專利名稱：：導(dǎo)電性層疊體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及導(dǎo)電性層疊體，被設(shè)置在等離子顯示面板(以下簡稱為PDP)的觀察者側(cè)、具有屏蔽PDP產(chǎn)生的電磁噪音的電磁波屏蔽性能的PDP用電磁波屏蔽體以及PDP用濾波器。
背景技術(shù)：
：具有透明性的導(dǎo)電性層疊體被用作為液晶顯示元件等的透明電極、汽車擋風(fēng)玻璃、熱鏡、電磁波屏蔽窗玻璃等。此外，導(dǎo)電性層疊體也被用作為PDP用電磁波屏蔽膜。由于從PDP的前表面發(fā)射出電磁波，因此以屏蔽該電磁波為目的在PDP的觀察者側(cè)配置在塑料膜等基體上形成有導(dǎo)電膜的電磁波屏蔽膜。例如，專利文獻(xiàn)1中記載了具有作為導(dǎo)電膜的由氧化物層和金屬層交替層疊而成的層疊體的PDP用電磁波屏蔽體。但是，現(xiàn)有的PDP用電磁波屏蔽體存在耐濕性和耐指紋擦拭性等方面的問題，因此必須通過粘附劑在導(dǎo)電性層疊體的最表面貼附聚對苯二甲酸乙二酯等塑料膜。所以，在PDP用電磁波屏蔽體的制造中，還要花費(fèi)工夫在導(dǎo)電性層疊體表面層疊塑料膜，這樣工序數(shù)就會增加，制造變得復(fù)雜，還有成本提高的問題。此外，已知由低熱放射率的透明熱反射膜和基板構(gòu)成的層疊體，該透明熱反射膜通過層疊電介質(zhì)層和金屬層并在最表層層疊了厚70nm的碳?xì)浠衔飳佣频?。但是，所述層疊體存在碳?xì)浠衔飳雍瘛⒖梢姽馔干渎实偷膯栴}。專利文獻(xiàn)1日本專利特開2006-186309號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利特開2005-271495號公報(bào)發(fā)明的揭示為了解決所述問題，本發(fā)明的目的是提供透射反射帶寬、且導(dǎo)電性(電磁波屏蔽性)、可見光透射性、防可見光反射性、近紅外線屏蔽性及耐濕性良好的導(dǎo)電性層疊體、等離子顯示器用電磁波屏蔽體。本發(fā)明提供導(dǎo)電性層疊體，它是包括基體和形成于基體上的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性層疊體，該導(dǎo)電性層疊體的特征在于，所述導(dǎo)電膜是從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2η層或2η+1層、且在最遠(yuǎn)離基體的位置還具備碳?xì)浠衔飳拥亩鄬訕?gòu)造體，其中，η為112的整數(shù)，碳?xì)浠衔飳雍刑荚雍蜌湓忧覛湓雍繛?50原子％。此外，本發(fā)明提供導(dǎo)電性層疊體的制造方法，該方法是包括在基體的一個表面按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2η層或2η+1層的工序以及在最遠(yuǎn)離基體的位置還形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば虻膶?dǎo)電性層疊體的制造方法，其中η為112的整數(shù)；該方法的特征在于，所述形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば蚴鞘褂檬型ㄟ^濺射法形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば颍蛘呤峭ㄟ^使用選自CH4、C2H2及C2H4的1種以上的原料氣體的化學(xué)氣相沉積法而形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば?。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的導(dǎo)電性(電磁波屏蔽性)、可見光透射性、防可見光反射性及近紅外線屏蔽性良好。此外，本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的耐濕性、耐指紋附著性良好，因此無需用塑料膜等保護(hù)導(dǎo)電性層疊體的最表面。附圖的簡單說明圖1是表示本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的一例的剖視圖。圖2是表示本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的一例的剖視圖。圖3是表示本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的一例的剖視圖。圖4是表示本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的一例的剖視圖。圖5是本發(fā)明的實(shí)施例中的測定接觸電阻的試樣的俯視圖。圖6是圖5的試樣的電阻值模式圖(model)。圖7是表示本發(fā)明的等離子顯示器用濾波器的一例的剖視圖。符號說明10、20、30、40、100·導(dǎo)電性層疊體，11、21、31、41·基體，12、22、32、42··導(dǎo)電膜，13a13d、23a23e、33a33e、43a43e高折射率層，47a47e第一高折射率層，48a48e··第二高折射率層，14a14d、24a24d、34a34d、44a44d·金屬層，15、25、35、45·碳?xì)浠衔飳樱?6、46·密合層，100·導(dǎo)電性層疊體，101··電極a，102·電極b，103··電極c，104··電極d，200··等離子顯示器用濾波器，210·導(dǎo)電性層疊體，211·基體，212·導(dǎo)電膜，220·玻璃基板，230·粘附劑層，240··近紅外線吸收粘附劑層，250··防反射膜，260··樹脂膜，270··防反射層。實(shí)施發(fā)明的最佳方式(基體)作為本發(fā)明的基體，優(yōu)選透明基體。本發(fā)明中的“透明”是指讓可見光范圍的波長的光透過，其透射率較好為50%以上，更好為70%以上，進(jìn)一步更好為90%以上。作為透明基體的材質(zhì)，可例舉玻璃(包括風(fēng)冷強(qiáng)化玻璃、化學(xué)強(qiáng)化玻璃等強(qiáng)化玻璃)，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、三乙酰纖維素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等塑料等。作為基體的厚度，較好為0.Olmm10mm，更好為0.085mm。基體的材質(zhì)為玻璃時(shí)，優(yōu)選厚度為0.510mm，更優(yōu)選的厚度為15mm?；w的材質(zhì)為塑料時(shí)，優(yōu)選厚度為0.013mm，更優(yōu)選的厚度為0.051mm。