專利名稱：電磁屏蔽面板、窗構(gòu)件、構(gòu)造物、電磁屏蔽室及電磁屏蔽箱的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及屏蔽電磁波的電磁屏蔽面板，特別涉及在30MHz 20GHz左右的頻帶 具有高電磁屏蔽性能的電磁屏蔽面板。再者，本發(fā)明涉及利用電磁屏蔽面板構(gòu)成的窗構(gòu)件、 構(gòu)造物、電磁屏蔽室及電磁屏蔽箱。
背景技術(shù)：
專利文獻(xiàn)1有公開屏蔽電磁波的電磁屏蔽面板。專利文獻(xiàn)1的電磁屏蔽面板包 括2片玻璃板，隔著間隔件而相對(duì)配置；透明導(dǎo)電膜，形成在玻璃板的相對(duì)面上；以及導(dǎo)電 性被覆材，設(shè)于玻璃板的邊緣部分并與透明導(dǎo)電膜電連接。(先前技術(shù)文獻(xiàn))(專利文獻(xiàn))專利文獻(xiàn)1 日本實(shí)開平3-83996號(hào)公報(bào)近年來，要求電磁屏蔽面板在寬的頻帶具有充分的屏蔽性能。但是，專利文獻(xiàn)1的 電磁屏蔽面板無法實(shí)現(xiàn)此種屏蔽性能。

發(fā)明內(nèi)容
所以，本發(fā)明目的在于提供具有良好視認(rèn)性且在寬的頻域具有充分屏蔽性能的電 磁屏蔽面板。(解決問題的方式)本發(fā)明的一個(gè)形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第1種電磁屏蔽面板而言，至少具備 一對(duì)屏蔽板和邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件，各個(gè)所述屏蔽板包括絕緣板，其具有第1主面、第2主面與4個(gè)邊緣，并具有可見 光透光性；高頻電磁屏蔽構(gòu)件，其在相對(duì)高的頻域具有電磁屏蔽功能，并以至少覆蓋所述第 1主面的方式配置；以及低頻電磁屏蔽構(gòu)件，其在相對(duì)低的頻域具有電磁屏蔽功能，并以至 少覆蓋所述第2主面的方式配置；所述屏蔽板以所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件和所述低頻電磁屏 蔽構(gòu)件之中任一者覆蓋所述絕緣板全部的所述邊緣，由此由所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件與所述 低頻電磁屏蔽構(gòu)件包覆所述絕緣板；且 所述邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件使得全部所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件及所述低頻電磁屏蔽 構(gòu)件在所述一對(duì)絕緣板所有的所述邊緣附近物理及電連接。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第2電磁屏蔽面板而言，是如第1電 磁屏蔽面板，其中，所述相對(duì)高的頻域與所述相對(duì)低的頻域，在一部分重復(fù)。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第3電磁屏蔽面板而言，是如第1或 第2電磁屏蔽面板，其中，所述低頻電磁屏蔽構(gòu)件，是導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件，各個(gè)所述屏蔽板被配置為除了所述邊緣附近的所述邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件之外，所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件位于最外側(cè)。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第4電磁屏蔽面板而言，是如第1至 第3電磁屏蔽面板之中任一者，其中所述絕緣板具有80%以上的可見光透光率。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第5電磁屏蔽面板而言，是如第4電 磁屏蔽面板，其中所述絕緣板是玻璃板。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第6電磁屏蔽面板而言，是如第1至 第5電磁屏蔽面板之中任一者，其中所述屏蔽板在與所述第1主面及所述第2主面垂直的 方向上互相分離地配置。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第7電磁屏蔽面板而言，是如第6電 磁屏蔽面板，其中還包括被夾持體，所述被夾持體受到所述一對(duì)屏蔽板夾持，且至少包括1 片具有可見光透光性的被夾持絕緣板。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第8電磁屏蔽面板而言，是如第7電 磁屏蔽面板，其中，所述被夾持體，還包括安裝在所述被夾持絕緣板的被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件及/ 或被夾持低頻電磁屏蔽構(gòu)件，所述被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件及/或所述被夾持低頻電磁屏蔽構(gòu)件，全部連接到 所述邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第9電磁屏蔽面板而言，是如第1至 第8電磁屏蔽面板之中任一者，其中所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件，是由具有80%以上可見光透 光率的導(dǎo)電薄膜構(gòu)成。