專利名稱：墨水噴嘴組件的液體密封裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種噴墨打印頭，尤其涉及一種用于噴墨打印頭的墨水噴嘴組件。
同類發(fā)明申請(qǐng)與本發(fā)明有關(guān)的各種方法、系統(tǒng)和裝置在下列同類專利申請(qǐng)中揭示。這些專利申請(qǐng)是本發(fā)明的專利申請(qǐng)人或代理人與本發(fā)明同時(shí)申請(qǐng)的PCT/AU00/00518，PCT/AU00/00519，PCT/AU00/00520，PCT/AU00/00521，PCT/AU00/00522，PCT/AU00/00523，PCT/AU00/00524，PCT/AU00/00525，PCT/AU00/00526，PCT/AU00/00527，PCT/AU00/00528，PCT/AU00/00529，PCT/AU00/00530，PCT/AU00/00531，PCT/AU00/00532，PCT/AU00/00533，PCT/AU00/00534，PCT/AU00/00535，PCT/AU00/00536，PCT/AU00/00537，PCT/AU00/00538，PCT/AU00/00539，PCT/AU00/00540，PCT/AU00/00541，PCT/AU00/00542，PCT/AU00/00543，PCT/AU00/00544，PCT/AU00/00545，PCT/AU00/00547，PCT/AU00/00546，PCT/AU00/00554，PCT/AU00/00556，PCT/AU00/00557，PCT/AU00/00558，PCT/AU00/00559，PCT/AU00/00560，PCT/AU00/00561，PCT/AU00/00562，PCT/AU00/00563，
PCT/AU00/00564，PCT/AU00/00565，PCT/AU00/00566，PCT/AU00/00567，PCT/AU00/00568，PCT/AU00/00569，PCT/AU00/00570，PCT/AU00/00571，PCT/AU00/00572，PCT/AU00/00573，PCT/AU00/00574，PCT/AU00/00575，PCT/AU00/00576，PCT/AU00/00577，PCT/AU00/00578，PCT/AU00/00579，PCT/AU00/00581，PCT/AU00/00580，PCT/AU00/00582，PCT/AU00/00587，PCT/AU00/00588，PCT/AU00/00589，PCT/AU00/00583，PCT/AU00/00593，PCT/AU00/00590，PCT/AU00/00591，PCT/AU00/00592，PCT/AU00/00584，PCT/AU00/00585，PCT/AU00/00586，PCT/AU00/00594，PCT/AU00/00595，PCT/AU00/00596，PCT/AU00/00597，PCT/AU00/00598，PCT/AU00/00516，PCT/AU00/00517，PCT/AU00/00511，PCT/AU00/00501，PCT/AU00/00502，PCT/AU00/00503，PCT/AU00/00504，PCT/AU00/00505，PCT/AU00/00506，PCT/AU00/00507，PCT/AU00/00508，PCT/AU00/00509，PCT/AU00/00510，PCT/AU00/00512，PCT/AU00/00513，PCT/AU00/00514，PCT/AU00/00515上述同類專利申請(qǐng)可作為相互參考。
背景技術(shù)：
我們已經(jīng)知道有各種類型的墨水噴嘴組件，在這些墨水噴嘴組件中，一個(gè)安裝在噴嘴腔中的可位移元件可以使墨水通過(guò)噴嘴組件上的噴嘴開(kāi)口噴出。在某些上述裝置中，可移動(dòng)元件本身就是一個(gè)控制器。在另外一些裝置中，控制器外接于噴嘴腔，并通過(guò)噴嘴腔外壁上的一個(gè)開(kāi)口與可位移元件連接。對(duì)于控制器外接于位移元件的情況，需要使用一個(gè)密封裝置來(lái)盡量減少通過(guò)開(kāi)口的墨水的損耗。