(導(dǎo)電膜)本發(fā)明的導(dǎo)電膜是從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2n層或2n+l層[η為112的整數(shù)]、且在最遠(yuǎn)離基體的位置還層疊有碳?xì)浠衔飳拥亩鄬訕?gòu)造體。為該結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜時(shí)，在最遠(yuǎn)離基體的金屬層的與基體相反側(cè)的表面由于可以僅加厚碳?xì)浠衔飳右蕴娲鷮盈B高折射率層，因此可減少層疊數(shù)，從制造的簡便性方面考慮優(yōu)選。導(dǎo)電膜中，較好是設(shè)置28層的金屬層，更好是設(shè)置26層。即，導(dǎo)電膜中，較好是η=28，更好是η=26。如果金屬層為2層以上，則可充分降低電阻值，如果為12層以下，則可進(jìn)一步抑制導(dǎo)電性層疊體的內(nèi)部應(yīng)力增加，如果為8層以下，則可更明顯地抑制內(nèi)部應(yīng)力增加。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體中，優(yōu)選在從所述基體側(cè)開始第2η層的金屬層表面再層疊高折射率層合計(jì)層疊2η+1層[η為112的整數(shù)]、然后在離基體最遠(yuǎn)的位置再層疊了碳?xì)浠衔飳拥膶?dǎo)電膜。該結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜可減小碳?xì)浠衔飳拥暮穸?，因此能夠使?dǎo)電性層疊體的可見光透射率提高，所以優(yōu)選。(金屬層)作為金屬層，優(yōu)選含銀層。通過使金屬層為含銀層，可降低導(dǎo)電膜整體的薄膜電阻值。金屬層中的銀含量較好為90質(zhì)量％以上，更好為94質(zhì)量％以上。銀含量如果為90質(zhì)量％以上，則可降低導(dǎo)電膜的薄膜電阻值，因此優(yōu)選。從降低導(dǎo)電膜的電阻值的角度考慮，金屬層最好為由純銀形成的層。本發(fā)明中的“純銀”是指金屬層(100質(zhì)量％)中含有99.9質(zhì)量％以上的銀。從抑制銀的擴(kuò)散以提高耐濕性的角度考慮，金屬層優(yōu)選為由還含有選自金、鉍、鈀的1種以上的金屬的銀合金形成的層。特好的是由含有選自金、鉍及鈀的1種以上的金屬的銀合金形成的層。為使金屬層的電阻率為6.0μQcm以下，金屬層(100質(zhì)量％)中選自金、鉍及鈀的1種以上的金屬的合計(jì)含量較好為0.21.5質(zhì)量％。導(dǎo)電膜中的全部金屬層的合計(jì)膜厚較好為25lOOnm。所述合計(jì)膜厚更好為2580nm，進(jìn)一步更好為2570nm，特好為3060nm。金屬層的層數(shù)如果較多，則各金屬層會變薄，這樣電阻率就提高。因此，為了降低電阻率，合計(jì)膜厚有增加的傾向。導(dǎo)電膜中的各金屬層的膜厚較好是分別為525nm，更好是分別為520nm，進(jìn)一步更好是分別為517nm，最好是分別為1017nm。導(dǎo)電膜中的各金屬層的膜厚可以全部相同也可以各不相同。(高折射率層)導(dǎo)電膜中的高折射率層含有無機(jī)化合物。所述無機(jī)化合物的折射率較好為1.52.7，更好為1.72.5，進(jìn)一步更好為2.O2.5。本發(fā)明中的“折射率”是指波長550nm處的折射率。高折射率層中的所述無機(jī)化合物的含有比例較好為90質(zhì)量％以上，更好為95質(zhì)量％以上，特好為99質(zhì)量％以上。導(dǎo)電膜中的高折射率層的折射率為1.52.7，較好為1.72.5，更好為1.92.4。作為本發(fā)明中的無機(jī)化合物，優(yōu)選例舉金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物等。作為金屬氧化物，可例舉選自鋅、鈦、鈮、鉭、銦、錫、鉻、鉿、鋯、鎵及鎂等金屬各自的金屬氧化物以及2種以上的所述金屬的復(fù)合氧化物的1種以上。作為金屬氮化物，可例舉選自硅及鋁等金屬各自的金屬氮化物以及2種以上的所述金屬的復(fù)合氮化物的1種以上。作為金屬硫化物，可例舉選自鋅、鉛及鎘等金屬各自的金屬硫化物以及2種以上的所述金屬的復(fù)合硫化物的1種以上。作為本發(fā)明的高折射率層包含的無機(jī)化合物，優(yōu)選金屬氧化物。如果為金屬氧化物，則可提高可見光的透射率，因此優(yōu)選。高折射率層較好是作為金屬氧化物以氧化鋅為主成分的層，特好是作為主成分含有2.3以上的高折射率金屬氧化物和氧化鋅的層(以下也稱為含氧化鋅層)。含氧化鋅層較好是含有合計(jì)90質(zhì)量％以上的折射率2.3以上的高折射率金屬氧化物和氧化鋅，更好是含有95質(zhì)量％以上，特好是含有99質(zhì)量％以上。高折射率層中的氧化鋅含量較好為50質(zhì)量％以上，更好為7090質(zhì)量％。折射率2.3以上的高折射率金屬氧化物中，由于選自氧化鈦(折射率2.5)及氧化鈮(折射率2.4)的1種以上的金屬氧化物能夠進(jìn)一步加寬反射帶，因此優(yōu)選。高折射率金屬氧化物的存在可提高含氧化鋅層的折射率，可加寬導(dǎo)電膜的透射·反射帶。含氧化鋅層中，高折射率金屬氧化物的金屬原子的含有比例相對于該金屬原子和鋅原子的合計(jì)量較好為150原子％，特好為520原子％。在該范圍內(nèi)時(shí)，可在保持透射·反射帶的寬度的同時(shí)獲得耐濕性良好的導(dǎo)電膜。其理由雖然還不明確，可能是在以上的范圍內(nèi)時(shí)可保持氧化鋅的良好物性的同時(shí)能夠緩解高折射率層和金屬層的應(yīng)力的緣故。在無損物性的范圍內(nèi)，高折射率層中可含有氧化鋅、氧化鈦及氧化鈮以外的金屬氧化物。例如為了賦予導(dǎo)電性可混合氧化鎵、氧化銦、氧化鋁、氧化鎂等。高折射率層的物理膜厚(以下簡稱為膜厚)較好是離基體最近的高折射率層和離基體最遠(yuǎn)的高折射率層為2060nm(特好為3050nm)，除此以外的高折射率層為40120nm(特好為40lOOnm)。高折射率層可以由各自單獨(dú)一層的均一的層構(gòu)成，也可以是2層以上層疊而成的多層構(gòu)成的層。作為多層構(gòu)成的高折射率層，例如為從基體側(cè)開始按照第一高折射率層/第二高折射率層的順序?qū)盈B的2層構(gòu)成的層時(shí)，作為第一高折射率層，較好是含有氧化鈮、氧化鈦等金屬氧化物的第一高折射率層整體的折射率在2.3以上。金屬層為含銀層時(shí)，作為第二高折射率層，較好是作為主成分含有氧化鋅的層，更好為所述含氧化鋅層。此時(shí)，最好在第二高折射率層中的與基體相反側(cè)的面上直接接觸地層疊金屬層。以氧化鋅為主成分的物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)與構(gòu)成金屬層的銀的晶體結(jié)構(gòu)近似。