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電波透過性裝飾構(gòu)件的制作方法

文檔序號:2465932閱讀:214來源:國知局

專利名稱::電波透過性裝飾構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及具有金屬光澤的電波透過性裝飾構(gòu)件。
背景技術(shù)
:從設(shè)計(jì)性的觀點(diǎn)出發(fā),多將金屬風(fēng)格的裝飾構(gòu)件、尤其是具有像鏡面般的金屬光澤的裝飾構(gòu)件用于便攜式電話的殼體和按鈕、鐘表的殼體、以及汽車的前護(hù)柵和保險(xiǎn)杠等。并且,由于下述的理由等,需要使用透過電波(微波等)且不會影響電波的裝飾構(gòu)件作為該裝飾構(gòu)件。(i)在便攜式電話的殼體內(nèi)部配置有用于收發(fā)電波的天線。(ii)在帶有接收標(biāo)準(zhǔn)電波繼而自動修正誤差功能的電波鐘表的殼體內(nèi)部配置有用于接收電波的天線。(iii)在配備有用于檢測障礙物、測量車間距離等的雷達(dá)裝置的汽車上,該雷達(dá)裝置的天線被配置在前護(hù)柵或保險(xiǎn)桿附近。(iv)由通信設(shè)備等處理的電波的頻率在IOOGHz左右的高頻帶移動,電波容易受到裝飾構(gòu)件的影響,從而容易在該設(shè)備內(nèi)引起功能失常。作為具有電波透過性的金屬風(fēng)格的裝飾構(gòu)件,已提出有下述的材料。(1)在基體上具有銦、銦合金、錫或錫合金蒸鍍膜的壓型品(shapedproduct)(專利文獻(xiàn)1)。(2)在基材上具有銦/氧化銦復(fù)合蒸鍍膜的轉(zhuǎn)印材料(專利文獻(xiàn)2)。(3)在基材上具有分散有細(xì)片狀發(fā)光材料的涂膜的裝飾產(chǎn)品(專利文獻(xiàn)3)。(4)在基材上具有設(shè)有開口部的反射膜(金屬)的裝飾品(專利文獻(xiàn)4)。眾所周知,在銦、錫、鉛、鋅、鉍、銻等的金屬蒸鍍膜上,該金屬作為微小并獨(dú)立的島存在,所以電波能夠穿過島與島間的不存在有金屬的間隙。因此,(1)、(2)的裝飾構(gòu)件具有電波透過性且具有金屬光澤。然而,在(1)、⑵的裝飾構(gòu)件中,若為了得到充分的金屬光澤而增厚金屬蒸鍍膜,則各島相互間部分地連接,形成變?yōu)榱紝?dǎo)體的網(wǎng),結(jié)果,隨著電波的頻率(的改變)發(fā)生反射或吸收。并且,錫容易發(fā)生氧化、氯化等,隨著時(shí)間的推移,將失去金屬光澤。另一方面,銦價(jià)格昂貴。(3)的裝飾構(gòu)件由于是使發(fā)光材料分散在涂膜中,所以并不是具有像鏡面般的金屬光澤的產(chǎn)品。至于(4)的裝飾構(gòu)件,只能通過對應(yīng)于光反射層的開口部大小的特定頻率的電波。日本專利文獻(xiàn)1特開2005-249773號公報(bào)日本專利文獻(xiàn)2特許第3414717號公報(bào)日本專利文獻(xiàn)3特開2006-282886號公報(bào)日本專利文獻(xiàn)4特開2006-276008號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種具有電波透過性及像鏡面般的金屬光澤、且該金屬光澤不容易喪失的低成本電波透過性裝飾構(gòu)件。本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件,其特征在于,包括基體;以及光反射層,設(shè)置在該基體上,包含硅或鍺與金屬的合金。優(yōu)選為,上述光反射層是通過物理蒸鍍硅或鍺與金屬的合金而形成的蒸鍍膜。優(yōu)選為,在上述光反射層上沒有形成不存在上述合金的間隙。優(yōu)選為,上述金屬是反射率為50%以上的金屬。優(yōu)選為,在上述合金(體積比100%)中,上述金屬的比例為體積比0.1%60%。優(yōu)選為,上述基體為有機(jī)高分子壓型體。優(yōu)選為,光反射層的厚度為IOnm500nm。本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件,可以在上述基體與上述光反射層之間具有含白色顏料的掩模層。本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件,可以在上述基體與上述光反射層之間具有粘結(jié)促進(jìn)層ο本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件,其特征在于,包括基體;以及設(shè)置在該基體上的包含半導(dǎo)體物質(zhì)的光反射層。優(yōu)選為,上述光反射層是通過物理蒸鍍半導(dǎo)體物質(zhì)而形成的蒸鍍膜。優(yōu)選為,在上述光反射層上沒有形成不存在上述半導(dǎo)體物質(zhì)的間隙。優(yōu)選為,上述半導(dǎo)體物質(zhì)是硅或鍺。優(yōu)選為,上述基體為有機(jī)高分子的壓型體。優(yōu)選為,光反射層的厚度為IOnm500nm。本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件可以在上述基體與上述光反射層之間具有含白色顏料的掩模層。本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件可以在上述基體與上述光反射層之間具有粘結(jié)促進(jìn)層ο本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件具有電波透過性及像鏡面般的金屬光澤,該金屬光澤不容易喪失,并且成本低。