專利名稱：：接合體的形成方法和接合體的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及接合體的形成方法和接合體。
背景技術：
：在將2個部件(基材)之間接合(粘接)而得到接合體時，目前多采用使用環(huán)氧類膠粘劑、氨基甲酸乙酯類膠粘劑、硅類膠粘劑等膠粘劑來進行的方法。膠粘劑一般是不管接合的部件的材質(zhì)如何均顯示優(yōu)異的膠粘性的物質(zhì)。因此，能將由各種材料構成的部件之間以各種各樣的組合來粘接。例如，將上述接合體用于噴墨打印機所具有的液滴噴頭(噴墨式記錄頭)時，使用膠粘劑將由樹脂材料、金屬材料以及硅類材料等異種材料構成的部件之間粘接來組裝液滴噴頭。如上所述那樣在使用膠粘劑將部件之間粘接時，將液態(tài)或糊狀的膠粘劑涂布于粘接面，借助已涂布的膠粘劑將部件之間粘貼。然后，在熱或光的作用下使膠粘劑硬化(固化)，從而將部件之間粘接。但是，使用這種膠粘劑的接合存在以下問題。粘接強度低尺寸精度低因硬化時間長而使粘接所需時間長此外，多數(shù)情況下需要使用底涂劑來提高粘接強度，其所需的成本和時間導致粘接工序的高成本化復雜化。另一方面，作為不使用膠粘劑的接合體的形成方法，有利用固體接合的方法。固體接合是在不借助膠粘劑等中間層而將部件之間直接接合的方法(例如參照專利文獻l)。-若采用這種固體接合，由于不使用膠粘劑之類的中間層，因此能得到尺寸精度高的接合體。但是，在固體接合中存在以下問題。對接合的部件的材質(zhì)有限制*在接合工序中伴隨高溫(例如70080(TC左右)下的熱處理接合工序中的氣氛限于減壓氣氛鑒于上述問題，謀求不取決于供接合的部件的材質(zhì)而能將部件之間以高尺寸精度牢固地并且在低溫下高效地接合的接合體形成方法。專利文獻1:日本專利特開平5-82404號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供能將2個基材之間以高尺寸精度牢固地并且在低溫下高效地接合的接合體形成方法以及2個基材之間以高尺寸精度牢固接合而成的可靠性高的接合體。上述目的通過下述本發(fā)明來實現(xiàn)。本發(fā)明的接合體的形成方法的特征在于，具有如下工序在第l基材及第2基材上，分別用化學氣相成膜法形成主要包含銅的接合膜的工序；以上述接合膜相互對置的方式，在使上述第1基材和第2基材相互接觸的狀態(tài)下，對上述第1基材和第2基材間賦予壓縮力使上述接合膜相互結合而得到接合體的工序。由此，能形成下述接合體，所述接合體通過利用能以高尺寸精度牢固地并且在低溫下高效地接合于被粘體的接合膜接合而成。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，在形成的上述接合膜工序中，上述接合膜優(yōu)選以其表面粗糙度Ra(在JISB0601中規(guī)定)為lnm30nm的方式來形成。由此，能實現(xiàn)增大形成于第1基材和第2基材的各接合膜的表面相互接觸的接觸面積。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，在得到上述接合體的工序中，賦予上述第1基材和第2基材間的壓縮力優(yōu)選為1MPa100MPa。若設定在所述范圍內(nèi)，則能使接合膜之間可靠地結合。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，在得到上述接合體的工序中，賦予5上述壓縮力的時間優(yōu)選為5分鐘1S0分鐘。若設定在所述范圍內(nèi)，則能使接合膜之間可靠地結合。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，在得到上述接合體的工序中，優(yōu)選將上述接合膜加熱。由此，對結合前的接合膜賦予加熱能，能使通過對各接合膜賦予壓縮力而引起的接合膜之間的結合更順利地進行。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，將上述接合膜加熱的溫度優(yōu)選為75。C200。C。由此，能可靠地防止第1基材和第2基材因熱而變質(zhì)劣化，能使接合膜之間更順利地結合。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，在得到上述接合體的工序中，當賦予上述第1基材和第2基材間的壓縮力的大小為50[MPa]、賦予上述壓縮力的時間為Y[分鐘]、將上述接合膜加熱的溫度為T[K]、氣體常數(shù)為R[J/(mol'K)]時，優(yōu)選設定成滿足l/Y》1.35X109exp(-82X103/RT)的關系。由此，能可靠地得到介助設于各基材上的接合膜相互結合而成的接合膜將第1基材和第2基材接合而成的接合體。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，在得到上述接合體的工序中，上述壓縮力的賦予優(yōu)選在大氣氣氛中進行。由此，無需花費時間和成本來控制氣氛，能更簡單地賦予壓縮力。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述接合膜中含有的銅的含有率優(yōu)選按原子比計為99at.。/。以上。如上所述那樣通過使用由高純度的銅構成的接合膜來進行第1基材和第2基材之間的接合，能可靠地在高尺寸精度下將這些第1基材和第2基材之間牢固地接合。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述接合膜通過使用有機金屬材料作為原材料的有機金屬化學氣相成膜法來形成。由此，能較為容易且可靠地在第1基材和第2基材上分別形成包含高純度的銅的接合膜。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述有機金屬材料優(yōu)選為金屬絡合物。由此，能更可靠地形成包含高純度的銅的接合膜。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述接合膜中含有的雜質(zhì)優(yōu)選為上述有機金屬材料中含有的有機物的部分殘留物。據(jù)推測，若有機物的一部分以雜質(zhì)形式殘留，則能使接合膜中含有的銅原子中可靠地存在活性位點，從而使接合膜之間的結合更順利地進行。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述接合膜的平均厚度優(yōu)選為lnm1000nm。由此，不僅能防止第1基材和第2基材接合而成的接合體的尺寸精度顯著下降，還能將它們更牢固地接合。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述第1基材和第2基材優(yōu)選分別呈板狀。由此，基材易撓曲，基材在相對置的基材例如因應力等發(fā)生變形的情況下，能沿其變形后的形狀充分變形，因此，它們的密合性更高。另外，由于基材撓曲，能在某種程度上緩和接合界面產(chǎn)生的應力。