專利名稱：：氣體阻隔性薄膜及采用了該薄膜的有機器件的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及水蒸氣阻隔性優(yōu)異的氣體阻隔性薄膜以及采用了該薄膜的有機器件(device)。
背景技術(shù)：
：一直以來人們都在研究有機器件中使用的薄膜。例如在日本特開2003一51382號公報中公開了一種薄膜，它是在高分子薄膜的表面具有被膜的有機器件用薄膜，其特征在于，上述被膜由含有硅、氮、氫、氧的無機聚合物構(gòu)成。另外，在日本特開平8—68990號公報中公開了氣體阻隔性低透濕性絕緣性透明電極用基板，其特征在于，在透明基板的至少一個面上層疊了由至少一層氮化物構(gòu)成的透明薄膜以及由至少一層氧化物構(gòu)成的透明薄膜。然而，本申請的發(fā)明人等研究發(fā)現(xiàn)，日本特開2003—51382號公報中記載的薄膜存在透濕度高即阻隔性差的問題。這是由于是將硅氨烷溶液涂布在基底上來制作上述被膜的。另一方面，日本特開平8—68990號公報中記載的基板不能得到充分的氣體阻隔性。這是由于，由如日本特開平8—68990號公報中記載的氮化物構(gòu)成的透明薄膜和由氧化物構(gòu)成的透明薄膜的層疊體并不能得到充分的阻隔性。作為其原因，認為是因為由氮化物構(gòu)成的透明薄膜比較薄，但若增加由氮化物構(gòu)成的透明薄膜的厚度，則容易發(fā)生裂縫。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于解決上述課題，提供具有高氣體阻隔性的氣體阻隔性薄膜?；谏鲜稣n題，發(fā)明人進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過設置致密的水蒸氣遮斷性能高的氮化硅層和具有與水蒸氣反應而轉(zhuǎn)變?yōu)镾iOx的性能、即具有水蒸氣捕集功能的氫化氮化硅層這兩者，從而能夠解決上述課題。也就是說，為了獲得高氣體阻隔性，需要將致密的氮化硅層設置為一定程度的厚度。但是，氮化硅層的厚度越厚，在層內(nèi)產(chǎn)生氣孔或裂縫的可能性越高。氣孔或裂縫的產(chǎn)生可以通過使用氧氮化硅化層或者使氮化硅層薄膜化來改良，但還是會有氣體阻隔性下降等的問題?；谶@種狀況，本發(fā)明人進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過將氮化硅層和撓性比該氮化硅層更加優(yōu)異的氫化氮化硅層進行層疊，可以緩和施加于氮化硅層的應力，使之難以破裂。進而，氫化氮化硅層還可以吸收從致密的氮化硅層微量滲出的水分，從而表現(xiàn)出更加優(yōu)異的阻隔性，從而完成了本發(fā)明。具體來說，發(fā)現(xiàn)通過下述手段能夠解決上述課題。(1)一種氣體阻隔性薄膜，其特征在于，在撓性支撐基板的表面上具有至少一層氫化氮化硅層和至少一層氮化硅層。(2)根據(jù)(1)中記載的氣體阻隔性薄膜，其中，上述氫化氮化硅層與上述氮化硅層鄰接。(3)根據(jù)(2)中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，上述氫化氮化硅層與上述氮化硅層之間的組成連續(xù)地變化，沒有明確的界面。(4)根據(jù)(1)(3)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，上述氮化硅層含有氧氮化硅。(5)根據(jù)(1)(4)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，上述氫化氮化硅層含有氫化氧氮化硅。(6)根據(jù)(1)(5)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，上述氫化氮化硅層的除硅以外的成分中的氮成分為45摩爾％以下，且氫成分為30摩爾％以上。(7)根據(jù)(1)(6)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，上述氣體阻隔性薄膜中，氫化氮化硅層的膜厚為50300nm。(8)根據(jù)(1)(7)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，上述氣體阻隔性薄膜中，氮化硅層的膜厚為10300nm。(9)根據(jù)(1)(8)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，上述氣體阻隔性薄膜中具有至少l層有機層。(10)根據(jù)(9)中記載的氣體阻隔性薄膜，其中，上述氣體阻隔性薄膜中，有機層含有2官能團丙烯酸酯和3官能團丙烯酸酯中的至少1種。(11)根據(jù)(9)或(10)中記載的氣體阻隔性薄膜，其中，上述氣體阻隔性薄膜中，有機層是由含有2官能團甲基丙烯酸酯和3官能團甲基丙烯酸酯中的至少1種的組合物固化而形成的。(12)根據(jù)(9)(11)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其中，上述氣體阻隔性薄膜中，有機層是由含有雙酚類的(甲基)丙烯酸酯中的至少1種的組合物固化而形成的。(13)根據(jù)(1)(12)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，上述撓性支撐基板為聚酯。(14)一種有機器件，其特征在于，其采用了(1)(13)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜。(15)—種有機器件，其特征在于，用(1)(13)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜進行了封固。(16)—種有機器件，其特征在于，在基板表面上層疊有機器件材料而制成的有機器件中，該基板為(1)(13)的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，所述有機器件是在該撓性支撐基板的形成有無機層的一側(cè)的面上層疊有機器件材料而制成的。(17)根據(jù)(14)(16)的任意一項中記載的有機器件，其特征在于，上述有機器件為有機電致發(fā)光顯示裝置、液晶顯示裝置、觸摸面板以及太陽電池中的任意一個。根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得具有更高的水蒸氣阻隔性能的氣體阻隔性薄膜。進而，還能夠獲得耐彎曲性也優(yōu)異的氣體阻隔性薄膜。圖1表示實施例1中制作的氣體阻隔性薄膜的層構(gòu)成。圖2表示實施例2中制作的氣體阻隔性薄膜的層構(gòu)成。圖3表示實施例3中制作的氣體阻隔性薄膜的層構(gòu)成。圖4表示比較例1中制作的氣體阻隔性薄膜的層構(gòu)成。圖中，1為聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜，2為有機層，2—1、2—2和2—3為有機層，3為氮化硅層，3—1和3—2為氮化硅層，4為氫化氮化硅層，5—1和5—2為氫組成變化層。具體實施例方式以下，詳細說明本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜和有機器件。以下記載的構(gòu)成要件的說明是基于本發(fā)明代表性的實施方式，但本發(fā)明并不限于這樣的實施方式。本說明書中，用""表示的數(shù)值范圍是指包含""前后記載的數(shù)值作為下限值和上限值的范圍。《氣體阻隔性薄膜》(氣體阻隔性薄膜的構(gòu)成)本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜是在撓性支撐基板(例如塑料薄膜)上具有至少1層的氫化氮化硅層和至少1層的氮化硅層的薄膜。