一種窗膜核心功能層和制作該窗膜核心功能層的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種窗膜核心功能層和制作該核心功能層的方法，該窗膜核心功能層包括PET基底薄膜和設(shè)在所述PET基底薄膜上的磁控濺射層，所述磁控濺射層包括自下而上依次設(shè)在所述PET基底薄膜上的第一透明氧化物層、第一復(fù)合金屬層、第二透明氧化物層、第二復(fù)合金屬層和第三透明氧化物層；制作窗膜核心功能層的方法為依次在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的五個(gè)腔室內(nèi)進(jìn)行磁控濺射鍍膜，以形成上述磁控濺射層。本發(fā)明的有益效果為：提高紅外光反射率的同時(shí)降低可見光的反射率，節(jié)約能源消耗；在Ag層上部沉積封層金屬層阻斷Ag層與氧氣的接觸而氧化，保證所述窗膜核心功能層的使用壽命；所述制作所述窗膜核心功能層在五個(gè)磁控腔室內(nèi)一次完成，生產(chǎn)效率高。
【專利說(shuō)明】—種窗膜核心功能層和制作該窗膜核i L'功能層的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光學(xué)領(lǐng)域，具體涉及一種窗膜核心功能層和制作該窗膜核心功能層的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在美國(guó)，磁控濺射技術(shù)從20世紀(jì)80年代開始已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各類基底和材料的鍍膜工藝上，并代表著鍍膜工藝中最高端的技術(shù)。但由于長(zhǎng)久的技術(shù)封鎖，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)市場(chǎng)2000年前后才有相關(guān)技術(shù)引進(jìn)，2010年前后觸摸屏行業(yè)的興起讓國(guó)內(nèi)市場(chǎng)逐漸熟悉這種技術(shù)。本方法所涉及的玻璃窗膜行業(yè)，為卷繞式鍍膜機(jī)的一個(gè)重要應(yīng)用，但該工藝生產(chǎn)的窗膜產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)還處于萌芽階段。
[0003]目前國(guó)內(nèi)窗膜的生產(chǎn)仍以染色膜和鍍鋁膜為主，該低端窗膜完全沒有節(jié)能功效并且產(chǎn)生光污染，已經(jīng)被歐美市場(chǎng)禁止使用。而在磁控濺射窗膜的領(lǐng)域，仍以進(jìn)口產(chǎn)品為主，發(fā)達(dá)國(guó)家產(chǎn)品處于壟斷地位。在國(guó)內(nèi)，即便擁有卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的公司(少于5家)，其技術(shù)和生產(chǎn)力也停留在單鍍金屬(如Ag)的產(chǎn)品上。本發(fā)明從納米節(jié)能膜核心層的材料設(shè)計(jì)到生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)條件均有詳細(xì)論述，這項(xiàng)技術(shù)會(huì)成為高端窗膜發(fā)展的必然選擇。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種降低可見光反射率的同時(shí)提高紅外光的反射率的窗膜核心功能層，同時(shí)也提供了制作該核心功能層的方法以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:
[0006]一種窗膜核心功能層，包括PET基底薄膜和沉積所述PET基底薄膜上的磁控濺射層，所述磁控濺射層包括自下而上依次沉積在所述PET基底薄膜上的第一透明氧化物層、第一復(fù)合金屬層、第二透明氧化物層、第二復(fù)合金屬層和第三透明氧化物層。
