制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片的新方法。為此，本公開的第1方式所涉及的制造方法包括如下工序，通過水膜(902)來保護(hù)芯片(811)的背面(811b)，同時(shí)使具有羥基的芯片(811)的表面(811a)接觸使R1-Si(OR2)3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶劑(905a)而得到的有機(jī)溶液(905)，從而在芯片(811)的表面(811a)形成防水性的薄膜。
【專利說明】制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]專利文獻(xiàn)I公開了一種將芯片那樣的微小的構(gòu)件20配置在基板10上的方法。該方法被稱為“FSA法”。在FSA法中，如圖15A所示，準(zhǔn)備具備多個(gè)親水性區(qū)域11以及包圍該親水性區(qū)域11的防水性區(qū)域12的基板10。接著，如圖15B所示，將配置于基板10的構(gòu)件20分散于實(shí)質(zhì)上不溶于水的溶劑40，來準(zhǔn)備構(gòu)件含有液50。由于構(gòu)件20的背面是親水性的，因此構(gòu)件20的背面能夠與I個(gè)親水性區(qū)域11接合。另一方面，表面是防水性的。不僅表面是防水性的，構(gòu)件20的背面以外的面都是防水性的。
[0003]接著，如圖15C所示，利用第I刮板(squeegee) 61在多個(gè)親水性區(qū)域11配置水30。然后，圖MD所示,利用第2刮板62，涂敷構(gòu)件含有液50，使構(gòu)件含有液50與配置于親水性區(qū)域11的水31接觸。在該過程中，各構(gòu)件20在配置于親水性區(qū)域11的水31中移動(dòng)。此時(shí)，親水性背面面向親水性區(qū)域11。然后，去除水31以及構(gòu)件含有液50所含的溶劑，在親水性區(qū)域11配置構(gòu)件20。所配置的構(gòu)件20的背面與親水性區(qū)域11相接。專利文獻(xiàn)I作為參照而編入本說明書。
[0004]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:美國(guó)專利第7，730, 610號(hào)說明書
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]發(fā)明要解決的課題
[0008]本公開的目的在于，提供一種制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片的新方法。
[0009]解決課題的手段
[0010]本公開所涉及的制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片的方法，包括如下工序:
[0011]工序(a)，準(zhǔn)備隔著蠟?zāi)ざ诒趁鎮(zhèn)染邆湫酒牡贗基板，并且所述芯片具備表面以及背面，所述芯片的所述表面與所述蠟?zāi)は嘟?，且所述芯片的所述背面是親水性的；
[0012]工序(b)，使所述芯片的所述背面與在表面具有水膜的第2基板接觸，獲得由所述第I基板以及所述第2基板構(gòu)成的層疊體，并且所述芯片的所述背面與所述水膜接觸；
[0013]工序(C)，將所述層疊體浸潰在第I疏水性溶劑中，使所述蠟?zāi)と芙庥谒龅贗疏水性溶劑；
[0014]工序⑷，去除所述第I基板，獲得在表面附著了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面與所述水膜接觸，且所述芯片的所述表面露出；
[0015]工序(e)，通過所述水膜保護(hù)所述芯片的所述背面，同時(shí)使具有羥基的所述芯片的所述表面接觸使R1-Si (OR2) 3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶劑而得到的有機(jī)溶液，從而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，并且所述R1表示烴基或氟化烴，所述R2表示烷氧基，且所述Y表示鹵素；和
[0016]工序(f)，去除所述第2基板，從而獲得具有防水性表面以及親水性背面的所述芯片。
[0017]發(fā)明效果
[0018]本公開提供一種制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片的新方法。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1表示實(shí)施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(a)。
[0020]圖2表示實(shí)施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(b)。
[0021]圖3表示實(shí)施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(C)。
[0022]圖4表示實(shí)施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(d)。
[0023]圖5表示實(shí)施方式所涉及的芯片的制造方法所含的工序(e)。