圖1是示出本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件的一個(gè)例子的剖面圖2是包含硅或鍺與金屬的合金的光反射層的表面的原子間力顯微鏡圖像;圖3是包含硅或鍺與金屬的合金的光反射層的表面的高分辨率透射型電子顯微鏡圖像;圖4是包含硅或鍺與金屬的合金的光反射層的剖面的高分辨率透射型電子顯微鏡圖像;圖5是示出本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件的其他例子的剖面圖;圖6是實(shí)施例1的電波透過性裝飾構(gòu)件的透過衰減量(S21)和反射衰減量(Sll)的圖表;圖7是實(shí)施例1和實(shí)施例10的電波透過性裝飾構(gòu)件的反射率的圖表;圖8是實(shí)施例1和實(shí)施例10的電波透過性裝飾構(gòu)件的透過率的圖表;圖9是實(shí)施例11的電波透過性裝飾構(gòu)件的垂直入射透過衰減量的圖表;圖10是實(shí)施例12的電波透過性裝飾構(gòu)件的斜入射透過衰減量的圖表;圖11是包含半導(dǎo)體物質(zhì)的光反射層的表面的原子間力顯微鏡圖像;圖12是包含半導(dǎo)體物質(zhì)的光反射層的表面的高分辨率透射型電子顯微鏡圖像;圖13是包含半導(dǎo)體物質(zhì)的光反射層的剖面的高分辨率透射型電子顯微鏡圖像;圖14是實(shí)施例13的電波透過性裝飾構(gòu)件的透過衰減量(S21)和反射衰減量(Sll)的圖表;圖15是實(shí)施例13和實(shí)施例17的電波透過性裝飾構(gòu)件的反射率的圖表;圖16是實(shí)施例13和實(shí)施例17的電波透過性裝飾構(gòu)件的透過率的圖表;圖17是實(shí)施例18的電波透過性裝飾構(gòu)件的透過衰減量(S21)和反射衰減量(Sll)的圖表;圖18是實(shí)施例19的電波透過性裝飾構(gòu)件的斜入射透過衰減量的圖表;圖19是實(shí)施例20的電波透過性裝飾構(gòu)件的斜入射透過衰減量的圖表。附圖標(biāo)記10電波透過性裝飾構(gòu)件12基體14光反射層16掩模層具體實(shí)施例方式本發(fā)明中提及的光指的是可見光,電波指的是頻率為IOMHz1000GHz的電磁波(亞毫米波微波)。<電波透過性裝飾構(gòu)件>圖1是示出本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件的一個(gè)例子的剖面圖。電波透過性裝飾構(gòu)件10包括基體12和設(shè)置于基體12上的光反射層14。(基體)作為基體,采用的是電波透過性的基體。作為電波透過性的基體,可列舉出包含絕緣性有機(jī)材料或無機(jī)材料的絕緣性基體。絕緣性意味著表面電阻率在IO6Ω以上,優(yōu)選表面電阻率在108Ω以上?;w的表面電阻率根據(jù)JISΚ7194中記載的四探針法測得。對于基體的形狀,可列舉出薄膜、片、立體壓型體(成型體)等。從壓型加工性的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選有機(jī)材料作為基體的材料。作為有機(jī)材料,可列舉出聚烯烴(聚乙烯、聚丙烯、乙烯_丙烯共聚物、乙烯_醋酸乙烯共聚物等)、環(huán)狀聚烯烴、改性聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺(尼龍6、尼龍46、尼龍66、尼龍610、尼龍612、尼龍11、尼龍12、尼龍6_12、尼龍6_66等)、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳酸酯、聚-(4-甲基戊烯-1)、離聚物、丙烯酸類樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈_丁二烯_苯乙烯共聚物(ABS樹脂)、丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物、聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸環(huán)己烷酯(polycyclohexaneter印hthalate)等)、聚醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酰亞胺、聚縮醛、聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、多芳基化合物(Polyarylate)、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、其它含氟樹脂、熱塑性彈性體(苯乙烯類、聚烯烴類、聚氯乙烯類、聚氨酯類、聚酯類、聚酰胺類、聚丁二烯類、反式_聚異戊二烯類、氟橡膠類、氯化聚乙烯類等)、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯、硅酮類樹脂、尿烷類樹脂、聚對二甲苯樹脂、天然橡膠、聚丁二烯橡膠、聚異戊二烯橡膠、丙烯腈-丁二烯共聚物橡膠、苯乙烯-丁二烯共聚物橡膠、苯乙烯_異戊二烯共聚物橡膠、苯乙烯_丁二烯_異戊二烯共聚物橡膠、二烯類橡膠的加氫產(chǎn)品、飽和聚烯烴橡膠(乙烯_丙烯共聚物等的乙烯_α-烯烴共聚物等)、乙烯-丙烯_二烯烴共聚物、α-烯烴-二烯烴共聚物、聚氨酯橡膠、硅酮橡膠、聚醚類橡膠、及丙烯酸(類)橡膠等。既可以單獨(dú)使用一種有機(jī)材料,也可以組合兩種以上的有機(jī)材料用作共聚物、混合物、聚合物合金、層疊體等。有機(jī)材料根據(jù)需要可含有添加劑。作為添加劑,可列舉出加強(qiáng)材料、防氧化劑、紫外線吸收劑、潤滑劑、防云劑、防霧劑、可塑劑、顏料、近紅外吸收劑、抗靜電劑、著色劑等。作為無機(jī)材料,可列舉出玻璃(硅酸鹽玻璃、石英玻璃等)、金屬氧化物(Α1203、BeO、MgO,ZrO2,Cr2O3等)、金屬氮化物_、Si3N4,TiN等)、金屬碳化物(TiC等)、金屬氮化物(MoB2,Ti2B等)、金屬硅化物(MoSi2、W3Si2等)等的陶瓷。