本技術(shù)涉及蒸箱領(lǐng)域，特別是涉及一種蒸發(fā)組件及蒸箱。

背景技術(shù)：

1、蒸箱的蒸發(fā)盤通過加熱其表面的液態(tài)水，逐漸在蒸箱內(nèi)部形成蒸汽。故而蒸發(fā)盤長(zhǎng)時(shí)間工作后，其表面會(huì)逐漸積攢水垢。由于水垢的導(dǎo)熱性差，會(huì)逐漸影響蒸發(fā)盤的工作效能。此外水垢還會(huì)侵蝕蒸發(fā)盤表面，造成蒸發(fā)盤表面生銹。

2、為了減少水垢的影響，蒸發(fā)盤表面會(huì)噴涂不易附著水垢的涂層，如瓷器。但對(duì)于部分水質(zhì)較硬的地區(qū)，涂層的防附著效果有限，水垢依然會(huì)頑固附著在涂層上，很難去除，隨著蒸發(fā)盤使用時(shí)間的增長(zhǎng)，涂層也會(huì)逐漸從蒸發(fā)盤上脫落。

3、這種情況下通常會(huì)要求用戶定期使用檸檬酸等酸性化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行除垢，由于水垢一般粘附在蒸發(fā)盤的表面，因此與酸性化學(xué)物質(zhì)的接觸面積有限，降低了反應(yīng)速度，增加了除垢時(shí)間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)蒸發(fā)盤的除垢時(shí)間較長(zhǎng)問題，提供一種蒸發(fā)組件及蒸箱。

2、一種蒸發(fā)組件，包括相對(duì)設(shè)置的形變盤和導(dǎo)熱盤，所述形變盤具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；

3、當(dāng)所述形變盤處于第一狀態(tài)時(shí)，所述形變盤中間部分和所述導(dǎo)熱盤中間部分的間距為d1，所述形變盤的邊緣和所述導(dǎo)熱盤的邊緣間距為d3；當(dāng)所述形變盤處于第二狀態(tài)時(shí)，所述形變盤中間部分和所述導(dǎo)熱盤中間部分的間距為d2，所述形變盤的邊緣和所述導(dǎo)熱盤的邊緣間距為d4；

4、當(dāng)所述形變盤吸熱形變后，由第一狀態(tài)轉(zhuǎn)換為第二狀態(tài)；

5、其中d1＞d2，且d1-d2＞d3-d4。

6、本實(shí)用新型所述形變盤的邊緣和所述導(dǎo)熱盤的邊緣至少部分貼合。

7、本實(shí)用新型還包括密封圈，所述密封圈套設(shè)在所述形變盤和所述導(dǎo)熱盤的邊緣貼合處。

8、本實(shí)用新型當(dāng)所述形變盤處于第二狀態(tài)時(shí)，所述形變盤中間部分和所述導(dǎo)熱盤中間部分至少部分貼合。

9、本實(shí)用新型所述導(dǎo)熱盤上開設(shè)有通氣孔，當(dāng)所述形變盤處于第一狀態(tài)時(shí)，所述形變盤和所述導(dǎo)熱盤圍攏形成形變腔，所述通氣孔連通至所述形變腔。

10、本實(shí)用新型所述形變盤背離所述導(dǎo)熱盤的一面為蒸發(fā)面，當(dāng)所述形變盤處于第一狀態(tài)時(shí)，所述蒸發(fā)面為平面。