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述第1基材和第2基材的至少形成上述接合膜的部分優(yōu)選以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主要材料來構成。由此，即使不實施表面處理，也能得到足夠的接合強度。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，對上述第1基材和第2基材的具有上述接合膜的面，事先實施用于提高與上述接合膜的密合性的表面處理。由此，將各基材的表面潔凈化和活性化，能提高接合膜與各基材的接合強度。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述表面處理優(yōu)選為等離子體處理。由此，能使各基材的表面最適化用來形成接合膜。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，優(yōu)選在上述第1基材和第2基材與設于上述第1基材和第2基材的各上述接合膜之間分別插入中間層。由此，能形成可靠性高的接合體。在本發(fā)明的接合體的形成方法中，上述中間層優(yōu)選以氧化物類材料為主要材料來構成。由此，能特別提高各基材與接合膜之間的接合強度。本發(fā)明的接合體的特征在于，用本發(fā)明的接合體的形成方法來形成。由此，能制成第1基材和第2基材以高尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合體。圖1是用于說明本發(fā)明的接合體的形成方法的圖(縱剖面圖)。圖2是用于說明本發(fā)明的接合體的形成方法的圖(縱剖面圖)。圖3是模式地表示形成主要包含銅的接合膜時使用的成膜裝置的縱剖面圖。圖4是表示接合膜相互結合時的溫度與時間的關系的圖表。圖5是表示使用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴頭)的分解立體圖。圖6是表示圖5所示的噴墨式記錄頭的主要部分的構成的剖面圖。圖7是表示具有圖5所示的噴墨式記錄頭的噴墨打印機的實施方式的概略圖。圖8是表示使用本發(fā)明的接合體得到的布線基板的立體圖。(符號說明)2……基板21……第l基板22……第2基板3、31、32……接合膜5……接合體200……成膜裝置211……腔室212……基板支撐件221……遮擋板(shutter)230……排氣機構231……排氣線路232……泵233……閥門260……有機金屬材料供給裝置261……供氣線路262……儲存槽263……閥門264……泵265……儲氣瓶10……噴墨式記錄頭11……噴嘴板111……噴嘴孔114……被膜12……墨液室基板121……墨液室122……側壁123……容器124……供給口13……振動板131……連通孔14……壓電元件141……上部電極142……下部電極143……壓電體層16……基體161……凹部162……臺階17……噴頭主體9……噴墨打印機92……裝置主體921……托盤922……排紙口93……噴頭單元8931……墨盒932……滑架(carriage)94……印刷裝置941……滑架電動機942……往復移動機構943……滑架導向軸944……同步帶95……供紙裝置951……供紙電動機952……供紙輥952a……從動輥952b…"'驅(qū)動輥96……控制部97……操作面板P……記錄紙410……布線基板412……電極413……絕緣基板414……引線415......電極具體實施例方式以下，根據(jù)附圖所示的優(yōu)選實施方式，詳細說明本發(fā)明的接合體的形成方法和接合體。本發(fā)明的接合體的形成方法具有如下工序在第1基材(部件)及第2基材(部件)上，分別用化學氣相成膜法形成主要包含銅的接合膜的工序；以上述接合膜相互對置的方式，在使上述第1基材和第2基材相互接觸的狀態(tài)下，對上述第1基材和第2基材之間賦予壓縮力使上述接合膜之間結合而得到接合體的工序。通過所述工序，能使形成于各基材的接合膜相互結合，能利用該結合的接合膜得到由第1基材和第2基材接合而成的接合體。上述本發(fā)明的接合體的形成方法能將第1基材和第2基材以高尺寸精度牢固且高效地接合。通過使用所述接合體的形成方法來形成接合體，能得到2個基材之間以高尺寸精度牢固地接合而成的可靠性高的接合體。以下，對本發(fā)明的接合體的形成方法的各工序以及用所述接合體的形成方法形成的接合體進行說明。圖1和圖2是用于說明本發(fā)明的接合體的形成方法的圖(縱剖面圖)，圖3是模式地表示形成主要包含銅的接合膜時使用的成膜裝置的縱剖面圖。圖4是表示接合膜相互結合時的溫度與時間的關系的圖表。另外，在以下的說明中，圖l、圖2和圖3中的上側稱為"上"，下側稱為"下"。首先，準備第1基板(基材)21和第2基板(基材)22，在這些第1基板21和第2基板22上，分別用化學氣相成膜法形成主要包含銅的接合膜31、32(參照圖1(a))。另外，在以下的說明中，有時將"第1基板21和第2基板22"統(tǒng)稱為"基板2"，將2個"接合膜31、32"以及2個"接合膜31、32"結合(一體化)形成的接合膜統(tǒng)稱為"接合膜3"?；?1和基板22用于借助接合膜3而相互接合得到接合體5，只要是具有支撐結合前的接合膜31、32左右的剛性的基板即可，可以是由任意材料構成的基板。具體而言，基板2的構成材料可以列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酷共聚物(EVA)等聚烯烴、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚-(4-甲基戊烯-l)、離聚物、丙烯酸類樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇(PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚對苯二甲酸環(huán)己垸二甲醇酯(PCT)等聚酯、聚醚、聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酰亞胺、聚甲醛(POM)、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟類樹脂、苯乙烯類、聚烯烴類、聚氯乙烯類、聚氨酯類、聚酯類、聚酰胺類、聚丁二烯類、反式聚異戊二烯類、氟橡膠類、氯化聚乙烯類等各種熱塑性彈性體、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、尿垸樹脂、三聚氰胺樹脂、芳族聚酰胺類樹脂、不飽和聚酯、有機硅樹脂、聚氨酯等、或以它們?yōu)橹鞯墓簿畚?