既可以單獨(dú)使用一種無機(jī)材料,也可以組合兩種以上的無機(jī)材料進(jìn)行使用?;w的平均表面粗糙度優(yōu)選在0.5μm以下,更優(yōu)選在0.1μm以下。如果基體的平均表面粗糙度在0.5μπι以下,則即使將光反射層變薄,由于光反射層跟隨基體表面,所以也能充分得到像鏡面樣的金屬光澤?;w的平均表面粗糙度是JISΒ0601-2001的算術(shù)平均粗糙度Ra。(光反射層I)光反射層是包含硅或鍺與金屬的合金的層。也可以同時(shí)使用硅和鍺。硅或鍺與金屬的合金同單獨(dú)的硅或鍺相比,使得光反射層的反射率和亮度提高,得到了明亮的光反射層。并且,與硅相比,該合金更軟,所以光反射層的內(nèi)部應(yīng)力降低,與基體間的粘著性上升,可抑制斷裂的發(fā)生。硅和鍺不同于后述的金屬,它們是半導(dǎo)體物質(zhì)。只要能夠維持光反射層的高表面電阻率即可,硅和鍺也可以含有不構(gòu)成摻雜物的雜質(zhì)。優(yōu)選硅和鍺盡量不含有摻雜物(硼、磷、砷、銻等)。摻雜物的量優(yōu)選在Ippm以下,更優(yōu)選在IOppb以下。作為金屬,優(yōu)選是反射率在50%以上的金屬,更優(yōu)選是80%以上的金屬??闪信e出金、銀、銅、鋁、白金、鐵、鎳、鉻等作為該金屬,如果考慮到反射率和成本,鋁是優(yōu)選的。反射率說的是基于JISZ8722的條件d(n-D)的包含正反射率在內(nèi)的漫反射率,其是短波長側(cè)為360nm400nm、長波長側(cè)為760nm830nm的可見光區(qū)域的平均值,采用積分球,包含光澤成分的正反射光在內(nèi)地測得該反射率。合金(按體積計(jì)為100%)中,金屬的比例優(yōu)選按體積計(jì)為0.1%80%,更優(yōu)選按體積計(jì)為0.60%。金屬的比例如果在按體積計(jì)為0.以上,則光反射層的亮度提高,且光反射層的內(nèi)部應(yīng)力下降。金屬的比例如果在按體積計(jì)為60%以下,則進(jìn)一步改善電波透過性。只要能夠維持光反射層的高表面電阻率和高金屬光澤,合金也可以含有除硅、鍺及金屬以外的雜質(zhì)。光反射層的厚度優(yōu)選為IOnm500nm,更優(yōu)選為50nm200nm。光反射層的厚度如果在IOnm以上,則光不容易透過,可得到充分的金屬光澤。光反射層的厚度如果在500nm以下,則可抑制雜質(zhì)所引起的導(dǎo)電性上升,從而可維持足夠的電波透過性。此外,還可抑制內(nèi)部應(yīng)力上升及裝飾構(gòu)件翹曲、變形、斷裂、脫落等。光反射層的厚度根據(jù)光反射層剖面的高分辨率顯微鏡圖像測得。光反射層的表面電阻率優(yōu)選在IO2Ω以上,更優(yōu)選在104Ω以上,更進(jìn)一步優(yōu)選在IO6Ω以上。如果光反射層的表面電阻率在104Ω以上,則可維持足夠的電波透過性。光反射層的表面電阻率根據(jù)JISΚ7194中記載的四探針法測得。光反射層的平均表面粗糙度優(yōu)選在0.05μm以下。光反射層的平均表面粗糙度如果在0.05μm以下,則能抑制漫反射,獲得充分的金屬光澤。光反射層的平均表面粗糙度的下限設(shè)定在可通過研磨加工實(shí)現(xiàn)的0.lnm。光反射層的平均表面粗糙度是JISB0601-2001的算術(shù)平均粗糙度Ra。具體而言,如圖2所示,通過原子間力顯微鏡測得表面形狀,沿平均線方向提取基準(zhǔn)長度,將從提取部分的平均線至粗糙度曲線的偏差的絕對值相加,求出平均值(算術(shù)平均粗糙度Ra)。光反射層例如通過物理蒸鍍硅或鍺與金屬的合金而形成。物理蒸鍍法是在真空容器中通過某種方法將蒸發(fā)材料(合金)氣化、并且將氣化后的蒸發(fā)材料堆積到放置于附近的基體上而形成薄膜的方法,根據(jù)蒸發(fā)材料的氣化方法的不同,劃分為蒸發(fā)類和濺射類。作為蒸發(fā)類,可列舉EB蒸鍍、離子鍍膜等,作為濺射類,可列舉RF(高頻)濺射、磁控濺射、對靶型磁控濺射等。作為EB蒸鍍法,存在膜容易形成多孔而膜強(qiáng)度不足的傾向,但特征是基體的損傷少。根據(jù)離子鍍膜,可得到附著力強(qiáng)的膜,因此是優(yōu)選的。磁控濺射的膜生長速度快,對靶型磁控濺射可在不對基體等離子損傷的情況下生成薄膜,RF濺射可采用電阻高的靶(蒸發(fā)材料),因此是優(yōu)選的。圖3是通過采用鍺_鋁合金的RF濺射形成的光反射層的表面的高分辨率透射型電子顯微鏡圖像,圖4是該光反射層的剖面的高分辨率透射型電子顯微鏡圖像。與以往的采用銦、錫等時(shí)出現(xiàn)的獨(dú)立的島(微小簇)的集合體不同,未形成不存在合金的間隙,成為具有均勻的非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的連續(xù)的層。(光反射層II)光反射層為包含半導(dǎo)體物質(zhì)的層。作為半導(dǎo)體物質(zhì),可列舉元素半導(dǎo)體物質(zhì)或者化合物半導(dǎo)體物質(zhì)。作為元素半導(dǎo)體物質(zhì),可列舉硅、鍺,也可以同時(shí)使用硅和鍺。從在常溫下呈現(xiàn)出穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性、可見光區(qū)域的吸收少的觀點(diǎn)出發(fā),鍺是優(yōu)選的。作為化合物半導(dǎo)體物質(zhì),可列舉SiGe、GaAs、GaSb、InP、InAs、InSb、PbS、PbSe、PbTe等帶隙在紅外線區(qū)域的半導(dǎo)體物質(zhì),可見光區(qū)域的吸收少的半導(dǎo)體物質(zhì)是優(yōu)選的。對于半導(dǎo)體物質(zhì),只要能夠維持光反射層的高表面電阻率,也可以含有不構(gòu)成摻雜物的雜質(zhì)。