專利名稱：微結(jié)構(gòu)化器件及其制造方法
微結(jié)構(gòu)化器件及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明通常涉及具有例如在其中形成有全息圖，光柵，凹槽，文字?jǐn)?shù)字符號或其它標(biāo)記的微結(jié)構(gòu)的器件，并且涉及具有這種微結(jié)構(gòu)的薄膜薄片的制造。
背景技術(shù)：
幾十年來，已經(jīng)使用目前為標(biāo)準(zhǔn)的方法來制造例如色移薄片的薄膜薄片。用具有需要的光學(xué)效應(yīng)的薄膜光學(xué)涂層對通常由苯二甲酸乙二醇酯(PET)制造的支撐網(wǎng)或基底進(jìn)行涂覆。但是，在將該薄膜光學(xué)涂層施加到PET之前，由例如NaCl，蠟，硅或其它適合材料的可溶的有機(jī)材料或無機(jī)材料制成的非常薄的釋放層被施加到該P(yáng)ET上，使得被涂覆在 PET上的該薄膜光學(xué)涂層可以從該P(yáng)ET支撐層被去除。通常，通過將該薄膜涂層通過含有例如丙酮或在一些例子中可以是水的溶劑的剝離器，隨后通過輥，并在含有溶劑的室中，從該P(yáng)ET釋放該薄膜涂層。為了減少溶解該釋放層所需要的溶劑的數(shù)量，并且為了減少用于這一方法中的材料，需要該釋放層盡可能的薄。在實(shí)踐中，該釋放層的厚度比釋放層被涂覆在其上的基底要薄許多的數(shù)量級。
在制造薄膜干涉光學(xué)薄片的方法中，通常通過在真空室中在該薄的釋放層的上面涂覆吸收層，并且隨后在該吸收層上面涂覆電介質(zhì)隔離層，并且隨后在該電介質(zhì)隔離層上涂覆反射層來施加該薄膜光學(xué)涂層。
這一方法由Roger Phillips在第4，705，300號美國專利中，由Coulter等在第 6，383，638號美國專利和由Argoitia在第7，258，915號美國專利中進(jìn)行了描述，上述專利全部通過參考在此結(jié)合，用于所有目的。
以Hubbard名義的第6，235，105號美國專利公開了多層薄膜材料，與上述步驟類似，通過使用可溶的釋放涂層預(yù)先涂覆載體基底，并且以預(yù)先選擇的順 序?qū)⒐鈱W(xué)材料的薄膜沉積到該載體以建立需要的多層薄膜結(jié)構(gòu)來生產(chǎn)上述多層薄膜材料。Hubbard還公開了另一種方式，基底本身可以是可溶的。在沉積該多層結(jié)構(gòu)之后，該釋放涂層(或基底)被溶解，從而將該多層結(jié)構(gòu)從該基底釋放，使得其可以被分散成為小薄片。
在過去數(shù)年，在提供在其上具有壓印的標(biāo)記的薄膜薄片方面的興趣有所增加。具有EuiO符號或?qū)ｉT符號的薄片已經(jīng)用于許多需要防偽特征的文件和標(biāo)志中，以檢驗(yàn)真實(shí)性。例如，紙牌標(biāo)志已經(jīng)被涂覆有包括具有特殊的壓印標(biāo)記的薄片的薄膜涂層。
以Argoitia名義的第7，645，510號美國專利公開了在其上具有開槽結(jié)構(gòu)和符號的薄片。
可浮雕的涂層的壓印或浮雕方法在以Miekka等人名義的第6，468，380號美國專利中被公開，其通過參考在此引入。Miekka等詳細(xì)描述了具有以衍射或全息圖案形式的微結(jié)構(gòu)的涂覆片的浮雕方法。與以目前使用的浮雕熱塑性層類似的方法，Miekka利用了耐熱的對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基層作為基底。該耐熱的PET通常涂覆有例如聚氯乙烯的熱塑性涂層。全息形式中的浮雕圖案可以在該熱塑性層的上形成，該熱塑性層需要含有例如羥基聚硅氧烷的釋放劑，該釋放劑使得該浮雕從浮雕輥分離。
