電加熱盤(pán)及電飯煲的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電加熱盤(pán)及電飯煲。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電飯煲，在工作過(guò)程中，由于電極和加熱膜接觸的面積小，使得電極和加熱膜接觸的位置通電電流密度，遠(yuǎn)大于加熱膜其它位置的通電電流密度，使得通電電流密度要不均衡，從而導(dǎo)致加熱不均。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種可以檢測(cè)電池容量的電加熱盤(pán)及電飯煲。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種電加熱盤(pán)，所述電加熱盤(pán)包括用于將電能轉(zhuǎn)化為熱能的電加熱件以及用于支撐所述電加熱件的支撐載體；
[0005]所述電加熱件包括耐高溫的基體、加熱膜以及電極；
[0006]所述加熱膜覆蓋在所述基體上；
[0007]所述電極與所述加熱膜電連接以供電；
[0008]所述電極包括極板，所述極板的板面與所述加熱膜貼合。
[0009]優(yōu)選地，所述加熱膜包括碳化硅層、二硅化鉬層和二氧化硅層，且依次均勻?qū)盈B覆蓋在所述基體上，所述碳化硅層與所述基體接觸。
[0010]優(yōu)選地，所述電極還包括用于供電的供電扣，以及電極柱；
[0011]所述供電扣設(shè)置有與所述電極柱形狀適配的夾孔，所述電極柱的一端與所述基體固定連接，所述電極柱的另一端設(shè)置于所述夾孔中。
[0012]優(yōu)選地，所述電極柱包括與所述基體固定連接的基柱以及設(shè)置于所述基柱表面的導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電膜與所述極片連接。
[0013]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膜為鉑合金膜或鈷基合金膜。
[0014]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電膜的厚度在2 μ m-5 μ m之間。
[0015]優(yōu)選地，所述極板包括極片以及覆蓋在所述極片表面的電極薄膜，所述電極薄膜為鉑合金膜或鈷基合金膜。
[0016]本實(shí)用新型進(jìn)一步提出一種電飯煲，所述電飯煲包括電加熱盤(pán)，該加熱盤(pán)包括:用于將電能轉(zhuǎn)化為熱能的電加熱件以及用于支撐所述電加熱件的支撐載體；
[0017]所述電加熱件包括耐高溫的基體、加熱膜以及電極；
[0018]所述加熱膜覆蓋在所述基體上；
[0019]所述電極與所述加熱膜電連接以供電；
[0020]所述電極包括極板，所述極板的板面與所述加熱膜貼合。
[0021]優(yōu)選地，所述電加熱盤(pán)還包括溫控器，所述支撐載體上設(shè)有用于安裝所述溫控器的安裝孔；
[0022]所述溫控器穿過(guò)所述安裝孔與所述基體設(shè)置有加熱膜的一側(cè)接觸。
[0023]優(yōu)選地，所述加熱膜上設(shè)置有用于避讓所述溫控器的避讓區(qū)域。
[0024]本實(shí)用新型，通過(guò)將電極與加熱膜接觸的部分設(shè)置為板狀，增加了加熱膜與極板的通電面積，使得加熱盤(pán)在工作過(guò)程中，加熱膜的通電電流密度均勻，從而使得加熱膜發(fā)熱均勻。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本實(shí)用新型電加熱盤(pán)的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本實(shí)用新型電加熱盤(pán)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為圖2中B-B處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為圖3中A處的放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本實(shí)用新型電加熱盤(pán)的電極柱的安裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6為本實(shí)用新型電加熱盤(pán)的極片的剖開(kāi)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖7為圖6中C處的放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖8為本實(shí)用新型加熱盤(pán)的加熱件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。
【具體實(shí)施方式】
[0034]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0035]本實(shí)用新型提供一種電加熱盤(pán)I。
