專利名稱：具保護(hù)層的晶片透孔加工法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片加工法，尤指一種具有保護(hù)層的晶片透孔加工法。
一般于晶片加工法中，以噴砂方式來達(dá)成透孔的過程里，砂粒穿過透孔后，經(jīng)由反彈而撞擊該晶片背面，造成該晶片背面的毀損，參見

圖1，因承載基面12與晶片11并非完全密合接觸，因此在該兩者之間存在有空隙，當(dāng)砂粒13穿過晶片11已穿透之透孔，撞擊承載基面12而反彈撞擊至晶片11的背面，造成該晶片背面的毀損，使得晶片加工過程中質(zhì)量的降低，另外，砂粒13也易堆積于晶片11與承載基面12間的空隙，造成砂材的流失。
本發(fā)明的目的在于改善上述缺點(diǎn)，以提高晶片的加工質(zhì)量與砂材的回收率。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，是以噴砂方式來達(dá)成穿孔的過程，其中晶片透孔加工法的步驟包括(1)提供一承載基面；(2)放置該晶片于該承載基面上；(3)于該承載基面與該晶片之間，形成一反射透過穿孔的粒子群之保護(hù)層；(4)以一快速移動(dòng)之粒子群撞擊該晶片之一特定區(qū)域以形成該透孔。
在上述具有保護(hù)層的晶片透孔加工法中所述的承載基面包含一承載晶片的托盤；一位于托盤與所述的保護(hù)層之間，隔離該托盤與該保護(hù)層的隔離物。
在上述具有保護(hù)層的晶片透孔加工法中，所述的隔離物為一紙制材質(zhì)。
在上述具有保護(hù)層的晶片透孔加工法中，所述的保護(hù)層為一水溶性之膠狀物，該水溶性之膠狀物系為一IPS(IMAGE PRO SUPER)粘接劑。
在上述具有保護(hù)層的晶片透孔加工法中，所述的IPS(IMAGE PRO SUPER)粘接劑置于80℃至120℃的溫度下，烘烤一分鐘至五分鐘，形成保護(hù)層。
在上述具有保護(hù)層的晶片透孔加工法中，所述的快速移動(dòng)之粒子群，是由一噴砂機(jī)經(jīng)一精密噴頭，噴出復(fù)數(shù)個(gè)砂粒所形成。
在上述具有保護(hù)層的晶片透孔加工法中，所述的加工步驟(3)中在承載基面與晶片之間形一反射透過穿孔的粒子群之保護(hù)層后，還包含下列步驟(a)提供一遮罩，該遮罩的材料采用一高分子聚合物之透明膜；(b)于該遮罩上形成一鏤空區(qū)域；(c)放置該遮罩于晶片上方；(d)以一快速移動(dòng)之粒子群撞擊該遮罩，使得該晶片相對(duì)于該鏤空區(qū)域位置處，形成該透孔。
在上述具有遮罩式晶片透孔加工法中，所述的鏤空區(qū)域是由用一鐳射加工技術(shù)于該遮罩上形成復(fù)數(shù)個(gè)鏤空孔組成的區(qū)域。
在上述具有遮罩式晶片透孔加工法中，所述的快速移動(dòng)之粒子群，是由一噴砂機(jī)噴出的復(fù)數(shù)個(gè)砂粒所形成。
綜合上述，該具保護(hù)層之晶片透孔加工法，其是于噴砂方式來達(dá)成透孔的過程中，能避免砂粒穿過透孔后，經(jīng)由反彈而撞擊該晶片背面，造成該晶片背面的毀損，并改進(jìn)砂粒堆積于晶片與承載基面間的空隙，造成砂材的流失的問題，因此本發(fā)明提高了晶片加工的質(zhì)量與砂材的回收率。
下面根據(jù)實(shí)施例的附圖對(duì)本發(fā)明的加工方法詳述如下圖1是現(xiàn)有的噴砂透孔中砂粒反彈之破壞情況的示意圖。
圖2是本發(fā)明的保護(hù)層之形成方法的一個(gè)實(shí)施例示意圖。
圖3是圖2中保護(hù)層之保護(hù)方式的示意圖。
附圖中的圖號(hào)對(duì)應(yīng)構(gòu)件名稱如下11晶片12承載基面13砂粒21晶片22IPS(IMAGE PRO SUPER)保護(hù)層23紙張24托盤25遮罩之鏤空區(qū)域26第一面27第二面28遮罩29砂粒本發(fā)明應(yīng)用于在一晶片上形成至少一個(gè)透孔的制造加工上，其加工法參見圖2，構(gòu)件28為一遮罩，該遮罩28可以是一高分子聚合物之透明膜，以鐳射加工技術(shù)使遮罩上形成鏤空區(qū)域25，而得一具有鏤空區(qū)域25的遮罩28，另外，于晶片21的第一面26涂布一層IPS(IMAGE PRO SUPER)保護(hù)層22，置于烤箱中以80℃至120℃的溫度下，烘烤一分鐘至五分鐘后，先鋪一紙張23于托盤24上，再將涂布一層IPS(IMAGE PRO SUPER)保護(hù)層22的晶片21放置于紙張23上，晶片21與紙張23系因IPS(IMAGE PRO SUPER)保護(hù)層22的粘性將緊密結(jié)合而無空隙，再以該具有鏤空區(qū)域25之遮罩28粘貼于晶片(21)的第二面(27)。