在某些實(shí)施例中，噴嘴本身就可以移動(dòng)，以便噴出墨水。對(duì)于這種情況，需要盡量減少噴嘴周圍的墨水損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種墨水噴嘴組件，包括一個(gè)基片；一個(gè)可以相對(duì)于基片位移的噴嘴，該噴嘴帶有一個(gè)開(kāi)口，在使用時(shí)，隨著噴嘴相對(duì)于基片的位移，墨水從開(kāi)口噴出；一個(gè)介于基片和噴嘴之間的抑制裝置，用于抑制墨水從噴嘴的四周漏出。
在本發(fā)明中，“噴嘴”一詞應(yīng)理解為帶有一個(gè)開(kāi)口的元件，而不是開(kāi)口本身。
噴嘴可以包括一個(gè)花冠部分，該花冠部分構(gòu)成噴嘴的開(kāi)口；和一個(gè)與花冠部分相連的裙邊部分，該裙邊部分與上述抑制裝置共同形成一個(gè)墨水腔，噴嘴開(kāi)口與墨水腔相連。
一個(gè)通過(guò)基片的墨水入口孔形成的墨水供應(yīng)通道與墨水腔的液路相通，上述抑制裝置設(shè)計(jì)在墨水入口孔的周圍。
上述抑制裝置可以設(shè)計(jì)在噴嘴的裙邊部分之外，該抑制裝置可以包括由裙邊向呈放射狀內(nèi)翻的唇邊部分或向噴嘴的裙邊部分的外表面延伸的刮拭部分。
上述抑制裝置可以通過(guò)沉積和刻蝕技術(shù)制造。
上述抑制裝置可以采用某種陶瓷材料制造。該抑制裝置可以采用一種導(dǎo)電陶瓷材料，這種導(dǎo)電陶瓷材料可以與噴嘴組件的其它部件同時(shí)沉積形成，可以是氮化鈦或其它材料。


下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的噴墨打印頭的噴嘴組件的立體示意圖；圖2到圖4是圖1中的噴嘴組件的動(dòng)作的立體示意圖；圖5是構(gòu)成噴墨打印頭的噴嘴陣列的立體圖；圖6是圖5的噴嘴陣列的局部放大圖；圖7是帶有一個(gè)噴嘴保護(hù)帽的噴墨打印頭的立體圖；圖8a到8r是噴墨打印頭的噴嘴組件的制造步驟的立體圖；圖9a到9r是制造步驟的側(cè)面剖視圖；圖10a到10k所示為制造過(guò)程的各步驟中所使用模板的布局；圖11a到11c是根據(jù)圖8和圖9所述的方法制造的噴嘴組件的動(dòng)作的立體圖；圖12a到12c是根據(jù)圖8和圖9所述的方法制造的噴嘴組件的動(dòng)作的側(cè)面剖視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1所示為根據(jù)本發(fā)明制造的一個(gè)噴嘴組件10。一個(gè)噴墨打印頭具有多個(gè)上述噴嘴組件10，該噴嘴組件在硅基片16上形成一個(gè)陣列14，(見(jiàn)圖5和圖6)。噴嘴陣列14將在下面詳細(xì)說(shuō)明。
組件10包括一塊其上沉積有一層電介質(zhì)18的硅片或晶片16。在電介質(zhì)層18上沉積有一層CMOS鈍化層20。
每個(gè)噴嘴組件12包含一個(gè)帶有噴嘴開(kāi)口24的噴嘴22、一個(gè)杠桿臂26形狀的連接部件，以及一個(gè)控制器28。杠桿臂26把控制器連接到噴嘴22上。
如圖2到圖4所示，噴嘴22包括一個(gè)花冠部分30，從花冠部分30上延伸出一個(gè)裙邊部分32。裙邊部分32構(gòu)成噴嘴腔34的外壁(見(jiàn)圖2到圖4)的一部分。噴嘴開(kāi)口24與噴嘴腔34的液路相通。需要注意的是，噴嘴開(kāi)口24有一圈凸沿36，該凸沿36使噴嘴腔34中的墨水40在凸沿上形成一個(gè)彎月面38(見(jiàn)圖2)。
在噴嘴腔34的底板46上帶有一個(gè)墨水入口孔42(如圖6中所示)。孔42與通過(guò)基片16的墨水入口通道48相通。
