一種微波暗室及其屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信行業(yè)的測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種微波暗室的屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)以及具有該屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)的微波暗室。
【背景技術(shù)】
[0002]無源互調(diào)(Passive Inter-Modulat1n，簡(jiǎn)稱PIM)是由發(fā)射系統(tǒng)中各種無源器件的非線性特性引起的。在大功率、多信道系統(tǒng)中，這些無源器件的非線性會(huì)產(chǎn)生相對(duì)于工作頻率的更高次諧波，這些諧波與工作頻率混合會(huì)產(chǎn)生一組新的頻率，其最終結(jié)果就是在空間中產(chǎn)生一組無用的頻譜從而影響正常的通信。
[0003]在無源器件(天線、電纜等)中，無源互調(diào)產(chǎn)生的原因主要包括三方面:不良的機(jī)械節(jié)點(diǎn)、材料的磁滯特性及表面或接觸面受到污染。
[0004]微波暗室一般由屏蔽殼體、暗室門、吸波材料層、安裝在暗室內(nèi)的被測(cè)設(shè)備的支撐裝置、天線支架系統(tǒng)等設(shè)備等組成，當(dāng)電磁波入射到微波暗室的吸波材料層時(shí)，絕大部分的電磁波被吸收，能夠?yàn)殡姶挪ㄌ峁┮粋€(gè)模擬自由空間、且與外部隔離的傳播環(huán)境，可應(yīng)用于天線、目標(biāo)RCS特性測(cè)量、電磁兼容測(cè)試及電子裝備仿真試驗(yàn)等許多領(lǐng)域。
[0005]目前，傳統(tǒng)的微波暗室的屏蔽殼體多為拼裝結(jié)構(gòu)，連接部位多采用焊接或拼接的方式進(jìn)行裝配，其中，焊接會(huì)產(chǎn)生毛刺和焊孔等不均勻?qū)щ婞c(diǎn)，而拼接會(huì)產(chǎn)生對(duì)接縫隙導(dǎo)致電磁波泄漏，在測(cè)試天線互調(diào)指標(biāo)時(shí)，均會(huì)造成測(cè)試誤差。為了避免這一現(xiàn)象，屏蔽殼體可以采用一體結(jié)構(gòu)，但由于現(xiàn)有的微波暗室尺寸都較大，一體結(jié)構(gòu)的屏蔽殼體難以實(shí)現(xiàn)且成本非常高。
[0006]申請(qǐng)?zhí)枮?01220448233.4的中國專利文獻(xiàn)公開了一種用于互調(diào)測(cè)試的微波暗室，暗室主體是由龍骨框架和固定于其上的塊狀壁面所組成的封閉空間，塊狀壁面面對(duì)封閉空間的一側(cè)表面上設(shè)有鋁合金屏蔽層，屏蔽層的接縫處設(shè)有屏蔽膠條。屏蔽膠條材質(zhì)為帶有絕緣覆膜的鋁箔材料，其作用是使接縫不直接暴露，其材質(zhì)是帶有絕緣覆膜的鋁箔材料。這一裝配方式能有效避免暗室大面積強(qiáng)互調(diào)源的形成，然而，這一結(jié)構(gòu)中的絕緣覆膜易被鋁合金板的邊緣和毛刺劃破，導(dǎo)致鋁合金屏蔽層與屏蔽膠條中的鋁箔短路，此外，由于屏蔽層的接縫處存在縫隙，來自暗室外部的互調(diào)源會(huì)進(jìn)入暗室內(nèi)造成互調(diào)干擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種微波暗室的屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)以及具有該屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)的微波暗室，可靠地避免產(chǎn)生互調(diào)干擾，并提高對(duì)電磁波的屏蔽性能。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0009]—種微波暗室的屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)，包括具有電磁屏蔽性能的相互拼接的至少一對(duì)第一拼接單元和第二拼接單元，所述第一拼接單元和所述第二拼接單元至少外表面為非鐵磁金屬材料，所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的拼接處以非導(dǎo)通方式拼接，在所述拼接處的內(nèi)側(cè)覆蓋有損耗層，在所述拼接處的外側(cè)覆蓋有屏蔽層，所述損耗層為可非磁性吸波材料，所述屏蔽層用于屏蔽來自外部的電磁波。
[0010]進(jìn)一步地:
[0011]所述損耗層為具有彈性的非磁性吸波材料，尤其是橡膠吸波片；或?yàn)槲z水。
[0012]所述屏蔽層為具有導(dǎo)電性和延展性的非鐵磁金屬材料，優(yōu)選為銅或銀，優(yōu)選設(shè)置成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0013]所述以非導(dǎo)通方式拼接包括:在所述拼接處保留空的拼接間隙、在所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的拼接端面噴涂絕緣漆、或在所述拼接處的拼接間隙內(nèi)設(shè)置絕緣膠水或絕緣膠片。
