專利名稱：熱打印頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于熱打印機(jī)的熱打印頭。同時還涉及熱打印頭的制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，作為用于在熱敏紙等記錄紙上進(jìn)行打印的裝置，提出各種熱打印頭(例如參照下述專利文獻(xiàn)1)。本申請的圖11表示作為本發(fā)明相關(guān)技術(shù)的熱打印頭的一個示例。具體而言，圖示的熱打印頭B包括絕緣性的基板91，在該基板上疊層形成有由玻璃構(gòu)成的釉層92、發(fā)熱電阻93、電極94和保護(hù)膜96。保護(hù)膜96由以玻璃為主要成分的材料形成。使用該熱打印頭B進(jìn)行打印處理時，將熱敏紙等記錄紙壓接在保護(hù)摸96上，在該狀態(tài)下進(jìn)行相對移動。此時，在發(fā)熱電阻93中產(chǎn)生的熱量傳遞到記錄紙上，從而實(shí)現(xiàn)所希望的打印。
在上述結(jié)構(gòu)的熱打印頭中，電極94可以由例如Al、Cu、Au等導(dǎo)電性優(yōu)異的金屬材料制成。其中Au是化學(xué)穩(wěn)定的材料，耐腐蝕性優(yōu)異。因此，如果用Au制成電極94，能夠避免由于電極的腐蝕而引起的通電不良。而且，與Al等相比，Au的電阻(電阻率)較小。因此，如果用Au形成的電極94，與使用Al的情況相比，電壓降低量減小，能夠減低電力損失。
通過使用Au制造電極，能夠獲得上述優(yōu)點(diǎn)，但另一方面也會產(chǎn)生以下不良現(xiàn)象。即，Au與Al等其他的良導(dǎo)電性金屬相比，與形成保護(hù)膜的玻璃之間的密接性差。所以，保護(hù)膜有可能從電極94剝離，導(dǎo)致熱打印頭的耐久性降低。而且，由于電極和保護(hù)膜的熱膨脹率不同，保護(hù)膜上產(chǎn)生應(yīng)力，這種應(yīng)力更加助長了保護(hù)膜的脫離。
專利文獻(xiàn)1日本特開第2002-67367號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明依據(jù)上述情況研究而成。因此本發(fā)明目的在于，提供一種Au制電極和保護(hù)膜之間的密接性得以提高的熱打印頭。本發(fā)明的另一目的在于，提供這種熱打印頭的制造方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明采用以下技術(shù)手段。
本發(fā)明第一方面提供的熱打印頭，包括基板、釉層、發(fā)熱電阻、用于對該發(fā)熱電阻進(jìn)行通電的以Au為主要成分的電極、和覆蓋上述發(fā)熱電阻及電極的保護(hù)膜。在上述電極的表面形成有多個凹部。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠提高上述電極和上述保護(hù)膜之間的密接力。具體而言，通過在電極的表面上形成多個凹部，覆蓋電極的保護(hù)膜的一部分進(jìn)入到凹部內(nèi)。結(jié)果實(shí)現(xiàn)了所謂錨定的效果，密接力得以提高。而且，由于電極和保護(hù)膜的熱膨脹率不同，在保護(hù)膜上，沿它們的交界面的方向，會產(chǎn)生比較大的應(yīng)力。根據(jù)本發(fā)明，難以在沿上述交界面的方向上發(fā)生偏移，從該方面出發(fā)，有利于抑制保護(hù)膜的剝離。
優(yōu)選上述多個凹部通過使上述電極表面的中心線平均粗糙度Ra為0.1～0.5μm而形成。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮上述錨定效果。
