專(zhuān)利名稱(chēng)：純銅被覆銅箔及其制造方法，及tab帶及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及純銅被覆銅箔及其制造方法，以及TAB帶及其制造方法，詳細(xì)地說(shuō)，涉及TAB帶制造用純銅被覆銅箔及其制造方法，以及TAB帶及其制造方法。
背景技術(shù)：
TAB(卷帶自動(dòng)接合)方式是謀求IC或LSI等半導(dǎo)體元件的安裝自動(dòng)化及高速化的技術(shù)。TAB方式，具體的是使用把長(zhǎng)尺寸狀等聚酰亞胺等可撓性絕緣膜上粘接的銅箔進(jìn)行蝕刻，在該膜上形成含內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)及外導(dǎo)線(xiàn)的銅導(dǎo)線(xiàn)的TAB帶，通過(guò)把基板的墊片和上述外導(dǎo)線(xiàn)的墊片、上述內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)墊片和半導(dǎo)體元件的墊片一起連接，把基板和半導(dǎo)體元件進(jìn)行連接。還有，在本發(fā)明中，所謂TAB方式，意指除在可撓性絕緣膜上形成元件孔的一般的TAB方式外，還包括除在可撓性絕緣膜上不形成元件孔外與一般的TAB方式同樣的COF方式(膜上芯片)。因此，本發(fā)明中的TAB帶，還包括COF方式中使用的COF帶。
在上述TAB帶中，上述內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)墊片和半導(dǎo)體元件墊片的連接，以及上述外導(dǎo)線(xiàn)墊片和基板墊片的連接，通過(guò)焊錫孔等焊接材料來(lái)進(jìn)行。因此，內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)或外導(dǎo)線(xiàn)的墊片，與焊錫材料的潤(rùn)濕性?xún)?yōu)者是優(yōu)選的，通常在內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)及外導(dǎo)線(xiàn)的墊片表面實(shí)施與焊錫潤(rùn)濕性良好的電鍍錫。還有，電鍍錫還具有抑制形成內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)及外導(dǎo)線(xiàn)的銅的表面氧化的效果。
然而，當(dāng)銅導(dǎo)線(xiàn)上形成的鍍錫被膜未作特別處理時(shí)，隨時(shí)間推移，從被膜表面產(chǎn)生由針狀結(jié)晶構(gòu)成的錫晶須，成為線(xiàn)路短路的原因。因此，通常對(duì)鍍錫被膜進(jìn)行熱處理(熔融處理)，形成不產(chǎn)生錫晶須的鍍錫被膜。
但是，當(dāng)進(jìn)行這種熔融處理時(shí)，容易在銅層和鍍錫層的界面，可能是通過(guò)克肯達(dá)爾效應(yīng)形成的空隙。然而，該空隙產(chǎn)生的原因不詳，但判明是在各種低粗糙度箔中的一種中容易產(chǎn)生。因此，這種低粗糙度箔，作為原來(lái)的線(xiàn)路寬度大的TAB帶用銅箔，具有充分的可靠性，使用是沒(méi)有問(wèn)題的，近幾年來(lái)，伴隨著精細(xì)節(jié)距的要求，作為線(xiàn)路寬度變小的TAB帶用銅箔，由于對(duì)熔融處理的線(xiàn)路的可靠性不充分，故使用困難。
針對(duì)這種情況，專(zhuān)利文獻(xiàn)1(特開(kāi)2002-16111號(hào)公報(bào))公開(kāi)了在銅箔的至少光澤而上具有由鎳、鈷及鉬構(gòu)成的合金層的TAB帶用銅箔。如果采用該銅箔，可以得到具有可靠性高的Sn金屬須及克肯達(dá)爾空隙抑制效果的TAB帶。
然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的方法中，由于在銅表面上形成由鎳、鈷及鉬構(gòu)成的合金層，所以，存在的問(wèn)題是由這些不同種金屬構(gòu)成的合金層使線(xiàn)路形成時(shí)的銅箔的蝕刻性惡化。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的，是提供一種即使對(duì)鍍錫層進(jìn)行熔化處理，實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生空隙并且蝕刻性良好的銅箔。本發(fā)明的另一目的，是提供一種即使對(duì)鍍錫層進(jìn)行熔化處理，也實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生空隙的TAB帶。
鑒于上述情況，本發(fā)明人進(jìn)行悉心探討的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)在銅箔的至少光澤面上形成純銅電鍍層時(shí)，所得到的純銅被覆銅箔，即使對(duì)該純銅電鍍層上形成的鍍錫層進(jìn)行熔融處理也實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生空隙，而完成本發(fā)明。另外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，從底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路表面上形成純銅電鍍層的TAB帶，即使對(duì)該純銅電鍍層上形成的鍍錫層進(jìn)行熔融處理也實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生空隙，完成本發(fā)明。
即，本發(fā)明提供的純銅被覆銅箔，其中，至少在底層銅箔的光澤面上形成有純銅電鍍層。
本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔中，上述純銅電鍍層的厚度在0.3μm或0.3μm以上。
在制造本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔時(shí)，采用Cl-離子濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，以底層銅箔側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在底層銅箔的至少光澤面上形成純銅電鍍層。
另外，在本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔制造方法中，上述硫酸-硫酸銅水溶液的Cu2+離子濃度優(yōu)選為40g/l～120g/l、游離的SO42-離子濃度優(yōu)選為100g/l～200g/l。
