Ito導(dǎo)電玻璃的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種面電阻為14～20歐姆、17～25歐姆、20～30歐姆的ITO導(dǎo)電玻璃，包括依次層疊的玻璃、第一低折射率層、第一高折射率層、第二低折射率層、第二高折射率層以及ITO層。這種ITO導(dǎo)電玻璃，通過以第一低折射率層、第一高折射率層、第二低折射率層和第二高折射率層替代傳統(tǒng)的SiO2層，透過率高低結(jié)合的膜層結(jié)構(gòu)增加了ITO層的透過率，同時(shí)第二高折射率層與ITO層之間透過率差別較小，使得使用這種ITO導(dǎo)電玻璃的LCD產(chǎn)品在點(diǎn)亮?xí)r圖線較亮，ITO線條在第二高折射率層上不會(huì)出現(xiàn)顯示的字的影子。
【專利說明】ITO導(dǎo)電玻璃

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種面電阻為14?20歐姆、17?25歐姆、20?30歐姆的IT0 導(dǎo)電玻璃。

【背景技術(shù)】
[0002] IT0導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺射的方法依次 沉積二氧化硅（Si02)和氧化銦錫（通稱IT0)薄膜加工制作成的。
[0003] IT0是一種具有良好透明導(dǎo)電性能的金屬化合物，具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射 率高和電阻率低等特性，IT0導(dǎo)電玻璃廣泛地應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、特殊功能 窗口涂層及其他光電器件領(lǐng)域，是目前LCD、TOP、0LED、觸摸屏等各類平板顯示器件廣泛采 用的透明導(dǎo)電電極材料。作為平板顯示器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，IT0導(dǎo)電玻璃其隨著平板顯 示器件的不斷更新和升級(jí)而具有更加廣闊的市場(chǎng)空間。
[0004] 傳統(tǒng)的面電阻為14?20歐姆、17?25歐姆、20?30歐姆的IT0導(dǎo)電玻璃，由于 IT0層透過率太低（80?81 %左右），而Si02層的透過率則比較高（91. 5 %以上），兩者透 過率相差明顯。從而導(dǎo)致使用IT0導(dǎo)電玻璃的LCD產(chǎn)品在點(diǎn)亮?xí)r圖線較暗，IT0線條在Si02 層上會(huì)出現(xiàn)顯示的字的影子，即"字影"現(xiàn)象，視覺效果較差。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 基于此，有必要提供一種在使用時(shí)視覺效果較好的IT0導(dǎo)電玻璃。
[0006] -種IT0導(dǎo)電玻璃，包括依次層疊的玻璃、第一低折射率層、第一高折射率層、第 二低折射率層、第二高折射率層以及IT0層；
[0007] 所述第一低折射率層的材料為Si02或MgF2 ;
[0008] 所述第一高折射率層的材料為Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4 ;
[0009] 所述第二低折射率層的材料為Si02或MgF2 ;
[0010] 所述第二高折射率層的材料為Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4 ;
[0011] 所述第一低折射率層的厚度為〇A?500A。
[0012] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一低折射率層的厚度為50人?200A。
[0013] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一高折射率層的厚度為5〇A?丨00A。
[0014] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二低折射率層的厚度為300/\?450人。
[0015] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二高折射率層的厚度為40A?丨50A。
[0016] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述IT0導(dǎo)電玻璃的面電阻為14?20歐姆、17?25歐姆或 20?30歐姆。
[0017] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述IT0層的厚度為550人?1050A。
