化，由此通過膠粘層35粘合基板31和基板36。最后，用激光束使第4記錄層704、第3記錄層604、以及第2記錄層504的整面結(jié)晶化，進行初始化。對于由此得到的試樣，用與試驗5相同的方法測定信息記錄介質(zhì)39的第4信息層29、第3信息層28以及第2信息層27的記錄靈敏度和消除性能。激光束11的波長為405nm，物鏡41的開口數(shù)NA為0.65，測定時試樣的線速度為22.4m/s，最短記號長度為0.173|im。信息記錄在溝和岸中。該結(jié)果可知，與試驗5相同，第4記錄層704、第3記錄層604以及第2記錄層504將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上，并且第4記錄層704、第3記錄層604以及第2記錄層504的組成由上述式(4)表示且含有80原子X以上Sb時，第4信息層29、第3信息層28以及第2信息層27的記錄靈敏度和消除性能均良好。(試驗11)從試驗1至試驗10中，以除含有Sb、Ml及M2之外還含有其他元素的組成形成記錄層104、第1記錄層204、第2記錄層304、第1記錄層404、第2記錄層504、第3記錄層604或第4記錄層704。具體而言，其他元素為選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素。該其他元素的比例為總體的1原子％5原子％。與試樣1至10相同地評價具有上述記錄層的信息記錄介質(zhì)。均得到與試驗1至10相同的結(jié)果。特別是使用含有Ti、Cr、Mn、Zr以及Hf的材料時，記錄靈敏度更良好。(試驗12)試驗12中，制作作為層疊至少2種以上記錄層104得到的記錄部形成的圖1的信息記錄介質(zhì)15，調(diào)查記錄層104的層疊結(jié)構(gòu)和信息層16的記錄靈敏度、以及消除性能的關(guān)系。本試驗中，制作記錄部的組成及/或結(jié)構(gòu)不同的試樣6-1至6-23。記錄層104以外的層的形成方法與試驗1的各層的形成方法相同。具有構(gòu)成記錄層104的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部是依次濺射對應(yīng)層疊的層種類的2種以上合金濺射靶而形成的。各個濺射靶的形狀均是直徑為100mm、厚度為6mm的圓盤形。構(gòu)成記錄層104的層均在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下形成。形成信息記錄介質(zhì)15的信息層16的記錄層104的記錄部的層疊結(jié)構(gòu)和信息層16的記錄靈敏度以及消除率的評價結(jié)果示于(表6)。記錄層104形成為記載于左端的組成的層位于第1界面層103側(cè)，依次被層疊，記載于右端的組成的層位于第2電介質(zhì)層106側(cè)。關(guān)于記錄靈敏度，將小于8mW評價為"A"，8mW以上小于9mW為"B"，9mW以上為"C"。關(guān)于消除性能，將消除率為25dB以上評價為"A"，20dB以上小于25dB為"B"，小于20dB為"C"。96[表6]<table>tableseeoriginaldocumentpage97</column></row><table>該結(jié)果可知，作為具有層疊選自含有Sb的層、含有M1的層(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、含有MZ的層(其中，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)、含有Sb-Ml的層、含有Sb-M2的層、含有Ml-M2的層以及含有Sb-Ml-M2的層中的至少2種以上層得到的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部形成記錄層104的試樣6-1至6-23與試驗1相同，記錄靈敏度和消除性能均良好。其中，特別是含有Sb-Ml的層以50原子X以下的比例含有C、含有Sb-M2的層以30原子。％以下的比例含有選自Ge以及Te中的至少一種元素的試樣6-14至6-23與其他試樣相比，消除性能良好。另外，以除含有Sb、Ml及M2之外還含有其他元素的組成形成形成記錄部的層。具體而言，其他元素為選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素。該其他元素的比例為總體的1原子%5原子％。相同地評價具有上述記錄層的信息記錄介質(zhì)。均得到相同的結(jié)果。(試驗13)試驗13中，制作作為具有層疊至少2種以上的層形成的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部形成第1記錄層204的圖3的信息記錄介質(zhì)24，調(diào)查第1記錄層204的層疊結(jié)構(gòu)和第1信息層23的記錄靈敏度、以及消除性能的關(guān)系。本試驗中，制作記錄部的組成及/或結(jié)構(gòu)不同的試樣7-1至7-20。第1記錄層204以外的層的形成方法與試驗3的各層的形成方法相同。具有構(gòu)成第1記錄層204的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部是通過依次濺射對應(yīng)層疊的層的種類的2種以上合金濺射靶而形成的。