在本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔制造方法中，采用Cl-離子濃度為2.0mg/l或2.0mg/l以下、蛋白質(zhì)濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，以底層銅箔側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在底層銅箔的至少光澤面上形成純銅電鍍層。
在本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔制造方法中，上述硫酸-硫酸銅水溶液的Cu2+離子濃度優(yōu)選為40g/l～120g/l、游離的SO42-離子濃度優(yōu)選為100g/l～200g/l。
另外，本發(fā)明提供一種TAB帶，其在由底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路的表面上形成有純銅電鍍層。
在上述TAB帶中，所述純銅電鍍層厚度優(yōu)選為0.3μm或0.3μm以上。
在上述TAB帶的制造方法中，優(yōu)選采用Cl-離子濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，以由底層銅箔形成的底層線(xiàn)路側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅線(xiàn)路的表面上形成純銅電鍍層。
在上述TAB帶的制造方法中，上述硫酸-硫酸銅水溶液的Cu2+離子濃度優(yōu)選為40g/l～120g/l、游離的SO42-離子濃度優(yōu)選為100g/l～200g/l。
在上述TAB帶的制造方法中，優(yōu)選的是，采用Cl-離子濃度為2.0mg/l或2.0mg/l、蛋白質(zhì)濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，以由底層銅箔側(cè)形成的底層銅線(xiàn)路側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅箔的線(xiàn)路表面上形成純銅電鍍層。
在上述TAB帶的制造方法中，上述硫酸-硫酸銅水溶液的Cu2+離子濃度優(yōu)選為40g/l～120g/l、游離的SO42-離子濃度優(yōu)選為100g/l～200g/l。
另外，在上述TAB帶的制造方法中，優(yōu)選的是，采用含有Cu2+離子濃度為1g/l～5g/l、Cl-離子濃度0.5mg/l或0.5mg/l以下、羅謝爾鹽或EDTA·4Na的至少1種的絡(luò)合劑濃度為10g/l～100g/l、作為還原劑的甲醛，并且，pH10～13.5的硫酸銅非電解電鍍液，進(jìn)行非電解電鍍，在由底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路的表面上形成純銅電鍍層。
本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔，通過(guò)把形成有電鍍錫層的表面作為純銅電鍍層，在形成電鍍錫層后即使進(jìn)行熔融處理也實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生空隙，適于作為T(mén)AB帶制造用銅箔。另外，采用本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的制造方法，可適當(dāng)?shù)刂圃毂景l(fā)明涉及的純銅被覆銅箔。
本發(fā)明涉及的TAB帶，通過(guò)把形成有電鍍錫層的表面作為純銅電鍍層，在形成電鍍錫層后，即使進(jìn)行熔融處理也實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生空隙。采用本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的制造方法，可適當(dāng)制造本發(fā)明涉及的TAB帶。
圖1是實(shí)施例1中制作的形成鍍錫被膜的純銅被覆銅箔的斷面照片。
圖2是實(shí)施例2中制作的形成鍍錫被膜的純銅被覆銅箔的斷面照片。
圖3是實(shí)施例3中制作的形成鍍錫被膜的純銅被覆銅箔的斷面照片。
圖4是實(shí)施例4中制作的形成鍍錫被膜的純銅被覆銅箔的斷面照片。
圖5是比較例中制作的形成鍍錫被膜的純銅被覆銅箔的斷面照片。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔是在底層銅箔的至少光澤而上形成純銅電鍍層的純銅被覆銅箔。在本說(shuō)明書(shū)中所謂底層銅箔，意指表面未形成有純銅電鍍層的未處理銅箔。這里的所謂未處理銅箔，意指未進(jìn)行厚度不勻處理、燒鍍等粗糙化處理的銅箔。
作為本發(fā)明中使用的未處理銅箔，可以舉出未處理電解銅箔。未處理電解銅箔，與未處理軋制銅箔相比，在電鍍錫后的熔融處理中，具有容易產(chǎn)生空隙的缺點(diǎn)，另一方面具有廉價(jià)而蝕刻性?xún)?yōu)良的優(yōu)點(diǎn)，因此，在改善容易產(chǎn)生空隙的缺點(diǎn)的本發(fā)明中當(dāng)用作底層銅箔時(shí)，可以活用未處理電解銅箔的上述優(yōu)點(diǎn)，故是優(yōu)選的。特別是在形成具有10μm左右節(jié)距的極精細(xì)線(xiàn)路時(shí)，由于未處理軋制銅箔蝕刻性不良，故優(yōu)選未處理電解銅箔。
另外，未處理電解銅箔中未處理的低粗糙度電解銅箔，與未處理的普通粗糙度電解銅箔相比，電鍍錫后進(jìn)行熔融處理時(shí)具有易產(chǎn)生空隙的缺點(diǎn)，而另一方面具有粗糙面的粗糙度低的優(yōu)點(diǎn)，故在改善易產(chǎn)生空隙的缺點(diǎn)的本發(fā)明中當(dāng)用作底層銅箔時(shí)，可以活用未處理的低粗糙度電解銅箔的上述優(yōu)點(diǎn)，故是優(yōu)選的。
另外，若在表面形成Cl含量少的純銅電鍍層，則可以抑制空隙的發(fā)生，這可以根據(jù)本發(fā)明完成中得到的發(fā)現(xiàn)來(lái)進(jìn)行推測(cè)，本來(lái)，推測(cè)為未處理電解銅箔中的Cl含量少者，對(duì)抑制空隙的發(fā)生是優(yōu)選的，但本發(fā)明中使用的未處理電解銅箔，在銅箔中即使Cl的含量以重量為基準(zhǔn)達(dá)到例如40ppm左右，或者含量比其更高，空隙的發(fā)生未產(chǎn)生特別的問(wèn)題。即，在本發(fā)明中，通過(guò)在表面形成純銅電鍍層可以抑制由熔融處理引起的空隙的發(fā)生，所以，作為底層銅箔的未處理電解銅箔的Cl濃度不作特別限定。因此，在本發(fā)明中，即使采用Cl含量多的未處理電解銅箔，也可以在TAB帶的用途中使用，具有未處理電解銅箔的選擇范圍，考慮到物性、價(jià)格等可自由選擇的優(yōu)點(diǎn)。