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第10電磁屏蔽面板而言，是如第9 電磁屏蔽面板，其中所述導(dǎo)電薄膜是包括氧化銦膜、氧化鋅膜、氧化錫膜之中任一者。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第11電磁屏蔽面板而言，是如第1 至第8電磁屏蔽面板之中任一者，其中所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件，是由具有80%以上可見光 透光率的導(dǎo)電膜片構(gòu)成。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第12電磁屏蔽面板而言，是如第11 電磁屏蔽面板，其中所述導(dǎo)電膜片是由導(dǎo)電薄膜與絕緣膜片的層疊體構(gòu)成。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供電磁屏蔽面板，就第13電磁屏蔽面板而言，是如第12 電磁屏蔽面板，其中，所述導(dǎo)電薄膜，是氧化銦錫膜，所述絕緣膜片，是PET (polyethylene ter印hthalate，聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)膜 片。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供窗構(gòu)件，就第1窗構(gòu)件而言，是包括第1至第13種電 磁屏蔽面板之中任一者，以及窗框。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供窗構(gòu)件，就第2窗構(gòu)件而言，是如第1窗構(gòu)件，其中所 述邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件與所述窗框電連接。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供窗構(gòu)件，就第3窗構(gòu)件而言，是如第2窗構(gòu)件，其中還 包括用來調(diào)整所述邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件與所述窗框之間接觸壓的壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供構(gòu)造物，就構(gòu)造物而言，是包括第1至第3種窗構(gòu)件之中任一者，且所述構(gòu)造物內(nèi)部具有封閉空間。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供具備上述構(gòu)造物的電磁屏蔽室。本發(fā)明一個(gè)其它形態(tài)是提供具備上述構(gòu)造物的電磁屏蔽箱。(發(fā)明的效果)因?yàn)槔?片各自具備不同對(duì)應(yīng)頻率的高頻電磁屏蔽構(gòu)件與低頻電磁屏蔽構(gòu)件 的屏蔽板來構(gòu)成電磁屏蔽面板，所以可在寬的頻帶中得到電磁屏蔽效果。又，在各屏蔽板的絕緣體的邊緣以外部位，因?yàn)榻逵山^緣體將高頻電磁屏蔽構(gòu)件 與低頻電磁屏蔽構(gòu)件分離而配置，所以相較于單純將高頻電磁屏蔽構(gòu)件與低頻電磁屏蔽構(gòu) 件予以重疊的狀況而言，可得到較高的電磁屏蔽效果。再者，因?yàn)樵诟髌帘伟謇酶哳l電磁屏蔽構(gòu)件與低頻電磁屏蔽構(gòu)件包覆絕緣體， 可防止電磁波從絕緣體邊緣泄漏。尤其，將2塊屏蔽板彼此緊密相接，或?qū)⒈粖A持體夾持在2塊屏蔽板間，而使得屏 蔽板間沒有空氣層時(shí)，可提高電磁屏蔽面板本身的剛性。所以，在如同窗框的電磁屏蔽面板 以外的構(gòu)件不須具有高剛性，因而可達(dá)成該類構(gòu)件的輕量化。另一方面，相較于使2塊屏蔽板彼此緊密相接的狀況而言，使空氣層或被夾持體 介在2塊屏蔽板間，而不使2塊相鄰屏蔽板緊密相接時(shí)，可得到較高的電磁屏蔽性能。亦即，將被夾持體夾持在2塊屏蔽板之間，可得到較高的電磁屏蔽性能與高剛性 兩者。


圖1是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的電磁屏蔽面板的概略剖面圖。圖2是表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的窗構(gòu)件的概略圖。圖3是表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的電磁屏蔽面板的概略剖面圖。圖4是表示本發(fā)明第3實(shí)施方式的電磁屏蔽面板的概略剖面圖。圖5是表示本發(fā)明第4實(shí)施方式的窗構(gòu)件，尤其表示壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)的概略剖面圖。圖6是表示本發(fā)明第5實(shí)施方式的窗構(gòu)件的概略圖。圖7是表示本發(fā)明第6實(shí)施方式的屏蔽室的概略圖。圖8是表示本發(fā)明第7實(shí)施方式的屏蔽箱的概略圖。圖9是表示比較例的電磁屏蔽面板的概略剖面圖。圖10是說明本發(fā)明的窗構(gòu)件的實(shí)測(cè)值的測(cè)定方法的圖。圖11是說明參照值的測(cè)定方法的圖。符號(hào)的說明IOUOb 屏蔽板11絕緣板(玻璃板)11-1 第 1 主面11-2 第 2 主面11-3 邊緣13高頻電磁屏蔽構(gòu)件(導(dǎo)電薄膜)15低頻電磁屏蔽構(gòu)件(導(dǎo)電網(wǎng)狀(mesh)構(gòu)件)
