專利名稱:聚氯乙烯耐寒鹽膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及聚氯乙烯復(fù)合膜,尤其涉及聚氯乙烯耐寒鹽膜。
背景技術(shù):
現(xiàn)有技術(shù)的鹽膜,采用單層結(jié)構(gòu),采用聚氯乙烯樹脂、增塑劑、穩(wěn)定劑和其他的加工助劑制成,易生產(chǎn)且成本較低,但單層結(jié)構(gòu)的鹽膜強(qiáng)度低,尤其在氣溫較低的環(huán)境條件下,會變硬變脆,嚴(yán)重影響正常的使用,因此也在實(shí)際上提高了食鹽生產(chǎn)的成本。中國專利申請91101988. X公開了一種“聚氯乙烯無孔鹽膜”,采用兩層聚氯乙烯薄膜經(jīng)復(fù)合切邊制成,與單層的結(jié)構(gòu)形式相比,其強(qiáng)度有所提高,但其力學(xué)性能仍不能達(dá)到理想的程度。中國專利201020679319. 9公開了一種“聚氯乙烯復(fù)合改性鹽膜”,采用了三層結(jié)構(gòu)的形式,但耐寒能力尚不能達(dá)到令人滿意的程度。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于,克服現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,提供一種聚氯乙烯耐寒鹽膜,通過對聚氯乙烯進(jìn)行改性處理,采用多層的結(jié)構(gòu)形式,既可以保證在氣溫較低的環(huán)境條件下正常使用,又可以有較好的使用效果和使用壽命。本實(shí)用新型所述的聚氯乙烯耐寒鹽膜,包括有防老化層、耐寒層和防滲底層組成。防滲底層是本實(shí)用新型的基礎(chǔ)膜層,防滲底層的自身強(qiáng)度高,采用改性高耐寒聚氯乙烯材料制作,耐老化能力強(qiáng)。防滲底層添加有高分子量增塑劑聚酯,可以防止增塑劑遷移到鹵水中,提高了膜整體的使用壽命。防滲底層的上面設(shè)置有耐寒層,耐寒層中添加有耐寒增塑劑dos和丁腈橡膠,可以使得膜整體具有耐_30°C低溫彎折的能力,在_15°C環(huán)境條件下保持膜整體的柔軟。在耐寒層的上面設(shè)置有防老化層,可以有效地防止光、氧因素對膜整體的破壞。本實(shí)用新型所述的聚氯乙烯耐寒鹽膜,整體結(jié)構(gòu)簡單,使用方便,對聚氯乙烯進(jìn)行改性處理后,采用三層疊加的形式,可以使得鹽膜的強(qiáng)度和抗老化能力得到較好地提高。
附圖1是本實(shí)用新型所述聚氯乙烯耐寒鹽膜的結(jié)構(gòu)示意圖。1一防老化層2—耐寒層3—防滲底層。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)參照附圖1,結(jié)合實(shí)施例說明如下本實(shí)用新型所述的聚氯乙烯耐寒鹽膜,包括有防老化層1、耐寒層2和防滲底層3組成。防滲底層3是本實(shí)用新型的基礎(chǔ)膜層,防滲底層3的自身強(qiáng)度高,采用改性高耐寒聚氯乙烯材料制作,耐老化能力強(qiáng)。防滲底層3添加有高分子量增塑劑聚酯,可以防止增塑劑遷移到鹵水中,提高了膜整體的使用壽命。防滲底層3的上面設(shè)置有耐寒層2,耐寒層2中添加有耐寒增塑劑dos和丁腈橡膠,可以使得膜整體具有耐_30°C低溫彎折的能力,在_15°C環(huán)境條件下保持膜整體的柔軟。在耐寒層2的上面設(shè)置有防老化層1,可以有效地防止光、氧因素對膜整體的破壞。本實(shí)用新型所述的聚氯乙烯耐寒鹽膜,整體結(jié)構(gòu)簡單,使用方便,對聚氯乙烯進(jìn)行改性處理后,采用三層疊加的形式,可以使得鹽膜的強(qiáng)度和抗老化能力得到較好地提高。
權(quán)利要求1.聚氯乙烯耐寒鹽膜,其特征在于防滲底層(3)是基礎(chǔ)膜層,防滲底層(3)的上面設(shè)置有耐寒層(2 ),在耐寒層(2 )的上面設(shè)置有防老化層(1)。
專利摘要聚氯乙烯耐寒鹽膜,包括有防老化層、耐寒層和防滲底層組成。防滲底層是本實(shí)用新型的基礎(chǔ)膜層,防滲底層的自身強(qiáng)度高,采用改性高耐寒聚氯乙烯材料制作,耐老化能力強(qiáng)。防滲底層添加有高分子量增塑劑聚酯,可以防止增塑劑遷移到鹵水中,提高了膜整體的使用壽命。防滲底層的上面設(shè)置有耐寒層,耐寒層中添加有耐寒增塑劑dos和丁腈橡膠,可以使得膜整體具有耐-30℃低溫彎折的能力,在-15℃環(huán)境條件下保持膜整體的柔軟。在耐寒層的上面設(shè)置有防老化層,可以有效地防止光、氧因素對膜整體的破壞。本實(shí)用新型所述的聚氯乙烯耐寒鹽膜,整體結(jié)構(gòu)簡單,使用方便,對聚氯乙烯進(jìn)行改性處理后,采用三層疊加的形式,可以使得鹽膜的強(qiáng)度和抗老化能力得到較好地提高。
文檔編號B32B27/18GK202319162SQ20112044673
公開日2012年7月11日 申請日期2011年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月14日
發(fā)明者吳寶生, 張召鐸, 李化超, 王西海, 王長青 申請人:王長青