在本說(shuō)明書(shū)中，所謂未處理的低粗糙度電解銅箔，意指未處理的電解銅箔，其具有銅箔厚18μm、粗面粗糙度Rz達(dá)到3.5μm或3.5μm以下的組成及結(jié)晶結(jié)構(gòu)。在這里，所謂粗糙度Rz，意指JIS B0601-1982中規(guī)定的十點(diǎn)平均粗糙度。
還有，未處理電解銅箔的粗面粗糙度Rz，由于與未處理電解銅箔的厚度大致成比例增減，所以，當(dāng)未處理電解銅箔的厚度大于18μm時(shí)，例如為35μm時(shí)，粗面粗糙度Rz，如上所述，有時(shí)未達(dá)到3.5μm或3.5μm以下。然而，即使在這種情況下，未處理電解銅箔的電解條件中的電解時(shí)間以外的電解條件，例如電解液組成及電流密度同樣時(shí)，由于不涉及電解銅箔厚度差異的未處理電解銅箔的本身組成及結(jié)晶結(jié)構(gòu)大致相同，故在本發(fā)明中判斷為未處理的低粗糙度電解銅箔。
本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔，是在底層銅箔的至少光澤面上形成純銅電鍍層的被覆銅箔。在本說(shuō)明書(shū)中所謂純銅電鍍層，意指實(shí)質(zhì)上不含Cu以外金屬成分，并且純銅電鍍層中的Cl含量以重量為基準(zhǔn)通常在30ppm或30ppm以下、優(yōu)選20ppm或20ppm以下、更優(yōu)選10ppm或10ppm以下組成的銅層。在本發(fā)明中，實(shí)質(zhì)上不含Cu以外金屬成分，并且純銅電鍍層中的Cl含量達(dá)到該范圍時(shí)，則難以產(chǎn)生由熔融處理引起的空隙。另外，純銅電鍍層可以含有，Cu以外的金屬成分或Cl以外的元素例如C、N等的含量，以這些元素的合計(jì)含量的重量為基準(zhǔn)，通常在200ppm或200ppm以下、優(yōu)選100ppm或100ppm以下、更優(yōu)選50ppm或50ppm以下。
純銅電鍍層，在底層銅箔的至少光澤面上形成。即，純銅電鍍層既可僅在底層銅箔的光澤面上形成，也可除光澤面外在粗糙面上形成。在本發(fā)明中，純銅電鍍層在底層銅箔的至少光澤面上形成的理由是由于TAB帶的內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)、外導(dǎo)線(xiàn)等中的電鍍錫被膜的形成面通常作為內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)等原料的底層銅箔的光澤面?zhèn)人隆?br>
在本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔中，純銅電鍍層的厚度必須考慮TAB帶制作時(shí)的蝕刻所造成的純銅電鍍層的厚度減少部分來(lái)決定，故不能統(tǒng)一決定，但采用蝕刻所造成的純銅電鍍層的厚度減少實(shí)質(zhì)上沒(méi)有時(shí)，純銅電鍍層的厚度通常在0.3μm或0.3μm以上，優(yōu)選0.3μm～25μm、更優(yōu)選0.7μm～2.0μm。
當(dāng)純銅電鍍層的厚度低于0.3μm時(shí)，難以充分抑制熔融處理后空隙的發(fā)生，故不是優(yōu)選的。另外，當(dāng)純銅電鍍層的厚度過(guò)厚達(dá)到必要的以上厚度時(shí)，熔融處理后空隙的發(fā)生抑制效果不僅不增加而且制造成本上升，是不理想的。
例如，當(dāng)純銅電鍍層的厚度高于25μm時(shí)，容易無(wú)法與線(xiàn)路的精細(xì)化相對(duì)應(yīng)。
還有，在制作TAB帶時(shí)，由蝕刻引起純銅被覆銅箔表面的純銅電鍍層的厚度減少時(shí)，本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的純銅電鍍層厚度達(dá)到該純銅電鍍層的厚度減少部分和上述純銅電鍍層的厚度之和。例如，在TAB帶制作時(shí)，當(dāng)由蝕刻引起的純銅電鍍層的厚度減少部分達(dá)到0.5μm時(shí)，本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的純銅電鍍層厚度通常為0.8μm或0.8μm以上、優(yōu)選0.8μm～25.5μm、更優(yōu)選1.2μm～2.5μm。
本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔，可根據(jù)需要對(duì)純銅電鍍層表面或不形成純銅電鍍層的底層銅箔表面的任何一方或雙方進(jìn)行防銹處理。當(dāng)進(jìn)行該防銹處理時(shí)，由于從制造純銅被覆銅箔后到將其粘接在TAB帶的聚酰亞胺等可撓性絕緣膜上為止的防銹性變好，故是優(yōu)選的。但是，在純銅電鍍層表面進(jìn)行防銹處理時(shí)，通過(guò)該處理形成的防銹處理層，必需是不對(duì)向TAB帶制造時(shí)的純銅電鍍層側(cè)的表面電鍍錫產(chǎn)生障礙的組成、厚度。
作為防銹處理，可以舉出無(wú)機(jī)防銹處理或有機(jī)防銹處理的任何一種或兩種。作為無(wú)機(jī)防銹處理，例如采用鋅、鎳及錫等金屬元素的至少1種的金屬防銹處理或鉻酸鹽處理等。
還有，金屬防銹處理在組合2種以上的鋅、鎳及錫等金屬元素時(shí)，通過(guò)金屬防銹處理形成的金屬防銹處理層，既可以是各金屬元素構(gòu)成的防銹處理層形成多層的多層結(jié)構(gòu)，也可以是通過(guò)防銹處理層形成時(shí)或多層結(jié)構(gòu)的防銹處理層形成后的熱處理等進(jìn)行合金化而具有的單層結(jié)構(gòu)。另外，無(wú)機(jī)防銹處理，當(dāng)在金屬防銹處理后進(jìn)行鉻酸鹽處理時(shí)，防銹處理層的防銹性達(dá)到更高，是優(yōu)選的。
作為形成有機(jī)防銹處理層的有機(jī)防銹處理劑，例如，可以舉出硅烷偶合劑、苯并三唑等。在無(wú)機(jī)防銹處理及有機(jī)防銹處理組合進(jìn)行時(shí)，在無(wú)機(jī)防銹處理層形成后形成有機(jī)防銹處理層是優(yōu)選的。作為上述無(wú)機(jī)處理及有機(jī)處理的處理方法，可以采用公知的方法。本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔，例如可采用下列本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的制造方法進(jìn)行制造。