[0014]所述屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)還包括分別設(shè)置在所述拼接處的內(nèi)側(cè)和外側(cè)的非鐵磁金屬材料板，所述損耗層和所述屏蔽層分別由內(nèi)側(cè)和外側(cè)的非鐵磁金屬材料板壓緊覆蓋于所述拼接處。優(yōu)選地，所述非鐵磁金屬材料板為鋁或鋁合金。
[0015]所述拼接處位于所述屏蔽殼的平面上；
[0016]其中在所述第一拼接單元和所述第二拼接單元上靠近所述拼接處的部位穿設(shè)多個(gè)鉚釘或螺栓，以將所述非鐵磁金屬材料板緊固在所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的拼接處；或者
[0017]其中在所述拼接處的拼接間隙中穿設(shè)鉚釘或螺栓，以將所述非鐵磁金屬材料板緊固在所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的拼接處；或者
[0018]其中位于所述拼接處的外側(cè)的非鐵磁金屬材料板具有兩個(gè)端部和穿過所述拼接處的拼接間隙以及所述損耗層的U形彎折部，所述兩個(gè)端部分別靠壓在所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的外側(cè)的屏蔽層上，所述U形彎折部的底端通過鉚釘或螺栓與位于所述拼接處的內(nèi)側(cè)的非鐵磁金屬材料板固定在一起；
[0019]所述鉚釘或螺栓為非磁鐵金屬材料。
[0020]所述拼接處位于所述屏蔽殼的邊角上，至少一對(duì)所述第一拼接單元和所述第二拼接單元在所述拼接處以一定的角度拼接，所述角度為銳角、直角或鈍角；
[0021]其中所述第一拼接單元沿第一方向設(shè)置，所述第二拼接單元沿第二方向設(shè)置，所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的端面相對(duì)或錯(cuò)開，在所述第一拼接單元和所述第二拼接單元之間具有拼接間隙；所述屏蔽層以與所述角度一致的彎折布置覆蓋在所述第一拼接單元的外側(cè)、所述拼接間隙的外口、以及所述第二拼接單元的外側(cè)上，所述損耗層以與所述角度一致的彎折布置覆蓋在所述第一拼接單元的內(nèi)側(cè)、所述拼接間隙的內(nèi)口、以及所述第二拼接單元的內(nèi)側(cè)上；
[0022]優(yōu)選地，所述第一拼接單元沿豎直方向設(shè)置，所述第二拼接單元沿水平方向設(shè)置，所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的端面為相互錯(cuò)開的垂直面，所述第一拼接單元的端面與所述第二拼接單元的上表面平齊，所述第二拼接單元的端面朝向所述第一拼接單元的內(nèi)側(cè)且與所述第一拼接單元的內(nèi)側(cè)之間具有拼接間隙；所述屏蔽層以L形的布置覆蓋在所述第一拼接單元的外側(cè)、所述第一拼接單元的端面、所述拼接間隙的外口、以及所述第二拼接單元的上表面上，所述損耗層以L形的布置覆蓋在所述第一拼接單元的內(nèi)側(cè)、所述拼接間隙的內(nèi)口、以及所述第二拼接單元的下表面上；或者
[0023]優(yōu)選地，所述第一拼接單元沿豎直方向設(shè)置，所述第二拼接單元沿水平方向設(shè)置，所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的端面為相互正對(duì)的斜面，從而所述第一拼接單元和所述第二拼接單元通過端面的過渡銜接為L(zhǎng)形，所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的端面之間具有拼接間隙；所述屏蔽層以L形的布置覆蓋在所述第一拼接單元的外側(cè)、所述拼接間隙的外口、以及所述第二拼接單元的上表面上，所述損耗層以L形的布置覆蓋在所述第一拼接單元的內(nèi)側(cè)、所述拼接間隙的內(nèi)口、以及所述第二拼接單元的下表面上。
[0024]所述第一拼接單元和所述第二拼接單元的內(nèi)側(cè)還設(shè)置有吸波材料，所述吸波材料至少覆蓋所述損耗層。
[0025]所述第一拼接單元和/或所述第二拼接單元為夾芯板，所述夾芯板的外層為非鐵磁金屬材料，例如鋁或鋁合金，所述夾芯板的芯層為防火阻燃材料。
[0026]—種微波暗室，具有上述任一種的屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)。
[0027]本發(fā)明的有益效果:
[0028]本發(fā)明提出的屏蔽殼拼裝結(jié)構(gòu)中，第一拼接單元和第二拼接單元以非導(dǎo)通方式拼接，屏蔽殼拼接單元至少外表面采用非鐵磁金屬材料，避免暗室大面積強(qiáng)互調(diào)源的形成。在拼接處的內(nèi)側(cè)覆蓋有非磁性吸波材料的損耗層，在拼接處的外側(cè)覆蓋有屏蔽層，拼接處內(nèi)側(cè)的損耗層可吸收拼接處來自內(nèi)部和外部的電磁波，外側(cè)的屏蔽層可屏蔽來自外部的電磁波，這種拼接結(jié)構(gòu)能夠有效避免因?yàn)檫B接不理想而造成局部互調(diào)。而且，即使外層的屏蔽層和屏蔽殼的拼接單元之間為直接接觸，來自微波暗室內(nèi)部的電磁波在屏蔽層處也許會(huì)產(chǎn)生互調(diào)，但由于損耗層的吸收，到達(dá)屏蔽層處的電