[0018] 這種IT0導(dǎo)電玻璃，通過以第一低折射率層、第一高折射率層、第二低折射率層和 第二高折射率層替代傳統(tǒng)的3102層，透過率高低結(jié)合的膜層結(jié)構(gòu)增加了ITO層的透過率， 同時(shí)第二高折射率層與IT0層之間透過率差別較小，使得使用這種IT0導(dǎo)電玻璃的LCD產(chǎn) 品在點(diǎn)亮?xí)r圖線較亮，IT0線條在第二高折射率層上不會(huì)出現(xiàn)顯示的字的影子，視覺效果較 好。
[0019] 同時(shí)，LCD生產(chǎn)線多個(gè)制程中對(duì)位時(shí)多采用白光CCD進(jìn)行抓標(biāo)對(duì)位，如果IT0蝕 刻前、后透過率相差太近，達(dá)到了消影或低蝕刻痕或無色差的的效果，則會(huì)出現(xiàn)CCD對(duì)位困 難。此實(shí)用新型旨在拉近IT0蝕刻前、后透過率之差，同時(shí)避免達(dá)到消影或低蝕刻痕或無色 差結(jié)果，以滿足IXD生產(chǎn)需求，提升IXD顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 圖1為一實(shí)施方式的IT0導(dǎo)電玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖2為如圖1所示的IT0導(dǎo)電玻璃的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022] 為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本 實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分 理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域 技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本實(shí)用新型不受下面公 開的具體實(shí)施的限制。
[0023] 如圖1所示的一實(shí)施方式IT0導(dǎo)電玻璃，包括依次層疊的玻璃10、第一低折射率層 20、第一高折射率層30、第二低折射率層40、第二高折射率層50以及IT0層60。
[0024] 玻璃10可以選擇浮法玻璃或者其他本領(lǐng)域常規(guī)的玻璃。
[0025] 第一低折射率層20的材料為Si02或MgF2。Si02的折射率為1. 48,MgF2的折射率 為1. 38。采用Si02或MgF2作為第一低折射率層20的材料，使得第一低折射率層20的透 過率相對(duì)較高。
[0026] 第一低折射率層20的厚度為〇A?500A。一般而言，第一低折射率層20的厚度對(duì) 于IT0導(dǎo)電玻璃的整體透過率以及視覺效果影響較小，在一個(gè)特別的實(shí)施方式中，第一低 折射率層20的厚度可以為0,也就是說，第一低折射率層20可以省略。
[0027] 在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施方式中，第一低折射率層20的厚度為50A?200A。
[0028] 第一高折射率層30的材料為Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率為2. 3， Ti02的折射率為2. 3,Zr02的折射率為2. 17,Si3N4的折射率為2. 0。采用Nb205、Ti02、Zr02 或Si3N4作為第一高折射率層30的材料，使得第一高折射率層30的透過率相對(duì)較低。
[0029] 本實(shí)施方式中，第一高折射率層30的厚度為50A?100A。
[0030] 第二低折射率層40的材料為Si02或MgF2。Si02的折射率為1. 48,MgF2的折射率 為1. 38。采用Si02或MgF2作為第二低折射率層40的材料，使得第二低折射率層40的透 過率相對(duì)較高。
[0031] 本實(shí)施方式中，第二低折射率層40的厚度為300A?450A。
[0032] 第二高折射率層50的材料為Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率為2. 3， Ti02的折射率為2. 3,Zr02的折射率為2. 17,Si3N4的折射率為2. 0。采用Nb205、Ti02、Zr02 或Si3N4作為第二高折射率層50的材料，使得第二高折射率層50的透過率相對(duì)較低。
[0033] 本實(shí)施方式中，第二高折射率層50的厚度為40A?150A。
[0034] 本實(shí)施方式中，IT0層60的厚度為550A?1050A。
[0035] IT0導(dǎo)電玻璃的面電阻可以為14?20歐姆、17?25歐姆或20?30歐姆。