本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的制造方法，第1方法采用實(shí)質(zhì)上不含Cl-離子的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液(下面也稱(chēng)作“第1硫酸-硫酸銅水溶液”)，以底層銅箔側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅箔的至少光澤面上形成純銅電鍍層的方法(下面也稱(chēng)作“銅箔的第1制造方法”)；第2方法采用Cl-離子濃度在特定值以下并且實(shí)質(zhì)上不含蛋白質(zhì)濃度的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液(下面也稱(chēng)作“第2硫酸-硫酸銅水溶液”)，以底層銅箔側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅箔的至少光澤面上形成純銅電鍍層的方法(下面也稱(chēng)作“銅箔的第2制造方法”)。
(銅箔的第1制造方法)首先，說(shuō)明銅箔的第1制造方法。在該方法中，作為電解液使用的第1硫酸-硫酸銅水溶液，作為離子實(shí)質(zhì)上僅含Cu2+及S042-，實(shí)質(zhì)上不含Cl-離子的水溶液。在這里，所謂本發(fā)明中使用的第1硫酸-硫酸銅水溶液實(shí)質(zhì)上不含Cl-離子，意指第1硫酸-硫酸銅水溶液中的Cl-離子濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下，優(yōu)選0.3mg/l或0.3mg/l以下、更優(yōu)選0.1mg/l或0.1mg/l以下。當(dāng)該Cl-離子濃度大于0.5mg/l時(shí)，通過(guò)電解形成的純銅電鍍層難以充分呈現(xiàn)空隙發(fā)生的抑制效果，故不優(yōu)選。
第1硫酸-硫酸銅水溶液，也可含有上述Cu2+、SO42-或Cl-離子以外的添加劑。作為該添加劑，例如可以舉出蛋白質(zhì)等有機(jī)物。另外，作為蛋白質(zhì)，例如可以舉出明膠、動(dòng)物膠等。當(dāng)添加劑為蛋白質(zhì)時(shí)，第1硫酸-硫酸銅水溶液的蛋白質(zhì)含量通常為5mg/l或5mg/l以下、優(yōu)選3mg/l或3mg/l以下的范圍。
還有，當(dāng)?shù)鞍踪|(zhì)含量大于5mg/l時(shí)，純銅電鍍層容易變硬發(fā)脆，是不理想的。
本發(fā)明中使用的第1硫酸-硫酸銅水溶液，Cu2+離子濃度通常為40g/l～120g/l，優(yōu)選60g/l～100g/l。當(dāng)Cu2+離子濃度小于40g/l時(shí)，即使電解，容易產(chǎn)生燒鍍，難以形成致密的銅層，是不理想的。另外，當(dāng)Cu2+離子濃度大于120g/l時(shí)，容易析出硫酸銅的結(jié)晶，是不理想的。
另外，本發(fā)明中使用的第1硫酸-硫酸銅水溶液，游離的SO42-離子濃度通常為100g/l～200g/l，優(yōu)選120g/l～180g/l。這里的所謂游離的SO42-離子濃度，表示將第1硫酸-硫酸銅水溶液中的Cu2+濃度，換算成CuSO4得到的SO42-濃度，從第1硫酸-硫酸銅水溶液中所含的全部SO42-濃度減去后的剩余SO42-濃度。當(dāng)游離的SO42-離子濃度小于100g/l時(shí)，溶液電阻變高，是不理想的。另外，當(dāng)游離的SO42-離子濃度大于200g/l時(shí)，在純銅電鍍層容易產(chǎn)生析出異常，是不理想的。
本發(fā)明中使用的第1硫酸-硫酸銅水溶液是例如，把硫酸添加至純水后，溶解硫酸銅，或把銅末等銅原料用稀硫酸或第1硫酸-硫酸銅水溶液溶解而得到的。
銅箔的第1制造方法是，用上述第1硫酸-硫酸銅水溶液作電解液，使底層銅箔側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在底層銅箔的至少光澤面上形成純銅電鍍層。本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的制造方法中使用的底層銅箔，與本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔說(shuō)明的底層銅箔同樣，故省略說(shuō)明。另外，作為以底層銅箔側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解的方法可以采用公知的方法，例如可以采用在第1硫酸-硫酸銅水溶液中設(shè)置陽(yáng)極，同時(shí)在底層銅箔采用給電輥等以底層銅箔本身成為陰極的方式給電，進(jìn)行電解的方法；在第1硫酸-硫酸銅水溶液中，在與底層銅箔表面的一面?zhèn)纫砸?guī)定間隔設(shè)置陽(yáng)極，同時(shí)與底層銅箔表面的另一側(cè)面以規(guī)定間隔設(shè)置陰極，把底層銅箔用陽(yáng)極和陰極夾住，借此對(duì)陽(yáng)極和陰極給電，使底層銅箔成為陰極的方式進(jìn)行電解的方法。
用上述第1硫酸-硫酸銅水溶液進(jìn)行電解時(shí)，上述第1硫酸-硫酸銅水溶液的液溫通常為40℃～60℃、優(yōu)選45℃～55℃。當(dāng)液溫低于40C時(shí)，純銅電鍍層的表面粗糙度容易變高，是不優(yōu)選的，而當(dāng)高于60℃時(shí)，容易加速聚氯乙烯制配管等設(shè)備的老化，是不優(yōu)選的。
用上述第1硫酸-硫酸銅水溶液進(jìn)行電解時(shí)，電解電流密度通常為40A/dm2～70A/dm2、優(yōu)選50A/dm2～60A/dm2。當(dāng)電解電流密度低于40A/dm2時(shí)，析出速度過(guò)慢，純銅被覆銅箔的制造成本容易變高，是不優(yōu)選的，另外，當(dāng)電解電流密度大于70A/dm2時(shí)，在純銅電鍍層上容易出現(xiàn)析出異常，是不優(yōu)選的。
(銅箔的第2制造方法)其次，對(duì)銅箔的第2制造方法加以說(shuō)明。該方法除了用第2硫酸-硫酸銅水溶液代替銅箔的第1制造方法中的上述第1硫酸-硫酸銅水溶液以外，條件及規(guī)定該條件的理由同樣。第2硫酸-硫酸銅水溶液的Cl-離子濃度為2.0mg/l或2.0mg/l以下、優(yōu)選1.0mg/l或1.0mg/l以下。當(dāng)該Cl-離子濃度大于2.0mg/l時(shí)，因電解形成的純銅電鍍層難以充分呈現(xiàn)空隙發(fā)生的抑制效果，是不優(yōu)選的。
