專利名稱：光記錄介質(zhì)以及用于該光記錄介質(zhì)的化合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用有機(jī)化合物作為記錄層用材料的光記錄介質(zhì)，特別涉及能利用作為可見激光之一的藍(lán)紫色激光等藍(lán)色系列激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)的可高密度記錄的追記型光記錄介質(zhì)，以及新型化合物。另外，還涉及能利用工業(yè)上有利的旋涂法等涂布法制作記錄層的記錄層用材料。
背景技術(shù)：
作為與壓縮盤(以下簡稱為CD)規(guī)格對應(yīng)的光記錄介質(zhì)的CD-R(CD-Recordable)正廣泛普及。CD-R的存儲容量為680MB左右，但隨著信息量的迅速增加，迫切需要信息記錄介質(zhì)的高密度化和大容量化。
作為記錄介質(zhì)的高密度化方法，可以舉出通過減小記錄再現(xiàn)中使用的激光波長、以及提高對物透鏡的開口數(shù)(N.A.NumeriacalAperture)來縮小光斑。而且，光盤系統(tǒng)中使用的短波長激光，可以使用500nm～700nm、進(jìn)一步優(yōu)選630nm～690nm左右的激光，具體而言，680nm、670nm、660nm、650nm、635nm等紅色激光已經(jīng)實(shí)用化。因此，通過減小半導(dǎo)體激光的波長、增加對物透鏡的開口數(shù)、數(shù)據(jù)壓縮技術(shù)等，能制作可以進(jìn)行動畫記錄以及大容量信息記錄的光記錄介質(zhì)。作為迄今為止提出的光記錄介質(zhì)，包括光磁記錄介質(zhì)、相變記錄介質(zhì)、硫?qū)僭匮趸镱惞庥涗浗橘|(zhì)、有機(jī)色素類光記錄介質(zhì)等，其中，考慮到廉價并且易操作，優(yōu)選使用有機(jī)色素類光記錄介質(zhì)。根據(jù)上述狀況，開發(fā)了追記型數(shù)字多功能光盤(以下簡稱為DVD-R)，作為比CD密度高且能進(jìn)行與TV質(zhì)量相當(dāng)?shù)膭赢嬘涗浽佻F(xiàn)的光記錄介質(zhì)，以及能利用正在普及的市售DVD視頻播放器或DVD-ROM播放器再現(xiàn)、并能利用激發(fā)波長630nm～690nm的紅色半導(dǎo)體激光進(jìn)行記錄的追記型光記錄介質(zhì)。DVD-R是具有3.9GB或4.7GB記錄容量的可一次寫入的光記錄介質(zhì)，特別是在最近，單面4.7GB容量的DVD-R介質(zhì)已經(jīng)開始投放市場。該DVD-R介質(zhì)的特征也在于下述盤片結(jié)構(gòu)，即，在記錄層中使用花青類色素、偶氮類色素等，采用設(shè)置反射層的疊層結(jié)構(gòu)，并貼合了2張0.6mm厚的基板。關(guān)于適合該容量的記錄特性良好的光盤，目前正在積極地開發(fā)適應(yīng)高速記錄的介質(zhì)。
另外，推測將來需要更高密度的記錄，每張光盤的信息記錄量要達(dá)到15～30GB。作為實(shí)現(xiàn)上述記錄密度的方法，不可避免要使用更短波長的激光。因此，作為在將來的有機(jī)色素類光記錄介質(zhì)中使用的記錄用色素，在300nm～500nm的波長范圍內(nèi)具有良好的記錄特性的色素較為理想。
因此，關(guān)于能進(jìn)行高于以有機(jī)色素作為記錄層的DVD-R的高密度記錄的介質(zhì)，在專利文獻(xiàn)1中，利用激發(fā)波長小于或等于680nm的激光實(shí)現(xiàn)記錄容量大于或等于8GB的密度。在該文獻(xiàn)提出的方案中，通過利用具有大于或等于0.7的高開口數(shù)的對物透鏡聚焦波長小于或等于680nm的激光，通過10～177μm厚度的透光層實(shí)現(xiàn)大于或等于8GB的大容量記錄。
另外，近年來，作為激發(fā)波長為390～430nm的藍(lán)色激光，已經(jīng)開發(fā)了使用GaN類材料的410nm的激光，或通過組合半導(dǎo)體激光和光導(dǎo)波路元件得到的波長為425nm的SHG激光，目前正在開發(fā)適應(yīng)上述激光的藍(lán)色半導(dǎo)體激光對應(yīng)色素。
而且，1999年初開始試用激發(fā)波長為400～410nm、發(fā)出藍(lán)紫色光的GaN類半導(dǎo)體激光(日亞化學(xué)工業(yè))時，開始研究以與具有單面大于或等于15GB的更高密度容量的HDTV(hign definition television)放映相當(dāng)?shù)漠嬞|(zhì)能進(jìn)行2小時左右的動畫記錄的介質(zhì)(以下稱為HD-DVD-R介質(zhì))。利用上述具有高密度容量的HD-DVD-R介質(zhì)，如果以與現(xiàn)有播放相當(dāng)?shù)漠嬞|(zhì)錄制，則能錄制6小時左右，因此，作為取代家庭用VTR的新型記錄介質(zhì)備受關(guān)注。
其中，下一代高密度光盤的統(tǒng)一規(guī)格“Blu-ray Disc”已由日歐韓9家公司確定，并已經(jīng)公布(2002年2月19日)。根據(jù)該規(guī)格，組合藍(lán)紫色激光和N.A.＝0.85的高開口透鏡，在12cm圓板的單面上能反復(fù)記錄·再現(xiàn)最大27GB的影像數(shù)據(jù)，如果使用同規(guī)格的記錄裝置，1張盤上能錄制2小時或2小時以上HDTV影像。如果是現(xiàn)有播放NTSC方式的影像數(shù)據(jù)，則相當(dāng)于13個小時或13個小時以上。
另外，還提出了膜厚為1.2mm的同規(guī)格盤片，使激光經(jīng)100μm左右的透光層聚焦在形成的記錄膜上，記錄容量為23.3、25、27GB 3種。在上述規(guī)格之前，還提到了有機(jī)色素對利用藍(lán)紫色激光、以及N.A.＝0.85的高開口透鏡的記錄介質(zhì)的可適用性。作為最近的具體事例，例如，可以舉出，通過記錄標(biāo)記(mark)部分伴隨熱分解的色素自身的折射率變化及形成空隙(凹槽pit)能進(jìn)行記錄的光記錄介質(zhì)(“Oplus E”vol.25，No.6，p.652-657，2003年6月發(fā)行)。
目前，作為能利用400～500nm的藍(lán)色激光記錄的有機(jī)色素化合物，除了專利文獻(xiàn)2中記載的花青類色素化合物以外，還提出了卟啉類色素化合物、多烯類色素化合物、偶氮類色素化合物、二氰基乙烯基苯基化合物、香豆素化合物、嘧啶化合物、萘酞菁化合物、5元雜環(huán)化合物、二唑化合物、氨基吡啶化合物、雙吡啶鎓化合物、氧雜菁(oxonol)化合物、苯乙烯基化合物、氨基丁二烯化合物、金屬螯合化合物、醌化合物或醌二甲烷(quinodimethane)化合物、腙化合物、三嗪化合物、喹諾酮化合物或1，5-二氮雜萘化合物、縮合雜環(huán)化合物、以及芪化合物等。
另外，還提出了以下光記錄介質(zhì)構(gòu)成記錄層及金屬反射層2層的專利文獻(xiàn)3中記載的光記錄介質(zhì)，上述記錄層中，作為記錄層形成用有機(jī)色素，以卟啉類色素或花青類色素等為主，上述金屬反射層以銀為主體；或作為著重于介質(zhì)構(gòu)成的光記錄介質(zhì)，有通過具有含有感應(yīng)藍(lán)色激光的花青類色素的藍(lán)色激光感應(yīng)色素層和紅色激光感應(yīng)色素層而能在雙波長區(qū)域記錄的專利文獻(xiàn)4中記載的光記錄介質(zhì)；或通過混合藍(lán)色激光用色素以及紅色激光用色素2種色素而能在雙波長區(qū)域記錄的使用靛青類色素化合物的專利文獻(xiàn)5中記載的光記錄介質(zhì)、或使用氰基乙烯類色素的專利文獻(xiàn)6中記載的光記錄介質(zhì)、使用角鯊鎓類色素化合物的專利文獻(xiàn)7中記載的光記錄介質(zhì)等。
另一方面，作為于400～500nm的藍(lán)色區(qū)域、在有機(jī)色素膜上進(jìn)行記錄的例子，提出以下方案通過混合與卟啉類化合物的中心金屬配位的分子化合物以及高分子、或側(cè)鏈上具有與中心金屬配位的分子結(jié)構(gòu)的高分子，能使該卟啉類化合物的索雷(Soret)譜帶向長波長一側(cè)遷移，使其與488nm的Ar激光對應(yīng)，同時可通過旋涂成膜，降低制造成本(專利文獻(xiàn)8、9)。根據(jù)本發(fā)明人等的研究，發(fā)現(xiàn)多烯類色素化合物(專利文獻(xiàn)10、11)的光穩(wěn)定性差，實(shí)用時需要混入淬滅劑。
專利文獻(xiàn)1特開平10-302310號公報專利文獻(xiàn)2國際專利公開WO 01/44374號公報專利文獻(xiàn)3特開平11-53758號公報專利文獻(xiàn)4特開平11-203729號公報專利文獻(xiàn)5特開平11-78239號公報專利文獻(xiàn)6特開平11-105423號公報專利文獻(xiàn)7特開平11-110815號公報專利文獻(xiàn)8特開平7-304256號公報專利文獻(xiàn)9特開平7-304257號公報專利文獻(xiàn)10特開平4-78576號公報專利文獻(xiàn)11特開平4-89279號公報發(fā)明內(nèi)容最近，為了波長為400nm～410nm的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光的實(shí)用化，開始積極開發(fā)使用該波長的大容量追記型光記錄介質(zhì)，特別期待開發(fā)出具有高耐光性或良好的高速記錄特性的色素。
但是，實(shí)際情況是上述光記錄介質(zhì)沒有充分適應(yīng)波長為400nm～410nm的激光。即，在使用上述有機(jī)色素的介質(zhì)中，針對記錄信號的再現(xiàn)，輸送波和雜音之比(C/N)不一定是良好的值，因此，會出現(xiàn)未充分進(jìn)行信號讀取等問題。為了克服該問題，當(dāng)務(wù)之急是開發(fā)可利用波長為400nm～410nm的激光進(jìn)行高密度記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)。
如上所述，正積極開發(fā)使用該激光的大容量光記錄介質(zhì)，特別期待開發(fā)出具有高耐光性或良好的高速記錄特性的色素，盡管如此，作為可利用該波長區(qū)域的激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)的記錄材料，上述色素化合物至今還未得到充分的特性，還有改善的余地。另外，利用容易形成記錄膜的旋涂法等涂布法制備介質(zhì)時，作為有利特性之一，可以舉出對涂布溶劑的高溶解性，需要對此加以考慮。通常，為了增大記錄容量，需要以更高密度進(jìn)行記錄，因此，有必要提高用于會聚記錄中使用的光束的對物透鏡的開口數(shù)，并進(jìn)一步減小光學(xué)系統(tǒng)的激光波長。但是，在衍射臨界處決定了會聚光束的最小束徑。為了具有高速記錄特性，盡可能降低記錄時的激光能量是重要的。即，開發(fā)出以較低記錄激光能量即可形成良好的記錄標(biāo)記的高靈敏色素是重要的。
所以，如圖1(a)所示，由于記錄是在光束強(qiáng)度大于某一閾值的部位完成的，因此得到小于會聚射束點(diǎn)的記錄部位。該記錄部位的周圍雖然相當(dāng)于光束強(qiáng)度峰的下降區(qū)域，但隨著更短波長化的發(fā)展趨勢，即使在記錄部位的周圍，也能夠促進(jìn)記錄層的光化學(xué)反應(yīng)，特別是在上述藍(lán)紫色激光的波長區(qū)域內(nèi)，形成有機(jī)化合物的光化學(xué)反應(yīng)容易發(fā)生的波長區(qū)域，因此，記錄時出現(xiàn)記錄部位和未記錄部位的邊緣(edge)劣化，信號特性惡化的問題。即，如圖1(b)所示，原來必須對應(yīng)于矩形波形成的記錄信息[圖1(b)的實(shí)線]由于邊緣的劣化而變成寬波形[圖1(b)的點(diǎn)線部]。如果利用與記錄時相同的藍(lán)紫色激光波長進(jìn)行再現(xiàn)，則即使再現(xiàn)光那樣微弱的光照射也會促進(jìn)光化反應(yīng)，出現(xiàn)每次再現(xiàn)時發(fā)生劣化的問題，在上述特開平7-304256號公報、特開平7-304257號公報中，提出利用不同波長的記錄光和再現(xiàn)光，實(shí)質(zhì)上再現(xiàn)光波長長于記錄光波長的對策，但結(jié)果仍然不能滿足充分高密度化的要求。另外，為了使記錄波長與再現(xiàn)波長不同，需要分別準(zhǔn)備記錄裝置和再現(xiàn)裝置，或者在一個裝置中必須設(shè)置2個光學(xué)系統(tǒng)及其控制系統(tǒng)，作為光記錄介質(zhì)的用途受到限制，或者導(dǎo)致裝置的大型化、成本的升高、缺少通用性。另外，以往，在CD-R等光記錄介質(zhì)中，以有機(jī)色素膜的熔點(diǎn)、升華點(diǎn)、相轉(zhuǎn)移點(diǎn)或熱分解點(diǎn)等物性上的明確的熱閾值為界限開始/停止(on/off)記錄，而由藍(lán)紫色激光的激發(fā)引起的光劣化模式(mode)的存在，使該對比變得模糊，特別是對于必須形成小于光束的細(xì)密記錄部位的高密度記錄系統(tǒng)，有可能顯著影響記錄信號的品質(zhì)。
另外，形成記錄部位時，例如，在利用熱變形進(jìn)行記錄，即，利用凹槽形成法進(jìn)行記錄的方法中，在進(jìn)行了不必要的變形的情況下，或上述光劣化引起對比模糊的情況下，對光盤半徑方向帶來不良影響，即，使相鄰的將被記錄的(或已經(jīng)被記錄的)軌道部位被侵蝕或模糊化，顯著影響相鄰軌道的記錄信號品質(zhì)。特別是在需要高密度且高速記錄的光記錄介質(zhì)中，必須使多個軌道(以下稱為多軌道)上的記錄部位的記錄信號品質(zhì)均良好。換言之，整個盤片都需要保持良好的信號品質(zhì)，為此，即使在記錄單一軌道后，重新記錄相鄰軌道，也必須保持已經(jīng)記錄的軌道的信號品質(zhì)不劣化，而且，還必須保持隨后記錄的相鄰軌道的信號品質(zhì)良好、不劣化。因此，目前，不可避免地需要開發(fā)這樣一種記錄模式形成記錄部位時，抑制不必要的變形或光劣化模式，保持相鄰軌道的記錄信號品質(zhì)，同時能明確識別形成的記錄部位。為此，急需開發(fā)一種記錄用材料，所述記錄用材料即使為了不引起不必要的變形而降低記錄激光能量，也能進(jìn)行充分的記錄，并且沒有光劣化導(dǎo)致的對比模糊，具有高耐光性。
為了準(zhǔn)確地讀取信號，讀出信號的大小很重要，對于此點(diǎn)應(yīng)該給與充分的考慮。
本發(fā)明的目的是提供一種具有記錄層的光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)適用于能利用選自波長為300nm～900nm范圍的激光、特別是波長為390nm～430nm范圍的激光、更特別的是波長為400nm～410nm范圍的藍(lán)紫色激光進(jìn)行良好的記錄和再現(xiàn)的超高密度記錄。而且，本發(fā)明還提供適用于該光記錄介質(zhì)的新型化合物。
另外，本發(fā)明提供能利用工業(yè)上有利的旋涂法等涂布法制作該記錄層的記錄用材料。
本發(fā)明人等為解決上述課題，進(jìn)行了深入研究，結(jié)果完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明涉及以下內(nèi)容。
1、一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)具有至少一層能利用激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)的記錄層(A)，并且該記錄層(A)中含有至少一種有機(jī)化合物，其特征在于，該記錄層(A)中利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)相對該記錄層(A)的未記錄部位的記錄層膜厚(a1)的變化率(|[a2-a1]/a1|×100)小于25％，并且，該記錄層(A)中利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)相對該記錄層(A)的未記錄部位的記錄層膜厚(a1)的變化量(|a2-a1|)小于15nm；2、如上述1所述的光記錄介質(zhì)，其中所述記錄層(A)可以利用涂布法形成；3、如上述2所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物是具有由4個碳原子和2個氮原子構(gòu)成的六元環(huán)結(jié)構(gòu)、并且鍵合有取代或無取代氨基的有機(jī)化合物(B)；4、如上述1～3任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，記錄激光能量小于或等于6mW；5、如上述3所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是以作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(0)表示的化合物； (式中，環(huán)A0表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，RA和RB表示氫原子或取代基，X0表示2價取代基，Y0表示取代或無取代的氨基，m0表示Y0的個數(shù)。)6、如上述5所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是以作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(1)表示的化合物；
(式中，環(huán)A和環(huán)B表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，R表示氫原子或取代基，X表示2價取代基，Y表示取代或無取代的氨基，m表示Y的個數(shù)。)7、如上述6所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是以作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(2)表示的化合物； (式中，環(huán)C表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，X’表示2價取代基，R0～R6分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，m’表示R5的個數(shù)，n’表示R6的個數(shù)。其中，選自R1～R4的至少1個或1個以上基團(tuán)為取代或無取代氨基，在R1～R4的組合及R5～R6的組合中，各組合內(nèi)的各取代基，也可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)，m’和n’分別表示0、1或1以上的整數(shù)。)8、如上述7所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是以作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(3)表示的化合物； (式中，環(huán)D表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，X”表示2價取代基，R7～R12分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基。其中，選自R8～R11的至少1個或1個以上基團(tuán)為取代或無取代氨基，R8～R11也可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)
9、如上述8所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是以作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(4)表示的化合物； (式中，R13～R25分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R14～R18的組合及R21～R25的組合中，各組合內(nèi)的各取代基，也可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)10、如上述9所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是以作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(5)表示的化合物； (式中，R26～R35分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R26～R30的組合及R31～R35的組合中，各組合內(nèi)的各取代基，也可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)11、如上述10所述的光記錄介質(zhì)，其中，R31～R35中的至少1個基團(tuán)是具有雜環(huán)殘基的取代烷氧基，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子；12、如上述10所述的光記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成以R26～R35表示的取代基的原子是選自碳原子、氫原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子；13、如上述1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述記錄層(A)中，含有至少1種吸收該激光、并且具有熱變色溫度的有機(jī)化合物。
14、如上述1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述記錄層(A)中，含有至少1種有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物吸收該激光，并且如果加熱非晶質(zhì)狀態(tài)，則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)；15、如上述1所述的光記錄介質(zhì)，其中，在所述記錄層(A)中，含有至少1種有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物通過記錄激光的照射，將不同于該記錄層(A)記錄前的極大吸收波長(λmax1)的極大吸收波長(λmax2)賦予記錄后的該記錄層(A)；16、如上述1所述的光記錄介質(zhì)，其中，在所述記錄層(A)中，含有至少1種有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物通過照射記錄再現(xiàn)波長為λ0的記錄激光，在記錄后賦予不同于該記錄層(A)記錄前在λ0處的折射率n1以及消光系數(shù)k1的折射率n2以及消光系數(shù)k2。
17、如上述1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，有機(jī)化合物溶液狀態(tài)的吸光度的極大波長在記錄層成為薄膜狀態(tài)時，向短波長側(cè)移動。
18、以通式(5)表示的化合物；19、以通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物，其中，喹唑啉-4-酮環(huán)的5～8位中任一個位置具有二取代氨基； (式中，R36～R41分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基。)20、以通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物的制備方法，其特征在于，利用下述通式(7)的化合物以及通式(8)和/或通式(9)表示的化合物進(jìn)行反應(yīng)； R37-Z1(8)R38-Z2(9)(式中，R36～R41表示與式(6)中的R36～R41相同的基團(tuán)。Z1、Z2表示離去基團(tuán)。)21、含有至少1種以通式(5)表示的化合物的組合物；22、一種光記錄介質(zhì)，該記錄介質(zhì)在基板上具有可利用激光記錄再現(xiàn)的記錄層(A)，并且，該記錄層(A)中含有至少一種有機(jī)化合物，其特征在于，所述光記錄介質(zhì)能利用對該記錄層(A)照射小于或等于6mW的記錄激光產(chǎn)生的熱和/或激光，在不使該基板發(fā)生機(jī)械變形的情況下進(jìn)行記錄。