[0024]圖6表示實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0025]圖7表示圖6后續(xù)的、實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0026]圖8表示圖7后續(xù)的、實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0027]圖9表示圖8后續(xù)的、實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0028]圖10表不圖9后續(xù)的、實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0029]圖11表示實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0030]圖12表示圖11后續(xù)的、實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0031]圖13表示實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0032]圖14表示圖13后續(xù)的、實(shí)施例所涉及的芯片的制造方法所含的一個(gè)工序。
[0033]圖15A表示專利文獻(xiàn)I中公開的FSA法的一個(gè)工序。
[0034]圖15B表示專利文獻(xiàn)I中公開的FSA法的一個(gè)工序。
[0035]圖15C表示專利文獻(xiàn)I中公開的FSA法的一個(gè)工序。
[0036]圖MD表示專利文獻(xiàn)I中公開的FSA法的一個(gè)工序。
【具體實(shí)施方式】
[0037]本公開的第I方式所涉及的制造具有防水性表面811a以及親水性背面811b的芯片811的方法，包括如下工序:
[0038]工序(a)，準(zhǔn)備隔著蠟?zāi)?30而在背面?zhèn)染邆湫酒?11的第I基板110，并且芯片811具備表面811a以及背面811b，芯片811的表面811a與蠟?zāi)?30相接，且芯片811的背面811b是親水性的；
[0039]工序(b)，使芯片811的背面811b接觸在表面具有水膜902的第2基板120，獲得由第I基板110以及第2基板120構(gòu)成的層疊體100，并且芯片811的背面811b與水膜902接觸；
[0040]工序(c)，使層疊體100浸潰在第I疏水性溶劑903a中，使蠟?zāi)?30溶解于第I疏水性溶劑903a ；[0041]工序(d)，去除第I基板110，獲得在表面附著了芯片811的第2基板120，并且芯片811的背面811b與水膜902接觸，且芯片811的表面811a露出；
[0042]工序(e)，通過水膜902來保護(hù)芯片811的背面811b，同時(shí)使具有羥基的芯片811的表面811a接觸有機(jī)溶液905，該有機(jī)溶液905是使R1-Si (OR2) 3或R1-SiYS溶解于第2疏水性溶劑905a而得到的，從而在芯片811的表面811a形成防水性的薄膜，其中R1表示烴基或氟化烴，R2表示烷氧基，且Y表示鹵素；和
[0043]工序(f)，去除第2基板120，從而獲得具有防水性表面811a以及親水性背面811b的芯片811。
[0044]第2方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，蠟?zāi)?30也可以是粘著性的。
[0045]第3方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，第I疏水性溶劑903a也可以是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它們的混合物。
[0046]第4方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，在工序(e)中，也可以將在表面附著了芯片811的第2基板102浸潰在有機(jī)溶液905中。
[0047]第5方式所涉及的制造方法，在上述第I方式中，第2疏水性溶劑905a也可以是具有6個(gè)以上碳數(shù)的烴、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它們的混合物。
[0048]此外，本公開的第6方式所涉及的制造具有防水性表面811a以及親水性背面811b的芯片811的方法，包括如下工序:
[0049]工序(a)，準(zhǔn)備隔著蠟?zāi)?30而在背面?zhèn)染邆湫酒?11的第I基板110，并且芯片811具備表面811a以及背面811b，芯片811的表面811a與蠟?zāi)?30相接，且芯片811的背面811b是親水性的；
[0050]工序(b)，使芯片811的背面811b與在表面具有水膜902的第2基板120接觸，獲得由第I基板110以及第2基板120構(gòu)成的層疊體100，并且芯片811的背面811b與水膜902接觸；
[0051 ] 工序(c)，使層疊體100浸潰在第I疏水性溶劑903a中，使蠟?zāi)?30溶解于第I疏水性溶劑903a ；
[0052]工序(d)，去除第I基板110，獲得在表面附著了芯片811的第2基板120，并且芯片811的背面811b與水膜902接觸，且芯片811的表面811a露出；
[0053]工序(e)，通過水膜902來保護(hù)芯片811的背面811b，同時(shí)使具有金膜的芯片811的表面811a接觸含有R1-SH的有機(jī)溶液905，該有機(jī)溶液905溶解于第2疏水性溶劑905a，使烷基或氟化烷基與芯片811的表面結(jié)合來賦予防水性，其中R1表示烴基或氟化烴；和