第2硫酸-硫酸銅水溶液實(shí)質(zhì)上不含蛋白質(zhì)，蛋白質(zhì)濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下、優(yōu)選0.3mg/l或0.3mg/l以下。當(dāng)?shù)鞍踪|(zhì)濃度大于0.5mg/l時(shí)，因電解形成的純銅電鍍層難以充分呈現(xiàn)空隙發(fā)生的抑制效果，是不優(yōu)選的。
本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔及本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔制造方法，可用作TAB帶制作原料的銅箔等。
本發(fā)明涉及的TAB帶，通過(guò)在由底層銅箔形成的底層線(xiàn)路表面上形成純銅電鍍層，在底層銅線(xiàn)路表面上形成具有純銅電鍍層的被覆銅線(xiàn)路。本發(fā)明中的所謂TAB帶，如上所述，其概念包括可撓性絕緣膜上形成元件孔的一般TAB帶，以及不形成元件孔的所謂COF帶兩者。作為本發(fā)明使用的TAB帶，例如，可以舉出具有可撓性絕緣膜/粘合劑/被覆銅線(xiàn)路的3層結(jié)構(gòu)的3層TAB帶，及具有可撓性絕緣膜/被覆銅線(xiàn)路的2層結(jié)構(gòu)的2層TAB帶。
在本發(fā)明涉及的TAB帶中，被覆銅線(xiàn)路是在底層銅線(xiàn)路表面上形成純銅電鍍層而構(gòu)成的。還有，底層銅線(xiàn)路，如下所述，是把與可撓性絕緣膜粘接的底層銅箔進(jìn)行蝕刻、形成線(xiàn)路形狀的底層銅線(xiàn)路。作為本發(fā)明中使用的底層銅箔，可以使用與本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔中說(shuō)明的未處理銅箔相同的物質(zhì)。底層銅線(xiàn)路是從底層銅箔通過(guò)蝕刻等形成線(xiàn)路形狀的。
本發(fā)明涉及的TAB帶，通過(guò)在底層銅線(xiàn)路的整個(gè)表面上形成純銅電鍍層而形成被覆銅線(xiàn)路。該被覆銅線(xiàn)路的構(gòu)成如下，垂直于該線(xiàn)路的電流流動(dòng)方向的斷面由底層銅線(xiàn)路及被覆其四周的純銅電鍍層的雙重結(jié)構(gòu)構(gòu)成，純銅電鍍層夾在底層銅線(xiàn)路及電鍍錫層之間，底層銅線(xiàn)路及電鍍錫層實(shí)質(zhì)上不接觸。
本發(fā)明涉及的TAB帶，純銅電鍍層的厚度與本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的純銅電鍍層厚度處于同樣的范圍。在這里，本發(fā)明涉及的TAB帶中純銅電鍍層的厚度，意指純銅電鍍層的平均厚度。還有，純銅電鍍層由于在底層銅線(xiàn)路的整個(gè)表面上形成，故斷面在大致成矩形的底層銅線(xiàn)路中的3個(gè)或4個(gè)表面，即與底層銅線(xiàn)路表面中的可撓性絕緣膜大致平行的1個(gè)或2個(gè)表面，及與底層銅線(xiàn)路的表面中的可撓性絕緣膜大致垂直的2個(gè)表面中，當(dāng)后者表面的純銅電鍍層的厚度過(guò)大時(shí)，在相鄰的被覆銅線(xiàn)路間有形成短路的危險(xiǎn)。因此，純銅電鍍層的厚度，必需在相鄰的被覆銅線(xiàn)路間具有不形成短路的間隔。還有，前者的可撓性絕緣膜和大致平行的表面存在1個(gè)或2個(gè)的理由在于，底層銅線(xiàn)路在可撓性絕緣膜表面上形成的部分中有1個(gè)，而底層銅線(xiàn)路在元件孔上作為浮動(dòng)導(dǎo)線(xiàn)形成內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)等的場(chǎng)合，該表面在底層銅線(xiàn)路的上下形成2個(gè)所致。
該被覆銅線(xiàn)路間不形成短路的間隔因被覆銅線(xiàn)路的厚度而異，不可一律規(guī)定，但通常在5μm或5μm以上、優(yōu)選10μm或10μm以上。作為純銅電鍍層的厚度上限的決定方法，例如，當(dāng)線(xiàn)寬15μm的底層銅線(xiàn)路以節(jié)距30μm形成時(shí)，相鄰的底層銅線(xiàn)路彼此間隔為15μm，所以，被覆銅線(xiàn)路間不產(chǎn)生短路的間隔保持在5μm以上時(shí)，通過(guò)使在底層銅線(xiàn)路表面上形成的純銅電鍍層厚度低于5μm，使被覆銅線(xiàn)路的線(xiàn)寬小于25μm。
在底層銅線(xiàn)路表而上形成純銅電鍍層而得到的被覆銅線(xiàn)路在其表面形成電鍍錫層，該電鍍錫層，為了防止錫須晶的發(fā)生而進(jìn)行熱處理(熔融處理)。作為熔融處理的條件，可采用公知的方法。還有，電鍍錫層通過(guò)熔融處理，層中的全部或部分錫和純銅電鍍層中的銅形成合金，電鍍錫層的全部或部分形成Cu6Sn5層或Cu3Sn層等。在本發(fā)明中，電鍍錫層無(wú)需是1層結(jié)構(gòu)，例如，形成Cu6Sn5層和Cu3Sn層的2層結(jié)構(gòu)也可。在本發(fā)明的TAB帶中，電鍍錫層的厚度未作特別限定。本發(fā)明涉及的TAB帶，例如，可以采用下列本發(fā)明涉及的TAB帶制造方法進(jìn)行制造。
本發(fā)明涉及的TAB帶制造方法，第1方法Cl-離子濃度處于特定范圍的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液(下面也稱(chēng)作“第1硫酸-硫酸銅水溶液”)，以從底層銅箔形成的底層線(xiàn)路側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅線(xiàn)路的表面上形成純銅電鍍層的方法(下面也稱(chēng)作“TAB帶的第1制造方法”)；第2方法采用Cl-離子濃度及蛋白質(zhì)濃度在特定范圍內(nèi)的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液(下面也稱(chēng)作“TAB帶的第2硫酸-硫酸銅水溶液”)，以從底層銅箔形成的底層線(xiàn)路側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅線(xiàn)路的表面上形成純銅電鍍層的方法(下面也稱(chēng)作“TAB帶的第2制造方法”)；第3方法采用含有Cu2+離子濃度、Cl-離子濃度、絡(luò)合劑濃度及pH處于特定范圍并且含還原劑的硫酸銅非電解電鍍液，進(jìn)行非電解電鍍，在從底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路表面上形成純銅電鍍層的方法(下面也稱(chēng)作“TAB帶的第3制造方法”)。
