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流體噴射結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:2478061閱讀:195來源:國知局
專利名稱:流體噴射結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明提供一種流體噴射結(jié)構(gòu)以及一種組裝流體噴射結(jié)構(gòu)的方法,尤指一種在兩列氣泡產(chǎn)生器之間,裝置配有電源線的流體噴射結(jié)構(gòu),以及一種組裝流體噴射結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)
以目前來說,流體噴射裝置廣泛地應(yīng)用于噴墨打印機上。任何流體噴射裝置的改進都會使噴墨打印機的品質(zhì)提升以及降低價格。流體噴射裝置也可應(yīng)用于其它領(lǐng)域,如燃料注入系統(tǒng)、細胞分類、藥物導(dǎo)入系統(tǒng)、平板印刷以及微噴射推進系統(tǒng)。
在市面的產(chǎn)品中,僅有一些可在制式外型中噴出個別的滴液。最成功的設(shè)計之一是運用熱量壓迫氣泡而噴出滴液。此項設(shè)計因為易于制造以及成本低廉而廣為使用。
在美國專利公告第5,774,148號的“Print head with field oxide as thermalbarrier in chip”詳細說明了一種在流體噴射結(jié)構(gòu)的中心進行流體輸導(dǎo)的方法。為了要組裝噴嘴構(gòu)造,必須要進行噴砂(sand blasting)、激光鉆孔或者化學(xué)蝕刻步驟,以在芯片中央產(chǎn)生孔洞,讓墨水可以通過。
然而,因為芯片中被移除的區(qū)域會浪費掉,而造成生產(chǎn)效率降低的情況,因此此項方法需要較大的芯片尺寸。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種加強排列集合的流體噴射結(jié)構(gòu),以縮小芯片尺寸以及降低制造成本。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中,流體噴射結(jié)構(gòu)包含一基板、排列在基板中的歧管、至少兩列排列在該歧管兩側(cè)且連接于該歧管的流體室、至少一個氣泡產(chǎn)生器,以及置于基板頂端表面的導(dǎo)線。除此之外,部分的導(dǎo)線位于兩列流體室之間,而導(dǎo)線用來驅(qū)動氣泡產(chǎn)生器。
本發(fā)明的優(yōu)點為本發(fā)明的流體噴射結(jié)構(gòu)并不需要完全蝕刻芯片,所以能獲得較多空間使得墨水可順利地通過。在歧管之上的區(qū)域可用來作電路布局。這不僅可強化在歧管之上的布局結(jié)構(gòu)的強度,也可縮小芯片尺寸。另外,縮小芯片尺寸同時,相同區(qū)域內(nèi)噴射結(jié)構(gòu)的數(shù)目也會增加,因此打印速度也可加快。


圖1是本發(fā)明的第一實施例的打印頭結(jié)構(gòu)的橫剖面圖;圖2是本發(fā)明的打印頭結(jié)構(gòu)的橫剖面圖;圖3是本發(fā)明的打印頭結(jié)構(gòu)的頂端;圖4是圖3的打印頭結(jié)構(gòu)的局部放大圖;圖5是本發(fā)明的打印頭結(jié)構(gòu)內(nèi)的矩陣驅(qū)動電路的方塊圖;圖6至圖8是組成本發(fā)明的打印頭結(jié)構(gòu)的方塊圖;圖9是本發(fā)明的第二實施例的打印頭結(jié)構(gòu)的橫剖面圖;圖10是本發(fā)明的第三實施例的打印頭結(jié)構(gòu)的橫剖面圖。