參見圖3，將上述晶片進(jìn)行噴砂處理，當(dāng)噴砂處理的過程中，該遮罩之未鏤空部分具有防止晶片21被砂粒穿透的效果，砂粒經(jīng)遮罩之鏤空區(qū)域25(圖2所示)撞擊晶片21而產(chǎn)生透孔，此時(shí)由一噴砂機(jī)經(jīng)一精密噴頭噴出的砂粒29經(jīng)過晶片21中先形成的透孔后，將因撞擊IPS保護(hù)層22而反彈，達(dá)成保護(hù)晶片21之第一面26的保護(hù)效果，也防止砂粒29堆積于晶片21與托盤24間的空隙，而紙張23具有分隔IPS(IMAGE PRO SUPER)保護(hù)層22與托盤24的效果，避免它們粘在一起。保護(hù)層22為一水溶性的膠狀物，該水溶性的膠狀物為一IPS(IMAGE PROSUPER)粘接劑。
權(quán)利要求
1．一種具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，是以噴砂方式達(dá)成穿孔的過程，其特征在于晶片透孔加工法的步驟包括(1)提供一承載基面；(2)放置該晶片于該承載基面上；(3)于該承載基面與該晶片之間，形成一反射透過穿孔的粒子群之保護(hù)層；(4)以一快速移動(dòng)之粒子群撞擊該晶片之一特定區(qū)域以形成該透孔。
2．如權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，其特征在于所述的承載面包含一承載晶片的托盤，一位于托盤與所述的保護(hù)層之間，隔離該托盤與該保護(hù)層的隔離物。
3．如權(quán)利要求2所述的具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，其特征在于所述的隔離物為一紙制材質(zhì)。
4．如權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，其特征在于保護(hù)層為一水溶性之膠狀物。
5．如權(quán)利要求4所述的具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，其特征在于所述的水溶性之膠狀物系為一IPS(IMAGE PRO SUPER)接著劑。
6．如權(quán)利要求5所述的具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，其特征在于所述的IPS(IMAGE PRO SUPER)粘著劑置于80℃至120℃的溫度下，烘烤一分鐘至五分鐘，形成保護(hù)層。
7．如權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，其特征在于所述的快速移動(dòng)之粒子群，是由一噴砂機(jī)經(jīng)一精密噴頭，噴出復(fù)數(shù)個(gè)砂粒所形成。
8．根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有保護(hù)層的晶片透孔加工法，其特征在于所述的步驟(3)中在承載基面與晶片之間形成一反射透過穿孔的粒子群之保護(hù)層，還包含下列步驟(a)提供一遮罩，該遮罩的材料為一高分子聚合物之透明膜；(c)于該遮罩上形成一鏤空區(qū)域；(d)以一快速移動(dòng)之粒子群撞擊該遮罩，使得該晶片相對(duì)于該鏤空區(qū)域位置處，形成該透孔。
9．如權(quán)利要求8所述的具有遮罩式晶片透孔加工法，其特征在于所述的鏤空區(qū)域是由用一鐳射加工技術(shù)于該遮罩上形成復(fù)數(shù)個(gè)鏤空孔組成的區(qū)域。
10．如權(quán)利要求8所述的具有遮罩式晶片透孔加工法，其特征在于所述的快速移動(dòng)之粒子群，是由一噴砂機(jī)噴出的復(fù)數(shù)個(gè)砂粒所形成。
全文摘要
一種具有保護(hù)層的晶片透孔加工法,其系應(yīng)用于在一晶片上形成至少一個(gè)透孔的制造加工上,其加工步驟包含:(1)提供一承載基面;(2)放置該晶片于該承載基面上;(3)于該承載基面與該晶片之間,形成一反射透過穿孔的粒子群之保護(hù)層;(4)以一快速移動(dòng)之粒子群撞擊該晶片之一特定區(qū)域以形成該透孔。本發(fā)明提高了晶片加工的質(zhì)量與砂材的回收率。
文檔編號(hào)B28D5/00GK1214987SQ9712132
公開日1999年4月28日 申請(qǐng)日期1997年10月22日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月22日
發(fā)明者莫自治, 鄭香京, 周沁怡, 楊長謀 申請(qǐng)人:研能科技股份有限公司