[0007]通過五腔室卷繞式磁控濺射，將三層透明氧化物薄膜和復(fù)合金屬膜依次鍍?cè)诟蓛舻腜ET基底薄膜的表面，通過對(duì)沉積的條件和厚度做優(yōu)化設(shè)計(jì)后可形成納米級(jí)窗膜核心功能層。所述窗膜核心功能層透過可見光的同時(shí)可將紅外光反射，將所述窗膜核心功能層應(yīng)用于窗膜，將所述窗膜貼在玻璃上，所述窗膜核心功能層將窗膜外的紅外光反射，防止紅外光照射進(jìn)安裝玻璃的腔室(如汽車車廂)內(nèi)，引起腔室的溫度上升，為了提高舒適度往往需要在腔室內(nèi)安裝空調(diào)進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)，而空調(diào)的運(yùn)行需要消耗大量能源，采用本技術(shù)方案可以提高紅外光的反射率，減少進(jìn)入腔室內(nèi)的紅外光，防止腔室內(nèi)溫度過快升高；所述透明氧化物層和所述復(fù)合金屬層做到一定厚度(如小于300nm)時(shí)，不會(huì)影響可見光的通過，保證腔室內(nèi)的溫度恒定的同時(shí)又不影響采光。
[0008]優(yōu)選的，所述第一透明氧化物層、所述第二透明氧化物層和所述第三透明氧化物層的材質(zhì)為金屬氧化物、ΙΤ0或ΑΖ0中的一種。
[0009]優(yōu)選的，所述所述第一復(fù)合金屬層包括自下而上的第一 Ag層和第一封層金屬層；所述第二復(fù)合金屬層包括自下而上的第二 Ag層和第二封層金屬層。
[0010]金屬Ag對(duì)紅外光反射性良好，采用金屬銀作為復(fù)合金屬層的一部分保證了所述的窗膜核心功能層對(duì)紅外光的反射性能；在所述Ag層的上部還沉積有封層金屬層,封層金屬層采用抗氧化能力強(qiáng)的金屬材料，由于Ag的抗氧化能力較弱極易被氧化，一旦Ag氧化后形成的AgO不再具備良好的紅外光反射性能(此處最好可說(shuō)明AgO與Ag在相同厚度條件下各自對(duì)紅外光的反射率)，勢(shì)必影響所述窗膜核心功能層的紅外光反射率，在Ag層上部沉積封層金屬層阻斷Ag層與氧氣的接觸，若沒有封層金屬層的保護(hù)，在第一復(fù)合金屬層、第二復(fù)合金屬層沉積后還要進(jìn)行第二透明氧化物層、第三透明氧化物層沉積，在透明氧化物沉積時(shí)會(huì)向相應(yīng)腔室內(nèi)通入氬氣和氧氣的混合氣體，通入的氧氣會(huì)與Ag層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成紅外光反射率較低的AgO，影響所述窗膜核心功能層對(duì)紅外光的反射率，另外，所述采用所述窗膜核心功能層制作成的窗膜使用過程中也會(huì)與空氣中的氧氣接觸以氧化和影響窗膜對(duì)紅外光的反射率，降低窗膜的隔熱作用，采用封層金屬層保證了所述第一復(fù)合金屬層和所述第二復(fù)合金屬層對(duì)紅外光的反射率。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一封層金屬層和所述第二封層金屬層的材質(zhì)為Ti或NiCr合金，所述第一 Ag層和所述第二銀層的厚度均為10-15nm，所述第一封層金屬層和所述第二封層金屬層的厚度均為3-5nm。
[0012]Ti或NiCr合金的化學(xué)性能相對(duì)Ag要穩(wěn)定的多，尤其是前者常溫下的抗氧化性能及其穩(wěn)定，用Ti或NiCr合金經(jīng)磁控濺射沉積成的封層金屬層將抗氧化性極低的Ag層包裹在內(nèi)，保證了所述窗膜核心功能層長(zhǎng)期使用下的紅外光線反射率，延長(zhǎng)了所述窗膜核心功能層的使用壽命。
[0013]優(yōu)選的，所述PET基底薄膜的厚度為20-200 μ m，所述第一透明氧化物層的厚度為30-40nm，所述第一復(fù)合金屬層的厚度為13_20nm、所述第二透明氧化物層的厚度為45-60nm、所述第二復(fù)合金屬層的厚度為13_20nm、所述第三透明氧化物層的厚度為30_40nm。
[0014]制作上述技術(shù)方案所述的窗膜核心功能層的方法，包括如下步驟:
[0015]S1、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第一腔室進(jìn)行磁控濺射，在PET基底薄膜的表面沉積第一透明氧化物層；
[0016]S2、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第二腔室進(jìn)行磁控濺射，在第一透明氧化物層的表面沉積第一復(fù)合金屬層；
[0017]S3、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第三腔室進(jìn)行磁控濺射，在第一復(fù)合金屬層的表面沉積第二透明氧化物層；
[0018]S4、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第四腔室進(jìn)行磁控濺射，在第二透明氧化物層的表面沉積第二復(fù)合金屬層；