利用本發(fā)明能提供一種光記錄介質(zhì)，該記錄介質(zhì)通過使可利用激光記錄再現(xiàn)的記錄層(A)含有至少1種本發(fā)明的特定有機(jī)化合物，可使其利用波長為300～900nm的激光、特別是作為高密度光記錄介質(zhì)而備受關(guān)注的波長為390～430的激光、進(jìn)而波長為400～410nm的藍(lán)紫色激光的記錄能量減少，而且，抑制來自相鄰軌道的信號泄漏，從而使該記錄介質(zhì)具有可進(jìn)行高密度且高品質(zhì)的信號記錄再現(xiàn)的記錄層。而且，本發(fā)明還提供能利用工業(yè)上有利的旋涂法等涂布法制作該記錄層的記錄用材料。


圖1是說明本發(fā)明課題的概念圖。
圖2是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的構(gòu)成例之一的示意圖。
圖3是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的其他構(gòu)成例之一的示意圖。
圖4是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的其他構(gòu)成例之一的示意圖。
圖5是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的其他構(gòu)成例之一的示意圖。
圖6是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的其他構(gòu)成例之一的示意圖。
圖7是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的其他構(gòu)成例之一的示意圖。
符號說明1 基板2 記錄層3 反射層4 保護(hù)層5 粘合層11基板12記錄層13反射層14保護(hù)層
15 虛設(shè)基板層11’支持基板12’記錄層13’反射層14’透明保護(hù)層15’透光層21 支持基板22 記錄層23 氮化物層24 氧化物層25 透光層40 電介質(zhì)層101 射束點(diǎn)102 記錄部位具體實(shí)施方式

本發(fā)明涉及光記錄介質(zhì)，其特征為，光記錄介質(zhì)的記錄層(A)中含有本發(fā)明的特定有機(jī)化合物(B)，還涉及能利用從波長300nm～900nm、特別是波長為390nm～430nm、更特別的是波長為400nm～410nm范圍內(nèi)選出的激光進(jìn)行記錄以及再現(xiàn)的新型光記錄介質(zhì)，以及本發(fā)明光記錄介質(zhì)中使用的新型化合物。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)是指能記錄并再現(xiàn)信息的光記錄介質(zhì)。但是，此處，作為優(yōu)選例子，對基板上具有記錄層(A)，根據(jù)需要還可以具有反射層的本發(fā)明的光記錄介質(zhì)進(jìn)行說明。另外，在下面的說明中，作為光記錄介質(zhì)，對下述介質(zhì)進(jìn)行說明該介質(zhì)是圓盤狀的光盤，在支持基板上具有導(dǎo)槽、以及在該導(dǎo)槽上優(yōu)選利用涂布法形成的含有至少1種作為記錄用材料的本發(fā)明有機(jī)化合物的記錄層、和反射膜，照射波長為300～900nm的激光進(jìn)行信號的記錄再現(xiàn)，但本發(fā)明的光記錄介質(zhì)并不限于上述形狀或構(gòu)成，還包括卡片狀、薄片狀等其他各種形狀的介質(zhì)，或沒有反射層的介質(zhì)，或適用于將來開發(fā)的利用更短波長的激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)的介質(zhì)。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，例如，具有如圖2所示的依次層疊基板1、記錄層2、反射層3、以及保護(hù)層4形成的4層結(jié)構(gòu)，或具有如圖3所示的貼合結(jié)構(gòu)。即，在基板1上先形成記錄層2，然后在其上密合地設(shè)置反射層3，在反射層上再通過粘合層5貼合保護(hù)層4。但是，在記錄層2的下面或上面也可以分別設(shè)置其他層，還可以在反射層3上面設(shè)置其他層。另外，還可以具有如圖4所示依次疊層基板1、反射層3、記錄層2、保護(hù)層4，并在保護(hù)層側(cè)進(jìn)行記錄再現(xiàn)的結(jié)構(gòu)。也可以為特開平10-326435號公報所記載的透光層厚度由光學(xué)系統(tǒng)的開口數(shù)N.A.以及激光波長λ確定的介質(zhì)結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，根據(jù)需要還可以形成特開平11-203729號公報記載的具有2種或2種以上記錄層的結(jié)構(gòu)。具有2種或2種以上記錄層的結(jié)構(gòu)的光記錄介質(zhì)中適用的光記錄介質(zhì)可以具有2種或2種以上本發(fā)明的記錄層(A)，或1個是本發(fā)明的記錄層(A)，至少1個是其他記錄層(A’)。作為記錄層(A’)，可以舉出含有1個或1個以上上述公知的有機(jī)色素的記錄層，或使用金屬或準(zhǔn)金屬等無機(jī)物的公知無機(jī)記錄層等。另外，記錄層(A’)可以為2種或2種以上。記錄層(A’)和記錄層(A’)可以相鄰，也可以被中間層隔離。另外，記錄層(A)和記錄層(A’)分別為2種或2種以上時，對各自的位置關(guān)系沒有特別限定。作為中間層，為了間隔距離的目的，可以是透明樹脂層，也可以適當(dāng)含有反射層、反射放大層或粘合層。另外，在每個記錄層和基板、或每個記錄層和保護(hù)層之間，可以分別根據(jù)需要，設(shè)置反射層、反射放大層或粘合層。
作為在光盤中適用本發(fā)明的例子，可以舉出，如圖5所示的依次層疊基板11、記錄層12、反射層13以及保護(hù)層14，進(jìn)而在兼具粘合層的保護(hù)層14上貼合虛設(shè)基板15的介質(zhì)。當(dāng)然，也可以是無基板15的結(jié)構(gòu)，在基板11和記錄層12之間、記錄層12和反射層13之間、反射層13和保護(hù)層14之間、保護(hù)層14和虛設(shè)基板15之間，還可以設(shè)置其他層。在圖5所示的光盤中，從基板11側(cè)進(jìn)行記錄再現(xiàn)。
作為其他實(shí)施方案，有特開平10-302310號公報中公開的結(jié)構(gòu)，例如，如圖6所示，在形成導(dǎo)槽的支持基板11’上依次形成反射層13’、以有機(jī)色素為主要成分的記錄層12’，在該記錄層12’上通過任意形成的透明保護(hù)層14’形成透光層15’，在透光層15’側(cè)進(jìn)行信息的記錄和再現(xiàn)。另外，也可以反過來在透光層15’側(cè)形成導(dǎo)槽，在其上層疊透明保護(hù)層14’、記錄層12’、反射層13’，然后貼合支持基板11’。
或者，作為其他實(shí)施方案，包括特開2002-175645號公報中公開的構(gòu)成，例如，如圖7所示，在形成導(dǎo)槽的支持基板21上形成記錄層22，在該記錄層22上，形成依次層疊氮化物層23、氧化物層24而成的電介質(zhì)層40，然后在電介質(zhì)層40上，根據(jù)需要利用粘合劑形成透光層25，在透光層25側(cè)進(jìn)行信息的記錄和再現(xiàn)。另外，也可以反過來在透光層25側(cè)形成導(dǎo)槽，在其上層疊依次層疊有氧化物層24、氮化物層23的電介質(zhì)層40、記錄層22，再貼合支持基板21。如上所述，不使用反射層，而在信息記錄層上形成電介質(zhì)層，從而得到多重干涉產(chǎn)生的光學(xué)增強(qiáng)效果，由此，在能得到適當(dāng)?shù)某跗诜瓷渎实墓庥涗浗橘|(zhì)中可以使用本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)是具有至少一層可利用激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)的記錄層(A)、并且該記錄層(A)中含有至少1種有機(jī)化合物(B)的光記錄介質(zhì)，其特征在于，該記錄層(A)上利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)相對該記錄層(A)的未記錄部分的記錄層膜厚(a1)的變化率(|[a2-a1]/a1|×100)小于25％，并且，該記錄層(A)中利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)相對該記錄層(A)的未記錄部位的記錄層膜厚(a1)的變化量(|a2-a1|)小于15nm。
在本發(fā)明中，在基板上設(shè)置記錄層(A)，該記錄層(A)含有至少1種本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)，相對該記錄層(A)的未記錄部位的記錄層膜厚(a1)，該記錄層(A)上利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)的變化率(|[a2-a1]/a1|×100)可以控制為小于25％，并且，相對該記錄層(A)的未記錄部位的記錄層膜厚(a1)，該記錄層中利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)的變化量(|a2-a1|)可控制為小于15nm。
此處，本發(fā)明的記錄部位是指利用熱變性控制凹槽(凹槽形成)或凸起的記錄標(biāo)記部位，實(shí)質(zhì)上是指不論是否變形，均發(fā)生光學(xué)變化的部位。相對該記錄層(A)的未記錄部位的記錄層膜厚(a1)，該記錄層(A)上利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)的變化率(|[a2-a1]/a1|×100)小于25％，優(yōu)選小于10％，較優(yōu)選小于5％，更優(yōu)選小于2％，進(jìn)一步優(yōu)選小于1％。
另外，相對該記錄層(A)的未記錄部位的膜厚(a1)，該記錄層(A)中利用激光記錄的記錄部位的膜厚(a2)的變化量(|a2-a1|)小于15nm，優(yōu)選小于10nm，較優(yōu)選小于5nm，更優(yōu)選小于2nm，進(jìn)一步優(yōu)選小于1nm。
本發(fā)明中，在本發(fā)明的記錄層(A)上利用激光進(jìn)行記錄時，優(yōu)選記錄部位不發(fā)生變形地發(fā)生光學(xué)變化，可利用再現(xiàn)激光再現(xiàn)。
本發(fā)明的記錄層(A)只要不影響上述控制即可，可以利用任何方法形成，但優(yōu)選利用涂布法形成。
該記錄層(A)中含有至少1種有機(jī)化合物(B)作為記錄用材料，也可以混合SiO2等無機(jī)化合物。在本發(fā)明中，作為優(yōu)選的有機(jī)化合物，可以舉出具有由4個碳原子和2個氮原子構(gòu)成的六元環(huán)、并且鍵合取代或無取代氨基的有機(jī)化合物。
此處，本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)不同于染料前體，不必一同使用顯色劑和光吸收劑，是單獨(dú)使用即可進(jìn)行記錄的材料，是一種記錄用色素，該記錄用色素在使用的激光波長區(qū)域內(nèi)具有充分的吸收，伴隨具有規(guī)定能量的激光照射所引起的光熱轉(zhuǎn)換，發(fā)生物理化學(xué)變化，由此改變折射率(n)和消光系數(shù)(k)，從而能形成該記錄層(A)的反射率變化部分，即上述記錄部位。另外，使用本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)，能得到多軌道記錄特性優(yōu)異的光記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可利用選自300nm～900nm范圍的記錄激光波長進(jìn)行記錄再現(xiàn)，其中，利用從波長390nm～430nm范圍、進(jìn)而從波長400nm～410nm范圍選出的記錄激光波長和再現(xiàn)激光波長能得到良好的信號特性。而且，在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，光記錄層(A)是由以本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)為主要成分的組合物、甚至實(shí)質(zhì)含量為100％的組合物構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，可不發(fā)生實(shí)質(zhì)變形地利用光學(xué)變化進(jìn)行記錄。
用作本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的有機(jī)化合物可在通過選擇取代基保持消光系數(shù)的狀態(tài)下任意選擇吸收波長，從而在上述激光波長中使記錄層滿足必要的光學(xué)常數(shù)(折射率n和消光系數(shù)k)。本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)能提高讀出信號的大小。而且，用作本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的有機(jī)化合物能利用涂布法制膜得到良好的涂膜形狀，從而形成本發(fā)明的記錄層(A)，并且，能利用小的記錄激光能量，得到無論是否實(shí)質(zhì)上發(fā)生上述變形而都會發(fā)生光學(xué)變化的記錄標(biāo)記形狀，因而是能用于多軌道記錄特性優(yōu)異的光記錄介質(zhì)，特別是追記型光記錄介質(zhì)的非常有用的化合物。
下面，進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，基板上設(shè)置含有至少1種有機(jī)化合物的記錄層(A)，該記錄層中的至少1個是可以形成無論是否實(shí)質(zhì)上發(fā)生變形但卻均發(fā)生光學(xué)變化的記錄部位的記錄層。對于該記錄層(A)，可以舉出能優(yōu)選利用涂布法形成的層。
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，該記錄層(A)中含有至少1種有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物吸收該激光，并且，如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)，則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，本發(fā)明的記錄層(A)優(yōu)選含有至少1種吸收激光、并且具有熱變色溫度(下面稱為變色溫度)的化合物，較優(yōu)選在400℃或400℃以下具有至少1個變色溫度的有機(jī)化合物，特別優(yōu)選在400℃或400℃以下具有至少1個變色溫度、并且在400℃或400℃以下不具有熔點(diǎn)的有機(jī)化合物作為本發(fā)明的記錄用色素。此處，本發(fā)明的變色溫度是指本發(fā)明的有機(jī)化合物在加熱前后色調(diào)發(fā)生變化時的溫度范圍，本發(fā)明的熔點(diǎn)是指本發(fā)明的有機(jī)化合物從固體狀態(tài)變化到液體狀態(tài)時的溫度范圍。作為本發(fā)明的有機(jī)化合物，優(yōu)選在400℃或400℃以下具有至少1個變色溫度的有機(jī)化合物，較優(yōu)選在400℃或400℃以下具有至少1個變色溫度、并且在400℃或400℃以下不具有熔點(diǎn)的有機(jī)化合物，而且，只要能溶于涂布法中使用的溶劑即可，沒有特別限定，可以使用1種、2種或2種以上。另外，優(yōu)選的具有變色溫度的范圍為200～400℃，較優(yōu)選200～300℃的范圍。
作為本發(fā)明的有機(jī)化合物，有具有變色溫度的有機(jī)化合物，優(yōu)選在400℃或400℃以下具有至少1個變色溫度的有機(jī)化合物，較優(yōu)選在400℃或400℃以下具有至少1個變色溫度、并且在400℃或400℃以下不具有熔點(diǎn)的有機(jī)化合物，只要是具有上述特定物性的有機(jī)化合物即可，沒有特別限定。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)是在該記錄層(A)中含有至少1種有機(jī)化合物的光記錄介質(zhì)，上述有機(jī)化合物能利用記錄激光的照射，賦予記錄后的該記錄層(A)不同于該記錄層(A)記錄前的極大吸收波長(λmax1)的極大吸收波長(λmax2)。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，本發(fā)明的記錄層(A)優(yōu)選含有至少一種下述有機(jī)化合物作為本發(fā)明的記錄用色素吸收激光，并且如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)，則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)的有機(jī)化合物；較優(yōu)選如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)、則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)時的發(fā)熱峰溫度大于或等于200℃的有機(jī)化合物；進(jìn)一步優(yōu)選如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)，則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)，并且如果加熱結(jié)晶狀態(tài)則進(jìn)行分解，而且沒有熔點(diǎn)的有機(jī)化合物。此處，所謂本發(fā)明的非結(jié)晶狀態(tài)，是指本發(fā)明的有機(jī)化合物分子沒有形成具有規(guī)則的空間配置的結(jié)晶地集合在一起的固體狀態(tài)。另外，本發(fā)明的結(jié)晶狀態(tài)是指具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)的固體狀態(tài)，可以舉出完全的單晶或微結(jié)晶的集合。在上述的該結(jié)晶狀態(tài)中，也可以部分具有非結(jié)晶狀態(tài)。本發(fā)明的熔點(diǎn)是指本發(fā)明的有機(jī)化合物由固體狀態(tài)變成液體狀態(tài)時的溫度范圍。此處，特別優(yōu)選含有至少一種在波長300nm～900nm中至少在小于400nm處具有最大的極大吸收波長的有機(jī)化合物作為本發(fā)明記錄用色素。
作為本發(fā)明的有機(jī)化合物，優(yōu)選如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)，則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)的有機(jī)化合物；較優(yōu)選如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)、則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)時的發(fā)熱峰溫度大于或等于200℃的有機(jī)化合物；進(jìn)一步優(yōu)選如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)，則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)，并且如果加熱結(jié)晶狀態(tài)，則發(fā)生分解，且沒有熔點(diǎn)的有機(jī)化合物；而且，只要能溶于涂布法中使用的溶劑即可，沒有特別限定，可以使用1種、2種或2種以上。
作為本發(fā)明的有機(jī)化合物，有吸收激光、并且如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)的有機(jī)化合物，優(yōu)選如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)時的發(fā)熱峰溫度大于或等于200℃的有機(jī)化合物，較優(yōu)選如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)、并且如果加熱結(jié)晶狀態(tài)則發(fā)生分解、而且不具有熔點(diǎn)的有機(jī)化合物。只要是滿足上述特定物性的有機(jī)化合物即可，沒有特別限定，另外，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，是在該記錄層(A)中含有至少1種有機(jī)化合物的光記錄介質(zhì)，上述有機(jī)化合物能通過記錄激光的照射，賦予記錄后的該記錄層(A)不同于該記錄層(A)記錄前的極大吸收波長(λmax1)的極大吸收波長(λmax2)。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，本發(fā)明的記錄層(A)的特征在于，通過照射記錄激光，在記錄后得到不同于該記錄層(A)記錄前的極大吸收波長(λmax1)的極大吸收波長(λmax2)。作為具體的例子，可以舉出以下記錄層，該記錄層的極大吸收波長(λmax1)與記錄再現(xiàn)波長(λ0)相比，位于短波長側(cè)(λmax1＜λ0)，通過照射記錄激光，使極大吸收波長變成λmax2，由此使λ0處的吸光度增大；或該記錄層的極大吸收波長(λmax1)與記錄再現(xiàn)波長(λ0)相比，位于長波長側(cè)(λmax1＞λ0)，通過照射記錄激光，使極大吸收波長變成λmax2，由此使λ0處的吸光度增大。
作為本發(fā)明的有機(jī)化合物，優(yōu)選賦予記錄層(A)以下性能的有機(jī)化合物，即，所述記錄層(A)的極大吸收波長(λmax1)與記錄再現(xiàn)波長(λ0)相比，位于短波長側(cè)(λmax1＜λ0)，通過照射記錄激光，使極大吸收波長變成λmax2，由此使λ0處的吸光度增大；較優(yōu)選能使記錄層(A)的與記錄再現(xiàn)波長相比在短波長側(cè)的極大吸收波長在記錄后長波長化為5nm～100nm的有機(jī)化合物，且只要能溶于涂布法中使用的溶劑即可，沒有特別限定，可以使用1種、2種或2種以上。優(yōu)選的移動波長量為10nm～50nm，較優(yōu)選20nm～40nm。
此處，本發(fā)明的極大吸收波長是指該記錄膜(A)的分光光譜中的光吸收量達(dá)到極大值時的光波長。
作為本發(fā)明的有機(jī)化合物，有可通過照射記錄激光在記錄后賦予不同于該記錄層(A)記錄前的極大吸收波長(λmax1)的極大吸收波長(λmax2)的有機(jī)化合物；優(yōu)選可賦予記錄層(A)以下性能的有機(jī)化合物，即，所述記錄層(A)的極大吸收波長(λmax1)與記錄再現(xiàn)波長(λ0)相比，位于短波長側(cè)(λmax1＜λ0)，通過照射記錄激光，使極大吸收波長變成λmax2，由此使λ0處的吸光度增大；較優(yōu)選能使記錄層(A)的與記錄再現(xiàn)波長相比處于短波長側(cè)的極大吸收波長在記錄后長波長化至5nm～100nm的有機(jī)化合物，只要是滿足上述特定物性的有機(jī)化合物即可，沒有特別限定。
另外，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)是在所述記錄層(A)中含有至少1種有機(jī)化合物的光記錄介質(zhì)，通過照射記錄再現(xiàn)波長為λ0的記錄激光，在記錄后賦予不同于該記錄層(A)記錄前在λ0處的折射率n1以及消光系數(shù)k1的折射率n2以及消光系數(shù)k2。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，本發(fā)明的記錄層(A)優(yōu)選具有以下特征通過照射記錄激光，在記錄后得到不同于該記錄層(A)記錄前在記錄再現(xiàn)波長(λ0)處的折射率n1、消光系數(shù)k1的折射率n2、消光系數(shù)k2。作為具體的例子，可以舉出通過照射記錄激光使折射率減少(n2＜n1)、消光系數(shù)增大(k2＞k1)的記錄層。