16粘接層17高頻電磁屏蔽構(gòu)件(導(dǎo)電膜片)18導(dǎo)電薄膜19絕緣膜片20、20a 被夾持體22被夾持絕緣體24被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件30邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件40間隔件50空氣層100、100a、100b、IOOe 電磁屏蔽面板110屏蔽襯墊120 窗框125螺絲130壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)132金屬板134調(diào)整螺絲140導(dǎo)電框150軌道160 電刷200、200c、200d 窗構(gòu)件300屏蔽室310封閉空間400屏蔽箱410封閉空間500發(fā)送天線600接收天線
具體實(shí)施例方式(第1實(shí)施方式)如圖1所示，本發(fā)明第1實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100，包括1對(duì)屏蔽板10 ；被夾 持體20，被夾持在屏蔽板10間；邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30。各屏蔽板10包括絕緣板11，具有第1主面11-1及第2主面11_2與4個(gè)邊緣 11-3，并具有高可見光透光性；高頻電磁屏蔽構(gòu)件13，在相對(duì)高的頻域具有電磁屏蔽功能； 低頻電磁屏蔽構(gòu)件15，在相對(duì)低的頻域具有電磁屏蔽功能。本實(shí)施方式的絕緣板11是由玻璃板構(gòu)成。但是，本發(fā)明不限定于此，絕緣板11亦 可是由例如聚碳酸酯或聚醚砜等具有高可見光透光性的樹脂構(gòu)成的板。相較于一般性玻 璃板而言，使用由樹脂構(gòu)成的板作為絕緣體11，可構(gòu)成不易破裂且重量輕的電磁屏蔽面板。 另，考慮到視認(rèn)性，絕緣板11宜具有80%以上的可見光透光率。
高頻電磁屏蔽構(gòu)件13，以覆蓋絕緣板11的第1主面11-1的方式配置。本實(shí)施方 式的高頻電磁屏蔽構(gòu)件13，是由具有可見光透光性的導(dǎo)電薄膜構(gòu)成。就導(dǎo)電薄膜而言，舉例 是如含有氧化銦膜、氧化鋅膜、氧化錫膜之中任一者。低頻電磁屏蔽構(gòu)件15，隔著粘接層16而覆蓋絕緣板11的第2主面11_2，并且覆蓋 4個(gè)邊緣11-3，并進(jìn)一步延伸到第1主面11-1側(cè)，在各邊緣11-3附近與高頻電磁屏蔽構(gòu)件 13連接。藉此，本實(shí)施方式的絕緣板11，成為藉由高頻電磁屏蔽構(gòu)件13與低頻電磁屏蔽構(gòu) 件15包覆的狀態(tài)。所以，電磁波不會(huì)從屏蔽板10的絕緣板11的邊緣11-3附近泄漏。尤 其，圖示的高頻電磁屏蔽構(gòu)件13與低頻電磁屏蔽構(gòu)件15互相以面進(jìn)行接觸。相較于例如使 兩者互相線接觸或點(diǎn)接觸的狀況而言，使兩者互相面接觸時(shí)，可得到較高的電磁屏蔽特性。 在此，本實(shí)施方式的低頻電磁屏蔽構(gòu)件15，是由導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件構(gòu)成，又，低頻電磁屏蔽構(gòu)件 15發(fā)揮電磁屏蔽效果的頻域，與高頻電磁屏蔽構(gòu)件13發(fā)揮電磁屏蔽效果的頻域，其一部分 重復(fù)。如上述構(gòu)成的2塊屏蔽板10，藉由在其間包夾被夾持體20，而互相分離配置在與 絕緣板11的第1主面11-1及第2主面11-2垂直的方向上。本實(shí)施方式的被夾持體20，僅 由被夾持絕緣體22構(gòu)成。本實(shí)施方式的被夾持絕緣體22是玻璃板。相較于使2塊屏蔽板 10互相密合的狀況而言，將兩者分離配置，則兩者之間變成有電介質(zhì)層存在，因而可提升電 磁屏蔽效果。另一方面，使空氣層中隔在2塊屏蔽板10間時(shí)，則強(qiáng)度上較弱。以本實(shí)施方 式的方式，使2塊屏蔽板10夾持被夾持體20 (被夾持絕緣體2 時(shí)，可同時(shí)達(dá)成被夾持體 20介電常數(shù)所帶來的電磁屏蔽效果的提升，與被夾持體20存在所帶來的強(qiáng)度的提升兩者。邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30，使得全部的高頻電磁屏蔽構(gòu)件13及低頻電磁屏蔽構(gòu)件 15，在一對(duì)絕緣板11所有的邊緣11-3附近物理及電連接。藉此，高頻電磁屏蔽構(gòu)件13、低 頻電磁屏蔽構(gòu)件15及邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30全部互相導(dǎo)通。尤其在圖示的電磁屏蔽面板 100，邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30是直接面接觸于低頻電磁屏蔽構(gòu)件15與高頻電磁屏蔽構(gòu)件13 雙方。