對于半導(dǎo)體物質(zhì),優(yōu)選盡量不包含摻雜物(硼、磷、砷、銻等)。摻雜物的量優(yōu)選在Ippm以下,更優(yōu)選在IOppb以下。光反射層的厚度優(yōu)選為IOnm500nm,更優(yōu)選為50nm200nm。光反射層的厚度如果在IOnm以上,則光不容易透過,可得到充分的金屬光澤。光反射層的厚度如果在500nm以下,則可抑制雜質(zhì)所引起的導(dǎo)電性上升,從而可維持足夠的電波透過性。此外,還可抑制內(nèi)部應(yīng)力上升及裝飾構(gòu)件翹曲、變形、斷裂、脫落等。光反射層的厚度能夠根據(jù)光反射層剖面的高分辨率顯微鏡圖像測得。光反射層的表面電阻率優(yōu)選在106Ω以上。如果光反射層的表面電阻率在106Ω以上,則可維持足夠的電波透過性。光反射層的表面電阻率根據(jù)JISΚ7194中記載的四探針法測得。光反射層的平均表面粗糙度優(yōu)選在0.05μm以下。光反射層的平均表面粗糙度如果在0.05μm以下,則能抑制漫反射,獲得充分的金屬光澤。光反射層的平均表面粗糙度的下限設(shè)定為可通過研磨加工實(shí)現(xiàn)的0.lnm。光反射層的平均表面粗糙度是JISB0601-2001的算術(shù)平均粗糙度Ra。具體而言,如圖11所示,通過原子間力顯微鏡測得表面形狀,沿平均線方向提取基準(zhǔn)長度,將從提取部分的平均線至粗糙度曲線的偏差的絕對值相加,求出平均值(算術(shù)平均粗糙度Ra)。光反射層例如通過物理蒸鍍半導(dǎo)體物質(zhì)而形成。物理蒸鍍法是在真空容器中通過某種方法將蒸發(fā)材料(半導(dǎo)體物質(zhì))氣化、將氣化后的蒸發(fā)材料堆積到放置于附近的基體上而形成薄膜的方法,根據(jù)蒸發(fā)材料的氣化方法的不同,劃分為蒸發(fā)類和濺射類。作為蒸發(fā)類,可列舉EB蒸鍍、離子鍍膜等,作為濺射類,可列舉RF(高頻)濺射、磁控濺射、對靶型磁控濺射等。作為EB蒸鍍法,存在膜容易形成多孔而膜強(qiáng)度不足的傾向,但特征是對基體的損傷少。根據(jù)離子鍍膜,可得到附著力強(qiáng)的膜,因此是優(yōu)選的。磁控濺射的膜生長速度快,對靶型磁控濺射可在不對基體等離子損傷的情況下生成薄膜,RF濺射可采用電阻高的對靶(蒸發(fā)材料),因此是優(yōu)選的。圖12是采用硅通過RF濺射形成的光反射層的表面的高分辨率透射型電子顯微鏡圖像,圖13是該光反射層的剖面的高分辨率透射型電子顯微鏡圖像。與以往的采用銦、錫等時(shí)出現(xiàn)的獨(dú)立的島(微小簇)的集合體不同,沒有形成不存在半導(dǎo)體物質(zhì)的間隙,成為具有均勻的非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的連續(xù)的層。(掩模層)如圖5所示,電波透過性裝飾構(gòu)件10也可以在基體12與光反射層14之間具有含白色顏料的掩模層16。當(dāng)光反射層薄時(shí),光的一部分不被反射而透過,因此通過在基體與光反射層之間設(shè)置電波透過性的掩模層,可以調(diào)整裝飾構(gòu)件的反射率。通過提高掩模層的反射率,使得裝飾構(gòu)件的反射率提高,得到亮度高的金屬光澤。作為白色顏料,可列舉氧化鈦、氧化鎂等。作為掩模層的形成方法,可列舉涂布含白色顏料的涂料的方法及基于采用白色顏料進(jìn)行物理蒸鍍的方法等。(粘結(jié)促進(jìn)層)為了提高基體與光反射層(或掩模層)之間的粘合性,本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件也可以在基體與光反射層(或掩模層)之間具有粘結(jié)促進(jìn)層(省略圖示)。并且,根據(jù)需要,也可以在形成粘結(jié)促進(jìn)層之前,在基體的表面實(shí)施氧化處理(氧等離子處理等)。作為粘結(jié)促進(jìn)層,可列舉硅烷偶聯(lián)層、金屬層、親水層等。硅烷偶聯(lián)層是包含硅烷偶聯(lián)劑的層。作為硅烷偶聯(lián)劑,可列舉氰乙基三甲氧基硅烷、氰丙基三甲氧基硅等。金屬層是相當(dāng)于幾個(gè)原子厚度的金屬的層。作為金屬,可列舉鎳、鉻、鋁、鈦等與有機(jī)材料具有親和性的金屬,并需要與基體相同的絕緣性。作為親水層,可列舉通過Itro處理等形成的二氧化硅膜等。(保護(hù)層)根據(jù)需要,也可以在光反射層的表面設(shè)置保護(hù)層(省略圖示)。作為保護(hù)層,可列舉包含二氧化硅等的頂涂層等。以上說明的本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件在基體上具有包含硅或鍺與金屬的合金的光反射層,因此具有電波透過性及像鏡面般的金屬光澤。并且,由于采用了與錫等廉價(jià)金屬單體相比難以引起氧化、氯化等的硅或鍺與金屬的合金,因此不易隨著時(shí)間的推移而失去金屬光澤。并且,由于采用了與銦等稀有金屬單體相比價(jià)廉的硅或鍺與金屬的合金,因此成本低。并且,在基體上具有包含半導(dǎo)體物質(zhì)的光反射層,因此具有電波透過性及像鏡面般的金屬光澤。并且,由于采用了與錫等廉價(jià)金屬單體相比難以引起氧化、氯化等的硅或鍺這樣的半導(dǎo)體物質(zhì),因此不易隨著時(shí)間的推移而失去金屬光澤。并且,由于采用了與銦等稀有金屬單體相比價(jià)廉的硅或鍺這樣的半導(dǎo)體物質(zhì),因此成本低。包含硅或鍺這樣的半導(dǎo)體物質(zhì)的合金使電波透過、并且呈現(xiàn)出金屬光澤的理由如下。作為金屬特征的自由電子具有導(dǎo)電性。并且,當(dāng)電磁波(光、電波)要進(jìn)入到金屬內(nèi)時(shí),自由電子移動而引起強(qiáng)烈的電子極化,誘發(fā)與所進(jìn)入的電磁波的電場相反的電束,因此電磁波難以進(jìn)入到金屬內(nèi),電磁波被反射而無法透過。