[0019]S5、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第五腔室進(jìn)行磁控濺射，在第二復(fù)合金屬層的表面沉積第三透明氧化物層。
[0020]優(yōu)選的，五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)應(yīng)配備高端精確的牽引和張力系統(tǒng)，嚴(yán)格控制鍍膜過程中對(duì)PET膜的拉伸力，防止PET基底薄膜起皺和鍍膜不均。
[0021]進(jìn)一步的，步驟S1、步驟S3和步驟S5均包括:在所述五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的相應(yīng)腔室中，通入體積比為40:1-60:1的氬氣和氧氣的混合氣體，設(shè)定真空度10-6Torr,鍍膜穩(wěn)定氣壓0.5-lPa ;祀材選用透明氧化物薄膜,其中透明氧化物薄膜為的材質(zhì)為ITO、ΑΖ0或金屬氧化物中的一種；第一腔室、第三腔室和第五腔室內(nèi)的透明氧化物薄膜均勻沉積分別形成第一透明氧化物層、第三透明氧化物層和第五透明氧化物層，通過控制電源功率使第一透明氧化物層、第三透明氧化物層和第五透明氧化物層的沉積厚度分別為 30-40nm、45-60nm 和 30_40nm。
[0022]其中，ΙΤ0為摻錫氧化銦導(dǎo)電玻璃，ΑΖ0為鋁摻雜的氧化鋅透明導(dǎo)電玻璃。
[0023]進(jìn)一步的，步驟S2和步驟S4均包括:在所述五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的相應(yīng)腔室中，通入純度為不小于99.99%的氬氣，放入一個(gè)旋轉(zhuǎn)Ag靶和一個(gè)Ti平面靶，設(shè)定真空度10-6Torr，鍍膜穩(wěn)定氣壓0.5-lPa ;經(jīng)磁控濺射，旋轉(zhuǎn)Ag靶和Ti平面靶分別依次沉積為Ag層和Ti層，通過控制電源功率使Ag層的厚度為10-15nmTi層的厚度為3_5nm，Ag層和Ti層分別沉積在第二腔室和第四腔室形成第一復(fù)合金屬層和第二復(fù)合金屬層。
[0024]優(yōu)選的，磁控濺射過程中保持第一腔室、第二腔室、第三腔室、第四腔室和第五腔室的溫度保持恒定，并且溫度范圍為25°C -50°C。防止溫度過高導(dǎo)致磁控濺射中產(chǎn)生的熱量導(dǎo)致PET膜變形。
[0025]本技術(shù)方案中磁控派射層為五層，在五個(gè)磁控腔室內(nèi)可一次鍍膜完成。五個(gè)腔室內(nèi)的靶材排放次序，依次為透明氧化物薄膜/銀+封層金屬/透明氧化物薄膜/+封層封層金屬/透明氧化物薄膜，其厚度分別控制在30_40nm、13-20nm、45-60nm、13_20nm和30-40nm，且根據(jù)該范圍內(nèi)的各層薄膜厚度不同的組合，可制備出不同顏色，不同紅外反射能力的窗膜核心功能層。
[0026]本發(fā)明的有益效果為:
[0027]提高紅外光反射率的同時(shí)降低可見光的反射率，保證使用了該窗膜核心功能層的腔室內(nèi)溫度恒定的同時(shí)又不影響采光，減少腔室內(nèi)的空調(diào)使用量，節(jié)約能源消耗；在第一復(fù)合金屬層和第二復(fù)合金屬層內(nèi)的Ag上設(shè)置抗氧化性能強(qiáng)的封層金屬層，防止Ag層的氧化，在Ag層上部沉積封層金屬層阻斷Ag層與氧氣的接觸，保證所述第一復(fù)合金屬層和所述第二復(fù)合金屬層對(duì)紅外光的反射率，保證所述窗膜核心功能層的使用壽命；所述制作所述窗膜核心功能層在五個(gè)磁控腔室內(nèi)一次完成，生產(chǎn)效率高；通孔控制電源功率將磁控濺射層中的各層的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)以制備不同顏色，不同紅外反射能力的窗膜核心功能層，滿足多樣化需要，豐富產(chǎn)品線，提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是本發(fā)明所述的窗膜核心功能層的剖面圖。
[0029]圖中，1、PET基底薄膜；2、磁控濺射層；21、第一透明氧化物層；22、第一復(fù)合金屬層；221、第一 Ag層；222、第一封層金屬層；23、第二透明氧化物層；24、第二復(fù)合金屬層；241、第二 Ag層；242、第二封層金屬層；25、第三透明氧化物層。

【具體實(shí)施方式】
[0030]實(shí)施例一