、混合物、聚合物合金等的樹脂類材料、Fe、Ni、Co、Cr、Mn、Zn、Pt、Au、Ag、Cu、Pd、Al、W、Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、Nd、Sm等金屬、或含有這些金屬的合金、碳素鋼、不銹鋼、氧化銦錫(ITO)、砷化鎵等金屬類材料、單晶硅、多晶硅、非晶質(zhì)硅等硅類材料、硅酸玻璃(石英玻璃)、堿硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、鉀鈣玻璃、鉛(堿)玻璃、鋇玻璃、硼硅酸玻璃等玻璃類材料、氧化鋁、氧化鋯、鐵素體、氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鈦、碳化硅、碳化硼、碳化鈦、碳化鉤等陶瓷類材料、石墨等碳類材料、或組合上述各材料的1種或2種以上而得到的復合材料等?；?可以是其表面實施了鍍Ni之類的鍍敷處理、鉻酸鹽處理之類的鈍化處理或氮化處理等的基板。10另外，關于基板(基材)2的形狀，只要是具有支撐接合膜3的面的形狀即可，不限于本實施方式的板狀。即，基材的形狀例如可以是塊狀(block狀)、棒狀等。另外，如圖1(a)所示，由于基板2呈板狀，因此基板2易撓曲，基板2在相對置的基板2例如因應力等發(fā)生變形的情況下，能沿其變形后的形狀充分變形，因此，這些第1基板21與第2基板22間的密合性更高。基板2與接合膜3的密合性提高的同時，由于基板2撓曲，因而能在某種程度上緩和接合界面產(chǎn)生的應力。此時，基本2的平均厚度沒有特殊限制，優(yōu)選為0.01mm10mm左右，更優(yōu)選為0.1mm3mm左右。在本發(fā)明中，接合膜31、32在之后的工序[2]中位于第1基板21和第2基板22之間，通過這些接合膜31、32結合，使第1基板21和第2基板22之間接合。所述接合膜31、32均用化學氣相成膜法成膜，主要包含銅。這些接合膜3K32若在相互接觸的狀態(tài)下被賦予壓縮力，則由于這些接合膜31、32之間結合(一體化)，而借助該結合而形成的接合膜3能將第1基板21和第2基板22之間以高尺寸精度牢固并高效地接合。由于接合膜3主要包含銅，因而呈不具流動性的固態(tài)。因此，與目前采用的具有流動性的液態(tài)或粘液狀(半固態(tài))的膠粘劑相比，膠粘層(接合膜3)的厚度和形狀幾乎不變。因此，用接合膜3將第1基板21和第2基板22之間接合而成的接合體5的尺寸精度明顯高于以往。此外，由于無需膠粘劑固化所需的時間，因而能在短時間內(nèi)實現(xiàn)牢固的接合。在本發(fā)明中，用化學氣相成膜法形成的主要包含銅的接合膜3，其膜中的銅的含有率按原子比計為99at.Q/。以上，優(yōu)選為99.5at.。/。以上。如上所述那樣，通過使用包含高純度的銅的接合膜3在后述條件下將第1基板21和第2基板22之間接合，能將這些第1基板21和第2基板22之間可靠地以高尺寸精度牢固地接合。由于銅的含有率在所述范圍內(nèi)，因此接合膜3顯示出優(yōu)異的導電性和導熱性，在后述的接合體中，可以將接合膜3用于布線基板所具有的布線和端子以及需要導熱性的部件之間的接合等。ii具體而言，接合膜3的電阻率為4.0X10-6Q'Cm左右，導熱率為390Wm—1K"左右。所述構成的接合膜3在基板2上使用化學氣相成膜法(CVD法)來形成，作為該化學氣相成膜法，沒有特殊限制，可以列舉例如有機金屬化學氣相成膜法(以下有時也簡稱為"MOCVD法")、熱CVD法、光CVD法、RF等離子體CVD法、ECR等離子體CVD法之類的等離子體CVD法以及激光CVD法等。其中，特別優(yōu)選采用以有機金屬材料為原材料的MOCVD法。由此，能在基板2上較容易且可靠地形成上述包含高純度(99%以上)的銅的接合膜3。下面，以采用將有機金屬材料作為原材料的MOCVD法在基板2上形成主要包含銅的接合膜3的情況為例進行說明。首先，在說明用MOCVD法形成接合膜3的成膜方法之前，先對接合膜3成膜時使用的成膜裝置200進行說明。圖3所示的成膜裝置200的構成為能在腔室211內(nèi)采用有機金屬化學氣相成膜法來形成接合膜3。具體而言，成膜裝置200具有腔室(真空腔室)211、設置在該腔室211內(nèi)并保持基板2(成膜對象物)的基板支撐件(成膜對象物保持部)212、向腔室211內(nèi)供給己氣化或己霧化的有機金屬材料的有機金屬材料供給裝置260、排出腔室211內(nèi)的氣體并控制壓力的排氣機構230以及將基板支撐件212加熱的加熱裝置(未圖示)。在本實施方式中，基板支撐件212安裝在腔室211的底部。該基板支撐件212能在電動機的驅(qū)動下旋轉。由此，能以勻質(zhì)且均一的厚度在基板2上形成接合膜。在基板支撐件212的附近，配置分別能將它們覆蓋的遮擋板221。該遮擋板221用于防止基板2和接合膜3暴露在不必要的氣氛等中。有機金屬材料供給裝置260與腔室211連接。該有機金屬材料供給裝置260由儲存固態(tài)或液態(tài)的有機金屬材料的儲存槽262、儲存將已氣化或己霧化的有機金屬材料送入腔室211內(nèi)的載氣的儲氣瓶265、將載氣和已氣化或已霧化的有機金屬材料導向腔室211內(nèi)的供氣線路261、設于供氣線路261的中途的泵264以及閥門263構成。在所述構成的有機金屬材料12供給裝置260中，儲存槽262具有加熱裝置，利用該加熱裝置的工作，能將固態(tài)或液態(tài)的有機金屬材料加熱氣化。因此，在打開閥門263的狀態(tài)下，使泵264工作，由儲氣瓶265向儲存槽262提供載氣，即可使己氣化或己霧化的有機金屬材料與該載氣一起供給線路261內(nèi)提供給腔室211內(nèi)。另外，作為載氣，沒有特殊限制，優(yōu)選采用例如氮氣、氬氣以及氦氣作為有機金屬材料，當采用后述的2，4-戊二酮-銅(II)或[Cu(hfac)(VTMS)]、雙(2，6-二甲基-2-(三甲基硅氧基)-3，5-庚二酮)銅(II)(Cu(sopd)2)等在分子結構中含有氧原子的有機金屬材料時，優(yōu)選在載氣中添加氫氣。由此，能提高對氧原子的還原性，可在接合膜3中不會殘留過多氧原子的情況下形成接合膜3，即形成包含高純度的銅的膜即接合膜3。排氣機構230由泵232、將泵232和腔室211連通的排氣線路231、設于排氣線路231的中途的閥門233來構成，能將腔室211內(nèi)減壓到所需的壓力。使用上述構成的成膜裝置200，用MOCVD法如下操作在基板2上形成接合膜3。首先，準備基板2。然后，將該基板2搬入成膜裝置200的腔室211內(nèi)，安裝(設置)在基板支撐件212上。另外，基板21和基板22可以同時安裝于基板支撐件212上，然后在各第1基板21和第2基板22上一并形成接合膜31、32，也可以分別安裝于基板支撐件212上，然后在各第1基板21和第2基板22上分批形成接合膜31、32。接著，使排氣機構230工作，即在泵232工作的狀態(tài)下打開閥門233，使腔室211內(nèi)成為減壓狀態(tài)。該減壓的程度(真空度)沒有特殊限制，在后續(xù)工序[l-3]中形成接合膜3時，優(yōu)選設定成lX10—3TOrr5X102丁0汀左右，更優(yōu)選lTorrlXl(^Torr左右。啟動加熱裝置，將基板支撐件212加熱?