附圖標(biāo)記說明10 打印頭結(jié)構(gòu) 100 打印頭結(jié)構(gòu)11 歧管12、12a 噴孔13 金屬層 14、14a 氣泡產(chǎn)生器14b、114a 氣泡產(chǎn)生器 15MOS晶體管16、116流體室 18、74低溫氧化層19 電源線 20接地端22 金屬線 23多晶硅線24 接觸層 32微處理器34 電源驅(qū)動器 35地址驅(qū)動器60 硅基板 62場氧化層64 柵極66源極68 漏極72低應(yīng)力結(jié)構(gòu)層74、76 低溫氧化層 200 打印頭結(jié)構(gòu)112、212 噴孔114a、214 氣泡產(chǎn)生器117a、217a 第一氣泡130、230 液滴
214a、214b 氣泡產(chǎn)生器 216 流體室217b第二氣泡具體實施方式

請參閱圖1,圖1是本發(fā)明的第一實施例的打印頭結(jié)構(gòu)10的橫剖面圖。本發(fā)明的第一實施例的打印頭結(jié)構(gòu)10是具有活閥的流體噴射結(jié)構(gòu)。如圖1所示,氣泡產(chǎn)生器14包含兩個氣泡產(chǎn)生裝置,即第一加熱器14a以及第二加熱器14b,該兩個加熱器與噴孔12相毗鄰。因為兩加熱器14a以及14b之間電阻值的不同,所以當(dāng)兩加熱器14a、14b加熱流體室16內(nèi)的流體時(圖未示),會輪流產(chǎn)生兩個氣泡。第一加熱器14a會產(chǎn)生第一氣泡(圖未示),而且第一加熱器14a的位置相較于第二加熱器14b更接近于歧管11。第一氣泡會將歧管11與噴孔12互相隔離,該第一氣泡可視作一活閥以降低流體室16以及鄰近的流體室16間的交互干擾效應(yīng)(cross talk effect)。第二加熱器14b則用來產(chǎn)生第二氣泡(圖未示)。第二氣泡會擠壓流體室16內(nèi)的流體(例如墨水),讓流體噴出噴孔12之外。最后第二氣泡與第一氣泡會相結(jié)合,以降低附隨滴液的產(chǎn)生。此外,打印頭最好能包含足夠的流體室,使得打印頭在每次掃描過媒介的時候,每一英時之中能打印大約或者超過300噴墨點。
本發(fā)明的流體噴射結(jié)構(gòu)能讓墨水在不用完全蝕刻芯片的情況下就可以順利通過。以此構(gòu)造為基礎(chǔ),電源線可排列歧管11之上以便于強化在歧管11之上的構(gòu)造層強度。
請參閱圖2,圖2是本發(fā)明的流體噴射結(jié)構(gòu)的橫剖面圖。一低溫氧化層18沉淀在第一加熱器14a以及第二加熱器14b之上,用來作為保護層。在此之后,一通過層會在預(yù)設(shè)區(qū)域中形成,且一金屬層13會經(jīng)由通過層(via layer)沉淀在加熱器14a以及14b頂端表面上。因此金屬層13會與加熱器14a、14b作電連接。
同樣地,MOS晶體管15的漏極68以及源極66會通過金屬層13與加熱器14a、14b以及接地端20作電連接。因此,當(dāng)MOS晶體管15的柵極開啟時,一外部電壓信號會從金屬層13所構(gòu)成的接觸點(pad)送到打印頭。此時,一電流會從接觸點經(jīng)金屬層13傳送到第一加熱器14a以及第二加熱器14b。然后,電流會經(jīng)過MOS晶體管15的漏極68以及源極66,流到接地端20以便于完成此加熱過程。當(dāng)加熱流體室16內(nèi)的墨水時,會產(chǎn)生兩個氣泡,將墨水滴液擠出噴孔12之外。在打印過程中,會依據(jù)要打印的數(shù)據(jù)來控制哪個噴孔12噴出墨水滴液。金屬層13的材質(zhì)可以是鋁、金、銅、鎢、鋁硅銅合金或者鋁銅合金。
請參閱圖3、圖4以及圖5,圖3是本發(fā)明的流體噴射結(jié)構(gòu)的頂端。在優(yōu)選實施例中,打印頭的噴孔12分隔成十六個P群,即P1到P16,而每個P群包含二十二個地址,即A1到A22。如圖5所示,一邏輯電路或微處理器32依據(jù)要打印的數(shù)據(jù)產(chǎn)生一選取信號。之后選取信號會傳送到電源驅(qū)動器34以及地址驅(qū)動器35以決定要開啟A1-A22其中的一個地址,并提供電源予P1-P16其中之一。舉例來說,當(dāng)控制開啟A22以及提供電源到P1群時,P1-A22對應(yīng)的MOS晶體管15上的加熱器14a以及14b會在預(yù)設(shè)時間完成加熱操作以及噴出墨水。