Miekka還教導(dǎo)了制造光柵或全息圖的第一步驟，規(guī)定了具有熱塑性涂層的耐熱塑料薄膜中的熱塑性涂層具有低于該耐熱薄膜的熱變形溫度的軟化溫度。隨后該熱塑性塑料被加熱到它的軟化溫度之上，并且該軟化的熱塑性層與浮雕母版接觸。該接觸步驟包括該熱塑性層與浮雕母版的接觸，浮雕母版是浮雕輥，金屬模具或輥上的金屬化的塑料薄膜。該母版可以用于在該熱塑性層上形成全息圖案或衍射圖案。該熱塑性表面被加熱到它的軟化溫度之上；并且該軟化的熱塑性表面在低于該涂層的熱塑性軟化溫度的溫度與浮雕母版進(jìn)行接觸，使得進(jìn)行快速的浮雕，并且在涂層分離之后避免了塑料的流回。
隨后，嘗試制造在其上或在其中具有預(yù)定圖案或微結(jié)構(gòu)的多層薄片，在該浮雕的熱塑性層的頂部涂覆單獨(dú)的薄的釋放層。
該薄的釋放層可以是NaCl，水合型Na2B4O7 (硼砂)，或者其它類型的釋放層被涂覆在壓印材料的上，隨后在真空室中涂覆該壓印材料。由于NaCl和硼砂在水中是可溶的，該涂覆的產(chǎn)品隨后被放置于含有水的容器中，并且該涂層被去除。
在一些例子中，我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)例如NaCl或硼砂的釋放層，殘留于涂層上對一層或多層是有害的，例如對色移薄片上的吸收層就是有害的。此外，不希望提供這種薄的釋放層，因?yàn)樗膽?yīng)用包括了在制造中的額外的生產(chǎn)步驟，并使用了額外的材料。
用于生產(chǎn)在其中具有微結(jié)構(gòu)的薄膜薄片的一般方法是提供具有高軟化溫度的基底，用具有較低軟化溫度的浮雕材料涂覆或?qū)訅夯祝S后在適合的熱量和壓力下壓印該浮雕材料以形成浮雕，并且隨后用上述的薄的釋放層(NaCl或硼砂)涂覆該浮雕材料，隨后用該薄膜涂層涂覆該釋放層。下一步驟包括將該涂覆的結(jié)構(gòu)浸沒于水浴中，并且擦拭該結(jié)構(gòu)以釋放該薄片。
為了減少使用的步驟和材料并產(chǎn)生較好的產(chǎn)品，本發(fā)明提供了消除在壓印的浮雕層上的額外的釋放層的解決方案。
本發(fā)明的另一個目的是制造在其上具有微結(jié)構(gòu)的薄膜薄片，其中該薄片不存在通常與例如NaCl或砸砂的釋放層有關(guān)的有害殘留。
本發(fā)明的目的是提供制造薄片的方法，其中可以溶解的涂覆的微結(jié)構(gòu)避免了非常薄的標(biāo)準(zhǔn)的釋放層的使用。發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種防偽器件，包括
具有第一軟化溫度tl的第一種材料的支撐基底；
由該支撐基底支撐的由具有第一軟化溫度t2的不同的第二種材料制造的浮雕層，其中t2〈tl ；
薄膜涂層被直接沉積在該浮雕層上，其中該浮雕層能夠溶解于溶劑中，并且其中該薄膜涂層不會被所述的溶劑溶解。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種防偽器件，包括
具有第一軟化溫度tl的第一基底層；
在其中浮雕有微結(jié)構(gòu)的第二層，其中該第二層由該基底支撐，并且與該基底直接接觸，并且其中該第二層具有第一軟化溫度t2，其中t2〈tl，其中該第二層是可以溶解的層，它可以被溶劑溶解，并且其中在一些區(qū)域?qū)拥臋M截面中，該第二層具有第一厚度Thl，并且在其它的浮雕區(qū)域中，該第二層具有第二厚度Th2，其中Th2〈Thl ;并且，包括一層或多層的光學(xué)涂層被直接涂覆到該第二層上，其中該光學(xué)涂層的至少一層基本與該光學(xué)涂層被涂覆在其上的微結(jié)構(gòu)適形，并且其中該光學(xué)涂層在其上為入射光提供了光學(xué)效應(yīng)，并且其中該光學(xué)涂層不會被溶劑溶解。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種形成浮雕的薄膜光學(xué)薄片的方法，包括
提供具有第一軟化溫度tl的第一基底層，在該第一基底層的上面具有至少300nm厚度的第二層；
將具有第一軟化溫度t2的該第二層浮雕，以形成浮雕在其中的微結(jié)構(gòu)，其中 t2〈tl ；