各個濺射靶的形狀均是直徑為100mm、厚度為6mm的圓盤形。構(gòu)成第1記錄層204的各層均在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下形成。形成信息記錄介質(zhì)24的第1信息層23的第1記錄層204的記錄部的層疊結(jié)構(gòu)和第1信息層23的記錄靈敏度以及消除率的評價結(jié)果示于(表7)。第1記錄層204形成為記載在左端的組成的層位于第3界面層203側(cè)，依次層疊，記載于右端的組成的層位于第4電介質(zhì)層206側(cè)。另外，關(guān)于記錄靈敏度，將小于16mW評價為"A"，16mW以上小于18mW為"B"，18mW以上為"C"。另外，關(guān)于消除性能，將消除率為25dB以上評價為"A"，9820dB以上小于25dB為"B"，小于20dB為"C"。<table>tableseeoriginaldocumentpage99</column></row><table>該結(jié)果可知，作為具有層疊選自含有Sb的層、含有M1的層(其中，Ml是選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、含有M2的層(其中，M2是選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)、含有Sb-Ml的層、含有Sb-M2的層、含有Ml-M2的層以及含有Sb-Ml-M2的層中的至少2種以上的層得到的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部形成第1記錄層204的試樣7-1至7-20與試驗3相同，記錄靈敏度和消除性能均良好。其中，特別是含有Sb-Ml的層以50原子％以下的比例含有C、含有M2的層以40原子％以上的比例含有Ti的試樣7-14至7-20與其他試樣相比，信號強度良好。(試驗14)試驗14中，制作下述圖4所示的信息記錄介質(zhì)30，調(diào)査第1記錄層404的層疊結(jié)構(gòu)、第1信息層26的記錄靈敏度以及消除性能的關(guān)系，在圖4所示的信息記錄介質(zhì)30中，形成第1記錄層404作為具有層疊至少2種以上的層而得到的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部。本試驗中，制作記錄部的組成及/或結(jié)構(gòu)不同的試樣8-1至8-13。第1記錄層404以外的層的形成方法與試驗4的各層的形成方法相同。具有形成第1記錄層404的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部是依次濺射對應(yīng)層疊的層種類的2種以上合金濺射靶而形成的。各個濺射靶的形狀均是直徑為100mm、厚度為6mm的圓盤形。構(gòu)成第1記錄層204的各層均在Ar氣氣氛中、壓力為0,2Pa，使用直流(DC)電源，在投入功率為50W下形成。形成信息記錄介質(zhì)30的第1信息層26的第1記錄層404的記錄部的層疊結(jié)構(gòu)和第1信息層26的記錄靈敏度以及消除率的評價結(jié)果示于(表8)。第1記錄層404形成為記載于左端的組成的層位于第7界面層403側(cè)，依次層疊，記載于右端的組成的層位于第8電介質(zhì)層406側(cè)。另外，關(guān)于記錄靈敏度，將小于32mW評價為"A"，32mW以上小于36mW為"B"，36mW以上為"C"。另外，關(guān)于消除性能，將消除率為25dB以上評價為"A"，20dB以上小于25dB為"B"，小于20dB為"C"。表8[表8]<table>tableseeoriginaldocumentpage101</column></row><table>該結(jié)果可知，作為具有層疊選自含有Sb的層、含有M1的層(其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、含有M2的層(其中，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)、含有Sb-Ml的層、含有Sb-M2的層、含有Ml-M2的層以及含有Sb-Ml-M2的層中的至少2種以上的層而得到的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部形成第1記錄層404的試樣8-1至8-13與試驗4相同，記錄靈敏度和消除性能均良好。(試驗15)在試驗1至試驗14中使用進一步含有選自Hf、Y、以及Ga中的至少一種元素的氧化物的材料形成第1界面層103、第2界面層、第1界面層303、第1記錄層104和第2電介質(zhì)層106之間的第2界面層、第3界面層203、第1記錄層204和第4電介質(zhì)層206之間的第4界面層、第1界面層703、第4記錄層704和第2電介質(zhì)層706之間的第2界面層、第3界面層603、第3記錄層604和第4電介質(zhì)層606之間的第4界面層、第5界面層503、第2記錄層504和第6電介質(zhì)層506之間的第6界面層、第7界面層403或第1記錄層404和第8電介質(zhì)層406之間的第8界面層時，得到相同的結(jié)果。另外，使用選自其他氧化物、氮化物、碳化物、硫化物及氟化物中的1種或多種化合物形成上述界面層時，也得到了相同的結(jié)果。