[0054]工序(f)，去除第2基板120，獲得具有防水性表面811a以及親水性背面811b的芯片811。
[0055]第7方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，蠟?zāi)?30也可以是粘著性的。
[0056]第8方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，第I疏水性溶劑903a也可以是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它們的混合物。
[0057]第9方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，在工序(e)中，也可以將在表面附著了芯片811的第2基板102浸潰在有機(jī)溶液905中。
[0058]第10方式所涉及的制造方法，在上述第6方式中，第2疏水性溶劑905a也可以是具有6個(gè)以上碳數(shù)的烴、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它們的混合物。[0059]以下，參照附圖對(duì)本公開的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0060]在實(shí)施方式中，依次執(zhí)行工序(a)?工序(f)。
[0061](工序(a))
[0062]首先，如圖1所示，準(zhǔn)備第I基板110。
[0063]第I基板110在背面具有蠟?zāi)?30。蠟?zāi)?30的材料的例子是萜烯酚醛樹脂。蠟被涂敷在第I基板Iio的背面811b，形成蠟?zāi)?30。涂敷蠟的方法的例子是旋涂法。
[0064]隔著蠟?zāi)?30，將芯片811設(shè)置在第I基板110的背面811b。芯片811包含表面811a以及背面811b。表面811a與蠟?zāi)?30相接。另一方面，背面811b露出。
[0065]用語(yǔ)“表面”是指上表面。另一方面，用語(yǔ)“背面”是指底面。
[0066]為了抑制芯片811從第I基板110的背面落下，優(yōu)選蠟?zāi)?30是粘著性的。
[0067]芯片811的例子是半導(dǎo)體元件或太陽(yáng)能電池元件。電極最好在芯片811的背面811b露出。若通過FSA法而將芯片811配置于具有電極的基板10，則露出到背面811b的電極與基板10的表面所具備的電極電連接。
[0068]芯片811的背面811b是親水性的。在以下的項(xiàng)目(a)?(C)中記述對(duì)背面811b賦予親水性的方法的例子。
[0069](a)對(duì)附著了芯片811的第I基板110的背面進(jìn)行等離子照射處理。
[0070](b)在芯片811的背面811b形成SiO2層或SiN層。
[0071](c)在芯片811的背面811b形成金層或銅層之后，將由X-R-SH表示的有機(jī)化合物提供給芯片811的背面811b。X表示-C00H、-OH、_S03、或-S0”
[0072](工序(b))
[0073]接著，如圖2所示，使芯片811的背面811b與在表面具有水膜902的第2基板120接觸。如此，能夠獲得由第I基板Iio以及第2基板120構(gòu)成的層疊體100。如圖2所示，芯片811的背面811b與水膜902接觸。
[0074](工序(C))
[0075]在工序(c)中，如圖3所示，將層疊體100浸潰在含有第I疏水性溶劑903a的容器903中。第I疏水性溶劑903a使蠟?zāi)?30溶解。第I疏水性溶劑903a的例子為乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它們的混合物。在后述的實(shí)施例中，使用了乙酸丁酯。
[0076]水膜902不溶解于第I疏水性溶劑903a，因此芯片811的背面811b保持親水性。換言之，通過水膜902保護(hù)了芯片811的親水性背面811b免受第I疏水性溶劑903a的影響。
[0077](工序(d))
[0078]由于在工序(C)中蠟?zāi)?30被溶解，因此如圖4所示，第I基板110被簡(jiǎn)單地去除。最好第I基板Iio在第I疏水性溶劑903a中從第2基板120分離。如此，能夠獲得在表面附著了芯片811的第2基板120。芯片811的背面811b與水膜902接觸。另一方面，芯片811的表面露出。
[0079](工序(e))
[0080]在工序(e)中，對(duì)芯片811的表面811a賦予防水性。以下說明對(duì)表面811a賦予防水性的方法的例子。
[0081]如圖5所示，將在表面附著了芯片811的第2基板120浸潰在含有有機(jī)溶液905的容器904中。有機(jī)溶液905含有R1-Si (OR2) 3、R1-SiY3、或R1-SH15在此，R1表示烴基或氟化烴。R2表示烷氧基。Y表示鹵素。優(yōu)選鹵素為氯。
[0082]芯片811的表面811a與R1-Si (OR2) ^R1-SiY3'* R1-SH發(fā)生反應(yīng)，在芯片811的表面811a形成防水性的薄膜。
[0083]有機(jī)溶液905的溶劑是疏水性的。為了與第I疏水性溶劑903a區(qū)分，在工序(e)中使用的疏水性溶劑稱為“第2疏水性溶劑905a”。第2疏水性溶劑905a的例子是具有6以上碳數(shù)的烴、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它們的混合物。在后述的實(shí)施例中，使用了氯仿/十六烷混合溶液。