此處，本發(fā)明的折射率n和消光系數(shù)k分別相當(dāng)于該記錄膜(A)的復(fù)數(shù)折射率(N＝n-jk)的實(shí)部和虛部。
此處，闡述計算記錄后的激光照射后的復(fù)數(shù)折射率的方法。
有必要先利用圖表法或逐次近似法等計算激光照射前的記錄膜(A)的復(fù)數(shù)折射率，此種情況下，形成記錄膜(A)的基板不需要附有導(dǎo)槽，只要基板表面平坦即可，可以使用石英玻璃或聚碳酸酯。
接下來，為了計算激光照射后的復(fù)數(shù)折射率，實(shí)際上使用光記錄介質(zhì)的評價裝置，在附有導(dǎo)槽的盤片基板上進(jìn)行涂膜，對制成的光記錄介質(zhì)的記錄膜(A)的溝進(jìn)行軌道跟蹤伺服，對溝(groove)中和岸(land)間照射連續(xù)的記錄激光。
此處，剝離并除去虛設(shè)基板或反射膜，將記錄膜(A)和基板的激光照射部分剪裁成適當(dāng)?shù)那衅?，利用分光光度計，在適當(dāng)波長范圍內(nèi)測定相對記錄再現(xiàn)波長(λ0)的吸光度。(例如，λ0＝405nm時，波長范圍為300nm～500nm)該吸光度被色素膜厚d除，即可求出吸收系數(shù)α，然后利用α＝4π×k/λ的關(guān)系式求出k。n可以通過k的Kramers-Kronig變換求出。
n(ω)-1=2πP∫0∞ω′·k(ω′)(ω′)2-ω2dω′]]>PCauchy主值積分(出處“光物性手冊”朝倉書店1986年第3次印刷)作為本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)，較優(yōu)選可賦予該記錄層(A)下述特性的有機(jī)化合物，即，通過照射記錄再現(xiàn)波長為λ0的記錄激光，使λ0處的記錄后的折射率n2小于記錄前的折射率n1(Δn＝n2-n1＜0)，而且，記錄后的消光系數(shù)k2大于記錄前的消光系數(shù)k1(Δk＝k2-k1＞0)；進(jìn)一步優(yōu)選使記錄層(A)的折射率在記錄后減少0.01～1.0(Δn＝-0.01～-1.0)、而且使消光系數(shù)在記錄后增加0.005～0.5(Δk＝+0.005～+0.5)的有機(jī)化合物，只要是上述化合物即可，沒有特別限定，可以使用1種、2種或2種以上。更優(yōu)選使折射率在記錄后減少0.02～0.08(Δn＝-0.02～-0.08)、而且使消光系數(shù)在記錄后增加0.01～0.10(Δk＝+0.01～+0.10)的有機(jī)化合物。
作為本發(fā)明的有機(jī)化合物，有通過照射記錄再現(xiàn)波長為λ0的記錄激光，在記錄后賦予不同于該記錄層(A)記錄前在λ0處的折射率n1以及消光系數(shù)k1的折射率n2以及消光系數(shù)k2的有機(jī)化合物；優(yōu)選可賦予記錄層(A)下述特性的有機(jī)化合物，即，通過照射記錄再現(xiàn)波長為λ0的記錄激光，使λ0處的記錄后的折射率n2小于記錄前的折射率n1(Δn＝n2-n1＜0)，而且，使記錄后的消光系數(shù)k2大于記錄前的消光系數(shù)k1(Δk＝k2-k1＞0)；較優(yōu)選使記錄層(A)的折射率在記錄后減少0.01～1.0(Δn＝-0.01～-1.0)、而且使消光系數(shù)在記錄后增加0.005～0.5(Δk＝+0.005～+0.5)的有機(jī)化合物，進(jìn)一步優(yōu)選使折射率在記錄后減少0.02～0.08(Δn＝-0.02～-0.08)、而且使消光系數(shù)在記錄后增加0.01～0.10(Δk＝+0.01～+0.10)的有機(jī)化合物，只要是滿足上述特定物性的有機(jī)化合物即可，沒有特別限定。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的特征在于，有機(jī)化合物在溶液狀態(tài)時的吸光度的極大波長在記錄層變成薄膜狀態(tài)時向短波長側(cè)移動。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，關(guān)于用于本發(fā)明記錄層(A)的本發(fā)明的有機(jī)化合物，可以舉出該化合物在溶液狀態(tài)時的吸光度的極大波長在記錄層變成薄膜狀態(tài)時向短波長側(cè)移動的化合物。作為形成該化合物的溶液的溶劑，只要是能測定吸光度的溶劑即可，沒有特別限定，例如，可以舉出甲醇、乙醇、異丙醇、烯丙醇、甲基溶纖素、乙基溶纖素、四氟丙醇、八氟戊醇等醇類溶劑；己烷、庚烷、辛烷、癸烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、二甲基環(huán)己烷等脂肪族或脂環(huán)式烴類溶劑；甲苯、二甲苯、苯、叔丁基苯、三甲基苯等芳香族烴類溶劑；四氯化碳、氯仿、四氯乙烷、二溴乙烷等鹵代烴類溶劑；二乙基醚、二丁基醚、二異丙基醚、二氧雜環(huán)己烷等醚類溶劑；丙酮、3-羥基-3-甲基-2-丁酮、二異丙酮等酮類溶劑；乙酸乙酯、乳酸甲酯等酯類溶劑；水等。優(yōu)選四氯化碳、氯仿、四氯乙烷、二溴乙烷等鹵代烴類溶劑；四氟丙醇、八氟戊醇等醇類溶劑；進(jìn)一步優(yōu)選氯仿溶劑。
另外，變成薄膜狀態(tài)時向短波長側(cè)移動的移動量優(yōu)選大于或等于5nm，較優(yōu)選大于或等于10nm，進(jìn)一步優(yōu)選大于或等于20nm。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)是在基板上具有可利用激光記錄再現(xiàn)的記錄層(A)、并且該記錄層(A)中含有至少1種有機(jī)化合物的光記錄介質(zhì)，其特征在于，利用對該記錄層(A)照射6mW或6mW以下的記錄激光產(chǎn)生的熱和/或激光，能不使該基板發(fā)生機(jī)械變形地進(jìn)行記錄。
因此，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)具有以下優(yōu)良特征，即，沒有現(xiàn)有光記錄介質(zhì)中出現(xiàn)的細(xì)凸起或凹陷，實(shí)際上，基板無變形。
作為本發(fā)明的有機(jī)化合物的優(yōu)選例，可以更具體地舉出下面的有機(jī)化合物。
本發(fā)明記錄層(A)中使用的有機(jī)化合物，優(yōu)選含有至少1種具有由4個碳原子和2個氮原子構(gòu)成的六元環(huán)結(jié)構(gòu)、且鍵合有取代或無取代的氨基的本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的記錄層。
構(gòu)成本發(fā)明光記錄介質(zhì)的記錄層(A)優(yōu)選實(shí)質(zhì)上是由1種或1種以上的本發(fā)明有機(jī)化合物(B)組成的本發(fā)明組合物。
本發(fā)明的組合物中含有的本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的含量可以選擇可記錄再現(xiàn)的任意量，但通常為大于或等于30質(zhì)量％，優(yōu)選大于或等于60質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)質(zhì)上為100質(zhì)量％。
在本發(fā)明的記錄層(A)中，除本發(fā)明有機(jī)化合物(B)以外，還可以混合在波長290nm～690nm具有極大吸收、且在300nm～900nm的折射率大的上述有機(jī)化合物以外的化合物。另外，根據(jù)需要，還可以混合猝滅劑、化合物熱分解促進(jìn)劑、紫外線吸收劑、粘合劑、吸熱性或吸熱分解性化合物、或提高溶解性的高分子等添加劑，或者導(dǎo)入具有上述效果的化合物作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的取代基。本發(fā)明的組合物中，上述化合物的混合比例通常小于或等于40質(zhì)量％。
作為猝滅劑的具體例子，優(yōu)選乙酰丙酮化物類化合物、雙二硫代-α-二酮類化合物或二苯基二硫醇類化合物等雙二硫醇類化合物、thiocatechonal類化合物、水楊醛肟類化合物、硫代二酚鹽類化合物、甲類化合物等金屬絡(luò)合物。另外，還優(yōu)選胺類化合物。
作為化合物熱分解促進(jìn)劑，只要是能通過熱減量分析(TG分析)等確認(rèn)促進(jìn)化合物熱分解即可，沒有特別限定，例如，可以舉出金屬類防爆燃劑、金屬茂化合物、乙酰丙酮化物類金屬絡(luò)合物等金屬化合物。
作為吸熱性或吸熱分解性化合物，可以舉出特開平10-291366號公報中記載的化合物，或者具有該公報中記載的取代基的化合物。
上述各種猝滅劑、化合物熱分解促進(jìn)劑以及吸熱性或吸熱分解性化合物，根據(jù)需要，可以使用1種，也可以將2種或2種以上混合使用。
另外，根據(jù)需要還可以添加粘合劑、流平劑、消泡劑等添加物。作為優(yōu)選的粘合劑，可以舉出聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、硝基纖維素、醋酸纖維素、酮類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚氨酯樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚碳酸酯、聚烯烴等。
作為設(shè)置記錄層(A)時的涂布方法，例如，可以舉出旋涂法、噴涂法、澆鑄法、斜板式涂布(slide)法、簾涂法、模壓(extrusion)法、線涂(wire)法、凹版印刷法、擴(kuò)散(spread)涂布、滾涂法、刮涂法、浸漬法等涂布法等，其中旋涂法簡便，故優(yōu)選。
利用旋涂法等涂布法時，可以使用將本發(fā)明的化合物(B)溶解或分散在溶劑中制成的1質(zhì)量％～40質(zhì)量％、優(yōu)選3質(zhì)量％～30質(zhì)量％的涂布液，此時，優(yōu)選對基板無損壞的溶劑。作為用于涂布法的溶劑，可以舉出甲醇、乙醇、異丙醇、烯丙醇、甲基溶纖素、乙基溶纖素、四氟丙醇、八氟戊醇等醇類溶劑；己烷、庚烷、辛烷、癸烷、環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、二甲基環(huán)己烷等脂肪族或脂環(huán)式烴類溶劑；甲苯、二甲苯、苯、叔丁基苯、三甲基苯等芳香族烴類溶劑；四氯化碳、氯仿、四氯乙烷、二溴乙烷等鹵代烴類溶劑；二乙基醚、二丁基醚、二異丙基醚、二氧雜環(huán)己烷等醚類溶劑、丙酮、3-羥基-3-甲基-2-丁酮、二異丙酮等酮類溶劑；乙酸乙酯、乳酸甲酯等酯類溶劑；水等。上述溶劑可以單獨(dú)使用，或多種混合使用。作為優(yōu)選的溶劑，大氣壓下的沸點(diǎn)小于或等于150℃的溶劑在涂布后的干燥迅速，所以從制造本發(fā)明的光記錄介質(zhì)方面考慮是優(yōu)選的。而且，更優(yōu)選大氣壓下的沸點(diǎn)小于或等于150℃的醇類溶劑，特別優(yōu)選氟取代醇。具體可以舉出四氟丙醇、八氟戊醇作為優(yōu)選例子。
本發(fā)明中的有機(jī)化合物(B)特別是在上述氟取代醇中的溶解量通常大于或等于1質(zhì)量％，優(yōu)選大于或等于10質(zhì)量％，更優(yōu)選大于或等于20質(zhì)量％。
作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)具有的由4個碳原子和2個氮原子構(gòu)成的六元環(huán)結(jié)構(gòu)，可以舉出2個氮原子相鄰鍵合的1，2-二氮雜環(huán)結(jié)構(gòu)、2個氮原子中間有1個碳原子的1，3-二氮雜環(huán)結(jié)構(gòu)、2個氮原子中間有2個碳原子的1，4-二氮雜環(huán)結(jié)構(gòu)，優(yōu)選列舉1，3-二氮雜環(huán)結(jié)構(gòu)。另外，相鄰原子之間可以由單鍵、雙鍵中的任一種鍵鍵合。
作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)上鍵合的取代氨基的取代基，優(yōu)選列舉鹵原子、硝基、氰基、羥基、羧基、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的金屬茂基(metallocenyl)、取代或無取代的鏈烯基、取代或無取代的烷氧基、取代或無取代的芳烷氧基、取代或無取代的芳氧基、取代或無取代的鏈烯氧基、取代或有取代的烷硫基、取代或無取代的芳烷硫基、取代或有取代的芳硫基、取代或無取代的鏈烯硫基、取代或有取代的?；?、取代或無取代的酰氧基、取代或無取代的烷氧基羰基、取代或無取代的芳烷氧基羰基、取代或有取代的芳氧基羰基、取代或無取代的鏈烯氧基羰基、取代或無取代的氨基、或具有金屬茂殘基的基團(tuán)。
作為取代氨基的取代基的具體例子，可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵原子，硝基、氰基、羥基、羧基。
作為取代氨基的取代基的取代或無取代烷基的具體例子，包括以下取代基甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、異戊基、2-甲基丁基、1-甲基丁基、新戊基、1，2-二甲基丙基、1，1-二甲基丙基、環(huán)戊基、正己基、4-甲基戊基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、1-甲基戊基、3，3-二甲基丁基、2，3-二甲基丁基、1，3-二甲基丁基、2，2-二甲基丁基、1，2-二甲基丁基、1，1-二甲基丁基、2-乙基丁基、1-乙基丁基、1，2，2-三甲基丁基、1，1，2-三甲基丁基、1-乙基-2-甲基丙基、環(huán)己基、正庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、4-甲基己基、5-甲基己基、2，4-二甲基戊基、正辛基、2-乙基己基、2，5-二甲基己基、2，5，5-三甲基戊基、2，4-二甲基己基、2，2，4-三甲基戊基、3，5，5-三甲基己基、正壬基、正癸基、4-乙基辛基、4-乙基-4，5-甲基己基、正十一烷基、正十二烷基、1，3，5，7-四乙基辛基、4-丁基辛基、6，6-二乙基辛基、正十三烷基、6-甲基-4-丁基辛基、正十四烷基、正十五烷基、3，5-二甲基庚基、2，6-二甲基庚基、2，4-二甲基庚基、2，2，5，5-四甲基己基、1-環(huán)戊基-2，2-二甲基丙基、1-環(huán)己基-2，2-二甲基丙基等無取代的烷基；氯甲基、1-氯乙基、2-氯乙基、2-溴乙基、2-碘乙基、二氯甲基、氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、2，2，2-三氟乙基、2，2，2-三氯乙基、1，1，1，3，3，3-六氟-2-丙基、九氟丁基、全氟癸基等被鹵原子取代的烷基；羥甲基、2-羥基乙基、3-羥基丙基、4-羥基丁基、2-羥基-3-甲氧基丙基、2-羥基-3-氯丙基、2-羥基-3-乙氧基丙基、3-丁氧基-2-羥基丙基、2-羥基-3-環(huán)己氧基丙基、2-羥基丙基、2-羥基丁基、4-羥基癸基等被羥基取代的烷基；羥基甲氧基甲基、羥基乙氧基乙基、2-(2’-羥基-1’-甲基乙氧基)-1-甲基乙基、2-(3’-氟-2’-羥基丙氧基)乙基、2-(3’-氯-2-羥基丙氧基)乙基、羥基丁氧基環(huán)己基等被羥基烷氧基取代的烷基；羥基甲氧基甲氧基甲基、羥基乙氧基乙氧基乙基、[2’-(2’-羥基-1’-甲基乙氧基)-1’-甲基乙氧基]乙氧基乙基、[2’-(2’-氟-1’-羥基乙氧基)-1’-甲基乙氧基]乙氧基乙基、[2’-(2’-氯-1’-羥基乙氧基)-1’-甲基乙氧基]乙氧基乙基等被羥基烷氧基烷氧基取代的烷基；氰基甲基、2-氰基乙基、3-氰基丙基、4-氰基丁基、2-氰基-3-甲氧基丙基、2-氰基-3-氯丙基、2-氰基-3-乙氧基丙基、3-丁氧基-2-氰基丙基、2-氰基-3-環(huán)己基戊基、2-氰基丙基、2-氰基丁基等被氰基取代的烷基；
甲氧基甲基、乙氧基甲基、正丙氧基甲基、正丁氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、正丙氧基乙基、正丁氧基乙基、正己氧基乙基、(4-甲基戊氧基)乙基、(1，3-二甲基丁氧基)乙基、(2-乙基己氧基)乙基、正辛氧基乙基、(3，5，5-三甲基己氧基)乙基、(2-甲基-1-異丙基丙氧基)乙基、(3-甲基-1-異丙基丁氧基)乙基、2-乙氧基-1-甲基乙基、3-甲氧基丁基、(3，3，3-三氟丙氧基)乙基、(3，3，3-三氯丙氧基)乙基等被烷氧基取代的烷基；甲氧基甲氧基甲基、甲氧基乙氧基乙基、乙氧基乙氧基乙基、正丙氧基乙氧基乙基、正丁氧基乙氧基乙基、環(huán)己氧基乙氧基乙基、癸氧基丙氧基乙氧基、(1，2-二甲基丙氧基)乙氧基乙基、(3-甲基-1-異丁基丁氧基)乙氧基乙基、(2-甲氧基-1-甲基乙氧基)乙基、(2-丁氧基-1-甲基乙氧基)乙基、2-(2’-乙氧基-1’-甲基乙氧基)-1-甲基乙基、(3，3，3-三氟丙氧基)乙氧基乙基、(3，3，3-三氯丙氧基)乙氧基乙基等被烷氧基烷氧基取代的烷基；甲氧基甲氧基甲氧基甲基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、乙氧基乙氧基乙氧基乙基、正丁氧基乙氧基乙氧基乙基、環(huán)己氧基乙氧基乙氧基乙基、正丙氧基丙氧基丙氧基乙基、(2，2，2-三氟乙氧基)乙氧基乙氧基乙基、(2，2，2-三氯乙氧基)乙氧基乙氧基乙基等被烷氧基烷氧基烷氧基取代的烷基；甲?；谆?、2-氧代丁基、3-氧代丁基、4-氧代丁基、2，6-二氧代環(huán)己烷-1-基、2-氧代-5-叔丁基環(huán)己烷-1-基等被酰基取代的烷基；甲酰氧基甲基、乙酰氧基乙基、正丙酰氧基乙基、正丁酰氧基乙基、戊酰氧基乙基、(2-乙基己酰氧基)乙基、(3，5，5-三甲基己酰氧基)乙基、(3，5，5-三甲基己酰氧基)己基、(3-氟丁酰氧基)乙基、(3-氯丁酰氧基)乙基等被酰氧基取代的烷基；甲酰氧基甲氧基甲基、乙酰氧基乙氧基乙基、正丙酰氧基乙氧基乙基、戊酰氧基乙氧基乙基、(2-乙基己酰氧基)乙氧基乙基、(3，5，5-三甲基己?；?氧基丁氧基乙基、(3，5，5-三甲基己酰氧基)乙氧基乙基、(2-氟丙?；趸?乙氧基乙基、(2-氯丙酰氧基)乙氧基乙基等被酰氧基烷氧基取代的烷基；乙酰氧基甲氧基甲氧基甲基、乙酰氧基乙氧基乙氧基乙基、正丙酰氧基乙氧基乙氧基乙基、戊酰氧基乙氧基乙氧基乙基、(2-乙基己酰氧基)乙氧基乙氧基乙基、(3，5，5-三甲基己酰氧基)乙氧基乙氧基乙基、(2-氟丙酰氧基)乙氧基乙氧基乙基、(2-氯丙酰氧基)乙氧基乙氧基乙基等被酰氧基烷氧基烷氧基取代的烷基；甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、正丁氧基羰基甲基、甲氧基羰基乙基、乙氧基羰基乙基、正丁氧基羰基乙基、(4-乙基環(huán)己氧基羰基)環(huán)己基、(2，2，3，3-四氟丙氧基羰基)甲基、(2，2，3，3-四氯丙氧基羰基)甲基等被烷氧基羰基取代的烷基；苯氧基羰基甲基、(2-甲基苯氧基羰基)甲基、(3-甲基苯氧基羰基)甲基、(4-甲基苯氧基羰基)甲基、(4-叔丁基苯氧基羰基)甲基、苯氧基羰基乙基、(4-叔丁基苯氧基羰基)乙基、(1-萘氧基羰基)甲基、(2-萘氧基羰基)甲基、(2-苯基苯氧基羰基)乙基、(3-苯基苯氧基羰基)乙基、(4-苯基苯氧基羰基)乙基等被芳氧基羰基取代的烷基；芐氧基羰基甲基、芐氧基羰基乙基、苯乙氧基羰基甲基、(4-環(huán)己氧基芐氧基羰基)甲基等被芳烷氧基羰基取代的烷基；乙烯氧基羰基甲基、乙烯氧基羰基乙基、烯丙氧基羰基甲基、環(huán)戊二烯氧基羰基甲基、辛烯氧基羰基甲基等被鏈烯氧基羰基取代的烷基；甲氧基羰基氧基甲基、甲氧基羰基氧基乙基、乙氧基羰基氧基乙基、丁氧基羰基氧基乙基、(2，2，2-三氟乙氧基羰基氧基)乙基、(2，2，2-三氯乙氧基羰基氧基)乙基等被烷氧基羰基氧基取代的烷基；甲氧基甲氧基羰基氧基甲基、甲氧基乙氧基羰基氧基乙基、乙氧基乙氧基羰基氧基乙基、正丁氧基乙氧基羰基氧基乙基、(2，2，2-三氟乙氧基)乙氧基羰基氧基乙基、(2，2，2-三氯乙氧基)乙氧基羰基氧基乙基等被烷氧基烷氧基羰基氧基取代的烷基；
二甲基氨基甲基、二乙基氨基甲基、二正丁基氨基甲基、二正己基氨基甲基、二正辛基氨基甲基、二正癸基氨基甲基、N-異戊基-N-甲基氨基甲基、1-哌啶基甲基、二(甲氧基甲基)氨基甲基、二(甲氧基乙基)氨基甲基、二(乙氧基甲基)氨基甲基、二(乙氧基乙基)氨基甲基、二(正丙氧基乙基)氨基甲基、二(正丁氧基乙基)氨基甲基、二(2-環(huán)己氧基乙基)氨基甲基、二甲基氨基乙基、二乙基氨基乙基、二正丁基氨基乙基、二正己基氨基乙基、二正辛基氨基乙基、二正癸基氨基乙基、N-異戊基-N-甲基氨基乙基、1-哌啶基乙基、二(甲氧基甲基)氨基乙基、二(甲氧基乙基)氨基乙基、二(乙氧基甲基)氨基乙基、二(乙氧基乙基)氨基乙基、二(正丙氧基乙基)氨基乙基、二(正丁氧基乙基)氨基乙基、二(2-環(huán)己基氧基乙基)氨基乙基、二甲基氨基丙基、二乙基氨基丙基、二正丁基氨基丙基、二正己基氨基丙基、二正辛基氨基丙基、二正癸基氨基丙基、N-異戊基-N-甲基氨基丙基、1-哌啶基丙基、二(甲氧基甲基)氨基丙基、二(甲氧基乙基)氨基丙基、二(乙氧基甲基)氨基丙基、二(乙氧基乙基)氨基丙基、二(正丙氧基乙基)氨基丙基、二(正丁氧基乙基)氨基丙基、二(2-環(huán)己氧基乙基)氨基丙基、二甲基氨基丁基、二乙基氨基丁基、二-正丁基氨基丁基、二-正己基氨基丁基、二-正辛基氨基丁基、二-正癸基氨基丁基、N-異戊基-N-甲基氨基丁基、1-哌啶基丁基、二(甲氧基甲基)氨基丁基、二(甲氧基乙基)氨基丁基、二(乙氧基甲基)氨基丁基、二(乙氧基乙基)氨基丁基、二(正丙氧基乙基)氨基丁基、二(正丁氧基乙基)氨基丁基、二(2-環(huán)己氧基乙基)氨基丁基等被二烷基氨基取代的烷基；乙酰基氨基甲基、乙酰基氨基乙基、正丙?；被一⒄□；被一?、環(huán)己基羰基氨基乙基、4-甲基環(huán)己基羰基氨基乙基、琥珀酰亞胺基(Succinimino)乙基等被?；被〈耐榛?；甲基磺酰胺基(sulfonamino)甲基、甲基磺酰胺基乙基、乙基磺酰胺基乙基、正丙基磺酰胺基乙基、正辛基磺酰胺基乙基等被烷基磺酰胺基取代的烷基；
甲基磺?；谆⒁一酋；谆⒍』酋；谆⒓谆酋；一?、乙基磺?；一?、正丁磺?；一?-乙基己基磺?；一?、2，2，3，3-四氟丙基磺?；谆?，2，3，3-四氯丙基磺?；谆缺煌榛酋；〈耐榛?；苯磺?；谆⒈交酋；一?、苯磺酰基丙基、苯磺?；』?、2-甲基苯磺?；谆?-甲基苯磺?；谆?、4-甲基苯磺?；谆?-甲基苯磺?；一?-甲基苯磺?；?-甲基苯磺?；』?，4-二甲基苯磺?；谆?、2，6-二甲基苯磺?；谆?、2，4-二甲基苯磺?；一?，4-二甲基苯磺酰基丙基、2，4-二甲基苯磺酰基丁基等被芳基磺?；〈耐榛秽缍蜻谆?、吡咯啉基甲基、吡咯烷基甲基、吡唑烷基甲基、咪唑烷基甲基、噁唑基、三唑啉基甲基、嗎啉基甲基、吲哚啉基甲基、苯并咪唑啉基甲基、六氫化咔唑基甲基等被雜環(huán)基取代的烷基。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的芳烷基，有可以具有上述列舉的烷基為取代基的芳烷基、或可以具有與上述列舉的烷基所具有的取代基相同的取代基的芳烷基，作為具體例子，可以舉出芐基、苯乙基、α-甲基芐基、α，α-二甲基芐基、1-萘甲基、2-萘甲基、糠基、2-甲基芐基、3-甲基芐基、4-甲基芐基、4-乙基芐基、4-異丙芐基、4-叔丁基芐基、4-正己基芐基、4-正壬基芐基、3，4-二甲基芐基、3-甲氧基芐基、4-甲氧基芐基、4-乙氧基芐基、4-正丁氧基芐基、4-正己氧基芐基、4-正壬氧基芐基、3-氟芐基、4-氟芐基、2-氯芐基、4-氯芐基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的芳基是無取代的碳環(huán)式芳香族基團(tuán)、雜環(huán)式芳香族基團(tuán)、或、可以具有上述列舉的烷基作為取代基的碳環(huán)式芳香族基團(tuán)、雜環(huán)式芳香族基團(tuán)、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的碳環(huán)式芳香族基團(tuán)、雜環(huán)式芳香族基團(tuán)，作為具體例，可以舉出苯基、4-甲基苯基、3-甲基苯基、2-甲基苯基、4-乙基苯基、3-乙基苯基、2-乙基苯基、4-正丙基苯基、4-異丙基苯基、2-異丙基苯基、4-正丁基苯基、4-異丁基苯基、4-仲丁基苯基、2-仲丁基苯基、4-叔丁基苯基、3-叔丁基苯基、2-叔丁基苯基、4-正戊基苯基、4-異戊基苯基、4-新戊基苯基、4-叔戊基苯基、4-正己基苯基、4-(2’-乙基丁基)苯基、4-正庚基苯基、4-正辛基苯基、4-(2’-乙基己基)苯基、4-正壬基苯基、4-正癸基苯基、4-正十一烷基苯基、4-正十二烷基苯基、4-正十四烷基苯基、4-環(huán)己基苯基、4-(4’-甲基環(huán)己基)苯基、4-(4’-叔丁基環(huán)己基)苯基、3-環(huán)己基苯基、2-環(huán)己基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3，5-二甲基苯基、3，4，5-三甲基苯基、2，3，5，6-四甲基苯基、2，4-二乙基苯基、2，6-二乙基苯基、2，5-二異丙基苯基、2，6-二異丙基苯基、2，6-二異丁基苯基、2，4-二叔丁基苯基、2，5-二叔丁基苯基、4，6-二叔丁基-2-甲基苯基、5-叔丁基-2-甲基苯基、4-叔丁基-2，6-二甲基苯基、1-萘基、2-萘基、1，2，3，4-四氫-5-萘基、1，2，3，4-四氫-6-萘基、4-乙基-1-萘基、6-正丁基-2-萘基、5-茚滿基、4-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、2-甲氧基苯基、4-乙氧基苯基、3-乙氧基苯基、2-乙氧基苯基、4-正丙氧基苯基、3-正丙氧基苯基、4-異丙氧基苯基、2-異丙氧基苯基、4-正丁氧基苯基、4-異丁氧基苯基、2-仲丁氧基苯基、4-正戊氧基苯基、4-異戊氧基苯基、2-異戊氧基苯基、4-新戊氧基苯基、2-新戊氧基苯基、4-正己氧基苯基、4-(2’-乙基丁基)氧基苯基、4-正庚氧基苯基、4-正辛氧基苯基、4-正壬氧基苯基、4-正癸氧基苯基、4-正十一烷氧基苯基、4-正十二烷氧基苯基、4-正十四烷氧基苯基、4-環(huán)己氧基苯基、2-環(huán)己氧基苯基、2，3-二甲氧基苯基、2，4-二甲氧基苯基、2，5-二甲氧基苯基、3，4-二甲氧基苯基、3，5-二甲氧基苯基、3，5-二乙氧基苯基、2-甲氧基-4-甲基苯基、2-甲氧基-5-甲基苯基、2-甲基-4-甲氧基苯基、3-甲基-4-甲氧基苯基、3-甲基-5-甲氧基苯基、2-甲氧基-1-萘基、4-甲氧基-1-萘基、4-正丁氧基-1-萘基、5-乙氧基-1-萘基、6-甲氧基-2-萘基、6-乙氧基-2-萘基、6-正丁氧基-2-萘基、6-正己氧基-2-萘基、7-甲氧基-2-萘基、7-正丁氧基-2-萘基、