在該浮雕的第二層上沒有釋放層，使用薄膜直接涂覆第二層的表面，使得該薄膜的至少一層與在該第二層中形成的微結(jié)構(gòu)適形；
使用溶劑溶解該第二層，以從該第二層釋放該薄膜涂層以形成薄片，其中選擇該溶劑，使得該光學(xué)涂層不會被該溶劑溶解。


本發(fā)明的具體實(shí)施例將結(jié)合附圖進(jìn)行說明，其中
圖I是鄧莫爾DUN-TRAN 的箔樣品的橫截面的掃描電子顯微鏡(SEM)照片，該樣品具有PET基層，該基層上面具有浮雕層，并且該樣品具有Cr涂層的特殊層，以增強(qiáng)界面的可見度，從而用于提高SEM圖像的部分對比度；
圖2a是通過原子力顯微鏡獲得的以西洋跳棋盤圖案壓印的DUN-TRAN 的壓印薄片的一部分的平面圖2b是圖2a的壓印片的等軸視圖2c是顯示圖2b的樣品的變化的高度，峰寬度和谷寬度的圖表；
圖3是從壓印箔得到的顏料的黑白照片，其中所述壓印箔從圖2a和2b中顯示的 DUN-TRAN 的壓印片獲得；
圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明制造的壓印的色移薄片，通過用具有JDSU標(biāo)識的框架正方形將DUN-TRAN 薄膜進(jìn)行浮雕，并且用在其上形成色移涂層的五層涂層對壓印的薄膜進(jìn)行涂覆來制造所述壓印的色移薄片；顯示的薄片在不同的觀察角度顯示了不同的顏色；
圖5是現(xiàn)有技術(shù)的DUN-TRAN 薄膜的截面圖；和
圖5b是用顯示了浮雕并用形成色移涂層的三層進(jìn)行涂覆的較厚的頂部浮雕層制造的特殊的DUN-TRAN 薄膜。具體實(shí)施例
為了在制造浮雕的薄膜薄片的方法中減少加工步驟和材料，我們嘗試對認(rèn)為可以用作浮雕基層的材料進(jìn)行浮雕，可以在真空室中用薄膜層對該基層進(jìn)行涂覆，并將該基層作為支撐。但是，如果材料足夠柔軟到能被浮雕，以復(fù)制壓印墊片中的形態(tài)，我們發(fā)現(xiàn)它作為單獨(dú)的基底不能很好的工作，并且不適于卷到卷(roll-to-roll)的浮雕過程。使用具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的較硬的材料引起了復(fù)制的問題。此外，我們的目標(biāo)是在壓印層和一層涂層或多層涂層之間不使用例如NaCl的薄的釋放層。本發(fā)明提供了一種防偽結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)用一層或多層薄膜層進(jìn)行涂覆，該一層或多層薄膜可以被浸于溶劑浴中，以直接由沉積的薄膜層提供微結(jié)構(gòu)化的薄膜薄片。該薄片可以是單層薄片或者可以是例如用于防偽應(yīng)用中的色移薄片的多層微結(jié)構(gòu)化薄片，其中通過在薄片材料被涂覆的載體上面進(jìn)行浮雕的方式將隱形特征編碼于該薄片中。與現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)這種薄片的方法不同的是，在該涂層和浮雕的支撐層之間不需要薄的釋放層。事實(shí)上，在新穎的方法中，浮雕層本身變成了釋放層，因?yàn)樗诓荒苋芙獗∧ね繉拥娜軇┲惺强梢匀芙獾?。該浮雕層將可以提供可接受的浮雕特征，精確地復(fù)制浮雕墊片中的印花，并且具有低于支撐基底軟化溫度的軟化溫度；并且可以在不能溶解薄膜涂層的溶劑中被溶解或在負(fù)面影響該涂層的溶劑中被溶解。
下面被詳細(xì)描述的本發(fā)明提供了一種解決方案，其中由兩種不同的材料形成的兩層結(jié)構(gòu)提供了由支撐層和浮雕層組成的復(fù)合網(wǎng)，浮雕層隨后在沉積室中被涂覆，并且其中該浮雕層本身在該涂層被施加之后被溶解，從而從該網(wǎng)釋放出該涂覆的材料，而不需要如現(xiàn)有技術(shù)中所使用的在浮雕層上面所需的薄的釋放層。
