高性能的電子芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種高性能的電子芯片，所述的高性能的電子芯片包括最上層的高分子材料層、中間層的粘膠劑和最下層的硅材料層組合而成，所述高分子材料層為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，所述硅材料層為二氧化硅，所述的高分子材料層占高性能的電子芯片總體分量的27%-29%，所述的粘膠劑占高性能的電子芯片總體分量的3%-5%，所述的硅材料層占高性能的電子芯片總體分量的65%-70%。本發(fā)明提供一種高性能的電子芯片，具有良好的耐熱、耐候性和環(huán)保節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】高性能的電子芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種高性能的電子芯片。

【背景技術(shù)】
[0002]本世紀(jì)50，60年代以來(lái)，微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展使其相關(guān)領(lǐng)域也取得了長(zhǎng)足的進(jìn)展，出現(xiàn)了一些新的研究方向，如微機(jī)電系統(tǒng)、微光學(xué)器件、微分析系統(tǒng)等.這些技術(shù)在生物、化學(xué)和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域也得到了較廣泛的應(yīng)用，各種生物傳感器和微型分析儀器相繼出現(xiàn)，如芯片毛細(xì)管電泳儀，氣體傳感器及用于觀察單個(gè)神經(jīng)元細(xì)胞生長(zhǎng)情況的儀器等。1991年Affymax公司Fodor領(lǐng)導(dǎo)的小組對(duì)原位合成制備的DNA芯片作了首次報(bào)道[I].他們利用光刻技術(shù)與光化學(xué)合成技術(shù)相結(jié)合制作了檢測(cè)多肽和寡聚核苷酸的微陣列(microarray)芯片。用該方法制作的DNA芯片可用于藥理基因組學(xué)研究與基因重復(fù)測(cè)序工作.這一突破性的進(jìn)展使生物芯片技術(shù)在世界范圍內(nèi)開(kāi)始得到重視。隨著近些年來(lái)各種技術(shù)的進(jìn)步，生物芯片的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大，科學(xué)家們采用微電子工業(yè)及其他相關(guān)行業(yè)的各種微加工技術(shù)在硅、玻璃、塑料等基質(zhì)上加工制作了各種生物芯片.美國(guó)依靠其強(qiáng)大的科技能力和經(jīng)濟(jì)實(shí)力，在該領(lǐng)域的研究開(kāi)發(fā)中處于領(lǐng)先位置，先后已有幾十家生物芯片公司成立，開(kāi)發(fā)出了近20種生物芯片，部分已投入研究應(yīng)用。在DNA芯片的研究過(guò)程中，很多公司都開(kāi)發(fā)了具有自身特色的技術(shù).最早涉足該領(lǐng)域的Affymetrix公司已開(kāi)發(fā)了多種基因芯片，部分芯片已投入商業(yè)應(yīng)用，如用于檢測(cè)HIV基因與p53腫瘤基因突變的芯片，還有用于研究藥物新陳代謝時(shí)基因變化的細(xì)胞色素P450芯片。Hyseq公司開(kāi)發(fā)的薄膜測(cè)序芯片采用的方法不是在未知序列的DNA片段上做熒光標(biāo)記，而是在已知序列的探針上做標(biāo)記，每次用不同的探針去與未知序列的DNA片段雜交，通過(guò)檢測(cè)熒光得知雜交的結(jié)果，最后利用計(jì)算機(jī)處理實(shí)驗(yàn)結(jié)果，組合出待測(cè)DNA片段的序列.Synteni公司(現(xiàn)已為Incyte Pharmaceutical并購(gòu))研究了一種用玻璃作載體的DNA芯片，利用兩種不同的熒光標(biāo)記物，可同時(shí)在芯片上檢測(cè)正常的信使RNA與受疾病或藥物影響后的信使RNA的表達(dá)情況。Nanogen公司采用電場(chǎng)以主動(dòng)出擊的方式來(lái)操縱芯片上的DNA片段進(jìn)行雜交，使其系統(tǒng)的反應(yīng)速度比一般的讓DNA隨機(jī)擴(kuò)散尋找固化雜交探針的被動(dòng)式檢測(cè)更快，使檢測(cè)時(shí)間可減少到幾十或幾百分之一.ClinicalMicro Sensors (CMS)公司正在開(kāi)發(fā)一種非熒光檢測(cè)芯片，利用電信號(hào)來(lái)確定DNA雜交中有無(wú)失配的情況。除了上述公司外，美國(guó)一些著名大學(xué)如斯坦福大學(xué)、賓夕法尼亞大學(xué)、加利福尼亞大學(xué)伯克利分校、麻省理工學(xué)院、橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室等一些大學(xué)和國(guó)家實(shí)驗(yàn)室也在進(jìn)行生物芯片的研究.歐洲一些國(guó)家的公司和大學(xué)同樣也已涉足該領(lǐng)域并取得了明顯的成就，日本有幾家公司報(bào)道了他們的研究結(jié)果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種具有良好的耐熱、耐候性和環(huán)保節(jié)能優(yōu)點(diǎn)的高性能的電子芯片。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種高性能的電子芯片，所述的高性能的電子芯片包括最上層的高分子材料層、中間層的粘膠劑和最下層的硅材料層組合而成，所述高分子材料層為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，所述硅材料層為二氧化硅，所述的高分子材料層占高性能的電子芯片總體分量的27%-29%，所述的粘膠劑占高性能的電子芯片總體分量的3%-5%，所述的硅材料層占高性能的電子芯片總體分量的65%-70%。