；逯渭?12的溫度根據(jù)形成接合膜(純銅膜)3時使用的原材料的種類而略有不同，優(yōu)選為80°C30(TC左右，更優(yōu)選為10(TC275t:左右。通過設定在所述范圍內(nèi)，能使用后述的有機金屬材料可靠地形成主要包含銅的接合膜3。接著，使遮擋板221處于打開的狀態(tài)。然后，啟動儲存固態(tài)有機金屬材料的儲存槽262所具有的加熱裝置，在有機金屬材料氣化的狀態(tài)下啟動泵264，同時打開閥門263，將已氣化或已霧化的有機金屬材料與載氣一起導入腔室211內(nèi)。另外，對于載氣，出于上述目的，在添加有氫氣的情況下，優(yōu)選使氫氣分壓為腔室211內(nèi)的壓力的65%85%左右來添加氫氣。如上所述，若在通過上述工序[l-2]將基板支撐件212加熱的狀態(tài)下，向腔室211內(nèi)提供已氣化或己霧化的有機金屬材料，則在基板2上將有機金屬材料加熱，有機金屬材料被還原而在基板2上形成主要包含銅的接合膜3。作為用上述MOVCD法形成主要包含銅的接合膜3所使用的有機金屬材料，可以列舉例如2，4-戊二酮-銅(11)、雙(2，6-二甲基-2-(三甲基硅氧基)-3，5-戊二酮)銅(II)(Cu(sopd)2;C24H46Cu06Si2)、Cu(六氟乙酰丙酮)(乙烯基三甲基硅烷)[Cu(hfac)(VTMS)]、Cu(六氟乙酰丙酮)(2-甲基-l-己烯-3-烯)[Cu(hfac)(MHY)]、Cu(全氟乙酰丙酮)(乙烯基三甲基硅烷)[Cu(pfac)(VTMS)]、Cu(全氟乙酰丙酮)(2-甲基-l-己烯-3-烯)[Cu(pfac)(MHY)]之類的金屬絡合物等。作為有機金屬材料，通過使用上述金屬絡合物，能更可靠地形成包含高純度銅的接合膜3。若用所述有機金屬材料形成主要包含銅的接合膜3，則膜中存在的雜質(zhì)為有機金屬材料中含有的有機物的一部分。據(jù)推測，通過采用這種殘留有機物的一部分的構成，能如后述接合膜31、32結合的機制中說明的那樣在銅離子可靠地存在活性位點。其結果是，能在后續(xù)工序[2]中所述的條件下使接合膜31、32相互間可靠地結合。已氣化或已霧化的有機金屬材料的供給量優(yōu)選為0.1g/分鐘10g/分鐘左右，進一步優(yōu)選為0.5g/分鐘2g/分鐘左右。由此，能以均一的膜厚可靠地形成包含高純度銅的接合膜3。如上所述，能在基板2上形成主要包含銅的接合膜3。成膜得到的接合膜31、32的平均厚度優(yōu)選為lnm500nm左右，更14優(yōu)選為20nm400nm左右。通過使接合膜3的平均厚度為上述范圍內(nèi)，能防止第1基板21和第2基板22之間借助接合膜3接合而成的接合體5的尺寸精度的顯著下降，并能將它們更牢固地接合。即，當接合膜3的平均厚度低于上述下限值時，有可能無法得到足夠的接合強度。另一方面，當接合膜3的平均厚度高于上述上限值時，接合體5的尺寸精度有可能顯著下降。此外，若接合膜3的平均厚度在上述范圍內(nèi)，則能確保接合膜3的某種程度的形狀追隨性。因此，例如即使在第1基板21和第2基板22的接合面(與接合膜3鄰接的面)存在凹凸，雖然根據(jù)其凹凸的高度會有不同，但能以追隨凹凸的形狀的方式被覆接合膜3。其結果是，接合膜3能吸收凹凸而緩和其表面產(chǎn)生的凹凸的高度。使形成于各第1基板21和第2基板22上的接合膜31、32之間相對置的方式接觸時，能提高接合膜31、32之間的密合性。另外，接合膜3的厚度越厚，上述形狀追隨性的程度越顯著。因此，為了充分確保形狀追隨性，只要使接合膜3的厚度在所述范圍內(nèi)即可。接合膜31、32的表面粗糙度Ra(JISB0601中規(guī)定)沒有特殊限制，優(yōu)選為lnm30nm左右，更優(yōu)選為5nm15nm左右。因此，在后續(xù)工序P]中賦予壓縮力使接合膜31、32的表面相互接近時，能謀求增加相互接觸的接觸面積，進而能謀求增加存在于相互表面的活性位點之間結合的結合數(shù)。對基板2中的至少要形成接合膜3的區(qū)域，根據(jù)基板2的構成材料，優(yōu)選在形成接合膜3之前事先實施提高基板2和接合膜3的密合性的表面處理。作為所述表面處理，可以列舉例如濺射處理、等離子體處理等物理表面處理、采用氧等離子體、氮等離子體等的等離子體處理、電暈放電處理、蝕刻處理、電子束照射處理、紫外線照射處理、臭氧暴露處理等化學表面處理或?qū)⑺鼈兘M合而成的處理等。通過實施這種處理，能清潔形成基板2的接合膜3的區(qū)域，并能使該區(qū)域活化。由此，能提高接合膜3和基板2的接合強度。在上述各表面處理中，使用等離子體處理，尤其能使基板2的表面最適化而形成接合膜3。另外，當實施表面處理的基板2由樹脂材料(高分子材料)構成時，特別優(yōu)選使用電暈放電處理、氮等離子體處理等。根據(jù)基板2的構成材料的不同，有的材料即使不實施上述表面處理其與接合膜3的接合強度也很高。作為能得到此種效果的基板2的構成材料，可以列舉例如以上述各種金屬類材料、各種硅類材料、各種玻璃類材料等為主材料的材料。用這種材料構成的基板2的表面被氧化膜覆蓋，在該氧化膜的表面結合活性較高的羥基。因此，若使用由這種材料構成的基板2，則即使不實施上述表面處理，也能形成在基板2上牢固接合而成的接合膜3。另外，此時，整塊基板2可以用上述材料構成，最好在至少形成接合膜3的區(qū)域的表面附近由上述材料構成。另外，在基板2的至少形成接合膜3的區(qū)域，可以事先形成中間層來代替表面處理。該中間層可以具有任何功能，沒有特殊限制，例如優(yōu)選具有提高與接合膜3的密合性的功能、緩沖性(緩沖功能)、緩和應力集中的功能、在接合膜3成膜時促進接合膜3的膜成長的功能(種子層)、保護接合膜3的功能(阻擋層)等。通過借助該中間層將基板2和接合膜3接合，能得到可靠性高的接合體。作為所述中間層的構成材料，可以列舉例如鋁、鈦、鎢、銅及其合金等的金屬類材料、金屬氧化物、金屬氮化物、硅氧化物等氧化物類材料、金屬氮化物、硅氮化物等氮化物類材料、石墨、類金剛石碳等碳類材料、硅烷偶聯(lián)劑、硫醇類化合物、金屬烷氧化物、金屬-鹵化物等自組織化膜材料、樹脂類膠粘劑、樹脂薄膜、樹脂涂布材料、各種橡膠材料、各種彈性體等樹脂類材料等，可以組合其中的1種或2種以上來使用。由上述各種材料構成的中間體中，若采用由氧化物類材料構成的中間體，則尤其能提高基板2和接合膜3之間的接合強度。接著，按照設于各第1基板21和第2基板22的接合膜31、32相互對置的方式(參照圖1(b))使第l基板21和第2基板22相互接觸(參照圖1(c))。在此狀態(tài)下，對第1基板21和第2基板22之間賦予壓縮力16(參照圖2(d))。由此，通過使接合膜31、32相互結合(一體化)，能得到借助結合的接合膜3使第1基板21和第2基板22之間接合而成的接合體5(本發(fā)明的接合體)(參照圖2(e))。在如此得到的接合體5中，不像在目前的接合方法中使用的膠粘劑那樣主要基于錨定效果這樣的物理結合而進行粘接，而是基于在短時間內(nèi)產(chǎn)生的牢固的化學結合來使第1基板21和第2基板22相互接合。因此，能在短時間內(nèi)形成接合體5，且極難剝離，也不易產(chǎn)生接合不均等。