優(yōu)選上述多個凹部由貫通上述電極厚度方向的多個貫通部形成。上述貫通部也可以以具有圓形截面的方式形成。這種情況下，上述貫通孔的直徑為例如1～10μm。另外，本發(fā)明中也可以用矩形截面代替圓形截面來形成上述貫通部。在這種情況下，該矩形具有短邊和長邊，短邊的長度(矩形的寬度)為例如1～10μm。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，進(jìn)入到貫通部的保護(hù)膜的一部分與形成于電極下層側(cè)的釉層及發(fā)熱電阻直接密接。由于釉層或發(fā)熱電阻與保護(hù)膜的密接性比電極好，通過確保保護(hù)膜與釉層和發(fā)熱電阻之間的密接區(qū)域，能夠提高保護(hù)膜的密接力，抑制保護(hù)膜的剝離。
優(yōu)選本發(fā)明的熱打印頭還包括形成于上述電極的下層側(cè)的絕緣膜。絕緣膜與保護(hù)膜的密接性比電極優(yōu)異。因此利用這種結(jié)構(gòu)，通過進(jìn)入到上述貫通部的保護(hù)膜的一部分與絕緣膜直接密接，保護(hù)膜的密接力得以提高，有利于實(shí)現(xiàn)抑制保護(hù)膜的剝離。
本發(fā)明的第二方面提供的熱打印頭包括基板、釉層、發(fā)熱電阻、用于向該發(fā)熱電阻通電的以Au為主要成分的電極、和覆蓋上述發(fā)熱電阻及電極的保護(hù)膜。在上述電極上形成有含有Ni、Cr和Ti中的至少一種的金屬薄膜。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，同本發(fā)明的第一方面一樣，也能夠提高電極與保護(hù)膜之間的密接力。即，Ni、Cr、Ti等金屬與保護(hù)膜的密接性比Au優(yōu)異。因此，通過在電極和保護(hù)膜之間加入含有上述金屬的金屬薄膜，能夠抑制保護(hù)膜的剝離。而且，上述金屬和Au之間的附著力優(yōu)異，不會產(chǎn)生金屬薄膜從電極剝離的問題。
本發(fā)明的第三個方面，提供一種熱打印頭的制造方法。包括在基板上形成釉層的工序；在上述釉層上形成以Au為主要成分的電極的工序；形成發(fā)熱電阻的工序；和形成覆蓋上述發(fā)熱電阻及電極的保護(hù)膜的工序。并且根據(jù)該制造方法，在形成上述電極的工序之后，包括對上述基板進(jìn)行熱處理的工序。
根據(jù)這種制造方法，形成于電極下層的釉層的玻璃成分?jǐn)U散到電極的表面附近。由于玻璃與保護(hù)膜的密接性比Au優(yōu)異，所以擴(kuò)散到電極表面附近的釉層的玻璃成分發(fā)揮著粘合劑的功能，保護(hù)膜的密接力得以提高。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)提高熱打印頭的耐久性。
優(yōu)選本發(fā)明的制造方法還包括在上述釉層和上述電極之間形成含有Ni、Cr和Ti中的至少一種的金屬膜的工序。由此，金屬膜的上述金屬成分就會擴(kuò)散到電極的表面附近。由于上述金屬與保護(hù)膜的密接性比Au優(yōu)異，所以擴(kuò)散到電極表面附近的上述金屬成分發(fā)揮著粘合劑的功能，保護(hù)膜的密接力得以提高。
參照附圖，通過以下詳細(xì)說明，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將更加明確。


圖1A是示意性地表示本發(fā)明第一實(shí)施例的熱打印頭主要部分的平面圖。圖1B是表示共用電極的改變例的部分的平面圖。
圖2A是表示第一實(shí)施例的熱打印頭的截面圖，圖2B是示意性地表示共用電極和單獨(dú)電極的表面狀態(tài)的截面圖。
圖3是沿圖1的III-III線的截面圖。
圖4是表示第一實(shí)施例的熱打印頭的改變例的截面圖。
圖5是示意性地表示本發(fā)明第二實(shí)施例的熱打印頭主要部分的平面圖。
圖6是表示第二實(shí)施例的熱打印頭的截面圖。
圖7A～7D是說明制造第二實(shí)施例的熱打印頭的方法的截面圖。
圖8A～8B是說明圖7的工序的后續(xù)工序的截面圖。
圖9是說明圖8的工序的后續(xù)工序的截面圖。
圖10是表示第二實(shí)施例的熱打印頭的改變例的截面圖。