[0036] 特別的，對(duì)應(yīng)IT0導(dǎo)電玻璃的電阻范圍為20歐姆?30歐姆，IT0層60的厚度為 650人?750人；對(duì)應(yīng)IT0導(dǎo)電玻璃的電阻范圍為17歐姆?25歐姆，IT0層60的厚度為 750A?850A;對(duì)應(yīng)IT0導(dǎo)電玻璃的電阻范圍為14歐姆?20歐姆，IT0層60的厚度為 850人?950人。
[0037] 這種IT0導(dǎo)電玻璃，通過以第一低折射率層20、第一高折射率層30、第二低折射 率層40和第二高折射率層50替代傳統(tǒng)的Si02層，透過率高低結(jié)合的膜層結(jié)構(gòu)增加了IT0 層60的透過率，同時(shí)第二高折射率層50與IT0層60之間透過率差別較小，使得使用這種 IT0導(dǎo)電玻璃的LCD產(chǎn)品在點(diǎn)亮?xí)r圖線較亮，IT0線條在第二高折射率層上不會(huì)出現(xiàn)顯示的 字的影子，視覺效果較好。同時(shí)為避免CCD對(duì)位困難，將IT0蝕刻前、后透過率之差控制在 1. 0?2. 5%之內(nèi)，即達(dá)到低字影目的，也避免了消影或低蝕刻痕或無色差，避免IT0玻璃在 IXD后續(xù)加工工序中C⑶對(duì)位困難。
[0038] 如圖2所示的上述IT0導(dǎo)電玻璃的制備方法，包括如下步驟：
[0039] S10、提供玻璃10,清洗后干燥。
[0040] 玻璃10可以選擇浮法玻璃或者其他本領(lǐng)域常規(guī)的玻璃。
[0041] S20、在清洗后的玻璃10表面依次磁控濺射沉積第一低折射率層20、第一高折射 率層30、第二低折射率層40、第二高折射率層50和IT0層60,得到IT0導(dǎo)電玻璃。
[0042] 第一低折射率層20的材料為Si02或MgF2。Si02的折射率為1. 48,MgF2的折射率 為1. 38。采用Si02或MgF2作為第一低折射率層20的材料，使得第一低折射率層20的透 過率相對(duì)較高。
[0043] 第一低折射率層20的厚度為〇A?500人。一般而言，第一低折射率層20的厚度對(duì) 于IT0導(dǎo)電玻璃的整體透過率以及視覺效果影響較小，在一個(gè)特別的實(shí)施方式中，第一低 折射率層20的厚度可以為0,也就是說，第一低折射率層20可以省略。
[0044] 在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施方式中，第一低折射率層20的厚度為50A?200入。
[0045] 第一高折射率層30的材料為Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率為2. 3， Ti02的折射率為2. 3,Zr02的折射率為2. 17,Si3N4的折射率為2. 0。采用Nb205、Ti02、Zr02 或Si3N4作為第一高折射率層30的材料，使得第一高折射率層30的透過率相對(duì)較低。
[0046] 本實(shí)施方式中，第一高折射率層30的厚度為50A?丨00人。
[0047] 第二低折射率層40的材料為Si02或MgF2。Si02的折射率為1. 48,MgF2的折射率 為1. 38。采用Si02或MgF2作為第二低折射率層40的材料，使得第二低折射率層40的透 過率相對(duì)較高。
[0048] 本實(shí)施方式中，第二低折射率層40的厚度為300A?450A。
[0049] 第二高折射率層50的材料為Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率為2. 3， Ti02的折射率為2. 3,Zr02的折射率為2. 17,Si3N4的折射率為2. 0。采用Nb205、Ti02、Zr02 或Si3N4作為第二高折射率層50的材料，使得第二高折射率層50的透過率相對(duì)較低。
[0050] 本實(shí)施方式中，第二高折射率層50的厚度為40A?150A。
[0051] 本實(shí)施方式中，IT0層60的厚度為550A?1050A。
[0052] IT0導(dǎo)電玻璃的面電阻可以為14?20歐姆、17?25歐姆或20?30歐姆。
[0053] 特別的，對(duì)應(yīng)IT0導(dǎo)電玻璃的電阻范圍為20歐姆?30歐姆，IT0層60的厚度為 650A?750A;對(duì)應(yīng)IT0導(dǎo)電玻璃的電阻范圍為17歐姆?25歐姆，IT0層60的厚度為 750A?850A;對(duì)應(yīng)IT0導(dǎo)電玻璃的電阻范圍為14歐姆?20歐姆，IT0層60的厚度為 850人?950人。
[0054] 上述方法制得的IT0導(dǎo)電玻璃，通過以第一低折射率層20、第一高折射率層30、第 二低折射率層40和第二高折射率層50替代傳統(tǒng)的Si02層，透過率高低結(jié)合的膜層結(jié)構(gòu)增 加了IT0層60的透過率，同時(shí)第二高折射率層50與IT0層60之間透過率差別較小，使得 使用這種IT0導(dǎo)電玻璃的LCD產(chǎn)品在點(diǎn)亮?xí)r圖線較亮，IT0線條在第二高折射率層上不會(huì) 出現(xiàn)顯示的字的影子，視覺效果較好。