另外，在本發(fā)明中，在第1基板21和第2基板22相互接觸的狀態(tài)即圖l(c)的狀態(tài)下，由于基板21和基板22之間未接合，因而能調(diào)節(jié)基板21相對于基板22的相對位置。由此，使基板21和基板22重疊后，能容易地對它們的位置進行微調(diào)節(jié)。其結果是，能進一步提高使第1基板21和第2基板22相互接合的位置的精度。若用所述接合體的形成方法得到接合體5也就是說將主要包含銅的接合膜31、32相互結合來得到接合體5，則可以如后述那樣將加熱溫度設定在20(TC以下，無需像目前的固體接合那樣在高溫(例如70(TC以上)下進行熱處理，因此即使是由耐熱性低的材料構成的第1基板21和第2基板22也能用于接合。此外，在本發(fā)明中，由于借助接合膜3將第1基板21和第2基板22相互接合，因而具有對第1基板21和第2基板22的構成材料沒有限制這一優(yōu)點，能分別擴大第1基板21和第2基板22的各構成材料的選擇范圍。在固體接合中，由于不借助接合膜，因此當?shù)?基板21和第2基板22之間的熱膨脹率存在較大差異時，基于該差異的應力易集中于接合界面，有可能產(chǎn)生剝離等，但在接合體5中，結合的接合膜3使應力的集中得到緩和，因而能切實地抑制或防止剝離的產(chǎn)生。另外，第1基板21和第2基板22的構成材料可以分別相同也可以不同，但第1基板21和第2基板22的各熱膨脹率優(yōu)選大致相等。若第1基板21和第2基板22之間的熱膨脹率大致相等，則當借助接合膜3將第1基板21和第2基板22相互接合時，不易在接合膜3發(fā)生伴隨著熱膨脹而產(chǎn)生的應力。其結果是，在最終得到的接合體5中，能可靠地防止剝離等不良現(xiàn)象的產(chǎn)生。當?shù)?基板21和第2基板22的各熱膨脹率互不相同時，優(yōu)選使賦予第1基板21和第2基板22壓縮力時的條件為如下最佳條件。由此，能借助接合膜3將第1基板21和第2基板22之間以高尺寸精度牢固地接合。艮口，當?shù)?基板21和第2基板22的熱膨脹率互不相同時，優(yōu)選盡可能在低溫下賦予壓縮力。通過在低溫下賦予壓縮力，能謀求進一步減少接合膜3上產(chǎn)生的應力。具體而言，根據(jù)第1基板21和第2基板22之間的熱膨脹率之差而不同，但優(yōu)選在第1基板21和第2基板22的溫度在25。C5(TC左右的狀態(tài)下使第1基板21和第2基板22之間貼合，更優(yōu)選在25'C4(TC左右的狀態(tài)下貼合。若在上述溫度范圍內(nèi)，則即使第1基板21和第2基板22之間的熱膨脹率之差在某種程度上較大，也能充分降低在接合界面產(chǎn)生的應力。其結果是，能可靠地抑制或防止所得接合體5的翹曲和剝離等。此時，當具體的第1基板21和第2基板22之間的熱膨脹系數(shù)之差在5X10，K以上時，特別推薦如上所述那樣盡可能在低溫下進行接合。此外，第1基板21和第2基板22之間優(yōu)選剛性互不相同。由此，能進一步牢固地將第1基板21和第2基板22之間接合。第1基板21和第2基板22中，至少一方的基板的構成材料優(yōu)選用樹脂材料來構成。樹脂材料利用其柔軟性，在借助將第1基板21和第2基板22之間結合的接合膜3進行接合時，能緩和在其接合界面產(chǎn)生的應力(例如伴隨著熱膨脹的應力等)。因此，不易破壞接合界面，從而能得到接合強度高的接合體5。如此得到的接合體5雖然根據(jù)第1基板21和第2基板22的構成材料不同而不同，但第1基板21和第2基板22之間的接合強度優(yōu)選為5MPa(50kgf/cm2)以上，更優(yōu)選為10MPa(100kgf/cm2)以上。具有這種接合強度的接合體5能充分防止其剝離。如后所述那樣當使用接合體5例如構成液滴噴頭時，能得到耐久性優(yōu)異的液滴噴頭。這里，賦予第1基板21和第2基板22之間的壓縮力的大小為不損壞形成的接合體5即基板2和接合膜3的程度的壓力下的盡可能大的壓力。由此，在接合膜3的加熱溫度等其他條件一-定的情況下，能根據(jù)該壓縮力的大小來提高接合體5的接合強度。18另外，該壓縮力的大小可以根據(jù)第1基板21和第2基板22的構成材料和厚度、賦予壓縮力的時間以及接合膜3的溫度等來適當設定，具體而言，優(yōu)選為lMPa100MPa左右，更優(yōu)選為5MPa50MPa左右。通過賦予所述范圍內(nèi)的壓縮力，能使接合膜31、32之間可靠地結合。另外，該壓縮力可以超過上述上限值，但根據(jù)第1基板21和第2基板22的構成材料的不同，有可能會在這些第1基板21和第2基板22上產(chǎn)生損傷等。賦予壓縮力的時間可以根據(jù)加壓時的壓縮力的大小、接合膜3的溫度等來適當設定。例如，由于賦予第1基板21和第2基板22之間的壓縮力越大，賦予壓縮力的時間越短，也能使接合膜31、32相互接合，因此可以將賦予壓縮力的時間設定得較短，具體而言，優(yōu)選設定成5分鐘1S0分鐘左右，更優(yōu)選設定成1080分鐘左右。若設定在所述范圍內(nèi)，則能使接合膜31、32之間可靠地結合。此外，在賦予壓縮力時，優(yōu)選將接合膜31、32加熱。由此，賦予接合膜31、32雙方加熱能，使由于賦予接合膜31、32壓縮力而引起的接合膜31、32之間的結合更順利地進行。將接合膜31、32加熱的溫度只要高于室溫、不足基板2的耐熱溫度即可，沒有特殊限制，優(yōu)選為75。C200。C左右，更優(yōu)選為150°C180°C左右。若在所述范圍的溫度下加熱，則能可靠地防止基板2因熱變質(zhì)*劣化，能使接合膜31、32之間更順利地結合，能可靠地提高接合強度。艮P，能進一步促進低溫下的接合膜31、32之間的結合，能可靠地提高接合強度。如上所述，為了可靠地得到借助將接合膜3K32之間結合的接合膜3將第1基板21和第2基板22接合而成的接合體5，需要適當設定賦予第1基板21和第2基板22之間的壓縮力的大小、賦予壓縮力的時間以及將接合膜31、32加熱的溫度。本發(fā)明者著眼于此，進行了反復研究，結果發(fā)現(xiàn)當賦予第1基板21和第2基板22間的壓縮力的大小為50[MPa]、賦予壓縮力的時間為Y[分鐘]、將接合膜31、32加熱的溫度為T[K]、氣體常數(shù)為R[J/(mol'K)]時，將Y和T設定成滿足下式1的關系。1/Y》1.35X109exp(-82XIOVRT)......式l通過滿足上述關系，能使接合膜31、32之間更順利地結合，能利用19結合而成的接合膜3更可靠地得到第1基板21和第2基板22之間接合而成的接合體5。這里，通過設定成滿足上述式1的關系能使接合膜31、32之間結合的原因基于下述本發(fā)明者的研究結果。艮口，將賦予第1基板21和第2基板22之間的壓縮力的大小設定為50[MPa]時，對賦予使接合膜31、32之間結合為止的壓縮力的時間和將接合膜31、32加熱的溫度之間的關系進行研究，發(fā)現(xiàn)使賦予壓縮力的時間和將接合膜31、32加熱的溫度設定成位于圖4所示的接合假想曲線上，能使接合膜31、32之間結合。