藉此，相較于使邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30與低頻電磁屏蔽構(gòu)件15及/或高頻電磁屏 蔽構(gòu)件13點(diǎn)接觸或線接觸的狀況而言，可達(dá)成電磁屏蔽特性的提升。在本實(shí)施方式中，以各屏蔽板10的絕緣板11的第1主面11-1朝向電磁屏蔽面板 100外側(cè)(亦即，以第2主面11-2朝向電磁屏蔽面板100內(nèi)側(cè))的方式，配置2塊屏蔽板 10。在本實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100中，各屏蔽板10被配置為除邊緣11-3附近的邊緣 連接用導(dǎo)電構(gòu)件30之外，高頻電磁屏蔽構(gòu)件13位于的最外側(cè)。本實(shí)施方式的低頻電磁屏 蔽構(gòu)件15是由導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件構(gòu)成，如將其配置到位于電磁屏蔽面板100的最外側(cè)，則在搬 送或安裝電磁屏蔽面板100時(shí)，導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件將有可能被物體勾拉而破損。對(duì)此，以本實(shí)施 方式的方式構(gòu)成而不露出低頻電磁屏蔽構(gòu)件15，則可防止上述低頻電磁屏蔽構(gòu)件15的破 損。另，為了提高電磁屏蔽面板100的電磁屏蔽性能，2塊屏蔽板10的低頻電磁屏蔽構(gòu)件 (導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件)15，在相對(duì)配置屏蔽板10時(shí)，宜使低頻電磁屏蔽構(gòu)件(導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件)15 的網(wǎng)眼互相錯(cuò)開。參照?qǐng)D2，本實(shí)施方式的窗構(gòu)件200具有概略將上述電磁屏蔽面板100夾在窗框 120間的構(gòu)成。本實(shí)施方式的窗框120是金屬制，安裝在后述屏蔽室或屏蔽箱這樣的構(gòu)造物 上來使用。在窗框120內(nèi)側(cè)，亦即與覆蓋電磁屏蔽面板100的絕緣體11的邊緣11-3附近 的邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30相接觸的部位，設(shè)有屏蔽襯墊110。亦即，在窗框120的內(nèi)側(cè)與電磁屏蔽面板100之間介有屏蔽襯墊110。此屏蔽襯墊110是用來使窗框120與邊緣連接用 導(dǎo)電構(gòu)件30的電連接更為可靠，并防止電磁波從連接部分泄漏。亦可使用導(dǎo)電填隙劑等， 將窗框120與電磁屏蔽面板100的交界部分予以密封。另，屏蔽襯墊110或窗框120的材 質(zhì)等，只要依據(jù)所要求的各種性能而適宜選擇即可，并無特別限定。將窗框120安裝到電磁 屏蔽面板100而構(gòu)成窗構(gòu)件200時(shí)，處理變得容易，減輕運(yùn)送或安裝作業(yè)輸送所需的勞力。 此外，提高電磁屏蔽面板100的剛性，變得較不易破損。將如此構(gòu)成的窗構(gòu)件200安裝在例如屏蔽室的開口部，構(gòu)成電磁屏蔽窗。窗構(gòu)件 200的安裝、組裝方法并無特別限制。例如可在屏蔽室的開口部安裝一側(cè)的窗框120，其次 安裝電磁屏蔽面板100，再安裝另一側(cè)的窗框120，藉而構(gòu)成窗構(gòu)件200。又，亦可在窗框120 安裝組裝體，該組裝體通過在電磁屏蔽面板100周緣部安裝包圍該周緣部的形狀的導(dǎo)電框 而得到。(第2實(shí)施方式)參照?qǐng)D3，本發(fā)明第2實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100a，除被夾持體20a的構(gòu)成之 外，其余均與上述第1實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100相同。所以，以下僅說明差異之處。如圖3所示，本實(shí)施方式的被夾持體20a包括被夾持絕緣體22，由2塊玻璃板構(gòu) 成；以及被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件M。被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件M藉由粘接層16固定到 一側(cè)的被夾持絕緣體22，并且受到2個(gè)被夾持絕緣體22包夾。本實(shí)施方式的被夾持高頻電 磁屏蔽構(gòu)件M是與高頻電磁屏蔽構(gòu)件13由同一構(gòu)件構(gòu)成，亦可藉由例如與高頻電磁屏蔽 構(gòu)件13雖為不同材料但具有相同功能的構(gòu)件構(gòu)成。此種被夾持體20a，受到2塊屏蔽板10夾持，在周緣部通過邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件 30和2塊屏蔽板10連接。在此，如圖所示，本實(shí)施方式的邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30，不僅與屏 蔽板10的高頻電磁屏蔽構(gòu)件13及低頻電磁屏蔽構(gòu)件15物理、電連接，亦與包括在被夾持 體20a中的被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件M物理、電連接。