因此，如果在以氧化鋅為主成分的材料形成的第二高折射率層上直接層疊銀，則可獲得由結(jié)晶性高的銀形成的金屬層。結(jié)晶性良好的銀由于電阻率較小，因此可減小金屬層的電阻率，這樣就能夠使用于獲得所要的薄膜電阻值的金屬層的厚度減薄。如果能夠減薄金屬層的厚度，則能夠提高導(dǎo)電性層疊體的可見光透射率，因此優(yōu)選。另外，如果金屬層中的銀的結(jié)晶性良好，則可減少銀遷移的發(fā)生。第二高折射率層采用以氧化鋅為主成分的材料可抑制銀的遷移，從而維持第二高折射率層和金屬層的密合性。由于可維持密合性，因此可抑制水分向界面的侵入，使得銀的耐濕性變好，所以優(yōu)選。第一高折射率層的厚度較好是離基體最近的第一高折射率層為2060nm(特好為3050nm)，除此以外的第一高折射率層為40120nm(特好為40IOOnm)。第二高折射率層的厚度較好為120nm，更好為2lOnm，進(jìn)一步更好為36nm。本發(fā)明的高折射率層的構(gòu)成、材料可以全部相同也可以各不相同。另外，本發(fā)明的高折射率層的膜厚可以全部相同也可各不相同。(碳?xì)浠衔飳?碳?xì)浠衔飳雍刑荚雍蜌湓?，碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繛?50原子％。氫原子含量較好為1550原子％，更好為2048原子％，進(jìn)一步更好為2545原子％。氫原子含量如果超過50原子％，則生成聚合物DLC，機(jī)械耐久性可能會大幅度下降。氫原子含量如果為9原子％以上，則可提高可見光透射率，因此優(yōu)選。本發(fā)明的碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍咳绻?，則sp2鍵增加，光學(xué)能隙變窄，因此可見光范圍的光吸收增力口。其結(jié)果是，本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的光透射率(日文視感透過率)下降。如果氫原子含量不足9原子％，則本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的光透射率可能會低于60%。如果本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的光透射率低于60%，則將本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體用于顯示器用濾波器，特別是等離子顯示器用濾波器的用途時(shí)，進(jìn)行濾波器整體的色調(diào)修正等設(shè)計(jì)時(shí)的自由度減少，因此不理想。碳?xì)浠衔飳拥暮穸容^好為160nm。本發(fā)明的導(dǎo)電膜從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2η層[η為112的整數(shù)]時(shí)，碳?xì)浠衔飳拥暮穸容^好為2060nm，更好為3050nm。此時(shí)，碳?xì)浠衔飳泳哂信c高折射率層同樣的功能，有利于提高導(dǎo)電性層疊體的光學(xué)特性(光透射率的提高、可見光反射率的降低)。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電膜從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2n+l層[η為112的整數(shù)]時(shí)，碳?xì)浠衔飳拥暮穸容^好為215nm，更好為3lOnm。此時(shí)，可減薄碳?xì)浠衔飳拥暮穸?。因此，能夠提高?dǎo)電性層疊體的可見光透射率，因此優(yōu)選。(密合層)為了提高本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的機(jī)械耐久性，最好還在碳?xì)浠衔飳拥幕w側(cè)的面直接接觸地層疊密合層。密合層是指由與碳?xì)浠衔飳?、高折射率層及金屬層直接接觸地層疊時(shí)密合性良好不易剝離的材質(zhì)形成的層。作為密合層的材質(zhì)，較好例舉含有Sn、In、Ti、Si、Ga等金屬的氧化物或氮化物的膜等。本發(fā)明的導(dǎo)電膜為從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2n+l層、在離基體最遠(yuǎn)的位置還具備碳?xì)浠衔飳?、且高折射率層是含有氧化鋅作為主成分的層的多層構(gòu)造體時(shí)，密合層更好為含Sn氧化物的膜。特好為銦-錫氧化物(ITO)膜、鎵-銦-錫氧化物(GIT)膜。通過將密合層設(shè)置于碳?xì)浠衔飳拥幕w側(cè)，密合層和碳?xì)浠衔飳拥拿芎闲粤己?，因此碳?xì)浠衔飳硬粫粍冸x，所得的導(dǎo)電性層疊體的機(jī)械耐久性良好。另外，通過設(shè)置密合層，還可獲得本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的耐化學(xué)品性提高的效果。另外，由于密合層不易通過水分，可防止水分向?qū)щ娦詫盈B體的高折射率層或金屬層的擴(kuò)散和浸透，因此導(dǎo)電性層疊體的耐濕性提高，因此優(yōu)選。即，通過設(shè)置密合層，導(dǎo)電性層疊體的水分?jǐn)U散的時(shí)間常數(shù)增加，因此優(yōu)選。密合層的膜厚較好為230nm，更好為320nm。(其它層)在無損導(dǎo)電膜的性能的范圍內(nèi)，本發(fā)明的導(dǎo)電膜中可摻入其它層。作為用于其它層的材料，可例舉有機(jī)化合物及折射率低于1.5或超過2.5的無機(jī)化合物等。(導(dǎo)電性層疊體的制造方法)作為導(dǎo)電膜的形成方法，可例舉例如濺射法、真空蒸鍍法、離子電鍍法、化學(xué)氣相沉積法等。濺射法由于品質(zhì)、特性的穩(wěn)定性良好，因此優(yōu)選。作為濺射法，可例舉例如脈沖濺射法、AC濺射法等。特別是作為碳?xì)浠衔飳拥男纬煞椒?，?yōu)選例舉AC濺射法、化學(xué)氣相沉積法。AC濺射法由于電流方向發(fā)生周期性變化，因此電荷不易滯留于被處理物，可防止成膜時(shí)的發(fā)弧(arcing)所導(dǎo)致的膜缺陷的產(chǎn)生。另外，AC濺射法中，可利用存在于被處理物附近的等離子流形成致密的膜，因此優(yōu)選。作為化學(xué)氣相沉積法，可例舉磁控管等離子CVD法、LIS(直線離子源(LinearIonSource))-CVD法等。磁控管等離子CVD法是在腔中配置陰極(碳靶等)和被處理物，通過對陰極施加高頻(13.56MHz或27.12MHz)使得陰極負(fù)偏置，產(chǎn)生等離子。然后，同時(shí)流過原料氣體(選自CH4、C2H2及C2H4的1種以上的氣體)，該氣體被等離子分解，在被處理物表面形成碳?xì)浠衔飳?。