即，該接合假想曲線是如圖4中參印(能結合)和X印(不能結合)所示那樣以該曲線為界分為接合區(qū)域和非接合區(qū)域的能接合邊界線。在所述研究中，關于第1基板21和第2基板22是否借助接合膜3接合的判定，當?shù)?基板21和第2基板22之間未產(chǎn)生剝離時，判定為接合。因此，圖4中右上方的斜線區(qū)域為接合區(qū)域，若將賦予壓縮力的時間以及將接合膜31、32加熱的時間設定在該區(qū)域內(nèi)，則能可靠地將接合膜31、32之間結合。本發(fā)明者根據(jù)圖4中的接合假想曲線顯示溫度依存性這點，認為在接合膜31、32相互結合時在它們結合的接合面產(chǎn)生某種化學反應，并將該化學反應假設為阿倫尼烏斯(Airhenius)型。然后，將賦予使接合膜31、32之間結合為止的壓縮力的時間為Y[分鐘]，.將接合膜31、32加熱的溫度設定為T[K]，氣體常數(shù)設定為R(8.3144)[J/(molK)]，并進行曲線擬合，可知接合假想曲線近似下式2。1/Y》1.35X109exp(-82X103/RT)......式2因此，只要滿足上式l的關系，即可使賦予壓縮力的時間Y[分鐘]和將接合膜31、32加熱的溫度T[K]位于圖4中右上方斜線部分的接合區(qū)域，能可靠地將接合膜31、32之間結合。另外，如圖4所示，例如將加熱溫度定為150°C(423K)，將賦予壓縮力的時間B定為20分鐘時，位于接合區(qū)域，因此接合膜31、32之間結合，第1基板21和第2基板22之間借助接合膜3接合，其接合強度如圖中的箭頭所示，隨著溫度A和時間B中的至少一方增大而增大。在本工序中，推測接合膜31、32結合是基于下述機制。若賦予接合膜3K32之間壓縮力，則首先接合膜31、32的表面之間接近。這里，在本發(fā)明中，接合膜31、32如上所述是使用化學氣相成膜法形成的主要包含銅的膜，因此認為在該膜中在銅原子隨機(不規(guī)則)地存在懸掛鍵(未結合鍵)活性位點。因此，若接合膜31、32的表面相互接近，則存在于各接合膜31、32的表面附近的懸掛鍵之間結合。據(jù)推測，該結合是以各接合膜31、32所具有的懸掛鍵相互絡合的方式復雜地形成，因而在接合界面形成網(wǎng)狀結合，構成各接合膜31、32的銅原子相互直接接合，接合膜31、32之間結合。另外，關于對第1基板21和第2基板22的壓縮力的賦予，可以在任何氣氛中進行，具體而言，可以列舉大氣、氧等氧化性氣體氣氛、氫等還原性氣體氣氛、氮、氬等惰性氣體氣氛、或這些氣氛減壓得到的減壓(真空)氣氛等，其中，特別優(yōu)選在大氣氣氛中進行。由此，無需花費時間和成本來控制氣氛，能更簡單地進行壓縮力的賦予。上述本發(fā)明的接合體的形成方法能用于將各種基材(部件)之間接合。作為用上述接合體的形成方法接合的部件，可以列舉例如晶體管、二極管、存儲器等半導體元件、水晶振子等壓電元件、反射鏡、光學透鏡、衍射光柵、光學濾色器等光學元件、太陽電池等光電轉換元件、半導體基板及其搭載的半導體元件、絕緣性基板和布線或電極、噴墨式記錄頭、微反應器、微鏡等MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)部件、圧力傳感器、加速度傳感器等傳感器部件、半導體元件和電子部件的封裝部件、磁記錄介質(zhì)、光磁記錄介質(zhì)、光記錄介質(zhì)等記錄介質(zhì)、液晶顯示元件、有機EL元件、電泳顯示元件等顯示元件用部件、燃料電池用部件等。<液滴噴頭〉這里，對將用本發(fā)明的接合體的形成方法形成的接合體用于噴墨式記錄頭時的實施方式進行說明。圖5是表示使用本發(fā)明的接合體得到的噴墨式記錄頭(液滴噴頭)的分解立體圖，圖6是表示圖5所示的噴墨式記錄頭的主要部分的構成的剖21面圖，圖7是表示具有圖5所示的噴墨式記錄頭的噴墨打印機的實施方式的概略圖。另外，圖5所示狀態(tài)與常用的狀態(tài)上下相反。圖5所示的噴墨式記錄頭10搭載于圖7所示的噴墨打印機9。圖7所示的噴墨打印機9具備裝置主體92，在上部后方設有設置記錄紙P的托盤921，在下部前方設有送出記錄紙P的送出口922，在上部面設有操作面板97。操作面板97例如由液晶顯示器、有機EL顯示器、LED燈等構成，具備顯示錯誤信息等的顯示部(未圖示)和由各種開關等構成的操作部(未圖示)。在裝置主體92的內(nèi)部，主要有具有往復移動的噴頭單元93的印刷裝置(印刷機構)94、向印刷裝置94一張張地送入記錄紙P的供紙裝置(供紙機構)95、控制印刷裝置94和供紙裝置95的控制部(控制機構)96。在控制部96的控制下，供紙裝置95—張張地間歇送出記錄紙P。該記錄紙P通過噴頭單元93的下部附近。此時，噴頭單元93沿著與記錄紙P的送出方向大致正交的方向往復移動，對記錄紙P進行印刷。即，噴頭單元93的往復移動和記錄紙P的間歇送出為印刷中的主掃描和副掃描，進行噴墨方式的印刷。印刷裝置94具備噴頭單元93、作為噴頭單元93的驅(qū)動源的滑架電動機(carriagemotor)941、在滑架電動機941的旋轉下使噴頭單元93往復移動的往復移動機構942。噴頭單元93具有在其下部具有多個噴嘴孔111的噴墨式記錄頭10(以下簡稱"噴頭10")和向噴頭10提供墨液的墨盒931、搭載有噴頭10和墨盒931的滑架932。另外，通過使用填充了黃、藍、紅、黑這4種顏色的墨液的墨盒作為墨盒931，能實現(xiàn)全彩印刷。往復移動機構942具有其兩端被框架(未圖示)支撐的滑架導向軸943和與滑架導向軸943平行延伸的同步帶944?；?32往復移動自如地支持在滑架導向軸943，并固定在同步帶944的局部。通過啟動滑架電動機941，使同步帶944介助滑輪正反移動，在滑架22導向軸943的引導下，噴頭單元93往復移動。在該往復移動時，從噴頭IO噴出適量墨液，對記錄紙P進行印刷。供紙裝置95具有作為其驅(qū)動源的供紙電動機951和通過供紙電動機951的工作而旋轉的供紙輥952。供紙輥952由夾于記錄紙P的送出路徑(記錄紙P)而上下對置的從動輥952a和驅(qū)動輥952b構成，驅(qū)動輥952b與供紙電動機951連接。由此，供紙輥952將裝于托盤921的多張記錄紙P—張張地送入印刷裝置94。另外，也可以用拆裝自如地安裝收容記錄紙P的供紙盒的構成來代替托盤921。控制部96根據(jù)例如從個人電腦或數(shù)字照相機等主機輸入的印刷數(shù)據(jù)，控制印刷裝置94和供紙裝置95等來進行印刷?？刂撇?6主要由未圖示的存儲控制各部分的控制程序等的存儲器、驅(qū)動壓電元件(振動源)14來控制墨液噴出時機的壓電元件驅(qū)動電路、驅(qū)動印刷裝置94(滑架電動機941)的驅(qū)動電路、驅(qū)動供紙裝置95(供紙電動機951)的驅(qū)動電路、輸入來自主機的印刷數(shù)據(jù)的通信電路以及與它們電連接的在各部進行各種控制的CPU。在CPU分別電連接能檢測出例如墨盒931的墨液殘量、噴頭單元93的位置等的各種傳感器等?？刂撇?6通過通信電路獲取印刷數(shù)據(jù)后存儲于存儲器。