圖11是表示本發(fā)明相關(guān)技術(shù)的熱打印頭的一個示例的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，具體地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1～圖3表示本發(fā)明第一實(shí)施例的熱打印頭A1。熱打印頭A1包括基板1、釉層2、發(fā)熱電阻3、共用電極41、多個單獨(dú)電極42、金屬薄膜5和保護(hù)膜6(參照圖2A)。
基板1從平面看呈長矩形的平板狀，由例如氧化鋁陶瓷等絕緣體構(gòu)成。在基板1上，疊層形成有釉層2、發(fā)熱電阻3、電極層4(各電極41和42)、金屬薄膜5和保護(hù)膜6。釉層2起到蓄熱層的作用。此外，釉層2還提供適于形成共用電極3和單獨(dú)電極4的光滑表面。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⒐灿秒姌O3和單獨(dú)電極4可靠地固定在基板1上。釉層2通過印刷涂布玻璃糊劑后對該糊劑進(jìn)行燒制而形成。釉層2包括隆起部21，該隆起部具有圓弧狀的外表面。發(fā)熱電阻3為例如采用CVD法或者濺射法使TaSiO2成膜后的物質(zhì)，以至少覆蓋釉層2的隆起部21的方式形成。發(fā)熱電阻3的厚度例如為0.2～2.0μm。電極層4疊層在發(fā)熱電阻3的上層側(cè)，為例如采用濺射法使以Au為主要成分的金屬材料成膜后的物質(zhì)。電極層4的厚度為例如0.3～2.0μm。采用例如光刻法等選擇性地蝕刻電極層4的一部分，由此形成共用電極41、單獨(dú)電極42。
共用電極41由共用線路部41A和多個延伸部41B構(gòu)成。如圖1A所示，共用線路部41A包括沿基板1長邊方向延伸的部分(主部)和從其兩端部開始沿基板1的短邊方向延伸的部分(副部)。上述各延伸部41B從共用線路部41A的主部向基板1的短邊方向突出。共用線路部41A構(gòu)成為，用于從圖外的端子部開始對后述的發(fā)熱電阻部31進(jìn)行統(tǒng)一通電，具有較大的面積。
如圖2A所示，各單獨(dú)電極42的一端與各延伸部41B隔開間隔形成，使發(fā)熱電阻3的一部分在釉層2的隆起部21的頂面附近露出。各單獨(dú)電極42的另一端與驅(qū)動IC7電連接。驅(qū)動IC7用于依據(jù)從外部輸入的打印用圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行通電控制，搭載在基板1上。如果通過驅(qū)動IC7對單獨(dú)電極42選擇性地通電，則在發(fā)熱電阻3中，單獨(dú)電極42和與之相對的延伸部41B之間的露出部分發(fā)揮著發(fā)熱電阻部31的功能，形成一個發(fā)熱點(diǎn)。
如圖2B所示，在共用電極的延伸部41B和單獨(dú)電極42的表面41Ba、42a上形成有多個凹部。這些多個凹部通過使表面41Ba、42a成為凹凸?fàn)畹拇植诿娑纬伞?yōu)選表面41Ba、42a的中心線平均粗糙度Ra為0.1～0.5μm。這種凹凸?fàn)羁梢酝ㄟ^例如弱蝕刻等表面處理手法形成。
金屬薄膜5疊層在共用線路部41A的上層側(cè)，采用電鍍處理或者濺射法使含有Ni、Cr、Ti中的至少一種的金屬成膜。金屬薄膜5的厚度設(shè)置為例如0.2～2.0μm。在共用線路部41A和金屬薄膜5上形成有多個從平面看呈圓形(截面為圓形)的貫通孔h，作為貫通到下層側(cè)的釉層2或發(fā)熱電阻3的貫通部。貫通孔h的直徑優(yōu)選為1～10μm。貫通孔h可以通過例如利用玻璃掩模的蝕刻而形成。此外，如圖1B所示，作為貫通部，還可以形成截面為長矩形狀的狹縫S，代替貫通孔h。各狹縫S具有短邊和長邊。
保護(hù)膜6以覆蓋發(fā)熱電阻3、共用電極41和單獨(dú)電阻42的方式形成，例如由SiO2、SiN等構(gòu)成。保護(hù)膜6采用CVD法或者濺射法形成。保護(hù)膜6的厚度設(shè)置為例如3～10μm。如圖2和圖3清楚地所示，保護(hù)膜6的一部分進(jìn)入到貫通孔h中，與釉層2和發(fā)熱電阻3直接密接。
下面，說明具有上述結(jié)構(gòu)的熱打印頭A的作用。