包括在被夾持體20a中的被夾持高 頻電磁屏蔽構(gòu)件，亦可更換為與低頻電磁屏蔽構(gòu)件由相同構(gòu)件等構(gòu)成的被夾持低頻電磁屏 蔽構(gòu)件。又，亦可使包括在被夾持體20a中的被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件及/或被夾持低頻 電磁屏蔽構(gòu)件，是不與邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30連接的電氣浮接狀態(tài)。但是，考慮到高電磁 屏蔽性能，宜如本實(shí)施方式，使被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件及/或被夾持低頻電磁屏蔽構(gòu)件， 與邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30相連接。此外，圖示的被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件M與邊緣連接 用導(dǎo)電構(gòu)件30線接觸，但是，令被夾持高頻電磁屏蔽構(gòu)件M的緣部延伸，而使得被夾持高 頻電磁屏蔽構(gòu)件M與邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30面接觸時(shí)，可達(dá)成使電磁屏蔽特性更加提升。若用多片玻璃板構(gòu)成電磁屏蔽面板，則在欲增加電磁屏蔽面板全體厚度時(shí)亦可使 用泛用性高的低成本薄玻璃板。又，由于可設(shè)置追加的電磁屏蔽構(gòu)件(被夾持高頻電磁屏 蔽構(gòu)件，亦能達(dá)成使電磁屏蔽特性更加提升。(第3實(shí)施方式)參照?qǐng)D4，本發(fā)明第3實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100b，除了屏蔽板IOb之外，尤其 是除了高頻電磁屏蔽構(gòu)件17的構(gòu)成之外，其余均與上述第1實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100 相同。所以，以下僅說明具有差異的高頻電磁屏蔽構(gòu)件17。本實(shí)施方式的高頻電磁屏蔽構(gòu)件17，是由導(dǎo)電薄膜18與絕緣膜片19構(gòu)成的導(dǎo)電 膜片，在絕緣板11的第1主面11-1上配置導(dǎo)電薄膜18，并在其上配置絕緣膜片19。藉由如此使絕緣膜片19位于外側(cè)，可從外部保護(hù)導(dǎo)電薄膜18。更具體而言，本實(shí)施方式的高頻 電磁屏蔽構(gòu)件17，是將在絕緣膜片19上形成導(dǎo)電薄膜18而成的導(dǎo)電膜片，以導(dǎo)電薄膜18 與第1主面11-1相對(duì)的方式配置并藉由粘接劑(未圖示)貼合而成。為了達(dá)成導(dǎo)電薄膜 18與低頻電磁屏蔽構(gòu)件15或邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30的電連接，在電磁屏蔽面板IOOb的周 緣部附近，將導(dǎo)電薄膜18反折而成為外側(cè)。(第4實(shí)施方式)參照?qǐng)D5，本發(fā)明第4實(shí)施方式的窗構(gòu)件200c，是對(duì)于將上述第1實(shí)施方式的電磁 屏蔽面板100安裝到窗框120的構(gòu)造，再配置用來調(diào)整邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30與窗框120 之間接觸壓的壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)130而成。壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)130具備金屬板132與金屬制的調(diào)整 螺絲134。將調(diào)整螺絲134壓入，籍此將金屬板132朝向電磁屏蔽面板100推壓，可達(dá)成以 下所述即使因?yàn)榇翱?20等零件的尺寸誤差等而多少造成零件間產(chǎn)生縫隙，亦能適宜地 調(diào)整設(shè)于窗框120的屏蔽襯墊110與邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30之間的接觸壓。又，使用此種 構(gòu)成的壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)130，可不須設(shè)置會(huì)產(chǎn)生電磁波泄漏的開口而進(jìn)行接觸壓的調(diào)整。另， 就調(diào)整螺絲134而言，例如可使用開槽固定螺釘(Setscrew)。(第5實(shí)施方式)上述第1實(shí)施方式的窗構(gòu)件200，是嵌入到門或墻壁等處的形式的窗構(gòu)件，參照?qǐng)D 6，本發(fā)明第5實(shí)施方式的窗構(gòu)件200d，是滑動(dòng)窗形式的窗構(gòu)件。詳細(xì)而言，本實(shí)施方式的 窗構(gòu)件200d，具備對(duì)于上述第1實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100再安裝導(dǎo)電框140而成的構(gòu) 成。更具體而言，在窗框120設(shè)有軌道150。