現(xiàn)在參考顯示了本發(fā)明的第一實(shí)施例的圖1和圖5，其中例如PET的第一種材料的基底10在此處具有第二種材料的層12，該第二種材料的軟化溫度低于該P(yáng)ET基底10的軟化溫度。優(yōu)選該浮雕層具有軟化溫度Tg，該軟化溫度Tg比相關(guān)的基底的軟化溫度至少低 10°C。該基底10的目的是，當(dāng)具有較低軟化溫度、更有延展性的第二種材料在熱和壓力下被壓印并變形，以仿效壓印在墊片中的墊片的壓印痕跡時，提供穩(wěn)固的支撐。此外，該基底 10為在卷到卷的涂覆方法中的使用提供足夠的剛性。
在試驗(yàn)中，我們對許多壓印材料進(jìn)行了試驗(yàn)，并且使用由Dunmore公司生產(chǎn)的 DUN-TRAN 轉(zhuǎn)移膜(此后被稱為DUN-TRAN )獲得了最好的結(jié)果。
DUN-TRAN 被廣告宣傳為表面薄膜，能將皮革和織物轉(zhuǎn)變成為金，銀，銅，白蠟和其它的金屬色，并提供耐濕擦耐磨涂層，以在鞋包和其它物品中抵擋制造中的困難。我們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了 DUN-TRAN 包括由具有軟化溫度tl的第一種材料制造的支撐基底，并與在該基底上并由該支撐基底支撐的具有軟化溫度t2的由不同的第二種材料制造的可浮雕層接觸，其中t2〈tl。
現(xiàn)在參考圖2c的圖表，隨著輥在浮雕過程中移動，溫度，壓力和速度發(fā)生變化。 Ni的浮雕墊片具有在圓筒周圍滾轉(zhuǎn)設(shè)置的需要的微結(jié)構(gòu)，在所施加的壓力和溫度下， DUN-TRAN 在圓筒上滾轉(zhuǎn)并移動。
令人驚訝地，我們發(fā)現(xiàn)對于用于我們的薄片制造方法中作為可浮雕的支撐網(wǎng)的目的來說，DUN-TRAN 是很好的。雖然商業(yè)出售的這種薄膜具有200nm到300η的厚度，對于我們的壓印墊片的深度來說，我們需要制造具有500nm到1500nm厚度的DUN-TRAN 轉(zhuǎn)移膜， 這才足以提供大約400nm深度的微結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在參考圖5b，具有PET支撐層12和浮雕層100 的壓印的DUN-TRAN 薄膜被顯示一起形成浮雕結(jié)構(gòu)101，其中層102，103和104在該浮雕結(jié)構(gòu)101的上面形成由吸收體/電介質(zhì)/吸收體組成的色移半透明的結(jié)構(gòu)。該色移層包括吸收層102，電介質(zhì)層103和吸收層104，其中該電介質(zhì)層103位于兩個吸收層之間。當(dāng)在該浮雕化結(jié)構(gòu)101上面進(jìn)行涂覆時，還可以基于五層(吸收體/電介質(zhì)/反射體/電介質(zhì)/ 吸收體)產(chǎn)生包括不透明的反射體的色移設(shè)計(jì)。使用DUN-TRAN 具有許多的優(yōu)點(diǎn)。它可以很好的復(fù)制壓印墊片的形態(tài)，并且可以使用與浮雕基底方法有關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)的溫度和壓力；并且更重要的是，它在溶劑中是可以溶解的。使用丙酮快速且完全地溶解該壓印的DUN-TRAN 是具有很好的結(jié)果的。
當(dāng)我們對DUN-TRAN進(jìn)行浮雕溫度試驗(yàn)時，280° F到320° F之間的浮雕溫度提供了良好的結(jié)果，其中最佳的浮雕溫度是315° F。使用丙酮完全溶解該浮雕層，并且浮雕的圖像對于浮雕墊片的清楚的復(fù)制是非常良好的。對其它的材料進(jìn)行試驗(yàn)，例如0X68，XST, OST, OLT的Crown產(chǎn)品，但是它們的溶解性是不理想的，并且在一些例子中，該浮雕層在丙酮中未完全溶解或者沒有從該涂層分離。我們將Toray U6E進(jìn)行浮雕，并且該浮雕層是不理想的，并且該浮雕層在丙酮中沒有完全溶解。雖然這些其它進(jìn)行試驗(yàn)的材料不是我們的優(yōu)選材料，并且行為與DUN-TRAN不同，但是它們可以被用于特殊的應(yīng)用，例如不需要完全溶解或不需要良好的復(fù)制時可以使用它們。
