一種特殊膜系的金色雙銀low-e玻璃的制作方法
【專利摘要】一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SSTOX底層介質(zhì)層、第一AZO平整層、第一Si層、第一Ag層、第一CrNxOy膜層、SnO2中間介質(zhì)層、第二AZO平整層、第二Si層、第二Ag層、第二CrNxOy膜層、以及Si3N4頂層介質(zhì)層。本發(fā)明產(chǎn)生的金色，色澤更鮮艷、成本更低廉。
【專利說明】—種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃

【技術(shù)領(lǐng)域】
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[0001]本發(fā)明涉及一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃。

【背景技術(shù)】
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[0002]LOff-E玻璃，是一種高端的低輻射玻璃，是在玻璃基材表面鍍制包括銀層在內(nèi)的多層金屬及其它化合物組成的膜系產(chǎn)品。具有節(jié)能減排及裝飾幕墻的雙重功效。
[0003]而金色玻璃作為鍍膜玻璃的一個(gè)非常規(guī)品種，深受人們喜愛。但由于前期市場(chǎng)上的金色鍍膜玻璃產(chǎn)品，色調(diào)暗淡且生產(chǎn)成本高，且大多數(shù)為陽光控制鍍膜玻璃。
[0004]故有必要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品作出改進(jìn)，以提供一種色澤鮮艷、成本低廉的金色單銀LOW-E玻璃。


【發(fā)明內(nèi)容】

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[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，其產(chǎn)生的金色，色澤更鮮艷、成本更低廉。
[0006]一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SSTOx底層介質(zhì)層、第一 AZO平整層、第一 Si層、第一 Ag層、第一 CrNxOy膜層、SnO2中間介質(zhì)層、第二 AZO平整層、第二 Si層、第二 Ag層、第二 CrNxOy膜層、以及Si3N4頂層介質(zhì)層。
[0007]本發(fā)明可通過如下方案進(jìn)行改進(jìn):
[0008]所述SSTOx底層介質(zhì)層的厚度為30nm。
[0009]所述第一 AZO平整層和第二 AZO平整層的厚度為10nm。
[0010]所述第一 Si層的厚度為3?5nm,所述第二 Si層的厚度為5?8nm。
[0011]所述第一 Ag層和第二 Ag層的厚度為10?15nm。
[0012]所述第一 CrNxOy膜層和第二 CrNxOy膜層的厚度為3nm。
[0013]所述SnO2中間介質(zhì)層的厚度為60nm。
[0014]所述Si3N4頂層介質(zhì)層的厚度為50nm。
[0015]本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):1、本發(fā)明的Si層，用來作為金色提供層，與用金作為功能層生產(chǎn)的金色相比較，本發(fā)明產(chǎn)生的金色，其色澤更鮮艷，Si作為功能層的成本不到用金的千分之一。2、具有比傳統(tǒng)單銀LOW-E玻璃更低的輻射率，輻射率僅0.02，節(jié)能效果顯著。3、透過色及反射色更鮮艷，更金。