孔42的外圈有一圈圍壁50，圍壁從底部46向上延伸。上述的噴嘴22的裙邊部分32構(gòu)成噴嘴腔34外壁的第一部分，上述圍壁部分50構(gòu)成噴嘴腔34的外壁的第二部分。
圍壁50的自由端具有向內(nèi)翻轉(zhuǎn)的唇邊52，該唇邊起密封墨水的作用，當(dāng)噴嘴22移動(dòng)時(shí)，唇邊52可以阻止墨水漏出。由于墨水40的粘度較高，而且唇邊52與裙邊部分32之間的間隙非常小，在墨水40的表面張力作用下，唇邊52起到密封墨水的作用，防止墨水40從噴嘴腔34中漏出。
控制器28是一種熱彎曲型控制器，它與從基片16向上延伸的(更確切地說(shuō)是從CMOS鈍化層20向上延伸)的錨片54連接。錨片54安裝在導(dǎo)電墊片56上，導(dǎo)電墊片56作為與控制器28連接的電連接通路。
控制器28包括第一個(gè)梁(58，主動(dòng)梁)和第二個(gè)梁(60，被動(dòng)梁)，主動(dòng)梁在被動(dòng)梁的上面。在一個(gè)較佳實(shí)例中，梁58和梁60都由導(dǎo)電陶瓷材料構(gòu)成或含有導(dǎo)電陶瓷材料，例如氮化鈦TiN。
梁58和梁60的第一端都固定到錨片54上，另一端與臂26連接。當(dāng)電流通過(guò)主動(dòng)梁58時(shí)，梁58會(huì)由于電阻生熱效應(yīng)發(fā)生熱膨脹。而被動(dòng)梁60上沒(méi)有電流通過(guò)，所以不會(huì)與主動(dòng)梁58一起同時(shí)膨脹，因此，梁58和梁60會(huì)產(chǎn)生彎曲運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)致橫臂26和噴嘴22向基片16位移，如圖3所示。此時(shí)，墨水會(huì)通過(guò)噴嘴開(kāi)口24噴射出來(lái)，如圖3中的62。當(dāng)主動(dòng)梁58上的熱源消除后，即停止電流，噴嘴22將返回到其靜態(tài)位置，如圖4所示。當(dāng)噴嘴22返回到其靜態(tài)位置時(shí)，由于墨滴頸部被斷開(kāi)，會(huì)產(chǎn)生一滴墨64，如圖4中的66。然后，墨滴64落到打印媒質(zhì)上，例如一張紙。由于墨滴64的形成，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反向彎月面，如圖4中的68。反向彎月面68導(dǎo)致墨水40流入噴嘴腔34，從而立即形成一個(gè)新的彎月面38(見(jiàn)圖2)，為從噴嘴組件10噴出下一滴墨水做好準(zhǔn)備。
請(qǐng)參考圖5和圖6，其中更詳細(xì)地描繪了噴嘴陣列14。噴嘴陣列14用于四色打印頭。所以，該噴嘴陣列14由4組70噴嘴組件構(gòu)成，每一個(gè)噴嘴組件提供一種顏色。每組70噴嘴組件由兩排(72和74)中的噴嘴組件10構(gòu)成。圖6中更詳細(xì)地描述了其中的一組70噴嘴組件10。
為了更緊密地包裝排72和74中的噴嘴組件10，排74中的噴嘴組件10相對(duì)于排72中的噴嘴組件10錯(cuò)開(kāi)一定距離或交錯(cuò)排列。而且，排72中的噴嘴組件10之間的距離足夠大，以使排74中的噴嘴組件的杠桿臂26通過(guò)排72中相鄰的噴嘴組件10。需要說(shuō)明的是，每個(gè)噴嘴組件10都是啞鈴形的，因此，排72中的噴嘴組件10可以位于排74中的相鄰噴嘴組件10的噴嘴22和控制器28之間。
而且，為了便于更緊湊地包裝排72和74中的噴嘴22，每個(gè)噴嘴22都是六邊形的。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易知道，在實(shí)際使用中，當(dāng)噴嘴22向基片16移動(dòng)時(shí)，由于噴嘴開(kāi)口24與噴嘴腔34有一個(gè)小角度，所以墨水在噴出時(shí)會(huì)稍稍偏離垂直方向。而圖5和圖6中的設(shè)計(jì)克服了這個(gè)問(wèn)題。在上述兩個(gè)圖中，排72和74中的噴嘴組件10的控制器28沿同一方向延伸到排72和排74的一側(cè)。因此，從排72中的噴嘴22噴出的墨滴與從排74中的噴嘴22噴出的墨滴相互平行，從而提高了打印質(zhì)量。