4-苯基苯基、3-苯基苯基、2-苯基苯基、4-(4’-甲基苯基)苯基、4-(3’-甲基苯基)苯基、4-(4’-乙基苯基)苯基、4-(4’-異丙苯基)苯基、4-(4’-叔丁基苯基)苯基、4-(4’-正己基苯基)苯基、4-(4’-正辛基苯基)苯基、4-(4’-甲氧基苯基)苯基、4-(4’-正丁氧基苯基)苯基、2-(2’-甲氧基苯基)苯基、4-(4’-氯苯基)苯基、3-甲基-4-苯基苯基、3-甲氧基-4-苯基苯基、9-苯基-2-芴基、9，9-二苯基-2-芴基、9-甲基-9-苯基-2-芴基、9-乙基-9-苯基-2-芴基、4-氟苯基、3-氟苯基、2-氟苯基、4-氯苯基、3-氯苯基、2-氯苯基、4-溴苯基、2-溴苯基、4-三氟甲基苯基、2，3-二氟苯基、2，4-二氟苯基、2，5-二氟苯基、2，6-二氟苯基、3，4-二氟苯基、3，5-二氟苯基、2，3-二氯苯基、2，4-二氯苯基、2，5-二氯苯基、3，4-二氯苯基、3，5-二氯苯基、2，5-二溴苯基、2，4，6-三氯苯基、2-氟-4-甲基苯基、2-氟-5-甲基苯基、3-氟-2-甲基苯基、3-氟-4-甲基苯基、2-甲基-4-氟苯基、2-甲基-5-氟苯基、3-甲基-4-氟苯基、2-氯-4-甲基苯基、2-氯-5-甲基苯基、2-氯-6-甲基苯基、3-氯-4-甲基苯基、2-甲基-3-氯苯基、2-甲基-4-氯苯基、3-甲基-4-氯苯基、2-氯-4，6-二甲基苯基、2，4-二氯-1-萘基、1，6-二氯-2-萘基、2-甲氧基-4-氟苯基、3-甲氧基-4-氟苯基、2-氟-4-甲氧基苯基、2-氟-4-乙氧基苯基、2-氟-6-甲氧基苯基、3-氟-4-甲氧基苯基、3-氟-4-乙氧基苯基、2-氯-4-甲氧基苯基、3-氯-4-甲氧基苯基、2-甲氧基-5-氯苯基、3-甲氧基-4-氯苯基、3-甲氧基-6-氯苯基、5-氯-2，4-二甲氧基苯基、2-羥基苯基、3-羥基苯基、4-羥基苯基、2-硝基苯基、3-硝基苯基、4-硝基苯基、2-氰基苯基、3-氰基苯基、4-氰基苯基、2-甲基-5-硝基苯基、3，5-二硝基苯基、2-羥基-4-硝基苯基等取代或無取代的碳環(huán)式芳香族基團(tuán)；4-吡啶基、3-吡啶基、2-吡啶基、4-丁基-2-吡啶基、5-甲基-2-吡啶基、6-甲基-2-吡啶基、4，6-二甲基-2-吡啶基、4-甲基-5-硝基-2-吡啶基、3-羥基-2-吡啶基、6-氟-3-吡啶基、6-甲氧基-3-吡啶基、6-甲氧基-2-吡啶基、2-嘧啶基、3-嘧啶基、4-嘧啶基、2，6-二甲基-4-嘧啶基、4-喹啉基、3-喹啉基、4-甲基-2-喹啉基、3-呋喃基、2-呋喃基、3-噻吩基、2-噻吩基，4-甲基-3-噻吩基、5-甲基-2-噻吩基、3-甲基-2-噻吩基、2-噁唑基、2-噻唑基、2-噻二唑基、2-苯并噁唑基、2-苯并噻唑基、2-苯并咪唑基等取代或無取代雜環(huán)式芳香族基團(tuán)。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的金屬茂基，包括無取代的金屬茂基、或、可以具有上述列舉的烷基作為取代基的金屬茂基、或可以具有與上述列舉的烷基所具有的取代基相同的烷基的取代基的金屬茂基，作為具體例子，可以舉出，茂鐵基、茂鈷基、茂鎳基、二氯茂鈦基、三氯鈦環(huán)戊二烯基、二(三氟甲烷磺酸酯基)茂鈦基、二氯茂鋯基、二甲基茂鋯基、二乙氧基茂鋯基、二(環(huán)戊二烯基)鉻基、二氯化二(環(huán)戊二烯基)鉬基、二氯化二(環(huán)戊二烯基)鉿基、二氯化二(環(huán)戊二烯基)鈮基、二(環(huán)戊二烯基)镥基、二(環(huán)戊二烯基)釩基、二氯化二(環(huán)戊二烯基)釩基、八甲基茂鐵基、八甲基茂鈷基、八甲基茂鎳基等取代或無取代的金屬茂基。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的鏈烯基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的鏈烯基、或可以具有與上述列舉的烷基所具有的取代基相同的取代基的鏈烯基，作為具體例子，可以舉出乙烯基、丙烯基、1-丁烯基、異丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、2-甲基-1-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2，2-二氰基乙烯基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯基、2-氰基-2-甲基砜乙烯基、苯乙烯基、4-苯基-2-丁烯基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的烷氧基，包括可以具有與上述列舉的烷基所具有的取代基相同的取代基的烷氧基，作為具體例子，可以舉出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、仲戊氧基、環(huán)戊氧基、正己氧基、1-甲基戊氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、4-甲基戊氧基、1，1-二甲基丁氧基、1，2-二甲基丁氧基、1，3-二甲基丁氧基、2，3-二甲基丁氧基、1，1，2-三甲基丙氧基、1，2，2-三甲基丙氧基、1-乙基丁氧基、2-乙基丁氧基、1-乙基-2-甲基丙氧基、環(huán)己氧基、甲基環(huán)戊氧基、正庚氧基、1-甲基己氧基、2-甲基己氧基、3-甲基己氧基、4-甲基己氧基、5-甲基己氧基、1，1-二甲基戊氧基、1，2-二甲基戊氧基、1，3-二甲基戊氧基、1，4-二甲基戊氧基、2，2-二甲基戊氧基、2，3-二甲基戊氧基、2，4-二甲基戊氧基、3，3-二甲基戊氧基、3，4-二甲基戊氧基、1-乙基戊氧基、2-乙基戊氧基、3-乙基戊氧基、1，1，2-三甲基丁氧基、1，1，3-三甲基丁氧基、1，2，3-三甲基丁氧基、1，2，2-三甲基丁氧基、1，3，3-三甲基丁氧基、2，3，3-三甲基丁氧基、1-乙基-1-甲基丁氧基、1-乙基-2-甲基丁氧基、1-乙基-3-甲基丁氧基、2-乙基-1-甲基丁氧基、2-乙基-3-甲基丁氧基、1-正丙基丁氧基、1-異丙基丁氧基、1-異丙基-2-甲基丙氧基、甲基環(huán)己氧基、正辛氧基、1-甲基庚氧基、2-甲基庚氧基、3-甲基戊氧基、4-甲基庚氧基、5-甲基庚氧基、6-甲基庚氧基、1，1-二甲基己氧基、1，2-二甲基己氧基、1，3-二甲基己氧基、1，4-二甲基己氧基、1，5-二甲基己氧基、2，2-二甲基己氧基、2，3-二甲基己氧基、2，4-二甲基己氧基、2，5-二甲基己氧基、3，3-二甲基己氧基、3，4-二甲基己氧基、3，5-二甲基己氧基、4，4-二甲基己氧基、4，5-二甲基己氧基、1-乙基己氧基、2-乙基己氧基、3-乙基己氧基、4-乙基己氧基、1-正丙基戊氧基、2-正丙基戊氧基、1-異丙基戊氧基、2-異丙基戊氧基、1-乙基-1-甲基戊氧基、1-乙基-2-甲基戊氧基、1-乙基-3-甲基戊氧基、1-乙基-4-甲基戊氧基、2-乙基-1-甲基戊氧基、2-乙基-2-甲基戊氧基、2-乙基-3-甲基戊氧基、2-乙基-4-甲基戊氧基、3-乙基-1-甲基戊氧基、3-乙基-2-甲基戊氧基、3-乙基-3-甲基戊氧基、3-乙基-4-甲基戊氧基、1，1，2-三甲基戊氧基、1，1，3-三甲基戊氧基、1，1，4-三甲基戊氧基、1，2，2-三甲基戊氧基、1，2，3-三甲基戊氧基、1，2，4-三甲基戊氧基、1，3，4-三甲基戊氧基、2，2，3-三甲基戊氧基、2，2，4-三甲基戊氧基、2，3，4-三甲基戊氧基、1，3，3-三甲基戊氧基、2，3，3-三甲基戊氧基、3，3，4-三甲基戊氧基、1，4，4-三甲基戊氧基、2，4，4-三甲基戊氧基、3，4，4-三甲基戊氧基、1-正丁基丁氧基、1-異丁基丁氧基、1-仲丁基丁氧基、1-叔丁基丁氧基、2-叔丁基丁氧基、1-正丙基-1-甲基丁氧基、1-正丙基-2-甲基丁氧基、1-正丙基-3-甲基丁氧基、1-異丙基-1-甲基丁氧基、1-異丙基-2-甲基丁氧基、1-異丙基-3-甲基丁氧基、1，1-二乙基丁氧基、1，2-二乙基丁氧基、1-乙基-1，2-二甲基丁氧基、1-乙基-1，3-二甲基丁氧基、1-乙基-2，3-二甲基丁氧基、2-乙基-1，1-二甲基丁氧基、2-乙基-1，2-二甲基丁氧基、2-乙基-1，3-二甲基丁氧基、2-乙基-2，3-二甲基丁氧基、1，1，3，3-四甲基丁氧基、1，2-二甲基環(huán)己氧基、1，3-二甲基環(huán)己氧基、1，4-二甲基環(huán)己氧基、乙基環(huán)己氧基、正壬氧基、3，5，5-三甲基己氧基、正癸氧基、正十一烷基氧基、正十二烷基氧基、1-金剛烷基氧基、正十五烷基氧基等直鏈、支鏈或環(huán)狀無取代烷氧基；甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、正丙氧基乙氧基、異丙氧基乙氧基、正丁氧基乙氧基、異丁氧基乙氧基、叔丁氧基乙氧基、仲丁氧基乙氧基、正戊氧基乙氧基、異戊氧基乙氧基、叔戊氧基乙氧基、仲戊氧基乙氧基、環(huán)戊氧基乙氧基、正己氧基乙氧基、乙基環(huán)己氧基乙氧基、正壬氧基乙氧基、(3，5，5-三甲基己氧基)乙氧基、(3，5，5-三甲基己氧基)丁氧基、正癸氧基乙氧基、正十一烷基氧基乙氧基、正十二烷基氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、3-乙氧基丙氧基、3-(正丙氧基)丙氧基、2-異丙氧基丙氧基、2-甲氧基丁氧基、2-乙氧基丁氧基、2-(正丙氧基)丁氧基、4-異丙氧基丁氧基、十氫萘氧基乙氧基、金剛烷基氧基乙氧基等被烷氧基取代的烷氧基；甲氧基甲氧基甲氧基、乙氧基甲氧基甲氧基、丙氧基甲氧基甲氧基、丁氧基甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基甲氧基、丙氧基乙氧基甲氧基、丁氧基乙氧基甲氧基、甲氧基丙氧基甲氧基、乙氧基丙氧基甲氧基、丙氧基丙氧基甲氧基、丁氧基丙氧基甲氧基、甲氧基丁氧基甲氧基、乙氧基丁氧基甲氧基、丙氧基丁氧基甲氧基、丁氧基丁氧基甲氧基、甲氧基甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基乙氧基、丙氧基甲氧基乙氧基、丁氧基甲氧基乙氧基、甲氧基乙氧基乙氧基、乙氧基乙氧基乙氧基、丙氧基乙氧基乙氧基、丁氧基乙氧基乙氧基、甲氧基丙氧基乙氧基、乙氧基丙氧基乙氧基、丙氧基丙氧基乙氧基、丁氧基丙氧基乙氧基、甲氧基丁氧基乙氧基、乙氧基丁氧基乙氧基、丙氧基丁氧基乙氧基、丁氧基丁氧基乙氧基、甲氧基甲氧基丙氧基、乙氧基甲氧基丙氧基、丙氧基甲氧基丙氧基、丁氧基甲氧基丙氧基、甲氧基乙氧基丙氧基、乙氧基乙氧基丙氧基、丙氧基乙氧基丙氧基、丁氧基乙氧基丙氧基、甲氧基丙氧基丙氧基、乙氧基丙氧基丙氧基、丙氧基丙氧基丙氧基、丁氧基丙氧基丙氧基、甲氧基丁氧基丙氧基、乙氧基丁氧基丙氧基、丙氧基丁氧基丙氧基、丁氧基丁氧基丙氧基、甲氧基甲氧基丁氧基、乙氧基甲氧基丁氧基、丙氧基甲氧基丁氧基、丁氧基甲氧基丁氧基、甲氧基乙氧基丁氧基、乙氧基乙氧基丁氧基、丙氧基乙氧基丁氧基、丁氧基乙氧基丁氧基、甲氧基丙氧基丁氧基、乙氧基丙氧基丁氧基、丙氧基丙氧基丁氧基、丁氧基丙氧基丁氧基、甲氧基丁氧基丁氧基、乙氧基丁氧基丁氧基、丙氧基丁氧基丁氧基、丁氧基丁氧基丁氧基、(4-乙基環(huán)己氧基)乙氧基乙氧基、(2-乙基-1-己氧基)乙氧基丙氧基、〔4-(3，5，5-三甲基己氧基)丁氧基〕乙氧基等被烷氧基烷氧基取代的烷氧基；甲氧基羰基甲氧基、乙氧基羰基甲氧基、正丙氧基羰基甲氧基、異丙氧基羰基甲氧基、(4’-乙基環(huán)己氧基)羰基甲氧基等被烷氧基羰基取代的烷氧基；乙酰基甲氧基、乙基羰基甲氧基、正辛基羰基甲氧基、苯甲酰甲氧基等被?；〈耐檠趸?；乙酰氧基甲氧基、乙酰氧基乙氧基、乙酰氧基己氧基、正丁酰氧基環(huán)己氧基等被酰氧基取代的烷氧基；甲基氨基甲氧基、2-甲基氨基乙氧基、2-(2-甲基氨基乙氧基)乙氧基、4-甲基氨基丁氧基、1-甲基氨基丙烷-2-基氧基、3-甲基氨基丙氧基、2-甲基氨基-2-甲基丙氧基、2-乙基氨基乙氧基、2-(2-乙基氨基乙氧基)乙氧基、3-乙基氨基丙氧基、1-乙基氨基丙氧基、2-異丙氨基乙氧基、2-(正丁氨基)乙氧基、3-(正己基氨基)丙氧基、4-(環(huán)己基氨基)丁氧基等被烷基氨基取代的烷氧基；甲基氨基甲氧基甲氧基、甲基氨基乙氧基乙氧基、甲基氨基乙氧基丙氧基、乙基氨基乙氧基丙氧基、4-(2’-異丁基氨基丙氧基)丁氧基等被烷基氨基烷氧基取代的烷氧基；
二甲基氨基甲氧基、2-二甲基氨基乙氧基、2-(2-二甲基氨基乙氧基)乙氧基、4-二甲基氨基丁氧基、1-二甲基氨基丙烷-2-基氧基、3-二甲基氨基丙氧基、2-二甲基氨基-2-甲基丙氧基、2-二乙基氨基乙氧基、2-(2-二乙基氨基乙氧基)乙氧基、3-二乙基氨基丙氧基、1-二乙基氨基丙氧基、2-二異丙氨基乙氧基、2-(二正丁基氨基)乙氧基、2-哌啶基乙氧基、3-(二正己基氨基)丙氧基等被二烷基氨基取代的烷氧基；二甲基氨基甲氧基甲氧基、二甲基氨基乙氧基乙氧基、二甲基氨基乙氧基丙氧基、二乙基氨基乙氧基丙氧基、4-(2’-二異丁基氨基丙氧基)丁氧基等被二烷基氨基烷氧基取代的烷氧基；甲硫基甲氧基、2-甲硫基乙氧基、2-乙硫基乙氧基、2-正丙硫基乙氧基、2-異丙硫基乙氧基、2-正丁硫基乙氧基、2-異丁硫基乙氧基、(3，5，5-三甲基己硫基)己氧基等被烷硫基取代的烷氧基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的芳烷氧基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的芳烷氧基、或可以具有與上述列舉的烷基所具有的取代基相同的取代基的芳烷氧基，作為具體例子，可以舉出芐氧基、4-硝基芐氧基、4-氰基芐氧基、4-羥基芐氧基、2-甲基芐氧基、3-甲基芐氧基、4-甲基芐氧基、4-三氟甲基芐氧基、1-萘基甲氧基、2-萘基甲氧基、4-氰基-1-萘基甲氧基、4-羥基-1-萘基甲氧基、6-羥基-2-萘基甲氧基、4-甲基-1-萘基甲氧基、6-甲基-2-萘基甲氧基、4-三氟甲基-1-萘基甲氧基、芴-9-基乙氧基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的芳氧基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的芳氧基、或可以具有與上述列舉的烷基所具有的取代基相同的取代基的芳氧基，作為具體例子，可以舉出苯氧基、4-甲基苯氧基、3-甲基苯氧基、2-甲基苯氧基、4-乙基苯氧基、3-乙基苯氧基、2-乙基苯氧基、4-正丙基苯氧基、4-異丙基苯氧基、2-異丙基苯氧基、4-正丁基苯氧基、4-異丁基苯氧基、4-仲丁基苯氧基、2-仲丁基苯氧基、4-叔丁基苯氧基、3-叔丁基苯氧基、2-叔丁基苯氧基、4-正戊基苯氧基、4-異戊基苯氧基、4-新戊基苯氧基、4-叔戊基苯氧基、4-正己基苯氧基、4-(2’-乙基丁基)苯氧基、4-正庚基苯氧基、4-正辛基苯氧基、4-(2’-乙基己基)苯氧基、4-正壬基苯氧基、4-正癸基苯氧基、4-正十一烷基苯氧基、4-正十二烷基苯氧基、4-正十四烷基苯氧基、4-環(huán)己基苯氧基、4-(4’-甲基環(huán)己基)苯氧基、4-(4’-叔丁基環(huán)己基)苯氧基、3-環(huán)己基苯氧基、2-環(huán)己基苯氧基、2，3-二甲基苯氧基、2，4-二甲基苯氧基、2，5-二甲基苯氧基、2，6-二甲基苯氧基、3，4-二甲基苯氧基、3，5-二甲基苯氧基、3，4，5-三甲基苯氧基、2，3，5，6-四甲基苯氧基、2，4-二乙基苯氧基、2，6-二乙基苯氧基、2，5-二異丙基苯氧基、2，6-二異丙苯氧基、2，6-二異丁基苯氧基、2，4-二叔丁基苯氧基、2，5-二叔丁基苯氧基、4，6-二叔丁基-2-甲基苯氧基、5-叔丁基-2-甲基苯氧基、4-叔丁基-2，6-二甲基苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1，2，3，4-四氫-5-萘氧基、1，2，3，4-四氫-6-萘氧基、4-乙基-1-萘氧基、6-正丁基-2-萘氧基、5-茚滿基氧基、4-甲氧基苯氧基、3-甲氧基苯氧基、2-甲氧基苯氧基、4-乙氧基苯氧基、3-乙氧基苯氧基、2-乙氧基苯氧基、4-正丙氧基苯氧基、3-正丙氧基苯氧基、4-異丙氧基苯氧基、2-異丙氧基苯氧基、4-正丁氧基苯氧基、4-異丁氧基苯氧基、2-仲丁氧基苯氧基、4-正戊氧基苯氧基、4-異戊氧基苯氧基、2-異戊氧基苯氧基、4-新戊氧基苯氧基、2-新戊氧基苯氧基、4-正己氧基苯氧基、4-(2’-乙基丁基)氧基苯氧基、4-正庚基氧基苯氧基、4-正辛基氧基苯氧基、4-正壬基氧基苯氧基、4-正癸基氧基苯氧基、4-正十一烷基氧基苯氧基、4-正十二烷基氧基苯氧基、4-正十四烷氧基苯氧基、4-環(huán)己氧基苯氧基、2-環(huán)己氧基苯氧基、2，3-二甲氧基苯氧基、2，4-二甲氧基苯氧基、2，5-二甲氧基苯氧基、3，4-二甲氧基苯氧基、3，5-二甲氧基苯氧基、3，5-二乙氧基苯氧基、2-甲氧基-4-甲基苯氧基、2-甲氧基-5-甲基苯氧基、2-甲基-4-甲氧基苯氧基、3-甲基-4-甲氧基苯氧基、3-甲基-5-甲氧基苯氧基、2-甲氧基-1-萘氧基、4-甲氧基-1-萘氧基、4-正丁氧基-1-萘氧基、5-乙氧基-1-萘氧基、6-甲氧基-2-萘氧基、6-乙氧基-2-萘氧基、6-正丁氧基-2-萘氧基、6-正己氧基-2-萘氧基、7-甲氧基-2-萘氧基、7-正丁氧基-2-萘氧基、4-苯基苯氧基、3-苯基苯氧基、2-苯基苯氧基、4-(4’-甲基苯基)苯氧基、4-(3’-甲基苯基)苯氧基、4-(4’-乙基苯基)苯氧基、4-(4’-異丙基苯基)苯氧基、4-(4’-叔丁基苯基)苯氧基、4-(4’-正己基苯基)苯氧基、4-(4’-正辛基苯基)苯氧基、4-(4’-甲氧基苯基)苯氧基、4-(4’-正丁氧基苯基)苯氧基、2-(2’-甲氧基苯基)苯氧基、4-(4’-氯苯基)苯氧基、3-甲基-4-苯基苯氧基、3-甲氧基-4-苯基苯氧基、9-苯基-2-芴基氧基、9，9-二苯基-2-芴基氧基、9-甲基-9-苯基-2-芴基氧基、9-乙基-9-苯基-2-芴基氧基、4-氟苯氧基、3-氟苯氧基、2-氟苯氧基、4-氯苯氧基、3-氯苯氧基、2-氯苯氧基、4-溴苯氧基、2-溴苯氧基、4-三氟甲基苯氧基、2，3-二氟苯氧基、2，4-二氟苯氧基、2，5-二氟苯氧基、2，6-二氟苯氧基、3，4-二氟苯氧基、3，5-二氟苯氧基、2，3-二氯苯氧基、2，4-二氯苯氧基、2，5-二氯苯氧基、3，4-二氯苯氧基、3，5-二氯苯氧基、2，5-二溴苯氧基、2，4，6-三氯苯氧基、2-氟-4-甲基苯氧基、2-氟-5-甲基苯氧基、3-氟-2-甲基苯氧基、3-氟-4-甲基苯氧基、2-甲基-4-氟苯氧基、2-甲基-5-氟苯氧基、3-甲基-4-氟苯氧基、2-氯-4-甲基苯氧基、2-氯-5-甲基苯氧基、2-氯-6-甲基苯氧基、3-氯-4-甲基苯氧基、2-甲基-3-氯苯氧基、2-甲基-4-氯苯氧基、3-甲基-4-氯苯氧基、2-氯-4，6-二甲基苯氧基、2，4-二氯-1-萘氧基、1，6-二氯-2-萘氧基、2-甲氧基-4-氟苯氧基、3-甲氧基-4-氟苯氧基、2-氟-4-甲氧基苯氧基、2-氟-4-乙氧基苯氧基、2-氟-6-甲氧基苯氧基、3-氟-4-甲氧基苯氧基、3-氟-4-乙氧基苯氧基、2-氯-4-甲氧基苯氧基、3-氯-4-甲氧基苯氧基、2-甲氧基-5-氯苯氧基、3-甲氧基-4-氯苯氧基、3-甲氧基-6-氯苯氧基、5-氯-2，4-二甲氧基苯氧基、2-羥基苯氧基、3-羥基苯氧基、4-羥基苯氧基、2-硝基苯氧基、3-硝基苯氧基、4-硝基苯氧基、2-氰基苯氧基、3-氰基苯氧基、4-氰基苯氧基、2-甲基-5-硝基苯氧基、3，5-二硝基苯氧基、2-羥基-4-硝基苯氧基等取代或無取代的碳環(huán)式芳香族氧基；4-吡啶氧基、3-吡啶氧基、2-吡啶氧基、4-甲基-2-吡啶氧基、5-甲基-2-吡啶氧基、6-甲基-2-吡啶氧基、4，6-二甲基-2-吡啶氧基、4-甲基-5-硝基-2-吡啶氧基、3-羥基-2-吡啶氧基、6-氟-3-吡啶氧基、6-甲氧基-3-吡啶氧基、6-甲氧基-2-吡啶氧基、2-嘧啶氧基、3-嘧啶氧基、4-嘧啶氧基、2，6-二甲基-4-嘧啶氧基、4-喹啉氧基、3-喹啉氧基、4-甲基-2-喹啉氧基、3-呋喃氧基、2-呋喃氧基、3-噻吩氧基、2-噻吩氧基、4-甲基-3-噻吩氧基、5-甲基-2-噻吩氧基、3-甲基-2-噻吩氧基、2-噁唑氧基、2-噻唑氧基、2-噻二唑氧基、2-苯并噁唑氧基、2-苯并噻唑氧基、2-苯并咪唑氧基等取代或無取代的雜環(huán)式芳香族氧基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的鏈烯氧基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的鏈烯氧基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的鏈烯氧基，作為具體例子，可以舉出乙烯氧基、丙烯氧基、1-丁烯氧基、異丁烯氧基、1-戊烯氧基、2-戊烯氧基、2-甲基-1-丁烯氧基、3-甲基-1-丁烯氧基、2-甲基-2-丁烯氧基、環(huán)戊二烯基氧基、2，2-二氰基乙烯氧基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯氧基、2-氰基-2-甲基砜乙烯氧基、苯乙烯氧基、4-苯基-2-丁烯氧基、肉桂氧基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的烷硫基，包括可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的烷硫基，作為具體例子，可以舉出甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、異戊硫基、新戊硫基、2-甲基丁硫基、甲基羧基乙硫基、2-乙基己硫基、3，5，5-三甲基己硫基、十氫萘硫基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的芳烷硫基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的芳烷硫基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的芳烷硫基，作為具體例子，可以舉出芐硫基、4-氰基芐硫基、4-羥基芐硫基、2-甲基芐硫基、3-甲基芐硫基、4-甲基芐硫基、4-三氟甲基芐硫基、1-萘甲硫基、4-硝基-1-萘甲硫基、4-氰基-1-萘甲硫基、4-羥基-1-萘甲硫基、4-甲基-1-萘甲硫基、4-三氟甲基-1-萘甲硫基、芴-9-基乙硫基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的芳硫基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的芳硫基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的芳硫基，作為具體例子，可以舉出苯硫基、4-甲基苯硫基、2-甲氧基苯硫基、4-叔丁基苯硫基、萘硫基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的鏈烯基硫基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的鏈烯基硫基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的鏈烯基硫基，作為具體例子，可以舉出乙烯基硫基、丙烯基硫基、1-丁烯基硫基、異丁烯基硫基、1-戊烯基硫基、2-戊烯基硫基、2-甲基-1-丁烯基硫基、3-甲基-1-丁烯基硫基、2-甲基-2-丁烯基硫基、環(huán)戊二烯基硫基、2，2-二氰基乙烯基硫基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯基硫基、2-氰基-2-甲基砜乙烯基硫基、苯乙烯基硫基、4-苯基-2-丁烯硫基、肉桂基氧基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的?