如此，通過具有氫化氮化硅層和氮化硅層這兩者的構(gòu)成，能夠得到在維持高的氣體阻隔性的同時，耐彎曲性也優(yōu)異的氣體阻隔性薄膜。在本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜中，氫化氮化硅層和氮化硅層可以鄰接，也可以在中間設置其它的層(有機層、由無機化合物構(gòu)成的層、功能性層等)。另外，氫化氮化硅層和氮化硅層之間的組成也可以是連續(xù)地變化、沒有明確的界面的層(以下有時稱為"氫組成變化層")。當然，也可以是含有氫化氮化硅層和氮化硅層中的至少1方和氫組成變化層這兩者的構(gòu)成。本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜只要在基板上設置氫化氮化硅層和氮化硅層即可，其它的層構(gòu)成沒有特殊限制，但優(yōu)選是在基板上將1層以上的有機層和1層以上的無機層層疊而成的構(gòu)成。此處，無機層是指除氫化氮化硅層、氮化硅層、氫組成變化層之外的由其它無機化合物構(gòu)成的層及它們的層疊體等。另外，本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜可以從撓性支撐基板一側(cè)開始按照無機層、有機層的順序進行層疊，也可以按照有機層、無機層的順序進行層疊。最上層可以是無機層，也可以是有機層，進而，在其上也可以具有功能性層。進而，本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜可以在撓性支撐基板的單面設置有機層和無機層，也可以在兩面設置。當在兩面設置時，各個面上形成的層構(gòu)成相互可以相同也可以不同，作為至少一個面的無機層，可以設置氫化氮化硅層和氮化硅層。以下，作為本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜的優(yōu)選的層構(gòu)成如下所示。(1)撓性支撐基板/有機層/無機層(氮化硅層/氫化氮化硅層/氮化硅層)(2)撓性支撐基板/有機層/無機層(氮化硅層/氫組成變化層/氫化氮化硅層/氫組成變化層/氮化硅層)(3)撓性支撐基板/有機層/無機層(氮化硅層)/有機層/無機層(氮化硅層)/有機層/無機層(氫化氮化硅層)/有機層/無機層(氮化硅層)(氮化硅層)本發(fā)明中的"氮化硅層"是指以氮化硅為主要成分的層，例如以質(zhì)量％濃度計卯％以上為氮化硅的層。氮化硅也可以是氧氮化硅。通過采用氧氮化硅，撓性和透明性更高，因而是優(yōu)選的。氮化硅層優(yōu)選除硅以外的成分中的氮成分為50摩爾％以上。通過達到這樣的范圍，具有可以獲得致密的、氣體阻隔性高且撓性、透明性優(yōu)異的層的優(yōu)點。氮化硅層也可以含有其它的構(gòu)成成分，例如可列舉出氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁等、氧化鈦、氧化鎂等。氮化硅層的厚度優(yōu)選為10300nm,更優(yōu)選為30100nm。關于上述氮化硅層的形成，可以使用能夠形成目標層的方法的任何方法。作為上述形成方法，例如可使用濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法、等離子體CVD法等，具體可以采用日本專利注冊第3400324號公報、日本特開2002—322561號公報、日本特開2002—361774號公報等中記載的形成方法。(氫化氮化硅層)本發(fā)明的"氫化氮化硅層"是指以氫化氮化硅為主要成分的層，例如以質(zhì)量％濃度計卯％以上為氫化氮化硅的層。氫化氮化硅也可以是氫化氧氮化硅。通過采用氫化氧氮化硅，可以形成撓性和透明性更高的氫化氮化硅層。氫化氮化硅層優(yōu)選除硅以外的成分中的氮成分為45摩爾％以下，更優(yōu)選為30摩爾％以下。除硅以外的成分中的氮成分的下限值優(yōu)選為10摩爾%以上，更優(yōu)選為15摩爾％以上。另外，氫化氮化硅層優(yōu)選除硅以外的成分中的氫成分為30摩爾％以上，更優(yōu)選為40摩爾％以上。氫成分的上限值優(yōu)選為60摩爾％以下，更優(yōu)選為55摩爾％以下。通過達到這樣的范圍，具有水蒸氣吸附性提高的優(yōu)點。氫化氮化硅層也可以含有其它的構(gòu)成成分，例如可列舉出氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁等、氧化鈦、氧化鎂等。氫化氮化硅層的厚度優(yōu)選為50300nm，更優(yōu)選為100200nm。氫化氮化硅層可以用與氮化硅層同樣的方法來形成。(氫組成變化層)本發(fā)明中，氮化硅層和氫化氮化硅層可以完全作為其它的層設置。氫化氮化硅層和氮化硅層之間的組成也可以是連續(xù)地變化、沒有明確界面的氫組成變化層。通過設置這樣的氫組成變化層，具有能夠具有不易發(fā)生界面剝離、對彎曲等穩(wěn)定的阻隔性能的優(yōu)點。氫組成變化層可以通過采用與氮化硅層同樣的方法連續(xù)地形成組成不同的層來形成。此處，連續(xù)地設置是指，例如用CVD法時，可以通過導入含有氮化硅層的構(gòu)成材料的氣體、并在該狀態(tài)下、在不停止電力投入并維持等離子體發(fā)生的狀態(tài)下將導入的氣體轉(zhuǎn)變?yōu)楹袣浠鑼訕?gòu)成材料的氣體、并且在適于形成氫化氮化硅層的放電條件下緩緩轉(zhuǎn)移來形成。(其它無機層)作為本發(fā)明的其它的無機層，是指能夠抑制由無機材料構(gòu)成的氣體分子透過的致密結(jié)構(gòu)的薄膜的層，例如可列舉出由金屬化合物構(gòu)成的薄膜(金屬化合物薄膜)。構(gòu)成上述無機層的成分只要滿足上述性能，就沒有特殊限制，例如可以使用含有選自Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce和Ta等中的1種以上的金屬的氧化物、氮化物或氧氮化物，優(yōu)選從選自Si、Al、In、Sn、Ti和Zn中的至少1種以上的金屬中選擇。由于上述無機層是能抑制氣體分子透過的致密結(jié)構(gòu)的薄膜，因此薄膜的膜密度優(yōu)選在2.6g/cm37.0g/cm3的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2.6g/cm36.0g/cm3的范圍內(nèi)。薄膜的膜密度的測定例如可以通過對Si晶片上形成的薄膜進行x射線反射率測定來求出。(塑性支撐基板)本發(fā)明中的氣體阻隔性薄膜通常使用塑料薄膜作為塑性支撐基板。使用的塑料薄膜只要是可以保持有機層、無機層等的層疊體的薄膜即可，對材質(zhì)和厚度等沒有特殊限制，可以根據(jù)使用目的等適當選擇。作為上述塑料薄膜，具體來說，可列舉出聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯樹脂、透明氟樹脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、纖維素酰化物樹脂、聚氨酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚碳酸酯樹脂、脂環(huán)式聚烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、環(huán)烯烴共聚物、芴環(huán)改性聚碳酸酯樹脂、脂環(huán)改性聚碳酸酯樹脂、芴環(huán)改性聚酯樹脂、丙烯酰化合物等熱塑性樹脂。在將本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜作為后述的有機EL元件等器件的基板使用時，塑料薄膜優(yōu)選由具有耐熱性的材料構(gòu)成。