此時(shí)，將磁路等磁石裝于陰極，產(chǎn)生磁力線，該磁力線到達(dá)被處理物表面。利用被磁通捕集的電子在被處理物表面附近引發(fā)磁控放電，加快成膜速度。所述磁力線較好為IOOG1000G，更好為300G500G。磁力線如果在IOOG以上，則可充分加快成膜速度，因此優(yōu)選。在1000G以下時(shí)等離子強(qiáng)度不會過大，不易引起熱對被處理物的損傷，因此優(yōu)選。LIS-CVD法是通過向LIS導(dǎo)入原料氣體(選自CH4、C2H2及C2H4的1種以上的氣體)來形成碳?xì)浠衔飳拥姆椒āIS是直線離子源的簡稱，配置陽極和陰極，在陽極和陰極間施加DC偏壓使等離子產(chǎn)生。向其導(dǎo)入原料氣體，原料氣體被分解，在高折射率層表面形成碳?xì)浠衔飳印IS-CVD法中由于采用離子束，因此可形成致密的碳?xì)浠衔飳樱色@得機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)良的膜，因此優(yōu)選。利用濺射法形成導(dǎo)電膜時(shí)可如下進(jìn)行。以下例舉的制造方法為本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的制造方法的一例，本發(fā)明并不限定于此。(i)導(dǎo)入氧氣和氬氣的混合氣體的同時(shí)，使用含金屬氧化物的靶在基體表面進(jìn)行脈沖濺射，形成高折射率層。(ii)在導(dǎo)入氬氣的同時(shí)，使用銀靶或銀合金靶進(jìn)行脈沖濺射，形成金屬層。(iii)將所述(i)、(ii)的操作合計(jì)重復(fù)η次，最后以與(i)同樣的操作形成高折射率層。(iv)導(dǎo)入氫氣和氬氣的混合氣體的同時(shí)，在最后形成的高折射率層的表面用石墨靶進(jìn)行脈沖濺射，形成碳?xì)浠衔飳?。所?iv)中，氫氣和氬氣的混合氣體中的氫氣含量較好為560體積％，更好為1540體積％。在該范圍內(nèi)時(shí)可使所得的碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍窟_(dá)到所要的量，因此優(yōu)選。作為形成所述高折射率層的靶的材質(zhì)，可例舉選自鋅、鈦、鈮、鉭、銦、錫、鉻、鉿、鋯、鎵及鎂等金屬各自的金屬氧化物以及2種以上的所述金屬的復(fù)合氧化物的1種以上。特別優(yōu)選含有2.3以上的高折射率金屬氧化物和氧化鋅為主成分的靶(以下稱為含氧化鋅靶)。較好是含氧化鋅靶中折射率2.3以上的高折射率金屬氧化物和氧化鋅合計(jì)含有90質(zhì)量％以上，更好是含有95質(zhì)量％以上，特好是含有99質(zhì)量％以上。折射率2.3以上的高折射率金屬氧化物中，由于選自氧化鈦(折射率2.5)及氧化鈮(折射率2.4)的1種以上的金屬氧化物能夠進(jìn)一步加寬反射帶，因此優(yōu)選。作為靶，也可使用由選自硅、鋁、鋅、鉛及鎘的1種以上的金屬形成的靶。這種情況下，在導(dǎo)入氬氣和氧氣的同時(shí)進(jìn)行反應(yīng)性濺射，藉此可形成高折射率層。所述制造方法中，作為(iv)的碳?xì)浠衔飳拥男纬晒ば?，還可例舉以下所示的(iv)-2,(iv)-3的方法。(iv)-2通過磁控管等離子CVD法形成碳?xì)浠衔飳?。具體例如按照如下工序進(jìn)行。通過對陰極施加高頻(13.56MHz或27.12MHz)使得陰極負(fù)偏置，產(chǎn)生等離子。然后，同時(shí)流過原料氣體(選自CH4、C2H2及C2H4的1種以上的氣體)，該氣體被等離子分解，在高折射率層表面形成碳?xì)浠衔飳?。此時(shí)，將磁路等磁石裝于陰極，產(chǎn)生磁力線。(iv)-3通過LIS-CVD法形成碳?xì)浠衔飳?。具體例如按照如下工序進(jìn)行。向陽極施加直流電壓IkV(DC)，同時(shí)向LIS內(nèi)部流過50SCCm的原料氣體(選自CH4、C2H2及C2H4的1種以上的氣體)，該氣體被等離子分解，在高折射率層表面形成碳?xì)浠衔飳印?導(dǎo)電性層疊體)參照附圖對本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限定于此。圖1是表示采用從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2η層而得的導(dǎo)電膜的本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的一例的簡單剖視圖。導(dǎo)電性層疊體10大致由基體11和設(shè)置于該基體11上的導(dǎo)電膜12構(gòu)成。導(dǎo)電膜12是從基體11側(cè)開始依次為高折射率層13a/金屬層14a/高折射率層13b/金屬層14b/高折射率層13c/金屬層14c/高折射率層13d/金屬層14d/碳?xì)浠衔飳?5的構(gòu)成的層疊體。圖1中是η=4時(shí)的構(gòu)成，在η=4以外的情況下，通過改變高折射率層和金屬層的層疊次數(shù)，可制得η值不同的導(dǎo)電層層疊體。圖2是表示采用從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2η+1層而得的導(dǎo)電膜的本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的一例的簡單剖視圖。導(dǎo)電性層疊體20大致由基體21和設(shè)置于該基體21上的導(dǎo)電膜22構(gòu)成。導(dǎo)電膜22是從基體21側(cè)開始依次為高折射率層23a/金屬層24a/高折射率層23b/金屬層24b/高折射率層23c/金屬層24c/高折射率層23d/金屬層24d/高折射率層23e/碳?xì)浠衔飳?5的構(gòu)成的層疊體。這種情況下，離基體最近的高折射率層23a和離基體最遠(yuǎn)的高折射率層23e的厚度較好為2060nm(特好為3050nm)。利用該構(gòu)成，能夠獲得耐濕性和光學(xué)特性俱佳的導(dǎo)電性層疊體。這里，所述光學(xué)特性是指可提高可見光透射率、降低可見光反射率且可在較寬的波長范圍內(nèi)減少可見光的反射。圖3是表示采用從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2n+l層而得的導(dǎo)電膜、且還具備密合層的本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的一例的簡單剖視圖。導(dǎo)電性層疊體30大致由基體31和設(shè)置于該基體31上的導(dǎo)電膜32構(gòu)成。導(dǎo)電膜32是從基體31側(cè)開始依次為高折射率層33a/金屬層34a/高折射率層33b/金屬層34b/高折射率層33c/金屬層34c/高折射率層33d/金屬層34d/高折射率層33e/密合層36/碳?xì)浠衔飳?5的構(gòu)成的層疊體。