；?，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的?；?、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的酰基，作為具體例子，可以舉出甲?；⒓谆驶?、乙基羰基、正丙基羰基、異丙基羰基、正丁基羰基、異丁基羰基、仲丁基羰基、叔丁基羰基、正戊基羰基、異戊基羰基、新戊基羰基、2-甲基丁基羰基、苯甲酰基、2-甲基苯甲酰基、3-甲基苯甲酰基、4-甲基苯甲酰基、4-乙基苯甲酰基、4-正丙基苯甲酰基、4-叔丁基苯甲?；?、4-硝基芐基羰基、3-正丁氧基-2-萘甲酰基、肉桂酰基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的酰氧基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的酰氧基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的酰氧基，作為具體例子，可以舉出甲酰氧基、甲基羰基氧基、乙基羰基氧基、正丙基羰基氧基、異丙基羰基氧基、正丁基羰基氧基、異丁基羰基氧基、仲丁基羰基氧基、叔丁基羰基氧基、正戊基羰基氧基、異戊基羰基氧基、新戊基羰基氧基、2-甲基丁基羰基氧基、苯甲酰氧基、2-甲基苯甲酰氧基、3-甲基苯甲酰氧基、4-甲基苯甲酰氧基、4-乙基苯甲酰氧基、4-正丙基苯甲酰氧基、4-叔丁基苯甲酰氧基、4-硝基芐基羰基氧基、3-正丁氧基-2-萘甲酰氧基、肉桂酰氧基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的烷氧基羰基，包括可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的烷氧基羰基，作為具體例子，可以舉出甲氧基羰基、乙氧基羰基、正丙氧基羰基、異丙氧基羰基、正丁氧基羰基、異丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、正戊氧基羰基、異戊氧基羰基、新戊氧基羰基、2-乙基己氧基羰基、3，5，5-三甲基己氧基羰基、十氫萘氧基羰基、環(huán)己氧基羰基、2-氯乙氧基羰基、羥基甲氧基羰基、2-羥基乙氧基羰基等烷氧基羰基；甲氧基甲氧基羰基、甲氧基乙氧基羰基、乙氧基乙氧基羰基、正丙氧基乙氧基羰基、正丁氧基乙氧基羰基、正戊氧基乙氧基羰基、正己氧基乙氧基乙基、正丁氧基丁氧基羰基、正己氧基丁氧基羰基、羥基甲氧基甲氧基羰基、羥基乙氧基乙氧基羰基等被烷氧基取代的烷氧基羰基；甲氧基甲氧基甲氧基羰基、甲氧基乙氧基乙氧基羰基、乙氧基乙氧基乙氧基羰基、正丙氧基乙氧基乙氧基羰基、正丁氧基乙氧基乙氧基羰基、正戊氧基乙氧基乙氧基羰基、正己氧基乙氧基乙氧基羰基等被烷氧基烷氧基取代的烷氧基羰基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的芳烷氧基羰基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的芳烷氧基羰基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的芳烷氧基羰基，作為具體例子，可以舉出芐氧基羰基、4-硝基芐氧基羰基、4-氰基芐氧基羰基、4-羥基芐氧基羰基、2-甲基芐氧基羰基、3-甲基芐氧基羰基、4-甲基芐氧基羰基、4-三氟甲基芐氧基羰基、1-萘基甲氧基羰基、2-萘基甲氧基羰基、4-氰基-1-萘基甲氧基羰基、4-羥基-1-萘基甲氧基羰基、6-羥基-2-萘基甲氧基羰基、4-甲基-1-萘基甲氧基羰基、6-甲基-2-萘基甲氧基羰基、4-三氟甲基-1-萘基甲氧基羰基、芴-9-基乙氧基羰基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的芳氧基羰基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的芳氧基羰基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的芳氧基羰基，作為具體例子，可以舉出苯氧基羰基、2-甲基苯氧基羰基、4-甲基苯氧基羰基、4-叔丁基苯氧基羰基、2-甲氧基苯氧基羰基、4-異丙苯氧基羰基、萘氧基羰基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的鏈烯氧基羰基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的鏈烯氧基羰基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的鏈烯氧基羰基，作為具體例子，可以舉出乙烯氧基羰基、丙烯氧基羰基、1-丁烯氧基羰基、異丁烯氧基羰基、1-戊烯氧基羰基、2-戊烯氧基羰基、環(huán)戊二烯基氧基羰基、2-甲基-1-丁烯氧基羰基、3-甲基-1-丁烯氧基羰基、2-甲基-2-丁烯氧基羰基、2，2-二氰基乙烯氧基羰基、2-氰基-2-甲基羧基乙烯氧基羰基、2-氰基-2-甲基砜乙烯氧基羰基、苯乙烯氧基羰基、4-苯基-2-丁烯氧基羰基等。
作為取代氨基的取代基的、取代或無取代的氨基，包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的氨基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的氨基，作為具體例子，可以舉出氨基、甲基氨基、乙基氨基、丙基氨基、丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、2-乙基己基氨基、環(huán)己基氨基、3，5，5-三甲基己基氨基、壬基氨基、癸基氨基等單烷基氨基，或二甲基氨基、二乙基氨基、甲基乙基氨基、二丁基氨基、哌啶基、嗎啉基、二(乙酰氧基乙基)氨基、二(丙酰氧基乙基)氨基等二烷基氨基；可以具有上述列舉的烷基作為取代基的芳烷基氨基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的芳烷基氨基，作為具體例子，可以舉出芐基氨基、苯乙基氨基、3-苯基丙基氨基、4-乙基芐基氨基、4-異丙基芐基氨基等單芳烷基氨基，或二芐基氨基、二苯乙基氨基、二(4-乙基芐基)氨基、二(4-異丙基芐基)氨基等二芳烷基氨基；可以具有上述列舉的烷基作為取代基的芳基氨基、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的芳基氨基，作為具體例子，可以舉出苯基氨基、1-萘基氨基、2-萘基氨基、2-甲基苯基氨基、3-甲基苯基氨基、4-甲基苯基氨基、2，4-二甲基苯基氨基、2，6-二甲基苯基氨基、4-乙基苯基氨基、4-異丙基苯基氨基、4-甲氧基苯基氨基、4-氯苯基氨基、4-乙?；交被?、4-甲氧基羰基苯基氨基、4-乙氧基羰基苯基氨基、4-丙氧基羰基苯基氨基等單芳基氨基，或N，N-二苯基氨基、N，N-二(3-甲基苯基)氨基、N，N-二(4-甲基苯基)氨基、N，N-二(4-乙基苯基)氨基、N，N-二(4-叔丁基苯基)氨基、N，N-二(4-正己基苯基)氨基、N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基、N，N-二(4-乙氧基苯基)氨基、N，N-二(4-正丁氧基苯基)氨基、N，N-二(4-正己氧基苯基)氨基、N，N-二(1-萘基)氨基、N，N-二(2-萘基)氨基、N-苯基-N-(3-甲基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-甲基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-正辛基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-甲氧基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-乙氧基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-正己氧基苯基)氨基、N-苯基-N-(4-氟苯基)氨基、N-苯基-N-(1-萘基)氨基、N-苯基-N-(2-萘基)氨基、N-苯基-N-(4-苯基苯基)氨基等二芳基氨基等。
取代氨基的取代基的、具有金屬茂殘基的基團(tuán)是由連接基團(tuán)和取代或無取代的金屬茂基團(tuán)形成的基團(tuán)，優(yōu)選以下述通式(a)表示的基團(tuán)。
(式中，L表示連接基團(tuán)，Qa1、Qa2分別獨(dú)立，表示氫原子、鹵原子、取代或無取代的烷基、取代或無取代的烷氧基、取代或無取代的芳基、或取代或無取代的膦基(phosphino)，M表示二價過渡金屬。)通式(a)表示的基團(tuán)中，作為Qa1和Qa2表示的鹵原子、取代或無取代的烷基、取代或無取代的烷氧基、取代或無取代的芳基的例子，可以舉出與上述取代或無取代的烷基、取代或無取代的烷氧基、取代或無取代的芳基相同的取代基。
另外，Qa1和Qa2表示的取代或無取代的膦基包括可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的膦基，作為具體例子，可以舉出二甲基膦基、二乙基膦基、二丙基膦基、二丁基膦基、二戊基膦基、二己基膦基等二烷基膦基，對甲基對苯基膦基等烷基芳基膦基，二苯基膦基、二甲苯基膦基、二(叔丁基苯基)膦基、苯基-3，5-二甲苯基膦基等二芳基膦基等。
通式(a)表示的基團(tuán)中，M表示二價過渡金屬，具體可以舉出Fe、Co、Ni、Ru、Os、Mn、Cr、W、V、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Er、Tm、Yb等，特別優(yōu)選Fe。
通式(a)表示的基團(tuán)中，L表示的連接基團(tuán)包括適當(dāng)選擇組合碳原子以及氮原子、氧原子、硫原子、磷原子、金屬原子、準(zhǔn)金屬原子等雜原子、氫原子，適當(dāng)選擇1個或多個單鍵、雙鍵和/或三鍵鍵合形成的連接基團(tuán)。
作為連接基團(tuán)L的優(yōu)選例子，可以舉出下式(b)中任一種表示的基團(tuán)等。
[式中，A表示-O-、-S-、-N(Q6)-，L1表示單鍵、取代或無取代的二價脂肪族烴基團(tuán)或取代或無取代的二價芳香族環(huán)基團(tuán)，Q1、Q2、Q6分別獨(dú)立，表示氫原子、取代或無取代的烷基，Q3表示-O-Q7-、-C(＝O)-O-Q7-、-O-C(＝O)-Q7-中的任一種表示的基團(tuán)，Q7表示單鍵、取代或無取代的二價脂肪族烴基團(tuán)，Q4表示氫原子或甲基，Q5表示-CH2-、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CH2-C(＝O)-、-CH2CH2-C(＝O)-]中的任一種表示的基團(tuán)，m是0～4的整數(shù)。]上式中，L1表示的取代或無取代的二價脂肪族烴基團(tuán)包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的二價脂肪族烴基團(tuán)、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的二價脂肪族烴基團(tuán)，作為具體例子，可以舉出亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞丁基、亞戊基、亞環(huán)戊基、亞己基、亞環(huán)己基、亞庚基、亞辛基、亞壬基、亞癸基、亞十一烷基、亞十二烷基、亞十三烷基、亞十四烷基、亞十五烷基等亞烷基；亞乙烯基、亞丙烯基、亞丁-1-烯基、亞戊-1-烯基、亞戊-2-烯基、亞癸烯基等亞鏈烯基等。
另外，上式中，L1表示的取代或無取代的二價芳香族環(huán)基團(tuán)包括可以具有上述列舉的烷基作為取代基的二價芳香族環(huán)基團(tuán)、或可以具有與上述列舉的烷基具有的取代基相同的取代基的二價芳香族環(huán)基團(tuán)，作為具體例子，可以舉出亞苯基、亞萘基、亞茚基、亞蒽基、亞芴基、亞薁基、亞并四苯基、亞基、亞芘基、亞苝基等芳香族烴基團(tuán)；亞呋喃基、亞吡咯基、3-亞吡咯啉基、亞吡咯烷基、1，3-oxoranylene基、亞吡唑基、2-亞吡唑啉基、亞吡唑烷基、亞咪唑基、亞噁唑基、亞噻唑基、1，2，3-亞噁二唑基、1，2，3-亞三唑基、1，2，4-亞三唑基、1，3、4-亞噻二唑基、4H-亞吡喃基、亞吡啶基、亞哌啶基、亞二氧雜環(huán)己烷基、亞嗎啉基、亞噠嗪基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞哌嗪基、亞三嗪基、亞苯并呋喃基、亞吲哚基、亞硫茚基、亞苯并咪唑基、亞苯并噻唑基、亞嘌呤基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞氧雜萘鄰?fù)?、亞噌啉基、亞喹喔啉基、亞二苯并呋喃基、亞咔唑基、亞菲酮基、吩噻嗪基、亞黃酮基、亞萘嵌間二氮雜苯基等雜環(huán)基等。
作為以Q1、Q2、Q6表示的取代或無取代的烷基的例子，可以舉出與上述取代或無取代的烷基相同的烷基。具體可以舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基等碳原子數(shù)為1～4的烷基。
作為以Q7表示的取代或無取代的二價脂肪族烴基的例子，可以舉出與上述取代或無取代的二價脂肪族烴基相同的基團(tuán)。具體可以舉出上述碳原子數(shù)為1～4的亞烷基，亞乙烯基、亞丙烯基、亞丁-1-烯基等碳原子數(shù)為2～4的亞鏈烯基。
本發(fā)明有機(jī)化合物(B)上鍵合的取代氨基可以是鍵合有一個上述取代基的單取代氨基或鍵合有二個上述取代基的二取代氨基中的任一種。二取代氨基的情況下，二個取代基可以通過單鍵、或通過連接基團(tuán)鍵合，還可以與取代氮原子一起形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。作為連接基團(tuán)的例子，可以舉出與上述連接基團(tuán)相同的連接基團(tuán)。
本發(fā)明的化合物(B)具有的六元環(huán)結(jié)構(gòu)以及取代或無取代的氨基的個數(shù)，沒有特別限定，但通常分別具有1～4個，優(yōu)選分別具有1～2個，進(jìn)一步優(yōu)選分別具有1個。
作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的優(yōu)選例子，更具體而言，作為可互變結(jié)構(gòu)之一，可以舉出下面通式(0)表示的化合物。
(式中，環(huán)A0表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，RA和RB表示氫原子或取代基，X0表示2價取代基，Y0表示取代或無取代的氨基，m0表示Y0的個數(shù)。)通式(0)表示的化合物中，環(huán)A0優(yōu)選表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，通式(0)表示的化合物中，環(huán)A0優(yōu)選碳原子數(shù)為6～26的取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或碳原子數(shù)為3～26的取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，較優(yōu)選碳原子數(shù)為6～20的取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或碳原子數(shù)為3-20的取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)。
作為環(huán)A0表示的芳香族環(huán)的具體例子，例如，可以舉出取代或無取代的苯環(huán)、取代或無取代的萘環(huán)、取代或無取代的并環(huán)戊二烯環(huán)、取代或無取代的苯并二茚環(huán)、取代或無取代的薁環(huán)、取代或無取代的庚搭烯環(huán)、取代或無取代的亞聯(lián)苯環(huán)、取代或無取代的菲環(huán)、取代或無取代的蒽環(huán)、取代或無取代的熒蒽環(huán)、取代或無取代的苊環(huán)、取代或無取代的苯并菲環(huán)、取代或無取代的芘環(huán)、取代或無取代的環(huán)、取代或無取代的并四苯環(huán)、取代或無取代的偕雙烯型化合物環(huán)、取代或無取代的苉環(huán)、取代或無取代的戊-1-烯-3-炔環(huán)、取代或無取代的二苯并菲環(huán)、取代或無取代的并戊苯環(huán)、取代或無取代的亞四苯基環(huán)、取代或無取代的己芬環(huán)、取代或無取代的并六苯環(huán)、取代或無取代的玉紅省環(huán)、取代或無取代的暈苯環(huán)、取代或無取代的三萘環(huán)、取代或無取代的并七苯環(huán)、取代或無取代的庚省環(huán)、取代或無取代的吡蒽環(huán)、取代或無取代的聯(lián)十苯環(huán)等碳環(huán)式芳香族環(huán)；取代或無取代的呋喃環(huán)、取代或無取代的噻吩環(huán)、取代或無取代的吡咯環(huán)、取代或無取代的吡唑環(huán)、取代或無取代的咪唑環(huán)、取代或無取代的噁唑環(huán)、取代或無取代的噻唑環(huán)、取代或無取代的吡啶環(huán)、取代或無取代的噠嗪環(huán)、取代或無取代的嘧啶環(huán)、取代或無取代的吡嗪環(huán)、取代或無取代的喹啉環(huán)、取代或無取代的異喹啉環(huán)、取代或無取代的喹喔啉環(huán)、取代或無取代的吲哚嗪環(huán)、取代或無取代的吲哚環(huán)、取代或無取代的吲唑環(huán)、取代或無取代的嘌呤環(huán)、取代或無取代的酞嗪環(huán)、取代或無取代的萘啶環(huán)、取代或無取代的喹唑啉環(huán)、取代或無取代的噌啉環(huán)、取代或無取代的蝶啶環(huán)、取代或無取代的咔啉環(huán)、取代或無取代的菲啶環(huán)、取代或無取代的吖啶環(huán)、取代或無取代的萘嵌間二氮雜苯環(huán)、取代或無取代的菲繞啉環(huán)、取代或無取代的吩嗪環(huán)、取代或無取代的呋咱環(huán)等雜環(huán)式芳香族環(huán)等。
環(huán)A0具有取代基時的取代基，是指上述的鹵原子、硝基、氰基、羥基、羧基、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的金屬茂基、取代或無取代的鏈烯基、取代或無取代的烷氧基、取代或無取代的芳烷氧基、取代或無取代的芳氧基、取代或無取代的鏈烯氧基、取代或無取代的烷硫基、取代或無取代的芳烷硫基、取代或無取代的芳硫基、取代或無取代的鏈烯硫基、取代或無取代的酰基、取代或無取代的酰氧基、取代或無取代的烷氧基羰基、取代或無取代的芳烷氧基羰基、取代或無取代的芳氧基羰基、取代或無取代的鏈烯氧基羰基、取代或無取代的氨基、或具有金屬茂殘基的基團(tuán)，作為各取代基的具體例子，可以舉出與上述取代氨基的取代基相同的取代基。
在通式(0)表示的化合物中，RA和RB表示氫原子或取代基。RA和RB表示的取代基是指鹵原子、硝基、氰基、羥基、羧基、取代或無取代的烷基、取代或無取代的芳烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的金屬茂基、取代或無取代的鏈烯基、取代或無取代的烷氧基、取代或無取代的芳烷氧基、取代或無取代的芳氧基、取代或無取代的鏈烯氧基、取代或無取代的烷硫基、取代或無取代的芳烷硫基、取代或無取代的芳硫基、取代或無取代的鏈烯硫基、取代或無取代的酰基、取代或無取代的酰氧基、取代或無取代的烷氧基羰基、取代或無取代的芳烷氧基羰基、取代或無取代的芳氧基羰基、取代或無取代的鏈烯氧基羰基、取代或無取代的氨基、或具有金屬茂殘基的基團(tuán)，作為各取代基的具體例子，可以舉出與上述取代氨基的取代基相同的取代基。
通式(0)表示的化合物中，X0表示2價取代基。作為X0表示的2價取代基的例子，例如，可以舉出氧原子、硫原子等2價原子，以＝N-R01[R01為氫原子、或與上述取代氨基的取代基的具體例子相同的取代基]表示的取代或無取代的亞氨基等。
通式(0)表示的化合物中，Y0表示取代或無取代的氨基。作為Y0表示的取代氨基的取代基的例子，可以舉出與上述取代氨基的取代基的具體例子相同的取代基。
通式(0)表示的化合物中，m0表示Y0的個數(shù)。m0表示以Y0表示的取代或無取代的氨基的個數(shù)，作為大于或等于1的整數(shù)m0的例子，通常為1～4，優(yōu)選1或2，更優(yōu)選1。通式(0)的環(huán)A0上優(yōu)選至少有1處被以Y0表示的取代或無取代的氨基取代。
另外，Y0較優(yōu)選二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子數(shù)為為1～2的取代或無取代氨基，特別優(yōu)選二甲基氨基。
與本發(fā)明通式(0)中的取代基RB取代的碳原子相鄰鍵合的RB中的原子含有氫原子時，或通式(0)中的取代基RA為氫原子時，具有可互變結(jié)構(gòu)，所以可能存在互變異構(gòu)體。
作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的更優(yōu)選例，可以舉出作為互變結(jié)構(gòu)之一的以下面通式(1)表示的化合物。
(式中、環(huán)A和環(huán)B表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，R表示氫原子或取代基，X表示2價取代基，Y表示取代或無取代的氨基，m表示Y的個數(shù)。)通式(1)表示的化合物中，環(huán)A和環(huán)B分別獨(dú)立，表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)。
作為通式(1)的環(huán)A和環(huán)B表示的取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)的例子，可以舉出作為上述環(huán)A0的取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)的具體例子，具有取代基時也可以舉出相同的取代基。
通式(1)表示的化合物中，R表示氫原子或取代基。R表示的取代基例子可以舉出與上述RA和RB的具體例子相同的取代基。
通式(1)表示的化合物中，X表示2價取代基。作為X表示的2價取代基的例子，可以舉出與上述X0的具體例子相同的取代基。
通式(1)表示的化合物中，Y表示取代或無取代的氨基。Y表示的取代或無取代的氨基的例子，可以舉出與上述Y0的具體例子相同的取代基。通式(1)的環(huán)A上有至少1處被Y表示的取代或無取代的氨基取代是優(yōu)選的。Y較優(yōu)選二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子數(shù)為1～2的取代或無取代的氨基，特別優(yōu)選二甲基氨基。
通式(1)表示的化合物中，m表示Y的個數(shù)。以m表示的Y的個數(shù)與上述m0的具體例子相同的數(shù)。
本發(fā)明通式(1)表示的化合物具有可互變結(jié)構(gòu)，所以可能有互變異構(gòu)體。具體而言，是以下面的通式(1)和通式(101)～(103)表示的結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明中，為了簡便，給出通式(1)的結(jié)構(gòu)，也可以是具有通式(101)～(103)的結(jié)構(gòu)的化合物，還可以是具有通式(1)和通式(101)～(103)各結(jié)構(gòu)的化合物的混合物，可以自由使用。