[0036]在本實(shí)用新型實(shí)施例中，參照?qǐng)D1，該電加熱盤(pán)I包括用于將電能轉(zhuǎn)化為熱能的電加熱件2、用于支撐電加熱件2的支撐載體60，以及用于檢測(cè)和控制加熱件溫度的溫控器100。
[0037]電加熱件2包括耐高溫絕緣的基體10、加熱膜40，以及電極。
[0038]基體10優(yōu)選為耐高溫絕緣微晶玻璃，本實(shí)施例中優(yōu)選為中康尼玻璃，其可耐800°C以上的高溫?；w10為圓形板，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，可以為管狀或者其他形狀。圓形板的圓心處向上凸起形成為向上凸起的曲面。在基體10的一側(cè)設(shè)置有CD紋，以便給外界物體加熱時(shí)增加排除濕氣的安全性。在基體10的邊緣，在相對(duì)設(shè)置有CD紋的一側(cè)設(shè)置隔離件11，隔離件11為圓環(huán)，其與基體10固定連接，形成一個(gè)容納腔。在設(shè)置有容納腔的一側(cè)還設(shè)置有電極柱20，用于給電極供電。電極柱20包括基柱22和導(dǎo)電膜21，導(dǎo)電膜21覆蓋在基柱22的外表面。在本實(shí)施方式中，作為電極的電極柱20是在與基體I同樣為耐高溫絕緣微晶玻璃柱(基柱22)上包裹導(dǎo)電膜21而形成。耐高溫絕緣微晶玻璃柱為兩個(gè)橫截面形狀為橢圓形的柱體，且基柱22垂直于基體10的板面，朝背離基體10的方向延伸，耐高溫絕緣微晶玻璃柱和基體10 —體設(shè)置。
[0039]電極包括極板30、供電扣90以及所述電極柱20 (從基體10上延伸)。
[0040]極板30包括極片31和電極薄膜32，電極薄膜32覆蓋在整個(gè)極片31的表面將其包裹，極片31為合金材料制成，電極薄膜32的材質(zhì)為鉬合金膜或鈷基合金膜，電極薄膜32的厚度在1.5 μm-3.5 μπι之間。在本實(shí)施方式中，為了增加與加熱膜40的接觸面積。極板30被設(shè)計(jì)為圓弧形的長(zhǎng)條板的結(jié)構(gòu)，兩極板30的凹弧相向設(shè)置，每一極板30的圓弧結(jié)構(gòu)所對(duì)的圓心角在30° -120°之間。
[0041]電極薄膜32的材料以鉑合金為例，極片31形成的工藝包括以下步驟:
[0042]S1:通過(guò)射頻濺射處理使得在極片31的表層形成一層均衡致密的鉑合金薄膜；
[0043]S2:對(duì)噴涂有鉑合金薄膜的極片31進(jìn)行激光高溫?zé)Y(jié)處理；
[0044]S3:再對(duì)高溫?zé)Y(jié)后的極片31進(jìn)行靜電噴霧沉積處理；
[0045]S4:將噴霧沉積后的極片31進(jìn)行涂布焙烤處理。
[0046]供電扣90優(yōu)選為銅質(zhì)扣，請(qǐng)參閱圖5，供電扣90用于固定電極柱20于其內(nèi)，當(dāng)固定電極柱20收容于供電扣90內(nèi)時(shí)，供電扣90的一端形成有夾孔91，夾孔91的形狀和尺寸與電極柱20適配，以便于收容并夾持電極柱20 ;供電扣90的另一端與一電源連接。電極柱20設(shè)置到夾孔91中，通過(guò)緊固件緊固，使得電極柱20的外表面與夾孔91的內(nèi)表面充分接觸。具體的緊固件可采用螺絲，利用螺絲鎖固供電扣90的相對(duì)二端開(kāi)設(shè)的通孔的方式而實(shí)現(xiàn)將電極柱20固定于供電扣90內(nèi)，電極柱20的耐高溫絕緣微晶玻璃柱上包裹導(dǎo)電薄膜為導(dǎo)電膜21，設(shè)置導(dǎo)電膜21的過(guò)程如下:
[0047]S10:通過(guò)射頻濺射處理在高溫絕緣微晶玻璃的表層形成一層均衡致密的合金薄膜；
[0048]S20:對(duì)噴涂有合金薄膜的電極柱20進(jìn)行激光高溫?zé)Y(jié)處理；
[0049]S30:再對(duì)高溫?zé)Y(jié)后的電極柱20進(jìn)行靜電噴霧沉積處理；
[0050]S40:將噴霧沉積后的電極柱20進(jìn)行涂布焙烤處理。
[0051]導(dǎo)電膜21的厚度在2 μπι-5 μπι之間，合金優(yōu)選為鉬合金或鈷基合金。導(dǎo)電膜21與極片31上的電極薄膜32接觸重合。電極柱20表面的導(dǎo)電膜21與供電扣90內(nèi)表面的連接處，設(shè)計(jì)成能承受最大的工作電流大于或者等于電熱盤(pán)總功率的3倍。
[0052]通過(guò)將夾孔91的形狀設(shè)置成與電極柱20的形狀相配合，使得電極柱20表面的導(dǎo)電膜21與夾孔91的內(nèi)表面充分接觸，使得導(dǎo)電極柱20與銅質(zhì)供電扣90接觸良好，有利于提高此連接處的安全性、可靠性和穩(wěn)定性。
[0053]加熱膜40包括碳化硅層、二硅化鉬層以及二氧化硅層等。其中碳化硅、二硅化鉬為純度為99.95%耐高溫納米材料。加熱膜40的厚度優(yōu)選在0.8 μ m-2 μ m之間，以1.2 μ m為較優(yōu)。加熱膜4