該構(gòu)成和圖2的構(gòu)成相比還加入了密合層36。通過設(shè)置密合層36，可使導(dǎo)電性層疊體30的機(jī)械耐久性、耐濕性、耐化學(xué)品性更佳。圖4是表示采用從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2n+l層而得的導(dǎo)電膜、且從基體開始第1η層的高折射率層由2層構(gòu)成、從基體開始第η+1層的高折射率層由1層構(gòu)成、還具備密合層的本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的一例的簡單剖視圖。導(dǎo)電性層疊體40大致由基體41和設(shè)置于該基體41上的導(dǎo)電膜42構(gòu)成。導(dǎo)電膜42是從基體41側(cè)開始依次為第一高折射率層47a/第二高折射率層48a/金屬層44a/第一高折射率層47b/第二高折射率層48b/金屬層44b/第一高折射率層47c/第二高折射率層48c/金屬層44c/第一高折射率層47d/第二高折射率層48d/金屬層44d/第一高折射率層47e/密合層46/碳?xì)浠衔飳?5的構(gòu)成的層疊體。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的光透射率較好為60%以上，更好為65%以上。在PDP用濾波器使用本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體時(shí)，為了進(jìn)行PDP濾波器整體的色調(diào)設(shè)計(jì)，還必須用吸收可見光的染料等進(jìn)行色調(diào)修正。進(jìn)行色調(diào)修正時(shí)，必須充分提高色調(diào)修正前的PDP用濾波器的光透射率。這樣就不會因?yàn)樯{(diào)修正用染料的添加而導(dǎo)致PDP用濾波器的光透射率過分下降。為了提高PDP用濾波器的色調(diào)修正的自由度，本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的光透射率越高越好。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的光透射率達(dá)到60%以上時(shí)，可充分確保PDP用濾波器的色調(diào)修正的自由度。因此優(yōu)選。光透射率為65%以上時(shí)，濾波器整體的色調(diào)設(shè)計(jì)的自由度更大，因此更優(yōu)選。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的波長850nm處的透射率較好為5%以下，更好為2%以下。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的電阻值較好為0.43.5Ω/□，更好為0.62.5Ω/□，進(jìn)一步更好為0.71.5Ω/口。電阻值在所述范圍內(nèi)可充分確保電磁波屏蔽性和可見光透射性。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體中的導(dǎo)電膜的表面的接觸電阻較好為0.250.6Ω，更好為0.30.5Ω。該接觸電阻為0.6Ω以下時(shí)，接觸電阻所造成的本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的電磁波屏蔽的下降可在4dB以下，因此優(yōu)選。接觸電阻越低越好，但從技術(shù)極限的角度考慮，下限值較好為0.25Ω。(用途)本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的導(dǎo)電性(電磁波屏蔽性)、可見光透射性及近紅外線屏蔽性良好且層疊于玻璃等支承基體時(shí)透射·反射帶變寬，因此可用作為PDP用電磁波屏蔽體。另外，本發(fā)明的PDP用濾波器具有所述PDP用電磁波屏蔽體，還可包含具有其它功能的層。其它功能可例舉例如防可見光反射層、色調(diào)修正層、近紅外線吸收層和硬質(zhì)涂層等本發(fā)明的PDP用電磁波屏蔽體由于在最表面層疊有碳?xì)浠衔飳?，因此耐濕性和耐指紋附著性良好。因此，具有PDP用電磁波屏蔽體的PDP用濾波器無需在導(dǎo)電膜表面貼附用于保護(hù)導(dǎo)電性層疊體不受到濕氣等的影響的PET膜等塑料膜，所以可減少膜的貼合數(shù)。藉此，能夠減少PDP用濾波器的制造時(shí)的工序，可降低成本。以下，參照附圖對本發(fā)明的PDP用濾波器的一例進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不限定于此。圖7是介以粘附劑層230將導(dǎo)電性層疊體210配置于玻璃基板220的一個表面。導(dǎo)電性層疊體210中的基體211和玻璃基板220相向地配置。介以由含近紅外線吸收染料的粘附劑形成的近紅外線吸收粘附劑層240，將由樹脂膜260和防反射層270構(gòu)成的防反射膜250配置在玻璃基板210的另一表面。防反射膜250中的樹脂膜260和玻璃基板220相向地配置。作為樹脂膜260，可采用與基體211同樣的材質(zhì)和厚度的膜。防反射層270可例舉由高折射率材料的薄膜和低折射率材料的薄膜交替層疊而得的層疊體、由低折射率材料形成的層等。作為由低折射率材料形成的層，可例舉由含氟丙烯酸樹脂等含氟樹脂形成的層、含硅原子的化合物的層等。在PDP的觀察者側(cè)，該P(yáng)DP用濾波器中的導(dǎo)電性層疊體210和PDP相向地配置。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體210在離基體211最遠(yuǎn)的位置，即最表面配置了碳?xì)浠衔飳?，因此即使不再在?dǎo)電膜212的表面貼附樹脂膜等保護(hù)膜，也能夠防止?jié)駳獾仍斐傻膶?dǎo)電性層疊體中的銀的劣化等。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體可在導(dǎo)電膜表面和電極或密封墊片(gasket)等接地用零部件間獲得導(dǎo)通。因此，如圖7所示，通過形成為導(dǎo)電膜212被配置在最表面的PDP用濾波器，能夠簡便地獲得與PDP裝置主體的接地導(dǎo)通。本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體可用作為液晶顯示元件等的透明電極。該透明電極由于表面電阻低因此響應(yīng)性良好，由于反射率下降因此視覺辨認(rèn)度良好。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體可以用作為汽車擋風(fēng)玻璃。通過向?qū)щ娔ね姡撈嚀躏L(fēng)玻璃可以發(fā)揮防霧或融冰的功能，并且，由于電阻低，因此通電中所需的電壓低，另夕卜，反射率降低，因此不會損害駕駛者的視覺辨認(rèn)度。