11、本實(shí)用新型所述導(dǎo)熱盤朝向所述形變盤的一面為加熱面，所述加熱面的中間部分沿背離所述形變盤的方向凹陷形成避讓槽。

12、本實(shí)用新型所述加熱面位于所述避讓槽外的部分為平面并與所述形變盤貼合。

13、本實(shí)用新型所述形變盤的材質(zhì)為鎳鈦合金。

14、一種蒸箱，包括箱體以及蒸發(fā)組件，所述蒸發(fā)組件設(shè)置在所述箱體內(nèi)壁上。

15、本實(shí)用新型所述箱體內(nèi)壁和所述形變盤之間形成臺(tái)階。

16、本實(shí)用新型的有益效果為：

17、在滿足d1＞d2，且d1-d2＞d3-d4的條件下，形變盤受熱后其中間部分能夠產(chǎn)生足夠形變并朝向?qū)岜P中間部分移動(dòng)，縮減形變盤和導(dǎo)熱盤之間間距，由此提升導(dǎo)熱盤對(duì)形變盤的加熱效率，繼而提升蒸汽的產(chǎn)生速度。形變盤在受熱產(chǎn)生足夠形變量的基礎(chǔ)上，后續(xù)降溫復(fù)原的動(dòng)作也就越劇烈，從而使其表面的水垢產(chǎn)生擠壓破碎脫附，由此用戶只需要簡(jiǎn)單擦拭就能將水垢清除，降低除垢所需時(shí)間，并且不需要使用酸性清潔劑，降低對(duì)形變盤表面的腐蝕。

技術(shù)特征：

1.一種蒸發(fā)組件，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的形變盤和導(dǎo)熱盤，所述形變盤具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)組件，其特征在于，所述形變盤的邊緣和所述導(dǎo)熱盤的邊緣至少部分貼合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)組件，其特征在于，還包括密封圈，所述密封圈套設(shè)在所述形變盤和所述導(dǎo)熱盤的邊緣貼合處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)組件，其特征在于，當(dāng)所述形變盤處于第二狀態(tài)時(shí)，所述形變盤中間部分和所述導(dǎo)熱盤中間部分至少部分貼合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)組件，其特征在于，所述導(dǎo)熱盤上開設(shè)有通氣孔，當(dāng)所述形變盤處于第一狀態(tài)時(shí)，所述形變盤和所述導(dǎo)熱盤圍攏形成形變腔，所述通氣孔連通至所述形變腔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)組件，其特征在于，所述形變盤背離所述導(dǎo)熱盤的一面為蒸發(fā)面，當(dāng)所述形變盤處于第一狀態(tài)時(shí)，所述蒸發(fā)面為平面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)組件，其特征在于，所述導(dǎo)熱盤朝向所述形變盤的一面為加熱面，所述加熱面的中間部分沿背離所述形變盤的方向凹陷形成避讓槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸發(fā)組件，其特征在于，所述加熱面位于所述避讓槽外的部分為平面并與所述形變盤貼合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)組件，其特征在于，所述形變盤的材質(zhì)為鎳鈦合金。

10.一種蒸箱，其特征在于，包括箱體以及如權(quán)利1-9任一權(quán)利要求所述的蒸發(fā)組件，所述蒸發(fā)組件設(shè)置在所述箱體內(nèi)壁上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蒸箱，其特征在于，所述箱體內(nèi)壁和所述形變盤之間形成臺(tái)階。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種蒸發(fā)組件及蒸箱，包括相對(duì)設(shè)置的形變盤和導(dǎo)熱盤，所述形變盤具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)；當(dāng)所述形變盤處于第一狀態(tài)時(shí)，所述形變盤中間部分和所述導(dǎo)熱盤中間部分的間距為d<subgt;1</subgt;，所述形變盤的邊緣和所述導(dǎo)熱盤的邊緣間距為d<subgt;3</subgt;；當(dāng)所述形變盤處于第二狀態(tài)時(shí)，所述形變盤中間部分和所述導(dǎo)熱盤中間部分的間距為d<subgt;2</subgt;，所述形變盤的邊緣和所述導(dǎo)熱盤的邊緣間距為d<subgt;4</subgt;；當(dāng)所述形變盤吸熱形變后，由第一狀態(tài)轉(zhuǎn)換為第二狀態(tài)；其中d<subgt;1</subgt;＞d<subgt;2</subgt;，且d<subgt;1</subgt;?d<subgt;2</subgt;＞d<subgt;3</subgt;?d<subgt;4</subgt;。形變盤受熱后其中間部分能夠產(chǎn)生足夠形變并朝向?qū)岜P中間部分移動(dòng)，提升導(dǎo)熱盤對(duì)形變盤的加熱效率，后續(xù)降溫復(fù)原的動(dòng)作使其表面的水垢產(chǎn)生擠壓破碎脫附，由此用戶只需要簡(jiǎn)單擦拭就能將水垢清除。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：寧波方太廚具有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240115
技術(shù)公布日：2024/12/17