具體來說，優(yōu)選由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為10(TC以上禾n/或線熱膨脹系數(shù)為40ppmTC以下的耐熱性高的透明材料構(gòu)成。Tg和線膨脹系數(shù)可以利用添加劑等進行調(diào)節(jié)。作為這樣的熱塑性樹脂，例如可列舉出聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN:120°C)、聚碳酸酯(PC:140°C)、脂環(huán)式聚烯烴(例如日本Zeon株式會社制的ZEONOR1600:160°C)、聚芳酯(PAr:210°C)、聚醚砜(PES:220°C)、聚砜(PSF:190°C)、環(huán)烯烴共聚物(COC:日本特開2001-150584號公報的化合物162°C)、聚酰亞胺(例如三菱氣體化學株式會社氺才:7。!；厶260°C)、芴環(huán)改性聚碳酸酯(BCF-PC:日本特開2000-227603號公報的化合物225°C)、脂環(huán)改性聚碳酸酯(IP-PC:日本特開2000-227603號公報的化合物205°C)、丙烯?；衔?日本特開2002-80616號公報的化合物30(TC以上)(括號內(nèi)表示Tg)。特別是在要求具有透明性的情況下，優(yōu)選使用脂環(huán)式聚烯烴等。在將本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜與偏振片組合使用時，優(yōu)選使氣體阻隔性薄膜的阻隔性層疊體面向單元的內(nèi)側(cè)來將氣體阻隔性薄膜配置在最內(nèi)側(cè)(與元件相鄰)。此時，由于與偏振片相比氣體阻隔性薄膜配置在單元的更內(nèi)側(cè)，因此氣體阻隔性薄膜的延遲值變得重要。該種實施方式下的氣體阻隔性薄膜的使用方式優(yōu)選將采用延遲值為lOnrn以下的撓性支撐基板的氣體阻隔性薄膜與圓偏振片(1/4波長片+(1/2波長片)+直線偏振片)層疊使用，或在采用能用作1/4波長片的延遲值為100nm180nm的塑性支撐基板的氣體阻隔性薄膜上組合直線偏振片來使用。作為延遲在10nm以下的塑性支撐基板，可列舉出纖維素三乙酸酯(富士膠片株式會社富士夕、乂夕)、聚碳酸酯(帝人化成株式會社Pure-ace、Kaneka株式會社Elmec)、環(huán)烯烴聚合物(JSR株式會社Arton、曰本Zeon株式會社Zeonor)、環(huán)烯烴共聚物(三井化學株式會払Apel(粒料)、Polyplastic株式會社Topas(粒料))、聚芳酯(Unitika株式會社U100(粒料))、透明聚酰亞胺(三菱氣體化學株式會社卑才7。U厶)等。作為1/4波長片，可采用通過將上述薄膜適當拉伸而調(diào)節(jié)至所需延遲值的薄膜。由于本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜作為有機EL元件等器件使用，因此塑料薄膜為透明的，即透光率通常為80%以上，優(yōu)選為85%以上，更優(yōu)選為90%以上。透光率可用JIS-K7105中記載的方法來求出，即用積分球式透光率測定裝置來測定總透光率和散射光量，從總透光率減去擴散透光率即可求出。即使將本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜用于顯示器用途，當不設置在觀察側(cè)等時不一定要有透明性。因此，在這樣的情況下，塑料薄膜也可使用不透明的材料。作為不透明的材料，例如可列舉出聚酰亞胺、聚丙烯腈、公知的液晶聚合物等。在本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜中使用的塑料薄膜的厚度可根據(jù)用途來適當選擇，因此沒有特殊限制，但典型地為1800pm，優(yōu)選為10200pm。這些塑料薄膜還可具有透明導電層、底漆層等功能層。關于功能層，在日本特開2006-289627號公報的段落編號00360038中有詳細記載。作為上述功能層以外的功能層的例子，可列舉出消光劑層、保護層、防靜電層、平滑化層、粘附改良層、遮光層、防反射層、硬涂層、應力緩和層、防霧層、防污層、被印刷層、易粘接層等。(有機層)本發(fā)明中，有機層可列舉出丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂、聚酯、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟樹脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺、纖維素酰化物、聚氨酯、聚醚酮、聚碳酸酯、脂環(huán)式聚烯烴、聚芳酯、聚醚砜、聚砜、芴環(huán)改性聚碳酸酯、脂環(huán)改性聚碳酸酯、芴環(huán)改性聚酯等高分子化合物。有機層優(yōu)選的高分子化合物為以丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯單體的聚合物為主要成分的丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂。本發(fā)明中，單體混合物的聚合物通過將單體混合物進行聚合而得到。本發(fā)明的單體混合物的構(gòu)成如下。本發(fā)明的單體混合物，7595質(zhì)量％為2官能團或3官能團的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體(主單體)，525質(zhì)量％為4官能團以上的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體(多官能團單體)。上述的單體混合物也可以含有20質(zhì)量％以下的單官能團的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體(單官能團單體)。本發(fā)明中的主單體、多官能團單體可以是單一的，也可以是2種以上的混合物。含有單官能團單體時，上述單官能團單體可以是單一的，也可以是2種以上的混合物。本發(fā)明中優(yōu)選使用的主單體為下述通式(2)表示的單體。通式(2)(Ac-O)n—L通式(2)中，Ac表示丙烯?；蚣谆；?，O表示氧原子，L表示總碳原子數(shù)為318的2價或3價的連接基團，n表示2或3。用L表示的碳原子數(shù)為318的2價連接基團是指亞垸基(例如l，3-亞丙基、2，2-二甲基-l，3-亞丙基、2-丁基-2-乙基-l，3-亞丙基、1，6-亞己基、1，9-亞壬基、1，12-亞十二烷基、1，16-亞十六烷基等)；具有雙酚骨架的基團；選自亞烷基、具有雙酚骨架的基團、醚基、亞氨基和羰基中的多個基團直鏈鍵合成的2價殘基(例如聚氧化亞乙基(polyethyleneoxy)、聚氧化亞丙基(polypropyleneoxy)、丙酰氧基乙撐、丁酰氧基亞丙基、己酰氧基亞乙基、己酰氧基亞丁基等)。L也可以具有取代基。作為能夠取代L的取代基的例子，可列舉出烷基(甲基、乙基、丁基等)、芳基(苯基等)、氨基(例如氨基、甲氨基、二甲基氨基、二乙基氨基等)、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丁氧基、2-乙基己氧基等)、?；?例如乙?；⒈锦；⒓柞；⑷谆阴；?、烷氧羰基(例如甲氧羰基、乙氧羰基等)、羥基、鹵素原子(例如氟、氯、溴、碘)、氰基等。作為取代基，優(yōu)選垸基、垸氧基。用L表示的碳原子數(shù)為318的3價連接基團是指從上述2價連接基團中除去一個任意的氫原子而得到的3價殘基，或者，是從上述2價連接基團中除去一個任意的氫原子、并在此處取代有亞烷基、醚基、羰基及它們的直鏈鍵合而成的2價基團的3價殘基。