此外，本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體在紅外線范圍內(nèi)的反射率非常高，因此可以用作為設(shè)置于建筑物窗戶等的熱鏡。此外，本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的電磁波屏蔽效果好，因此可以用作防止從電氣電子設(shè)備放射的電磁波漏到室外且防止影響電氣·電子設(shè)備的電磁波從室外侵入到室內(nèi)的電磁波屏蔽窗玻璃。實(shí)施例以下通過實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，但本發(fā)明并不限定于此。例1、例38為實(shí)施例，例2為比較例。(碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍康臏y定)用掃描型俄歇(Auger)電子光譜裝置(珀金埃爾默(Perkin-Elmer)公司制裝置名PHI4300改進(jìn)型)和靜電半球型檢測器(歐米克朗(Omicron)公司制EA125)測定碳?xì)浠衔飳又械臍錆舛取?耐濕熱性試驗(yàn))將導(dǎo)電性層疊體切成IOOmmXIOOmm的尺寸，以形狀的穩(wěn)定性為目的介以粘附劑層將基體側(cè)貼附于IOOmmX100mm、厚1.8mm的鈉鈣玻璃板。將該貼附有導(dǎo)電性層疊體的玻璃板在溫度60°C濕度90%RH的恒溫恒濕槽(雅瑪特(^7卜)科學(xué)株式會社制，裝置名IG420)中保持500小時(shí)，取出后計(jì)數(shù)導(dǎo)電性層疊體10表面的缺陷數(shù)。(光透射率的測定)通過色彩分析儀(東京電色公司制，裝置名TC1800)測定導(dǎo)電性層疊體的光透射率(JISZ8701中規(guī)定的刺激值Y)。(機(jī)械耐久性試驗(yàn))將導(dǎo)電性層疊體切成IOOmmXIOOmm的尺寸，以形狀的穩(wěn)定性為目的介以粘附劑層將基體側(cè)貼附于IOOmmX100mm、厚1.8mm的鈉鈣玻璃板。利用平面摩擦試驗(yàn)機(jī)(涂敷試驗(yàn)機(jī)(二一〒·^〒7夕一)工業(yè)株式會社制，裝置名821)對該玻璃板的導(dǎo)電性層疊體側(cè)表面施加500g荷重的同時(shí)，用白絨布以1分鐘內(nèi)往復(fù)17次的速度在表面上以同一方向摩擦200次。測定貼附于該玻璃板的導(dǎo)電性層疊體上的損傷痕跡的大小。(接觸電阻試驗(yàn))將導(dǎo)電性層疊體切成IOOmmXIOOmm的尺寸，以形狀的穩(wěn)定性為目的介以粘附劑層將基體11側(cè)貼附于IOOmmX100mm、厚1.8mm的鈉鈣玻璃板。將銀糊(太陽油墨制造株式會社制，商品名AF4810)以圖5的形狀通過絲網(wǎng)印刷涂敷在貼附于該玻璃板的導(dǎo)電性層疊體表面，用熱風(fēng)循環(huán)爐于85°C干燥35分鐘，形成電極alOl、電極bl02、電極cl03、電極dl04。然后，測定圖5的電極alOl和電極b間的電阻R(a_b)。另外，測定電極b和電極c間的電阻R(b-c)。圖5中，將電極(銀糊)和層疊體間的接觸電阻設(shè)為R1、將電極a-b間的導(dǎo)電性層疊體的電阻設(shè)為R2、將電極b-c間的導(dǎo)電性層疊體的電阻設(shè)為R3時(shí)，由電極間的距離確立R3=5R2的關(guān)系。由以上結(jié)果可計(jì)算Rl={5R(a-b)-R(b-c)}/8。利用該關(guān)系式可算出導(dǎo)電性層疊體和銀糊的接觸電阻。[例1]圖3所示的導(dǎo)電性層疊體30如下制作。首先，以洗滌作為基體31的厚100μm的PET膜的表面為目的的利用離子束的干式洗滌如下進(jìn)行。首先在氬氣中混入約30%的氧氣，投入IOOW的功率。向基體表面照射通過離子束源被離子化的氬離子及氧離子。然后，對經(jīng)過干式洗滌處理的基體表面，用氧化鋅和氧化鈦混合靶[氧化鋅氧化鈦=8020(質(zhì)量比)]，在氬氣中混入10體積％的氧氣并導(dǎo)入，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度2μ秒的脈沖濺射，形成厚度35nm、折射率2.1的高折射率層33a。利用盧瑟福后方散射法進(jìn)行測定，結(jié)果是該高折射率層33a中，鋅和鈦的合計(jì)(100原子％)中鋅為80原子％，鈦為20原子％。另外，高折射率層33a中，全部原子合計(jì)(100原子％)中，鋅為34.3原子％、鈦為8.0原子％、氧為57.7原子％。如果換算成ZnO和TiO2,則氧化物合計(jì)為96.7質(zhì)量％。然后，用摻雜有1.0質(zhì)量％金的銀合金靶，導(dǎo)入氬氣，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度10μ秒的脈沖濺射，形成厚度9nm的金屬層34a。然后，用氧化鋅和氧化鈦混合靶[氧化鋅氧化鈦=8020(質(zhì)量比)]，在氬氣中混入10體積％的氧氣并導(dǎo)入，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度2μ秒的脈沖濺射，形成厚度70nm的氧化鋅氧化鈦混合膜(折射率2.1)。由此獲得的氧化鋅氧化鈦混合膜構(gòu)成高折射率層33b。然后，用摻雜有1.0質(zhì)量％金的銀合金靶，導(dǎo)入氬氣，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度10μ秒的脈沖濺射，形成厚度Ilnm的金屬層34b。然后，用氧化鋅和氧化鈦混合靶[氧化鋅氧化鈦=8020(質(zhì)量比)]，在氬氣中混入10體積％的氧氣并導(dǎo)入，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度2μ秒的脈沖濺射，形成厚度70nm的氧化鋅氧化鈦混合膜(折射率2.1)。由此獲得的氧化鋅氧化鈦混合膜構(gòu)成高折射率層33c。然后，用摻雜有1.0質(zhì)量％金的銀合金靶，導(dǎo)入氬氣，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度10μ秒的脈沖濺射，形成厚度14nm的金屬層34c。然后，用氧化鋅和氧化鈦混合靶[氧化鋅氧化鈦=8020(質(zhì)量比)]，在氬氣中混入10體積％的氧氣并導(dǎo)入，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度2μ秒的脈沖濺射，形成厚度70nm的氧化鋅氧化鈦混合膜(折射率2.1)。由此獲得的氧化鋅氧化鈦混合膜構(gòu)成高折射率層33d。