當(dāng)然，具有足夠低的軟化點(diǎn)以被壓印從而復(fù)制成為具有良好的復(fù)制性的壓印圖像，并且可以在真空室中進(jìn)行涂覆，并在溶劑中溶解的其它材料對于本發(fā)明是有用的。但是，我們認(rèn)為在全部的例子中，使用的材料必須是形成了第一支撐層的復(fù)合材料，該復(fù)合材料具有比由其支撐的可浮雕材料更高的軟化溫度。通常，該浮雕層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg) 是70°C到200°C，但是例如PET的支撐層具有大約255°C的Tg。
在全部進(jìn)行的試驗(yàn)中最好的DUN-TRAN 具有在高溫浮雕中的固形(holding up), 形成需要的形狀，并且完全可溶解的組合特性。
在特定的應(yīng)用中，出于我們特殊的目的，僅僅丙酮釋放不是足夠的。如果該浮雕層不能被充分地溶解，該薄片可能由于熱塑性殘留在油墨系統(tǒng)中聚結(jié)。僅僅溶解是不起作用的，因?yàn)槿绻〉癫痪哂行枰某尚文芰?，圖像質(zhì)量將是不好的，并且薄片可能過早地的破碎。當(dāng)選擇適合的浮雕材料時，這些是全部需要進(jìn)行考慮的因素。
根據(jù)本發(fā)明制造的DUN-TRAN 薄膜是一種兩層薄膜，該兩層薄膜被浮雕之后，用涂層對其進(jìn)行涂覆。又一多層涂層的第一涂層被直接施加到層12上，而不需要額外的釋放層。使用標(biāo)準(zhǔn)真空涂覆在第二層12上產(chǎn)生色移涂層。更便利地，這種結(jié)構(gòu)不需要位于微結(jié)構(gòu)層和涂層之間的標(biāo)準(zhǔn)的釋放層。不使用這種標(biāo)準(zhǔn)的薄的釋放層節(jié)省了加工步驟，節(jié)約了額外的材料，并且避免了各層與NaCl釋放層之間的接觸。迄今，沒有人提供過在其中具有浮雕的微結(jié)構(gòu)的厚的壓印層，具有至少500nm厚度的壓印層對于400nm深度的表面浮雕的形成具有良好的復(fù)制質(zhì)量，其中該層本身是可以溶解而脫離其上的涂層。
該浮雕層可以具有浮雕在其中的框架，并且可以具有全息圖，衍射光柵和標(biāo)識。在另一個實(shí)施例中，該浮雕的微結(jié)構(gòu)可以具有不同的深度或高度，產(chǎn)生帶有具有不同的水平面的微結(jié)構(gòu)的薄片。通過舉例的方式，標(biāo)識可以在第一深度，其中該標(biāo)識周圍的圖像可以是比該標(biāo)識以更深的位置被浮雕的；或者文本可以在第一深度，并且其它的標(biāo)記可以在不同的第二深度。浮雕框架可以比框架中的符號更深，從而利于薄片沿著該框架斷裂，并且不會通過該符號區(qū)域斷裂。
當(dāng)然，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以設(shè)計(jì)許多的其它的實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種防偽器件，所述防偽器件包括 支撐基底層，所述支撐基底層由具有第一軟化溫度tl的第一種材料制造； 浮雕層，所述浮雕層由所述支撐基底支撐，并由具有第二軟化溫度t2的不同的第二種材料制造，其中t2〈tl ;和 薄膜涂層，所述薄膜涂層被沉積在所述浮雕層上，其中所述浮雕層能被溶解于溶劑中，并且其中所述薄膜涂層不會被所述溶劑溶解。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的防偽器件，其中所述薄膜涂層被直接沉積在所述浮雕層的表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防偽器件，其中所述浮雕層與所述支撐基底層接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防偽器件，其中所述浮雕層的至少一部分區(qū)域的厚度是至少500nmo