以下表示用通式(2)表示的主單體的具體例子，但本發(fā)明并不限定于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>可用于本發(fā)明的多官能團單體只要是4官能團以上的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體即可，沒有特殊限制，但典型地為46官能團的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體。作為優(yōu)選的骨架的例子，可列舉出季戊四醇骨架或者二季戊四醇骨架。以下表示可用于本發(fā)明的優(yōu)選的多官能團單體的具體例子，但本發(fā)明并不限定于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>可用于本發(fā)明的單官能團單體只要為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體，就沒有特殊限制，但典型地是分子量為150600的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯單體。以下表示可用于本發(fā)明的單官能團單體的優(yōu)選的具體例子，但本發(fā)明并不限定于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>作為有機層的形成方法，可列舉出通常的溶液涂布法或真空成膜法等。作為溶液涂布法，例如可采用浸漬涂布法、氣刀涂布法、簾式涂布法、輥涂法、繞線棒涂布法、凹版涂布法、坡流涂布法或美國專利第2681294號說明書中記載的使用料斗的擠出涂布法來進行涂布。作為真空成膜法，沒有特殊限制，但優(yōu)選美國專利4842893號、4954371號、5032461號中記載的閃蒸法。作為單體聚合法，沒有特殊限制，但優(yōu)選使用加熱聚合、光(紫外線、可見光)聚合、電子束聚合、等離子體聚合或它們的組合。其中，特別優(yōu)選光聚合。進行光聚合時，同時使用光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑的例子，可列舉出CibaSpecialtyChemicals公司出售的Irgacure系列(例如Irgacure651、Irgacure754、Irgacure184、Irgacure2959、Irgacure907、Irgacure369、Irgacure379、Irgacure819等)、Darocure系列(例如DarocureTPO、Darocure1173等)、QuantacurePDO，Sartomer公司出售的Ezacure系列(例如EzacureTZM、EzacureTZT等)等。照射的光通常為高壓汞燈或低壓汞燈產(chǎn)生的紫外線。照射能量優(yōu)選為0.5J/cn^以上，更優(yōu)選為2J/cr^以上。若是丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯，因空氣中的氧會阻礙其聚合，因此優(yōu)選降低聚合時的氧濃度或氧分壓。當用氮置換法來降低聚合時的氧濃度時，氧濃度優(yōu)選為2%以下，更優(yōu)選為0.5%以下。當用減壓法來降低聚合時的氧分壓時，總氣壓優(yōu)選在1000Pa以下，更優(yōu)選在100Pa以下。另夕卜，特別優(yōu)選在100Pa以下的減壓條件下照射2J/cm2以上的能量來進行紫外線聚合。對有機層的膜厚沒有特殊限制，若過薄，則難以得到均勻的膜厚，若過厚，則從側(cè)面侵入的水分量變多，阻隔性降低。基于此觀點，上述鄰接有機層的厚度優(yōu)選為50nm2000nm，更優(yōu)選為200nm1500nm。如此設置的有機層優(yōu)選是平滑的。作為有機層的平滑性，用AFM測定時的Ra值優(yōu)選為10nm以下，更優(yōu)選5nm以下，特別優(yōu)選2nm以下。有機層優(yōu)選以鄰接無機層的狀態(tài)設置在無機層的兩面。通過采用該手段，可以得到更耐彎曲的氣體阻隔性薄膜?！队袡C器件》本發(fā)明的有機器件是指例如圖像顯示元件(圓偏振片、液晶顯示元件、電子紙和有機EL元件)以及色素增感型太陽電池、觸摸面板等。本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜的用途沒有特殊限制，但可適用于作為該有機器件的基板或封固薄膜。<圓偏振片>上述圓偏振片可以通過在本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜上將板和偏振片層疊來制作。此時，按照使i/4的慢軸和偏振片的吸收軸成45。的方式進行層疊。這樣的偏振片優(yōu)選使用在相對于長度方向(MD)成45。的方向上拉伸的偏振片，例如可使用日本特開2002—865554號公報中記載的偏振片。<液晶顯示元件>上述液晶顯示裝置可以大致分成反射型液晶顯示裝置和透射型液晶顯示裝置。上述反射型液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)從下到上依次為下基板、反射電極、下取向膜、液晶層、上取向膜、透明電極、上基板、X/4板以及偏振膜。本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜可以作為上述透明電極和上基板使用。在使上述反射型液晶顯示裝置具有彩色顯示功能時，則優(yōu)選進一步在上述反射電極與上述下取向膜之間或在上述上取向膜與上述透明電極之間設置濾色器層。另外，上述透射型液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)為從下到上依次為背光、偏振片、X/4板、下透明電極、下取向膜、液晶層、上取向膜、上透明電極、上基板、X/4板以及偏振膜。其中，本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜可以作為上述上透明電極和基板使用。另外，在使上述透射型液晶顯示裝置具有彩色顯示功能時，則優(yōu)選進一步在上述下透明電極與上述下取向膜之間或在上述上取向膜與上述透明電極之間設置濾色器層。上述液晶層的構(gòu)造沒有特殊限制，例如優(yōu)選為TN(扭曲向列)型、STN(超扭曲向列)型或HAN(混合取向向列)型、VA(垂直取向)型、ECB(電控雙折射)型、OCB(光學補償彎曲)型、IPS(面內(nèi)切換)型或CPA(ContinuousPinwheelAlignment:連續(xù)焰火狀排列)型。<觸摸面板>作為上述觸摸面板，可以將使用了本發(fā)明氣體阻隔性薄膜的元件用于在日本特開平5—127822號公報、日本特開2002—48913號公報等中記載的元件的基板。<有機EL元件>本發(fā)明的有機EL元件在基板上具有陰極和陽極，并在兩電極之間具有含有機發(fā)光層(以下有時也僅稱為"發(fā)光層")的有機化合物層?；诎l(fā)光元件的性質(zhì)，陽極和陰極中至少一個電極優(yōu)選為透明的。作為本發(fā)明中的有機化合物層的層疊的實施方式，優(yōu)選從陽極側(cè)依次層疊空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層的方式。進而，在空穴輸送層和發(fā)光層之間，或者在發(fā)光層和電子輸送層之間，也可以具有電荷阻擋層等。陽極和空穴輸送層之間也可以具有空穴注入層，陰極和電子輸送層之間也可以具有電子注入層。另外，各層也可以分成多個二級層。(陽極)陽極通常只要具有作為向有機化合物層供給空穴的電極的功能即可，對其形狀、結(jié)構(gòu)、大小等沒有特殊限制，可以根據(jù)發(fā)光元件的用途、目的從公知的電極材料中適當選擇。如前所述，陽極通常作為透明陽極設置。作為陽極的材料，例如可優(yōu)選列舉出金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物或它們的混合物。