[0031]如圖1所示，一種窗膜核心功能層，包括PET基底薄膜1和設(shè)在所述PET基底薄膜1上的磁控濺射層2，所述磁控濺射層2包括自下而上依次沉積在所述上的第一透明氧化物層21、第一復(fù)合金屬層22、第二透明氧化物層23、第二復(fù)合金屬層24和第三透明氧化物層25。所述第一透明氧化物層21、所述第二透明氧化物層23和所述第三透明氧化物層25的材質(zhì)為金屬氧化物、ITO或AZO中的一種。
[0032]并且,所述第一復(fù)合金屬層22包括自下而上的第一 Ag層221和第一封層金屬層222 ;所述第二復(fù)合金屬層24包括自下而上的第二 Ag層241和第二封層金屬層242。所述第一封層金屬層222和所述第二封層金屬層242的材質(zhì)為Ti或NiCr合金，所述第一 Ag層221和所述第二銀層241的厚度均為10-15nm，所述第一封層金屬層222和所述第二封層金屬層242的厚度均為3-5nm。所述PET基底薄膜1的厚度為100 μ m，所述第一透明氧化物層21的厚度為30nm，所述第一復(fù)合金屬層22的厚度為13nm、所述第二透明氧化物層23的厚度為45nm、所述第二復(fù)合金屬層24的厚度為13nm、所述第三透明氧化物層25的厚度為30nmo
[0033]制作上述技術(shù)方案所述的窗膜核心功能層的方法，包括如下步驟:將面積為30cm X 30cm，厚度為50 μ m的清洗后進(jìn)行如下步驟:
[0034]S1、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第一腔室進(jìn)行磁控濺射，在的表面沉積第一透明氧化物層21，控制電源功率為20kW以保證所述第一透明氧化物層21的沉積厚度為30nm ；
[0035]S2、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第二腔室進(jìn)行磁控濺射，在第一透明氧化物層21的表面沉積第一復(fù)合金屬層22，控制電源功率為5kW以保證所述第一復(fù)合金屬層22的沉積厚度為13nm，其中所述第一 Ag層221的厚度為10nm，所述第一封層金屬層222的厚度為3nm ；
[0036]S3、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第三腔室進(jìn)行磁控濺射，在第一復(fù)合金屬層22的表面沉積第二透明氧化物層23，控制電源功率為20kW以保證所述第二透明氧化物層23的沉積厚度為45nm ；
[0037]S4、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第四腔室進(jìn)行磁控濺射，在第二透明氧化物層23的表面沉積第二復(fù)合金屬層24，控制電源功率為5kW以保證所述第二復(fù)合金屬層24的沉積厚度為13nm，其中所述第二 Ag層241的厚度為10nm，所述第二封層金屬層242的厚度為3nm ；
[0038]S5、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第五腔室進(jìn)行磁控濺射，在第二復(fù)合金屬層24的表面沉積第三透明氧化物層25，控制電源功率為20kW以保證所述第三透明氧化物層25的沉積厚度為30nm。
[0039]需要說(shuō)明的是，五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)應(yīng)配備高端精確的牽引和張力系統(tǒng)，嚴(yán)格控制鍍膜過程中對(duì)PET膜的拉伸力，防止造成PET膜起皺和鍍膜不均。
[0040]其中，步驟S1、步驟S3和步驟S5均包括:在所述五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的相應(yīng)腔室中，通入體積比為40:1-60:1的氬氣和氧氣的混合氣體，設(shè)定真空度10-6Torr，鍍膜穩(wěn)定氣壓0.5-lPa ;靶材選用透明氧化物薄膜，其中透明氧化物薄膜為的材質(zhì)為ΙΤ0、ΑΖ0或金屬氧化物中的一種；第一腔室、第三腔室和第五腔室內(nèi)的透明氧化物薄膜均勻沉積分別形成第一透明氧化物層21、第三透明氧化物層25和第五透明氧化物層，通過控制電源功率使第一透明氧化物層21、第三透明氧化物層25和第五透明氧化物層的沉積厚度分別為30-40nm、45_60nm 和；30_40nm。