在本發(fā)明通式(1)表示的化合物中，R表示氫原子時，除上述互變異構(gòu)體結(jié)構(gòu)以外，還有下面通式(104)～(106)表示的結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明的通式(104)～(106)表示的化合物中，X為氧原子或硫原子時，除上述互變異構(gòu)體結(jié)構(gòu)以外，還有下面通式(107)～(110)表示的結(jié)構(gòu)。
(式中，X1表示氧原子或硫原子。)
作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的更優(yōu)選例子，可以舉出作為互變結(jié)構(gòu)之一的以下面通式(2)表示的化合物。
(式中，環(huán)C表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，X’表示2價取代基，R0～R6分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，m’表示R5的個數(shù)，n’表示R6的個數(shù)。其中，選自R1～R4的至少1個或1個以上基團(tuán)是取代或無取代氨基，在R1～R4的組合及R5～R6的組合中，對于每個組合內(nèi)的各取代基，還可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)，m’和n’分別表示0、大于或等于1的整數(shù)。)在通式(2)表示的化合物中，環(huán)C表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)。
作為以通式(2)的環(huán)C表示的取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)的具體例子，可以舉出與上述環(huán)A和環(huán)B相同的環(huán)。
在通式(2)表示的化合物中，X’表示2價取代基。作為X’表示的2價取代基的具體例子，可以舉出與上述X表示的2價取代基相同的基團(tuán)。
在通式(2)表示的化合物中，R0～R6分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，m’表示R5的個數(shù)，n’表示R6的個數(shù)。其中，選自R1～R4的至少1個或1個以上基團(tuán)是取代或無取代的氨基，在R1～R4的組合及R5～R6的組合中，每個組合內(nèi)的各取代基分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
作為以R0～R6表示的取代基的具體例子，可以舉出與上述RA和RB的具體例子相同的取代基。此處，R2優(yōu)選取代或無取代的氨基。取代或無取代的氨基的具體例子可以舉出上述取代或無取代的氨基，優(yōu)選二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子數(shù)為1～2的取代或無取代的氨基，特別優(yōu)選二甲基氨基。
作為在通式(2)的R1～R4的組合以及R5～R6的組合中，每個組合內(nèi)的各取代基分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)時的連接基團(tuán)，可以舉出與上述連接基團(tuán)L相同的基團(tuán)。
R5、R6或R5和R6通過連接基團(tuán)鍵合并與取代位置的原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)時，優(yōu)選至少其一具有雜環(huán)殘基，該雜環(huán)殘基含有至少一個雜原子。此處，所謂“含有雜原子”是指在單一或多個碳原子-碳原子之間、和/或碳原子-氫原子之間具有1個或1個以上相同或不同的雜原子。
此處所說的雜原子是指碳原子和氫原子以外的原子，優(yōu)選舉出氧原子、硫原子、氮原子。
作為含有至少1個雜原子的雜環(huán)殘基，優(yōu)選舉出含有1～4個雜原子的雜環(huán)殘基，作為更優(yōu)選例，可以舉出含有至少1～4個選自氧原子、硫原子、氮原子的雜原子的雜環(huán)殘基。
作為含有1個雜原子的雜環(huán)殘基的具體例子，可以舉出取代或無取代的呋喃環(huán)、二氫呋喃環(huán)、四氫呋喃環(huán)、吡喃環(huán)、二氫吡喃環(huán)、四氫吡喃環(huán)等含氧雜環(huán)殘基；取代或無取代的吡咯環(huán)、吡咯啉環(huán)、吡咯烷環(huán)、吡啶環(huán)、哌啶環(huán)等含氮雜環(huán)殘基；取代或無取代的噻吩環(huán)、二氫噻吩環(huán)、四氫噻吩環(huán)、1，1-二氧代四氫噻吩環(huán)等含硫雜環(huán)殘基。
作為含有2個雜原子的雜環(huán)殘基的具體例子，可以舉出取代或無取代的1，2-二氧雜環(huán)戊烷、1，3-二氧雜環(huán)戊烷、1，2-二氧雜環(huán)己烷、1，3-二氧雜環(huán)己烷、1，4-二氧雜環(huán)己烷、二氧雜環(huán)己烯等含氧雜環(huán)殘基；取代或無取代的噁唑烷環(huán)、噁唑環(huán)、吡唑環(huán)、吡唑啉環(huán)、吡唑烷環(huán)、咪唑環(huán)、嗎啉環(huán)、噠嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、吡嗪環(huán)、哌嗪環(huán)等含氮雜環(huán)殘基；
取代或無取代的噻唑環(huán)、噻唑烷環(huán)、噻唑啉環(huán)等含硫雜環(huán)殘基。
作為含有3個雜原子的雜環(huán)殘基的具體例子，可以舉出取代或無取代的三噁烷環(huán)等含氧雜環(huán)殘基；取代或無取代的1，3，5-三嗪環(huán)、1，2，4-三嗪環(huán)、1，2，3-三嗪環(huán)、1，3，5-六氫三嗪環(huán)、1，2，4-六氫三嗪環(huán)、1，2，3-六氫三嗪環(huán)、噁二唑環(huán)等含氮雜環(huán)殘基；取代或無取代的三噻烷環(huán)、噻二唑環(huán)等含硫雜環(huán)殘基。
作為含有4個雜原子的雜環(huán)殘基的具體例子，可以舉出取代或無取代的四唑環(huán)、四嗪環(huán)等含氮雜環(huán)殘基。
在通式(2)表示的化合物中，m’表示R5的個數(shù)。m’表示以R5表示的取代基的個數(shù)，為0或大于或等于1的整數(shù)，例如，通常為0～4，優(yōu)選為0～2，更優(yōu)選為1。
在通式(2)表示的化合物中，n’表示R6的個數(shù)。n’表示以R6表示的取代基的個數(shù)，為0或大于或等于1的整數(shù)，例如，通常為0～4，優(yōu)選為0～2，更優(yōu)選為1。
作為通式(2)的可互變結(jié)構(gòu)的具體例子，可以舉出與通式(101)～(110)表示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，也可以是各結(jié)構(gòu)的混合物，可以自由使用。
作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的更優(yōu)選例，可以舉出作為可互變結(jié)構(gòu)之一的以下面通式(3)表示的化合物。
(式中，環(huán)D表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，X”表示2價取代基，R7～R12分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基。其中，選自R8～R11的至少1個基團(tuán)是取代或無取代的氨基，R8～R11分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)在通式(3)表示的化合物中，環(huán)D表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)。
作為以通式(3)的環(huán)D表示的取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)的具體例子，可以舉出與上述環(huán)A和環(huán)B相同的環(huán)。
在通式(3)表示的化合物中，X”表示2價取代基。作為X”表示的2價取代基的具體例子，可以舉出與上述X表示的2價取代基相同的基團(tuán)。
在通式(3)表示的化合物中，R7～R12分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，選自R8～R11的至少1個基團(tuán)是取代或無取代的氨基，R8～R11分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。作為以R7～R12表示的取代基的具體例子，可以舉出與上述RA和RB的具體例子相同的取代基。此處，R8～R11、以及R9優(yōu)選為取代或無取代的氨基。取代或無取代的氨基的具體例子可以舉出上述的取代或無取代的氨基，優(yōu)選二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子數(shù)為1～2的取代或無取代的氨基，特別優(yōu)選二甲基氨基。
作為構(gòu)成以R7～R12表示的各取代基的原子，優(yōu)選列舉選自碳原子、氫原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子。
對于通式(3)的R8～R11組合內(nèi)的各取代基，作為分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合、并且與取代位置的碳原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)時的連接基團(tuán)的例子，可以舉出與上述連接基團(tuán)L相同的基團(tuán)。
另外，通式(3)的R12優(yōu)選具有雜環(huán)殘基的取代基，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子。作為具體的取代基例，可以舉出上述雜環(huán)殘基取代的取代基，優(yōu)選列舉取代或無取代的哌嗪環(huán)、嗎啉環(huán)、二氧雜環(huán)己烷環(huán)、吡咯烷環(huán)等雜環(huán)殘基取代的取代烷氧基、取代氨基，具體的例子包括4-甲基哌嗪基甲氧基、4-甲基哌嗪基乙氧基、4-甲基哌嗪基丙氧基、4-甲基哌嗪基丁氧基、4-乙基哌嗪基甲氧基、4-乙基哌嗪基乙氧基、4-乙基哌嗪基丙氧基、4-乙基哌嗪基丁氧基、4-丙基哌嗪基甲氧基、4-丙基哌嗪基乙氧基、4-丙基哌嗪基丙氧基、4-丙基哌嗪基丁氧基、4-丁基哌嗪基甲氧基、4-丁基哌嗪基乙氧基、4-丁基哌嗪基丙氧基、4-丁基哌嗪基丁氧基、嗎啉基甲氧基、嗎啉基乙氧基、嗎啉基丙氧基、嗎啉基丁氧基、1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基甲氧基、1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基乙氧基、1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基丙氧基、1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基丁氧基、2-氧雜吡咯烷基甲氧基、2-氧雜吡咯烷基乙氧基、2-氧雜吡咯烷基丙氧基、2-氧雜吡咯烷基丁氧基等雜環(huán)殘基鍵合的烷氧基；二(4-甲基哌嗪基甲基)氨基、二(4-甲基哌嗪基乙基)氨基、二(4-甲基哌嗪基丙基)氨基、二(4-甲基哌嗪基丁基)氨基、二(4-乙基哌嗪基甲基)氨基、二(4-乙基哌嗪基乙基)氨基、二(4-乙基哌嗪基丙基)氨基、二(4-乙基哌嗪基丁基)氨基、二(4-丙基哌嗪基甲基)氨基、二(4-丙基哌嗪基乙基)氨基、二(4-丙基哌嗪基丙基)氨基、二(4-丙基哌嗪基丁基)氨基、二(4-丁基哌嗪基甲基)氨基、二(4-丁基哌嗪基乙基)氨基、二(4-丁基哌嗪基丙基)氨基、二(4-丁基哌嗪基丁基)氨基、二(4-嗎啉基甲基)氨基、二(4-嗎啉基乙基)氨基、二(4-嗎啉基丙基)氨基、二(4-嗎啉基丁基)氨基、二(1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基甲基)氨基、二(1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基乙基)氨基、二(1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基丙基)氨基、二(1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基丁基)氨基、二(2-氧雜吡咯烷基甲基)氨基、二(2-氧雜吡咯烷基乙基)氨基、二(2-氧雜吡咯烷基丙基)氨基、二(2-氧雜吡咯烷基丁基)氨基等雜環(huán)殘基鍵合的取代氨基；4-甲基哌嗪基甲基氨基、4-甲基哌嗪基乙基氨基、4-甲基哌嗪基丙基氨基、4-甲基哌嗪基丁基氨基、4-乙基哌嗪基甲基氨基、4-乙基哌嗪基乙基氨基、4-乙基哌嗪基丙基氨基、4-乙基哌嗪基丁基氨基、4-丙基哌嗪基甲基氨基、4-丙基哌嗪基乙基氨基、4-丙基哌嗪基丙基氨基、4-丙基哌嗪基丁基氨基、4-丁基哌嗪基甲基氨基、4-丁基哌嗪基乙基氨基、4-丁基哌嗪基丙基氨基、4-丁基哌嗪基丁基氨基、4-嗎啉基甲基氨基、4-嗎啉基乙基氨基、4-嗎啉基丙基氨基、4-嗎啉基丁基氨基、1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基甲基氨基、1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基乙基氨基、1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基丙基氨基、1，3-二氧雜環(huán)己烷-2-基丁基氨基、2-氧雜吡咯烷基甲基氨基、2-氧雜哌嗪基乙基氨基、2-氧雜吡咯烷基丙基氨基、2-氧雜吡咯烷基丁基氨基等雜環(huán)殘基鍵合的單取代氨基。
作為通式(3)的可互變結(jié)構(gòu)的具體例子，可以舉出與通式(101)～(110)表示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，也可以是各結(jié)構(gòu)的混合物，可以自由使用。
作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的更優(yōu)選例，可以舉出作為可互變結(jié)構(gòu)之一的以下面通式(4)所示的化合物。
(式中，R13～R25分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R14～R18的組合以及R21～R25的組合中，每個組合內(nèi)的各取代基可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)在通式(4)表示的化合物中，R13～R25分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R14～R18的組合以及R21～R25的組合中，每個組合內(nèi)的各取代基可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。作為以R13～R25表示的取代基的具體例子，可以列舉與上述RA和RB的具體例子相同的取代基。此處，R21～R25中的至少1個取代基優(yōu)選是具有雜環(huán)殘基的取代基，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子。較優(yōu)選為具有雜環(huán)殘基的取代烷氧基，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子。作為具體例子，可以列舉與上述通式(3)中以R12表示的具有雜環(huán)殘基的取代基相同的基團(tuán)，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子。
作為構(gòu)成以R13～R25表示的各取代基的原子，優(yōu)選列舉選自碳原子、氫原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子。
作為在通式(4)的R14～R18的組合以及R21～R25的組合中，每個組合內(nèi)的各取代基分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合、并且與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)時的連接基團(tuán)，可以舉出與上述連接基團(tuán)L相同的基團(tuán)。
鍵合在通式(4)的化合物上、鍵合有R15和R16的取代氨基的鍵合位置優(yōu)選喹唑啉結(jié)構(gòu)的6位。作為取代或無取代氨基的具體例子，可以舉出上述取代或無取代的氨基，優(yōu)選二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子數(shù)為1～2的取代或無取代的氨基，特別優(yōu)選二甲基氨基。
作為通式(4)的可互變結(jié)構(gòu)的具體例子，可以舉出與通式(101)～(110)表示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，也可以是各結(jié)構(gòu)的混合物，可以自由使用。
作為本發(fā)明有機(jī)化合物(B)的更優(yōu)選的例子，可以舉出作為可互變結(jié)構(gòu)之一的以下面通式(5)表示的化合物。
(式中，R26～R35分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R26～R30的組合以及R31～R35的組合中，每個組合內(nèi)的各取代基可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。)在通式(5)表示的化合物中，R26～R35分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R26～R30的組合以及R31～R35的組合中，每個組合內(nèi)的各取代基可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。作為以R26～R35表示的取代基的具體例子，可以列舉與上述RA和RB的具體例子相同的取代基。此處，R31～R35優(yōu)選為具有雜環(huán)殘基的取代基，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子。較優(yōu)選為具有雜環(huán)殘基的取代烷氧基，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子，作為具體例子，可以列舉與上述通式(3)中以R12表示的具有雜環(huán)殘基的取代烷氧基相同的基團(tuán)，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子。作為特別優(yōu)選的例子，可以列舉2-氧雜吡咯烷基甲氧基、2-氧雜吡咯烷基乙氧基、2-氧雜吡咯烷基丙氧基、2-氧雜吡咯烷基丁氧基等雜環(huán)殘基鍵合的烷氧基。
作為構(gòu)成以R26～R35表示的各取代基的原子，優(yōu)選列舉選自碳原子、氫原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子。
作為在通式(5)的R26～R30的組合以及R31～R35的組合中，每個組合內(nèi)的各取代基分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合、并且與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)時的連接基團(tuán)，可以舉出與上述連接基團(tuán)L相同的基團(tuán)。
作為取代或無取代氨基的具體例子，可以舉出上述取代或無取代的氨基，優(yōu)選二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子數(shù)為1～2的取代或無取代的氨基，特別優(yōu)選二甲基氨基。
作為通式(5)的可互變結(jié)構(gòu)的具體例子，可以舉出與通式(101)～(110)表示的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)，也可以是各結(jié)構(gòu)的混合物，可以自由使用。
本發(fā)明的記錄層(A)中含有的有機(jī)化合物(B)可以優(yōu)選使用上述通式(0)～通式(5)的化合物。較優(yōu)選含有具有雜環(huán)殘基的取代基的化合物，其中雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子，進(jìn)一步優(yōu)選含有具有雜環(huán)殘基的取代烷氧基的化合物，其中雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子，作為具體例子，可以列舉與通式(3)中以R12表示的取代烷氧基相同的取代烷氧基。
特別優(yōu)選1～2個甲基取代的氨基取代在喹唑啉環(huán)的6位的化合物，優(yōu)選二甲基氨基、甲基氨基、乙基氨基等碳原子數(shù)為1～2的取代或無取代的氨基，特別優(yōu)選二甲基氨基。
另外，在本發(fā)明中，作為用于本發(fā)明光記錄介質(zhì)的記錄層的有機(jī)化合物，喹唑啉-4-酮環(huán)的5～8位中的任一個位置具有二取代氨基的通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物是優(yōu)選的新型化合物。

(式中，R36～R41分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基。)在通式(6)表示的化合物中，R36～R41分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R36～R40的組合中，各組合內(nèi)的各取代基也可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。作為以R36～R41表示的取代基的具體例子，可以列舉與上述RA和RB的具體例子相同的取代基。
作為在通式(6)的R36～R41的組合中，各組合內(nèi)的各取代基分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)時的連接基團(tuán)的例子，可以舉出與上述連接基團(tuán)L相同的基團(tuán)。
作為本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中使用的有機(jī)化合物(B)的具體例子，例如可以舉出下面的化合物，但本發(fā)明并不限于這些化合物。
表1
化合物例 作為本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)，優(yōu)選的以通式(0)表示的化合物，例如，可以利用下面的方法制備。即，例如，使以下述通式(10)表示的化合物和以通式(11)表示的化合物，在存在/或不存在溶劑的條件下，根據(jù)需要進(jìn)行加熱，使其反應(yīng)，由此可以制備以通式(0)表示的化合物。另外，反應(yīng)時，還可以根據(jù)需要使用催化劑。
作為反應(yīng)時使用的溶劑，可以列舉戊烷、己烷、庚烷、辛烷等烴類溶劑；環(huán)丁砜等含硫溶劑；N-甲基-2-吡咯烷酮、1，3-二甲基咪唑烷-2-酮等酰胺類溶劑；1-氯萘、1，2-二氯苯等鹵代芳香族溶劑；硝基苯等硝基化芳香族溶劑；醋酸、丙酸、丁酸等有機(jī)酸溶劑；四氫呋喃、二氧雜環(huán)己烷、二丁基醚等醚類溶劑等。另外，作為催化劑可以舉出異喹啉、1，8-二氮二環(huán)[5.4.0]-7-十一碳烯、1，5-二氮二環(huán)[4.3.0]-5-壬烯等胺類化合物，醋酸、丙酸、丁酸等有機(jī)酸化合物，醋酸鈀、氯化鈀、氧化鈀等金屬鹽。
只要能使反應(yīng)進(jìn)行即可，對反應(yīng)溫度沒有特別限制，加熱溫度優(yōu)選大于或等于30℃，較優(yōu)選大于或等于50℃，進(jìn)一步優(yōu)選大于或等于100℃。
關(guān)于通式(0)表示的化合物的制備方法，例如可以使以下述通式(13)表示的化合物和下述通式(14)表示的化合物在存在/或不存在溶劑、存在/或不存在堿的條件下，根據(jù)需要加熱反應(yīng)，由此可以制備通式(0)表示的化合物。另外，反應(yīng)時，還可以根據(jù)需要使用催化劑。