在本實(shí)施例的熱打印頭A中，共用電極41的延伸部41B和單獨(dú)電極42的表面41Ba、42a上形成有多個凹部。因此，保護(hù)膜6(形成于電極層4的上層側(cè))的一部分進(jìn)入表面41Ba、42a的凹部中，能夠利用所謂的錨定效果來提高保護(hù)膜6的密接力。因此，能夠抑制保護(hù)膜6的剝離，提高熱打印頭A1的耐久性。并且，在本實(shí)施例中，在表面41Ba、42a的中心線平均粗糙度Ra為0.1～0.5μm時，能夠適當(dāng)發(fā)揮上述錨定效果，有利于抑制保護(hù)膜6的剝離。
并且，由于構(gòu)成電極層4的Au和構(gòu)成保護(hù)膜6的玻璃的熱膨脹率不同，在保護(hù)膜6上沿它們的交界面的方向會產(chǎn)生較大的應(yīng)力。但是，根據(jù)本實(shí)施例，難以在沿上述交界面方向上發(fā)生偏移，有利于抑制保護(hù)膜6的剝離。
由于在共用電極41的共用線路部41A的上層側(cè)，形成有含有Ni、Cr、Ti中任一種的金屬薄膜5，能夠提高保護(hù)膜6的密接力。具體而言，由于Ni、Cr、Ti等金屬與Au相比，離子化傾向大、不穩(wěn)定，容易在表面形成氧化膜。由于該氧化膜的存在，能夠確保與玻璃的密接性。因此，通過在電極層4(本實(shí)施例中的共用線路部41A)與保護(hù)膜6之間加入金屬薄膜5，能夠抑制保護(hù)膜6的剝離，提高熱打印頭的耐久性。并且，由于上述金屬與Au的附著力優(yōu)異，也不會產(chǎn)生金屬薄膜5從電極層4剝離的問題。
在共用線路部41A和金屬薄膜5上形成有多個貫通到共用線路部41A下面的貫通孔h。這里，形成于共用線路部41A上層側(cè)的保護(hù)膜6的一部分進(jìn)入貫通孔h中，與形成于共用線路部41A下層側(cè)的釉層2和發(fā)熱電阻3直接密接。由于釉層2或者發(fā)熱電阻3對保護(hù)膜6的密接性比電極層4良好，通過確保保護(hù)膜6與釉層2和發(fā)熱電阻3之間的密接區(qū)域，與保護(hù)膜的密接力得以提高，結(jié)果，能夠抑制保護(hù)膜6的剝離。此外，由于保護(hù)膜6的一部分進(jìn)入到貫通孔h中，即使在保護(hù)膜6上產(chǎn)生沿與其下層的交界面的應(yīng)力，也難以產(chǎn)生沿該交界面方向的偏移。因此，有利于抑制保護(hù)膜6的剝離。進(jìn)一步，在貫通孔h的直徑為1～10μm時，保護(hù)膜6的一部分適當(dāng)?shù)靥畛涞截炌議中，另一方面還能夠避免共用線路部41A的截面面積極端減小。結(jié)果，能夠抑制共用線路部41A中的電壓下降量增加，因而優(yōu)選。而且，如上所述，即使在形成狹縫S(圖1B)作為貫通部的情況下，由于進(jìn)入狹縫S內(nèi)的保護(hù)膜6的一部分與釉層2或發(fā)熱電阻3直接密接，能夠抑制保護(hù)膜6的剝離。在這種情況下，優(yōu)選狹縫S以沿相對于共用線路部41A的寬度方向大致正交的方向延伸的方式形成，狹縫S的寬度(短邊的長度)優(yōu)選為1～10μm。在這種情況下，共用線路部41A的截面面積不會極端減小，能夠抑制共用線路部41A中的電壓下降量的增加。
共用電極41的共用線路部41A是用于對各發(fā)熱電阻部31進(jìn)行統(tǒng)一通電的部分，形成有較大的面積。
圖4是說明本實(shí)施例的熱打印頭的改變例的截面圖(相當(dāng)于圖3)。在如圖4所示的熱打印頭A1a中，在共用線路部41A的下層側(cè)形成有絕緣膜8。絕緣膜8適當(dāng)?shù)剡x用與保護(hù)膜6的構(gòu)成材料(例如SiO2、SiN等)的密接性優(yōu)異的材料，例如由Ta2O5構(gòu)成。由于絕緣膜8與保護(hù)膜6的密接性比電極層4優(yōu)異，所以在熱打印頭A1a中，通過保護(hù)膜6的一部分進(jìn)入貫通孔h中而與絕緣膜8直接密接，保護(hù)膜6的密接力得以提高，能夠抑制保護(hù)膜6的剝離。而且，絕緣膜8與保護(hù)膜6的密接性比釉層2和發(fā)熱電阻3優(yōu)異。由此，熱打印頭A1a即使在絕緣膜8上沒有形成電極層4的范圍內(nèi)，相對于上述熱打印頭A1，保護(hù)膜6的密接力也有所提高。因此，根據(jù)熱打印頭A1a，能夠更加有效地抑制保護(hù)膜6的剝離。