而且，如圖5所示，基片16帶有一些粘結(jié)墊76，這些粘結(jié)墊提供了從墊片56向噴嘴組件10的控制器28的電連接。這些電連接通過(guò)CMOS層(圖中沒(méi)有示出)形成。
請(qǐng)參考圖7中所示的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例，同時(shí)參考前一圖。兩附圖中的符號(hào)是相互對(duì)應(yīng)的。
在本實(shí)例中，在噴嘴陣列14的基片16上安裝了一個(gè)噴嘴保護(hù)帽80。噴嘴保護(hù)帽80具有一個(gè)主體部分82，該主體部分82具有多個(gè)通道84。通道84與陣列14中的噴嘴組件10的噴嘴開(kāi)口24相對(duì)應(yīng)，當(dāng)墨水從任何一個(gè)噴嘴開(kāi)口24噴出時(shí)，墨滴在打到打印媒質(zhì)之前會(huì)通過(guò)相應(yīng)的通道84。
主體部分82與噴嘴組件10有一定間隙，由支桿或支柱86支撐。支柱86具有一個(gè)進(jìn)氣開(kāi)口88。
在使用時(shí)，當(dāng)陣列14工作時(shí)，空氣被從進(jìn)氣開(kāi)口88吸入，并與墨水一起通過(guò)通道84。
由于空氣通過(guò)通道84的速度與墨滴64的速度不同，所以墨滴64不會(huì)受空氣的影響。例如，墨滴64從噴嘴噴出的速度大約為3米/秒，而空氣通過(guò)通道84的速度大約為1米/秒。
空氣的作用是使通道84不會(huì)夾雜異物顆粒。如果某些異物(例如灰塵顆粒)落入到噴嘴組件10中，會(huì)對(duì)噴嘴產(chǎn)生不良影響。采用由噴嘴保護(hù)帽80的進(jìn)氣開(kāi)口88強(qiáng)制送氣的方式，能夠在很大程度上避免上述問(wèn)題。
請(qǐng)參考圖8到圖10，其中示出了制造噴嘴組件10的工藝過(guò)程。
從硅基片或晶片16開(kāi)始，在晶片16的表面沉積一層電介質(zhì)層18。該電介質(zhì)層18是一層1.5微米厚的CVD氧化物。在電介質(zhì)層18上旋壓一層抗蝕劑，然后使用模具100進(jìn)行印刷處理。
經(jīng)過(guò)印刷處理后，使用等離子刻蝕方法把電介質(zhì)層18刻蝕到硅片層16，然后去掉抗蝕劑，清理電介質(zhì)層18，經(jīng)過(guò)上述步驟，墨水入口孔42就形成了。
在圖8b中，在電介質(zhì)層18上沉積0.8微米厚度的的鋁102，然后加一層抗蝕劑，使用模具104進(jìn)行印刷處理。然后，采用等離子刻蝕方式把鋁膜102刻蝕到氧化物層18，去掉抗蝕劑，對(duì)該層進(jìn)行清理。此工藝步驟形成了粘結(jié)墊以及與噴墨控制器28的互連通道?；ヂ?lián)通道連接到一個(gè)NMOS驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)電源層，連接線路在CMOS層(圖中沒(méi)有示出)形成。
然后，在所得到的裝置上再沉積0.5微米厚的PECVD氮化物，作為CMOS鈍化層20。在鈍化層20上加一層抗蝕劑，然后使用模具106進(jìn)行印刷處理。經(jīng)過(guò)印刷處理后，使用等離子刻蝕方法把氮化物刻蝕到鋁層102，在入口孔42區(qū)域，應(yīng)刻蝕到硅層16。去掉抗蝕劑，然后對(duì)設(shè)備進(jìn)行清理。
在鈍化層20上旋壓一層犧牲層108。該層108是6微米厚的感光聚酰亞胺或約4微米厚的高溫抗蝕劑。把層108烘干，然后使用模具110進(jìn)行印刷處理。印刷處理后，如果層108由聚酰亞胺材料制成，那么應(yīng)在400℃溫度下對(duì)其烘烤1小時(shí)；如果層108由高溫抗蝕劑構(gòu)成，那么應(yīng)在300℃以上的溫度對(duì)其烘烤1小時(shí)。需要注意的是，在設(shè)計(jì)模具110時(shí)，應(yīng)考慮到由縮水所導(dǎo)致的聚酰亞胺層108的圖案扭曲。