【專利附圖】

【附圖說明】
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[0016]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
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[0017]如圖所示，一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材1，所述玻璃基材I的上表面由下而上依次設(shè)有SSTOx底層介質(zhì)層2、第一 AZO平整層3、第一 Si層4、第一 Ag層5、第一 CrNxOy膜層6、Sn02中間介質(zhì)層7、第二 AZO平整層8、第二 Si層9、第二 Ag層10、第二 CrNxOy膜層11、以及Si3N4頂層介質(zhì)層12。
[0018]進(jìn)一步地，所述SSTOx底層介質(zhì)層2的厚度為30nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、以氬氣為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體濺射不銹鋼靶，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，最終在玻璃基材I上形成SSTOx底層介質(zhì)層2，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0019]再進(jìn)一步地，所述第一 AZO平整層3的厚度為10nm，用于平滑第一 Si層4。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(AZO)靶，用氬氣作為濺射氣體，摻入少量氧氣，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM):(20?40SCCM)，最終形成第一 AZO平整層3，為第一 Si層4、第一 Ag層5作鋪墊，降低輻射率。
[0020]更進(jìn)一步地，所述第一 Si層4的厚度為3?5nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流電源濺射Si靶，用氬氣作為濺射氣體，氣體流量500?550SCCM，最終形成第一 Si層4，用來作為金色提供層。
[0021]又進(jìn)一步地，所述第一 Ag層5的厚度為10?15nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶，用氬氣作為濺射氣體，氣體流量500?550SCCM，最終形成第一 Ag層5。
[0022]再進(jìn)一步地，所述第一 CrNxOy膜層6的厚度為3nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鉻靶，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，最終形成第一 CrNxOy膜層6，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性。
[0023]更進(jìn)一步地，所述SnO2中間介質(zhì)層7，作為保護(hù)層，其厚度為60nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、用氬氣作為濺射氣體、氧氣作反應(yīng)氣體濺射錫靶，其中，氬氧比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，最終形成SnO2中間介質(zhì)層7，氬氧比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量。
[0024]再進(jìn)一步地，所述第二 AZO平整層8，的厚度為10nm，用于平滑第二 Si層9。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn (AZO)靶，用氬氣作為濺射氣體，摻入少量氧氣，其中，氬氧比為:(400SCCM?420SCCM):(20?40SCCM)，最終形成第二 AZO平整層8，為第二 Si層9、第二 Ag層10作鋪墊，降低輻射率。
[0025]又進(jìn)一步地，所述第二 Si層9，的厚度為5?8nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流電源濺射Si靶，用氬氣作為濺射氣體，氣體流量500?550SCCM，最終形成第二 Si層9，用來作為金色提供層。
[0026]再進(jìn)一步地，所述第二 Ag層10的厚度為10?15nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶，用氬氣作為濺射氣體，氣體流量500?550SCCM，最終形成第二 Ag層10。
[0027]更進(jìn)一步地，所述第二 CrNxOy膜層11的厚度為3nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鉻靶，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，最終形成第二 CrNxOy膜層11，提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性。
[0028]再進(jìn)一步地，所述Si3N4頂層介質(zhì)層12的厚度為50nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源、氬氣作為濺射氣體、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射硅鋁靶(硅鋁質(zhì)量百分比92:8)，其中，氬氮比為(400SCCM?420SCCM): (450SCCM?500SCCM)，氬氮比是該膜層的核心，決定了成膜的質(zhì)量，最終形成Si3N4頂層介質(zhì)層12。
[0029]本發(fā)明的第一 Si層和第二 Si層，用來作為金色提供層，與用金作為功能層生產(chǎn)的金色相比較，本發(fā)明產(chǎn)生的金色，其色澤更鮮艷，Si作為功能層的成本不到用金的千分之一。另外，本發(fā)明具有比傳統(tǒng)單銀LOW-E玻璃更低的輻射率，輻射率僅0.02，節(jié)能效果顯著。同時(shí)，本發(fā)明的透過色及反射色更鮮艷，更金。
[0030]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基材，其特征在于:所述玻璃基材的上表面由下而上依次設(shè)有SSTOx底層介質(zhì)層、第一 AZO平整層、第一 Si層、第一 Ag層、第一CrNxOy膜層、SnO2中間介質(zhì)層、第二 AZO平整層、第二 Si層、第二 Ag層、第二 CrNxOy膜層、以及Si3N4頂層介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述SSTOx底層介質(zhì)層的厚度為30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 AZO平整層和第二 AZO平整層的厚度為10nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 Si層的厚度為3?5nm,所述第二 Si層的厚度為5?8nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 Ag層和第二 Ag層的厚度為10?15nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述第一 CrNxOy膜層和第二 CrNxOy膜層的厚度為3nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述SnO2中間介質(zhì)層的厚度為60nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種特殊膜系的金色雙銀LOW-E玻璃，其特征在于:所述Si3N4頂層介質(zhì)層的厚度為50nm。
【文檔編號(hào)】B32B15/04GK104309219SQ201410606445
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】禹幸福, 陳圓 申請(qǐng)人:中山市亨立達(dá)機(jī)械有限公司