并且,由于在可見光區(qū)域中具有高反射率,因此認(rèn)為是金屬光澤。另一方面,在半導(dǎo)體物質(zhì)的情況下,只有少數(shù)的自由電子,與金屬的情況不同,電波可以不被反射而通過。金屬光澤不是由自由電子引發(fā)的,而是帶間的直接遷移所致的強(qiáng)吸收存在于可見光區(qū)域,因此引起強(qiáng)烈的電子極化,具有高折射率,所以具有高反射率。并且,在本發(fā)明中,采用包含硅或鍺與金屬的合金的理由如下。硅或鍺雖然在可見光區(qū)域中具有高反射率,但是比金屬的反射率(例如,在620nm的文獻(xiàn)值為銀98%、鋁90%,HandbookofOpticalConstantsofSolids,Ε.L.Palik,AcaemicPress.,(1985))低,為36%(在620nm的文獻(xiàn)值)。因此,通過與反射率為50%以上的金屬形成合金,可以提高反射率,提升亮度,得到具有明亮的金屬光澤的光反射層。并且,該金屬比硅等柔軟,因此光反射層的內(nèi)部應(yīng)力降低,粘合性上升,抑制斷裂的產(chǎn)生。實(shí)施例(電波透過性)采用同軸管型屏蔽效果測量系統(tǒng)(KEYC0M公司制,S-39D、ASTM、D4935標(biāo)準(zhǔn)),在外部主體(outerbody)內(nèi)徑39mm的同軸管內(nèi)的圓盤上放置試料,通過與同軸管兩端連接的矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(ANRITSU公司制,37247C)來求出透過衰減量(S21)及反射衰減量(Sll)。透過衰減量越接近ODb,電波透過性越優(yōu)良。(毫米波垂直入射透過性)在水平式透過衰減量測量裝置(KEYC0M公司制,可調(diào)整入射角)的兩個(gè)透鏡天線之間設(shè)置樣本,通過與透鏡天線連接的標(biāo)量網(wǎng)絡(luò)分析儀(Wiltr0n54147A(使用放大器(multiplier)))求出入射角為0度的垂直入射透過衰減量。透過衰減量越接近ODb,電波透過性越優(yōu)良。(毫米波斜入射透過性)在水平式透過衰減量測量裝置(KEYC0M公司制,可調(diào)整入射角)的兩個(gè)透鏡天線之間設(shè)置樣本,通過與透鏡天線連接的標(biāo)量式網(wǎng)絡(luò)分析儀(Wiltr0n54147A(使用放大器)),在測量頻率76GHz調(diào)整樣本角度而求出-45度至45度的斜入射透過衰減量。透過衰減量越接近ODb,電波透過性越好。(反射率)反射率說的是基于JISZ8722的條件d(n-D)的包含正反射率在內(nèi)的漫反射率,其是短波長側(cè)為360nm400nm、長波長側(cè)為760nm830nm的可見光區(qū)域的平均值,是采用積分球,包含光澤成分的正反射光在內(nèi)地測得。具體而言,采用紫外可見近紅外分光光度計(jì)(日本分光公司制,V-570),采用積分球、包含光澤成分的正反射光在內(nèi)地測得裝飾構(gòu)件的反射率。求出波長為380nm780nm的401處測量點(diǎn)的平均值。(透過率)采用紫外可見近紅外分光光度計(jì)(日本分光公司制,V-570),采用積分球,測得裝飾構(gòu)件的透過率。(光反射層的厚度)采用透過型電子顯微鏡(日本電子公司制,JEM-4000EX),觀察光反射層的剖面,測得5處光反射層的厚度,進(jìn)行平均。(平均表面粗糙度)采用掃描型探針顯微鏡(SIINanoTechnology公司制,SPA300),在原子間力顯微鏡DFM模式下,掃描光反射層的表面1μm□,作成表面形狀的像,求出平均表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度Ra)。(表面電阻率)光反射層的表面電阻率通過采用電阻率計(jì)(DiaInstruments公司制,LorestaGPMCP-T600型,JISK7194標(biāo)準(zhǔn)),將串聯(lián)四探針(ASP)放置于試料(sample)上來測得。測量電壓為10V。(內(nèi)部應(yīng)力)在厚度為0.3mm的聚碳酸酯片(大小為IOOmm2)上形成光反射層之后,將該片置于平臺(surfaceplate)之上,利用尺子來測得所裝片的中央部與平臺之間的間隙。將該間隙作為內(nèi)部應(yīng)力的指標(biāo)。(粘合性)關(guān)于光反射層的粘合性,通過基于JISK5400的棋盤格試驗(yàn)進(jìn)行評價(jià)。(化學(xué)鑒定)采用X射線衍射裝置(島津制作所公司制,XRD-6100),對靶與蒸鍍膜之間的成分比進(jìn)行比較,判斷蒸鍍膜的成分是否與靶的相應(yīng)成分相同。[實(shí)施例1]作為靶,準(zhǔn)備了摻硼的硅與鋁的合金(鋁的比例體積比10%、摻硼量約Ippb)。鋁單體的反射率為87.6%。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制,CFS-4ES)的陰極的靶,并在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在厚度為0.3mm的聚碳酸酯片上物理蒸鍍靶的合金,得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。并且,進(jìn)行化學(xué)鑒定的結(jié)果,光反射層的鋁的比例與靶中的鋁的比例相同。結(jié)果示于表1。并且,圖6示出該裝飾構(gòu)件的透過衰減量(S21)及反射衰減量(Sll)的圖表。并且,圖7示出該裝飾構(gòu)件的反射率的圖表(無掩模層),圖8示出該裝飾構(gòu)件的透過率的圖表(無掩模層)。