[0084]與工序(c)中的說明相同，因?yàn)樗?02不溶解于第2疏水性溶劑905a，所以芯片811的背面811b保持親水性。換言之，通過水膜902保護(hù)了芯片811的親水性背面811b不受第2疏水性溶劑905a的影響。因此，防水性的薄膜不形成在芯片811的親水性背面811b。另一方面，如上所述，防水性的薄膜形成在芯片811的背面811a。
[0085]有機(jī)溶液905中含有的R1-S1-(OR2)3與存在于芯片811的表面811a的羥基發(fā)生反應(yīng)，形成防水性的薄膜。這樣的羥基通過將芯片811暴露于自然氧化環(huán)境中而形成。因此，優(yōu)選在將芯片811浸潰于有機(jī)溶液905之前，將芯片811暴露于自然氧化環(huán)境中。
[0086]有機(jī)溶液905中含有的R1-SH與形成在芯片811的表面811a的金膜發(fā)生反應(yīng)，形成防水性的薄膜。因此，優(yōu)選在將芯片811浸潰于有機(jī)溶液905之前，在芯片811的表面811a形成金膜。
[0087](工序(f))
[0088]工序(e)之后，去除第2基板120。由于第2基板120的表面不具有粘著性，因此第2基板120能夠簡(jiǎn)單地去除。如此，能夠獲得具有防水性表面811a以及親水性背面811b的芯片811。
[0089](實(shí)施例)
[0090]在以下的實(shí)施例中，對(duì)本公開更詳細(xì)地進(jìn)行說明。
[0091]作為芯片811，準(zhǔn)備了多個(gè)平板狀GaAs元件。參照附圖來說明制造平板狀GaAs元件的方法。
[0092]首先，如圖6所示，準(zhǔn)備GaAs基板作為支撐基板800。支撐基板800的厚度是450微米。接著，如圖7所示，具有100納米的厚度的AlAs層820形成在支撐基板800的表面。進(jìn)而，具有5微米的厚度的GaAs層810形成在AlAs層820的表面。
[0093]然后，如圖8所示，在GaAs層810的表面上形成掩模層900。如圖9所示，沒有被掩模層900覆蓋的部分通過濕法蝕刻而被去除。然后，去除掩模層900。如此，如圖10所示，由GaAs元件構(gòu)成的多個(gè)芯片811形成在支撐基板800上。
[0094]各芯片811具有150微米的長(zhǎng)度、150微米的寬度、以及5.1微米的厚度。
[0095]另一方面，如圖11所示，準(zhǔn)備具有700微米的厚度的玻璃基板作為第I基板110。在第I基板110的表面，通過旋涂法，涂敷萜烯酚醛樹脂蠟，形成蠟?zāi)?30。萜烯酚醛樹脂蠟購(gòu)買了日化精工株式會(huì)社生產(chǎn)的商品名“SPACE LIQUID”。蠟?zāi)?30具有1.5微米的厚度。
[0096]然后，如圖12所示，將第I基板110翻過來。
[0097]如圖13所示，在支撐基板800上層疊第I基板110，使蠟?zāi)?30與芯片811的表面811a接觸。然后，如圖14所示，將支撐基板800以及第I基板110浸潰在具有IM的濃度的鹽酸水溶液901中，將AlAs層820溶解。如此，去除了支撐基板800，獲得了如圖1所示的、隔著粘著性的蠟?zāi)?30而在背面?zhèn)染邆湫酒?11的第I基板110。
[0098]從第I基板110的背面?zhèn)绕疬M(jìn)行氧等離子處理，使芯片811的背面?zhèn)?11b成為親水性。
[0099]另一方面，準(zhǔn)備硅基板作為第2基板120。該第2基板120具有525微米的厚度。第2基板120的表面在氧氣氛下暴露于等離子處理。如此,對(duì)第2基板120的表面賦予了親水性。接著，將第2基板120浸潰在水中，在第2基板120的表面形成了水膜902。
[0100]接著，如圖2所示，將第I基板110的背面附著在第2基板120的表面，使得芯片811的背面811b與水膜902相接，從而獲得了層疊體100。
[0101]如圖3所示，層疊體100在40°C的溫度下浸潰在乙酸丁酯中。蠟?zāi)?30被乙酸丁酯溶解。然后，如圖4所示，第I基板110在乙酸丁酯中被容易地去除。如此，獲得了隔著水膜902而在表面具有多個(gè)芯片811的第2基板120。
[0102]接著，如圖5所示，將該第2基板120在含有具有0.1vol %的濃度的CH3CH2CH2SiCl3(以下，稱為“PTS”)的氯仿/十六烷混合溶液(體積比=I:4)中浸潰60分鐘。接下來，將在該第2基板120的表面配置的多個(gè)芯片811在純凈的氯仿中洗凈，然后去除氯仿。如此，平板狀的芯片811的表面811a被由PTS構(gòu)成的防水膜覆蓋。在此期間，芯片811的親水性背面811b被水膜902保護(hù)。因此，防水膜沒有形成在芯片811的背面811b。換言之，芯片811的背面811b沒有被防水膜覆蓋。
[0103]如此，獲得了具有防水性表面811a以及親水性背面811b的芯片811。更詳細(xì)來說，表面811a的整個(gè)面是防水性的，背面811b的整個(gè)面是親水性的。
[0104]-工業(yè)實(shí)用性-
[0105]通過本公開所獲得的芯片可以在FSA法中使用。
[0106]-符號(hào)說明-
[0107]100層疊體
[0108]110 第 I 基板
[0109]120 第 2 基板
[0110]811 芯片
[0111]811a防水性表面
[0112]811b親水性背面
[0113]830 蠟?zāi)?br>