作為陽極材料的具體例子，可列舉出摻雜了銻或氟等的氧化錫(ATO、FTO)、氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等導電性金屬氧化物，金、銀、鉻、鎳等金屬，進而這些金屬和導電性金屬氧化物的混合物或?qū)盈B物、碘化銅、硫化銅等無機導電性物質(zhì)，聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有機導電性材料以及這些與ITO的層疊物等。其中優(yōu)選的是導電性金屬氧化物，特別是從生產(chǎn)率、高導電性、透明性等角度出發(fā)，優(yōu)選ITO?？紤]到與構(gòu)成陽極的材料的適應性，陽極可以依照例如從下述方法中適當選擇的方法在上述基板上形成印刷方式、涂布方式等濕式方式，真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等物理方式，CVD、等離子體CVD法等化學方式等。例如在選擇ITO作為陽極的材料時，陽極的形成可以按照直流或高頻濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法等進行。本發(fā)明的有機EL元件中，作為陽極的形成位置沒有特殊限制，可以根據(jù)發(fā)光元件的用途、目的來適當選擇，但優(yōu)選在上述基板上形成。此時，陽極可以在基板的一個表面的全部上形成，也可以在其一部分上形成。作為形成陽極時的布圖，可以采用使用光刻法等的化學蝕刻法來進行，也可以采用使用激光等的物理蝕刻法來進行，另外，也可以重疊掩模并進行真空蒸鍍或濺射等來進行，也可以采用提離(liftoff)法或印刷法來進行。作為陽極的厚度，可以根據(jù)構(gòu)成陽極的材料進行適當選擇，不能籠統(tǒng)地進行規(guī)定，但通常為10nm50pm左右，優(yōu)選為50nm20|um。作為陽極的電阻值，優(yōu)選1030/口以下，更優(yōu)選102^/口以下。陽極為透明時，可以是無色透明的，也可以是有色透明的。為了從透明陽極側(cè)透出光，作為其透光率，優(yōu)選為60%以上，更優(yōu)選70%以上。對于透明陽極，在沢田豐主編的《透明電極膜的新進展》CMC發(fā)行(1999)(沢田豊監(jiān)修「透明電極膜O新展開」、乂一工厶、>一刊(1999))中有詳細記載，可以將其記載的內(nèi)容用于本發(fā)明。在使用耐熱性低的塑料基材時，優(yōu)選使用ITO或IZO、在150'C以下的低溫下成膜得到的透明陽極。(陰極)陰極通常只要具有作為向有機化合物層注入電子的電極的功能即可，對其形狀、結(jié)構(gòu)、大小等沒有特殊限制，可以根據(jù)發(fā)光元件的用途、目的從公知的電極材料中適當選擇。作為構(gòu)成陰極的材料，例如可列舉出金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物、它們的混合物等。作為具體例子，可列舉出堿金屬(例如Li、Na、K、Cs等)、堿土類金屬(例如Mg、Ca等)、金、銀、鉛、鋁、鈉-鉀合金、鋰-鋁合金、鎂-銀合金、銦、鐿等稀土類金屬等。它們可以l種單獨使用，但從兼顧穩(wěn)定性和電子注入性的觀點出發(fā)，也可以適當?shù)?種以上同時使用。其中，作為構(gòu)成陰極的材料，從電子注入性的觀點出發(fā)，優(yōu)選堿金屬或堿土類金屬，從保存穩(wěn)定性優(yōu)異的觀點出發(fā)，優(yōu)選以鋁為主體的材料。以鋁為主體的材料是指單獨的鋁、鋁與0.0110質(zhì)量％的堿金屬或堿土類金屬的合金或它們的混合物(例如鋰-鋁合金、鎂-鋁合金等)。另外，關于陰極的材料，在日本特開平2-15595號公報、日本特開平5-121172號公報中有詳細記載，這些公報中記載的材料可以適用于本發(fā)明。對于陰極的形成方法沒有特殊限制，可以依照公知的方法進行。考慮到與上述構(gòu)成陰極的材料的適應性，可以依照從例如下述方法中適當選擇的方法來形成例如印刷方式、涂布方式等濕式方式、真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等物理方式、CVD、等離子體CVD法等化學方式等。例如選擇金屬等作為陰極的材料時，可以依照濺射法對1種或2種以上的金屬同時或依次進行。形成陰極時的布圖，可以采用使用光刻法等的化學蝕刻法來進行，也可以采用使用激光等的物理蝕刻法來進行，也可以層疊掩模用真空蒸鍍或濺射等來進行，也可以用提離法或印刷法來進行。本發(fā)明中，陰極形成位置沒有特殊限制，可以在有機化合物層的全部上形成，也可以在其一部分上形成。另外，在陰極和上述有機化合物層之間可以將堿金屬或堿土類金屬的氟化物、氧化物等形成的電介質(zhì)層以0.15nm的厚度插入。該電介質(zhì)層也可以看作為一種電子注入層。電介質(zhì)層可以利用例如真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等來形成。陰極的厚度可以根據(jù)構(gòu)成陰極的材料進行適當選擇，不能夠籠統(tǒng)地進行規(guī)定，但通常為10訓5,左右，優(yōu)選為50nml[im。另外，陰極可以是透明的，也可以是不透明的。透明的陰極可以通過將陰極材料較薄地形成厚度為110nm的膜、進而層疊ITO或IZO等透明的導電性材料來形成。(有機化合物層)對本發(fā)明中的有機化合物層進行說明。本發(fā)明的有機EL元件具有包含發(fā)光層的至少一層的有機化合物層，作為有機發(fā)光層以外的其它的有機化合物層，如前所述，可列舉出空穴輸送層、電子輸送層、電荷阻擋層、空穴注入層、電子注入層等各層。((有機化合物層的形成))本發(fā)明的有機EL元件中，構(gòu)成有機化合物層的各層可以采用蒸鍍法或濺射法等干式制膜法、轉(zhuǎn)印法、印刷法等中的任何一種適當?shù)匦纬伞?(有機發(fā)光層))有機發(fā)光層是具有如下功能的層，即當施加電場時，從陽極、空穴注入層或空穴輸送層接收空穴，從陰極、電子注入層或電子輸送層接收電子，提供空穴與電子再結(jié)合的場所并使其發(fā)光。本發(fā)明的發(fā)光層可僅由發(fā)光材料構(gòu)成，也可以是基質(zhì)材料與發(fā)光材料的混合層。發(fā)光材料可以是熒光發(fā)光材料，也可以是磷光發(fā)光材料，摻雜物可以是l種，也可以是2種以上?；|(zhì)材料優(yōu)選為電荷輸送材料。基質(zhì)材料可以是l種，也可以是2種以上，例如可列舉出電子輸送性的基質(zhì)材料與空穴輸送性的基質(zhì)材料混合而成的結(jié)構(gòu)。另外，發(fā)光層中還可以含有不具有電荷輸送性、不發(fā)光的材料。發(fā)光層可以是l層，也可以是2層以上，各層可按不同的發(fā)光色進行發(fā)光。作為可用于本發(fā)明的熒光發(fā)光材料的例子，例如可列舉出苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基苯衍生物、聚苯衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘二甲酰亞胺衍生物、香豆素衍生物、稠合芳香族化合物、紫環(huán)酮衍生物、噁二唑衍生物、噁嗪衍生物、醛連氮衍生物、Pyraridine(匕。，！J^y)衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、雙苯乙烯基蒽衍生物、喹吖酮衍生物、吡咯并吡啶衍生物、噻二唑吡啶衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、苯乙烯胺衍生物、二酮吡咯并吡咯衍生物、芳香族二次甲基化合物、以8-羥基喹啉衍生物的金屬配位化合物或亞甲基吡咯衍生物的金屬配位化合物為代表的各種金屬配位化合物等、聚噻吩、聚亞苯基、聚亞苯基亞乙烯基等聚合物化合物、有機硅垸衍生物等化合物等。