[實(shí)施例28]除了將鋁的比例變更為表1所示的比例之外,與實(shí)施例1相同地得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。并且,使光反射層的鋁的比例與靶中的鋁的比例相同。結(jié)果示于表12。[比較例1]除了采用鋁單體作為靶之外,與實(shí)施例1相同地得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表2。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>實(shí)施例6實(shí)施例7實(shí)施例8比較例1光反射層平均表面粗4.22.23.62.2糙度(nm)透過衰減量(dB)-0.6-6.3-7.7-50.8IGHz-0.6-6.3-7.5-51.03GHz反射率(%)400nm58.058.760.380.8500nm59.461.164.986.6600nm60.262.366.787.7700nm60.762.666.786.3平均值59.961.765.285.7表面電阻率4X1032XIO32XIO24X1CT1(Ω)~內(nèi)部應(yīng)力ΓθO06~(mm)有金屬光澤有金屬光澤有金屬光澤有金屬光澤[實(shí)施例9]將厚度為0.5mm的聚丙烯片(按質(zhì)量計(jì)含有10%的有機(jī)化膠嶺石)脫脂洗凈之后,對表面實(shí)施氧等離子處理,接著,按照成為1.5個(gè)原子厚的方式濺射鉻,形成粘結(jié)促進(jìn)層。作為靶,準(zhǔn)備了鍺與鋁的合金(鋁的比例按體積計(jì)為40%)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶,并在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在粘結(jié)促進(jìn)層上物理蒸鍍靶的合金,得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力,評價(jià)了粘合性(剝離的格/全部格)。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表3。未看見光反射層的剝離。[實(shí)施例10]將厚度為0.5mm的聚甲基丙烯酸甲酯片脫脂洗凈之后,對表面實(shí)施氧等離子處理,接著,按照成為1.0個(gè)原子厚的方式濺射鈦,形成粘結(jié)促進(jìn)層。在粘結(jié)促進(jìn)層上涂布含有氧化鈦粉的隱蔽性高的白色丙烯酸涂料,形成掩模層。作為靶,準(zhǔn)備了硅與鋁的合金(鋁的比例按體積計(jì)為10%)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶,并在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在粘結(jié)促進(jìn)層上物理蒸鍍靶的合金,得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表3。并且,圖7示出該裝飾構(gòu)件的反射率的圖表(有掩模層),圖8示出該裝飾構(gòu)件的透過率的圖表(有掩模層)。由于掩模層的效果,實(shí)施例10的裝飾構(gòu)件與實(shí)施例1的裝飾構(gòu)件相比,反射率上升,透過率幾乎為O。其結(jié)果,呈現(xiàn)出高亮度的金屬光澤。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>實(shí)施例9實(shí)施例10表面電阻率(Ω)IO8以上IO8以上內(nèi)部應(yīng)力(mm)0226粘合性100/100~有金屬光澤有金屬光澤[實(shí)施例11]將厚度為2.5mm的聚碳酸酯片脫脂洗凈之后,對表面實(shí)施氧等離子處理,接著,涂布含有二氧化硅微粒的丙烯酸酯涂料,通過UV照射,使之固化,形成粘結(jié)促進(jìn)層。作為靶,準(zhǔn)備了鍺與鋁的燒結(jié)合金(鋁的比例按體積計(jì)為30%)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶,并在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在掩模層上物理蒸鍍靶的合金,得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、60GHz至GHz下的垂直入射透過衰減量、反射率、表面電阻率。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表4,圖9示出該裝飾構(gòu)件的垂直入射透過衰減量的圖表。實(shí)施例11的裝飾構(gòu)件也呈現(xiàn)出透過率在60GHz至90GHz的高頻帶中幾乎為0的良好的透過性,呈現(xiàn)出高亮度的金屬光澤。[實(shí)施例12]將厚度為2.5mm的聚碳酸酯片脫脂洗凈之后,對表面實(shí)施氧等離子處理,接著,涂布含有氧化鎂粉的隱蔽性高的白色丙烯酸酯涂料,通過UV照射,使之固化,形成掩模層。作為靶,準(zhǔn)備了鍺與銀的燒結(jié)合金(銀的比例按體積計(jì)為0.)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶,在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在掩模層上物理蒸鍍靶的合金,得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、在76GHz下將入射角從_45度改變?yōu)?5度而得到的斜入射透過衰減量、反射率、表面電阻率。