[0005]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的粘膠劑為聚氨酯膠黏劑。
[0006]在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的高分子材料層占高性能的電子芯片總體分量的27%,所述的粘I父劑占聞性能的電子芯片總體分量的3%,所述的娃材料層占聞性能的電子芯片總體分量的70%。
[0007]本發(fā)明的一種高性能的電子芯片，具有良好的耐熱、耐候性和環(huán)保節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)。

【具體實(shí)施方式】
[0008]下面對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。
[0009]其中，所述的高性能的電子芯片包括最上層的高分子材料層、中間層的粘膠劑和最下層的硅材料層組合而成，所述高分子材料層為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，所述硅材料層為二氧化硅，所述的高分子材料層占高性能的電子芯片總體分量的27%-29%，所述的粘膠劑占高性能的電子芯片總體分量的3%-5%，所述的硅材料層占高性能的電子芯片總體分量的65%-70%。
[0010]進(jìn)一步說(shuō)明，所述的粘膠劑為聚氨酯膠黏劑，所述的高分子材料層占高性能的電子芯片總體分量的27%，所述的粘膠劑占高性能的電子芯片總體分量的3%，所述的硅材料層占高性能的電子芯片總體分量的70%。聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，為乳白色或淺黃色、高度結(jié)晶的聚合物，表面平滑有光澤。是生活中常見(jiàn)的一種樹(shù)脂，可以分為APET、RPET和PETG。在較寬的溫度范圍內(nèi)具有優(yōu)良的物理機(jī)械性能，長(zhǎng)期使用溫度可達(dá)120°C，電絕緣性優(yōu)良，甚至在高溫高頻下,其電性能仍較好,但耐電暈性較差,抗蠕變性,耐疲勞性,耐摩擦性、尺寸穩(wěn)定性都很好。是乳白色或前黃色高度結(jié)晶性的聚合物，表面平滑而有光澤。耐蠕變、耐抗疲勞性、耐磨擦和尺寸穩(wěn)定性好，磨耗小而硬度高，具有熱塑性塑料中最大的韌性:電絕緣性能好，受溫度影響小，但耐電暈性較差。無(wú)毒、耐氣候性、抗化學(xué)藥品穩(wěn)定性好，吸水率低，耐弱酸和有機(jī)溶劑，但不耐熱水浸泡，不耐堿。
[0011]再進(jìn)一步說(shuō)明，二氧化硅又稱硅石，化學(xué)式S1 2。自然界中存在有結(jié)晶二氧化硅和無(wú)定形二氧化硅兩種。結(jié)晶二氧化硅因晶體結(jié)構(gòu)不同，分為石英、鱗石英和方石英三種。純石英為無(wú)色晶體，大而透明棱柱狀的石英叫水晶。若含有微量雜質(zhì)的水晶帶有不同顏色，有紫水晶、茶晶等。普通的砂是細(xì)小的石英晶體，有黃砂(較多的鐵雜質(zhì))和白砂(雜質(zhì)少、較純凈)。二氧化硅晶體中，硅原子的4個(gè)價(jià)電子與4個(gè)氧原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，硅原子位于正四面體的中心，4個(gè)氧原子位于正四面體的4個(gè)頂角上，S1 2是表示組成的最簡(jiǎn)式，僅是表示二氧化硅晶體中硅和氧的原子個(gè)數(shù)之比。二氧化硅是原子晶體。自然界存在的硅藻土是無(wú)定形二氧化硅，是低等水生植物硅藻的遺體，為白色固體或粉末狀，多孔、質(zhì)輕、松軟的固體，吸附性強(qiáng)。化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定。不跟水反應(yīng)。是酸性氧化物，不跟一般酸反應(yīng)。氣態(tài)氟化氫跟二氧化硅反應(yīng)生成氣態(tài)四氟化硅。跟熱的濃強(qiáng)堿溶液或熔化的堿反應(yīng)生成硅酸鹽和水。跟多種金屬氧化物在高溫下反應(yīng)生成硅酸鹽。用于制造石英玻璃、光學(xué)儀器、化學(xué)器皿、普通玻璃、耐火材料、光導(dǎo)纖維，陶瓷等。二氧化硅的性質(zhì)不活潑，它不與除氟、氟化氫以外的鹵素、鹵化氫以及硫酸、硝酸、高氯酸作用(熱濃磷酸除外)。本發(fā)明提供一種高性能的電子芯片，具有良好的耐熱、耐候性和環(huán)保節(jié)能的優(yōu)點(diǎn)。
[0012]本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可不經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種高性能的電子芯片，其特征在于:所述的高性能的電子芯片包括最上層的高分子材料層、中間層的粘膠劑和最下層的硅材料層組合而成，所述高分子材料層為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯，所述硅材料層為二氧化硅，所述的高分子材料層占高性能的電子芯片總體分量的27%-29%，所述的粘膠劑占高性能的電子芯片總體分量的3%-5%，所述的硅材料層占高性能的電子芯片總體分量的65%-70%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高性能的電子芯片，其特征在于:所述的粘膠劑為聚氨酯膠黏劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高性能的電子芯片，其特征在于:所述的高分子材料層占高性能的電子芯片總體分量的27%，所述的粘膠劑占高性能的電子芯片總體分量的3%，所述的硅材料層占高性能的電子芯片總體分量的70%。
【文檔編號(hào)】B32B27/06GK104441874SQ201410801392
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月22日
【發(fā)明者】林蔡月琴 申請(qǐng)人:永新電子常熟有限公司