TAB帶的第1制造方法)首先，說(shuō)明TAB帶的第1制造方法。在該方法中，作為電鍍液，使用了與銅箔的第1制造方法中說(shuō)明的第1硫酸-硫酸銅水溶液相同的物質(zhì)。
在本方法中使用該第1硫酸-硫酸銅水溶液，以從底層銅箔形成的底層線(xiàn)路側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅線(xiàn)路表面上形成純銅電鍍層。TAB帶的第1制造方法中使用的底層銅箔，與銅箔的第1制造方法中說(shuō)明的底層銅箔相同，故說(shuō)明省略。另外，本發(fā)明的所謂底層銅線(xiàn)路，是把與可撓性絕緣膜粘合的底層銅箔通過(guò)蝕刻形成的線(xiàn)路形狀。作為該蝕刻方法，可以采用公知的方法。
在本方法中，作為以底層銅線(xiàn)路側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解的方法，可采用公知的方法，例如，在第1硫酸-硫酸銅水溶液中設(shè)置陽(yáng)極，同時(shí)在底層銅線(xiàn)路采用給電輥等，以底層銅箔本身成為陰極的方式給電，進(jìn)行電解的方法。采用上述第1硫酸-硫酸銅水溶液進(jìn)行電解時(shí)的第1硫酸-硫酸銅水溶液的液溫及電解電流密度，與銅箔的第1制造方法同樣，故省略說(shuō)明。
(TAB帶的第2制造方法)其次，對(duì)TAB帶的第2制造方法進(jìn)行說(shuō)明。該方法，除了用第2硫酸-硫酸銅水溶液代替TAB帶的第1制造方法中的上述第1硫酸-硫酸銅水溶液以外，條件及規(guī)定該條件的理由同樣。該第2硫酸-硫酸銅水溶液使用了與銅箔的第2制造方法中說(shuō)明的第2硫酸-硫酸銅水溶液同樣的物質(zhì)。
(TAB帶的第3制造方法)其次，對(duì)TAB帶的第3制造方法進(jìn)行說(shuō)明。該方法中，采用Cu2+離子濃度、Cl-離子濃度、絡(luò)合劑濃度及pH處于特定范圍并且含還原劑的硫酸銅非電解電鍍液，進(jìn)行非電解電鍍，從底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路表面上形成純銅電鍍層。
硫酸銅非電解電鍍液的Cu2+離子濃度為1g/l～5g/l、優(yōu)選2g/1～4g/l。還有，硫酸銅非電解電鍍液與上述第1硫酸-硫酸銅水溶液不同，實(shí)質(zhì)上不含游離的SO42-。
硫酸銅非電解電鍍液的Cl-離子濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下、優(yōu)選0.3mg/l或0.3mg/l以下、更優(yōu)選0.1mg/l或0.1mg/l以下。當(dāng)該Cl-離子濃度大于0.5mg/l時(shí)，純電鍍銅層難以充分發(fā)揮空隙發(fā)生的抑制效果，是不優(yōu)選的。
作為硫酸銅非電解電鍍液中使用的絡(luò)合劑，可以舉出羅謝爾鹽或EDTA·4Na的至少1種。即，該絡(luò)合劑既可以采用羅謝爾鹽或EDTA·4Na的任何單獨(dú)1種，也可以合用羅謝爾鹽或EDTA·4Na。
硫酸銅非電解電鍍液，含絡(luò)合劑10g/l～100g/l、優(yōu)選30g/l～70g/l。還有，作為本發(fā)明中的絡(luò)合劑，當(dāng)謝爾鹽和EDTA·4Na兩種并用時(shí)，其合計(jì)量濃度處于上述范圍內(nèi)。
作為硫酸銅非電解電鍍液中使用的還原劑，例如，可以舉出甲醛。硫酸銅非電解電鍍液使用甲醛作還原劑時(shí)，甲醛含量，換算成37體積％的甲醛水溶液的量通常為5ml/l～100ml/l、優(yōu)選30ml/l～70ml/l。
另外，硫酸銅非電解電鍍液，根據(jù)需要還可添加聚乙二醇、聯(lián)二吡啶等添加劑。另外，硫酸銅非電解電鍍液，pH為10～13.5、優(yōu)選11～13。
硫酸銅非電解電鍍液，當(dāng)Cu2+離子濃度、Cl-離子濃度、絡(luò)合劑含量處于上述范圍內(nèi)，含還原劑并且pH處于上述范圍內(nèi)時(shí)，在底層銅線(xiàn)路表面上形成平滑的純銅電鍍層。
在本方法中，作為采用上述硫酸銅非電解電鍍液，在底層銅線(xiàn)路表面上形成純銅電鍍層的方法，可采用公知的方法。
本發(fā)明涉及的TAB帶，可直接或通過(guò)適當(dāng)加工后用作TAB帶，本發(fā)明涉及的TAB帶制造方法在TAB帶制造時(shí)采用。
下面給出實(shí)施例，但本發(fā)明又限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1作為在底層銅箔上形成純銅電鍍層的電解裝置，陽(yáng)極-陰極間流路為斷面矩形，并且采用循環(huán)泵，把硫酸-硫酸銅水溶液(電解液)邊連續(xù)供給陽(yáng)極-陰極間，邊進(jìn)行電解。采用的方案如下·槽內(nèi)液量4.5升·陽(yáng)極面及陰極面大小6cm×11cm·陽(yáng)極材質(zhì)DSE·陰極材質(zhì)鈦板·陽(yáng)極-陰極間距離5mm作為硫酸-硫酸銅水溶液，把硫酸及硫酸銅5水合物添加至純水中使之溶解，配制下列組成的溶液。
·Cu2+濃度80g/l·游離的SO42-濃度150g/l把Cl含量以重量為基準(zhǔn)達(dá)到40ppm的底層銅箔(厚18μm，光澤面的十點(diǎn)平均粗糙度Rz為0.8μm，粗糙面的Rz為3.0μm，箔中C含量以重量為基準(zhǔn)達(dá)到40ppm)，用25℃的2N-H2SO4酸洗30秒后，以光澤面成為表面的方式，將該底層銅箔粘貼在陽(yáng)極上，在下列條件下進(jìn)行電解，在底層銅箔的光澤面上形成厚0.75μm的純銅電鍍層，得到純銅被覆銅箔。
·銅電解液的溫度52℃·電解電流密度55A/dm2·電解時(shí)間4秒采用シプレイ·フア一イ一スト株式會(huì)社制TIMPOSIT XP-LT34G，在得到的純銅被覆銅箔的表面上(底層銅箔的光澤面?zhèn)缺砻?進(jìn)行非電解鍍錫，形成厚度0.5μm的鍍錫被膜。
把形成了鍍錫被膜的純銅被覆銅箔(形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔)，于160℃加熱1小時(shí)后，再于120℃加熱1小時(shí)(熔融處理)。
把熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔，用聚焦離子束裝置(FIB)制造斷面觀(guān)察材料，用掃描型離子顯微鏡(SIM)觀(guān)測(cè)此時(shí)放出的2次電子。結(jié)果示于圖1。