圖5和圖6表示本發(fā)明第二實(shí)施例的熱打印頭A2。并且，在圖5以后的附圖中，對于與第一實(shí)施例相同或者類似的元件，標(biāo)以與第一實(shí)施例相同的符號。
熱打印頭A2包括基板1、釉層2、發(fā)熱電阻3、共用電極410、多個單獨(dú)電極420和保護(hù)膜6。但是在圖5中，省略保護(hù)膜6。
在基板1上依次疊層形成有釉層2、電極層4、發(fā)熱電阻3和保護(hù)膜6。釉層2具有外表面呈近似圓弧狀隆起的隆起部21。電極層4疊層在釉層2的上層側(cè)。電極層4的一部分被選擇性地蝕刻，通過實(shí)施后述的熱處理形成共用電極410、單獨(dú)電極420。
共用電極410的形狀和第一實(shí)施例相同，具有共用線路部410A和多個延伸部410B。但是，在共用線路部410A中不形成貫通孔，這一點(diǎn)與第一實(shí)施例的共用電極41的形狀不同。各單獨(dú)電極420與各延伸部410B隔開間隔形成，使隆起部21的一部分在釉層的隆起部21頂面附近露出。在共用電極410和單獨(dú)電極420中，下層側(cè)的釉層2的玻璃成分?jǐn)U散到它們的表面附近。如圖6和圖7～圖10所示，擴(kuò)散到電極表面附近的玻璃成分示意性地用點(diǎn)表示。這種玻璃成分的擴(kuò)散通過實(shí)施后述的熱處理而完成。
發(fā)熱電阻3疊層在電極層4的上層側(cè)。以覆蓋釉層的隆起部21的露出部分，并且跨過延伸部410B的一個端部和單獨(dú)電極420的一個端部的方式，形成發(fā)熱電阻3。在發(fā)熱電阻3中，在延伸部410B和與之相對的單獨(dú)電極420之間的露出部分發(fā)揮著發(fā)熱電阻部31的功能，形成為一個發(fā)熱點(diǎn)。因此，在本實(shí)施例中，在電極層4的上層側(cè)形成有發(fā)熱電阻3以及不形成金屬薄膜5，這兩點(diǎn)不同于第一實(shí)施例的疊層結(jié)構(gòu)。
下面，參照圖7～圖9，說明上述熱打印頭A2的制造方法的一個示例。
首先，如圖7A所示，在基板1上形成釉層2，使得具有外表面呈近似圓弧狀隆起的隆起部21。釉層2的形成通過對玻璃糊劑進(jìn)行印刷燒制來完成。接著，如圖7B所示，在釉層2上形成電極層4。電極層4的形成通過對以Au為主要成分的金屬糊劑進(jìn)行印刷燒制來完成。然后，如圖7C所示，采用光刻法等選擇性地蝕刻電極層4的一部分，形成玻璃成分未擴(kuò)散的共用電極410’、單獨(dú)電極420’。
然后，對基板1實(shí)施例如1個小時的800℃～900℃的熱處理。作為電極主要成分的Au具有不純物質(zhì)易擴(kuò)散的性質(zhì)。所以，如圖7D所示，釉層2的玻璃成分?jǐn)U散到共用電極410’、單獨(dú)電極420’內(nèi)部，形成其表面附近含有玻璃成分的共用電極410、單獨(dú)電極420。
然后，如圖8A所示，形成發(fā)熱電阻層3’。發(fā)熱電阻層3’的形成通過例如采用CVD法或者濺射法使TaSiO2成膜而完成。接著，通過蝕刻除去發(fā)熱電阻層3’的不用部分，形成圖8B所示的發(fā)熱電阻3。
接著，如圖9所示，形成保護(hù)膜6。保護(hù)膜6的形成通過例如采用CVD法或者濺射法使SiO2或SiN成膜而完成。
根據(jù)本實(shí)施例，釉層2的玻璃成分?jǐn)U散到共用電極410和單獨(dú)電極420的表面附近。由于玻璃與保護(hù)膜6的密接性比Au優(yōu)異，所以擴(kuò)散到共用電極410和單獨(dú)電極420表面附近的玻璃成分發(fā)揮著粘接劑的功能，保護(hù)膜6的密接力得以提高。因此，能夠提高熱打印頭A2的耐久性。