(試驗16)試驗16中，制作在圖10的電信息記錄介質(zhì)51中沒有第2記錄層49時的電信息記錄介質(zhì)51，確認其施加電流導(dǎo)致的相變化。作為基板46，準備將表面進行氮化處理后的Si基板，通過濺射法形成在其上面形成作為下部電極47的由Pt形成的面積為6pmx6!im、厚度為O.lpm的層、作為第1電介質(zhì)層801的由(Si02)25(ln203)so(Zr02)25形成的面積為4.5^imx5|im、厚度為O.Ol(am的層。進而，作為第1記錄層48，由Sb9()C10構(gòu)成，形成面積為51imx5pm、厚度為0.05pm的層，作為第2電介質(zhì)層802，由(Si02)25(ln203)5Q(Zr02)25形成，形成面積為4.5|imx5pm、厚度為0.01nm的層，作為上部電極50，由Pt形成，通過濺射法形成面積為5(amx5|im、厚度為0.1(im的層。第1電介質(zhì)層801以及第2電介質(zhì)層802為絕緣體。因此，為了在第1記錄層48中流入電流，以比第1記錄層48小的面積形成第1電介質(zhì)層801以及第2電介質(zhì)層802，下部電極47及上部電極50設(shè)置與第1記錄層48分別連接的部分。然后，在下部電極47以及上部電極50上焊接Au引線，通過施加部52將電信息記錄再生裝置57連接在電信息記錄介質(zhì)51上。通過該電信息記錄再生裝置57，脈沖電源55通過開關(guān)54連接在下部電極47和上部電極50之間。進而，由第1記錄層48的相變化導(dǎo)致的電阻值的變化通過電阻測定器53檢測，所述電阻測定器53通過開關(guān)56連接在下部電極47和上部電極50之間。第1記錄層48為無定形相時，在下部電極47和上部電極50之間施加在圖13的記錄波形901中Icl=5mA、tel=50ns的電流脈沖，結(jié)果第1記錄層48由無定形相轉(zhuǎn)化為結(jié)晶相。另外，第1記錄層48為結(jié)晶相時，在下部電極47和上部電極50之間施加在圖13的消除波形906中Ial二110mA、tal二10ns的電流脈沖，結(jié)果第1記錄層48從結(jié)晶相轉(zhuǎn)化為無定形相。另外，測定電性相變化型信息記錄介質(zhì)51的反復(fù)重寫次數(shù)，可知與沒有第1電介質(zhì)層801以及第2電介質(zhì)層802的情況相比，能提高10倍以上。這是因為第1電介質(zhì)層801以及第2電介質(zhì)層802抑制從下部電極47以及上部電極50向第1記錄層48的物質(zhì)移動。需要說明的是，使用Sb9QC1()以外的Sb-Ml系材料(其中，Ml時選自Zn、Si以及C中的至少一種元素)、Sb-Ml-M2系材料(其中，M2是選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素)以及上述材料還含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素的材料形成第1記錄層48時，也能得到相同的結(jié)果。另外，作為具有層疊選自含有Sb的層、含有Ml的層、含有M2的層、含有Sb-Ml的層、含有Sb-M2的層、含有M1-M2的層、含有Sb-Ml-M2的層以及在上述層中還含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素的層中的至少2種以上層得到的層疊結(jié)構(gòu)的記錄部形成第1記錄層48時也能得到相同的結(jié)果。(試驗17)試驗17中，調(diào)查用于形成記錄層的濺射靶的組成和通過濺射法形成的膜組成的關(guān)系。具體而言，準備組成不同的5種濺射靶，測定濺射該濺射靶而形成的膜(試樣17-1至試樣17-5)的組成。如下所述地制造試樣。首先，作為基板，準備Si基板或C基板。在該基板的表面分別使用5種靶，通過濺射法形成厚度為1000nm的膜。將具有下述表9所示組成的濺射靶安裝在成膜裝置上來實施成膜。濺射靶是直徑為100mm、厚度為6mm的圓盤形。成膜在Ar氣氣氛中，壓力為0.2Pa，使用直流(DC電源)，在投入功率為IOOW下實施。使用X射線微分析儀測定所得試樣的膜組成。其結(jié)果示于表9。<table>tableseeoriginaldocumentpage104</column></row><table>權(quán)利要求1、一種信息記錄介質(zhì)，其是通過照射光或施加電能而能夠記錄信息的信息記錄介質(zhì)，其中，至少具有能發(fā)生相變化的記錄層，所述記錄層將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb共計含有85原子％以上。2、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層含有下述式(1)表示的材料，Sb1()().alMlal(原子％)(1)其中，Ml表示選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，al表示以原子％表示的組成比，并且滿足0〈a1^50。3、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層含有下述式(2)表示的材料，Sb!。。.a2Zlla2(原子％)(2)其中，a2表示以原子X表示的組成比，并且滿足0〈a2^30。