圖4是圖3區(qū)域B的局部詳述圖。如圖4所示,兩列噴孔12、12a位于芯片的中央。如圖3所示以線A-A’將該通道分隔成兩部分,會有八群即P1到P8在右側(cè),另外八群即P9到P16在左側(cè)。在兩列噴孔12、12a之間的歧管11之上的區(qū)域會被用作電源線排列。八個對應(yīng)于P1到P8的金屬電源線排列在線A-A’右側(cè)并且電連接于右側(cè)I/O接觸點。八個對應(yīng)于P9到P16(未顯示)的金屬電源線排列在線A-A’左側(cè)并且電連接于左側(cè)I/O接觸點。
在每個對應(yīng)P接觸點以及G接觸點間的驅(qū)動電路呈U型電路排列布局。在接觸點P1以及接觸點G1之間的驅(qū)動電路在圖4中以虛線方塊表示。每一個驅(qū)動電路之間并沒有交互連接。另外,僅有金屬層13會被用來組成加熱器14a以及14b之間的電源線19以及接地接觸點G。在一MOS晶體管15的群組上面有十一個金屬線22,而且十一個金屬線22在圖4中排列于該MOS晶體管群組的下面。金屬線22電連接于接觸點A以便于發(fā)送地址驅(qū)動器35到對應(yīng)MOS晶體管15的群組,以控制墨水的噴射。在MOS晶體管15群組左側(cè)有十一個多晶硅線23,MOS晶體管15右側(cè)也有十一個多晶硅線。之后接觸層24的形成可使得金屬線22以及多晶硅線23電連接,以完成驅(qū)動電路的連接。多晶硅線23會用來與MOS晶體管群組上面以及下面的金屬線22連接(即圖4所示的金屬線22上半部以及下半部)。舉例來說,假如一信號要從接觸點A1輸入以開啟P16的加熱器,該信號必須從多晶硅線23穿過金屬線22傳送到P16的加熱器。
在上述所舉的例子中使用了二十二個A接觸點、十六個P接觸點以及八個G接觸點。A接觸點與P接觸點次數(shù)相乘可得出流體室16的總數(shù)量,這可用打印頭控制。因為每個流體室有兩個氣泡產(chǎn)生器14,所以可能氣泡產(chǎn)生器的總數(shù)為22×16×2=704。對于總數(shù)為46個I/O接觸點(22+16+8=46)來說,因為704/12=58.67而且48<58.67,所以I/O接觸點總數(shù)會少于氣泡產(chǎn)生器總數(shù)的十二分之一。
請參閱圖6到圖8,圖6至圖8是組成本發(fā)明的流體噴射的方塊圖。首先,執(zhí)行局部氧化步驟,在硅基板60上形成大片場氧化層62。然后,執(zhí)行全面硼摻雜步驟,以調(diào)整驅(qū)動電路的臨界電壓。一多硅柵極64會在大片場氧化層62中形成。同時,沿著芯片的兩邊會形成二十二個多晶硅線23。之后執(zhí)行砷摻雜步驟,在柵極64兩側(cè)形成源極66以及漏極68。之后,如圖6所示,一低應(yīng)力結(jié)構(gòu)層72(如氮硅化合物)會形成流體室16的上層。
請參閱圖7,一蝕刻溶液(KOH)會用來蝕刻基板60的后側(cè),以形成歧管11來供應(yīng)流體。之后利用一蝕刻溶液(HF)來局部侵蝕大片場氧化層62而形成流體室16。接下來,執(zhí)行使用KOH來進行蝕刻步驟以增加流體室16的深度。流體室16以及歧管11會相互連接并注滿流體,然而,此蝕刻步驟需要特別小心,因為流體室16內(nèi)的凸面角落也會被侵蝕。
接下來,執(zhí)行組合加熱器步驟。此步驟為現(xiàn)有技術(shù)所沒有的。在優(yōu)選實施例之中,利用鉭與鋁合金作為第一加熱器14a以及第二加熱器14b材質(zhì)是優(yōu)選的選擇,其它材質(zhì)如鉑或者HfB也是不錯的選擇。一低溫氧化層74沉積會在整個基板60上。低溫氧化層74除了保護第一加熱器14a、第二加熱器14b以及隔離MOS晶體管15之外,也可作為覆蓋柵極64、源極66、漏極68以及大片場氧化層62的保護層。
接下來,在第一加熱器14a以及第二加熱器14b上形成傳導(dǎo)層13,以用來與第一加熱器14a、第二加熱器14b以及驅(qū)動電路的MOS晶體管15作電連接。因為驅(qū)動電路會傳送一信號到各別加熱器以及驅(qū)動多個成對的加熱器,所以僅需要少數(shù)電路裝置以及連接電路。鋁硅銅合金、鋁、銅、金或者鎢可作為傳導(dǎo)層13優(yōu)選的材質(zhì)。低溫氧化層76則沉積作為傳導(dǎo)層13上的保護層。