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的防偽器件，其中所述第一種材料是聚合物箔。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的防偽器件，其中所述支撐基底層和所述浮雕層是DUN-TRAN 轉(zhuǎn)移膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的防偽器件，其中所述DUN-TRAN 轉(zhuǎn)移膜具有至少400nm的可浮雕厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防偽器件，其中所述薄膜涂層具有多個層。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防偽器件，其中所述薄膜涂層是色移涂層。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防偽器件，其中所述浮雕層被浮雕，使得形成多個限定了邊緣或框架的相同形狀的結(jié)構(gòu)，所述邊緣或框架利于斷裂，以形成實(shí)質(zhì)上相同形狀的薄片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的防偽器件，其中所述浮雕層具有壓印在其中的全息圖或光柵。
12.—種防偽器件，所述防偽器件包括 支撐基底層，所述支撐基底層由具有第一軟化溫度tl的第一種材料制造； 浮雕層，所述浮雕層由具有第二軟化溫度t2的不同的第二種材料制造，并且由所述支撐基底支撐，并且與所述支撐基底直接接觸，其中t2〈tl ;和 具有一個層或多個層的薄膜涂層，所述薄膜涂層用于在所述浮雕層上直接沉積形成薄片，其中所述浮雕層可以被溶解于溶劑中，并且其中所述薄膜涂層不會被所述的溶劑溶解。
13.—種制造具有在其中形成的微結(jié)構(gòu)的防偽器件的方法，所述的方法包括 提供具有第一基底層和第二層的網(wǎng)，所述第一基底層具有第一軟化溫度Tgl，所述第二層由所述第一基底層支撐，由具有第二軟化溫度Tg2的與所述第一基底層的材料不同的材料制造，Tg2〈Tgl，其中所述第二層具有至少300nm的厚度； 在卷到卷的過程中，在沒有熱和壓力的情況下，對所述第二層進(jìn)行浮雕，以在其中形成浮雕的微結(jié)構(gòu)； 在浮雕的所述第二層上沒有釋放層，使用薄膜涂層直接涂覆所述第二層的表面，使得所述薄膜涂層的至少一層與在所述第二層中形成的微結(jié)構(gòu)適形； 使用溶劑溶解所述第二層，以從所述第二層釋放所述薄膜涂層，其中選擇所述溶劑，使得所述薄膜涂層不會被所述溶劑溶解。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述薄膜涂層包括多個層。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括將所述薄膜涂層斷裂或壓碎成在其上具有微結(jié)構(gòu)的薄片的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有由第一種材料制造的支撐基底和由該支撐基底支撐的由不同的第二種材料制造的浮雕層的防偽器件，該第一種材料具有第一軟化溫度t1，該第二種材料具有第二軟化溫度t2，其中t2<t1。薄膜涂層被直接沉積在該浮雕層的上面，其中該浮雕層可以被溶解于溶劑中，并且其中該薄膜涂層不會被所述的溶劑溶解。不再需要額外的釋放層，因?yàn)樵摬煌牡诙N材料是可以溶解的，并且允許通過將該第二層溶解而形成薄片。
文檔編號B32B3/30GK102982727SQ2012102788
公開日2013年3月20日 申請日期2012年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月4日
發(fā)明者阿爾博特·阿革帝亞, 莉莉·奧博伊爾, 科尼利斯·簡·德爾斯特, 勞倫斯·霍爾頓 申請人:Jds尤尼弗思公司