4、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層含有下述式(3)表示的材料，Sb1()().a3Sia3(原子％)(3)其中，a3表示以原子X表示的組成比，并且滿足0〈a3^30。5、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層含有下述式(4)表示的材料，Sb10。_a4Ca4(原子％)(4)其中，a4表示以原子X表示的組成比，并且滿足0〈a4^50。6、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層含有下述式(5)表示的材料，Sb100-a5(SiC)a5(mol%)(5)其中，a5表示以原子X表示的組成比，并且滿足0〈a5^30。7、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層還含有選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素。8、如權(quán)利要求7所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層含有下述式(6)表示的材料，Sb10().a6.b6Mla6M2b6(原子％)(6)其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素，a6以及b6表示以原子%表示的組成比，并且滿足(Xa6^50、0<b6^15。9、如權(quán)利要求18中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層還含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素。10、如權(quán)利要求1~9中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層的厚度為15nm以下。11、如權(quán)利要求19中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄層的厚度為3nm以下。12、如權(quán)利要求111中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄介質(zhì)具有N1個信息層，所述信息層的至少一個具有所述記錄層，Nl為2以上的整數(shù)。13、如權(quán)利要求12所述的信息記錄介質(zhì)，其中，Nl=2。14、如權(quán)利要求12所述的信息記錄介質(zhì)，其中，Nl-3或4。15、一種信息記錄介質(zhì)，其是通過照射光或施加電能而能夠記錄信息的信息記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄介質(zhì)具有記錄部，所述記錄部是層疊選自含有Sb的層、含有M1的層、含有M2的層、含有Sb-Ml的層、含有Sb-M2的層、含有Ml-M2的層以及含有Sb-Ml-M2的層中的至少2種以上的層而得到的，其中，Ml是選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，M2是選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素。16、如權(quán)利要求15所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄部至少具有含有Sb-Ml的層與含有Sb-M2的層的層疊結(jié)構(gòu)。17、如權(quán)利要求16所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述含有Sb-Ml的層以50原子X以下的比例含有C，所述含有Sb-M2的層以30原子％以下的比例含有選自Ge以及Te中的至少一種元素。18、如權(quán)利要求15所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄部至少具有含有Sb-Ml的層與含有M2的層的層疊結(jié)構(gòu)。19、如權(quán)利要求18所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述含有Sb-Ml的層以50原子％以下的比例含有C，所述含有M2的層以40原子％以上的比例含有Te。20、如權(quán)利要求1519中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄部所含的1個或多個層還含有選自B、Mg、Al、S、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一種元素。21、如權(quán)利要求15~20中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄部的厚度為15nm以下。22、如權(quán)利要求15~20中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述記錄部的厚度為3nm以下。