CPU處理該印刷數(shù)據(jù)，根據(jù)該處理數(shù)據(jù)和來自各傳感器的輸入數(shù)據(jù)，向各驅(qū)動電路輸出驅(qū)動信號。根據(jù)該驅(qū)動信號，分別啟動壓電元件14、印刷裝置94和供紙裝置95。由此，對記錄紙P進行印刷。以下，參照圖5和圖6對噴頭10進行詳細說明。噴頭io具有噴頭主體17和收納該噴頭主體17的基體16，所述打印頭主體17具有噴嘴板11、墨液室基板12、振動板13和與振動板13接合的壓電元件(振動源)14。另外，該打印頭10構成隨機(on-demand)形壓電噴墨式噴頭。噴嘴板11例如由Si02、SiN、石英玻璃等硅類材料、Al、Fe、Ni、Cu或含有它們的合金等金屬類材料、二氧化鋁、氧化鐵等氧化物類材料、炭黑、石墨等碳類材料等構成。在該噴嘴板11形成用于噴出墨液滴的多個噴嘴孔111。這些噴嘴孔111間的間距根據(jù)印刷精度適當設定。噴嘴板11上固接(固定)有墨液室基板12。該墨液室基板12由噴嘴板11、側壁(隔板)122和后述振動板13劃分成多個墨液室(腔室、壓力室)121、儲藏來自墨盒931的墨液的容器123、從容器123向各墨液室121分別提供墨液的供給口124。各墨液室121的構成為分別形成長方體形，對應各噴嘴孔111而配置。.各墨液室121可以通過后述振動板13的振動來改變?nèi)莘e，通過該容積的變化來噴出墨液。作為用于得到墨液室基板12的基材，可以使用例如單晶硅基板、各種玻璃基板、各種樹脂基板等。這些基板均為常用基板，因此使用這些基板能減少噴頭10的制造成本。另一方面，在墨液室基板12的噴嘴板11的相反側，接合振動板13，在振動板13的墨液室基板12的相反側，設有多個壓電元件14。在振動板13的規(guī)定位置，形成貫通振動板13的厚度方向的連通孔131。通過該連通孔131，能從上述墨盒931向容器123提供墨液。各壓電元件14中，在各下部電極142和上部電極141之間插入壓電體層143，對應各墨液室121的大致中央部而配置。各壓電元件14與壓電元件驅(qū)動電路電連接，根據(jù)壓電元件驅(qū)動電路的信號來工作(振動、變形)。各壓電元件14分別作為振動源起作用，振動板13因壓電元件14的振動而振動，具有瞬間提高墨液室121的內(nèi)部壓力的功能?；w16例如由各種樹脂材料、各種金屬材料等來構成，在該基體16上固定、支撐噴嘴板ll。即，在基體16所具備的凹部161中在收納噴頭主體17的狀態(tài)下利用形成于凹部161外周部的臺階162來支撐噴嘴板11的邊緣部。在上述的噴嘴板11與墨液室基板12的接合、墨液室基板12與振動板13的接合以及噴嘴板11與基體16的接合時，至少在1處采用本發(fā)明的接合體的形成方法。換言之，噴嘴板11與墨液室基板12的接合體、墨液室基板12與振動板13的接合體以及噴嘴板11與基體16的接合體中，至少1處采用本24發(fā)明的接合體。上述噴頭10的接合部的接合界面的接合強度和耐試劑性高，由此，相對于各墨液室121中儲存的墨液的耐久性和液密性提高。其結果是，噴頭10的可靠性高。另外，由于在非常低的溫度下也能實現(xiàn)可靠性高的接合，因此即使用線膨脹系數(shù)不同的材料也能得到大面積的噴頭，這點非常有利。上述噴頭IO在未通過壓電元件驅(qū)動電路輸入規(guī)定的噴出信號的狀態(tài)、即未在壓電元件14的下部電極142與上部電極141之間施加電壓的狀態(tài)下，壓電體層143不發(fā)生變形。因此，振動板13也不發(fā)生變形，墨液室121沒有容積變化。因此，不會從噴嘴孔111噴出墨液滴。另-皿-方面，在通過壓電元件驅(qū)動電路輸入規(guī)定的噴出信號的狀態(tài)、即在壓電元件14的下部電極142與上部電極141之間施加電壓的狀態(tài)下，壓電體層143發(fā)生變形。由此，振動板13大幅彎曲，墨液室121的容積發(fā)生變化。此時，墨液室121內(nèi)的壓力瞬間提高，從噴嘴孔lll噴出墨液滴。1次墨液噴出結束時，壓電元件驅(qū)動電路停止向下部電極142和上部電極141之間施加電壓。由此，壓電元件14大致回到原來的形狀，墨液室121的容積增大。另外，此時，從墨盒931向噴嘴孔111的壓力(向正方向的壓力)作用于墨液。籍此，防止空氣從噴嘴孔111進入墨液室121，從墨盒931(容器123)向墨液室121提供與墨液的噴出量相應的量的墨液。如上所述，在噴頭10，通過借助壓電元件驅(qū)動電路依次向預印刷的位置的壓電元件14輸入噴出信號，能印刷任意的(所需)的文字和圖形等。另外，噴頭IO可以具有電熱轉變元件來代替壓電元件14。也就是說，噴頭IO可以是利用電熱轉變元件的材料的熱膨脹來噴出墨液的構成(即，"氣泡噴墨方式"("Bubble-jet"是注冊商標))。在所述構成的噴頭10中，在噴嘴板11設有為賦予斥液性而形成的被膜114。由此，當從噴嘴孔111噴出墨液滴時，能可靠地防止在該噴嘴孔111的周圍殘留墨液滴。其結果是，能使從噴嘴孔111噴出的墨液滴可靠地彈著亍目標區(qū)域。25<布線基板>然后，對將本發(fā)明的接合體用于布線基板時的實施方式進行說明。圖8是表示使用本發(fā)明的接合體而得到的布線基板的立體圖。圖8所示的布線基板410具有絕緣基板413、設于絕緣基板413上的電極412、引線414、設于引線414的一端并與電極412相對置的電極415。在電極412的上面和電極415的下面分別形成接合膜3。上述電極412和電極415用上述本發(fā)明的接合體的形成方法借助通過貼合而結合的接合膜3接合。由此，電極412、415之間通過1層接合膜3牢固接合，能可靠地防止各電極412、415之間的層間剝離等，同時得到可靠性高的布線基板410。接合膜3由于主要包含銅，因此起導通各電極412、415之間的布線的作用。接合膜3如上所述那樣能容易地以高精度控制其厚度。由此，布線基板410的尺寸精度更高，各電極412、415之間的導電性也容易控制。以上，根據(jù)圖示的實施方式對本發(fā)明的接合體的形成方法和接合體進行了說明，但本發(fā)明不限于此。例如，本發(fā)明的接合體的形成方法可以是組合上述實施方式中的任意1種或2種以上的方法。本發(fā)明的接合體的形成方法還可以根據(jù)需要追加l.個以上的任意目的的工序。在上述實施方式中，對接合2塊基板的情況進行了說明，但不限于此，在接合3個以上的基板時，也可以使用本發(fā)明的接合體的形成方法。[實施例]接著，對本發(fā)明的具體實施例進行說明。1.接合體的制造(實施例1)首先，作為基板，分別準備縱20mmX橫20mmX平均厚度lmm的單晶硅基板和縱20mmX橫10mmX平均厚度lmm的單晶硅基板。接著，在各基板的表面實施熱氧化處理而形成100nm的熱氧化膜，然后在該熱氧化膜上用濺射法形成20nm的鈦薄膜，進行表面處理。然后，將進行了表面處理的各基板分別置于圖3所示的成膜裝置200的腔室211內(nèi)，將雙(2，6-二甲基-2-(三甲基硅氧垸基)-3，5-庚二酮)銅(II)(Cu(sopd)2)，用MOCVD法形成平均厚100nm的主要包含銅的接合膜。另外，成膜條件如下所示。