下一步，如圖8e所示，在產(chǎn)品上旋壓第二層犧牲層112。層112可以是2微米厚的感光聚酰亞胺，也可以是約1.3微米厚的高溫抗蝕劑。層112烘干后，使用模具114進(jìn)行印刷處理。經(jīng)過(guò)印刷處理后，對(duì)于由聚酰亞胺構(gòu)成的層112，應(yīng)在400℃下烘烤1小時(shí)；對(duì)于由高溫抗蝕劑構(gòu)成的層112，應(yīng)在300℃以上的溫度下烘烤1小時(shí)左右。
然后，在產(chǎn)品上沉積一層0.2微米厚的多層金屬層116。該層116的一部分將構(gòu)成控制器28的被動(dòng)梁60。
層116的加工方法是在300℃左右濺射1000厚的氮化鈦TiN，然后濺射50厚的氮化鉭TaN，然后濺射1000厚的氮化鈦TiN，然后濺射50厚的氮化鉭TaN，最后再濺射1000厚的氮化鈦TiN。
也可以使用TiB2、MoSi2或(Ti，Al)N代替TiN。
然后，對(duì)層116使用模具118進(jìn)行印刷處理，然后使用等離子刻蝕方法刻蝕到層112，下一步，小心地去掉加在層116上的防蝕劑，注意不要傷及層108或112。
下一步，在層116上旋壓一層4微米厚的感光聚酰亞胺或2.6微米厚的高溫抗蝕劑，形成第三層犧牲層120。層120經(jīng)過(guò)烘干后，使用模具122進(jìn)行印刷處理。然后進(jìn)行熱烘。對(duì)于聚酰亞胺，應(yīng)在400℃下對(duì)層120烘烤1小時(shí)左右；對(duì)于高溫抗蝕劑，應(yīng)在300℃以上對(duì)層120烘烤1小時(shí)左右。
下一步，在層120上再沉積第二層多層金屬層124。層124的成分與層116相同，工藝方式也相同。需要說(shuō)明的是，層116和層124都是導(dǎo)電層。
然后，使用模具對(duì)層124進(jìn)行印刷處理。下一步使用等離子刻蝕方法把層124刻蝕到層120(聚酰亞胺或高溫抗蝕劑)，然后，把加在層124上的抗蝕劑層小心地揭下來(lái)，注意不要傷及層108、112或120。需要說(shuō)明的是，層124的剩余部分將構(gòu)成控制器28的主動(dòng)梁58。
下一步，在層124上旋壓一層4微米厚的感光聚酰亞胺或2.6微米厚的高溫抗蝕劑，形成第四層犧牲層128。層128經(jīng)過(guò)烘干后，使用模具130進(jìn)行印刷處理，剩下圖9k所示的孤立部分。然后，對(duì)于聚酰亞胺材料，應(yīng)在400℃下對(duì)層128的剩余部分烘烤1小時(shí)；對(duì)于高溫抗蝕劑材料，應(yīng)在300℃以上的溫度下對(duì)層128的剩余部分烘烤1小時(shí)。
請(qǐng)參考圖81。在上述產(chǎn)品上再沉積一層高楊氏模量的電介質(zhì)層132。層132由1微米左右厚度的氮化硅或氧化鋁構(gòu)成。層132的沉積溫度應(yīng)低于犧牲層108、112、120、128的熱烘溫度。電介質(zhì)層132應(yīng)具有高彈性模數(shù)、化學(xué)惰性以及對(duì)TiN的良好粘接性。
下一步，在上述產(chǎn)品上在旋壓一層2微米厚的感光聚酰亞胺或1.3微米厚的高溫抗蝕劑，形成第五個(gè)犧牲層134。層134經(jīng)過(guò)烘干后，使用模具136進(jìn)行印刷處理。然后，如果是聚酰亞胺材料，應(yīng)在400℃下對(duì)層134的剩余部分烘烤1小時(shí)；如果是高溫抗蝕劑，應(yīng)在300℃以上的溫度下對(duì)層134的剩余部分烘烤1小時(shí)左右。
然后，采用等離子刻蝕方法把電介質(zhì)層132刻蝕到犧牲層128，注意不要傷及犧牲層134。
上述步驟形成噴嘴開(kāi)口24、杠桿臂26、以及噴嘴組件10的錨片54。
下一步，在上述產(chǎn)品上沉積一層高楊氏模量的電介質(zhì)層138。電介質(zhì)層138的沉積方法是在低于犧牲層108、112、120和128的熱烘溫度下，沉積一層0.2微米厚的氮化硅或氮化鋁。