[0041]步驟S2和步驟S4均包括:在所述五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的相應(yīng)腔室中，通入純度為不小于99.99 %的氬氣，放入一個(gè)旋轉(zhuǎn)Ag靶和一個(gè)Ti平面靶，設(shè)定真空度10-6Torr,鍍膜穩(wěn)定氣壓0.5-lPa ;經(jīng)磁控濺射，旋轉(zhuǎn)Ag靶和Ti平面靶分別依次沉積為Ag層，所述Ag層包括第一 Ag層221和第二銀層241，通過控制電源功率使兩層Ag層的厚度均為10-15nm，Ti層的厚度為3_5nm，Ag層和Ti層分別沉積在第二腔室和第四腔室形成第一復(fù)合金屬層22和第二復(fù)合金屬層24。
[0042]需要注意的是，磁控濺射過程中保持五個(gè)腔室內(nèi)的溫度保持恒定，并且溫度范圍為 25 °C -50 °C。
[0043]本實(shí)施例對(duì)可見光的反射率為10%以下，對(duì)紅外光(lOOOnm波段)的反射率為60%以上。
[0044]對(duì)比例一
[0045]本實(shí)施例相對(duì)于實(shí)施例一的不同之處在于:磁控濺射層2僅包括第一透明氧化物層21、第一復(fù)合金屬層22、第二透明氧化物層23,本實(shí)施例對(duì)可見光的反射率為14%大于實(shí)施例一中的10%,對(duì)紅外光的反射率為50%以下(lOOOnm波段)小于實(shí)施例一種的60%。
[0046]實(shí)施例二
[0047]控制第一腔室的電源功率為30kW，使所述第一透明氧化物層21的沉積厚度為40nmo
[0048]控制第二腔室的電源功率為15kW，使所述第一復(fù)合金屬層22的沉積厚度為20nm，其中所述第一 Ag層221和第Ag層241的沉積厚度為15nm，所述第一封層金屬層222和所述第二封層金屬層242的沉積厚度均為5nm。
[0049]控制第三腔室的電源功率為30kW，使所述第二透明氧化物層23的沉積厚度為60nmo
[0050]控制第四腔室的電源功率為5kW，使所述第二復(fù)合金屬層24的沉積厚度為20nm，其中所述Ag層221的沉積厚度為15nm，所述封層金屬層222的沉積厚度為5nm。
[0051]控制第五腔室的電源功率為30kW，使所述第三透明氧化物層25的沉積厚度為40nmo
[0052]本實(shí)施例對(duì)可見光的反射率為10%以下，對(duì)紅外光(lOOOnm波段)的反射率為70%以上。
[0053]實(shí)施例三
[0054]控制第一腔室的電源功率為25kW，使所述第一透明氧化物層21的沉積厚度為35nm。
[0055]控制第二腔室的電源功率為10kW，使所述第一復(fù)合金屬層22的沉積厚度為16.5nm,其中所述其中所述第一 Ag層221和第Ag層241的沉積厚度均為12.5nm,所述第一封層金屬層222和所述第二封層金屬層242的沉積厚度均為4nm。
[0056]控制第三腔室的電源功率為25kW，使所述第二透明氧化物層23的沉積厚度為52.5nm。
[0057]控制第四腔室的電源功率為10kW，使所述第二復(fù)合金屬層24的沉積厚度為16.5nm,其中所述Ag層221的沉積厚度為12.5nm,所述封層金屬層222的沉積厚度為4nm。
[0058]控制第五腔室的電源功率為25kW，使所述第三透明氧化物層25的沉積厚度為35nm。
[0059]本實(shí)施例對(duì)可見光的反射率為10%以下，對(duì)紅外光(lOOOnm波段)的反射率為65%以上。
[0060]本發(fā)明不局限于上述最佳實(shí)施方式，任何人在本發(fā)明的啟示下都可得出其他各種形式的產(chǎn)品，但不論在其形狀或結(jié)構(gòu)上作任何變化，凡是具有與本申請(qǐng)相同或相近似的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種窗膜核心功能層，其特征在于:包括PET基底薄膜和沉積在所述PET基底薄膜上的磁控濺射層，所述磁控濺射層包括自下而上依次沉積在所述PET基底薄膜上的第一透明氧化物層、第一復(fù)合金屬層、第二透明氧化物層、第二復(fù)合金屬層和第三透明氧化物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的窗膜核心功能層，其特征在于:所述第一透明氧化物層、所述第二透明氧化物層和所述第三透明氧化物層的材質(zhì)為金屬氧化物、ITO或AZO中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的窗膜核心功能層，其特征在于:所述第一復(fù)合金屬層包括自下而上的第一 Ag層和第一封層金屬層；所述第二復(fù)合金屬層包括自下而上的第二 Ag層和第二封層金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的窗膜核心功能層，其特征在于:所述第一封層金屬層和所述第二封層金屬層的材質(zhì)為Ti或NiCr合金，所述第一 Ag層和所述第二銀層的厚度均為10-15nm,所述第一封層金屬層和所述第二封層金屬層的厚度均為3_5nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的窗膜核心功能層，其特征在于:所述PET基底薄膜的厚度為20-200 μ m，所述第一透明氧化物層的厚度為30-40nm，所述第一復(fù)合金屬層的厚度為13-20nm、所述第二透明氧化物層的厚度為45_60nm、所述第二復(fù)合金屬層的厚度為13-20nm、所述第三透明氧化物層的厚度為30_40nm。