在圖1中，從圖的上側(cè)依次在附圖上見(jiàn)到整個(gè)均勻灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)、位于該鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)下部的具有成長(zhǎng)為柱狀金屬組織的鍍錫層(Cu3Sn層)(2)、位于該鍍錫層(Cu3Sn層)(2)的下部具有比鍍錫層(Cu3Sn層)(2)的柱狀金屬組織大并且成長(zhǎng)方向無(wú)規(guī)的金屬組織的純銅電鍍層(3)、以及在純銅電鍍層(3)的下部具有與純銅電鍍層(3)的金屬組織同樣大并且成長(zhǎng)方向無(wú)規(guī)的金屬組織的底層銅箔層(4)。
從圖1可以判斷，在鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和純銅電鍍層(3)的界面附近沒(méi)有觀(guān)察到下述比較例中見(jiàn)到的空隙(5)。
還有，在圖1中在純銅電鍍層(3)和底層銅箔層(4)的界面，未明確觀(guān)察到其他界面，例如鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和純銅電鍍層(3)的界面。然而，從電解電流密度及電解時(shí)間換算的厚度為0.75μm，并且，從離鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和純銅電鍍層(3)的界面約0.75μm的下面部分，在與銅的金屬組織成長(zhǎng)方向大致垂直的方向，即在圖1的橫向散見(jiàn)界面組織的斷絕部分，故可推測(cè)純銅電鍍層(3)和底層銅箔層(4)的界面的存在。
實(shí)施例2除了電解時(shí)間采用8秒、純銅電鍍層厚度1.5μm以外，與實(shí)施例1同樣操作，得到熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔。
關(guān)于熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔，與實(shí)施例1同樣操作，觀(guān)察斷面的金屬組織。結(jié)果示于圖2。
在圖2中，從圖的上側(cè)依次在附圖上見(jiàn)到整個(gè)均勻灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)、位于灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)下部，具有成長(zhǎng)為柱狀的金屬組織的鍍錫層(Cu3Sn層)(2)、位于鍍錫層(Cu3Sn層)(2)的下部、具有比鍍錫層(Cu3Sn層)的柱狀金屬組織稍大并且成長(zhǎng)方向無(wú)規(guī)的金屬組織的純銅電鍍層(3)、以及位于純銅電鍍層(3)下部、具有與純銅電鍍層(3)金屬組織同樣大并且成長(zhǎng)方向非常無(wú)規(guī)的金屬組織的底層銅箔層(4)。
從圖2可以判斷，在鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和純銅電鍍層(3)的界面附近沒(méi)有觀(guān)察到下述比較例中見(jiàn)到的空隙(5)。
實(shí)施例3除了電解時(shí)間采用30秒、形成的純銅電鍍層厚度5.7μm以外，與實(shí)施例1同樣操作，得到熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔。
關(guān)于熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔，與實(shí)施例1同樣操作，觀(guān)察斷而的金屬組織。結(jié)果示于圖3。
在圖3中，從圖的上側(cè)依次在附圖上見(jiàn)到整個(gè)均勻灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)、位于灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)下部、具有成長(zhǎng)為柱狀的金屬組織的鍍錫層(Cu3Sn層)(2)、位于鍍錫層(Cu3Sn層)(2)下部、具有比鍍錫層(Cu3Sn層)(2)的柱狀金屬組織很大并且成長(zhǎng)方向無(wú)規(guī)的金屬組織的純銅電鍍層(3)。還有，觀(guān)察到在純銅電鍍層(3)下部具有與純銅電鍍層(3)金屬組織同樣大并且成長(zhǎng)方向非常無(wú)規(guī)的金屬組織的底層銅箔層(4)，但由于純銅電鍍層(3)的厚度大到5.7μm，故不在僅攝取表層的圖3上出現(xiàn)。
從圖3可以判斷，在鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和純銅電鍍層(3)的界面附近沒(méi)有觀(guān)察到下述比較例中見(jiàn)到的空隙(5)。
實(shí)施例4除了電解時(shí)間采用30秒、形成的純銅電鍍層厚度為22.5μm以外，與實(shí)施例1同樣操作，得到熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔。
關(guān)于熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔，與實(shí)施例1同樣操作，觀(guān)察斷面的金屬組織。結(jié)果示于圖4。
在圖4中，從圖的上側(cè)依次在附圖上見(jiàn)到整個(gè)均勻灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)、位于灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)下部、具有成長(zhǎng)為柱狀的金屬組織的鍍錫層(Cu3Sn層)(2)、位于鍍錫層(Cu3Sn層)(2)下部、具有比鍍錫層(Cu3Sn層)(2)的柱狀金屬組織明顯大并且成長(zhǎng)方向無(wú)規(guī)的金屬組織的純銅電鍍層(3)。還有，在純銅電鍍層(3)下部觀(guān)察到具有與純銅電鍍層(3)金屬組織同樣大并且成長(zhǎng)方向非常無(wú)規(guī)的金屬組織的底層銅箔層(4)，但由于純銅電鍍層(3)的厚度大到2.5μm，故不在僅攝取表層的圖4上出現(xiàn)。
從圖4可以判斷，在鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和純銅電鍍層(3)的界面附近沒(méi)有觀(guān)察到下述比較例中見(jiàn)到的空隙(5)。