下一步，如圖8p所示，使用具有方向性的等離子刻蝕方法對(duì)層138刻蝕0.35微米的深度。刻蝕的目的是從所有表面上清除電介質(zhì)，僅留下電介質(zhì)層132和犧牲層134的側(cè)壁上的電介質(zhì)。此步驟形成噴嘴開(kāi)口24周圍的噴嘴邊36，該噴嘴邊36使墨水產(chǎn)生上述的彎月面。
然后，在產(chǎn)品上加一層防紫外線(UV)膠帶140，在硅晶片16背面旋壓一層4毫米后的抗蝕劑。然后使用模具142進(jìn)行背面刻蝕處理，形成墨水進(jìn)入通道48。然后從晶片16上去掉防蝕劑。
在晶片16的背面貼一層防紫外線膠帶(圖中沒(méi)有示出)。然后去掉膠帶140。下一步，把犧牲層108、112、120、128和134在氧等離子中進(jìn)行處理，形成圖8r和圖9r中顯示的最終的噴嘴組件10。為了便于參考，上述兩附圖中的零件編號(hào)與圖1中的編號(hào)相同，以反映噴嘴組件10的相關(guān)部件。圖11和12所示為按照上述工藝過(guò)程制造的噴嘴組件10的動(dòng)作。這些附圖與圖2到圖4對(duì)應(yīng)。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，可以根據(jù)上述實(shí)例中描述的本發(fā)明進(jìn)行各種等價(jià)的變化或修改。本發(fā)明的實(shí)例只用來(lái)闡明發(fā)明內(nèi)容，不應(yīng)限制發(fā)明的范圍。任何根據(jù)本發(fā)明進(jìn)行等價(jià)變化或修改的裝置都應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種墨水噴嘴組件，包括一個(gè)基片；一個(gè)可以相對(duì)于基片位移的噴嘴，該噴嘴帶有一個(gè)開(kāi)口，在使用時(shí)，隨著噴嘴相對(duì)于基片的位移，墨水從開(kāi)口噴出；一個(gè)介于基片和噴嘴之間的抑制裝置，用于抑制墨水從噴嘴的四周漏出。
2.如權(quán)利要求1所述的組件，其中所述噴嘴包括一個(gè)花冠部分，該花冠部分構(gòu)成噴嘴的開(kāi)口；一個(gè)從花冠部分延伸出來(lái)的裙邊部分，該裙邊部分與上述抑制裝置共同形成一個(gè)墨水腔，噴嘴開(kāi)口與墨水腔的液路相連。
3.如權(quán)利要求2所述的組件，其中一個(gè)通過(guò)基片的墨水入口孔形成的墨水供應(yīng)通道與上述墨水腔的液路相通，上述抑制裝置設(shè)計(jì)在墨水入口孔的周圍。
4.如權(quán)利要求2所述的組件，其中所述抑制裝置設(shè)計(jì)在噴嘴的裙邊部分之外。
5.如權(quán)利要求4所述的組件，其中所述抑制裝置包括內(nèi)部向噴嘴的裙邊部分的外表面延伸的刮拭部分。
6.如權(quán)利要求1所述的組件，其中所述抑制裝置通過(guò)沉積和刻蝕技術(shù)制造。
7.如權(quán)利要求1所述的組件，其中所述抑制裝置由某種陶瓷材料制成。
全文摘要
一種墨水噴嘴組件(10)，包括一個(gè)基片(16)。一個(gè)可以相對(duì)于基片(16)位移的噴嘴(22)。該噴嘴(22)具有一個(gè)噴嘴開(kāi)口(24)，在使用時(shí)，當(dāng)噴嘴(22)相對(duì)于基片(16)位移過(guò)程中，墨水通過(guò)開(kāi)口(24)噴出。一個(gè)位于基片(16)和噴嘴(22)之間的密封裝置(52)，用于抑制墨水從噴嘴(22)的四周漏出。
文檔編號(hào)B41J2/045GK1452555SQ00819576
公開(kāi)日2003年10月29日 申請(qǐng)日期2000年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月24日
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