請參閱圖8,第一加熱器14a以及第二加熱器14b之間會形成噴孔12。到目前為止,已詳細說明了驅(qū)動電路與流體注入陣列(array)組合成一體的過程。驅(qū)動電路以及加熱器皆已形成于同一個基板上,而且本實施例的噴射結(jié)構(gòu)亦不需要另外的噴嘴板(nozzle plate)。
以下將詳述本發(fā)明的操作過程。請參閱圖4以及圖5。當(dāng)開始打印時,邏輯電路以及微處理器32會依據(jù)欲打印的數(shù)據(jù)決定哪個噴孔12噴出墨水并且產(chǎn)生一選取信號。該選取信號會傳送到電源驅(qū)動器34以及地址驅(qū)動器35以開啟適當(dāng)?shù)腁群(A1到A22)以及將電源導(dǎo)入適當(dāng)?shù)腜群(P1到P16)。因此會產(chǎn)生一電流并傳送到加熱器14a以及14b,以加熱流體并產(chǎn)生氣泡,而噴出滴液。舉例來說,假定要將一滴液從A1-P1的噴孔12噴出,首先從A1的I/O接觸點輸入電壓信號并且傳送到MOS晶體管15的柵極64以開啟柵極64。接下來,從A1的I/O接觸點輸入另一個電壓信號以產(chǎn)生一電流。該電流透過加熱器14a以及14b通過漏極68、源極66以及接地端20以便于加熱流體以及產(chǎn)生氣泡,而氣泡會將墨水滴液從A1-P1的噴孔12a噴出。
請參閱圖9,圖9是本發(fā)明的第二實施例的打印頭結(jié)構(gòu)100的橫剖面構(gòu)造圖。不同于圖1所示的第一實施例的打印頭結(jié)構(gòu)10,第二實施例的打印頭結(jié)構(gòu)100包含一個氣泡產(chǎn)生器114以及一個與通道112相毗鄰的第一加熱器114a。當(dāng)?shù)谝患訜崞?14a加熱流體時,會形成第一氣泡117a并將已噴出流體液滴130擠壓出通道112。第一加熱器114a與通道112相毗鄰,并位于對應(yīng)流體室116的外上方。
請參閱圖10,圖10是本發(fā)明的第三實施例的打印頭結(jié)構(gòu)200的橫剖面構(gòu)造圖。如圖1所示的第一實施例的打印頭結(jié)構(gòu)10,第三實施例的打印頭構(gòu)造200包含兩個氣泡產(chǎn)生器214、一第一加熱器214a以及一第二加熱器214b,而第一加熱器214a以及第二加熱器214b與通道212相毗鄰。然而,第三實施例的打印頭結(jié)構(gòu)200中的第一加熱器214a以及第二加熱器214b有相同的電阻值。在優(yōu)選的情況中,第一加熱器214a以及第二加熱器214b的面積會相同,但是只要第一加熱器214a以及第二加熱器214b的電阻大致相同的情況下,則長度-面積以及電阻系數(shù)都可以適度地作調(diào)整。第一加熱器214a以及第二加熱器214b大體上在同一時間分別加熱流體,以產(chǎn)生第一氣泡217a以及第二氣泡217b。因為電阻值大約相同的緣故,所以第一加熱器214a所產(chǎn)生的氣泡217a與第二加熱器214b所產(chǎn)生的氣泡217b的體積相同。氣泡217a以及217b會從通道212擠壓已噴出流體液滴230。因為氣泡217a以及217b的體積相同而且大體上在同一時間產(chǎn)生,所以被噴出流體液滴230大約會從對應(yīng)流體室216垂直噴出。
盡管上述僅說明單色打印機,但是本發(fā)明可應(yīng)用在彩色打印機或多色打印機。除此之外,本發(fā)明也可應(yīng)用于領(lǐng)域,如燃料注入系統(tǒng)、細胞分類、藥物導(dǎo)入系統(tǒng)、平板印刷以及微噴射推進系統(tǒng)以及其它類似的裝置等。