另外，可用于本發(fā)明的磷光發(fā)光材料，例如可列舉出含有過渡金屬原子或鑭系原子的配位化合物。作為過渡金屬原子，沒有特殊限制，優(yōu)選可列舉出釕、銠、鈀、鎢、錸、鋨、銥和鉑，更優(yōu)選錸、銥和鉑。作為鑭系原子，可列舉出鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、镥。在這些鑭系原子中，優(yōu)選釹、銪、釓。作為配位化合物的配位體，例如可列舉出G.Wilkinson等著，ComprehensiveCoordinationChemistry,PergamonPress公司1987年發(fā)j?。籋.Yersin著，《PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinationCompoundsSpringer-verlag公司1987年發(fā)行；山本明夫著《有機金屬化學一基礎和應用一》裳華房社1982年(山本明夫著「有機金屬化學一基礎i:応用一」裳華房社l982年)發(fā)行等中記載的配位體等。作為具體的配位體，優(yōu)選為鹵素配位體(優(yōu)選氯配位體)、含氮雜環(huán)配位體(例如苯基吡啶、苯并喹啉、羥基喹啉、二吡啶、菲繞啉等)、二酮配位體(例如乙酰丙酮等)、羧酸配位體(例如醋酸配位體等)、一氧化碳配位體、異腈配位體、氰基配位體，更優(yōu)選為含氮雜環(huán)配位體。上述配位化合物在化合物中可以具有一個過渡金屬原子，另外，也可以是具有2個以上的所謂雙核配位化合物。也可以同時含有不同種類的金屬原子。磷光發(fā)光材料優(yōu)選在發(fā)光層中的含量為0.140質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.520質(zhì)量％。另外，作為本發(fā)明發(fā)光層中含有的基質(zhì)材料，例如可列舉出具有咔唑骨架的材料、具有二芳基胺骨架的材料、具有吡啶骨架的材料、具有吡嗪骨架的材料、具有三嗪骨架的材料以及具有芳基硅烷骨架的材料或在后述的空穴注入層、空穴輸送層、電子注入層、電子輸送層的項下例示的材料。發(fā)光層的厚度沒有特殊限制，但通常優(yōu)選為lnm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm，進一步優(yōu)選為10nm100nm。((空穴注入層、空穴輸送層))空穴注入層、空穴輸送層是具有從陽極或陽極側(cè)接收空穴并將其輸送到陰極側(cè)的功能的層?？昭ㄗ⑷雽?、空穴輸送層具體優(yōu)選為含有咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代査耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氨烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、芳香族二次甲基類化合物、卟啉類化合物、有機硅垸衍生物、碳等的層。從降低驅(qū)動電壓的觀點出發(fā)，空穴注入層、空穴輸入層的厚度分別優(yōu)選在50nm以下。作為空穴輸送層的厚度，優(yōu)選為lnm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm，進一步優(yōu)選為10nm100nm。另夕卜，作為空穴注入層的厚度，優(yōu)選為0.1nm200nm，更優(yōu)選為0.5nm100腿，進一步優(yōu)選為lnm100nm?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭ㄝ斔蛯涌梢允怯缮鲜霾牧系?種或2種以上構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以是由相同組成或不同種組成的多個層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。((電子注入層、電子輸送層))電子注入層、電子輸送層是具有從陰極或陰極側(cè)接收電子并將其輸送到陽極側(cè)的功能的層。電子注入層、電子輸送層具體優(yōu)選為含有三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、芴酮衍生物、蒽醌二甲垸衍生物、蒽酮衍生物、二苯基苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、萘、茈等芳香環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、以8-羥基喹啉衍生物的金屬配位化合物或配位體是金屬酞菁、苯并噁唑或苯并噻唑的金屬配位化合物為代表的各種金屬配位化合物、有機硅烷衍生物等的層。從降低驅(qū)動電壓的觀點出發(fā)，電子注入層、電子輸送層的厚度優(yōu)選分別為50nm以下。作為電子輸送層的厚度，優(yōu)選為lnm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm，進一步優(yōu)選為10nm100nm。另夕卜，作為電子注入層的厚度，優(yōu)選為0.1nm200nm，更優(yōu)選為0.2nm100nm，進一步優(yōu)選為0.5nm50nm。電子注入層、電子輸送層可以是由上述材料的1種或2種以上構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以是由相同組成或不同種組成的多個層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。(空穴阻斷層)空穴阻斷層是具有防止從陽極側(cè)輸送到發(fā)光層的空穴穿過陰極側(cè)的功能的層。本發(fā)明中，作為在陰極側(cè)與發(fā)光層鄰接的有機化合物層，可以設置空穴阻斷層。作為構(gòu)成空穴阻斷層的有機化合物的例子，可列舉出BAIq等鋁配位化合物、三唑衍生物、BCP等菲繞啉衍生物等。作為空穴阻斷層的厚度，優(yōu)選為lnm500nm，更優(yōu)選為5nm200nm，進一步優(yōu)選為10nm100nm。空穴阻斷層可以是由上述材料的1種或2種以上構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可以是由相同組成或不同種組成的多個層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。(保護層)本發(fā)明中，有機EL元件整體可以被保護層保護。作為保護層中含有的材料，優(yōu)選具有平坦化作用的材料、具有抑制水分和氧氣進入元件內(nèi)部的作用的材料。作為具體例子，可列舉出In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni等金屬，MgO、SiO、Si02、A1203、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe203、Y203、1102等金屬氧化物，SiNx等金屬氮化物，SiNxOy等金屬氮氧化物，MgF2、LiF、A1F3、CaF2等金屬氟化物，聚乙烯，聚丙烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰亞胺，聚脲，聚四氟乙烯，聚氯三氟乙烯，聚二氯二氟乙烯，氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物，使含有四氟乙烯和至少1種共聚用單體的單體混合物共聚而獲得的共聚物，共聚主鏈上具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的含氟共聚物，吸水率為1%以上的吸水性物質(zhì)，吸水率為0.1%以下的防濕性物質(zhì)等。