導(dǎo)電框140的上下框設(shè)有用來承接該軌道 150的溝，又，在導(dǎo)電框140間安裝有屏蔽襯墊110。此時(shí)，屏蔽襯墊110是以跨過軌道150 的方式構(gòu)成。此構(gòu)成的導(dǎo)電框140能可靠地與軌道150電連接并在軌道150上滑動(dòng)。又，導(dǎo) 電框140的左右框亦安裝有屏蔽襯墊110，藉此，可確實(shí)地達(dá)成窗框120與導(dǎo)電框140之間 的電連接。再者，如圖6所示將窗框120的端部立起，使其與導(dǎo)電框140充分重疊，可抑制 電磁波泄漏，并且在內(nèi)側(cè)，亦即導(dǎo)電框140側(cè)，設(shè)有電刷160，藉由使電刷160總是與導(dǎo)電框 140相接，可得到可靠地電連接，而不妨礙到電磁屏蔽面板100與導(dǎo)電框140的滑順動(dòng)作。(第6實(shí)施方式)參照?qǐng)D7，本發(fā)明的第6實(shí)施方式，是將使用了上述第1實(shí)施方式的電磁屏蔽面板 100的窗構(gòu)件200，應(yīng)用到具有測(cè)量等用的封閉空間310的屏蔽室300。若使用上述窗構(gòu)件 200，可抑制電磁波從電磁屏蔽面板100、電磁屏蔽面板100的邊緣部以及窗框120等漏泄， 即使在如測(cè)量等使用而非常嚴(yán)格的要求屏蔽性能時(shí)，亦能對(duì)應(yīng)。所以，本實(shí)施方式的屏蔽室 300中，可設(shè)置相對(duì)較大的窗部，而無損其電磁屏蔽效果。(第7實(shí)施方式)參照?qǐng)D8，本發(fā)明的第7實(shí)施方式，是將使用了上述第1實(shí)施方式的電磁屏蔽面板 100的窗構(gòu)件200，應(yīng)用在具有測(cè)量等用的封閉空間410的屏蔽箱400。依據(jù)本發(fā)明，與第6 實(shí)施方式的狀況相同，可克服嚴(yán)格的屏蔽性能要求，并可賦予屏蔽箱400視認(rèn)性。本發(fā)明的窗構(gòu)件的應(yīng)用范圍，并不限定于上述第6實(shí)施方式及第7實(shí)施方式。亦 可將本發(fā)明的窗構(gòu)件應(yīng)用在例如智能型大樓等構(gòu)造物。實(shí)施例
(實(shí)施例1)在實(shí)施例1中，是在第1實(shí)施方式的電磁屏蔽面板100，使用氧化錫膜作為高頻電 磁屏蔽構(gòu)件13，又，使用銅貼帶作為邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30。就可使用在高頻電磁屏蔽構(gòu)件13的導(dǎo)電材薄層而言，舉例可使用金屬蒸鍍膜或 鍍膜、氧化金屬膜等多種類型，為了實(shí)現(xiàn)達(dá)成本發(fā)明的良好視認(rèn)性，使用金屬蒸鍍膜或鍍膜 可能無法得到充分的視認(rèn)性，或?yàn)榱说玫揭曊J(rèn)性，而無法得到充分的屏蔽性能。因此，宜為 透明度高的氧化金屬膜，更佳者為透明度高、導(dǎo)電率大并含有氧化銦膜、氧化鋅膜、氧化錫 膜之中任一者。又，這些膜的表面電阻宜在30Ω 以下，膜厚約十分的幾微米 幾微米， 只要能達(dá)成所要求的表面電阻即可，并無特別的范圍限制。構(gòu)成低頻電磁屏蔽構(gòu)件15的導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件的線材并無特別限定，但一般常用的 不銹鋼，在耐氣候性、成本、屏蔽性能方面為佳。又，碳纖網(wǎng)狀薄板，或?qū)?dǎo)電性涂料印刷為 網(wǎng)狀，亦可得到同樣效果。網(wǎng)狀眼孔尺寸或線材粗細(xì)，只要適宜設(shè)定能兼顧所要求的各種特 性與視認(rèn)性即可。可使用導(dǎo)電性貼帶或屏蔽襯墊等作為覆蓋電磁屏蔽面板100的端緣部的邊緣連 接用導(dǎo)電構(gòu)件30，材質(zhì)只要能可靠地導(dǎo)通即可，并無特別限定。就絕緣板11而言，使用厚度3mm的玻璃板，就被夾持絕緣體22而言，使用6mm的 玻璃板。位于最外層由氧化錫膜構(gòu)成的高頻電磁屏蔽構(gòu)件13的表面電阻是15 Ω -Cm0又， 使用不銹鋼制且線材粗是為50μπκ眼孔尺寸約IOOym者，作為構(gòu)成低頻電磁屏蔽構(gòu)件15 的導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件。使用聚乙烯縮丁醛(polyvinyl butyral,PVB)作為將低頻電磁屏蔽構(gòu)件 15粘接到絕緣板11的粘接層16。另，構(gòu)成絕緣板11及被夾持絕緣體22的玻璃板的大小 各自是 525X525mm。在絕緣板(玻璃板)11的第1主面11-1形成可見光透光率82%的氧化錫膜，作 為高頻電磁屏蔽構(gòu)件13。再者，使由氧化錫膜構(gòu)成的高頻電磁屏蔽構(gòu)件13位于最外側(cè)，按 照如下的順序依次進(jìn)行層疊氧化錫膜(高頻電磁屏蔽構(gòu)件13)與3mm的玻璃板(絕緣板 11)、粘接層16、導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件15)、6mm的玻璃板(被夾持絕緣體22)、 導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件15)、粘接層16、3mm的玻璃板(絕緣板11)、氧化錫膜 (高頻電磁屏蔽構(gòu)件13)。