23、如權(quán)利要求15~22中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄介質(zhì)具有N2個信息層，所述信息層的至少一個具有所述記錄部，其中，N2為2以上的整數(shù)。24、如權(quán)利要求23所述的信息記錄介質(zhì)，其中，N2=2。25、如權(quán)利要求23所述的信息記錄介質(zhì)，其中，N2-3或4。26、如權(quán)利要求1~25中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄介質(zhì)還具有與所述記錄層或與所述記錄部的至少一方的面相接觸而配置的界面層。27、如權(quán)利要求26所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述界面層含有選自氧化物、氮化物、碳化物、硫化物以及氟化物中的至少一種化合物。28、如權(quán)利要求26所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述界面層含有選自Zr、Hf、Y以及Si中的至少一種元素、選自Ga、In以及Cr中的至少一種元素和O。29、如權(quán)利要求1~28中任一項所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄介質(zhì)還具有反射層。30、如權(quán)利要求29所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述反射層主要含有Ag。31、如權(quán)利要求29或30所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述反射層的厚度為20nm以下。32、如權(quán)利要求29或30所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述反射層的厚度為5nm以下。33、一種信息記錄介質(zhì)的制造方法，所述方法至少包括形成將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上的記錄層的工序，其中，所述形成記錄層的工序包括使用含有選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb的濺射耙進行濺射的步驟。34、一種信息記錄介質(zhì)的制造方法，所述方法至少包括形成將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上的記錄層的工序，其中，所述形成記錄層的工序包括使用選自Sb、Ml、M2、Sb-Ml、Sb-M2、Ml-M2以及Sb-Ml-M2所表示的濺射靶中的至少2個以上的濺射靶進行濺射的步驟，其中，Ml是選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，M2是選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素。35、一種信息記錄介質(zhì)的制造方法，所述方法至少包括形成層疊至少2種以上的層而得到的記錄部的工序，其中，所述形成記錄部的工序包括使用選自Sb、Ml、M2、Sb-Ml、Sb-M2、Ml-M2以及Sb-Ml-M2所表示的濺射靶中的至少2個以上的濺射靶進行濺射的步驟，其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，M2為選自Ga、Ge、Ag、In、Sn、Te以及Bi中的至少一種元素。36、一種濺射靶，其將選自Zn、Si以及C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上。37、如權(quán)利要求36所述的濺射靶，其中，所述濺射耙是用于制造含有下述式(1)表示的材料的膜的濺射耙，所述靶含有式(10)表示的材料，Sb1()().alMlal(原子％)(1)其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，al表示以原子%表示的組成比，并且滿足0〈a1^50，Sb1QQ.A1MlAi(原子％)(10)其中，Ml為選自Zn、Si以及C中的至少一種元素，Al表示以原子%表示的組成比，并且滿足aKAlS(al+3)。全文摘要本發(fā)明提供在記錄層的厚度為3nm左右的非常薄的情況下記錄信息時的記錄靈敏度高、且消除性能也好的信息記錄介質(zhì)。在通過照射光或施加電能而能記錄信息的信息記錄介質(zhì)(15)中，至少具有引起相變化的記錄層(104)，記錄層(104)將選自Zn、Si和C中的至少一種元素和Sb含有共計85原子％以上，優(yōu)選其組成以組成式Sb_100-a1M1_a(原子％)(其中，M1為選自Zn、Si和C中的至少一種元素，a1表示以原子％表示的組成，并且滿足0＜a1≤50。)來表示。文檔編號B41M5/26GK101522431SQ20078003758公開日2009年9月2日申請日期2007年6月5日優(yōu)先權(quán)日2006年8月8日發(fā)明者兒島理惠,山田升,松永利之,西原孝史申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社