依據(jù)本發(fā)明的設(shè)計,歧管上以及兩列流體室間的空間可用于導(dǎo)線的排列。因為制造打印頭時不需要蝕刻整個芯片,所以可在歧管之上做電路布局,因而可縮小芯片尺寸以及增加每片晶片可切割出的芯片數(shù)。而且位于歧管上方的結(jié)構(gòu)層之上的電路排列的配置可強固結(jié)構(gòu)層。使用此種增加電路排列的密度的方法可使電路排列所需的面積減少,而且可在同一芯片上配置更多噴孔以增加打印速度。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例,凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾,皆應(yīng)屬本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種流體噴射結(jié)構(gòu),其包括一基板;一歧管,形成于該基板中;至少兩列流體室,與該歧管相流通,并位于該歧管的兩側(cè),其中流體可經(jīng)過該歧管流入該流體室中;多個噴孔,與對應(yīng)的該流體室相流通;多個氣泡產(chǎn)生器,位于該基板上,其中在一流體室中僅設(shè)有單一該氣泡產(chǎn)生器,而且每一個氣泡產(chǎn)生器約與一對應(yīng)該噴孔相毗鄰,并位于該對應(yīng)噴孔之外;一驅(qū)動電路,包含多個設(shè)置于該基板上的功能元件,用來傳送驅(qū)動信號以驅(qū)動該多個氣泡產(chǎn)生器;以及一導(dǎo)線,位于該基板上,用來驅(qū)動該氣泡產(chǎn)生器,其中該部分導(dǎo)線位于該歧管之上以及該兩列流體室之間。
2.如權(quán)利要求1所述的流體噴射結(jié)構(gòu),其中每一個氣泡產(chǎn)生器位于該對應(yīng)流體室之上。
3.如權(quán)利要求1所述的流體噴射結(jié)構(gòu),其中該流體室內(nèi)的單一氣泡產(chǎn)生器位于該歧管以及該對應(yīng)噴孔之間。
4.一種裝置,用來噴出流體,其包括一流體室;一歧管,與該流體室相流通,用來供應(yīng)流體流至該流體室;一噴孔,與該流體室相流通;一第一氣泡產(chǎn)生裝置,當(dāng)該流體室注滿流體時,可在該流體室內(nèi)產(chǎn)生一第一氣泡,而該第一氣泡產(chǎn)生裝置約與該噴孔相毗鄰并位于該流體室之外;一第二氣泡產(chǎn)生裝置,當(dāng)該流體室注滿流體時,可在該流體室產(chǎn)生一第二氣泡,而該第二氣泡產(chǎn)生裝置約與該噴孔相毗鄰并位于該流體室之外,其中該噴孔位于該第一氣泡產(chǎn)生裝置以及該第二氣泡產(chǎn)生裝置之間,且該第一氣泡以及該第二氣泡大約在同時間產(chǎn)生,而且該第一氣泡以及該第二氣泡的形成會造成該流體室內(nèi)的流體穿過該噴孔而大致垂直的角度噴出該流體室之外。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置,其中該第一氣泡產(chǎn)生裝置以及該第二氣泡產(chǎn)生裝置分別為第一電阻器以及第二電阻器。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置,其中該第一電阻器以及該第二電阻器的電阻值大致相同。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置,其中該第一電阻器以及該第二電阻器位于該流體室之上。
8.一種打印頭,用來噴出墨水,其包括一基板;一歧管(manifold),形成于該基板中;多個流體室(chamber),該流體室與該歧管相流通,其中墨水可穿過該歧管流至該流體室;多個噴孔(orifice),與一對應(yīng)的該流體室相流通;一第一氣泡產(chǎn)生裝置及一第二氣泡產(chǎn)生裝置,當(dāng)該對應(yīng)的流體室內(nèi)注滿墨水時,可在該對應(yīng)流體室中產(chǎn)生一第一氣泡以及一第二氣泡,而該第一氣泡產(chǎn)生裝置與該第二氣泡產(chǎn)生裝置約與一對應(yīng)的該噴孔相毗鄰且位于該對應(yīng)流體室之外,其中該噴孔位于該第一氣泡產(chǎn)生裝置以及該第二氣泡產(chǎn)生裝置之間;以及一地址電路裝置(addressing circuit means),其包含多個接觸點(pad)以及多路解調(diào)器(demultiplexing means),該地址電路裝置位于該基板上,而且與該第一氣泡產(chǎn)生裝置、該第二氣泡產(chǎn)生裝置以及該接觸點間相連結(jié),其中該接觸點的數(shù)量少于該流體室的數(shù)量。