H-Y0m0(14)[上式中，環(huán)A0、RA、RB、X0、Y0以及m0與通式(0)中的A0、RA、RB、X0、Y0以及m0定義相同，Z0表示離去基團(tuán)。]反應(yīng)時使用的溶劑、催化劑可以舉出與上述的溶劑、催化劑相同的物質(zhì)。
另外，加熱溫度也可以與上述的加熱溫度相同。
反應(yīng)時使用的堿，例如可以列舉甲醇鈉、乙醇鈉、丙醇鈉、丁醇鈉、甲醇鉀、乙醇鉀、丙醇鉀、丁醇鉀等金屬醇鹽化合物。
對通式(13)中以Z0表示的離去基團(tuán)沒有特別限定，只要是使用以通式(14)表示的胺類化合物將通式(13)表示的化合物氨基化時，能隨氨基化而離去的基團(tuán)即可，可以選擇任意基團(tuán)。具體例子可以列舉氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子；芳基磺酰氧基、烷基磺酰氧基等取代磺酰氧基等。
作為本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)優(yōu)選的以通式(1)表示的化合物，例如可以利用下面的方法制備。即，例如，使以下面的通式(15)表示的化合物和下面的通式(16)表示的化合物在存在/或不存在溶劑的條件下加熱反應(yīng)，由此可以制備通式(1)表示的化合物。另外，反應(yīng)時，還可以根據(jù)需要使用催化劑。
[式中，環(huán)A、環(huán)B、X以及R與通式(1)中的環(huán)A、環(huán)B、X以及R的定義相同，m1和m2分別獨(dú)立，表示0或大于或等于1的整數(shù)，且與通式(1)中的整數(shù)m之間滿足m1+m2＝m的關(guān)系。]反應(yīng)時使用的溶劑、催化劑可以舉出與上述的溶劑、催化劑相同的物質(zhì)。
另外，加熱溫度也可以與上述的加熱溫度相同。
以通式(2)表示的化合物可以使用以下面的通式(17)表示的化合物和下面的通式(18)表示的化合物，利用上述反應(yīng)同樣地制備。
[式中，環(huán)C、X’、R0～R6、m’、n’與通式(2)的環(huán)C、X’、R0～R6、m’、n’的定義相同。]以通式(3)表示的化合物可以如下制備，例如，利用上述的反應(yīng)，使以下面的通式(19)表示的化合物和下面的通式(20)表示的化合物同樣地進(jìn)行反應(yīng)，得到下面的通式(21)表示的化合物后，在存在/或不存在溶劑的條件下，與通式(22)表示的胺類化合物通過加熱進(jìn)行反應(yīng)，由此制備通式(3)表示的化合物。反應(yīng)時，還可以根據(jù)需要使用催化劑。
[式中，環(huán)D、X”、R7～R12與通式(2)的環(huán)D、X”、R7～R12的定義相同。]以通式(4)表示的化合物可以如下制備，例如，利用上述的反應(yīng)，使以下面的通式(23)表示的化合物和下面的通式(24)表示的化合物同樣地進(jìn)行反應(yīng)，得到下面的通式(25)表示的化合物后，與通式(26)表示的胺類化合物進(jìn)行反應(yīng)，由此制備通式(4)表示的化合物。
[式中，R13～R25與通式(4)的R13～R25的定義相同。]以通式(5)表示的化合物可以如下制備，例如，利用上述的反應(yīng)，使以下面的通式(27)表示的化合物和下面的通式(28)表示的化合物同樣地進(jìn)行反應(yīng)，得到下面的通式(29)表示的化合物后，與通式(30)表示的胺類化合物進(jìn)行反應(yīng)，由此制備通式(5)表示的化合物。
[式中，R26～R35與通式(5)的R26～R35的定義相同。]通式(27)可以根據(jù)上述制備通式(0)表示的化合物的方法進(jìn)行制備，還可以利用下面所示的合成方法合成。即，使下面的通式(7)表示的化合物和通式(8)和/或通式(9)表示的化合物在存在/或不存在溶劑、存在/或不存在堿的條件下，根據(jù)需要進(jìn)行加熱，使其反應(yīng)，由此可以制備通式(6)表示的化合物。
R37-Z1(8)R38-Z2(9)[式中，R36～R41表示與通式(6)的R36～R41相同的基團(tuán)。Z1、Z2表示離去基團(tuán)。]在通式(8)和通式(9)中，Z1和Z2表示的離去基團(tuán)，沒有特別限定，，只要是在使用通式(8)和/或通式(9)表示的化合物對以通式(7)表示的化合物進(jìn)行取代反應(yīng)時，能隨取代反應(yīng)而離去的基團(tuán)即可，可以選擇任意基團(tuán)。具體可以列舉氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子；芳基磺酰氧基、烷基磺酰氧基等取代磺酰氧基等。
相對1mol通式(7)表示的化合物，通式(8)或通式(9)表示的化合物的使用量優(yōu)選1.0～10mol，進(jìn)一步優(yōu)選2.0～6.0mol。
本發(fā)明的反應(yīng)是在存在或不存在溶劑的條件下進(jìn)行的。作為使用的溶劑，只要是不阻礙反應(yīng)進(jìn)行的溶劑即可，沒有特別限定，例如，可以舉出甲醇、乙醇、異丙醇等醇類溶劑；N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺類溶劑；1，3-二甲基-2-咪唑烷酮等尿素類溶劑；二甲亞砜、環(huán)丁砜等亞砜類溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族類溶劑等，優(yōu)選使用酰胺類溶劑、亞砜類溶劑等非質(zhì)子類溶劑，進(jìn)一步優(yōu)選使用N，N-二甲基甲酰胺、二甲亞砜。上述溶劑可以單獨(dú)使用，也可以二種或二種以上混合使用。
上述溶劑的使用量需要根據(jù)反應(yīng)溶液的均一性和攪拌速度等調(diào)整，相對1重量份通式(7)表示的化合物，優(yōu)選為0重量份～50重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為0重量份～30重量份。
作為本發(fā)明反應(yīng)中使用的堿性化合物的例子，可以選擇碳酸鉀、氫化鈉等無機(jī)堿試劑；叔丁醇鉀等堿金屬衍生物醇鹽以及叔丁基鋰等有機(jī)堿試劑等各種物質(zhì)，優(yōu)選無機(jī)堿試劑，進(jìn)一步優(yōu)選碳酸鉀、氫化鈉。
相對1mol通式(7)表示的化合物，上述堿性化合物的使用量優(yōu)選0.1～5.0mol，進(jìn)一步優(yōu)選0.5～2.5mol。
本發(fā)明的反應(yīng)通常采用在空氣環(huán)境下或氮?dú)猸h(huán)境下進(jìn)行攪拌等方法進(jìn)行。此時的反應(yīng)溫度通常為-20～100℃，低于50℃時，能抑制副產(chǎn)物的生成，故優(yōu)選。此處的副產(chǎn)物是喹唑啉-4-酮環(huán)的3位的亞氨基NH處取代有取代基的化合物。較優(yōu)選反應(yīng)溫度為10～50℃，進(jìn)一步優(yōu)選10～40℃，特別優(yōu)選15～30℃。另外，對反應(yīng)壓力沒有特別限定，在大氣壓下可以充分進(jìn)行。反應(yīng)時間優(yōu)選15分鐘～1天，進(jìn)一步優(yōu)選30分鐘～15小時。
作為本發(fā)明的優(yōu)選反應(yīng)例，可以舉出混合通式(7)～(9)表示的化合物、堿性化合物以及溶劑，并進(jìn)行攪拌。需要說明的是，對于通式(7)～(9)表示的化合物、堿性化合物以及溶劑的混合順序沒有特別限定，可以根據(jù)需要自由進(jìn)行。
作為終產(chǎn)物的通式(6)表示的化合物，在反應(yīng)結(jié)束后，例如，可以利用濃縮、蒸餾、重結(jié)晶、柱層析等常規(guī)方法進(jìn)行分離、純化。或投入不良溶劑中，經(jīng)過濾、洗滌、干燥等操作而制得。
制作圖2或圖3所示的光記錄介質(zhì)時，在基板上成膜記錄層(A)時，為了提高基板的耐溶劑性或反射率、記錄靈敏度等，還可以在基板上設(shè)置無機(jī)物或聚合物組成的層。
記錄層(A)的膜厚為10nm～1000nm，優(yōu)選20nm～300nm。如果記錄層(A)的膜厚小于10nm，則由于熱擴(kuò)散大，因此有時無法進(jìn)行記錄，或發(fā)生記錄信號漂移，而且信號振幅變小。另外，如果膜厚大于1000nm，則有可能出現(xiàn)反射率降低，再現(xiàn)信號特性惡化。
接下來，優(yōu)選在記錄層(A)上形成50nm～300nm厚度的反射層。為了提高反射率或?yàn)榱烁纳泼芎闲?，可以在記錄?A)和反射層之間設(shè)置反射放大層或粘合層。作為反射層的材料，可以使用在再現(xiàn)光的波長下反射率足夠高的物質(zhì)，例如，Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta以及Pd，上述金屬可以單獨(dú)使用，也可以制成合金進(jìn)行使用。其中，Au、Ag、Al反射率高，適合用作反射層的材料。利用藍(lán)色激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)時，優(yōu)選Al或Ag。除此以外，還可以含有下面的物質(zhì)。例如，可以列舉Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等金屬或準(zhǔn)金屬。另外，利用以Ag或Al為主要成分的物質(zhì)容易得到反射率高的反射層，故優(yōu)選。也可以利用金屬以外的材料，交替層合低折射率薄膜和高折射率薄膜，形成多層膜，用作反射層。
形成反射層的方法，可以列舉濺鍍法、離子電鍍法、化學(xué)蒸鍍法、真空蒸鍍法等。另外，為了提高反射率、改善記錄特性、改善再現(xiàn)光穩(wěn)定性、提高粘結(jié)性等，還可以在基板上面或反射層下面設(shè)置公知的無機(jī)或有機(jī)類中間層、粘合層。
作為反射層上形成的保護(hù)層的材料，只要是能保護(hù)反射層免受外力破壞的材料即可，沒有特別限定。作為無機(jī)物質(zhì)，可以列舉SiO2、Si3N4、MgF2、AlN、SnO2、TiO2等。作為有機(jī)物質(zhì)，可以列舉熱塑性樹脂、熱固性樹脂、電子射線固化型樹脂、紫外線固化型樹脂等。將熱塑性樹脂、熱固性樹脂等溶解于適當(dāng)?shù)娜軇?，調(diào)制涂布液后，涂布該涂布液，進(jìn)行干燥，即可形成。紫外線固化型樹脂可以直接進(jìn)行涂布，或?qū)⑵淙芙庥谶m當(dāng)?shù)娜軇┲姓{(diào)制涂布液后，涂布該涂布液，并照射紫外線使其固化，即可形成。作為紫外線固化型樹脂，可以使用聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙烯酸酯樹脂。上述材料可以單獨(dú)使用或混合使用，可以形成1層膜，還可以形成多層膜。
形成保護(hù)層的方法，可以與記錄層同樣地使用旋涂法或澆鑄法等涂布法或?yàn)R鍍法或化學(xué)蒸鍍法等方法，其中優(yōu)選旋涂法。
保護(hù)層的膜厚通常在0.1μm～100μm的范圍內(nèi)，本發(fā)明中為3μm～30μm，較優(yōu)選5μm～20μm。
還可以在保護(hù)層的上面進(jìn)一步印刷標(biāo)簽、條形碼等。
另外，還可以使用在反射層面上貼合保護(hù)薄片或基板，或以反射層面為內(nèi)側(cè)，彼此對向地貼合2張光記錄介質(zhì)等的方法。
為了保護(hù)表面或?yàn)榱朔乐够覊m等的附著，可以在基板鏡面?zhèn)瘸赡ぷ贤饩€固化型樹脂、無機(jī)類薄膜等。
制作如圖4所示的光記錄介質(zhì)時，優(yōu)選在基板上，形成1nm～300nm厚度的反射層。為了提高反射率或改善密合性，可以在記錄層(A)和反射層之間設(shè)置反射放大層或粘結(jié)層。作為反射層的材料，可以使用在再現(xiàn)光的波長下反射率足夠高的材料，例如，Al、Ag、Ni以及Pt，上述金屬可以單獨(dú)使用，也可以制成合金后使用。其中，Ag、Al反射率高，故適合用作反射層的材料。除此以外，還可以根據(jù)需要含有下面的物質(zhì)。例如，可以列舉Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Au、Cu、Ti、Cr、Pd、Ta等金屬或準(zhǔn)金屬。利用以Ag或Al為主要成分的物質(zhì)容易得到反射率高的反射層，故優(yōu)選。也可以利用金屬以外的材料，交替層合低折射率薄膜和高折射率薄膜，形成多層膜，作為反射層。
形成反射層的方法，可以列舉濺鍍法、離子電鍍法、化學(xué)蒸鍍法、真空蒸鍍法等。另外，為了提高反射率、改善記錄特性、提高密合性等，還可以在反射層上面設(shè)置公知的無機(jī)或有機(jī)類中間層、粘合層。
接下來，在反射層上制作記錄層(A)時，為了提高反射層的耐溶劑性或反射率、記錄靈敏度等，還可以在反射層上設(shè)置由無機(jī)物或聚合物組成的層。
設(shè)置記錄層(A)的方法，可以列舉旋涂法、噴涂法、澆鑄法、斜板式涂布法、簾涂法、模壓法、線涂法、凹版印刷布、擴(kuò)散涂布、滾涂法、刮涂法、浸漬法等涂布法等，其中旋涂法簡便，故優(yōu)選。
利用旋涂法等涂布法時，使用將本發(fā)明化合物(B)溶解或分散在溶劑中形成的1質(zhì)量％～40質(zhì)量％、優(yōu)選3質(zhì)量％～30質(zhì)量％的涂布液，此時，溶劑優(yōu)選不損傷反射層的溶劑。
作為涂布法中使用的溶劑，可以列舉與上述溶劑相同的溶劑。這些溶劑可以單獨(dú)使用，也可以多種混合使用。作為優(yōu)選的溶劑，由于大氣壓下沸點(diǎn)小于或等于150℃的溶劑在涂布后干燥迅速，有利于制造本發(fā)明光記錄介質(zhì)，故優(yōu)選。較優(yōu)選大氣壓下沸點(diǎn)小于或等于150℃的醇類溶劑，特別優(yōu)選氟取代醇。作為優(yōu)選例子，具體可以列舉四氟丙醇、八氟戊醇。
記錄層(A)的膜厚通常為1nm～1000nm，優(yōu)選5nm～300nm。如果記錄層(A)的膜厚小于1nm，則有可能無法記錄，或記錄信號漂移、而且信號振幅變小。如果膜厚大于1000nm，則有可能反射率降低、再現(xiàn)信號特性惡化。
作為在記錄層(A)上形成的保護(hù)層的材料，只要是能保護(hù)記錄層(A)免受外力或環(huán)境氣體等來自外部的不良影響的材料即可，沒有特別限定。作為無機(jī)物質(zhì)，可以列舉SiO2、Si3N4、MgF2、AlN、SnO2、TiO2等。作為有機(jī)物質(zhì)，可以列舉熱塑性樹脂、熱固性樹脂、電子射線固化型樹脂、紫外線固化型樹脂等。將熱塑性樹脂、熱固性樹脂等溶解于適當(dāng)?shù)娜軇{(diào)制涂布液后，涂布該涂布液，進(jìn)行干燥，即可形成。紫外線固化型樹脂可以直接進(jìn)行涂布，或?qū)⑵淙芙庥谶m當(dāng)?shù)娜軇┲姓{(diào)制涂布液后，涂布該涂布液，并照射紫外線使其固化，即可形成。作為紫外線固化型樹脂，可以使用聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等丙烯酸酯樹脂。上述材料可以單獨(dú)使用或混合使用，可以形成1層膜，還可以形成多層膜。
形成保護(hù)層的方法，可以與記錄層(A)相同地使用旋涂法或澆鑄法等涂布法或?yàn)R鍍法或化學(xué)蒸鍍法等方法，其中優(yōu)選旋涂法。另外，不能選擇對記錄層無損壞的溶劑的情況下，與形成記錄層時的條件相同，可以列舉濺鍍法、化學(xué)蒸鍍法或真空蒸鍍法等。如特開平11-273147號公報中記載的通過感壓性粘合薄片或干式光敏聚合物薄片等粘合層形成保護(hù)層，或利用感壓性粘合薄片或干式光敏聚合物薄片本身作為保護(hù)層。
在記錄層(A)上形成保護(hù)層時，為了提高記錄層的耐溶劑性或反射率、記錄靈敏度，還可以在記錄層(A)上設(shè)置由無機(jī)物和聚合物組成的層。
保護(hù)層的膜厚通常在0.01μm～1000μm的范圍內(nèi)，根據(jù)需要可以為0.1μm～100μm，進(jìn)一步為1μm～20μm。
另外，還可以使用在基板面上貼合保護(hù)薄片或反射層，或以基板面為內(nèi)側(cè)，彼此對向地貼合2張光記錄介質(zhì)等的方法。
為了保護(hù)表面或防止灰塵等的附著，還可以在保護(hù)層面?zhèn)刃纬勺贤饩€固化型樹脂、無機(jī)類薄膜等。
為了保護(hù)介質(zhì)整體，在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，例如，還可以設(shè)置軟盤或光磁盤片上所見的保護(hù)盤片的外殼型保護(hù)單元?？梢允褂盟芰匣蜾X等金屬作為材料。
作為基材的材質(zhì)，只要在記錄光和再現(xiàn)光波長處基本上為透明即可。作為支持基板的材質(zhì)，圖5所示，考慮到通過基板11照射藍(lán)紫色激光的情況，可以利用丙烯酸樹脂、聚乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、環(huán)氧樹脂等高分子材料或玻璃等無機(jī)材料等透明材料。另一方面，如圖6所示，從與基板11’相反的透光層15’側(cè)照射激光的情況下，基板的材質(zhì)不需要滿足光學(xué)上的各項(xiàng)必要條件，可以在更廣泛的材料中選擇。從基板所要求的機(jī)械特性或基板生產(chǎn)率方面考慮，優(yōu)選丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂等可注塑成型或澆鑄成型的材料。上述基板材料可以利用注塑成型法等在基板上形成圓盤狀。
還可以根據(jù)需要，在上述基板的表層，螺旋狀或同心圓狀地形成亞微米級的導(dǎo)槽和/或預(yù)制溝。上述導(dǎo)槽和預(yù)制溝優(yōu)選在基板形成時賦予，可以利用使用母盤的注塑成型或使用光敏聚合物的熱轉(zhuǎn)印法賦予。另外，也可以在圖6中的透光層15’上形成導(dǎo)槽和/或預(yù)制溝，賦予時也可以使用同樣的方法。在進(jìn)行高于DVD的高密度記錄的HD-DVD-R的情況下，導(dǎo)槽的間距優(yōu)選在0.25～0.80μm的范圍內(nèi)選擇，深度優(yōu)選在20～150nm的范圍內(nèi)選擇。
通常，作為光盤使用時，可以是厚度為1.2mm左右、直徑為80至120mm左右的圓盤狀，也可以在中央具有直徑為15mm左右的孔。
本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可對選自波長為300nm～900nm的記錄激光波長和再現(xiàn)激光波長進(jìn)行記錄再現(xiàn)，其中，對從波長390nm～430nm、尤其是波長400nm～410nm范圍選出的記錄激光波長以及再現(xiàn)激光波長，能得到良好的C/N比，而且，再現(xiàn)光穩(wěn)定性良好，能得到高品質(zhì)信號特性。
此處，本發(fā)明中所說的波長300nm～900nm的激光，沒有特別限定，可以列舉能在可見光區(qū)域的大范圍內(nèi)進(jìn)行波長選擇的色素激光，或氮激光(337nm)等氣體激光，波長為445nm的氦鎘激光、波長為457nm或波長為488nm的氬激光等離子激光，波長為400～410nm的GaN類激光，起振使用摻雜了Cr的LiSnAlF6的波長860nm的紅外線激光的第2高頻波430nm的激光、He-Ne激光(633nm)，除此以外，還可以舉出波長415nm、425nm、602nm、612nm、635nm、647nm、650nm、660nm、670nm、680nm、780nm、830nm等可見半導(dǎo)體激光等半導(dǎo)體激光等。在本發(fā)明中，可以根據(jù)進(jìn)行記錄或再現(xiàn)的記錄層的感應(yīng)波長適當(dāng)選擇上述激光。高密度記錄和再現(xiàn)分別優(yōu)選使用從上述激光、進(jìn)而小于或等于430nm的激光、特別是小于或等于410nm的激光選出的單波長或多波長激光。
另外，對激光的記錄能量沒有特別限定，優(yōu)選較小能量。本發(fā)明記錄層(A)的記錄激光能量通常小于或等于10mW，優(yōu)選小于或等于8mW，進(jìn)一步優(yōu)選小于或等于6mW。激光的再現(xiàn)能量沒有特別限定，優(yōu)選較小能量。本發(fā)明記錄層(A)的再現(xiàn)激光能量通常小于或等于2mW，優(yōu)選小于或等于1mW，進(jìn)一步優(yōu)選小于或等于0.7mW。
在本發(fā)明的光記錄介質(zhì)中，可以采用小于或等于5mW的記錄激光能量進(jìn)行記錄，基板不變形，而且記錄、再現(xiàn)也非常優(yōu)異。所以，可利用小的記錄激光能量進(jìn)行記錄再現(xiàn)，并使多軌道記錄特性優(yōu)異。而且，調(diào)制度高，信號良好。
下面列舉本發(fā)明的實(shí)施例，但本發(fā)明并不限定于下述實(shí)施例。需要說明的是，熔點(diǎn)測定利用熔點(diǎn)測定儀(BUCHI制B-540)以20℃/分鐘的升溫速度進(jìn)行測定，發(fā)熱峰測定使用示差掃描熱分析裝置((株)島津制作所制DSC-50)進(jìn)行測定。吸光光譜使用分光光度計((株)島津制作所制UV-1600)進(jìn)行測定。記錄層表面的觀察利用掃描電子顯微鏡(SEM)((株)日立高科技制S-4500)以及掃描探針顯微鏡(AFM)(DIGITAL INSTRUMENT社制NanoScope(注冊商標(biāo))III)進(jìn)行。另外，核磁共振光譜利用FT-NMR光譜儀(日本電子(株)制GSX270)進(jìn)行分析，質(zhì)譜利用液質(zhì)分析裝置((株)島津制作所制LCMS-QP8000α)或FD-MS質(zhì)譜裝置(日本電子(株)制SX-102A)進(jìn)行分析。
化合物A-1的合成在170份四氫噻吩-1，1-二氧化物中，添加16.9份均苯四甲酸酐，升溫至200℃。然后，加入15.7份下式(B-1)表示的化合物，在同溫度下攪拌10小時。反應(yīng)結(jié)束后，冷卻至40℃或40℃以下，注入到850份甲苯中，過濾析出物，用甲苯洗滌，干燥，得到28.0份下式(a-1)表示的化合物(收率為91％)。接下來，將7.7份下式(a-1)表示的化合物、8.2份2-二茂鐵-5-[3-(4-甲基哌嗪-1-基)丙氧基]苯胺、300份1-甲基-2-吡咯烷酮以及30份甲苯，在150℃下攪拌11小時。反應(yīng)結(jié)束后，冷卻至40℃或40℃以下，注入到2000份甲醇中，過濾析出物。然后，將過濾物溶解在氯仿中后，利用硅膠柱層析(洗脫劑氯仿/甲醇＝9/1)進(jìn)行純化。用甲醇洗滌得到的固體物質(zhì)，干燥，得到5.7份下式(A-1)表示的化合物(收率為37％)。
化合物(A-1)的物理性質(zhì)如下所示。
·MS(m/z)819·變色溫度＜390℃·熔點(diǎn)＞400℃·如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)，則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)時的發(fā)熱峰溫度233℃·在氯仿溶液中，于300nm～900nm范圍內(nèi)的最大極大吸收波長389.5nm·薄膜在波長405nm處的折射率n11.83·薄膜在波長405nm處的消光系數(shù)k10.18[制造例2]化合物A-2的合成混合6.0份上述(a-1)表示的化合物、6.0份2-二茂鐵-5-[2-(N-嗎啉基)乙氧基]苯胺、300份1-甲基-2-吡咯烷酮以及30份甲苯，在150℃下攪拌11小時。反應(yīng)結(jié)束后，冷卻至40℃或40℃以下，注入到1000份甲醇中，過濾析出物。然后，將過濾物溶解在氯仿中后，利用硅膠柱層析(洗脫劑氯仿/甲醇＝95/5)進(jìn)行純化。用甲醇洗滌得到的固體物質(zhì)，干燥，得到2.6份下式(A-2)表示的化合物(收率為22％)。
化合物(A-2)的物理性質(zhì)如下所示。
·MS(m/z)792·變色溫度＜300℃·熔點(diǎn)＞400℃·如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)，則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)時的發(fā)熱峰溫度245℃·在氯仿溶液中，于300nm～900nm范圍的最大極大吸收波長394.5nm·薄膜在波長405nm處的折射率n11.80·薄膜在波長405nm處的消光系數(shù)k10.20[實(shí)施例1-1]將0.2g本例化合物編號A-1溶解于10ml 2，2，3，3-四氟-1-丙醇，調(diào)制色素溶液。