然后，用摻雜有1.0質(zhì)量％金的銀合金靶，導(dǎo)入氬氣，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度2.3W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度10μ秒的脈沖濺射，形成厚度14nm的金屬層34d。然后，用氧化鋅和氧化鈦混合靶[氧化鋅氧化鈦=8020(質(zhì)量比)]，在氬氣中混入10體積％的氧氣并導(dǎo)入，在0.73Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度4.5W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度2μ秒的脈沖濺射，形成厚度30nm的氧化鋅氧化鈦混合膜(折射率2.1)。由此獲得的氧化鋅氧化鈦混合膜構(gòu)成高折射率層33e。然后，用氧化鎵、氧化銦及氧化錫混合靶(旭硝子陶瓷株式會社制，GIT靶)，導(dǎo)入氬氣中混有8體積％的氧氣的氣體，在0.53Pa的壓力下進(jìn)行頻率50kHz、功率密度1.5W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度1μ秒的脈沖濺射，形成厚度5nm的密合層36。然后，用石墨靶[東洋碳株式會社制商品名IG_510U]，導(dǎo)入氬氣和氫氣的混合氣體，在0.20Pa的壓力下進(jìn)行頻率IOOkHz、功率密度2.5W/cm2、反轉(zhuǎn)脈沖寬度4.5μ秒的脈沖濺射，形成厚度5nm的碳?xì)浠衔飳?5。氣體中的氫氣含量為30體積％。藉此，獲得在基體31上交替層疊了含有氧化鈦和氧化鋅作為主成分的高折射率層33a33e和由金-銀合金形成的金屬層34a34d、在高折射率層33e表面還依次層疊了密合層36和碳?xì)浠衔飳?5的導(dǎo)電性層疊體30。對于所得導(dǎo)電性層疊體，進(jìn)行碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繙y定、耐濕熱性試驗(yàn)、光透射率的測定、機(jī)械耐久性的測定、接觸電阻的測定。結(jié)果示于表1。[例2]除了未設(shè)置碳?xì)浠衔飳?5，且離基體最遠(yuǎn)的高折射率層33e的厚度改為35nm以夕卜，與例1同樣操作，制得導(dǎo)電性層疊體。對于所得導(dǎo)電性層疊體，進(jìn)行碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繙y定、耐濕熱性試驗(yàn)、光透射率的測定、機(jī)械耐久性的測定、接觸電阻的測定。結(jié)果示于表1。[例3]除了碳?xì)浠衔飳?5成膜時(shí)導(dǎo)入的氣體改為氫氣含量為10體積％的氬氣和氫氣的混合氣體以外，與例1同樣操作，形成導(dǎo)電性層疊體30。對于所得導(dǎo)電性層疊體，進(jìn)行碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繙y定、耐濕熱性試驗(yàn)、光透射率的測定、機(jī)械耐久性的測定、接觸電阻的測定。結(jié)果示于表1。[例4]除了未設(shè)置密合層36以外，與例1同樣操作，形成導(dǎo)電性層疊體。對于所得導(dǎo)電性層疊體，進(jìn)行碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繙y定、耐濕熱性試驗(yàn)、光透射率的測定、機(jī)械耐久性的測定、接觸電阻的測定。結(jié)果示于表1。[例5]除了碳?xì)浠衔飳?5的成膜方法由脈沖濺射改為AC濺射以外，與例1同樣操作，形成導(dǎo)電性層疊體30。AC濺射是導(dǎo)入氬氣和氫氣的混合氣體，在0.2Pa的壓力下以25.OkHz的頻率在每1個陰極的功率密度為3.94ff/cm2的條件下進(jìn)行濺射，形成了厚5nm的碳?xì)浠衔飳?5。所述混合氣體中的氫氣含量為20體積％。對于所得導(dǎo)電性層疊體，進(jìn)行碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繙y定、耐濕熱性試驗(yàn)、光透射率的測定、機(jī)械耐久性的測定、接觸電阻的測定。結(jié)果示于表1。[例6]除了碳?xì)浠衔飳?5的成膜方法由脈沖濺射改為AC濺射以外，與例1同樣操作，形成導(dǎo)電性層疊體30。氫氣AC濺射是導(dǎo)入氬氣和氫氣的混合氣體，在0.2Pa的壓力下以25.OkHz的頻率在每1個陰極的功率密度為3.94ff/cm2的條件下進(jìn)行濺射，形成了厚5nm的碳?xì)浠衔飳?5。所述混合氣體中的氫氣含量為30體積％。對于所得導(dǎo)電性層疊體，進(jìn)行碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繙y定、耐濕熱性試驗(yàn)、光透射率的測定、機(jī)械耐久性的測定、接觸電阻的測定。結(jié)果示于表1。[例7]除了碳?xì)浠衔飳?5的成膜方法由脈沖濺射改為磁控管等離子CVD法以外，與例1同樣操作，形成導(dǎo)電性層疊體30。磁控管等離子CVD法中作為陰極使用石墨靶[東洋碳株式會社制商品名IG-15]，將磁路裝于陰極，產(chǎn)生400G的磁力線。使用C2H4氣體作為原料氣體，以壓力2Pa、功率450W、頻率13.56MHz的條件來實(shí)施。對于所得導(dǎo)電性層疊體，進(jìn)行碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繙y定、耐濕熱性試驗(yàn)、光透射率的測定、機(jī)械耐久性的測定、接觸電阻的測定。結(jié)果示于表2。[例8]除了碳?xì)浠衔飳?5的成膜方法用LIS-CVD法(原料氣體C2H4，壓力0·08Pa,功率120W)替代脈沖濺射且厚度改為3nm以外，與例1同樣操作，形成導(dǎo)電性層疊體30。對于所得導(dǎo)電性層疊體，進(jìn)行碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繙y定、耐濕熱性試驗(yàn)、光透射率的測定、機(jī)械耐久性的測定、接觸電阻的測定。結(jié)果示于表2。例1、例5、例6、例7、例8的導(dǎo)電性層疊體的光透射率、耐濕熱性、機(jī)械耐久性和接觸電阻都很好。例3的導(dǎo)電性層疊體由于碳?xì)浠衔飳又械臍淞繛?0.1原子％，因此光透射率略差，但耐濕熱性、機(jī)械耐久性和接觸電阻良好。例3中，碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍繛?0.1原子％，較少，因此光透射率為62.5%的較低值，但由于其光透射率在60%以上，因此用于等離子顯示器用濾波器時(shí)可確保色調(diào)修正的自由度。例1及48的導(dǎo)電性層疊體的光透射率超過65%，因此可進(jìn)一步充分確保色調(diào)修正的自由度。