<成膜條件>，腔室內(nèi)的氣氛氮氣+氫氣有機金屬材料(原材料)CU(SOpd)2已霧化的有機金屬材料的流量lg/分鐘，載氣氮氣+氫氣，成膜時的腔室內(nèi)的壓力20Tbrr成膜時的氫分壓15Torr基板支撐件的溫度270°C處理時間10分鐘如上形成的接合膜由銅構成，用二次離子質(zhì)譜法(SIMS法)測定銅的純度，結果原子比為99at.。/。。經(jīng)過所述工序，在各單晶硅基板上分別形成主要包含銅的接合膜。接著，使各單晶硅基板分別具有的接合膜之間相互接觸而使單晶硅基板之間重合。接著，在該狀態(tài)下，對這些基板賦予50MPa的壓縮力，在175T:下將接合膜加熱，持續(xù)賦予壓縮力5分鐘，使各基板上形成的接合膜相互結合，從而在滿足上述式1的條件下得到借助結合而成的接合膜將各基板接合而成的接合體。(實施例218)除了將賦予2塊基板之間的壓縮力、持續(xù)賦予壓縮力的時間以及將接合膜加熱的溫度分別按表1所示的條件改變外，與上述實施例1同樣操作，得到接合體。另外，這些條件均滿足上述式l。(比較例115)除了將賦予2塊基板之間的壓縮力、持續(xù)賦予壓縮力的時間以及將接合膜加熱的溫度分別按表1所示的條件改變外，與上述實施例1同樣操作，得到接合體。另外，這些條件均不滿足上述式1。2.接合體的評價2.1有無剝離的評價對各實施例和各比較例中得到的接合體，分別確認接合膜之間有無剝離。然后，根據(jù)接合膜之間剝離的有無，如下進行評價。<剝離有無的評價結果>〇接合膜之間無剝離X:接合膜之間有剝離2.2電阻率的評價對各實施例和各比較例中得到的接合體，在縱向的端部分別設置電極，測定電極間的電阻率，求接合體的電阻率。然后，將測定的電阻率按以下的基準進行評價。<電阻率的評價基準>不足1X1(T5Qcm〇1X10-5Qcm以上、不足lX10-3Q'cm△:1X10-3Qcm以上、不足lX10"Q'cmX:IXIO"Qcm以上2.12.2的各評價結果示于表1。28<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>由表1可知，各比較例中得到的接合體均可見接合膜之間的剝離，與此相對，各實施例中得到的接合體均未見接合膜之間的剝離。另外，各實施例中得到的接合體與各比較例中得到的接合體相比，電阻率低，顯示出優(yōu)異的導體特性。權利要求1.一種接合體的形成方法，其特征在于，具有如下工序在第1基材及第2基材上，分別用化學氣相成膜法形成主要包含銅的接合膜的工序；以所述接合膜相互對置的方式，在使所述第1基材和第2基材相互接觸的狀態(tài)下，對所述第1基材和第2基材間賦予壓縮力使所述接合膜相互結合而得到接合體的工序。2.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，在形成所述接合膜的工序中，以其表面粗糙度Ra(在JISB0601中規(guī)定)為lnm30nm的方式形成所述接合膜。3.根據(jù)權利要求1或2所述的接合體的形成方法，其中，在得到所述接合體的工序中，賦予所述第1基材和第2基材間的壓縮力為1MPa腦MPa。4.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，在得到所述接合體的工序中，賦予所述壓縮力的時間為5分鐘180分鐘。5.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，在得到所述接合體的工序中，將所述接合膜加熱。6.根據(jù)權利要求5所述的接合體的形成方法，其中，將所述接合膜加熱的溫度為75°C200°C。7.根據(jù)權利要求5或6所述的接合體的形成方法，其中，在得到所述接合體的工序中，當賦予所述第l基材和第2基材間的壓縮力的大小為50[MPa]、賦予所述壓縮力的時間為Y[分鐘]、將所述接合膜加熱的溫度為T[K]、氣體常數(shù)為叩/(mol'K)]時，設定成滿足l/Y》1.35X109exp(-82xioVrt)的關系。8.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，在得到所述接合體的工序中，所述壓縮力的賦予在大氣氣氛中進行。9.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，所述接合膜中含有的銅的含有率按原子比計為99沈％以上。10.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，所述接合膜通過使用有機金屬材料作為原材料的有機金屬化學氣相成膜法來形成。11.根據(jù)權利要求10所述的接合體的形成方法，其中，所述有機金屬材料為金屬絡合物。12.根據(jù)權利要求10或11所述的接合體的形成方法，其中，所述接合膜中含有的雜質(zhì)是所述有機金屬材料中含有的有機物的部分殘留物。13.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，所述接合膜的平均厚度為l畫1000nm。14.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，所述第l基材和第2基材分別呈板狀。15.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，所述第l基材和第2基材的至少形成所述接合膜的部分以硅材料、金屬材料或玻璃材料為主要材料來構成。16.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，對所述第l基材和第2基材的具有所述接合膜的面，事先實施用于提高與所述接合膜的密合性的表面處理。17.根據(jù)權利要求16所述的接合體的形成方法，其中，所述表面處理為等離子體處理。18.根據(jù)權利要求1所述的接合體的形成方法，其中，在所述第l基材和第2基材與設于所述第1基材和第2基材的各所述接合膜之間，分別插入中間層。19.根據(jù)權利要求18所述的接合體的形成方法，其中，所述中間層以氧化物類材料為主要材料來構成。20.—種接合體，其特征在于，用權利要求119中任一項所述的接合體的形成方法來形成。全文摘要本發(fā)明提供能將2個基材之間以高尺寸精度牢固地并且在低溫下高效地接合的接合體形成方法以及2個基材之間以高尺寸精度牢固接合而成的可靠性高的接合體。本發(fā)明的接合體的形成方法具有在第1基板(基材)(21)及第2基板(基材)(22)上，分別用化學氣相成膜法形成主要包含銅的接合膜(31)、(32)的工序；以接合膜(31)、(32)相互對置的方式，在使第1基板(21)和第2基板(22)之間接觸的狀態(tài)下，對所述第1基板(21)和第2基板(22)間賦予壓縮力使接合膜(31)、(32)相互結合而得到接合體的工序。文檔編號B32B37/10GK101491963SQ200910009730公開日2009年7月29日申請日期2009年1月23日優(yōu)先權日2008年1月23日發(fā)明者佐藤充,山本隆智申請人:精工愛普生株式會社