[0114]902 水膜
[0115]903 容器
[0116]903a第I疏水性溶劑
[0117]904 容器
[0118]905有機(jī)溶液
[0119]905a第2疏水性溶劑
[0120]800支撐基板
[0121]810 GaAs 層
[0122]820 AlAs 層
[0123]900掩模層
【權(quán)利要求】
1.一種制造方法，制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片， 所述制造方法包括如下工序: 工序(a)，準(zhǔn)備隔著蠟?zāi)ざ诒趁鎮(zhèn)染邆湫酒牡贗基板，并且所述芯片具備表面以及背面，所述芯片的所述表面與所述蠟?zāi)は嘟?，且所述芯片的所述背面是親水性的； 工序(b)，使所述芯片的所述背面與在表面具有水膜的第2基板接觸，獲得由所述第I基板以及所述第2基板構(gòu)成的層疊體，并且所述芯片的所述背面與所述水膜接觸； 工序(c)，將所述層疊體浸潰在第I疏水性溶劑中，使所述蠟?zāi)と芙庥谒龅贗疏水性溶劑； 工序(d)，去除所述第I基板，獲得在表面附著了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面與所述水膜接觸，且所述芯片的所述表面露出； 工序(e)， 通過所述水膜保護(hù)所述芯片的所述背面，同時(shí)使具有羥基的所述芯片的所述表面接觸有機(jī)溶液，該有機(jī)溶液是使R1-Si (OR2) 3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶劑而得到的，從而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，其中所述R1表示烴基或氟化烴，所述R2表示烷氧基，且所述Y表示鹵素；和 工序(f)，去除所述第2基板，從而獲得具有防水性表面以及親水性背面的所述芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中， 所述蠟?zāi)な钦持缘摹?br>
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中， 所述第I疏水性溶劑是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它們的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中， 在所述工序(e)中，將在表面附著了所述芯片的所述第2基板浸潰在所述有機(jī)溶液中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中， 所述第2疏水性溶劑是具有6個(gè)以上碳數(shù)的烴、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它們的混合物。
6.一種制造方法，制造具有防水性表面以及親水性背面的芯片， 所述制造方法包括如下工序: 工序(a)，準(zhǔn)備隔著蠟?zāi)ざ诒趁鎮(zhèn)染邆湫酒牡贗基板，并且所述芯片具備表面以及背面，所述芯片的所述表面與所述蠟?zāi)は嘟?，且所述芯片的所述背面是親水性的； 工序(b)，使所述芯片的所述背面與在表面具有水膜的第2基板接觸，獲得由所述第I基板以及所述第2基板構(gòu)成的層疊體，并且所述芯片的所述背面與所述水膜接觸； 工序(c)，將所述層疊體浸潰在第I疏水性溶劑中，使所述蠟?zāi)と芙庥谒龅贗疏水性溶劑； 工序(d)，去除所述第I基板，獲得在表面附著了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面與所述水膜接觸，且所述芯片的所述表面露出； 工序(e)，通過所述水膜保護(hù)所述芯片的所述背面，同時(shí)使具有金膜的所述芯片的所述表面接觸含有R1-SH的有機(jī)溶液，該有機(jī)溶液溶解于第2疏水性溶劑，使烷基或氟化烷基與所述芯片的所述表面結(jié)合來賦予防水性，并且所述R1表示烴基或氟化烴；和 工序(f)，去除所述第2基板，從而獲得具有防水性表面以及親水性背面的所述芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，所述蠟?zāi)な钦持缘摹?br>
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中， 所述第I疏水性溶劑是乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、甲苯、或它們的混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中， 在所述工序(e)中，將在表面附著了所述芯片的所述第2基板浸潰在所述有機(jī)溶液中。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中， 所述第2疏水性溶劑是具有6個(gè)以上碳數(shù)的烴、乙酸丁酯、乙酸乙酯、氯仿、或它們的混合物。
【文檔編號(hào)】B32B27/00GK103582563SQ201380001476
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月28日
【發(fā)明者】荒瀨秀和, 小森知行 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社