氫原子含量如果不足9%，則導(dǎo)電性層疊體的光透射率可能會低于60%，因此將該導(dǎo)電性層疊體用于等離子顯示器用濾波器時(shí)，色調(diào)設(shè)計(jì)的自由度幾乎消失。例4的導(dǎo)電性層疊體不具有密合層，因此易發(fā)生高折射率層和碳?xì)浠衔飳拥慕缑娴膭冸x，機(jī)械耐久性略差，但光透射率、耐濕熱性和接觸電阻良好。例2的導(dǎo)電性層疊體不具有碳?xì)浠衔飳樱虼四蜐駸嵝院蜋C(jī)械耐久性差。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表中用語分別表示如下含義。[H2密度]通過濺射法形成碳?xì)浠衔飳訒r(shí)的氣體中的氫氣含量。[膜中氫量]碳?xì)浠衔飳又械臍湓雍?。[密合層]耐濕熱性試驗(yàn)中的缺陷個數(shù)。[Tv]光透射率。[損傷痕跡大小]機(jī)械耐久性試驗(yàn)中測得的損傷痕跡的大小。[接觸電阻]接觸電阻試驗(yàn)中測得的接觸電阻。[C2H4濃度]通過CVD法形成碳?xì)浠衔飳訒r(shí)的原料氣體中的乙烯氣體含量。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體的導(dǎo)電性(電磁波屏蔽性)、可見光透射性和近紅外線屏蔽性良好，且層疊于支承基體時(shí)，由于透射·反射帶變寬，因此可用作為PDP用電磁波屏蔽膜、PDP用濾波器。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電性層疊體可用作為液晶顯示元件等的透明電極、汽車擋風(fēng)玻璃、熱鏡、電磁波屏蔽窗玻璃等。這里引用2007年9月19日提出申請的日本專利申請2007-242795號的說明書、權(quán)利要求書、附圖及摘要的全部內(nèi)容作為本發(fā)明的說明書的揭示。權(quán)利要求導(dǎo)電性層疊體，它是包括基體和形成于基體上的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，所述導(dǎo)電膜是從所述基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2n層或2n+1層、且在最遠(yuǎn)離基體的位置還具備碳?xì)浠衔飳拥亩鄬訕?gòu)造體，其中，n為1～12的整數(shù)，所述高折射率層的折射率為1.5～2.7，所述碳?xì)浠衔飳雍刑荚雍蜌湓忧宜鎏細(xì)浠衔飳又械臍湓雍繛?～50原子％。2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，密合層與碳?xì)浠衔飳拥幕w側(cè)表面直接接觸地配置。3.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，導(dǎo)電膜是從基體側(cè)開始按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2η+1層、且在最遠(yuǎn)離基體的位置還具備碳?xì)浠衔飳拥亩鄬訕?gòu)造體，其中，η為112的整數(shù)，高折射率層是以氧化鋅為主成分的層，密合層是含Sn氧化物的膜。4.如權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，金屬層是含銀層。5.如權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，碳?xì)浠衔飳拥暮穸葹?60nmo6.如權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性層疊體，其特征在于，光透射率為60%以上。7.等離子顯示器用電磁波屏蔽體，其特征在于，具備權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性層疊體。8.等離子顯示器用濾波器，其特征在于，具備權(quán)利要求7所述的等離子顯示器用電磁波屏蔽體。9.導(dǎo)電性層疊體的制造方法，該方法是包括在基體的一個表面按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2η層或2n+l層的工序以及在最遠(yuǎn)離基體的位置還形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば虻膶?dǎo)電性層疊體的制造方法，其中，η為112的整數(shù)，其特征在于，所述形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば蚴怯檬羞M(jìn)行濺射的工序。10.如權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電性層疊體的制造方法，其特征在于，所述用石墨靶進(jìn)行濺射的工序在供給含氫氣的氣體的同時(shí)進(jìn)行濺射，所述氣體中的氫氣含量為560體積％。11.導(dǎo)電性層疊體的制造方法，該方法是包括在基體的一個表面按照高折射率層和金屬層的順序交替層疊合計(jì)2η層或2η+1層的工序以及在最遠(yuǎn)離基體的位置還形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば虻膶?dǎo)電性層疊體的制造方法，其中，η為112的整數(shù)，其特征在于，所述形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば蚴峭ㄟ^使用選自CH4、C2H2及C2H4的1種以上的原料氣體的化學(xué)氣相沉積法而形成碳?xì)浠衔飳拥墓ば颉Ｈ恼景l(fā)明提供透射·反射帶寬、導(dǎo)電性(電磁波屏蔽性)、可見光透射性、防可見光反射性、近紅外線屏蔽性及耐濕性良好的導(dǎo)電性層疊體，使用了該導(dǎo)電性層疊體的等離子顯示器用電磁波屏蔽體等。該導(dǎo)電性層疊體是包括基體(21)和形成于基體(21)上的導(dǎo)電膜(22)的導(dǎo)電性層疊體(20)，其特征在于，導(dǎo)電膜(22)是從基體(21)側(cè)開始依次交替層疊合計(jì)2n+1層[n為1～12的整數(shù)]的高折射率層(23a～23e)和金屬層(24a～24d)、且在離基體(21)最遠(yuǎn)的位置還具備碳?xì)浠衔飳?25)的多層構(gòu)造體，高折射率層(23a～23e)的折射率為1.5～2.7，碳?xì)浠衔飳?25)含有碳原子和氫原子且氫原子含量為9～50原子％。文檔編號B32B7/02GK101803489SQ20088010公開日2010年8月11日申請日期2008年9月18日優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日發(fā)明者宮澤英明,富田倫央,日野有一,森本保,森野正行,竹本和矢申請人:旭硝子株式會社