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表4,圖10示出該裝飾構(gòu)件的斜入射透過衰減量的圖表。實(shí)施例12的裝飾構(gòu)件的透過率在76GHz的高頻帶中即使改變?nèi)肷浣鞘艿降挠绊懸草^小,呈現(xiàn)出幾乎為0的良好的直進(jìn)性,呈現(xiàn)出高亮度的金屬光澤。[表4]實(shí)施例U實(shí)施例12鋁的比例(體積%)30<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>[實(shí)施例I3]作為靶,準(zhǔn)備了摻硼的硅(摻硼量約Ippb)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶,并在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在厚度為0.3mm的聚碳酸酯片上物理蒸鍍靶的半導(dǎo)體物質(zhì),得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表Io并且,圖14示出該裝飾構(gòu)件的透過衰減量(S21)及反射衰減量(Sll)的圖表。并且,圖15示出該裝飾構(gòu)件的反射率的圖表(無掩模層),圖16示出該裝飾構(gòu)件的透過率的圖表(無掩模層)。[實(shí)施例1415]除了變更RF濺射的條件使光反射層的厚度成為表5所示的厚度之外,與實(shí)施例13相同地得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表5。[比較例1]除了采用鋁單體作為靶之外,與實(shí)施例13相同地得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表5。[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>[實(shí)施例16]將厚度為0.5mm的聚丙烯片(按質(zhì)量計(jì)含有10%的有機(jī)化膠嶺石)脫脂洗凈之后,對表面實(shí)施氧等離子處理,接著,按照成為1.5個(gè)原子厚的方式濺射鉻,形成粘結(jié)促進(jìn)層。作為靶,準(zhǔn)備了GaAs(按原子計(jì)As為50.005%)0裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶,并在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在粘結(jié)促進(jìn)層上物理蒸鍍靶的半導(dǎo)體物質(zhì),得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力,評價(jià)了粘合性(剝離的格/全部格)。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表6??床灰姽夥瓷鋵拥膭冸x。[實(shí)施例17]將厚度為0.5mm的聚甲基丙烯酸甲酯片脫脂洗凈之后,對表面實(shí)施氧等離子處理,接著,按照成為1.0個(gè)原子厚的方式濺射鈦,形成粘結(jié)促進(jìn)層。在粘結(jié)促進(jìn)層上涂布含有氧化鈦粉的隱蔽性高的白色丙烯酸涂料,形成掩模層。作為靶,準(zhǔn)備了硅。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶,并在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在粘結(jié)促進(jìn)層上物理蒸鍍靶的半導(dǎo)體物質(zhì),得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表6。并且,圖15示出該裝飾構(gòu)件的反射率的圖表(有掩模層),圖16示出該裝飾構(gòu)件的透過率的圖表(有掩模層)。由于掩模層的效果,實(shí)施例17的裝飾構(gòu)件與實(shí)施例13的裝飾構(gòu)件相比,反射率上升,透過率幾乎為O。其結(jié)果,呈現(xiàn)出高亮度的金屬光澤。[實(shí)施例18]除了使用摻硼的鍺(摻硼量約0.Ippb)作為靶以外,與實(shí)施例13相同地得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、平均表面粗糙度、IGHz及3GHz下的透過衰減量(S21)、反射率、表面電阻率、內(nèi)部應(yīng)力。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表6。并且,圖17示出該裝飾構(gòu)件的透過衰減量(S21)及反射衰減量(Sll)的圖表。[表6]<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>[實(shí)施例19]將厚度為2.5mm的聚碳酸酯片脫脂洗凈之后,對表面實(shí)施氧等離子處理,接著,涂布含有氧化鎂粉的隱蔽性高的白色丙烯酸酯涂料,通過UV照射,使之固化,形成掩模層。作為靶,準(zhǔn)備了鍺與銀的燒結(jié)合金(銀的比例按體積計(jì)為0.)。裝配作為RF濺射裝置(ShibauraMechatronics公司制、CFS-4ES)的陰極的靶,在真空腔內(nèi)達(dá)到真空之后,向真空腔內(nèi)導(dǎo)入氬氣,通過RF濺射在掩模層上物理蒸鍍靶的合金,得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、在76GHz下將入射角從_45度改變?yōu)?5度而得到的斜入射透過衰減量、反射率、表面電阻率。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表7,圖18示出該裝飾構(gòu)件的斜入射透過衰減量的圖表。