6.制作權(quán)利要求1所述的窗膜核心功能層的方法，其特征在于:包括如下步驟: 51、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第一腔室進(jìn)行磁控濺射，在PET基底薄膜的表面沉積第一透明氧化物層； 52、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第二腔室進(jìn)行磁控濺射，在第一透明氧化物層的表面沉積第一復(fù)合金屬層； 53、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第三腔室進(jìn)行磁控濺射，在第一復(fù)合金屬層的表面沉積第二透明氧化物層； 54、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第四腔室進(jìn)行磁控濺射，在第二透明氧化物層的表面沉積第二復(fù)合金屬層； 55、在五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的第五腔室進(jìn)行磁控濺射，在第二復(fù)合金屬層的表面沉積第三透明氧化物層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作窗膜核心功能層的方法，其特征在于:五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)包括牽引和張力系統(tǒng)，以防止造成PET膜起皺和鍍膜不均。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作窗膜核心功能層的方法，其特征在于:步驟S1、步驟S3和步驟S5均包括:在所述五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的相應(yīng)腔室中，通入體積比為40:1-60:1的氬氣和氧氣的混合氣體，設(shè)定真空度10-6Torr，鍍膜穩(wěn)定氣壓0.5-lPa ;靶材選用透明氧化物薄膜，其中透明氧化物薄膜的材質(zhì)為ΙΤ0、ΑΖ0或金屬氧化物中的一種； 第一腔室、第三腔室和第五腔室內(nèi)的透明氧化物薄膜均勻沉積分別形成第一透明氧化物層、第三透明氧化物層和第五透明氧化物層，通過控制電源功率使第一透明氧化物層、第三透明氧化物層和第五透明氧化物層的沉積厚度分別為30-40nm、45-60nm和30_40nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6中任一項(xiàng)所述的制作窗膜核心功能層的方法，其特征在于:步驟S2和步驟S4均包括:所述五腔室卷繞式磁控濺射鍍膜機(jī)的相應(yīng)腔室中，通入純度為不小于99.99 %的氬氣，放入一個(gè)旋轉(zhuǎn)Ag靶和一個(gè)Ti平面靶，設(shè)定真空度10-6Torr，鍍膜穩(wěn)定氣壓0.5-lPa ;經(jīng)磁控濺射，旋轉(zhuǎn)Ag靶和Ti平面靶分別依次沉積為Ag層和Ti層，通過控制電源功率使Ag層的厚度為10-15nm，Ti層的厚度為3_5nm，Ag層和Ti層分別沉積在第二腔室和第四腔室形成第一復(fù)合金屬層和第二復(fù)合金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-9中任一項(xiàng)所述的制作窗膜核心功能層的方法,其特征在于:磁控濺射過程中保持第一腔室、第二腔室、第三腔室、第四腔室和第五腔室的溫度保持恒定，并且溫度范圍為25°C -50°C。
【文檔編號(hào)】B32B15/04GK104309195SQ201410557944
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月20日
【發(fā)明者】朱瑋, 陳土培 申請(qǐng)人:朱瑋