比較例除了不形成純銅電鍍層，直接在底層銅箔表面(底層銅箔的光澤面?zhèn)缺砻?進(jìn)行非電解電鍍，形成厚0.5μm的鍍錫被膜以外，與實(shí)施例1同樣操作，得到熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔。
關(guān)于熔融處理后的形成有鍍錫被膜的純銅被覆銅箔，與實(shí)施例1同樣操作，觀(guān)察斷面的金屬組織。結(jié)果示于圖5。
在圖5中，從圖的上側(cè)依次在附圖上見(jiàn)到整個(gè)均勻灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)、位于灰色的鍍錫層(Cu6Sn5層)(1)下部、具有成長(zhǎng)為柱狀的金屬組織的鍍錫層(Cu3Sn層)(2)、位于鍍錫層(Cu3Sn層)(2)下部、具有比鍍錫層(Cu3Sn層)(2)的柱狀金屬組織大并且成長(zhǎng)方向無(wú)規(guī)的金屬組織的底層銅箔層(4)。
從圖5可以判斷，在鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和純銅電鍍層(4)的界面附近可以觀(guān)察到許多空隙(5)。
從實(shí)施例1～實(shí)施例4及比較例可以判斷，與原來(lái)樣品那樣不設(shè)置純銅電鍍層(3)時(shí)(比較例)，在鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和純銅電鍍層(4)的界面附近可以觀(guān)察到許多空隙(5)，但本發(fā)明的在鍍錫層(Cu3Sn層)(2)和底層銅箔層(4)之間設(shè)置純銅電鍍層(3)時(shí)(實(shí)施例1～實(shí)施例4)，熔融處理后的空隙發(fā)生可得到抑制。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔，例如可用于TAB帶制造用純銅被覆銅箔。本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的制造方法，可用于本發(fā)明涉及的純銅被覆銅箔的制造。本發(fā)明涉及的TAB帶，其可直接或適當(dāng)加工后用作TAB帶。本發(fā)明涉及的TAB帶制造方法，可用于本發(fā)明涉及的TAB帶的制造。
權(quán)利要求
1.一種純銅被覆銅箔，其特征在于，至少在底層銅箔的光澤面上形成有純銅電鍍層。
2.如權(quán)利要求1所述的純銅被覆銅箔，其特征在于，上述純銅電鍍層的厚度為0.3μm或0.3μm以上。
3.一種純銅被覆銅箔的制造方法，其特征在于，采用Cl-離子濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，以底層銅箔側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，至少在底層銅箔的光澤面上形成純銅電鍍層。
4.如權(quán)利要求3所述的純銅被覆銅箔的制造方法，其特征在于，上述硫酸-硫酸銅水溶液的Cu2+離子濃度為40g/l～120g/l、游離的SO42-離子濃度為100g/l～200g/l。
5.一種純銅被覆銅箔的制造方法，其特征在于，采用Cl-離子濃度為2.0mg/l或2.0mg/l以下、蛋白質(zhì)濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，以底層銅箔側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，至少在底層銅箔的光澤面上形成純銅電鍍層。
6.如權(quán)利要求5所述的純銅被覆銅箔的制造方法，其特征在于，上述硫酸-硫酸銅水溶液的Cu2+離子濃度為40g/l～120g/l、游離的SO42-離子濃度為100g/l～200g/l。
7.一種TAB帶，其特征在于，在由底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路的表面上形成有純銅電鍍層。
8.如權(quán)利要求7所述的TAB帶，其特征在于，上述純銅電鍍層的厚度為0.3μm或0.3μm以上。
9.一種TAB帶的制造方法，其特征在于，采用Cl-離子濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，以由底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅線(xiàn)路的表面上形成純銅電鍍層。
10.如權(quán)利要求9所述的TAB帶的制造方法，其特征在于，上述硫酸-硫酸銅水溶液的Cu2+離子濃度為40g/l～120g/l、游離的SO42-離子濃度為100g/l～200g/l。
11.一種TAB帶的制造方法，其特征在于，采用Cl-離子濃度為2.0mg/l或2.0mg/l以下、蛋白質(zhì)濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下的硫酸-硫酸銅水溶液作為電解液，以由底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路側(cè)成為陰極的方式進(jìn)行電解，在該底層銅線(xiàn)路的表面上形成純銅電鍍層。
12如權(quán)利要求11所述的TAB帶的制造方法，其特征在于，上述硫酸-硫酸銅水溶液的Cu2+離子濃度為40g/l～120g/l、游離的SO42-離子濃度為100g/l～200g/l。
13.一種TAB帶的制造方法，其特征在于，采用含有Cu2+離子濃度為1g/l～5g/l、Cl-離子濃度為0.5mg/l或0.5mg/l以下、羅謝爾鹽或EDTA·4Na中的至少1種的絡(luò)合劑濃度為10g/l～100g/l、作為還原劑的甲醛，并且，pH10～13.5的硫酸銅非電解電鍍液，進(jìn)行非電解電鍍，在由底層銅箔形成的底層銅線(xiàn)路的表面上形成純銅電鍍層。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種即使對(duì)鍍錫層進(jìn)行熔融處理也實(shí)質(zhì)上不產(chǎn)生空隙并且蝕刻性良好的銅箔。為了達(dá)到該目的，采用至少在底層銅箔的光澤面上形成有純銅電鍍層的純銅被覆銅箔。所述純銅電鍍層的厚度為0.3μm或其以上是優(yōu)選的。采用Cl
文檔編號(hào)B32B37/14GK1724252SQ200510071390
公開(kāi)日2006年1月25日 申請(qǐng)日期2005年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月26日
發(fā)明者杉岡晶子 申請(qǐng)人:三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社