實(shí)施例19的裝飾構(gòu)件在76GHz的高頻帶中即使改變?nèi)肷浣?,其受到的影響也較小,呈現(xiàn)出透過率幾乎為0的良好的直進(jìn)性,呈現(xiàn)出高亮度的金屬光澤。[實(shí)施例2O]除了使光反射層的厚度成為500nm之外,與實(shí)施例19相同地得到裝飾構(gòu)件。針對該裝飾構(gòu)件,測得光反射層的厚度、在76GHz下將入射角從_45度改變?yōu)?5度而得到的斜入射透過衰減量、反射率、表面電阻率。并且,觀察該裝飾構(gòu)件的外觀。結(jié)果示于表7,圖19示出該裝飾構(gòu)件的斜入射透過衰減量的圖表。實(shí)施例20的裝飾構(gòu)件在76GHz的高頻帶中即使改變?nèi)肷浣?,其受到的影響也較小,呈現(xiàn)出透過率幾乎為0的良好的直進(jìn)性,呈現(xiàn)出高亮度的金屬光澤。[表7]<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的電波透過性裝飾構(gòu)件可作為便攜式電話的殼體和按鈕、電波鐘表的殼體、通信設(shè)備的殼體、以及設(shè)置有雷達(dá)的汽車的前護(hù)柵和保險(xiǎn)杠等使用。權(quán)利要求一種電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,包括基體;以及光反射層,設(shè)置在該基體上,包含硅或鍺與金屬的合金。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,所述光反射層是通過物理蒸鍍硅或鍺與金屬的合金而形成的蒸鍍膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,在所述光反射層上沒有形成不存在所述合金的間隙。4.根據(jù)權(quán)利要求13中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,所述金屬是反射率為50%以上的金屬。5.根據(jù)權(quán)利要求14中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,在按體積計(jì)為100%的所述合金中,所述金屬的比例為體積比0.1%80%。6.根據(jù)權(quán)利要求15中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,所述基體為有機(jī)材料壓型體。7.根據(jù)權(quán)利要求16中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,光反射層的厚度為IOnm500nmo8.根據(jù)權(quán)利要求17中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,在所述基體與所述光反射層之間具有含白色顏料的掩模層。9.根據(jù)權(quán)利要求18中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,在所述基體與所述光反射層之間具有粘結(jié)促進(jìn)層。10.一種電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,包括基體;以及光反射層,設(shè)置在該基體上,包含半導(dǎo)體物質(zhì)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,所述光反射層是通過物理蒸鍍半導(dǎo)體物質(zhì)而形成的蒸鍍膜。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,在所述光反射層上沒有形成不存在所述半導(dǎo)體物質(zhì)的間隙。13.根據(jù)權(quán)利要求1012中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,所述半導(dǎo)體物質(zhì)是硅或鍺。14.根據(jù)權(quán)利要求1013中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,所述基體為有機(jī)材料壓型體。15.根據(jù)權(quán)利要求1014中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,光反射層的厚度為IOnm500nm。16.根據(jù)權(quán)利要求1015中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,在所述基體與所述光反射層之間具有含白色顏料的掩模層。17.根據(jù)權(quán)利要求1016中的任一項(xiàng)所述的電波透過性裝飾構(gòu)件,其中,在所述基體與所述光反射層之間具有粘結(jié)促進(jìn)層。全文摘要本發(fā)明提供一種低成本電波透過性裝飾構(gòu)件,該電波透過性裝飾構(gòu)件具有電波透過性及鏡面般的金屬光澤,且該金屬光澤不容易喪失。解決上述問題的電波透過性裝飾構(gòu)件(10)包括基體(12);以及設(shè)置在該基體(12)上的包含硅或鍺與金屬的合金的光反射層(14),作為光反射層(14),優(yōu)選是通過物理蒸鍍硅或鍺與金屬的合金而形成的蒸鍍膜。文檔編號B32B7/02GK101802248SQ200880107358公開日2010年8月11日申請日期2008年9月18日優(yōu)先權(quán)日2007年9月18日發(fā)明者佐賀努,川口利行,田原和時(shí)申請人:信越聚合物株式會社
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