此時(shí)，導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件15)從玻璃板(絕緣板 11)的邊緣11-3延伸出15mm左右。使它們?nèi)砍蔀橐惑w后，將超出的導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻 電磁屏蔽構(gòu)件15)各自往外側(cè)彎折并與氧化錫膜(高頻電磁屏蔽構(gòu)件13)接觸，之后將它 們的端緣部全體利用銅貼帶(邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30)加以覆蓋。此時(shí)，如圖1所示，銅貼 帶的邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30，不僅直接接觸導(dǎo)通彎折的導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件 15)，亦直接接觸導(dǎo)通高頻電磁屏蔽構(gòu)件13。(比較例)就比較例而言，制作如圖9所示構(gòu)成的電磁屏蔽面板100e。詳細(xì)而言，是各自使用 厚度3mm的玻璃作為2片絕緣板11。絕緣體11的第1主面11_1，除端部之外，其余皆為未 被覆蓋的狀態(tài)，絕緣體11的第2主面11-2，利用高頻電磁屏蔽構(gòu)件13與低頻電磁屏蔽構(gòu)件 15加以覆蓋。詳細(xì)而言，是在第2主面11-2上形成高頻電磁屏蔽構(gòu)件13，并在其上形成低 頻電磁屏蔽構(gòu)件15。低頻電磁屏蔽構(gòu)件15與第1實(shí)施方式相同，覆蓋邊緣11-3，且亦覆蓋 第1主面11-1的邊緣11-3近旁。在此，就高頻電磁屏蔽構(gòu)件13而言，使用一般用于屏蔽玻璃的銀膜。銀膜的表面電阻是20Ω · cm，可見光透光率是53%。又，就低頻電磁屏蔽構(gòu) 件15而言，使用與實(shí)施例1相同的導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件。附有高頻電磁屏蔽構(gòu)件13及低頻電磁 屏蔽構(gòu)件15的絕緣板11，是藉由使間隔件40介于其間而分離配置。藉此，在絕緣板11間 形成6mm厚的空氣層50。連接間隔件40與低頻電磁屏蔽構(gòu)件15所用的粘接層16的材質(zhì) (聚乙烯縮丁醛，PVB)、玻璃板的大小等，是與前述實(shí)施例1相同。(實(shí)施例2)就實(shí)施例2而言，制作具備第2實(shí)施方式的構(gòu)造的電磁屏蔽面板100a。使用的材 料是與實(shí)施例1大致相同。不同之處，在于將構(gòu)成被夾持絕緣體22的玻璃板定為3mm，且數(shù) 量為2片，以及，在該2片被夾持絕緣體22中間，再設(shè)置氧化錫膜作為被夾持高頻電磁屏蔽 構(gòu)件對(duì)。其它構(gòu)成是與上述實(shí)施例1相同。(實(shí)施例3)就實(shí)施例3而言，制作具備第3實(shí)施方式的構(gòu)造的電磁屏蔽面板100b。使用的材 料大致與實(shí)施例1相同。不同處在于，將實(shí)施例1的高頻電磁屏蔽構(gòu)件13，替換為可見光透 光率81%的導(dǎo)電膜片17。在此，導(dǎo)電膜片17具備導(dǎo)電薄膜18與絕緣膜片19。具體而言， 導(dǎo)電薄膜是氧化銦錫膜，絕緣膜片19是PET膜片。如圖所示，導(dǎo)電薄膜18是由絕緣膜片19 保護(hù)。另，氧化銦錫膜的表面電阻是2Ω ·_。其它構(gòu)成，是與上述實(shí)施例1相同。將使用氧化銦錫膜(導(dǎo)電薄膜18)的導(dǎo)電膜片(高頻電磁屏蔽構(gòu)件17)貼設(shè)到絕 緣板(玻璃板)11。再者，使該導(dǎo)電膜片(高頻電磁屏蔽構(gòu)件17)位于最外側(cè)，按照如下的 順序依次進(jìn)行層疊導(dǎo)電膜片(高頻電磁屏蔽構(gòu)件17)、3mm的玻璃板(絕緣板11)、粘接層 16、導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件15)、6mm的玻璃板(被夾持絕緣體22)、導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu) 件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件15)、粘接層16、3mm的玻璃板(絕緣板11)、導(dǎo)電膜片(高頻電磁屏 蔽構(gòu)件17)。此時(shí)，導(dǎo)電膜片(高頻電磁屏蔽構(gòu)件17)從玻璃板(絕緣體11)的邊緣11-3 延伸出20mm左右，導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件15)從玻璃板(絕緣板11)的邊緣 11-3延伸出15mm左右。使它們?nèi)砍蔀橐惑w后，將超出的導(dǎo)電膜片(高頻電磁屏蔽構(gòu)件 17)往外側(cè)彎折，再將超出的導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件15)往外側(cè)彎折，連接到導(dǎo) 電膜片(高頻電磁屏蔽構(gòu)件17)的導(dǎo)電薄膜18，之后將這些端緣部全體利用銅貼帶(邊緣 連接用導(dǎo)電構(gòu)件30)覆蓋。