在聚碳酸酯樹脂制、具有連續(xù)導(dǎo)槽(軌道間距0.6μm、槽寬0.30μm，間距比率50％，槽深度50nm)、外徑為120mmΦ、厚度為0.6mm的圓盤狀基板上，旋涂上述色素溶液，與70℃干燥3小時，在基板的導(dǎo)槽上形成膜厚為60nm的記錄層。利用Balzers社制濺鍍裝置(CDI-900)在記錄層上濺鍍銀，形成厚度為120nm的反射層。濺鍍氣體使用氬氣。濺鍍條件為濺鍍能量為3.75kW，濺鍍壓力為1.06Pa(8.0×10-3Torr)。
進(jìn)一步在反射層上旋涂紫外線固化型樹脂“SD-1700”(大日本油墨化學(xué)工業(yè)制)，然后照射紫外線，形成厚度為5μm的保護(hù)層。再在保護(hù)層上旋涂紫外線固化型樹脂DESOLITE“KZ-8681”(JSR株式會社制)后，載置與上述基板相同的聚碳酸酯樹脂基板(虛設(shè)板)，照射紫外線，使基板貼合，制作光記錄介質(zhì)。利用該方法再制作2張相同的光記錄介質(zhì)，共計得到3張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)。此處，取1張制作的光記錄介質(zhì)，在未記錄的狀態(tài)下剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層，并將其切成適當(dāng)?shù)那衅梅止夤舛扔嫓y定300nm～500nm波長區(qū)域的吸光度，結(jié)果極大吸收波長＝368nm，比氯仿中的極大吸收波長小21.5nm，在405nm處的吸光度＝0.18。
另外，取1張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)進(jìn)行下面的評價試驗(yàn)。
利用搭載了波長405nm、開口數(shù)0.65的藍(lán)色激光頭的評價儀(PULSTEC工業(yè)制型號DDU-1000)，在CLOCK頻率為33MHz、線速度為3.8m/s的條件下，使用1-7調(diào)制方式的隨機(jī)信號圖案數(shù)據(jù)，以4.8mW的記錄激光能量，在溝(groove)中進(jìn)行記錄，結(jié)果形成光學(xué)變化大、形狀良好的標(biāo)記，并且可以高密度記錄。記錄后，利用同一評價儀，以0.4mW的再現(xiàn)能量進(jìn)行再現(xiàn)，結(jié)果得到高信號調(diào)制度，單一軌道記錄再現(xiàn)的抖晃以及3個連續(xù)軌道記錄再現(xiàn)抖晃之差小于1％，幾乎沒有相鄰軌道的信號重疊(cross light)，能夠確認(rèn)多軌道記錄特性非常優(yōu)異。取1張記錄后的光記錄介質(zhì)，剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層，利用電子顯微鏡觀察該記錄部位。在利用電子顯微鏡(SEM)觀察時，未見基板變形或色素膜形成凹陷。使用AFM測定記錄層在厚度方向上的變化量，結(jié)果為記錄部位的記錄層膜厚和未記錄部位的記錄層膜厚之差小于15nm，記錄部位相對未記錄部位的膜厚變化率小于25％。然后，用2，2，3，3-四氟-1-丙醇沖洗露出的色素層，并進(jìn)行觀察，確認(rèn)基板上無機(jī)械變形。
再取1張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，在整個該光記錄介質(zhì)上，不開啟on·off調(diào)制地以4.8mW的穩(wěn)定激光能量在溝(groove)和岸(land)上連續(xù)記錄，然后剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層。將其裁剪成適當(dāng)?shù)那衅?，利用分光光度計測定300nm～500nm波長區(qū)域的吸光度，結(jié)果極大吸收波長為393nm，向長波長側(cè)移動(移動長度＝25nm)，進(jìn)行記錄再現(xiàn)的405nm處的吸光度增大至0.21。此處，用預(yù)先測定的溝中色素膜厚d除吸光度，求出激光照射后的消光系數(shù)α，根據(jù)α和消光系數(shù)k2的關(guān)系式(k2＝λ·α/4π)求得k2。激光照射后的n2可以根據(jù)Kramers-Kronig的關(guān)系式求出。在波長405nm處，n2＝1.77、k2＝0.22。變化量Δn(n2-n1)＝-0.06，Δk(k2-k1)＝+0.04。
在實(shí)施例1-1中，除了使用示例化合物編號A-2的化合物代替示例化合物編號A-1的化合物以外，利用實(shí)施例1-1中所述的方法制作3張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，并與實(shí)施例1-1相同地進(jìn)行各種測定。
取1張制作的光記錄介質(zhì)，在未記錄狀態(tài)下，剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層，并將其裁剪成適當(dāng)?shù)那衅?，利用分光光度計測定300nm～500nm波長區(qū)域的吸光度，結(jié)果極大吸收波長＝368nm，比氯仿中的極大吸收波長小26.5nm，405nm處的吸光度＝0.20。
另外，取1張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，與實(shí)施例1-1相同地進(jìn)行評價試驗(yàn)，結(jié)果形成光學(xué)變化大、形狀良好的標(biāo)記，并且可以高密度記錄。記錄后，利用同一評價儀，以0.4mW的再現(xiàn)能量進(jìn)行再現(xiàn)，結(jié)果得到高信號調(diào)制度，單一軌道記錄再現(xiàn)的抖晃以及3個連續(xù)軌道記錄再現(xiàn)抖晃之差小于1％，幾乎沒有相鄰軌道的信號重疊，能夠確認(rèn)多軌道記錄特性非常優(yōu)異。取1張記錄后的光記錄介質(zhì)，剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層，并利用電子顯微鏡觀察該記錄部位。在利用電子顯微鏡(SEM)觀察時，未見基板變形或色素膜形成凹陷。使用AFM測定記錄層在厚度方向上的變化量，結(jié)果為記錄部位的記錄層膜厚和未記錄部位的記錄層膜厚之差小于15nm，記錄部位相對未記錄部位的膜厚變化率小于25％。然后，用2，2，3，3-四氟-1-丙醇沖洗露出的色素層，并進(jìn)行觀察，確認(rèn)基板上無機(jī)械變形。
再取1張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，在整個該光記錄介質(zhì)上，不開啟on.off調(diào)制，利用4.8mW的穩(wěn)定激光能量在溝(groove)和岸(land)上連續(xù)記錄，然后剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層。將其裁剪成適當(dāng)?shù)那衅梅止夤舛扔嫓y定300nm～500nm波長區(qū)域的吸光度，結(jié)果極大吸收波長為395nm，向長波長側(cè)移動(移動長度＝27nm)，進(jìn)行記錄再現(xiàn)的405nm處的吸光度增大至0.22。與實(shí)施例1-1相同地進(jìn)行計算，結(jié)果為在波長405nm處，n2＝1.75、k2＝0.22。變化量Δn(n2-n1)＝-0.05，Δk(k2-k1)＝+0.04。
示例化合物編號A-3的化合物物理性質(zhì)為變色溫度＜300℃，熔點(diǎn)＞400℃，如果加熱非結(jié)晶狀態(tài)、則伴隨發(fā)熱形成結(jié)晶狀態(tài)時的發(fā)熱峰溫度241℃，在氯仿溶液中、300nm～900nm范圍內(nèi)的最大極大吸收波長397.5nm，薄膜在波長405nm處的折射率n11.80、消光系數(shù)k10.18。
在實(shí)施例1-1中，除了使用示例化合物編號A-3的化合物代替示例化合物編號A-1的化合物以外，利用實(shí)施例1-1中所述的方法制作3張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，并進(jìn)行與實(shí)施例1-1相同的各種測定。
取1張制作的光記錄介質(zhì)，剝離未記錄的虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層，并將其裁剪成適當(dāng)?shù)那衅?，利用分光光度計測定300nm～500nm波長區(qū)域的吸光度，結(jié)果極大吸收波長＝372nm，比氯仿中的極大吸收波長小25.5nm。
另外，取1張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，進(jìn)行與實(shí)施例1-1相同的評價試驗(yàn)，結(jié)果形成光學(xué)變化大、形狀良好的標(biāo)記，并且可以高密度記錄。記錄后，利用同一評價儀，以0.4mW的再現(xiàn)能量進(jìn)行再現(xiàn)，結(jié)果得到高信號調(diào)制度，單一軌道記錄再現(xiàn)的抖晃以及3個連續(xù)軌道記錄再現(xiàn)抖晃之差小于1％，幾乎沒有相鄰軌道的信號重疊，能夠確認(rèn)多軌道記錄特性非常優(yōu)異。取1張記錄后的光記錄介質(zhì)，剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層，并利用電子顯微鏡觀察該記錄部位。在利用電子顯微鏡(SEM)觀察時，未見基板變形或色素膜形成凹陷。使用AFM測定記錄層在厚度方向上的變化量，結(jié)果為記錄部位的記錄層膜厚和未記錄部位的記錄層膜厚之差小于15nm，記錄部位相對未記錄部位的膜厚變化率小于25％。然后，用2，2，3，3-四氟-1-丙醇沖洗露出的色素層，并進(jìn)行觀察，確認(rèn)基板上無機(jī)械變形。
再取1張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)，在整個該光記錄介質(zhì)上，不開啟on·off調(diào)制，利用4.8mW的穩(wěn)定激光能量在溝(groove)和岸(land)上連續(xù)記錄，然后剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層。將其裁剪成適當(dāng)?shù)那衅?，利用分光光度計測定300nm～500nm波長區(qū)域的吸光度，結(jié)果極大吸收波長為391nm，向長波長側(cè)移動(移動長度＝19nm)，進(jìn)行記錄再現(xiàn)的405nm處的吸光度增大。與實(shí)施例1-1相同地進(jìn)行計算，結(jié)果為在波長405nm處，n2＝1.76、k2＝0.22。變化量Δn(n2-n1)＝-0.04，Δk(k2-k1)＝+0.04。
在實(shí)施例1-1中，除了使用示例化合物編號A-4～A-6的化合物代替示例化合物編號A-1的化合物以外，利用實(shí)施例1-1中所述的方法分別制作3張本實(shí)施例的光記錄介質(zhì)。分別取1張制作的光記錄介質(zhì)，在未記錄的狀態(tài)下，剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層，并將其裁剪成適當(dāng)?shù)那衅?，利用分光光度計測定300nm～500nm波長區(qū)域的吸光度，與氯仿中的極大吸收波長比較，極大吸收波長都縮短10nm或10nm以上。
與實(shí)施例1-1相同地進(jìn)行評價試驗(yàn)，結(jié)果形成光學(xué)變化大、形狀良好的標(biāo)記，并且可以高密度記錄。記錄后，利用同一評價儀，以0.4mW的再現(xiàn)能量進(jìn)行再現(xiàn)，結(jié)果得到高信號調(diào)制度，單一軌道記錄再現(xiàn)的抖晃以及3個連續(xù)軌道記錄再現(xiàn)的抖晃之差小于1％，幾乎沒有相鄰軌道的信號重疊，能夠確認(rèn)多軌道記錄特性非常優(yōu)異。
取1張各實(shí)施例中得到的記錄后的光記錄介質(zhì)，與實(shí)施例1-1相同地利用電子顯微鏡觀察該記錄部位，在利用電子顯微鏡(SEM)觀察時，未見基板變形或色素膜形成凹陷，而且，使用AFM測定記錄層在厚度方向上的變化量，結(jié)果為記錄部位的記錄層膜厚和未記錄部位的記錄層膜厚之差小于15nm，記錄部位相對未記錄部位的膜厚變化率小于25％。然后，用2，2，3，3-四氟-1-丙醇沖洗露出的色素層，并進(jìn)行觀察，確認(rèn)基板上無機(jī)械變形。
再使用1張各本實(shí)施例得到的光記錄介質(zhì)，在整個該光記錄介質(zhì)上，不開啟on·off調(diào)制，利用4.8mW的穩(wěn)定激光能量在溝(groove)和岸(land)上連續(xù)記錄，然后剝離虛設(shè)板、粘合層、保護(hù)層、銀反射膜，露出色素層。將其裁剪成適當(dāng)?shù)那衅?，利用分光光度計測定300nm～500nm波長區(qū)域的吸光度，極大吸收波長都向長波側(cè)移動10nm或10nm以上。
化合物B-1的合成在260份N，N-二甲基甲酰胺中，加入10.0份下式(b-1)表示的化合物、和48.6份碘甲烷，同時加入19.7份碳酸鉀，室溫下攪拌2小時。反應(yīng)結(jié)束后，注入到1500份水中，過濾析出物，經(jīng)水洗、干燥，得到3.50份下式(B-1)表示的化合物(收率為30％)。
·MS(m/z)203·1H-NMR(DMSO-d6，δ(ppm))11.91(1H，s，NH)，7.43(1H，d，J＝8.91，7-H)，7.27(1H，dd，J＝2.97，8.91，8-H)，7.15(1H，d，J＝2.97，5-H)，2.97(6H，s，(CH3)2N-)，2.27(3H，s，-CH3)[實(shí)施例2-2]化合物B-2的合成在250份N，N-二甲基甲酰胺中，加入9.90份實(shí)施例2-1中使用的以通式(b-1)表示的化合物、和52.8份碘乙烷，同時加入19.5份碳酸鉀，室溫下攪拌12小時。反應(yīng)結(jié)束后，注入到1250份水中，過濾析出物，經(jīng)水洗、干燥，得到4.70份下式(B-2)表示的化合物(收率為36％)。
·MS(m/z)231·1H-NMR(DMSO-d6，δ(ppm))11.88(1H，s，NH)，7.40(1H，d，J＝8.91，7-H)，7.20(1H，dd，J＝2.97，9.04，8-H)，7.10(1H，d，J＝3.24，5-H)，3.39(4H，q，CH2)，2.26(3H，s，2-CH3)，1.11(6H，t，CH3)如實(shí)施例1-1～1-6所述，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)在藍(lán)色激光波長區(qū)域可以利用較低記錄能量進(jìn)行記錄再現(xiàn)，且多軌道記錄特性優(yōu)異。而且，調(diào)制度高、能得到良好的信號。
由此可知，含有本發(fā)明定義的結(jié)構(gòu)的化合物的記錄層可利用選自波長300nm～900nm的激光進(jìn)行信號記錄，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)可以用作利用選自波長300nm～900nm的激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，在記錄層(A)中使用本發(fā)明的有機(jī)化合物(B)，從而能提供一種作為高密度光記錄介質(zhì)備受關(guān)注的信息記錄容量大、而且實(shí)用的光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)以較低激光能量即可利用波長300nm～900nm的激光、進(jìn)而為波長390nm～430nm的激光、特別是波長400nm～410nm的藍(lán)紫色激光在該介質(zhì)整體上進(jìn)行良好的記錄。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)具有至少一層能利用激光進(jìn)行記錄再現(xiàn)的記錄層(A)，并且該記錄層(A)中含有至少一種有機(jī)化合物，其特征在于，該記錄層(A)中利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)相對該記錄層(A)的未記錄部位的記錄層膜厚(a1)的變化率(|[a2-a1]/a1|×100)小于25％，并且，該記錄層(A)中利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a2)相對該記錄層(A)的未記錄部位的記錄層膜厚(a1)的變化量(|a2-a1|)小于15nm。
2.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中所述記錄層(A)可以利用涂布法形成。
3.如權(quán)利要求2所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物是具有由4個碳原子和2個氮原子構(gòu)成的六元環(huán)結(jié)構(gòu)并且鍵合取代或無取代氨基形成的有機(jī)化合物(B)。
4.如權(quán)利要求1～3任一項(xiàng)所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，記錄激光能量小于或等于6mW。
5.如權(quán)利要求3所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(0)表示的化合物， 式中，環(huán)A0表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，RA和RB表示氫原子或取代基，X0表示2價取代基，Y0表示取代或無取代的氨基，m0表示Y0的個數(shù)。
6.如權(quán)利要求5所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(1)表示的化合物， 式中，環(huán)A和環(huán)B表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，R表示氫原子或取代基，X表示2價取代基，Y表示取代或無取代的氨基，m表示Y的個數(shù)。
7.如權(quán)利要求6所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(2)表示的化合物， 式中，環(huán)C表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，X’表示2價取代基，R0～R6分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，m’表示R5的個數(shù)，n’表示R6的個數(shù)；其中，選自R1～R4的至少1個或1個以上基團(tuán)為取代或無取代氨基，在R1～R4的組合以及R5～R6的組合中，各組合內(nèi)的各取代基可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)，m’和n’分別表示0、1或1以上的整數(shù)。
8.如權(quán)利要求7所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(3)表示的化合物， 式中，環(huán)D表示取代或無取代的碳環(huán)式芳香族環(huán)或取代或無取代的雜環(huán)式芳香族環(huán)，X”表示2價取代基，R7～R12分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基；其中，選自R8～R11的至少1個或1個以上基團(tuán)為取代或無取代氨基，R8～R11可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(4)表示的化合物， 式中，R13～R25分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R14～R18的組合以及R21～R25的組合中，各組合內(nèi)的各取代基可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的光記錄介質(zhì)，其中有機(jī)化合物(B)是作為可互變結(jié)構(gòu)之一的通式(5)表示的化合物， 式中，R26～R35分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基，在R26～R30的組合以及R31～R35的組合中，各組合內(nèi)的各取代基可以分別獨(dú)立地通過連接基團(tuán)鍵合，與取代位置的碳原子和/或氮原子一起形成環(huán)結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求10所述的光記錄介質(zhì)，其中，R31～R35中的至少1個基團(tuán)是具有雜環(huán)殘基的取代烷氧基，該雜環(huán)殘基含有至少1個雜原子。
12.如權(quán)利要求10所述的光記錄介質(zhì)，其中，構(gòu)成以R26～R35表示的取代基的原子是選自碳原子、氫原子、氮原子、硫原子、氧原子的原子。
13.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述記錄層(A)中，含有至少1種吸收該激光且具有受熱變色溫度的有機(jī)化合物。
14.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述記錄層(A)中，含有至少1種有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物吸收該激光，并且如果加熱非晶質(zhì)狀態(tài)，則會伴隨著發(fā)熱而形成結(jié)晶狀態(tài)。
15.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，在所述記錄層(A)中，含有至少1種有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物通過被照射記錄激光，可賦予記錄后的該記錄層(A)不同于該記錄層(A)記錄前的極大吸收波長(λmax1)的極大吸收波長(λmax2)。
16.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其中，在所述記錄層(A)中，含有至少1種有機(jī)化合物，該有機(jī)化合物通過被照射記錄再現(xiàn)波長為λ0的記錄激光，可在記錄后賦予不同于該記錄層(A)記錄前的λ0處的折射率n1及消光系數(shù)k1的折射率n2以及消光系數(shù)k2。
17.如權(quán)利要求1所述的光記錄介質(zhì)，其特征在于，有機(jī)化合物溶液狀態(tài)下的吸光度的極大波長在記錄層成為薄膜狀態(tài)時，向短波長側(cè)移動。
18.以通式(5)表示的化合物。
19.以通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物，其中，喹唑啉-4-酮環(huán)的5～8位中的任一個位置具有二取代氨基， 式中，R36～R41分別獨(dú)立，表示氫原子或取代基。
20.以通式(6)表示的喹唑啉-4-酮化合物的制備方法，其特征在于，利用下述通式(7)表示的化合物以及通式(8)和/或通式(9)表示的化合物進(jìn)行反應(yīng)， R37-Z1(8)R38-Z2(9)式中，R36～R41表示與式(6)中的R36～R41相同的基團(tuán)，Z1、Z2表示離去基團(tuán)。
21.一種組合物，該組合物含有至少1種通式(5)表示的化合物。
22.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在基板上具有可利用激光記錄再現(xiàn)的記錄層(A)，并且，該記錄層(A)中含有至少一種有機(jī)化合物，其特征在于，所述光記錄介質(zhì)能利用對該記錄層(A)照射小于或等于6mW的記錄激光產(chǎn)生的熱和/或激光，在不使該基板發(fā)生機(jī)械變形的情況下進(jìn)行記錄。
全文摘要
本發(fā)明提供能利用波長為300nm～900nm的激光進(jìn)行良好的記錄和再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)以及新型化合物。所述光記錄介質(zhì)的特征在于，該記錄層(A)上利用激光記錄的記錄部位的記錄層膜厚(a
文檔編號B41M5/26GK1867980SQ200480029
公開日2006年11月22日 申請日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月10日
發(fā)明者鹽崎裕由, 宮里將敬, 石田努, 小木曾章, 上野惠司, 臼井英夫 申請人:三井化學(xué)株式會社