圖10是說明第二實(shí)施例的熱打印頭的改變例的截面圖。圖10所示的熱打印頭A2a構(gòu)成為，采用濺射法等在釉層2和電極層4之間形成有金屬膜9。金屬膜9的形成通過例如采用濺射法使含有Ni、Cr、Ti中任一種的金屬在釉層2上成膜而完成。在該熱打印頭A2a中，通過如上所述在電極形成后實(shí)施熱處理，形成金屬膜9中所含的上述金屬成分?jǐn)U散至表面附近的共用電極411、單獨(dú)電極421。由于上述金屬與保護(hù)膜6的密接性比Au優(yōu)異，所以擴(kuò)散到共用電極411和單獨(dú)電極421表面附近的上述金屬成分發(fā)揮著粘接劑的功能，保護(hù)膜6的密接力得以提高。此外，根據(jù)保護(hù)膜6的種類，有時金屬膜9的金屬成分與保護(hù)膜6的密接性比釉層2的玻璃成分更好，這種情況下，優(yōu)選熱打印頭A2a。而且，通過使金屬膜9為規(guī)定厚度以下的薄膜，能夠期待熱打印頭A2a中釉層2的玻璃成分?jǐn)U散到共用電極411、單獨(dú)電極421的表面附近。
本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例。例如，形成于電極上的凹部不限定于通過蝕刻形成，也可以通過噴砂處理或利用步進(jìn)曝光裝置等的其它方法形成。
在上述第一實(shí)施例中，利用弱蝕刻形成凹部，可以只對電極的一部分進(jìn)行，也可以對全部電極進(jìn)行。同樣，金屬薄膜5或者貫通孔h的形成，可以只對電極的一部分進(jìn)行，也可以對全部電極進(jìn)行。
在本發(fā)明中，貫通部不限于從平面看呈圓形的貫通孔或者從平面看呈長矩形的狹縫。貫通部的形狀、數(shù)量和配置等可以適宜設(shè)定。
保護(hù)膜不限于上述實(shí)施例的單層結(jié)構(gòu)。例如，保護(hù)膜也可以具有包括耐磨損層等的2層以上的疊層結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明的熱打印頭可以是薄膜型也可以是厚膜型。
權(quán)利要求
1.一種熱打印頭，其特征在于包括基板、釉層、發(fā)熱電阻、用于向該發(fā)熱電阻通電的以Au為主要成分的電極、和覆蓋所述發(fā)熱電阻及電極的保護(hù)膜，其中在所述電極的表面上形成有多個凹部。
2.如權(quán)利要求1所述的熱打印頭，其特征在于所述多個凹部通過使所述電極表面的中心線平均粗糙度Ra為0.1～0.5μm而形成。
3.如權(quán)利要求1所述的熱打印頭，其特征在于所述多個凹部由貫通所述電極厚度方向的多個貫通部形成。
4.如權(quán)利要求3所述的熱打印頭，其特征在于各貫通部的截面為圓形。
5.如權(quán)利要求4所述的熱打印頭，其特征在于各貫通孔的直徑為1～10μm。
6.如權(quán)利要求3所述的熱打印頭，其特征在于各貫通部的截面為矩形。
7.如權(quán)利要求6所述的熱打印頭，其特征在于所述矩形具有長邊和短邊，所述短邊的長度為1～10μm。
8.如權(quán)利要求3所述的熱打印頭，其特征在于還包括形成于所述電極的下層側(cè)的絕緣膜。
9.一種熱打印頭，其特征在于包括基板、釉層、發(fā)熱電阻、用于向該發(fā)熱電阻通電的以Au為主要成分的電極、和覆蓋所述發(fā)熱電阻及電極的保護(hù)膜，其中，在所述電極上形成有含有Ni、Cr和Ti中的至少一種的金屬薄膜。
10.一種熱打印頭的制造方法，其特征在于包括在基板上形成釉層的工序；在所述釉層上形成以Au為主要成分的電極的工序；形成發(fā)熱電阻的工序；和形成覆蓋所述發(fā)熱電阻及電極的保護(hù)膜的工序，其中，在形成所述電極的工序之后，包括對所述基板進(jìn)行熱處理的工序。
11.如權(quán)利要求10所述的熱打印頭制造方法，其特征在于還包括在所述釉層和所述電極之間，形成含有Ni、Cr和Ti中的至少一種的金屬膜的工序。
全文摘要
熱打印頭(A1)包括基板(1)、釉層(2)、發(fā)熱電阻(3)、用于向發(fā)熱電阻(3)通電的以Au為主要成分的電極(4)、和覆蓋發(fā)熱電阻(3)及電極(4)的保護(hù)膜(6)。電極(4)的表面上形成有多個凹部。
文檔編號B41J2/345GK101052531SQ20058003
公開日2007年10月10日 申請日期2005年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月4日
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