此時(shí)，如圖4所示，銅貼帶的邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件30，不僅直接 接觸導(dǎo)通彎折的導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件(低頻電磁屏蔽構(gòu)件15)，亦直接接觸導(dǎo)通于導(dǎo)電膜片(高頻 電磁屏蔽構(gòu)件17)的氧化銦錫膜(導(dǎo)電薄膜18)。在圖10所示的測(cè)定系統(tǒng)中，測(cè)定實(shí)施例1 3及比較例的電磁屏蔽面板100、 100a、100b、IOOe的電磁屏蔽效果的實(shí)測(cè)值，并且在圖11所示的測(cè)定系統(tǒng)中測(cè)定參照值。詳細(xì)而言，是將利用實(shí)施例1 3及比較例制作的電磁屏蔽面板100、100a、100b、 IOOe,如圖2所示嵌入到窗框120而作為被測(cè)定體。其次，如圖10所示，使用安裝有此被測(cè) 定體作為窗構(gòu)件的屏蔽室300，利用接收天線600測(cè)定電磁波的電場(chǎng)強(qiáng)度，取得實(shí)測(cè)值，其 中，該電磁波來自以?shī)A住被測(cè)定體的形式而相對(duì)的發(fā)送天線500。又，如圖11所示，在自由 空間使發(fā)送天線500與接收天線600相對(duì)并以同樣的方式測(cè)定電場(chǎng)強(qiáng)度，取得參照值。再 者，將參照值減去實(shí)測(cè)值計(jì)算出減衰量，作為測(cè)定結(jié)果。測(cè)定的細(xì)節(jié)是依據(jù)電磁屏蔽室試驗(yàn) 方法的日本防衛(wèi)廳規(guī)格NDS C0012進(jìn)行。測(cè)定結(jié)果表示于下表1。表1
權(quán)利要求
1.一種電磁屏蔽面板，至少具備一對(duì)屏蔽板和邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件，各個(gè)所述屏蔽板包括絕緣板，其具有第1主面、第2主面與4個(gè)邊緣，并具有可見光透光性；高頻電磁屏蔽構(gòu)件，其在相對(duì)高的頻域具有電磁屏蔽功能，并以至少覆蓋所述第1主 面的方式配置；以及低頻電磁屏蔽構(gòu)件，其在相對(duì)低的頻域具有電磁屏蔽功能，并以至少覆蓋所述第2主 面的方式配置；所述屏蔽板以所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件和所述低頻電磁屏蔽構(gòu)件之中任一者覆蓋所述 絕緣板的所有所述邊緣，以此由所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件與所述低頻電磁屏蔽構(gòu)件包覆所述 絕緣板；且所述邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件使得全部所述高頻電磁屏蔽構(gòu)件及所述低頻電磁屏蔽構(gòu)件 在所述一對(duì)絕緣板的所有所述邊緣附近物理及電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽面板，其特征在于，所述低頻電磁屏蔽構(gòu)件是導(dǎo)電網(wǎng)狀構(gòu)件，各個(gè)所述屏蔽板被配置為除了所述邊緣附近的所述邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件之外，所述 高頻電磁屏蔽構(gòu)件位于最外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電磁屏蔽面板，其特征在于，所述屏蔽板，在與所述第1主面及所述第2主面垂直的方向上互相分離地配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電磁屏蔽面板，其特征在于，還具備被夾持體，其被所述一對(duì)屏蔽板夾持，并至少具備1片具有可見光透光性的被 夾持絕緣板。
5.一種窗構(gòu)件，具備權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)的電磁屏蔽面板與窗框。
6.一種構(gòu)造物，具備權(quán)利要求5所述的窗構(gòu)件，該構(gòu)造物內(nèi)部具有封閉空間。
全文摘要
一種電磁屏蔽面板，至少具備一對(duì)屏蔽板與邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件。各屏蔽板具備絕緣板，具有第1主面、第2主面與4個(gè)邊緣，并具有可見光透光性；高頻電磁屏蔽構(gòu)件，在相對(duì)高的頻域具有電磁屏蔽功能，并以至少覆蓋第1主面的方式配置；以及低頻電磁屏蔽構(gòu)件，在相對(duì)低的頻域具有電磁屏蔽功能，并以至少覆蓋第2主面的方式配置；該電磁屏蔽面板以高頻電磁屏蔽構(gòu)件與低頻電磁屏蔽構(gòu)件其中之一覆蓋絕緣板所有的邊緣，籍此以高頻電磁屏蔽構(gòu)件與低頻電磁屏蔽構(gòu)件包覆絕緣板而成。邊緣連接用導(dǎo)電構(gòu)件，使得全部的高頻電磁屏蔽構(gòu)件及低頻電磁屏蔽構(gòu)件，在一對(duì)絕緣板所有的邊緣附近物理及電連接。
文檔編號(hào)E06B5/00GK102149892SQ20098013548
公開日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2009年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月14日
發(fā)明者加藤一美, 菅原健一 申請(qǐng)人:Nec東金株式會(huì)社, 東金電磁相容科技股份有限公司