其中，優(yōu)選金屬的氧化物、氮化物、氮氧化物，特別優(yōu)選硅的氧化物、氮化物、氮氧化物。對于保護層的形成方法沒有特殊限制，例如可以使用真空蒸鍍法、濺射法、反應性濺射法、MBE(分子射線外延)法、離子團束法、離子鍍法、等離子體聚合法(高頻激發(fā)離子鍍法)、等離子體CVD法、激光CVD法、熱CVD法、氣源CVD法、真空紫外CVD法、涂布法、印刷法、轉(zhuǎn)印法。本發(fā)明中，保護層也可以作為導電性層使用。(封固)進而，本發(fā)明的有機EL元件可以用封固容器將元件整體封固。另外，封固容器和發(fā)光元件之間的空間也可以封入吸水劑或惰性液體。作為吸水劑，沒有特殊限制，例如可列舉出氧化鋇、氧化鈉、氧化鉀、氧化釣、硫酸鈉、硫酸鈣、硫酸鎂、五氧化二磷、氯化鈣、氯化鎂、氯化銅、氟化銫、氟化鈮、溴化鈣、溴化釩、分子篩、沸石、氧化鎂等。作為惰性液體，沒有特殊限制，例如可列舉出石蠟類、液體石蠟類、全氟烷烴和全氟胺、全氟醚等氟類溶劑、氯類溶劑、硅油類。作為其它的封固法，可以使用所謂的固體封固法。固體封固法是指在有機EL元件上形成保護層之后、將粘接劑層、阻隔性支撐體層重疊并進行固化的方法。粘接劑沒有特殊限制，可例舉出熱固化性環(huán)氧樹脂、光固化性丙烯酸樹脂等。阻隔性支撐體可以是玻璃，也可以是本發(fā)明的阻隔性薄膜。進而，作為其它封固法，可以使用所謂的膜封固法。膜封固法是指在有機EL元件上設置無機層、有機層的交替層疊體的方法。在設置交替層疊體之前也可以用保護層將有機EL元件覆蓋。本發(fā)明的有機EL元件可以通過在陽極和陰極之間施加直流(根據(jù)需要也可以含有交流成分)電壓(通常為2伏特15伏特)或直流電流而獲得發(fā)光。對于本發(fā)明的有機EL元件的驅(qū)動方法，可以使用日本特開平2—148687號、日本特開平6—301355號、日本特開平5—29080號、日本特開平7—134558號、日本特開平8—234685號、日本特開平8—241047號的各個公報、日本專利第2784615號、美國專利5828429號、美國專利6023308號的各個說明書等中記載的驅(qū)動方法。<太陽電池>本發(fā)明的氣體阻隔薄膜也可作為太陽電池元件的封固薄膜使用。這里，本發(fā)明的氣體阻隔薄膜優(yōu)選以粘接層位于靠近太陽電池元件一側(cè)的方式進行封固。作為優(yōu)選使用本發(fā)明的氣體阻隔薄膜的太陽電池元件，沒有特殊限制，可列舉出單晶硅類太陽電池元件、多晶硅類太陽電池元件、以單連接型或串聯(lián)結(jié)構(gòu)型等構(gòu)成的非結(jié)晶型硅類太陽電池元件、砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)等III-V族化合物半導體太陽電池元件、碲化鎘(CdTe)等II-VI族化合物半導體太陽電池元件、銅/銦/硒類(所謂的CIS類)、銅/銦/鎵/硒類(所謂的CIGS類)、銅/銦/鎵順/硫類(所謂的CIGSS類)等I-III-VI族化合物半導體太陽電池元件、色素增感型太陽電池元件、有機太陽電池元件等。其中，本發(fā)明中的上述太陽電池元件優(yōu)選銅/銦/硒類(所謂的CIS類)、銅湖/鎵/硒類(所謂的CIGS類)、銅/銦/鎵順/硫類(所謂的CIGSS類)等I-III-VI族化合物半導體太陽電池元件。實施例以下列舉實施例更具體地說明本發(fā)明的特征。下述實施例中所示的材料、用量、比例、處理內(nèi)容、處理順序等只要不脫離本發(fā)明的主旨，均可適當變化。因此，本發(fā)明的范圍不應當限制性地解釋為以下所示的具體例子。實施例1氣體阻隔性薄膜的制作和評價制作由圖1所示的層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的氣體阻隔性薄膜。圖1中，1表示聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜，2表示有機層，3—1和3—2表示氮化硅層，4表示氫化氮化硅層。(1)支撐體的配制以聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜(PEN薄膜，帝人杜邦公司制，商品名TEONEXQ65FA)為支撐體。在該支撐體的單面上用以下方法形成有機層。(2)有機層的形成向上述支撐體的單面，用棒涂法涂布由下述組成構(gòu)成的有機層涂布液。涂布量為5cc/m2，利用氮置換法將室(chamber)內(nèi)的氧氣濃度降至0.1%以下，在該室內(nèi)照射高壓汞燈的紫外線(累積照射量約為2J/cm2)，使有機層固化，從而形成有機層。<有機層涂布液>-丙烯酸酯單體BEPGA20g-紫外線聚合引發(fā)劑Irgacure907(CibaSpecialtychemicals)0.6g-2-丁酮190g此時的膜厚為500nm士50nm。(3)無機層的形成在上述形成的有機層表面利用等離子體CVD法形成無機層(依次為氮化硅層、氫化氮化硅層、氮化硅層)。將涂布了有機層的基板放置在反應室內(nèi)，在減壓下導入依照下述記載的等離子體CVD原料氣體配方1配制的原料氣體，投入13.56MHz的高頻電力一定時間，使之產(chǎn)生等離子體，形成氮化硅層(除Si以外的N成分97摩爾％)。使其厚度為50nm。導入依照下述記載的下一個等離子體CVD原料氣體配方2配制的原料氣體，同樣地形成氫化氮化硅層(除Si以外的N成分36摩爾％，H成分63摩爾％)。使其厚度為lOOnm。進而，再一次導入依照下述記載的等離子體CVD原料氣體配方1配制的原料氣體，形成氮化硅層(除Si以外的N成分97摩爾％)。使其厚度為50nm。每層形成時均停止一次等離子體。在本實施例中，無機層的總厚度為200nm士10nm。<等離子體CVD原料氣體配方1>硅垸氣體25sccm氨氣15sccm氮氣200sccm<等離子體CVD原料氣體配方2>硅烷氣體25sccm氨氣50sccm氮氣165sccm實施例2制作由圖2所示的層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的氣體阻隔性薄膜。圖2中，l表示聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜，2表示有機層，3—1和3—2表示氮化硅層，4表示氫化氮化硅層，5—1和5—2表示氫流量變化時形成的氫組成變化層。與實施例l同樣，在支撐體上形成有機層和氮化硅層(除Si以外的N成分97摩爾％)。在其上，僅在形成厚約50nm的氮化硅層所需的時間內(nèi)，導入實施例l中使用的依照等離子體CVD原料氣體配方1配制的氣體。然后，在不停止電力投入并維持等離子體產(chǎn)生的狀態(tài)下，將導入的氣體轉(zhuǎn)變?yōu)閷嵤├?中使用的依照等離子體CVD原料氣體配方2配制的氣體。僅在形成厚約100nm的氫化氮化硅層所需的時間內(nèi)，導入依照等離子體CVD原料氣體配方2配制的氣體。之后，在不停止電力投入并維持等離子體產(chǎn)生的狀態(tài)下，導入依照等離子體CVD原料氣體配方1配制的氣體。導入依照等離子體CVD原料氣體配方1配制的氣體，直至經(jīng)過厚約50nm的氮化硅層形成約50nm的吋間，之后停止電力投入。在本實施例中，無機層的總厚度為200nm士10nm。實施例3制作由圖3所示的層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的氣體阻隔性薄膜。圖3中，l表示聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜，2—1、2-2、2—3表示有機層，3—1和3—2表示氮化硅層，4表示氫化氮化硅層。