9.如權(quán)利要求8所述的打印頭,其中該第一氣泡以及該第二氣泡大約在同時間產(chǎn)生,而且該第一氣泡以及該第二氣泡的形成會造成該流體室內(nèi)的墨水穿過該噴孔而大約垂直噴出該流體室之外。
10.如權(quán)利要求9所述的打印頭,其中該第一氣泡產(chǎn)生裝置以及該第二氣泡產(chǎn)生裝置分別為第一電阻器以及第二電阻器。
11.如權(quán)利要求10所述的打印頭,其中該第一電阻器以及該第二電阻器的電阻值大致相同。
12.如權(quán)利要求10所述的打印頭,其中該第一電阻器以及該第二電阻器位于該流體室之上。
13.一種打印系統(tǒng),具有一打印頭用來噴出墨水,其包括一墨水儲存槽以供應(yīng)墨水;一打印頭的基板;一歧管,位于該基板中;多個流體室,與該歧管相流通,其中墨水可穿過該歧管流至該流體室,該流體室彼此間互相隔離一預(yù)設(shè)距離,以便于在每次該打印頭掃描過一打印媒介時,提供等于或者大于每英時300點的打??;一第一氣泡產(chǎn)生裝置及一第二氣泡產(chǎn)生裝置,當(dāng)一對應(yīng)流體室充滿墨水時,該第一氣泡產(chǎn)生裝置及該第二氣泡產(chǎn)生裝置分別會在對應(yīng)的該流體室中產(chǎn)生一第一氣泡以及一第二氣泡,該第一氣泡產(chǎn)生裝置以及該第二氣泡產(chǎn)生裝置與一對應(yīng)噴孔相毗鄰,并位于該對應(yīng)流體室之外,其中該噴孔位于該第一氣泡產(chǎn)生裝置以及該第二氣泡產(chǎn)生裝置之間;以及一第一電路系統(tǒng),其包含多個接觸點以及多路解調(diào)器,該第一電路系統(tǒng)位于該基板上,并且與該第一氣泡產(chǎn)生裝置、該第二氣泡產(chǎn)生裝置以及該接觸點間相連結(jié),其中該接觸點總數(shù)約少于或等于位于該基板上的第一產(chǎn)生裝置以及第二氣泡產(chǎn)生裝置總數(shù)的十二分之一。
14.如權(quán)利要求13所述的打印系統(tǒng),其中該第一氣泡以及該第二氣泡約于同時間產(chǎn)生,并且該第一氣泡以及該第二氣泡的形成會造成該流體室內(nèi)的墨水穿過該噴孔而大約垂直噴出該流體室之外。
15.如權(quán)利要求14所述的打印系統(tǒng),其中該第一氣泡產(chǎn)生裝置以及該第二氣泡產(chǎn)生裝置分別為第一電阻器以及第二電阻器。
16.如權(quán)利要求15所述的打印系統(tǒng),其中該第一電阻器以及該第二電阻器的電阻值大致相同。
17.如權(quán)利要求15所述的打印系統(tǒng),其中該第一電阻器以及該第二電阻器位于該流體室之上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種流體噴射結(jié)構(gòu),其位于一基板上,以縮小芯片尺寸以及降低制造成本。該流體噴射結(jié)構(gòu)在該基板上包含一歧管、一氣泡產(chǎn)生器、一導(dǎo)線以及至少與該歧管相毗鄰且流通的兩列流體室。該導(dǎo)線位于該基板頂端的表面且部分位于該歧管上的兩列流體室之間,以驅(qū)動該氣泡產(chǎn)生器。
文檔編號B41J2/16GK1576006SQ2004100342
公開日2005年2月9日 申請日期2004年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月1日
發(fā)明者黃宗偉, 陳志清 申請人:明基電通股份有限公司
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