[0055] 同時(shí)，IXD生產(chǎn)線多采用白光(XD，如果IT0蝕刻前、后透過率相差太近，達(dá)到了消 影的效果，則會(huì)存在CCD對(duì)位難度。此實(shí)用新型旨在拉近IT0蝕刻前、后透過率之差，同時(shí) 避免出現(xiàn)消影或低蝕刻痕或無色差的結(jié)果，以滿足LCD生產(chǎn)需求，提升LCD顯示效果。
[0056] 下面為具體實(shí)施例。
[0057] 實(shí)施例1
[0058] 將浮法玻璃洗凈后干燥。
[0059] 在工作壓強(qiáng)為2Xl(T3mbar的條件下，在浮法玻璃表面依次沉積厚度為100A的 Si02層、厚度為丨〇〇人的Nb205層、厚度為370A的Si02層、厚度為60A的Nb205層和厚度 為700人的IT0層，得到所需的IT0導(dǎo)電玻璃。
[0060] 實(shí)施例2
[0061] 將浮法玻璃洗凈后干燥。
[0062] 在工作壓強(qiáng)為3Xl(T3mbar的條件下，在浮法玻璃表面依次沉積厚度為200A的 Si〇2層、厚度為90A的Ti〇2層、厚度為380A的Si〇2層、厚度為50A的Ti〇2層和厚度為 800A的IT0層，得到所需的IT0導(dǎo)電玻璃。
[0063] 實(shí)施例3
[0064] 將浮法玻璃洗凈后干燥。
[0065] 在工作壓強(qiáng)為8Xl(T4mbar的條件下，在浮法玻璃表面依次沉積厚度為80入的 Nb2〇5層、厚度為350A的31〇2層、厚度為70人的Nb2〇5層和厚度為900人的IT0層，得到所 需的IT0導(dǎo)電玻璃。
[0066] 實(shí)施例4
[0067] 將浮法玻璃洗凈后干燥。
[0068] 在工作壓強(qiáng)為1X10_3mbar的條件下，在浮法玻璃表面依次沉積厚度為丨80A的 Zr02層、厚度為230A的MgF2層、厚度為125A的Si3N4層和厚度為800A的IT0層，得到 所需的IT0導(dǎo)電玻璃。
[0069] 實(shí)施例5
[0070] 將浮法玻璃洗凈后干燥。
[0071] 在工作壓強(qiáng)為1X10_3mbar的條件下，在浮法玻璃表面依次沉積厚度為2.00A的Si02層、厚度為75A的Ti02層、厚度為33〇A1的Si〇2層、厚度為155A的Zr〇2層和厚度為 900A的ito層，得到所需的IT0導(dǎo)電玻璃。
[0072] 對(duì)實(shí)施例1?5制備得到的IT0導(dǎo)電玻璃，利用UV2450分光光度計(jì)進(jìn)行550nm透 過率測(cè)試，結(jié)果如下表1所示。

【權(quán)利要求】
1. 一種ITO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，包括依次層疊的玻璃、第一低折射率層、第一高折 射率層、第二低折射率層、第二高折射率層以及ITO層； 所述第一低折射率層的材料為SiO2或MgF2 ; 所述第一高折射率層的材料為Nb205、Ti02、ZrO2或Si 3N4 ; 所述第二低折射率層的材料為SiO2或MgF2 ; 所述第二高折射率層的材料為Nb205、Ti02、ZrO2或Si 3N4 ; 所述第一低折射率層的厚度為OA?500A。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述第一低折射率層的厚度為 5〇A?20〇A。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述第一高折射率層的厚度為 50 A?IOOA。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述第二低折射率層的厚度為 300A ?450A。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述第二高折射率層的厚度為 40 A?150入。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的ITO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述ITO導(dǎo)電玻璃的面電阻為 14?20歐姆、17?25歐姆或20?30歐姆。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的ITO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述ITO層的厚度 為 550A?1050A。
【文檔編號(hào)】B32B17/06GK204079781SQ201420444377
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月7日
【發(fā)明者】劉玉華, 方鳳軍, 陳立, 譚偉, 杜曉峰 申請(qǐng)人:宜昌南玻顯示器件有限公司