依照實施例1和實施例2中記載的方法，依次制作支撐體、有機層、氮化硅層(50nm厚，除Si以外的N成分97摩爾％)、有機層、氫化氮化硅層(150nm厚，除Si以外的N成分36摩爾％、H成分63摩爾％)、有機層、氮化硅層(50nm厚，除Si以外的N成分97摩爾％)。實施例4將實施例1中有機層的丙烯酸酯單體替換為20g下述化合物，其它同樣地進行。比較例1制作由圖4所示的層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的氣體阻隔性薄膜。圖4中，l表示聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜，2表示有機層，3表示氮化硅層。依照實施例1和實施例2中記載的方法，依次制作支撐體、有機層、氮化硅層(200nm厚，除Si以外的N成分97摩爾％)。水蒸氣阻隔性能評價試驗用水蒸氣透過率測定器(MOCON公司制，PERMATRAN—W3/31)測定在上述實施例13和比較例1中制作的各個氣體阻隔性薄膜在4(TC、相對濕度為卯％下的水蒸氣透過率。該測定的檢測限值為0.005g/m2/day。在不彎曲各個氣體阻隔性薄膜而進行測定時、以及以曲率半徑20mm(20mmR)重復彎曲100次后測定時的結(jié)果如表1所示。氣體阻隔性薄膜的彎曲用圓筒形Mandrel法(JISK5600—5—1)進行。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>由上述表1可知，通過形成具有氮化硅層和氫化氮化硅層的層疊結(jié)構(gòu)，與以往提出的氣體阻隔性薄膜相比，可以得到在具有更高的水蒸氣阻隔性能的同時、耐彎曲性也優(yōu)異的氣體阻隔性薄膜。特別是，在實施例2中，使氫組成變化層、氫化氮化硅層、氫組成變化層連續(xù)地成膜，其結(jié)果是，能夠獲得與實施例1相比更耐彎曲的氣體阻隔性薄膜。另外，在實施例3中，通過設置多層的有機層，使這些層作為應力緩和層發(fā)揮作用，能夠獲得與實施例1相比更耐彎曲的氣體阻隔性薄膜。實施例4有機EL元件的制作和評價(1)有機EL元件的制作用2-丙醇將具有ITO膜的導電性玻璃基板(表面電阻值10Q/口)洗滌后，進行10分鐘的UV—臭氧處理。在該基板(陽極)上用真空蒸鍍法依次蒸鍍以下的層。(第l空穴輸送層)銅酞菁膜厚10nm(第2空穴輸送層)N,N'-二苯基-N，N'-二萘基聯(lián)苯胺膜厚40nm(發(fā)光層兼電子輸送層)三(8-羥基喹啉)鋁膜厚60nm最后依次蒸鍍氟化鋰lnm、金屬鋁100nm并作為陰極，在其上利用平行平板CVD法添加厚度為5pm的氮化硅膜，制成有機EL元件。(2)在有機EL元件上設置氣體阻隔層使用熱固化型粘接劑(DaizoNichimoly株式會社制，Epo-Tek310)，貼合實施例1或?qū)嵤├?的氣體阻隔性薄膜，在65t:下加熱3小時使粘接劑固化。制作如此封固的有機EL元件各20個。(3)有機EL元件發(fā)光面狀的評價用Keithley公司制SMU2400型SourceMeasureUnit對剛制作后的有機EL元件施加7V的電壓使之發(fā)光。用顯微鏡觀察發(fā)光面狀，結(jié)果是確認每個元件都發(fā)出沒有黑點的均勻的光。另外，確認在60°C/90°CRH的環(huán)境下即使經(jīng)過500小時后，每個元件仍然發(fā)出沒有黑點的均勻的光。本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜的水蒸氣阻隔性非常高。另外，本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜即使彎曲也能夠維持高的水蒸氣阻隔性。因此，本發(fā)明的氣體阻隔性薄膜可以有效地用于以易彎曲的有機EL元件為首的廣泛用途。權(quán)利要求1.一種氣體阻隔性薄膜，其特征在于，在撓性支撐基板的表面上具有至少1層的氫化氮化硅層和至少1層的氮化硅層。2.根據(jù)權(quán)利要求1中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述氫化氮化硅層與所述氮化硅層鄰接。3.根據(jù)權(quán)利要求2中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述氫化氮化硅層與所述氮化硅層之間的組成連續(xù)地變化，沒有明確的界面。4.根據(jù)權(quán)利要求13的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述氮化硅層含有氧氮化硅。5.根據(jù)權(quán)利要求13的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述氫化氮化硅層含有氫化氧氮化硅。6.根據(jù)權(quán)利要求13的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述氫化氮化硅層的除硅以外的成分中的氮成分為45摩爾％以下，且氫成分為30摩爾％以上。7.根據(jù)權(quán)利要求13的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述氫化氮化硅層的膜厚為50300nm。8.根據(jù)權(quán)利要求13的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述氮化硅層的膜厚為10300nm。9.根據(jù)權(quán)利要求13的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述氣體阻隔性薄膜具有至少1層的有機層。10.根據(jù)權(quán)利要求9中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述有機層是由含有2官能團丙烯酸酯和3官能團丙烯酸酯中的至少1種的組合物固化而形成的。11.根據(jù)權(quán)利要求9中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述有機層含有2官能團甲基丙烯酸酯和3官能團甲基丙烯酸酯中的至少1種。12.根據(jù)權(quán)利要求9中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述有機層是由含有至少1種雙酚類的(甲基)丙烯酸酯的組合物固化而形成的。13.根據(jù)權(quán)利要求112的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜，其特征在于，所述撓性支撐基板為聚酯。14.一種有機器件，其特征在于，其采用了權(quán)利要求113的任意一項中記載的氣體阻隔性薄膜。15.根據(jù)權(quán)利要求14中記載的有機器件，其特征在于，所述氣體阻隔性薄膜用于封固。16.根據(jù)權(quán)利要求14中記載的有機器件，其特征在于，所述有機器件在由所述氣體阻隔性薄膜構(gòu)成的基板表面上具有有機器件材料，且在撓性支撐基板的形成有無機層的一側(cè)的面上層疊有所述有機器件材料。17.根據(jù)權(quán)利要求1416的任意一項中記載的有機器件，其特征在于，所述有機器件為有機電致發(fā)光顯示裝置、液晶顯示裝置、觸摸面板以及太陽電池中的任意一個。全文摘要本發(fā)明提供一種氣體阻隔性薄膜，其在撓性支撐基板的表面上設置至少1層的氫化氮化硅層和至少1層的氮化硅層。該薄膜具有高的氣體阻隔性。文檔編號B32B33/00GK101391498SQ200810165630公開日2009年3月25日申請日期2008年9月19日優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日發(fā)明者伊藤滋英,千賀武志申請人:富士膠片株式會社